Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Фазовые равновесия и стеклообразование в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me=Mg, Ca, Sr, Ba)

Диссертация: Фазовые равновесия и стеклообразование в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me=Mg, Ca, Sr, Ba)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые построены фазовые диаграммы двенадцати систем: MeS-Ga2S3, MeF2-Ga2S3 и MeS-MeF2 (Me = Mg, Ca, Sr, Ва) в температурном интервале от 570 К до температур полного расплава. В системах MeS-Ga2S3 происходит постоянное усложнение фазовых равновесий, приводящее к образованию в системе MgS-Ga2S3 одного, в системе CaS-Ga2S3 двух, в системе SrS-Ga2S3 трех, а в системе BaS-Ga2S3 шести сложных… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Фазовые равновесия в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са,
  • Sr, Ва) и свойства образующихся фаз
    • 1. 1. Взаимодействие в системе Ga-S и свойства образующихся фаз
    • 1. 2. Взаимодействие в системах Me-S, Me-F2 (Me = Mg, Ca, Sr, Ва) и свойства образующихся фаз
    • 1. 3. Взаимодействие в системах MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) и свойства образующихся фаз
    • 1. 4. Методы синтеза сульфидных фаз
    • 1. 5. Стеклообразное состояние веществ. Синтез и свойства неорганических стекол
    • 1. 6. Расчет стеклообразующей способности вещества на основе учета природы химической связи
    • 1. 7. Задачи исследования
  • ГЛАВА 2. Синтез и методы исследования сульфидных и фторсульфидных фаз
    • 2. 1. Установка синтеза сульфидных и фторсульфидных фаз
    • 2. 2. Синтез фаз MeS
    • 2. 3. Синтез фазы Ga2S
    • 2. 4. Синтез сложных фаз. Получение гомогенных образцов тройных и четвертичных фаз
    • 2. 5. Методы физического и физико-химического анализа
      • 2. 5. 1. Дифференциально-термический анализ
      • 2. 5. 2. Визуально-термический анализ (ВТА)
      • 2. 5. 3. Рентгенофазовый анализ (РФА)
      • 2. 5. 4. Микроструктурный анализ (МСА) и определение микротвердости
      • 2. 5. 5. ИК- и видимая спектроскопия
      • 2. 5. 6. Методы химического анализа
  • ГЛАВА 3. Фазовые равновесия в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg,
  • Са, Sr, Ва)
    • 3. 1. Фазовая диаграмма состояния системы MgS-Ga2S
    • 3. 2. Фазовая диаграмма состояния системы CaS-Ga2S
    • 3. 3. Фазовая диаграмма состояния системы SrS-Ga2S
    • 3. 4. Фазовая диаграмма состояния системы BaS-Ga2S
    • 3. 5. Диаграммы плавкости систем MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва)
    • 3. 6. Диаграммы плавкости систем MeS-MeF2 (Me = Mg, Са, Sr, Ва)
  • ГЛАВА 4. Стеклообразование в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg,
  • Са, Sr, Ва) и свойства стекол
    • 4. 1. Квантово-механический расчет возможности стеклообразования в системах MeS-MeF2- Ga2S
    • 4. 2. Получение сульфидных и фторсульфидных стекол и исследование их свойств

Фазовые равновесия и стеклообразование в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me=Mg, Ca, Sr, Ba) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие техники и промышленности обуславливают необходимость создания новых материалов с заданными свойствами и в частности новых видов стекол. Системы типа MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) представляют интерес в плане образования в них областей стеклования. Ион галлия Ga3+ является условным стеклообразователем, а ионы щелочноземельных элементов модификаторами сетки стекла. Теоретический расчет областей стеклования и экспериментальное комбинирование состава сложных сульфидных и фторсульфидных стекол может позволить получить вещества с практически значимыми свойствами.

В системах MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) образуются фазы: MgGa2S4, Ba2Ga2S5, Ba3Ga2S6, Ba4Ga2S7, кристаллизующиеся в моноклинной сингонии, CaGa2S4, SrGa2S4, BaGa4S7, Ba5Ga2Sg, кристаллизующиеся в ромбической сингонии и Ca4Ga2S7, BaGa2S4, кристаллизующиеся в кубической сингонии. В литературе не обнаружено сведений о характере плавления и интервалах устойчивости сложных сульфидов. Скудность литературных данных определяет актуальность построения фазовых диаграмм систем MeS-Ga2S3, как научной основы для получения сложных сульфидов в монои поликристаллическом состоянии. Представляет интерес связать закономерности фазовых равновесий в системах с изменением соотношения характеристик атомов и ионов щелочноземельных элементов и галлия, а также свойств их сульфидов.

Задачи исследования:

— изучение фазовых равновесий в системах MeS-Ga2S3, MeF2-Ga2S3, MeS-MeF2 (Me = Mg, Ca, Sr, Ва) и построение фазовых диаграмм систем, поиск новых фаз в системах, определение их рентгенометрических характеристик;

— установление закономерностей фазовых равновесий в системах MeS-Ga2S3, MeF2-Ga2S3, MeS-MeF2 (Me = Mg, Ca, Sr, Ва) в зависимости от соотношения геометрических и энергетических характеристик атомов и катионов щелочноземельных металлов и галлия, а также соотношения кислотно-основных свойств сульфидов MeS и Ga2S3;

— проведение теоретического расчета областей стеклования расплавов систем MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва), определение условий получения фторсульфидных образцов в стеклообразном состоянии;

— изучение физико-химических свойств фторсульфидных фаз и стекол, образующихся в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва). Научная новизна.

