Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током

Диссертация: Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Спектр светодиода белого цвета свечения при импульсном питании изменяется в связи с инерционностью процессов генерации излучения люминофора. Спектры свечения кристаллов светодиодов при увеличении длительности импульсов смещаются в длинноволновую область. Данное смещение определяется увеличением температуры кристалла. Установлено, что при улучшении отвода тепла от светодиода увеличение максимально… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений и обозначений
  • 1. Аналитический обзор публикаций
    • 1. 1. Конструкция и механизм генерации излучения светодиодов
      • 1. 1. 1. Механизм протекания тока и генерации излучения в светодиодной структуре, электрические параметры светодиодов
      • 1. 1. 2. Конструкция светоизлучающего кристалла
      • 1. 1. 3. Конструкция и параметры светодиодов
      • 1. 1. 4. Тепловая модель свето диода
    • 1. 2. Температурные зависимости работы светодиодов
      • 1. 2. 1. Температурные зависимости эффективности люминесценции и электрических параметров
      • 1. 2. 2. Влияние температуры на спектральные характеристики
    • 1. 3. Излучение полупроводниковых источников в импульсном режиме
      • 1. 3. 1. Разогрев кристалла в импульсном режиме
      • 1. 3. 2. Особенности восприятия импульсного излучения
      • 1. 3. 3. Управление силой света светодиодов
      • 1. 3. 4. Схемы питания светодиодов
    • 1. 4. Параметры люминофоров, применяемых в светодиодных источниках света
    • 1. 5. Выводы по разделу и постановка задач
  • 2. Моделирование тепловых процессов
    • 2. 1. Характеристики импульсного тока
    • 2. 2. Математическая модель нагрева кристалла при импульсном режиме работы
    • 2. 3. Измерение температуры активной области кристалла свето диода
      • 2. 3. 1. Обоснование выбора методики измерения температуры кристалла свето диода
      • 2. 3. 2. Методика эксперимента
      • 2. 3. 3. Результаты исследования динамики разогрева и остывания кристалла
      • 2. 3. 4. Аппроксимация кривых разогрева и остывания кристалла светодиода
      • 2. 3. 5. Исследование зависимости температуры кристалла от скважности тока
      • 2. 3. 6. Исследование зависимости температуры кристалла светодиода от частоты протекающего тока 73
  • Заключение по главе
  • 3. Экспериментальные исследования светотехнических характеристик светодиодов при импульсном режиме работы
    • 3. 1. Фотометрия светодиодов
    • 3. 2. Исследования спектральных характеристик излучения при различной температуре светодиода
      • 3. 2. 1. Методика измерений
      • 3. 2. 2. Результаты измерений спектральных характеристик светодиодов при изменении температуры
    • 3. 3. Исследование спектральных характеристик светодиодов в зависимости от режима питания
    • 3. 4. Исследование цветовых характеристик светодиодов при питании импульсным током

Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Первые коммерческие светодиоды (СД) красного цвета на основе GaAsP/GaAs были изготовлены в 1968 г. и имели световую отдачу 0,2 лм/Вт. Данные светодиоды применялись в маломощных сигнальных устройствах. В 1970 г., была представлена система на основе GaP с удвоенной световой отдачей (0,4 лм/Вт). Через 15 лет было достигнута величина 4 лм/Вт, и в начале 90-х AlInGaP и AlInGaAs сплавы стали основанием для производства СД с излучением в зеленой и красной части спектра со световой отдачей до 10 лм/Вт. Но такая сравнительно высокая световая отдача была достигнута только для СД с излучением в желто-красной части спектра и стремительно снижалась в желто-зеленой части [1]. В конце 1993 г. были созданы сверхяр-кие синие СД на основе нитрида галлия (GaN) со световой отдачей до 10 лм/Вт. Тогда же были представлены зеленые СД на основе GaN со световой отдачей 20 лм/Вт. Первые светодиоды синего и зеленого диапазонов спектра, разработанные на фирме Nichia Chemical Industry, содержали одну квантовую яму, куда осуществлялась инжекция носителей заряда [2]. Поиски оптимальных структурно-технологических параметров привели к созданию светодиодных структур с 4−5-ю квантовыми ямами, которые в свою очередь различаются по характеру легирования барьеров по краям квантовых ям.

