Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование влияния магнитного поля и оптического излучения на режим работы синхронизированного генератора на диоде Ганна

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Практическая значимость полученных результатов заключается в следующем: построена и исследована модель синхронизированного генератора на диоде Ганна, включающая многоконтурную СВЧ-цепь, учитывающая как особенности физики работы полупроводникового прибора, так и элементы его внешней схемы и позволяющая моделировать различные колебательные режимы СГДГ, что может быть основой для проектирования… Читать ещё >

Содержание

  • 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ СИНХРОНИЗАЦИИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СВЧ-ГЕНЕРАТОРОВ
    • 1. 1. Характеристики СВЧ-устройств на диодах Ганна
    • 1. 2. Синхронизация СВЧ-генератора на диоде Еанна
      • 1. 2. 1. Анализ работы автогенераторов на приборах с отрицательным сопротивлением в режиме синхронизации
      • 1. 2. 2. Квазистатическая теория внешней синхронизации СВЧ-генераторов
    • 1. 3. Анализ результатов экспериментальных работ по синхронизации твердотельных СВЧ-генераторов
  • 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ ГЕНЕРАТОРА НА ДИОДЕ ГАННА В РЕЖИМЕ ВНЕШНЕЙ СИНХРОНИЗАЦИИ
    • 2. 1. Модель синхронизированного генератора на диоде Ганна
    • 2. 2. Исследование режимов работы синхронизированного генератора на диоде Ганна на основе математической модели
  • 3. ВЛИЯНИЕ НАГРУЗКИ В ВИДЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ НА РАБОТУ СИНХРОНИЗИРОВАННОГО ГЕНЕРАТОРА НА ДИОДЕ ГАННА
    • 3. 1. Экспериментальное исследование характеристик СГДГ при фиксированной нагрузке
    • 3. 2. Расчет параметров нагрузки СГДГ в виде диэлектрических образцов
    • 3. 3. Экспериментальное исследование влияния нагрузки на работу сгдг
  • 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА СИНХРОНИЗИРОВАННЫЙ ГЕНЕРАТОР НА ДИОДЕ ГАННА
    • 4. 1. Влияние магнитного поля на характеристики генераторов на диодах Ганна
    • 4. 2. Теоретическое исследование влияния магнитного поля на работу синхронизированного генератора на диоде Ганна
    • 4. 3. Экспериментальное исследование влияния магнитного поля на работу СВЧ-генераторов на диодах Ганна в режиме синхронизации
  • 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СИНХРОНИЗИРОВАННЫЙ ГЕНЕРАТОР НА ДИОДЕ ГАННА
    • 5. 1. Анализ влияния оптического излучения на характеристики СВЧ-генераторов на диодах Ганна
    • 5. 2. Теоретическое исследование влияния оптического излучения на работу диода Ганна в режиме внешней синхронизации
    • 5. 3. Экспериментальное исследование воздействия оптического излучения на генератор на диоде Ганна в режиме внешней синхронизации

Исследование влияния магнитного поля и оптического излучения на режим работы синхронизированного генератора на диоде Ганна (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

К наиболее широко применяемым в настоящее время приборам, используемым в качестве активных элементов полупроводниковых СВЧ-генераторов, относятся биполярные транзисторы, полевые транзисторы с барьером Шоттки (ПТШ), лавинно-пролетные диоды (ЛПД) и диоды Ганна (ДГ) [1−5]. К достоинствам полупроводниковых приборов СВЧ-диапазона следует отнести их долговечность, надежность, низковольтное питание, малые размеры. Это открывает путь к широкому применению данных приборов в аппаратуре СВЧ для создания усилителей малой и средней мощности, автогенераторов, преобразователей частоты и других устройств. В то же время данный класс устройств обладает и рядом недостатков, наиболее существенные из которых — низкая частотная стабильность, низкая выходная мощность и другие.

С целью решения этой и ряда других проблем, возникающих при эксплуатации полупроводниковых СВЧ-приборов, в последние годы проводятся активные исследования комбинированных режимов работы данных устройств, в которых полупроводниковые устройства находятся под различного рода воздействиями, либо являются активными элементами более сложных радиофизических систем. Одним из наиболее эффективных способов улучшения эксплуатационных характеристик является использование твердотельных генераторов СВЧ-диапазона в качестве активных элементов в системах с внешней синхронизацией [6−11].

