Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Диагностика структуры и управление физико-химическими свойствами единичных нанокластеров оксидов вольфрама, алюминия и титана

Диссертация: Диагностика структуры и управление физико-химическими свойствами единичных нанокластеров оксидов вольфрама, алюминия и титана
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Имеющиеся и специально созданные дефекты в оксидах и нанооксидах качественно изменяют1 их электронные спектры и, соответственновсе физико-химических свойства. Изменения оказываются существенными даже при очень, низких концентрациях дефектов (для кислородных вакансий, известных как Н-центры, уже при* концентрациях менее 0.1%). В большинстве приложенийоксидов и нанооксидов роль дефектов является… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Зондовая микроскопия — общие сведения
      • 1. 1. 1. Принципы работы сканирующих зондовых микроскопов
      • 1. 1. 2. Сканирующие элементы (сканеры) зондовых микроскопов
      • 1. 1. 3. Защита зондовых микроскопов от внешних воздействий
      • 1. 1. 4. Стабилизация термодрейфа положения зонда над поверхностью
      • 1. 1. 5. Формирование и обработка СЗМ изображений
      • 1. 1. 6. Сканирующая туннельная микроскопия
        • 1. 1. 7. 3. онды для туннельных микроскопов
      • 1. 1. 8. Спектроскопические измерения в СТМ
      • 1. 1. 9. Система управления СТМ
    • 1. 2. Исследование поверхностных комплексов методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии
      • 1. 2. 1. Изображение адсорбированных частиц в СТМ
      • 1. 2. 2. Туннельная спектроскопия адсорбированных частиц
      • 1. 2. 3. Туннельная спектроскопия полупроводников
      • 1. 2. 4. Элементарные процессы на поверхности — адсорбция, диссоциация и поверхностная миграция атомных частиц
      • 1. 2. 5. Упорядоченные слои адсорбированных частиц
      • 1. 2. 6. Исследование окислительных реакций с помощью СТМ
  • Глава 2. Экспериментальная установка
    • 2. 1. Сверхвысоковакуумная камера
    • 2. 2. Сканирующий туннельный микроскоп
    • 2. 3. Вспомогательное экспериментальное оборудование
    • 2. 4. Приготовление острий
    • 2. 5. Образцы.Л"
    • 2. 6. Адсорбция и нанесение наночастиц на поверхности образцов
  • Глава 3. Диагностика структуры и свойств нанокластеров оксидов алюминия титана и вольфрама
    • 3. 1. Топографическая и спектроскопическая диагностика оксидных наночастиц
    • 3. 2. Детектирование и определение свойств дефектов оксидных нанокластеров
  • Глава 4. Управляемый рост и модификация единичных оксидных нанокластеров
    • 4. 1. Управляемый рост и модификация единичных оксидных нанокластеров на острие СТМ
    • 4. 2. Формирование наноструктур на поверхности оксида титана

Диагностика структуры и управление физико-химическими свойствами единичных нанокластеров оксидов вольфрама, алюминия и титана (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Область возможных применений оксидов и нанооксидов сегодня весьма обширна. Оксиды традиционно широко используются в катализе (А12Оз, ТЮг, ТЮ2) и фотокатализе (ТЮ2, МоО), электронике (СиО, А^Оз), лазерной технике (Юх), ядерной энергетике (игОз), медицине (ТЮ2) и т. д. Оксиды сложного состава — исторически первый пример высокотемпературных сверхпроводящих керамических материалов.

Как правило, реальные оксиды, представляющие наибольший интерес для практического применения, представляют собой набор кристаллов, имеющих различные типы кристаллической решетки и многочисленные дефекты в них. Используемые для их изучения методы — рентгено-структурный анализ, электронная микроскопия, ультрафиолетовая, инфракрасная, Ожеи другие варианты спектроскопии, диагностируют достаточно большие участки, вследствие чего полученные данные оказываются усредненными по всему набору решеток и дефектов оксида. В результате во многих случаях затрудняется интерпретация полученных экспериментальных результатов. Особенно трудно установить свойства наноструктур, которые во многом определяются строением и составом их поверхностей. Наиболее совершенными, позволяющими работать на уровне единичных нанокластеров, являются зондовые методы исследования поверхности, в том числе сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) и сканирующая туннельная спектроскопия (СТС).