К настоящему времени за счет оптимизации технологических процессов и конструктивных элементов светодиодов достигнуты следующие значения световой отдачи. Для светодиода с кристаллом площадью 1 мм² при токе питания 350 мА, значение светового потока 155 лм, световая отдача 136 лм/Вт. При этом, на токе 1,4 А можно получить световой поток до 500 лм, но при снижении световой отдачи [3]. Также существуют конструкции светодиодов, в которых совмещены несколько кристаллов светодиодов, их световой поток превышает 1000 лм, но световая отдача значительно ниже. У лабораторных образцов светодиодов световая отдача достигает 208 лм/Вт [4].

Светоизлучающие устройства на СД работают на постоянном токе и низком напряжении, следовательно, легко управляемы с помощью систем регулирования освещения. Допускается использование режимов смешения, отключения, пульсирующего режима без негативного влияния на работу СД [5]. На этом основан принцип работы ряда драйверов — устройств стабилизации тока и управления яркостью светодиодных источников света [6]. В них используется широтно-импульсная модуляция — питание импульсным током с переменной скважностью. Это позволяет добиться изменения яркости свечения (за счет инерционности процессов восприятия излучения человеческим глазом) при постоянном амплитудном значении тока. Данные устройства работают на частотах превышающих критическую частоту мельканий (от килогерц до сотен мегагерц). КПД таких устройств составляет 85−95%.

Современные исследования светодиодов направлены на увеличение мощности и квантового выхода, на увеличение световой эффективности диода и люминофора, а также на снижение стоимости готового СД [7]. Основная проблема при создании светодиодов с высоким световым потоком заключается в эффективности преобразования электрического тока в оптическое излучение. Увеличение рабочего тока с целью увеличить световой поток СД приводит к увеличению тепловыделения, и к повышению температуры активной области светодиодной структуры. С ростом температуры СД уменьшается квантовый выход излучения, ограничивается максимальная оптическая мощность, снижается срок службы. Поэтому анализ теплового режима светодиодных структур требует детального изучения.

Цель работы состояла в исследовании тепловых процессов, происходящих при питании светодиодов импульсным током, и их влияния на светотехнические и электротехнические характеристики. Для достижения цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать влияние параметров импульсного тока на нагрев светодиодной структуры и на отвод тепла от кристалла.

2. Исследовать изменение спектров и цветности светодиодных источников света при изменении температуры кристалла.

3. Исследовать динамику тепловых процессов, происходящих в кристалле.

Объектом исследования являются светодиодные источники света раз-личной цветности, особенности тепловых процессов и генерации излучения при работе в импульсном режиме.

Методы исследований:

— экспериментальные методы исследования тепловых характеристик свето-диодов и их влияния на светотехнические параметры;

— методы расчета динамики тепловых процессов, происходящих при питании импульсным током;

— анализ и сопоставление экспериментальных и расчетно-теоретических данных.

Научная новизна полученных результатов:

1. Впервые проведены комплексные исследования работы свето-диодов в режиме импульсного питания.

2. Разработана методика и экспериментальная установка для проведения светотехнических, электротехнических, тепловых измерений параметров светодиодовразработан алгоритм и программа для проведения данных исследований и обработки их результатов.

3. Получены экспериментальные зависимости изменения спектра свече-ния при импульсном токе, экспериментальные данные динамики разогрева и остывания кристалла при протекании тока и установлена их аналитическая связь с тепловым сопротивлением светодиода.

4. Экспериментально определены зависимости температуры кристалла от параметров протекающего импульсного тока.