Синхронизация полупроводниковых СВЧ-генераторов позволяет создать устройства, обладающие большей частотной стабильностью и позволяющие полнее использовать энергетические возможности активного элемента. В результате генератор с внешней синхронизацией оказывается способным не только генерировать сигнал фиксированной частоты, но и выполнять различные функции: преобразование частоты, усиление, детектирование сигналов с частотной и фазовой модуляцией [12]. Ввиду резко нелинейного характера взаимодействия в автоколебательной системе, находящейся в условиях внешней синхронизации, а также широких возможностей управления данной системой путем изменения различных внешних параметров, выходные мощностные и фазовые характеристики данной системы обладают рядом существенных особенностей, открывающих путь к созданию новых классов устройств на основе синхронизированных генераторов.

Исследования процессов синхронизации в применении к устройствам СВЧ проведены достаточно широко [6−8, 13, 14]. Однако в существующих работах теоретическое исследование происходящих в синхронизированных генераторах (СГ) процессов проводится с целым рядом ограничений. Так, большинство авторов при создании математической модели СГ предлагают либо использовать малосигнальное приближение, либо полагать гармонические составляющие, помимо основной частоты, малыми [15]. Широко применяемым является метод представления синхронизированного СВЧ-генератора в виде схемы с сосредоточенными параметрами и аналитического решения соответствующих уравнений [14, 16]. Однако, учитывая нелинейный характер входящих в данную схему элементов, авторы обычно ограничиваются рассмотрением одноконтурных схем и получают решение путем различного рода упрощающих предположений.

С учетом вышеприведенных замечаний была сформулирована цель диссертационного исследования: экспериментальное и теоретическое исследование различных режимов работы синхронизированного СВЧ-генератора на примере генератора на диоде Ганна, включающее построение математической модели изучаемой системы, изучение влияния воздействия магнитного поля и оптического излучения на исследуемую систему.

Для достижения поставленной цели выполнен критический анализ теоретических методов исследования генераторов на диодах Ганна, работающих в режиме синхронизации, построена модель синхронизированного генератора на диоде Ганна (СГДГ), выполнена серия расчетов и экспериментов, проведено обсуждение полученных экспериментальных и теоретических результатов.

Научная новизна проведенных в ходе диссертационной работы исследований состоит в следующем: построена математическая модель синхронизированного генератора на диоде Ганна, включающая многоконтурную СВЧ-схему с сосредоточенными параметрами, отражающая основные особенности экспериментально исследуемого режима гашения выходного сигналаэкспериментально обнаружено и теоретически описано явление гашения мощности в синхронизированном СВЧ-генераторе на диоде Ганна, возникающее вследствие достижения противофазности сигналовэкспериментально исследовано и математически смоделировано воздействие поперечного магнитного поля и оптического излучения с энергией кванта, большей ширины запрещенной зоны, на полупроводниковую структуру активного элемента синхронизированного генератора.

Практическая значимость полученных результатов заключается в следующем: построена и исследована модель синхронизированного генератора на диоде Ганна, включающая многоконтурную СВЧ-цепь, учитывающая как особенности физики работы полупроводникового прибора, так и элементы его внешней схемы и позволяющая моделировать различные колебательные режимы СГДГ, что может быть основой для проектирования устройств СВЧпоказано, что генератор на диоде Ганна в режиме внешней синхронизации представляет собой СВЧ-схему, обладающую высокой чувствительностью как к изменению параметров активного элемента, так и к изменению характеристик внешней схемыпредложены способы высокоточного контроля параметров диэлектрических материалов, магнитного поля и оптического излучения с помощью синхронизированного генератора на диоде Ганна.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. При воздействии на генератор на диоде Ганна внешнего синхронизирующего сигнала, мощность которого сравнима с мощностью автоколебаний генератора, в полосе синхронизации можно обеспечить подавление выходного сигнала до 40 дБ, возникающее вследствие достижения противофазности сигналов.