В нанооксидах, как и во всех других наноматериалах, отчетливо проявляются размерные эффекты, что позволяет управлять физико-химическими свойствами этих материалов. Возможность управляемого роста, а также целенаправленной модификации готовых нанооксидов с получением объектов с заданными свойствами — приоритетное направление развития нанотехнологий.

Имеющиеся и специально созданные дефекты в оксидах и нанооксидах качественно изменяют1 их электронные спектры и, соответственновсе физико-химических свойства. Изменения оказываются существенными даже при очень, низких концентрациях дефектов (для кислородных вакансий, известных как Н-центры, уже при* концентрациях менее 0.1%). В большинстве приложенийоксидов и нанооксидов роль дефектов является определяющей. Поверхности реальных оксидов обычно гидратированы, т. е^ содержат адсорбированные молекулы воды и гидроксильные. группы, что существенно влияет нафизико-химические свойства поверхности [1,2].

Таким образом, исследование: физико-химических свойств оксидов металлов, вчастности оксидов титана, вольфрама и алюминия, на уровне единичных поверхностных" нанокластеров, единичных дефектов, единичных-адсорбционных комплексов представляется? актуальной задачей/современной химической физики.

Цель работы заключалась в* диагностике структуры единичных нанокластеров оксидов вольфрама, титана и алюминия, а также в созданииметодов управления^ их. физико-химическими свойствами. В частности должны были быть установлены:

1. Структурное и электронное строение единичных нанокластеров оксидов титана, алюминия и вольфрама.

2. Энергетические характеристики единичных дефектов в нанокластерах оксидов титана, алюминия-и'вольфрама;

3. Адсорбционные свойства совершенных и дефектных нанокластеров. оксидов, а также свойства: единичных поверхностных комплексов, являющихся результатом актов адсорбции на поверхности оксидов.

4. Влияние условий окисления металлов? на физико-химические свойства образующихся оксидных нанокластеров.

5. Возможность управляемого роста. и модификации оксидных нанокластерова также набор методов, позволяющих осуществлять указанные действия.

В представляемой на защиту диссертации впервые, -детектированы единичные дефекты нанокластеров оксидов: металловполучены экспериментальные доказательства существованияэлектронных состояний, связанных с дефектами оксидных нанокластеров, через которые, осуществляется резонансный перенос электронов;

— детектирована адсорбция: молекул, воды" на единичномдефекте оксидного нанокластера, определена поляризуемость поверхностного комплекса, образующегося" после, адсорбции воды на дефектном нанокластере оксида.

— обнаружено влияние величины напряженностиа также полярности электрического: поля на процессы формирования оксидных нанокластеров.

— установлена возможность целенаправленной структурной модификации нанооксидов, с получением как проводящих, так Инепроводящих: оксидных кластеров с известной электронной структурой.

— предложен" миграционный механизм формирования поверхностных наноструктур на поверхности тонких пленок оксида титана. Получены следующие практически важные результаты: -определены размеры ихарактерная форма наночастиц ультрадисперсного алюминия — энергетически насыщенного материала, практическиважного в некоторых специальных приложенияхвыявлена сильная^ неоднородность, электронного строения" поверхности наночастиц ультрадисперсного алюминия.

— разработана методика формирования на поверхности оксида титана точечных и линейных наноструктур с характерным размером менее 50 нм.

Все приведенные в диссертации экспериментальные результаты получены автором лично либо при его участии. Постановка задачи, а также обсуждение результатов всех представленных экспериментов происходило при непосредственном участии автора.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: XVIII симпозиуме «Современная химическая физика» (Туапсе, 2006 г.), XIX симпозиуме «Современная химическая физика» (Туапсе, 2007 г.), XII симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2008 г.),.

