Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΡ‹, курсовыС, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅...
Брочная ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΡƒΡ‡Ρ‘Π±Π΅

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты

ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΠ²Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ РассчитанныС ВАΠ₯ (рис. 4 ΠΈ Ρ€ΠΈΡ.6) Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ постоянноС напряТСниС питания ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚оянноС напряТСниС смСщСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ подвСсти ΠΊ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°ΠΌ транзистора. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π» ΠΈΠ· ΡΡ‚роя, ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 0 < <6 Π’, Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 0 Π’. Учитывая… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты ВСхничСскоС Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ ВрСбуСтся Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΡƒ усилитСля мощности Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС с Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π¨ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ осущСствлСно с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Microwave Office. К ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ трСбования.

1. Входная частота 2 Π“Π“Ρ†.

2. Полоса пропускания 25% ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ частоты.

3. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния мощности максимально достиТимый.

4. Развязка с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 20 Π΄Π‘.

5. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСгулирования коэффициСнта усилСния.

6. НапряТСниС рСгулирования ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 5 Π’.

7. Входная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ максимальном усилСнии Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1 ΠΌΠ’Ρ‚.

8. Π’ΠΎΠΊ потрСблСния Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50 мА.

9. НапряТСниС питания 3 — 4 Π’.

10. .Π“Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ 3×3×0,2 ΠΌΠΌ.

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ слСдуСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ условий получСния максимального коэффициСнта усилСния мощности ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ коэффициСнта ΡˆΡƒΠΌΠ°.

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы, поэтому Ρ†Π΅ΠΏΠΈ усилитСля Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² с ΡΠΎΡΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ.

1. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ свСдСния ΠΎΠ± ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Слях мощности

1.1 Бостав усилитСля мощности Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности содСрТит ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ элСмСнты:

— Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ элСмСнт (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, транзистор), ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для прСобразования энСргии источника питания Π² ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ,

— ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания,

— Π²Ρ…одная ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…одная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

Входная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π° для прСобразования Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния транзистора Π² ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ источника ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ, ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ. Выходная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ усилитСля Π² ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… элСктродах транзистора, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Если ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ узкополосный, Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ прСобразования сопротивлСний ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ частотС. Π’ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½Ρ‹Ρ… усилитСлях прСобразования происходят Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ полосС частот.

Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ исслСдуСтся ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° проСктирования усилитСля Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС с Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π¨ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ (ПВШ). Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ПВШ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Π‘Π’Π§ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ· Π°Ρ€ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΄Π° галлия n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ПВШ ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком, ΠΏΡ€ΠΈ этом источник питания ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСктродом ΠΊ ΡΡ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ — ΠΊ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΡƒ. Для создания ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ постоянноС напряТСниС смСщСния ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅.

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма усилитСля мощности ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 1. К Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ транзистора ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниСм. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Ρ‹Π΅ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡΡ‚окаподводят ΠΊ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°ΠΌ транзистора Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ индуктивности. На Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ .

Рис. 1 Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма усилитСля мощности

(1 — входная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, 2 — выходная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ)

1.2 МодСль ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π¨ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ модСлью транзистора являСтся эквивалСнтная схСма, выполнСнная Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ… с ΡΠΎΡΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ. Для ПВШ Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ — рис. 2.

Рис. 2. ЭквивалСнтная схСма ПВШ На ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ обозначСния:

— Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока,

— Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ,

— Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ,

— Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ,

ΠΈ — сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° транзистора со ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ истока ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ°,

, — сопротивлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, стока ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠ°,

, — индуктивности Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, стока ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠ°,

— Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ для модСлирования Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π° Π¨ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ.

Бвойства транзистора ΠΊΠ°ΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΡƒΡ‡Ρ‚Π΅Π½Ρ‹ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока зависит ΠΎΡ‚ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅. Бвойства транзистора ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΡƒΡ‡Ρ‚Π΅Π½Ρ‹ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ (,), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ СмкостСй транзистора ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний: (), (). НапряТСния ΠΈ ΠΎΡ‚ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ модСль ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π’ ΠžΠœ 1. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ.

1.3 РасчСт статичСских Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Microwave Office

1.3.1 БСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… статичСских ВАΠ₯ БоставляСтся элСктричСская схСма, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ транзистор ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ IVCURVE, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для измСрСния статичСских ВАΠ₯. На Ρ€ΠΈΡ. 3 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π¨ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, прСдставлСнный модСлью ВОМ 1.. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ расчСтов Π±Ρ‹Π»ΠΈ установлСны Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΈ ΡˆΠ°Π³ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСний Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°Ρ… транзистора. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€ΠΈΡ. 3, напряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ измСняСтся (sweep) ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 5 Π’ с ΡˆΠ°Π³ΠΎΠΌ 0,1 Π’, Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ мСняСтся скачками (step) ΠΎΡ‚ -0,8 Π΄ΠΎ 0 Π’ с ΡˆΠ°Π³ΠΎΠΌ 0,1 Π’. РасчСт проводился Π² Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π° ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ Current, Icomp.