1. Впервые построены фазовые диаграммы состояния двенадцати систем: MeS-Ga2S3, MeF2-Ga2S3 и MeS-MeF2 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) в температурном интервале от 570 К до температур полного расплава. Системы MeF2-Ga2S3 и MeS-MeF2 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) эвтектического типа с закономерным изменением в системах координат эвтектик.

2. В системах MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) с увеличением различий геометрических, энергетических характеристик атомов и ионов щелочноземельных элементов и галлия, кислотно-основных свойств простых сульфидов, происходит закономерное усложнение фазовых равновесий, проявляющихся в увеличении количества образующихся сложных сульфидов, от одного в системе MgS-Ga2S3 до шести в системе BaS-Ga2S3.

3. В системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) проведен расчет стеклообразующей способности ковалентного расплава на основе квантовых характеристик атомов и учета природы взаимодействия между ними. Определены области стеклования для условного стеклообразователя Ga2S3 и модификаторов сетки стекла MeS и MeF2 (Me = Mg, Са, Sr, Ва).

4. Впервые получено соединение состава Sr4Ga2S7, кристаллизующегося в ГЦК сингонии, СТ NaCl, пр. гр. Fm3m, а=0.6008 нм.

Практическая значимость.

Построение фазовых диаграмм является основой для определения условий получения тиогаллатов щелочноземельных металлов в монои поликристаллическом состоянии, а также получения сложнокомпозиционных материалов.

Впервые установлены рентгенометрические характеристики соединения Sr4Ga2S7.

Определены области стеклования в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва). Синтезированные стекла имеют высокие значения пороговых длин волн в инфракрасной области (до 9.0 мкм) и предложены к использованию в качестве ИК окон и нелинейных оптических материалов.

Полученные результаты могут быть использованы как справочные данные, дополняющие представления об особенностях взаимодействия с участием соединений галлия.

На защиту выносятся:

1. Построенные комплексом методов физико-химического анализа фазовые диаграммы систем MeS-Ga2S3, MeS-MeF2, MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Ca, Sr, Ba).

2. Установленные закономерности изменения фазовых равновесий в системах MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва), коррелирующие с изменением соотношений геометрических, энергетических характеристик атомов и ионов, кислотно-основных свойств простых сульфидов.

3. Рентгенометрические характеристики, сингония, тип структуры, параметры э. я. и пр. гр. впервые синтезированного соединения Sr4Ga2S7.

4. Теоретический расчет и экспериментальное подтверждение стеклообразующей способности расплавов систем MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва). Характеристики полученных стекол.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы были представлены на V Всероссийской научно-практической конференции студентов, аспирантов, докторантов и молодых ученых «Наука XXI веку» (Майкоп, 19−21 апреля 2004 г) — I Всероссийской конференции студентов и молодых ученых «Перспективы развития фундаментальных наук» (Томск, 26−28 апреля 2004 г) — XVII Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях — ММТТ-17» (Кострома, 1−3 июня 2004 г) — Всероссийской конференции «Химия твёрдого тела и функциональные материалы — 2004» (Екатеринбург, 25−27 октября 2004 г) — II Всеросс. конф. «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 11−15 октября 2004 г) Всероссийской конференции «Менделеевские чтения» (Тюмень, 26 — 28 мая, 2005 г) — Международной научной конференции «Модернизация образования в условиях глобализации» (Тюмень, 14−15 сентября, 2005 г).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 7 статей, из них 1 в центральной печати, 4 тезиса докладов.

ВЫВОДЫ.

1. Впервые построены фазовые диаграммы двенадцати систем: MeS-Ga2S3, MeF2-Ga2S3 и MeS-MeF2 (Me = Mg, Ca, Sr, Ва) в температурном интервале от 570 К до температур полного расплава. В системах MeS-Ga2S3 происходит постоянное усложнение фазовых равновесий, приводящее к образованию в системе MgS-Ga2S3 одного, в системе CaS-Ga2S3 двух, в системе SrS-Ga2S3 трех, а в системе BaS-Ga2S3 шести сложных сульфидов. Конгруэнтно плавятся соединения — MgGa2S4, CaGa2S4, SrGa2S4, BaGa4S7- по перитектической реакции плавятся — Sr2Ga2Ss, BaGa2S4, Ba2Ga2S5, Ba3Ga2S6, Ba4Ga2S7, Ba5Ga2S8- твердофазно разлагаются — Ca4Ga2S7, Sr4Ga2S7. Диаграммы систем MeF2-Ga2S3 и MeS-MeF2 эвтектического типа.

2. Усложнение взаимодействия в системах MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) коррелирует с увеличением различий в геометрических, энергетических характеристик атомов, ионов щелочноземельных элементов и галлия, кислотно-основных свойств исходных сульфидов.

3. Впервые получено соединение состава Sr4Ga2S7, которое кристаллизуется ГЦК сингонии (СТ NaCl, пр. гр. Fm3m) с параметром э.я. а=0.6008 нм и разлагается по твердофазной реакции: Sr4Ga2S7 —> Sr2Ga2Ss + 2SrS при 870 К.