XX симпозиуме «Современная химическая физика» (Туапсе, 2008 г.), XIII симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2009 г.),.

XXI симпозиуме «Современная химическая физика» (Туапсе, 2009 г.), VIII международной конференции «Механизмы каталитических реакций» (Новосибирск, 2009), XXII симпозиуме «Современная химическая физика» (Туапсе, 2010 г.).

По материалам опубликовано 6 статей в журналах, рекомендованных ВАК, тезисы 9-ти докладов на конференциях.

Основные результаты и выводы:

1 .Установлено существование электронных состояний, соответствующих кислородным вакансиям оксидных нанокластеров вольфрама, титана и алюминия, через которые осуществляется резонансный перенос электроновопределено положение резонансных уровней.

2.Доказан факт преимущественной адсорбции воды на дефектных оксидах, причем, в случае оксида вольфрама происходит диссоциативная адсорбция, в случае оксида титана имеет место адсорбция без диссоциацииопределены энергетические характеристики единичных поверхностных комплексов, являющихся результатом адсорбции на поверхности оксидов.

3.Определены размеры и характерная форма наночастиц ультрадисперсного алюминиявыявлена сильная неоднородность электронного строения наночастиц.

4.Установлено влияние величины напряженности, а также полярности электрического поля на процессы формирования нанокластеров оксидов.

5.Предложен набор методов, позволяющих осуществлять целенаправленную структурную модификацию нанооксидов, с получением как проводящих, так и непроводящих оксидных комплексов с заданной электронной структурой.

6.Разработаны методы формирования точечных и линейных наноструктур на поверхности тонких пленок оксида титана в сверхвысоковакуумных условиях.

7.Установлены зависимости геометрических параметров образовавшихся наноструктур от полярности, величины и длительности приложенных импульсов напряжения.

8.Предложен миграционный механизм формирования поверхностных наноструктур оксида титана.

Основное содержание диссертации изложено в работах:

1. Гатин А. К., Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Ковалевский С. А., Колченко H.H. Резонансная туннельная спектроскопия единичных поверхностных комплексов, образующихся при адсорбции воды на оксиде вольфрама II Химическая физика, 2006, т.25 № 6, с 17−21.

2. Гатин А. К., Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Ковалевский С. А., Колченко H.H., Шуб Б. Р. Туннельная спектроскопия нанооксидов платины и вольфрама II Химическая физика, 2006, т.25, № 12, с 26−32.

3. Гатин А. К., Гришин М. В., Ковалевский С. А., Волков А. И., Кутырева H.A. Туннельная спектроскопия гидратных комплексов на поверхности оксида вольфрама // сборник тезисов XVII Симпозиум Современная химическая физика, 2006, с. 208−209.

4. Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Ковалевский С. А., Шуб Б. Р., Гатин А. К. Туннельная колебательная спектроскопия гидратных поверхностных комплексов несовершенных нанооксидов вольфрама и титана II Химическая физика, 2007, т.26, № 8, с 33−37.

5. Гатин А. К., Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Ковалевский С. А. Туннельная спектроскопия гидроксилированной поверхности оксида титана II сборник тезисов XIX Симпозиум Современная химическая физика, 2007, с. 140−141.

6. Гатин А. К., Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Ковалевский С. А. Колченко H.H. Поляризационные эффекты в туннельной резонансной спектроскопии дефектов и квантовых точек II сборник тезисов XII Симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 2008, с. 424.

7. S. A. Kovalevskii, F. I. Dalidchik, M. V. Grishin, and A. K. Gatin Influence of strong electric fields on the growth, modification, and destruction of thin oxide films at the titanium surface II Applied Physics Letters 93, 203 112 (2008).

8. Гатин A.K., Гришин M.B., Далидчик Ф. И., Ковалевский С. А. Влияние сильных электрических полей на рост, модификацию и разрушение тонких оксидных пленок на поверхности титан И тезисы XX Симпозиума Современная химическая физика, 2008, с. 219−220.