2. Зависимость значения выходной мощности в минимуме мощностно-частотной характеристики синхронизированного генератора на диоде Ганна (СГДГ) от мощности синхросигнала носит немонотонный характер. Режим максимального подавления выходного сигнала (режим гашения мощности) устанавливается путем выбора значения мощности источника синхросигнала.

3. Максимальное изменение выходной мощности СГДГ при изменении параметров электродинамической системы и при воздействии поперечного магнитного поля или оптического излучения с энергией кванта, большей ширины запрещенной зоны на полупроводниковую структуру диода Ганна определяется величиной изменения выходной мощности СГДГ в полосе синхронизации при постоянном уровне мощности синхросигнала и достигает 40 дБ.

4. В зависимости от расстройки между частотой синхросигнала и частотой собственных колебаний зависимость выходной мощности от величины воздействующего магнитного поля либо оптического излучения может носить как монотонный, так и немонотонный характер.

Диссертация состоит из введения, пяти разделов, имеющих подразделы, заключения, списка литературы и приложения. Общий объем диссертации составляет 113 страниц машинописного текста, в том числе основной текст занимает 96 страниц, включая 32 рисунка.

Список литературы

содержит 103 наименования и изложен на 10 страницах.

Основные результаты диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:

1) Построена модель синхронизированного СВЧ-генератора на диоде Ганна (СГДГ), учитывающая как особенности физики работы диода, так и элементы его конструкции и позволяющая с высокой степенью достоверности моделировать процессы, происходящие в генераторе в результате изменения параметров синхросигнала и нагрузки, а также воздействия внешних полей и излучений.

2) В результате теоретического исследования синхронизированного генератора на диоде Ганна установлено, что при мощности синхросигнала, сравнимой с мощностью автоколебаний диода Ганна, в полосе синхронизации может быть обеспечено подавление выходного сигнала до 40 дБ, возникающее вследствие достижения противофазности сигналов.

3) Установлено, что режим максимального подавления выходного сигнала (режим максимального гашения мощности) устанавливается путем выбора величины расстройки между частотой синхросигнала и частотой собственных колебаний генератора на диоде Ганна и значения мощности источника синхросигнала.

4) Обнаружено, что при изменении параметров нагрузки генератора в режиме гашения мощности величина выходной мощности СГДГ значительно изменяется. При этом, если в качестве нагрузки используются диэлектрические образцы, такой режим может быть использован для измерения параметров диэлектриков.

5) Изучено воздействие поперечного магнитного поля на полупроводниковую структуру диода Ганна в режиме синхронизации. Теоретически установлено и экспериментально подтверждено, что воздействие.

96 поперечного магнитного поля приводит к существенному изменению выходной мощности СГДГ. В зависимости от расстройки между частотой синхросигнала и частотой собственных колебаний генератора зависимость выходной мощности от величины индукции воздействующего магнитного поля может носить как монотонный, так и немонотонный характер.

6) Установлено, что в режиме синхронизации воздействие оптического излучения с энергией кванта, большей ширины запрещенной зоны, на полупроводниковую структуру диода Ганна приводит к значительному изменению выходной мощности СГДГ. Путем выбора параметров источника синхросигнала может быть достигнуто монотонное изменение зависимости выходной мощности СГДГ от мощности оптического излучения. При этом генераторная схема обладает высокой чувствительностью к изменению величины оптического излучения.