4. На основе квантовых характеристик атомов и учета природы химической связи между компонентами проведен расчет стеклообразующей способности расплавов в тройных системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва). Экспериментально определены области стеклования, которые в пределах 80−90% совпадают с рассчитанными. Определены условия получения сульфидных и фторсульфидных образцов в стеклообразном состоянии. Фторсульфидные стекла, образующиеся в системах MeF2-MeS-Ga2S3, имеют более широкий температурный интервал стеклования (Тнк-Т" = 200−350 К), чем сульфидные стекла (THK.-Tg = 100−150 К).

5. Изучены физико-химические свойства полученных стекол. Стекла прозрачны в пределах от 0.4−0.5 мкм до 8.0−9.0 мкм, пропускание составляет до 80%.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Полученные сведения по фазовым равновесиям в изученных системах MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) относятся к области фундаментальных знаний. Дальнейшее использование этих сведений в конкретных задачах определяется тем, насколько они достоверны.

Фазовые диаграммы, построенные по совокупности экспериментальных данных, являются основой для разработки получения тиогаллатов щелочноземельных металлов в монои поликристаллическом состоянии с заданными параметрами.

Для построения Т-х проекций диаграмм был использован методологический подход для исследодования систем, содержащих летучий компонент. Это применение комплекса методов физико-химического анализа: ДТА, МСА, РФА, ВТА и дюраметрический. Исследования проводили на образцах равновесность которых была доказана методами РФА и МСА. Проведение термообработки образцов в парах серы, либо применение в методе ВТА высоких (до 500 град/мин) скоростей нагрева проб позволяло сохранять стехиометрию образцов вплоть до температур их плавления. Положение линий моновариантного равновесия и координат нонвариантных точек определяли по согласованным результатам нескольких методов анализа при исследовании двух-трёх образцов одного и того же состава, синтезированных в различных сечениях.

Системы MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) относятся к системам с одним анионом и различными катионами щелочноземельных металлов и галлия. В ряду систем изменяются параметры щелочноземельных элементов и, соответственно, проявляется закономерное изменение характера фазовых диаграмм состояния и соединений образующихся в них.

В системах изменяются соотношения ЭО атомов (Ga — 1.82, Mg — 1.23, Са — 1.04, Sr — 0.99, Ва — 0.97) и их ионных радиусов (Ga3+ - 0.062 нм, Mg2+ -0.074 нм, Са2+ - 0.104 нм, Sr2+ - 0.120 нм, Ва2+ - 0.138 нм). С ростом радиуса ионов щелочноземельного металла и увеличения основности сульфидов MeS, происходит рост числа образующихся тройных фаз. Увеличение образования количества фаз в системах согласуется с различием между кислотно-основными свойствами исходных сульфидов. Проявляющиеся диагональное родство у Mg и Ga дает достаточно близкое соотношение кислотно-основных свойств, поэтому в системе MgS — Ga2S3 существует одна фаза состава MgGa2S4. В ряду MgS, CaS, SrS, BaS с увеличением радиуса щелочноземельного элемента существенно усиливаются основные свойства сульфидов. Увеличение различия кислотно-основных свойств, приводит к тому, что в системе CaS-Ga2S3 образуется две фазы: CaGa2S4 и Ca4Ga2S7- в системе SrS-Ga2S3 — три фазы: SrGa2S4, Sr2Ga2S5, Sr4Ga2S7- в системе BaS-Ga2S3 — шесть фаз: BaGa4S7, BaGa2S4, Ba2Ga2S5, Ba3Ga2S6, Ba4Ga2S7, Ba5Ga2Ss.

Фазы, образующиеся при наибольшем содержании в них полуторного сульфида галлия (MgGa2S4, CaGa2S4, SrGa2S4, BaGa4S7), имеют конгруэнтный характер плавления, а остальные тройные фазы плавятся с разложением по перитектическим реакциям или разлагаются по твердофазным реакциям.

Соединения с наибольшим содержанием в них полуторного сульфида галлия разбивают системы MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) на две подсистемы эвтектического типа. Подсистемы MeGa2S4-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr) и BaGa4S7-Ga2S3 эвтектического типа, с ограниченной растворимостью на основе y-Ga2S3. В подсистемах MeGa2S4-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr) и BaGa4S7-Ga2S3 характер кристаллизации фаз в дои заэвтектических областях подобен. В доэвтектических областях кристаллизуются крупные кристаллы соединений, окруженные эвтектической смесью. В заэвтектических областях наблюдается первичная кристаллизация твердого раствора на основе y-Ga2S3. Области твердого раствора с ростом радиуса иона порядкового номера щелочноземельного элемента закономерно уменьшаются: 7 мол. % MgS, 5 мол. % CaS, 4 мол. % SrS, 3 мол. % BaS, при температуре 870 К. Во всех системах в области твердого раствора наблюдается закономерное линейное повышение параметров э.я. фазы y-Ga2S3. Незначительное линейное увеличение параметров э.я. хорошо согласуется с законом Вегарда и с соотношением ионных радиусов для ионов Ме2+ (Me = Mg, Са, Sr, Ва) и Ga3+. С понижением температуры протяженность твердых растворов закономерно уменьшается. В области твердого раствора также закономерно уменьшается микротвердость. Подсистемы качественно подобны.