9. Гришин М. В., Ковалевский С. А., Далидчик Ф. И., Гатин А. К. Туннельная спектроскопия тонких оксидных пленок на поверхности поликристаллического титана II сборник тезисов XIII Симпозиум Нанофизика и наноэлектроника 2009, т.2, с. 139.

10. A.K.Gatin, M.V.Grishin, F.I.Dalidchik, B.R.Shub Influence of strong electric fields on the growth of platinum nanooxides and their interactions with molecular hydrogen II VIII International Conference MECHANISMS OF CATALYTIC REACTIONS dedicated to the 70th anniversary of Professor Kirill I. Zamaraev. Novosibirsk, Russia, June 29-July 2, 2009 ABSTRACTS, vol. II. p.153.

11. Гатин A.K., Гришин M.B., Ковалевский С. А., Далидчик Ф. И. Влияние электрического поля на адсорбцию кислорода и образование оксида на нанокластерах платины и титана II сборник тезисов XXI Симпозиум Современная химическая физика, 2009, с. 35.

12. Балашов Е. М., Гатин А. К., Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Колченко Н. Н., Шуб Б. Р. Влияние сильных электрических полей на рост нанооксидов платины и их взаимодействие с молекулярным кислородом II сборник тезисов XXI Симпозиум Современная химическая физика, 2009, с. 37.

13.Балашов Е. М., Гатин А. К., Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Колченко Н. Н., Шуб Б. Р. Влияние сильных электрических полей на рост наночастиц оксидов платины и их взаимодействие с молекулярным кислородом II Химическая физика, 2010, т.29, № 3, с 91−96.

14.М. В. Гришин, С. А. Ковалевский, Ф. И. Далидчик, Гатин А. К. Формирование суперкластеров нанооксидов титана под острием сканирующего туннельного микроскопа II Российские нанотехнологии, 2010, т.5, № 7−8, с. 51−53.

15.Гатин А. К., Гришин М. В., Ковалевский С. А., Далидчик Ф. И., Шуб Б. Р. Формирование и модификация нанокластеров оксида титана в сильных электрических полях II сборник тезисов XXII Симпозиум Современная химическая физика, 2010, с. 7.

Благодарю.

Благодарности своего научного руководителя и учителя Шуба Бориса Рувимовича за неоценимую помощь в написании диссертации, а также внимание, проявленное по отношению ко мне на всех этапах работы своих коллег и учителей.