В заключение автор хотел бы выразить искреннюю признательность своим научным руководителям Дмитрию Александровичу Усанову и Александру Владимировичу Скрипалю за помощь и поддержку в ходе выполнения диссертационной работы, а также за ценные советы и наставления.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. Е., Пожела Ю. К., Шур М. С. Эффект Ганна. М.: Сов. Радио, 1975. 288 с.
  2. Д. П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. М.: Радио и связь, 1982. 112 с.
  3. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / Пер. с англ. М.: Мир, 1991.632 с.
  4. К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. 416 с.
  5. Полупроводниковые приборы СВЧ / Под. ред. Ф. Брэнда. М.: Мир, 1972. 146 с.
  6. Н. Н. Синхронизированные полупроводниковые генераторы в аппаратуре СВЧ. М.: Связь, 1979. 40 с.
  7. М. И., Трубецков Д. И. Введение в теорию колебаний и волн. М.: Наука, 1984. 432 с.
  8. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных генераторах / Н. Н. Фомин, В. С. Андреев, Э. С. Воробейников и др. М.: Радио и связь, 1991. 192 с.
  9. Ю. Л., Тамарчак Д. Я. Синхронизированные генераторы и авто дины на полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1982. 240 с.
  10. А. Г. Синхронизация генераторов гармонических колебаний. М.: Энергия, 1976. 240 с.
  11. А. А., Уткин Г. М. Автогенераторы в радиотехнике. М.: Радио и связь, 1991. 224 с.
  12. К. Принудительная синхронизация твердотельных СВЧ-генераторов // ТИИЭР. 1973. Т.61, № 10. С. 12−40.
  13. В. С. О синхронизации СВЧ-генератора, работающего на нелинейном элементе с отрицательным сопротивлением // Радиотехника и электроника. 1975. Т.20, № 4. С. 856−860.
  14. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / Под. ред. М. Хауэса, Д. Моргана. М.: Мир, 1979. 444 с.
  15. В. С. К теории синхронизации автогенераторов на приборах с отрицательным сопротивлением // Радиотехника. 1975. т. 30, № 2. С. 43−53.
  16. В. К. Сравнение регенеративных усилителей и синхронизированных автогенераторов на диодах с переносом электронов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1973. т. 16, № 10. С. 9−16.
  17. Takayama Y. Dynamic behavior of nonlinear power amplifiers in stable and injection-locked modes // IEEE Trans. 1973. vol. MTT-20, № 9. P. 591−595.
  18. E. H., Царапкин Д. П. Об асимметрии режима захвата генератора на диоде Ганна // Радиотехника и электроника. 1976. т. 21, № 3. С. 638−640.
  19. С. Б., Тагер А. С., Кальфа А. А. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна // Электронная техника, сер .1. Электроника СВЧ. 1976. вып. 10. С. 19−31.
  20. D. С., Rowe J. Е. Microwave circuit characteristics of bulk GaAs oscillators // IEEE Trans. Electron Dev. 1967. vol. ED-14, № 9. P. 469−476.
  21. Lakshminarayana M. R., Partain L. D. Large-signal, dynamic, negative conductance of Gunn devices in sharpless flanges // IEEE Trans. 1983. Vol. MTT-31, № 3. P. 265−270.
  22. ., Упадхияюла Ч., Секанович В. Сверхвысокочастотные свойства и применения приборов с переносом электронов и отрицательной проводимостью // ТИИЭР. 1971. т. 59, № 8. С. 115−125.
  23. Широкополосный усилитель 3 см диапазона длин волн на диоде с переносом электронов / Д. А. Усанов, В. Н. Посадский, П. В. Буренин, С. С.
  24. Горбатов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1975. Т.26, № 8. С. 98−100.
  25. Murayama К., Ohrni Т. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan. J. Appl. Phys. 1973. vol.12, № 12. P. 1931−1940.
  26. Дж. Электростатические домены в двухдолинных полупроводниках // Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники / Под. ред. В. И. Стафеева. М.: Мир, 1968. 376 с.
  27. У санов Д. А., Скрипаль А. В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 376 с.
  28. Thim Н. W. Computer study of bulk GaAs devices with random one-dimensional doping fluctuations // J. Appl. Phys. 1968. vol. 39, № 8. P. 38 973 904.