В системах MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) происходит постоянное усложнение изменение фазовых равновесий. В ряду экспериментально построенных систем MeS-Ga2S3 можно выделить два типа фазовых диаграмм: системы с образованием конгруэнтно плавящегося соединения MeS-Ga2S3 (Me = Mg, Са) и системы с образованием конгруэнтно и перитектически плавящихся соединений MeS-Ga2S3 (Me = Sr, Ва).

Показать весь текст

Список литературы

  1. B.C. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы. // М.: Наука. 1968. С. 216.
  2. А.Ю. Исследование р-Т-х-диаграмм халькогепидов галлия при помощи вспомогательного компонента. //Журн. неорг. химии. 2003. Т. 48, № 10. С. 1722 1736.
  3. Aidaev F.S. Luminescence centers of Pr3+ gallium sulfide single crystals // Journal of Applied Spectroscopy. 2002. V. 69, № 3. P. 415−416.
  4. Tverjanovich A., Tverjanovich Yu.S., Loheider S. Raman spectra of gallium sulfide based glasses // Journal of Non-Crystalline Solids. 1996. V. 208. P. 49−55.
  5. Jenkins P., Tuma M., Naghski D., Maclnnes A. Optical constants of thin film gallium sulfide layers // Proceedings of the SPIE The International Society for Optical Engineering. 1996. V. 2686. P. 115−120.
  6. Micocci G., Rella R., Siciliano P., Tepore A. Investigation of electronic properties of gallium sulfide crystals grown by iodine //Journal of Applied Spectroscopy. 1990. V. 68. P. 138−142.
  7. Aidaev F.Sh. Spectral-luminescent and electrical properties of thulium-activated gallium sulfide monocrystals // Journal of Applied Spectroscopy. 2002. V. 69, № 4. P. 138−142.
  8. Aidaev F.S. Luminescence centers of Pr3+ gallium sulfide single crystals // Journal of Applied Spectroscopy. 2002. V. 69, № 3. P. 415−416.
  9. Akhundov G.A., Agaeva A.A., Mekhtiev R.F., Salmanov V.M., Safarov V. G/. // Recombination radiation emitted from gallium sulfide under two-photon excitations // Soviet Physics Semiconductors. 1973. V. 6, № 11. P. 1902−1903.
  10. M.A., Наджафзаде М. Д., Сеидов 3.IO. Теплопроводность сульфида галлия. // Физика твердого тела. 1999. Т. 41, № I. С. 24−25.
  11. В.Ш. Центры люминесценции Рг3"1″ в монокристаллах сульфида галлия.// Журн. прикл. спектроскопии. 2002. Т.69, № 3. С.484−486.
  12. Aydynly, A., Gasanly, N.M., Goksen, К. Donor-acceptor pair recombination in gallium sulfide. // Journal of Applied Physics. 2000. V.88, № 12. P. 7144−7149.
  13. M.A., Наджафзаде М. Д., Сеидов З. Ю. Термическая удельная электропроводность сульфида галлия. // Физика твердого тела. 1999. Т.41, № 1. С.20−21.
  14. Micocci, G, Rella, R., Tepore, A. Influence of thermal annealing on the optical absorption and dark conductivity of amorphous gallium sulfide thin films. // Journal of Applied Physics. 1989. V.66, № 5. P. 2114−2117.
  15. Barin I., Knacke O., Kubashewsky O. Termochemical properties of inorganical substances. // Berlin: Springer Verlag. 1972. P.455.
  16. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. // М.: Наука. 1979. С. 340.
  17. Р., Четяну И. Неорганическая химия. // М.: Мир. 1971. Т. 1. С. 560.
  18. Murata Т., Emura S., Maeda Н., Yamashita N., Nomura, M. Local lattice structure around impurity ions in Ila-VIb compounds of NaCl structure // Journal de Physique IV (Colloque). 1997. V.7, № 2. P. 1227−1228.
  19. B.B. Основы общей химии. //М.: Химия. 1974. Т.2. С. 688.
  20. Свойства неорганических соединений. /Справочник под редакцией А. И. Ефимов, Л. П. Белорукова, И. В. Василькова.// JL: Химия. 1983. С. 392.
  21. П.Г., Мардахаев Б. Н., Сафаров М. Г. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1967. Т.З. С. 479.
  22. Erokhin V., Facci P., Gobbi L., Dante S., Rustichelli F., Nicolini C. Preparation of semiconductor superlattices from LB precursor //Thin Solid Films. 1998. V.327, №.1. P. 503−505.
  23. Walker K.A., Gerry M.C.L. Microwave Fourier transform spectroscopy of magnesium sulfide produced by laser ablation // Journal of Molecular Spectroscopy. 1997. V.182, №.1. P. 178−183.
  24. Yan Xu, Xiaoyue Xiao Accelerated microwave synthesis of magnesium sulfide with the pro-heating medium of graphite // Journal of Materials Research. 1995. V.10, №.2. P. 334−338.
  25. Puntambekar U., Veliah, S., Pandey, R. Point-defects in magnesium sulphide // Journal of Materials Research. 1994. V.9, №.1. P. 132−134.