Рис. 3. ЭлСктричСская схСма для расчСта Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ВАΠ₯ РассчитанныС характСристики ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 4.

мА Π ΠΈΡ. 4. БСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… статичСских ВАΠ₯ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (вСрхняя кривая соотвСтствуСт Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ транзистора = 0 Π’, ниТняя — Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ = -0.8 Π’)

1.3.2 ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Π°Ρ характСристика транзистора Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ характСристику транзистора, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ схСму, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 5.

Рис. 5. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° для расчСта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ВАΠ₯ транзистора Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° состоит ΠΈΠ· ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора TOM 1, источника постоянного напряТСния DCVS, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊ, источника пСрСстраиваСмого напряТСния DCVSS, ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° I METER, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ стока. НапряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ измСняСтся ΠΎΡ‚ -1 Π΄ΠΎ 0,2 Π’ с ΡˆΠ°Π³ΠΎΠΌ 0,05 Π’. НапряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ установлСно постоянным =3 Π’. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ прСдставлСн Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 6.

мА Π ΠΈΡ. 6. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Π°Ρ характСристика ПВШ

1.4 Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ РассчитанныС ВАΠ₯ (рис. 4 ΠΈ Ρ€ΠΈΡ.6) Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ постоянноС напряТСниС питания ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚оянноС напряТСниС смСщСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ подвСсти ΠΊ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°ΠΌ транзистора. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π» ΠΈΠ· ΡΡ‚роя, ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 0 < <6 Π’, Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 0 Π’. Учитывая ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ Π²ΠΎ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΈ рис. 4 ΠΈ Ρ€ΠΈΡ 6, Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ постоянныС напряТСния: Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ = -0.3 Π’, Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ =3 Π’.

ЭлСктричСская схСма, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 7.

Рис. 7. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ питания ΠΈ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Ρ‚ранзистор К Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ транзистора ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ источник ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 0 Π΄Π‘ΠΌ (1 ΠΌΠ’Ρ‚) с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниСм 50 Ом. Частота ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ пСрСстроСна Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 1 — 8 Π“Π“Ρ† ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Project Option Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Microwave Office. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания ΠΈ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π΅ Π²Π»ΠΈΡΠ»ΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ индуктивности достаточно Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ².

2. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ усилитСля мощности Π’ ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ€ΠΈΡ. 1, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности состоит ΠΈΠ· Ρ‚ранзистора, Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ питания ΠΈ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ. ЦСлСсообразно ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ порядок проСктирования:

1) составлСниС ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ,

2) ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ,

3) ΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ питания ΠΈ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡ,

4) расчСт основных характСристик усилитСля,

5) ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ усилитСля Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ области,

6) ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° схСмы ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² усилитСля.

ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности, ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ — максимум коэффициСнта усилСния мощности (PGAIN)/

2.1 Выходная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Выходная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π° для прСобразования сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ усилитСля (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 50 Ом) Π² ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ .Π­Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС оказываСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ элСктродам транзистора: сток — исток. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ осущСствляСм Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ порядкС:

— Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ модСлирования схСмы рис. 7 Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Microwave Office ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… сопротивлСниях Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ коэффициСнт усилСния максималСн;

— Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΈΡ‚ичСским Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ;

— Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния мощности ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ (Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎ-Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ характСристику усилитСля) с ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ;

— ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ывая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистора Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС содСрТит ΠΌΠ½ΠΈΠΌΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ, скоррСктируСм ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ компСнсации ΠΏΠΎ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΡŽ максимума Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ частотС.

Рассмотрим ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠΈ для проСктирования Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ узкополосного усилитСля, для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 2 0,5 Π“Π“Ρ†.

2.1.1 Амплитудно-частотная характСристика (АЧΠ₯) усилитСля Π±Π΅Π· ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ.

На Ρ€ΠΈΡ. 8 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° АЧΠ₯ усилитСля, рассчитанная ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ рис. 7 Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Microwave Office.

Π΄Π‘ Π ΠΈΡ. 8. АЧΠ₯ усилитСля Π±Π΅Π· ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ

2.1.2 ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистора

На Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ этапС рассчитываСм АЧΠ₯ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… сопротивлСниях Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ усилитСля (Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… значСниях Z ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° P2 — рис.8). РасчСты ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 2 Π“Π“Ρ†. максималСн ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии 150 Ом. На Ρ€ΠΈΡ. 9 ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° АЧΠ₯ ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ 150 Ом.