  29. Д. А., Горбатов С. С., Скрипаль А. В. Особенности низкочастотной генерации СВЧ диодов Ганна // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1981. Т.24, № 10. С. 67−69.
  30. Д. А., Горбатов С. С. Генерация субгармоник СВЧ диодом Ганна // Тез. докл. VII Всесоюзного симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках». Паланга, 1989. 4.1. С. 77−78.
  31. В. С., Вадивасова Т. Е., Астахов В. В. Нелинейная динамика хаотических и стохастических систем. Фундаментальные основы и избранные проблемы / Под. ред. В. С. Анищенко. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 368 с.
  32. Р. Исследование явлений синхронизации генераторов // ТИИЭР. 1963. т.61, № 10. С.5−11.
  33. Рей Т. Синхронизация внешним воздействием // ТИИЭР. 1965. т.53, № 2. С. 237.
  34. И. И. Неавтономные режимы автоколебательных систем. М.: Изд-воМГУ, 1987. 168 с.
  35. G. Н. В., Lundstrom К. I. Stability criteria for phase-locked oscillators // IEEE Trans. 1972. Vol. MTT-20, № 10, p. 641−645.
  36. В. С. Синхронизация как метод сложения мощностей генераторов // Радиотехника и электроника. 1982. т. 37, № 10. С. 2044−2046.
  37. В. С., Бородкин А. И., Булгаков Б. М. и др. Синхронизация полупроводникового автогенератора СВЧ, работающего одновременно на отражение и на проход // Радиотехника и электроника. 1987. т. 32, № 1. С.112−117.
  38. Ф. Р., Кулаев С. П. Установка для изучения синхронизации сверхвысокочастотных генераторов//ПТЭ. 1979. № 1. С. 118−120.
  39. Ф. Р., Воробейчиков Э. С., Кулаев С. П. Влияние нагрузки и напряжения питания на синхронизацию генераторов с диодом Ганна // Радиотехника и электроника. 1977. т.22, № 11. С. 2312−2321.
  40. С. М., Фомин Н. Н. Установка для исследования характеристик синхронизированных СВЧ-генераторов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1977. т. 20, № 10. С. 100−102.
  41. А. В., Косов А. С., Левитес А. А., Плохова JI. А. Характеристики двухчастотного генератора на диоде Ганна, синхронизированного на основной частоте // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1983. вып. 9(357). С. 25−27.
  42. Влияние нелинейного характера импеданса диодов Ганна на работу СВЧ-генераторов не их основе / Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, С. С. Горбатов, А. А.
  43. Семенов // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 1994. т.2, № 5. С. 35−45.
  44. В. W., Beccone J. P., Plauski S. Е. Phase-Locked GaAs CW Microwave Oscillators // IEEE Trans. 1966. Vol. ED-13, № 1. P. 197−199.
  45. У санов Д. А., Писарев В. В. Особенности работы генератора на МЭП-диоде в автодинном режиме при близких частотах генерации и сигнала // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1981. Т.24, № 10. С.81−82.
  46. Н. G., Normemaker С. Н. Subharmonically injection phase-locked Gunn oscillator experiments // IEEE Trans. 1969. Vol. MTT-17, № 9. P. 728−729.
  47. Д. А., Горбатов С. С., Вениг С. Б. и др. Синхронизированный на субгармонике сверхвысокочастотный генератор на диоде Ганна // ПТЭ. 1993. № 3. С. 136−137.
  48. Е. П. Синхронизация СВЧ-генератора на диоде Ганна // Радиотехника. 1990. № 7. С. 30−32.
  49. Н. А. Синхронизация генератора Ганна на субгармонике частоты генерации // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1977. вып. 1. С. 100−104
  50. Pollmann Н., Bosch В. G. Frequency division with power gain in Gunn oscillators // Electron. Lett. 1967. vol.3, № 11. P. 513−516
  51. Г. В., Храмов А. В. Синхронизация автогенераторов на полевых транзисторах//Радиотехника. 1985. № 12. С. 26−28.
  52. Е. М., Левитес А. А., Плохова JI. А. и др. Внешняя синхронизация мощных генераторов на лавинно-пролетных диодах // Радиотехника и электроника. 1984. т. 29, № 11. С. 2179−2185.
  53. Д. Д. Характеристики внешней синхронизации мощных генераторов на ЛПД // ТИИЭР. 1970. Т.58, № 6. С. 147−149.