  26. M. Pham-Thia. Rare-earth calcium sulfide phosphors for cathode-ray tube displays // Journal of Alloys and Compounds. 1995. V.225, №.1. P. 547−551.
  27. B.C., Григоренко A.A., Козлов A.B., Фарберович О. В., Михайлин В. В., Степанова Е. В. Теоретическое исследование оптических свойств сульфида кальция. // Физика твердого тела. 1989. Т.31, № 2. С.58−62.
  28. Wen T.L., Weppner W., Rabenau A. Conductivity of calcium sulfide // Solid State Chemistry 1982. Proceedings of the Second European Conference. Amsterdam, Netherlands: Elsevier. 1983. P. 343−346.
  29. Nakamura H., Gunji К. Ionic conductivity of pure solid calcium sulphide // Transactions of the Japan Institute of Metals. 1980. V.21, №.6. P. 375−382.
  30. Nagata K., Coto K.S. Ionic conductivity of solid calcium sulfide at 650 to 1000 degrees С // Metallurgical Transactions A (Physical Metallurgy and Materials Science). 1974. V.5, №.4. P. 899−903.
  31. Carey R., Newman D.M., Viney I., Wu., J., Bickerton J. Preparation studies of calcium sulfide films for optical data storage // Journal of the Magnetics Society of Japan. 2001. V.125, №.3. P. 248−251.
  32. Sen D.K., Bhushan S. Structural studies of some zinc- and calcium sulfide phosphors // Crystal Research and Technology. 1995. V.30, №.7. P. 943−947.
  33. Stepanyuk V.S., Grigorenko A.A., Kozlov A.V., Farberovich O.V., Mikhailin V.V., Stepanova E.V. Theoretical study of calcium sulfide optical properties // Soviet Physics -Solid State. 1989. V.31, №.2. P. 207−209.
  34. Voolaid Kh.I., Rebane K.S.K. Identification of optical absorption bands of colour centers in calcium sulphide // Fizika Tverdogo Tela. 1976. V.18, №.8. P. 2414−17.
  35. Holloway H., Jesion G. Lead strontium sulfide and lead calcium sulfide, two new alloy semiconductors // Physical Review В (Condensed Matter). 1982. V.26, №.10. P. 5617−5622.
  36. Gruzintsev A.N., Volkov V.T., Pronin A.N. Investigation of luminescence centers of unactivated CaS films // Journal of Crystal Growth. 1991. V. l 10, №.3. P. 429−432.
  37. Matsui H., Hashizume G., Okamoto H., Adachi G. Effects of incorporated sodium on photoluminescence and particle shapes of CaS: Ce phosphors // Journal of the Electrochemical Society. 1990. V. l37, №.5. P. 1642−1645.
  38. Ghosh P.K., Narang H.P., Chander H. Thermoluminescence of an X-ray induced defect in CaS: Ce // Journal of Luminescence. 1986. V.35, №.2. P. 99−106.
  39. Химия. Большой энциклопедический словарь. // Гл. ред. И. Л. Кнунянц. //М: Большая Российская энциклопедия. 2000. С. 792.
  40. Nakamura Н., Ogawa Y., Gunji, К., Kasahara A. Ionic and positive hole conductivities of solid magnesium and strontium sulfides // Transactions of the Japan Institute of Metals. 1984. V.25, №.10. P. 692−697.
  41. Nakamura H., Gunji K. Conductivities of solid magnesium and strontium sulfides // Journal of the Japan Institute of Metals. 1983. V.4, №.1. P. 21−25.
  42. Аллсалу М.-Л.Ю., Михайлин B.B., Педак Е. Ю., Рождественский М. А., Терещенко И. В. Исследование сульфида стронция в ближней ИК области. // Вестник МГУ (Серия 3. Физика, Астрономия). 1983. Т.38, № 2. С.72−74.
  43. Xin Y.B., Summers C.J. Grain growth in thin-film strontium sulfide electroluminescent phosphors // Applied Physics Letters. 1999. V.75, №.13. P. 1860−1862.
  44. Kane J., Harty W.E., Ling M., Yocom P.N. New electroluminescent phosphors based on strontium sulphide // Conference Record of the 1985 International Display Research Conference (Cat. No. 85CH2239−2). New York, NY, USA: IEEE, 1985. P. 163−166.
  45. Allsalu M.-L.Yu., Mikhailin V.V., Pedak E.Yu., Rozhdestvenskii M.A., Tereshchenko I.V. Investigation of strontium sulfide in the near-IR region // Moscow University Physics Bulletin. 1983. V.38,№.2. P. 84−86.
  46. Efanova E.P., Mikhailin V.V. Color centers in barium sulfide phosphors // Moscow University Physics Bulletin. 1981. V.36, № 4. P. 31−34.
  47. Helms D.A., Winnewisser M., Winnewisser G. Millimeter wave spectrum of barium sulfide in a low-pressure flame. Current millimeter wave measurements of high-temperature species // Journal of Physical Chemistry. 1980. V.84, №.14. P. 1758−1765.
  48. Kolopus J.L., Lapeyre G.J. ESR studies of radiation-damage centers in barium sulphide // Physical Review. 1968. V.176, №.3. P. 1025−1029.