Гришина Максима Вячеславовича Далидчика Федора Ивановича Ковалевского Сергея Алексеевича Колченко Николая Николаевича, а также весь коллектив нашей лаборатории за плодотворное научное сотрудничество свою жену Гатину Елену Владимировну за терпение и понимание.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Ф., Крылов О. В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука. 1978.
  2. О.В., Киселев В. Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. М.: Химия. 1981.
  3. Handbook of microscopy. Applications in material science, solid state physics and chemistry ed. By S. Amelincs, D. van Dyck, J. van Landuyt, G. van Tendeloo. VCH Verlagsgesellschaft, Weinheim, 1997.
  4. Bauer E. In Chemistry and Physics of Solid Surafce VIII ed. by R. Vanselow, R.Howe. Berlin. Springer-Verlag. 1990. P.267.
  5. Melmedn A.J. In Chemistry and Physics of Solid Surafce VI ed. by R. Vanselow, R.Howe. Berlin. Springer-Verlag. 1986. P.325.
  6. Scanning Tunneling Microscopy I. General Principles and Applications to Clean and Adsorbate-Covered Surafces ed. by H.-J.Giintherodt and R.Wiesendanger. Berlin. Springer-Verlag. 1994.
  7. B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Российская академия наук, Институт физики микроструктур г. Нижний Новгород, 2004.
  8. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика том 3 Квантовая механика,М.: «Физматлит», 2001.
  9. Chunli Bai. Scanning tunneling microscopy and its application, Shanghai scientific & technical publishers and Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1995.
  10. Inger Ekval, Erik Wahlstrom, Dan Claesson, Hakan Olin and Eva Olsson //Meas. Sci. Technol. 10 (1999) 11−18.
  11. L. J. Lauhon and W. Ho // J. Phys. Chem. A 2000, 104, 2463−2467.
  12. J. Gaudioso and W. Ho // J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 10 095−10 098.
  13. D.M., Schweizer E.K. // Nature. 1990. V.344. P.524.
  14. E., Behm RJ. // Surafce Science. 1991. V.245. P.255.
  15. J., Hamann D.R. //Phys.Rew.Lett. 1983. V.50. P.1998.
  16. J., Hamann D.R. //Phys.Rew.B. 1985. V.31. P.805.
  17. N.D. // Phys.Rew.Lett. 1985. V.55. P.230.
  18. N.D. // Phys.Rew.Lett. 1986. V.56. P. l 164.
  19. N.D. // IBM J.Res.Develop. 1986. V.30. P.374.
  20. Wilhelmi G., Brodde W., Badt D., Wengelnik H., Neddermeyer H. In The Structure of Surafces III ed. by S.Y.Song, M.A.Van Hove, X.Xide. Berlin. Springer-Verlag. 1991.
  21. J., Brune H., Hofer H., Behm RJ. //Appl.Phys.A. 1988. V.47. P.99.
  22. Oed W., Linder H., Starke U. et al. // Surf.Sci. 1989. V.224. P. l79.
  23. W., Himpsel F.J. // Phys.Rew.Lett. 1979. V.42. P.1375,
  24. Brundle C.R., Broughton J. In The Chemical Physics of Solid Surfaces and Heterogeneous Catalysis ed. by D.A.King, D.P.Woodruff. Amsterdam. Elsevier. 1990.
  25. J.C., Madey T.E., Steinkilberg M., Menzel D. // Surf.Sci. 1975. V.52. P.521.
  26. N.D. // Comments Condens. Matter Phys. 1989. V.14. P.253.
  27. G., Drakova D., Kopatzki E., Behm R.J. // J.Vac.Sci.Technol.A. 1988. V.6. P.327.i
  28. E., Doyen G., Drakova D., Behm R.J. // J.Microsc. 1988. V.152. P.687.
  29. H., Globl M., Dose V. // Surf.Sci. 1982. V.123. P. L728.
  30. H., Wintterlin J., Ertl G., Behm R.J. // Europhys.Lett. 1990. V.13. P.123.
  31. J. // Phys.Rew.B. 1989. V.39. P. 1052.