  54. С. С., Усанов Д. А., Семенов А. А., Виненко В. Г. Активные СВЧ-фильтры на полупроводниковых СВЧ-генераторах, работающих в режиме синхронизации // Приборы и техника эксперимента. 1991. № 5. С. 121−122.
  55. Д. А., Горбатов С. С., Вениг С. Б., Семенов А. А. Синхронизация мод в СВЧ генераторах на диодах Ганна // Письма в ЖТФ. 1992. т. 18, вып. 12. С. 26−27.
  56. Д. А. Возможные направления совершенствования параметров полупроводниковой СВЧ-электроники // Радиотехника. 1999. № 4. С. 96−99.
  57. Микроэлектронные устройства СВЧ / Г. И. Веселов, Е. Н. Егоров, Ю. Н. Алехин и др. М.: Высш. шк., 1988. 279 с.
  58. Мидзусина, Такао, Представление ганновских диодов в виде параллельного соединения нелинейной активной проводимости и нелинейной емкости//ТИИЭР. 1972. Т. 61, № 1. С. 159−161.
  59. Электронные приборы СВЧ / Березин В. М., Буряк В. С., Гутцайт Э. М., Марин В. П. М.: Высш. шк., 1985. 296 с.
  60. Judd S. V., Hewitt S. J. Phase-locking of Gunn-effect oscillators // Electronics Letters. 1967. vol. 3, № 3. P. 107−108.
  61. Д. А., Скрипаль А. В., Авдеев А. А., Бабаян А. В. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания // Радиотехника и электроника. 1996. Т.46, № 12. С.1497−1500.
  62. D. A. Usanov, А. V. Skripal, D. V. Ulyanov. Power suppression mode in semiconductor synchronized microwave oscillators // Conference proceedings of MIKON-2000. Vol. 1. Wrozlaw, Poland, 22−24 May 2000. P. 109−112.
  63. Лабораторные работы по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ» / Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, В. Б. Феклистов, А. В. Скрипаль // Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997. 140 с.
  64. Д. А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1985. 56 с.
  65. Ю. Г., Давыдов А. Б. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ // Дефектоскопия. 1978. № 11. С. 63−67.
  66. Д.А., Скрипаль А. В., Ульянов Д. В. Использование синхронизированных СВЧ-генераторов для неразрушающего контроля материалов // Тез. докл. 15 Российской науч.-тех. конф. «Неразрушающий контроль и диагностика». Т.2. Москва, 1999. С. 61.
  67. Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах / Пер. с англ. М.: Мир, 1972. 384 с.
  68. В. Б., Левинштейн М. Е., Машовец Д. В. Влияние сильного поперечного магнитного поля на эффект Ганна // ФТП. 1979. т. 13, вып. 3. С. 563−569.
  69. В. И., Эткин В. С. Исследование влияния магнитного поля на генерацию СВЧ-колебаний при эффекте Ганна // Радиотехника и электроника. 1975. т. 20, вып. 11. С. 2416−2417.
  70. В. Н. Влияние магнитного поля на ширину динамических вольтамперных характеристик диодов Ганна // Радиотехника и электроника. 1972. т. 17, вып. 5. С. 1046−1050.
  71. В. Н., Дранников Г. Р. К исследованию низкочастотных колебаний при эффекте Ганна в магнитном поле // Радиотехника и электроника. 1972. т. 17, вып. 5. С. 1100−1103.
  72. Heinle W. Influence of magnetic field on the Gunn effect characteristic of GaAs //Phys. Stat. Sol. (a). 1970. vol. 2, № 1. P. 115−121.
  73. Boardman A. D., Fawcett W., Ruch J. G. Monte Carlo determination of hot electron galvanomagnetic effects in gallium arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). 1971. vol. 4, № 1. P. 133−141.
  74. Levinshtein M. E., Nasledov D. N., Shur M. S. Magnetic field influence on the Gunn effect // Phys. Stat. Sol. 1969. vol. 33, № 22. P. 897−903.
  75. Т. К. Теоретическая модель, описывающая влияние магнитного поля на диод Ганна // ТИИЭР. 1983. т. 71, № 1. С. 225−226.
  76. А. А., Валов В. А., Козлов В. А. и др. Значительное уменьшение порогового поля эффекта Ганна в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. т. 32, вып. 11. С. 628−632.
  77. С. С., Бородаев В. А., Рудавин Е. Р. Транзисторный автогенератор с перестройкой по частоте // Радиотехника. 1989. № 7. С. 26−28.