  49. Г. Курс неорганической химии. // М.: Мир. 1972. Т. 1. С. 824.
  50. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. / Справочник под редакцией М. Х. Карапетьянц M.JI. Карапетьянц. // М: Химия. 1968. С. 470.
  51. Dumas L., Quesnel Е., Pierre F., Bertin, F. Optical properties of magnesium fluoride thin films produced by argon ion-beam assisted deposition // Journal of Vacuum Science & Technology A (Vacuum, Surfaces, and Films). 2002. V.20, №.1. P. 102−106.
  52. Dumas L., Quesnel, E., Robic J.-Y., Pauleau Y. Characterization of magnesium fluoride thin films produced by argon ion beam-assisted deposition // Thin Solid Films. 2001. V.382, №.1. P. 61−68.
  53. Jong-Gi Lee, Case E.D., Crimp M.A., Malik J., Reinhard D.K. Protective coatings for infrared materials//Ceramic Engineering and Science Proceedings. 1999. V.20, №.3. P. 145 152.
  54. Terry D.H., Thomas M.E., Linevsky M.J. Optical properties of polycrystalline magnesium fluoride // Proceedings of the SPIE The International Society for Optical Engineering. 1999. V.37, № 5. P. 105−112.
  55. Thomas M.E., Andersson S.K., Cotter T.M., Constantikes K.T. Infrared properties of polycrystalline magnesium fluoride // Infrared Physics & Technology. 1998. V.39, №.4. P. 213−222.
  56. Fujihara S., Tada M., Kimura T. Preparation and characterization of MgF2 thin film by a trifluoroacetic acid method //Thin Solid Films. 1997. V.304, №.1. P. 252−255.
  57. Jingu S., Xiumei Chen, Nishimura S., Oyama Y.- Terashima, K. Density of molten calcium fluoride // Journal of Crystal Growth. 2002. V.237, №.3. P. 1797−1801.
  58. Su Liang-bi, Dong Yong-jun, Yang Wei-qiao, Zhou Guo-qing, Zhou Sheng-ming, Zhao Guang-jun, Xu Jun Crystal growth and optical properties of calcium fluoride // Journal of Synthetic Crystals. 2004. V.33, №.1. P. 88−91.
  59. Dong Yong-jun, Zhou Guo-qing, Su Liang-bi, Yang Wei-qiao, Xu Jun Calcium fluoride crystal growth by temperature gradient technique // Journal of Synthetic Crystals. 2003. V.32, №.6. P. 601−604.
  60. Zverev N.D., Savvin Yu.N., Litvinenko Yu.G., Seminozhenko V.P., Kraposhina Zh.K. EPR spectroscopic investigation of the formation of optical ceramics // Soviet Physics Technical Physics. 1991. V.36,№.11.P. 1251−1253.
  61. Holgate S.A., Sloane Т.Н., Townsend, P.D., White, D.R., Chadwick, A.V. Thermoluminescence of calcium fluoride doped with neodymium // Journal of Physics: Condensed Matter. 1994. V.6, №.43. P. 9255−9266.
  62. Harris N.A., Jungen C. Rydberg states of calcium fluoride // Physical Review Letters. 1993. V. 170, №.17. P. 2549−2552.
  63. Химическая энциклопедия. // M.: Большая Рос. Энциклопедия. -1992. -Т.З. -С. 620.
  64. Физика и химия редкоземельных элементов: Справочник. // Под редакцией К. Гшнайднера, J1. Айринга. М.: Металлургия. 1982. С. 336.
  65. Schoonman J., Hartog H.W. Defect parameters for strontium fluoride // Solid State Ionics. 1982. V.7, №.1. P. 9−12.
  66. Radzhabov E.- Kurobori T. Cubic and tetragonal Ce3+ ions in strontium fluoride // Journal of Physics: Condensed Matter. 2004. V.16, №.10. P. 1871−1877.
  67. Scherer A., Craighead H.G. Barium fluoride and strontium fluoride negative electron beam resists // Journal of Vacuum Science & Technology В (Microelectronics Processing and Phenomena). 1987. V.5, №.1. P. 374−378.
  68. Artyukh E.P., Novikova G.I., Chernevskaya E.G. Linear expansion coefficients of optical ceramics and calcium, barium and strontium fluoride single crystals // Soviet Journal of Optical Technology. 1985. V.52, №.4. P. 219−220.
  69. Dodge, M.J. Refractive index of strontium fluoride // Proceedings of the Tenth Annual Symposium on Optical Materials for High Power Lasers. Washington, DC, USA: Nat. Bur. Standards. 1978. P. 55−58.
  70. Kotlikov E.N., Khonineva E.V., Prokashev V.N. The problem of reducing optical losses in fluoride films // Optiko-Mekhanicheskaya Promyshlennost. 2004. V.71, №.6. P. 84−87.
  71. Ma D.A., Zhu R.Y., Newman H. Optical bleaching in situ for barium fluoride crystals // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research, Section A (Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment). 1995. V.356, №.2. P. 309−318.