  32. A., Tosch St., Neddermeyer H. // J/Microsc. 1988. V.152. P.441.
  33. Van der Walle G.F.A., van Kempen H., Wyder P., Flipse C.J. // Surf.Sci. 1987. V.181. P.27.
  34. R.M., Stroscio J.A., Fein A.P. // Surf.Sci. 1987. V.181. P.295.
  35. N.D. //Phys.Rew.B. 1986. V.34. P.5947.
  36. Chua F.M., Kuk Y., Silverman P.J. H Phys.Rew.Lett. 1989. V.63. P.386.
  37. N.D. // Phys.Rew.Lett. 1987. V.58. P.45.
  38. Hansma P.K. Tunneling Spectroscopy. New York. Plenum. 1982.
  39. M.V. Grishin, F.I. Dalidchik, S.A.Kovalevskii, N.N. Kolchenko, B.R.Shub//JETP Lett. 66, 37−40 (1997).
  40. Springer Handbook of Nanotechnology. Ed. By B. Bhushan Springer Berlin-Heidelberg-New York. 2004.
  41. B. Bhushan Nanotribology and Nanomechanics 2nd edition. SpringerVerlag Berlin-Heidelberg. 2008.
  42. Stipe B.C., Rezaei M.A., Ho W. et al. // Phys.Rev.Lett. 1997. V.78. P.4410.
  43. Stipe B.C., Rezaei M.A., and Ho W.// Science. 1998. V.280. P.1732.
  44. Lee H.J. and Ho W.//Phys.Rev.B. 2000. V.61. P. R16347.
  45. Lauhon L.J. and Ho W.// Surf.Sci. 2000. V.451. P.219.
  46. Wallis T.M., Chen X., and Ho W.// J.Chem.Phys.Commun. 2000. V. l 13. P.4837.
  47. J., Jaklevic R.C. //Phys.Rev.Lett. 1968. V. l65. P.821.
  48. European Conference on Surface Science № 22, Prague, Tcheque Republique (07/09/2003). 2004. V.566−568. P.671.
  49. M., Gadzuk J. W. // Phys.Rev.B 2002. V.88. P.96 804.
  50. Strozecka A., Myslivecek J., Voigtlander B.// Appl.Phys.A. 2007. V.87. N.3. P. 475.
  51. J., Jaklevic R.C. // Phys.Rev.Lett. 1968. V.165. P.821.
  52. N. // App.Phys.A. 2004. V.78. N.6. P.799.
  53. Binnig G, Rohrer H., Gerber C., Weibel E. // Phys.Rew.Lett. 1983. V.50. P.120.
  54. R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. // Phys.Rew.Lett. 1986. V.56. P.1972.
  55. T., Brodde A., Neddermeyer H., Tosch S. // J.Vac.Sci.Tech.A. 1988. V.6. P.483.
  56. R.S., Golovchenko J.A., Hamman D.R., Swarzentruber B.S. // Phys.Rew.Lett. 1985. V.55. P.2032.
  57. F.J., Fauster T. // J.Vac.Sci.Tech.A. 1984. V.2. P.815.
  58. R.J., Kohler U.K. // J.Vac.Sci.Tech.A. 1989. V.7. P.2854.
  59. Wintterlin J., Brune H, Hofer H., Behm R.J. // Appl.Phys.A. 1988. V.47. P.99.
  60. W., Behm R.J., Ritter E. // IBM J.Res.Develop. 1986. V.30. P.403.
  61. E., Behm R.J., Potschke G., Witterlin J. // Surf.Sci. 1987. V.181. P.403.
  62. G., Fuchs H., Stoll E. // Surf.Sci. 1986. V.169. P. L295.
  63. D.J., Wintterlin J., Ertl G., Behm R.J. // Phys.Rew.Lett. 1990. V.13.P.1761.
  64. F., Besenbacher F., Laegsgaard E., Stensgaard I. // Phys.Rew.B. 1990. V.41.P.10 233.
  65. Kuk Y., Chua F.M., Silverman P.J., Meyer J.A. // Phys.Rew.B. 1990. V.41. P.12 393.
  66. J., Schuster R., Coulman D.J., Ertl G., Behm R.J. // J.Vac.Sci.Technol.B. 1991. V.9. P.902.
  67. Ogletree D.F., Ocal C., Marchon B. et al. // J.Vac.Technol.A. 1988. V.8. P.297.
  68. Marchon B., Ogletree D.F., Bussel M.E. et al. // J.Microsc. 1988. V.152. P.427.
  69. H., Wilson R.J., Chiang S., Mate C.M. // Phys.Rew.Lett. 1990. V.60. P.2398.
  70. S., Wilson R.J., Mate C.M., Ohtani H. // J.Microsc. 1988. V.152. P.567.
  71. Rousset S., Gaunter S., Siboulet O. et al. // Phys.Rew.Lett. 1989. V.63. P.1265.
  72. Rousset S., Gaunter S., Siboulet O. et al. // J.Vac.Technol.A. 1988. V.8. P.302.