5. Разработана математическая модель разогрева кристалла при импульсном питании для расчета тепловых характеристик светодиодов при пита-нии импульсным током.

6. Разработана методика измерений тепловых характеристик свето-дио-дов в световом приборе.

Основные научные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Математическая модель разогрева кристалла светодиода при импульсном токе питания.

2. Методика, экспериментальная установка, программа для измерения электротехнических, светотехнических, тепловых параметров светодио-дов.

3. Динамика разогрева и остывания кристалла светодиода носит экспоненциальный характер, определяется величинами теплового сопротивления и теплоемкостью элементов конструкции, для импульсного тока эта зависимость описывается теплоемкостью кристалла.

4. Вследствие локального перегрева рабочей области кристалла, увеличение максимально допустимого значения постоянного тока не эквивалентно увеличению максимально допустимого значения амплитуды импульсного тока. При улучшении теплоотвода, увеличение допустимого значения постоянного тока не эквивалентно увеличению допустимого значения амплитуды импульсного тока.

5. При импульсном питании увеличение частоты питающего тока приводит к снижению нагрева активной области кристалла.

6. Спектр светодиода белого цвета свечения при импульсном питании изменяется в связи с инерционностью процессов генерации излучения люминофора. Спектры свечения кристаллов светодиодов при увеличении длительности импульсов смещаются в длинноволновую область. Данное смещение определяется увеличением температуры кристалла.

7. Методика измерения температуры кристалла в световом приборе.

Практическая ценность и реализация результатов работы:

1. Разработана экспериментальная установка и программное обеспечение для проведения косвенных измерений температуры активной области кристалла светодиода.

2. Получены экспериментальные данные зависимости параметров светодиодов от различных режимов импульсного питания.

3. Разработаны светодиодный проектор и светодиодный светофор в основу которых положен импульсный режим работы светодиодных источников света.

4. Разработана методика измерения температуры кристаллов светодиодов при проведении испытаний световых приборов.

Основные результаты и выводы.

1. В работе были проведены исследования влияния параметров импульсного тока на нагрев светодиодной структуры, изменение спектров светодиодных источников света.

2. Построена математическая модель расчета тепловых характеристик светодиодов при питании импульсным током.

3. Установлено, что при улучшении отвода тепла от светодиода увеличение максимально допустимого значения постоянного тока не эквивалентно увеличению максимально допустимого значения амплитуды импульсного тока, вследствие локального перегрева рабочей области кристалла.

4. Показано, что динамика разогрева и остывания кристалла светодиода носит экспоненциальный характер, определяется величинами теплового сопротивления и теплоемкостью элементов конструкции, для импульсного тока эта зависимость описывается теплоемкостью кристалла.

5. Обнаружено, что спектр светодиода белого цвета свечения в течение периода импульса тока изменяется в связи с инерционностью процессов генерации излучения люминофора.

6. Установлено, что при импульсном питании в условиях внешнего нагрева светодиода происходит более значительное смещение максимума спектральной интенсивности излучения в сравнении с постоянным током при равных действующих значениях, объяснением этому служит больший разогрев рабочей области кристалла вследствие большей амплитуды импульса и инерционности процессов теплопередачи.

7. Показано, что увеличение частоты питающего тока приводит к снижению перегрева активной области кристалла.

8. Разработаны светодиодный проектор и светодиодный светофор в основу которых положен импульсный режим работы светодиодных источников света.