  72. Ermakov L.K., Rodnyl P.A., Starostin N.V. Calculation of the density of states and of the probability of optical transitions in BaF2, SrF2, and CaF2 crystals // Soviet Physics Solid State. 1991. V.33,№.9. P. 1435−1437.
  73. Tang Zhou, Jin-feng Zhang, Bo-qing Hu, Hua-guang Yang Measurements of the thermo-optic coefficient of a barium fluoride single crystal // Applied Optics. 1994. V.33, №.13. P. 2620−2623.
  74. Yagubov N.I., Guliev P.G., Rustamov P.G., Azizov E.T. Interaction studies in CaS-Ga2S3 system // Mat. Res. Bull. 1990. V.25. P. 271−276.
  75. Pannee Mukdeeprom-Burckel, Jimmie G. Edwards Chemistry and thermodynamics of solid and vapor phases in the barium-sulfide, gallium- sulfide system // Mat. Res. Bull. 1990. V.25, №.1. P. 163−172.
  76. .Г., Тагиев О. Б., Джаббаров Р. Б., Мусаева Н. Н., Касумов У. Ф. Фотолюминесценция соединений Ca4Ga2S7 : Се и Ca4Ga2S7: Рг* // Неорганические материалы. 2000. Т.36, -№ 1. С 7−9.
  77. Рентгенографическая карточка PDF2 № 72−0043
  78. Рентгенографическая карточка PDF2 № 25−0895
  79. Рентгенографическая карточка PDF2 № 79−1955
  80. В.О., Ширинов K.J1. Исследование взаимодействия SrGa2S4 с LaGaS3 // Неогран, материалы. 2000. Т.36, № 8. С 913−915.
  81. Djazovski O.N., Mikami Т., Ohmi К., Tanaka S., Kobayashi, H. Growth and characterization of blue emitting phosphor films of SrGa2S4/:Ce prepared by deposition from binary vapors // Journal of the Electrochemical Society. 1997. V.144, №.6. P. 2159−2165.
  82. Benalloul H., Barthou C., Benoit J. SrGa2S4: RE phosphors for full colour electroluminescent displays // Journal of Alloys and Compounds. 1998. V.275. P. 709−715.
  83. П. Г., Алиев О. М., Эйнуллаев А. В., Алиев И. П. Хальколантанаты редких элементов. // М.: Наука. 1989. С. 284.
  84. Я. И., Елисеев А. А. Халькогениды редкоземельных элементов. //М.: Наука. 1975. С. 260.
  85. JI.A., Саблина Н. Ю., Симонова М. В., Дубова JI.H. Синтез сульфида бария, дисульфида циркония и системы BaS-ZrS2. / Халькогениды.// Киев: Наукова думка. 1974. вып.З. С. 35−41
  86. Kempe G., Blum К., Bogel М. Die Reduction von Bariumsulfat mit Konlenstoff- Die reactionsproducte. // Z. Chem. 1988. T. 28, № 3. P. 110−111.
  87. И.Я., Шилкина H.H. Вишняков А. В. Исследование реакции сульфидирования оксида кальция газообразной серой // Журн. Неорган. Химии. 1990. Т. 35, № 7. С. 1669−1674.
  88. А.В. Фазовые равновесия в системах AS-Ln2S3 (А = Mg, Са, Sr, Ва- Ln = La, Nd, Gd) /Автореф. дисс. уч. ст. к.х.н.//Тюмень. 1992. 18 с.
  89. М.Э. Выращивание монокристаллов тройных соединений на основе щелочноземельных элементов в газовой фазе // БГУ. 1992.
  90. В.В., Черкасова Т. Г., Ямпольская В. В., и др. Методы получения двойных тугоплавких сульфидов редкоземельных элементов // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1974. вып. 5. С. 45−48.
  91. Beswick J.A., PedderD.J., Lewis J.C., Ainqer P.W. New infrared window materials // New Opt. Mater. 1983. V. 400. P. 12−20.
  92. Рентгенографическая карточка PDF2 № 49−1599
  93. B.C., Сфвельев В. Г., Федоров Н. Ф. Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений // М.: Высшая школа. 1988. С. 400.
  94. Р. Математические модели стеклообразования. // Физика и химия стекла. 2000. Т.26, № 4. С. 449−466.
  95. В.Ф. О необходимых и достаточных условиях стеклообразования. // Физика и химия стекла. 1999. Т.25, № 2. С. 130−139.
  96. О.В., Стрельницина М.В, Швайко-Швайковская Т. П., Мазурииа А. О. Особенности исследования свойств стекол и расплавов с конца девятнадцатого века до наших дней. // Физика и химия стекла. 2002. Т.28, № 5. С. 385−400.
  97. А.И. Расчет свойств оксидных стекол и расплавов по составу: проблемы и перспективы // Физика и химия стекла. 1998. Т.24, № 2. С. 97−104.
  98. Т.Н., Блинов Л. Н. Фторхалькогенидные стекла. // Физика и химия стекла. 2000. Т.26, № 3. С. 393−402.
  99. Г. З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах //М.: Наука. 1984. С. 175.
  100. Г. В., Тамкин М. А., Блинов Л. Н. Синтез и свойства стекол системы (Sb2S3)i.x (PbBr2)x // Физика и химия стекла. 2003. Т.29, № 4. С. 520−522.
  101. Н.И., Федоров П. П., Закалюкин P.M. Соболев Б. П. Болталин А.И., Васильковский М. Д. Электропроводность фторидных стекол на основе PbF2 и InF3 // Жури. Неорг. материалы. 1999. Т. 35, № 1. С. 88−93.