  73. Mahmoud S. Kaba, In K. Song, Dean C. Duncan, Craig L. Hill, and Mark A. Barteau //Inorg. Chem. 1998, 37, 398−406.
  74. Behm R.J. Scanning Tunneling Microscopy and Related Methods ed. by R.J.Behm, N. Garcia, H.Rohrer. Dordrecht. Kluwer. 1990.
  75. Brown N.M.D., You H.-Y. // Surf.Sci. 1990. V.233. P.317.
  76. Pavlovetz G. Scientific and Technological Basics of Production and Use of Ultra-Sized Metal Powders for the High-Energetic Compositions, Section of Application Problems, Prezidium of Russian Academy of Science, Moscow. 1999. P.80.
  77. Burger H.C. and Cittert P.H.// Z.Phys. 1930. V.66. P.210.
  78. Goursat A.G., Vemet G., Rimpert J.F. et al. Metal powder manufacture starting with a molten material, Air Liquide SA pour 1 'Etudew et 1' Exploitation des Procedes Georges Claude, France 184
  79. Ivanov G.V., Lerner M.I. and Tepper F.// Adv. Powder Metall.Pat.Meter. 1996. V.4. P.15/
  80. Pivkina A., Streletskii A., Kolbanev I. et al.// Mechanochemistry and Mechanical Alloying. 2003. V.39. p.5451.
  81. Pivkina A., Ivanov D., Frolov Yu. et al.// Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2006. P.l.
  82. P.A., Madey Т.Е. //Surf. Sei. Rep. 1987. V.7., 211−385.
  83. A. //Surface Science Reports. 2002. V.46. P.l.
  84. Di Valentin C., Pacchioni G., Selloni A. //, Phys. Rev. Lett. 2006. V.97. P.166 803.
  85. G. //Solid State Sciences. 2000. V.2. P. 161 179.
  86. Mustafa Akbulut, Norbert J. Sack and Theodore E. Madey Surface science, 1996, v. 351, № 1−3, pp 209−221.
  87. S.A., Dalidchik F.I., Grishin M.V., Kolchenko N.N., Shub B.R. //Appl.Phys.A. 1998. V.66. P.125.
  88. R. Schaub, P. Thostrup, N. Lopez, E. La3gsgaard, l I. Stensgaard, J. K. Norskov, and F. Besenbacher // Phys.Rev.Lett. 2001, v. 87, № 26, p. 266 104.
  89. M., Смит Г. Зондовый анализ в автоионный микроскопии. М.: «Мир», 1993.
  90. A. Azoulay, N. Shamir, Е. Fromm, M.N. Mintz // Surf. Sei. 370 (1997) 1−16.
  91. G. Lu, S.L. Bernasek, J. Schwartz // Surf. Sei. 458 (2000) 80 -90.
  92. Takakuwa Y., Ishidzuka S., Yoshigoe A. et al // Appl.Surf.Sci. 2003. V.216. P.395.
  93. U. // Surf.Sci.Rep. 2003. V.48. P.53.
  94. TsukadaM., Satoko C., Adachi H.// J.Phys.Soc.Jpn. 1978. V.47. P.1610.
  95. Sakai Y. and Ehara SM Jpn.J.Appl.Phys.Part 1. 1999. V.38. P.3826.
  96. Z. M., Jeng S. P., Henrich V. E. // Phys.Rev.B. 1991. V.43. P.12 004.
  97. J.R., Spitzer W.G. // Physics & Chem.Solids. 1960. V. 14. P. 131
  98. Е.М., Гатин А. К., Гришин М. В., Далидчик Ф. И., Колченко H.H., Шуб Б.Р. // Химическая физика, 2010, т.29 № 3, с 91−96.
  99. J.A., Schneir J., Harary H.H., Evans С.J., Postek M.T., Bennett J. //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 2001.
  100. Ph., Martel R., Hertel Т., Sandstrom R. // Appl. Phys. A 66. 1998.P. S659
  101. E.S., Campbell P.M. // Science. 1995. V. 270. P. 1639.
  102. S., Gavrilov S., Shevyakov V., Roschin V., Solomatenko R. //Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 273.
  103. Matsumoto K., Ishii M., Segawa K., Oka Y., Vartanian B.J., Harris J. S. // Appl.Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 34.
  104. Day H.C., Allee D.R. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2691
  105. R., Martinez R.V., Martinez J. // Chem. Soc. Rev. 2006. V. 35. P.29.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!