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡ рис. 8 ΠΈ 9, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ 50 Π΄ΠΎ 150 Ом ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ коэффициСнта усилСния мощности ΠΎΡ‚ 12,5 Π΄ΠΎ 14,7 Π΄Π‘. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ эффСктивно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π½Π° ΡΡ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС = 50 Ом, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, которая ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ сопротивлСниС = 50 Ом Π² ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ = 150 Ом Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… элСктродах транзистора/

Π΄Π‘

Рис. 9. АЧΠ₯ усилитСля ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ = 150 Ом.

2.1.3 АналитичСский расчСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ узкополосной ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ мСньшСС сопротивлСниС Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅Π΅, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π“-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 10.

Π°) Π±) Рис. 10 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π“-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΊ Анализ рис. 7, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ†Π΅Π»Π΅ΡΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ примСнСния Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 10,Π°. АналитичСский расчСт ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ провСсти ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ΅, ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅. Π’ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ для расчСта ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ

1), 2), 3) ,

Π³Π΄Π΅ — Π΄ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, — элСмСнты Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ.

ΠŸΠΎΠ΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ Π² ΡΡ‚ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ =150 Ом, =50 Ом, = 2, = 2* 10 Π“Ρ†, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ: =1,4, C = 1,1 ΠΏΠ€, L = 8,5 Π½Π“Π½.

транзистор ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° microwave office

2.1.4 Амплитудно-частотная характСристика усилитСля с Π“-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ рис. 7 для Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ источника питания, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ элСмСнта ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Π’Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ элСмСнтом ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ являСтся Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ, которая ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ элСмСнта, Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ постоянного ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ЭлСктричСская схСма усилитСля с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 11.

Рис. 11 ЭлСктричСская схСма усилитСля с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ модСлирования схСмы. Амплитудно-частотная характСристика усилитСля с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ (рис.11) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 12.

Π΄Π‘ Π ΠΈΡ. 12 АЧΠ₯ усилитСля с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ Как Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, коэффициСнт усилСния мощности усилитСля ΠΏΡ€ΠΈ стандартной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ = 50 Ом ΡΡ€Π°Π²Π½ΡΠ»ΡΡ с Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии 150 Ом, благодаря ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

2.2 Входная ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ усилитСля ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

— Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния транзистора Π² Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Microwave Office,

— ΠΌΠ½ΠΈΠΌΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ частотС, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ транзистора Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π½Π°ΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Ρ Π΅Π³ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ,

— Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ Π΅Π΅ Ρ ΡΡ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм 50 Ом, Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ,

— Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π² ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника = 50 Ом,

— ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму усилитСля с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ цСпями, Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΅ ΠΠ§Π₯. ΠΈ ΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ.

2.2.1 ΠšΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΌΠ½ΠΈΠΌΠΎΠΉ части Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния транзистора На Ρ€ΠΈΡ. 13 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΌΠ½ΠΈΠΌΠΎΠΉ части Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния транзистора., рассчитанная для схСмы рис. 11.

, Ом

Рис. 13. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса транзистора (? —, ? — )

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€ΠΈΡ. 13, мнимая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот, Ρ‚ΠΎΡ‚ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Смкостной Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€. Для компСнсации ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ смСщСния транзистора, подбирая Π΅Π΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΌΠ½ΠΈΠΌΠΎΠΉ частСй Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния транзистора Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ рис. 11 послС ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ индуктивности ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 14.

Как Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, мнимая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния транзистора Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 2 Π“Π“Ρ† ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ Π² Π½ΡƒΠ»ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ смСщСния = 10 Π½Π“Π½. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ частотС оказалась Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ 165 Ом. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, слСдуСт Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ большСС сопротивлСниС (165 Ом) Π² ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π΅ (50 Ом), Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π²ΠΈΠ΄ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ схСмы рис. 10, Π°.

, Ом Π ΠΈΡ. 14 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса схСмы рис. 11 ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ =10 Π½Π“Π½ (? —, ? — )

2.2.2 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ усилитСля ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ транзистора Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ рис. 11 слСдуСт ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ для раздСлСния Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ постоянного ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π­Ρ‚Π° Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ совмСстно с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, для ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ слСдуСт Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния. ЭлСктричСская схСма усилитСля с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ цСпями ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 15.