9. Разработана методика измерений тепловых характеристик светодиодов, которая позволяет измерять температуру кристалла светодиода в световом приборе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Т. Светоизлучающие диоды тенденции развития и влияние на освещение / Т. Бегеманн // Светотехника. -2003. — № 3. — С.23−27.
  2. A.C. Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP: дис. канд. техн. наук / A.C. Кодак. М., 2007. — 207 с.
  3. Cree перешагнула 200 лм/Вт Электронный ресурс. // LED Community. [М., 2009]. Режим доступа: http://ledcommunity.ru/ node/ sandbox/ versions/ 37? after=20 091 209 001 800. — Загл. с экрана.
  4. М. Светоизлучающие диоды и их применение / М. Мухитдинов, Э. Ф. Мусаев. М.: Радио и связь, 1987. — 80 с.
  5. Г. Драйверы со стабилизацией выходного тока для питания светодиодов / Г. Местечкина // Новости электроники. 2008. — № 7. -С. 10−12.
  6. Tamura Т. Illumination characteristics of lighting array using 10 eandela-class white LEDs under AC 100 V operation / T. Tamura, T. Setomoto, T. Taguchi // Journal of Luminescence. 2000. — vol. 87. — P. 1180 — 1182.
  7. С.Г. Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твердых растворов AlGalnP AlGalnN : дис. канд. техн. наук / С. Г. Никифоров. М., 2006. — 206 с.
  8. В.И. От транзистора и гетеролазера к точечным квантовым приборам Электронный ресурс. / В. И. Корольков // Окно в микромир. -2000, № 1. Режим доступа: http://wmw-magazine.ru/ uploads/ volumes/ 01/ korol.pdf.
  9. О.Н. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы / О. Н. Ермаков, В. П. Сушков. М.: Радио и связь, 1990. — 378 с.
  10. Morkoc Н. Nitride Semiconductors and Devices / H. Morkoc // Springer-Verlag. 1999. — Vol. 78. — P.758.
  11. Mukai Т. Characteristics of InGaN-Based UY/Blue/Green/Amber/Red Light-Emitting Diodes / T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura // Appl.Phys.Lett. -2001. Vol. 79.-P. 3723.
  12. X. Лазеры на гетероструктурах : в 2 т. / X. Кейси, М. Паниш. -М. :Мир, 1981.-2 т.
  13. Кристаллы светодиодов Сгее Электронный ресурс. // CandlePower-Forums: Форум про освещение. [2011]. Режим доступа: http://www. candlepowerforums.ru/viewtopic.php? f=17&t=25.
  14. Ли К. Д. Наноформовка увеличивает эффективность светодиодов / К. Д. Ли, Р. Сжодин, Т. Эрикссон // Полупроводниковая светотехника. 2010. -№ 5. с. 22−24.
  15. А.Н. Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами / А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Б. Е. Журганов и др. // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38, вып. II. — С. 13 991 407.
  16. В.В. Полупроводниковые приборы : учебник для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. 7-е изд., испр. — СПб. — М. — Краснодар: Лань, 2003.-479 с.
  17. Технические характеристики кристаллов на подложке SiC Электронный ресурс. // Компания Cree: [официальный сайт]. [2010]. Режим доступа: www.cree.com. — Загл. с экрана.
  18. Пат. 2 114 492 Российская Федерация МПК7 Н01 L 33/00. Светоиз-лучающий диод / B.C. Абрамов, Н. М. Беленьков, С. Д. Денисов, Н. В. Щербаков. -№ 96 105 089/25 — заявл. 19.03.1996 — опубл. 27.06.1998, Бюл. № 7. Зс.: ил.
  19. А. Тепловые режимы мощных светодиодов Dorado /
  20. A. Винокуров // Компоненты и технологии. 2006. — № 5. — С. 68−71.
  21. В. С. Свойства зелёных и синих InGaN светодиодов /
  22. B.C. Абрамов, С. Г. Никифоров, П. А. Соболь, В. П. Сушков // Светодиоды и лазеры. 2002. — № 1−2. — С. 30−33.