  78. Д. А., Скрипаль А. В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1987. Т.30, № 5. С. 53−55.
  79. Д. А., Скрипаль А. В. Невзаимные свойства диодов Ганна в магнитном поле // Тез. докл. 6-го Всесоюз. совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск: Изд-во Томск, ун-та, 1987. 4.2. С. 101−102.
  80. А. В. Исследование влияния внешних воздействий на работу диодов Ганна в активном режиме // Некоторые вопросы современной физики. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1984. 4.2. С. 17−24.
  81. . Ю. Тенденции применения оптически управляемых полупроводниковых структур в устройствах СВЧ-диапазона // Зарубежная электроника. 1989. № 9. С.75−81
  82. И. Б., Геворкян С. Ш., Хижа Г. С. Оптически управляемые полупроводниковые СВЧ устройства // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. № 9. С. 10−23.
  83. Daryoush A. S. Optical synchronization of millimeter-wave oscillators for distributed architectures // IEEE Trans. 1990. vol. 38, № 5. P. 467−476.
  84. De Salles A. A. Optical control of GasAs MESFET’s // IEEE Trans. 1983. vol. MTT-31, № 10. P. 812−820.
  85. Yu Z., Lin W. A new way to optically control a millimeter-wave oscillator // IEEE Trans. 1990. vol. 38, № 9. P. 1360−1362.
  86. Kiehl R. A. Optically induced AM and FM in IMPATT diode oscillators // IEEE Trans. 1980. vol. ED-27, № 2. P. 426−432.
  87. Daryoush A. S., Herezfeld P. R. Indirect optical injection-locking of multiple X-band oscillators // Electron. Lett. 1986. vol.22, № 3. P. 133−134.
  88. О. В. Перестройка частоты генератора на планарном диоде Ганна из фосфида индия с помощью оптической накачки // Радиотехника и электроника. 1995. т. 40, вып. 1. С. 161−162.
  89. Igo Т., Ohwada К., Noguchi Y. Regenerative light pulse detection using the Gunn effect // Japan. J. Appl. Phys. 1970. vol.9, № 10. P. 1283−1285.
  90. M. M., Шинкаренко В. Г. Сигнальные характеристики автодинного фоторезисторного приемника на диоде Ганна при самодетектировании // Радиотехника и электроника. 1983. т. 28, № 2. С. 380−386.
  91. Adams R. F., Schulte Н. J. Optically triggerable domains in Gunn diodes // Appl. Phys. Lett. 1969. Vol.15, № 8. P. 265−378.
  92. Nurmikko A. V., Schwarts B. D., Jamision S. A. Infrared field induced Gunn oscillations in GaAs // Solid State Electron. 1978. Vol.21, № 1. P.241−245.
  93. Myers F. A., McStay J., Taylon В. C. Variablelength Gunn oscillator // Electron. Lett. 1968. Vol.4, № 18. P.386−387.
  94. У санов Д. А., Скрипаль А. В. Частотная модуляция диодов Ганна, работающих в режиме генерации, при воздействии на них лазерного излучения // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1984. вып. 7(367). С. 27−29.
  95. Д. А., Горбатов С. С., Скрипаль А. В. Влияние ИК-излучения на генерацию диодов Ганна // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1982. т.25, № 10. С. 92−93.
  96. Д. А., Скрипаль А. В. Амплитудная и частотная модуляция СВЧ излучения генераторов на диодах Ганна оптическим сигналом // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1982. вып. 6(342). С.57−58.
  97. Д. А., Скрипаль А. В. Эффект перестройки частоты ганновского генератора под действием лазерного излучения // Тез. докл. 10-й Всесоюз. науч. конф. «Электроника сверхвысоких частот». Минск, 1983. Т.2. С.22
  98. W. Н., Solomon R. The effect of illumination on Gunn oscillations in epitaxial GaAs // IEEE Trans. Electron Dev. 1968. vol. ED-15, № 11. P. 941 942
  99. M. E. Влияние освещения на параметры диодов Ганна // ФТП. 1973. т. 7, вып. 7. С. 1332−1337.
  100. В. А., Синявский Э. П. О возможности управления ганновской неустойчивостью с помощью лазера // Письма в ЖТФ. 1975. т. 1, вып. 24. С. 1123−1125.
  101. Seeds A. J., De Salles A. A. Optical control of microwave semiconductor devices // IEEE Trans. 1990. vol. 38, № 5. P. 577−585
Заполнить форму текущей работой