Рис. 15 ЭлСктричСская схСма усилитСля с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ цСпями ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΠ»Π°ΡΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. К Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ усилитСля ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π»ΡΡ источник ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ PORT 1 с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм 50 Ом. Использовались ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Simulate, Tune, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² измСнялись Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 2 Π“Π“Ρ† мнимая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π±Ρ‹Π»Π° Ρ€Π°Π²Π½Π° Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Π° Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ = 50 Ом. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса усилитСля ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 16, Π° ΠΠ§Π₯ усилитСля — Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 17.

, Ом Π ΠΈΡ. 16. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΌΠ½ΠΈΠΌΠΎΠΉ частСй Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса усилитСля ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ рис.16

Π΄Π‘ Π ΠΈΡ. 17 Амплитудно-частотная характСристика однокаскадного усилитСля Как Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ полосС частот коэффициСнт усилСния мощности ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 14 Π΄Π‘.

Для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ настройки рассчитана Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ модуля коэффициСнта отраТСния ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля. Π­Ρ‚Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 18, ΠΈΠ· Π½Π΅Π΅ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ практичСски вся ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ частоты 2 Π“Π“Ρ† поступаСт ΠΈΠ· ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ.

Рис. 18. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ модуля коэффициСнта отраТСния ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля

3. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики усилитСля мощности

3.1 АЧΠ₯ ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚удная характСристики На Ρ€ΠΈΡ. 17 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° АЧΠ₯ усилитСля, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ частотС Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° коэффициСнт усилСния мощности ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 15 Π΄Π‘ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности 0 Π΄Π‘ΠΌ. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ измСняСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности, Π±Ρ‹Π»Π° рассчитана амплитудная характСристика спроСктированной схСмы, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ частотС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ 2 Π“Π“Ρ† — рис. 18. Для расчСта характСристики Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ транзистора ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ PS 1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΈ ΡˆΠ°Π³ пСрСстройки.

Из Ρ€ΠΈΡ. 18 Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности (ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π΄ΠΎ — 8 Π΄Π‘ΠΌ) транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π³Π΄Π΅ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ся, Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 15 Π΄Π‘ΠΌ усилСниС ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ большой Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности коэффициСнт усилСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ напряТСниС смСщСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅.

Π΄Π‘

Рис. 19 Амплитудная характСристика усилитСля

Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ частотС 2 Π“Π“Ρ† ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 20. Вторая Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 16 Π΄Π‘, Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡ Π½Π° 20 Π΄Π‘.

Π΄Π‘ΠΌ Рис. 20 Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ усилитСля

3.2 ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° усилитСля Π±Ρ‹Π» рассчитан ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности. На Ρ€ΠΈΡ 21 прСдставлСна Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта ΡˆΡƒΠΌΠ° (Π² Π΄Π‘) ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ, Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ° рассчитывался для ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ„Π»ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 10 — 20 ΠœΠ“Ρ†.

Π΄Π‘ Π°)

Π΄Π‘ Π±)

Рис. 21 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… уровнях Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности

Π°) = - 10 Π΄Π‘ΠΌ, Π±) = 0 Π΄Π‘ΠΌ Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€ΠΈΡ. 21, ΠΏΡ€ΠΈ возрастании Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности коэффициСнт ΡˆΡƒΠΌΠ° увСличиваСтся вСсьма сущСствСнно. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния мощности ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ 0 Π΄Π‘ΠΌ, транзистор оказался Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСблагоприятно для ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ .

3.3. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ мощности Π‘Ρ‹Π»Π° рассчитана Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ мощности с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄. Для расчСта этой характСристики Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля Π±Ρ‹Π» поставлСн источник ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ PORT 1, Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ PORT — рис. 22.

Рис. 22 ЭлСктричСская схСма усилитСля для расчСта ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ прохоТдСния мощности ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ усилитСля, Π±Ρ‹Π»Π° установлСна, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ 15 Π΄Π‘ΠΌ. Рассчитанная характСристика ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 23.

Как Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, развязка с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усилитСля ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 21 Π΄Π‘.

Рис. 23 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹ коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ мощности с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄

4. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСгулирования коэффициСнта усилСния Π˜Π·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния мощности ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ измСнСния напряТСния смСщСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора. Π‘ ΡΡ‚ΠΎΠΉ Ρ†Π΅Π»ΡŽ Π² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ усилитСля, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 15, слСдуСт Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ источник постоянного напряТСния V1 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° DCVS источником пСрСстраиваСмого напряТСния DCVSS ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ измСняСмого: напряТСния: Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ шаг пСрСстройки.