  102. А.А., Емельянова Т. А., Федоров В. А. Стеклообразование в системах ZrF4-BaF2-AlF3-NaF, ZrF4-BaF2-LaF3-NaF, ZrF4-BaF2-LaF3- A1F3 // Журн. неоргматериалы. 2002. Т. 38, № 5. С. 622−631.
  103. P.M., Болталин А. И. Федоров П.П, Соболев Б. П. Синтез и эектропроводность многокомпонентных фторидных стекол // Физика и химия стекла. 1999. Т.25, № 3. С. 355−362.
  104. Р.Л. Химия твердого тела и стеклообразное состояние /Химия твердого тела. //Л.: ЛГУ. 1965. С. 9−63.
  105. Г. Неорганические стеклообразующие системы. //М.: Мир. 1970. 312с.
  106. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела.//М.: Мир. 1986. 556с.
  107. С.А., Чечеткина Е. А. Стеклообразование. //М.: Наука. 1990. 278с.
  108. М.Д. Развитие концепции Р.Л. Мюллера о стеклообразующей способности расплавов // Физика и химия стекла. 1992. Т.18, № 3. С. 1−22.
  109. И.Д. Проектирование и синтез стекол и силикатов с заданными свойствами. //М.: Наука. 1977. 144с.
  110. Л.А., Блинов Л. Н., Байдаков E.J1. Квантовые характеристики атомов и стеклообразующая способность вещества //Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1989. Т.25, № 7. С. 1578−1581.
  111. Байдаков J1.A. Количественный критерий стеклообразующей способности вещества на основе учета природы химической связи //Физика и химия стекла. 1994. Т.20, № 3. С.341−348.
  112. Рентгенографическая карточка PDF2 № 16−500.
  113. О.В. Взаимодействие в системах Ag2S-Ln2S3 (Ln Се. Dy). // Журн. неорган, химии. 1989. Т. 34, № 2. С. 482−486.
  114. Я.И. Новое в исследовании высокотемпературного равновесия сульфидных систем. / VIII Всес. Школа по актуальным проблемам физики и химии редкоземельныз соединений. Тез. докл. // Апатиты: КНЦ АН СССР. 1991. С. 12.
  115. В.А., Егорова JI.C. Интерпритация термической кривой при дифференциально-термическом анализе. // Инж.-физ. Журн. 1979. Т.36, № 3 С. 480−486.
  116. О.М., Ковба JI.M. Физико-химические основы неорганической химии. // М.: МГУ. 1984. С. 288.
  117. В.А., Ковалев А. И. Лещинин Ю.В. Высокотемпературный анализ жаропрочных сплавов. / Конструкционные и жаропрочные материалы для новой техники. //№: Наука. 1978. С. 195−198.
  118. Ю.А. Физико-химический анализ металлических систем при высокой температуре. / Диаграммы состояния в материаловедении. // Киев: ИТМ АН УССР. 1980. С. 153−170.
  119. В.Я., Бурмистрова В. П., Озерова М. И. и др. Практическое руководство по физико-химическому анализу. //Казань: Изд-во Казанского университета. 1971. С. 176.
  120. Л. Г. Введение в термографию. // М.: Наука. 1969. 395 с.
  121. В. П. Введение в термический анализ. //Самара. 1996. 270 с.
  122. С.В., Марченко В. И. Сульфиды редкоземельных металлов и актиноидов. // Киев: Наукова думка. 1966. 140 с.
  123. А.В., Хритохин Н. А., Андреев О. В. Рентгенография. //Тюмень: ТюмГУ. 1993. 70 с.
  124. С. С. Скаков Ю.А. Расторгуев Л. Н. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. //М.: «МИСИС». 2002. 358 с.
  125. В. Я., Озерова М. И., Фиалков Ю. А. Основы физико-химического анализа. //М.: Наука. 1976. 503 с.
  126. В.И. Метод физико-химического анализа в неорганическом синтезе. // М.: Наука. 1977. 272 с.
  127. В.З., Гончаров Е. Г. Кострюкова Е.П. и др. Практикум по технологии полупроводников.//М.: Высшая школа. 1978. 191 с.
  128. А.Г. Колмаков, В. Ф. Тереньтев, М. Б. Бакиров. Методы измерения твердости / Справочное издание, серия специалиста материаловеда.// М.: Интермет инжиниринг, 2000. 125с.
  129. JI. Г. Физико-химический анализ систем Ln-S (Ln = Nd, Er) / Автореф. дисс.. канд. хим. наук. //Новосибирск. 1990. 19 с.
  130. А. Смит Прикладная ИК-спектроскопия //М: Мир. 1982. 340 с.
  131. Р. Драго Физические методы в химии. //М: Мир. 1981. 424 с.
  132. Определение химических форм основных компонентов некоторых неорганических материалов на основе соединений РЗЭ электронный ресурс. /http://www.achem. univ.kiev.ua/nanu/2002/antonovich2.htm
  133. Е.Д., Миронов К. Е. Определение серы в сульфидах РЗЭ с металлиндикатором хлорфосфоназо III. //Журн. аналитич. химии. 1976. Т.31, № 10. С. 2050−2052.
  134. Р. И. Коровин Ю.И. Руководство по вычислению и обработке результатов количественного анализа. // М.: Атом-издат. 1972. 126 с.
  135. Г. Б. Кристаллохимия//М.: Наука. 1971.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!