На Ρ€ΠΈΡ. 24 прСдставлСна рСгулировочная характСристика усилитСля, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ смСщСния. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€ΠΈΡ. 24, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния смСщСния ΠΎΡ‚ -0,3 Π΄ΠΎ -1,2 Π’ коэффициСнт усилСния мощности измСняСтся ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π° 17 Π΄Π‘.

Π΄Π‘ Π ΠΈΡ. 24 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ смСщСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ транзистора

5. Анализ зависимостСй Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°Ρ… транзистора ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ, Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ Π»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ элСктродов транзистора допустимых Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, цСлСсообразно Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ значСния ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Π‘ ΡΡ‚ΠΎΠΉ Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ усилитСля слСдуСт Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 25.

Рис. 25 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ.

ΠœΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° измСряСтся Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ AMP 1, Ρ‚ΠΎΠΊ стока — Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ AMP 2, ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ — Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ VM 1, напряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ — Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ VM 2. НапряТСния ΠΎΡ‚ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора. Для расчСта напряТСний Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Nonlinear, Voltage, Vtime. ΠŸΡ€ΠΈ частотС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ 2 Π“Π“Ρ† Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 26, Π°) ΠΈ Π±).

Π’ Π°)

Π’ Π±)

Рис. 26 Зависимости ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ транзистора Π’ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 27. Для расчСта Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² слСдуСт Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π°ΠΌΠΈ Nonlinear, Current, Itime/

мА а)

мА б)

Рис. 27 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора Π›Π΅Π³ΠΊΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Ρ€ΠΈΡ. 26 ΠΈ 27, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ транзистора Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ-допустимых Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° проСктирования элСктричСской схСмы усилитСля мощности Π‘Π’Π§ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС с Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π¨ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ аналитичСскиС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Microwave Office. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ критСрия ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ схСмы усилитСля Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ максимум коэффициСнта усилСния мощности Π½Π° Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ частотС Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ проСктирования усилитСля частоты 20,5 Π“Π“Ρ†. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ модСлирования использована модСль ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ВОМ 1. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния мощности 15 Π΄Π‘ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности 0 Π΄Π‘ΠΌ. Рассчитаны основныС характСристики усилитСля: Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎ-частотная, амплитудная, Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΎΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Ρ‹, коэффициСнт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ прохоТдСния. Показана Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСгулирования коэффициСнта усилСния.

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅

Parameters

ID

Device ID

Text

F1

*VTO

Non-scalable portion of Vt

Voltage

— 2.5 V

*VTOSC

Scalable portion of Vt

Voltage

0 V

*ALPHA

Drain I/V knee parameter

None

*BETA

I/V Beta coefficient

None

0.01

*GAMMA

AC drain term

None

*GAMMADC

DC drain term

None

*Q

I/V exponent

None

*DELTA

I/V DELTA term

None

*VBI

Gate junction built-in voltage

Voltage

1 V

*IS

Gate diode current parameter

Current

10-11 mA

*N

Gate diode ideality factor

None

*RIS

Gate-source intrinsic resistance

Resistance

0.001 Ohm

*RID

Gate-drain resistance

Resistance

0.001 Ohm

*TAU

Gate-drain time delay

Time

0 ns

*CDS

Drain-source capacitance

Capacitance

0 pF

*RDB

RF drain-source resistance

Resistance

106 Ohm

*CBS

Capacitance that determines Rds break frequency

Capacitance

0 pF

*CGSO

Gate-source capacitance parameter

Capacitance

0 pF

*CGDO

Gate-drain capacitance parameter

Capacitance

0 pF

*DELTA1

Capacitance DELTA1 parameter

None

0.3

*DELTA2

Capacitance DELTA2 parameter

None

0.2

*FC

Gate depletion cap. linearization parameter

None

0.5

*VBR

Gate junction breakdown voltage

Voltage

106 V

*RG

Gate resistance; non-scalable part

Resistance

0.001 Ohm

*RD

Drain resistance

Resistance

0.001 Ohm

*RS

Source resistance

Resistance

0.001 Ohm

*RGMET

Gate metallization resistance; scales with AFAC & NFING

Resistance

0.001 Ohm

*TNOM

Temperature

Temperature

27 DegC

*LS

Source inductance

Inductance

0 nH

*LG

Gate inductance

Inductance

0 nH

*LD

Drain inductance

Inductance

0 nH

*P

Noise par: P

*Tg

Noise par: gate noise temp

*KF

Flicker noise coefficient

*AF

Flicker noise exponent

*FFE

Flicker noise frequency exponent

*NFLAG

Noise model

AFAC

Gate width scale factor

None

NFING

Number of fingers scale factor

None

*indicates secondary parameter

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