  23. С.Г. Проблемы, теория и реальность светодиодов для систем отображения информации высшего качества / С. Г. Никифоров // Компоненты и технологии. 2005. — № 5. — С. 48−57.
  24. Д.А. Высокомощные синие и белые светодиоды ИРС50/МК24: конструкция и характеристики в сравнении с зарубежными аналогами / Д. А. Антоненков, Д. А. Бауман, А. А. Богданов, Е. Д. Васильева,
  25. A.Л.Закгейм и др. // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. — С-Пб., 2008. — С.130−131
  26. В.Н. Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света : дис. канд. техн. наук /
  27. B.Н. Щербаков. М., 2004. — 115 с.
  28. A.A. Люминофорный слой в форме капли в белых свето-диодах // A.A. Богданов, Л. М. Втюрина, A.B. Феопентов // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. — СПб., 2008. — С.86−87.
  29. B.C. Метод измерения температуры р-п-перехода свето-диодов / B.C. Абрамов, В. П. Сушков, Н. И. Сыпко // Светодиоды и лазеры. -2002.-№ 1−2.-С. 35−37.
  30. Agafonov D.R. On Design and Manufacturing of LED and systems based on LED / D.R. Agafonov, P.P. Anikin, S.G. Nikiforov // Light & Engineering. 2003.-Vol. 11, № 1. -P. 50−56.
  31. С.Г. Исследование параметров семейства светодиодов CREE XLamp / С. Г. Никифоров // Компоненты и технологии. 2006. — № 11. — с. 42−49.
  32. В. Мощные светодиоды: особенности применения, проблемы и методы решения на примере светодиодов компании Prolight opto technology / В. Миранович, И. Филоненко // Электронные компоненты. -2007. № 6. — С. 45−49.
  33. Патент PCT/RU99/389 Luminescent diode device (Узконаправленный светодиод с линзой Френеля).
  34. Узкоградусные светодиоды с линзой Френеля Электронный ресурс. // ООО «Корвет-Лайте»: [официальный сайт]. [М., 2011]. Режим доступа: http://www.corvette-lights.ru/ pdf/ SDI40mA3gr.pdf.
  35. Ю.В. Сравнительные исследования КПД мощных синих светодиодов / Ю. В. Трофимов, В. И. Цвирко, П. П. Асламов // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. -С-Пб., 2008.-С. 125−126.
  36. Ю.Н. Зависимость температурного коэффициента излучения светодиодов от тока питания / Ю. Н. Николаев, В. М. Кулешов // Тез. докл. на 5 Всесоюз. конф. «Фотометрия и её метрологическое обеспечение». -М, 1984.-С. 164.
  37. В.Е. Метод температурной стабилизации потоков излучения светодиодов. / В. Е. Кравцов, В. И. Кузнецов, Л. С. Ловинский // Метрология. 1979. — № 8. — С. 15−19.
  38. Э.Ю. Температурная зависимость зеленого светодиода из GaP в интервале температур от -60 до +60 °С / Э. Ю. Баринова, Б. И. Вишневская, Л. М. Коган // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1982. — Вып. 7. — С. 46−53.
  39. Ю.А. Тепловой анализ качества посадки кристаллов светодиодов / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, Д. С. Доманевский, С. А. Манего, Ю. В. Трофимов // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. — С-Пб., 2008. — С. 78−79.
  40. Лэм Г. Аналоговые и цифровые фильтры / Г. Лэм. М.: Мир, 1982. — 592 с.
  41. А. А. Исследование эффективности InxGaixN/GaN светодиодов: дис. канд. техн. наук. / А. А. Ефремов. С.-Пб., 2006. — 104 с.
  42. Quiet, Reliable, and Low Power Active Thermal Management Электронный ресурс. // Nuventix: [официальный сайт]. [2010]. Режим доступа: http://www.nuventix.com/ news/ SynJet-Wins-Tech-Innovation-Award. -Загл. с экрана.
  43. С.Г. Температура в жизни и работе светодиодов / С. Г. Никифоров // Компоненты и технологии. 2005. — № 9. — С.48−54.
  44. С.Ю. Анализ нетермических механизмов падения эффективности излучения нитридных светодиодов / С. Ю. Карпов, К. А. Булашевич,
  45. B.Ф. Мымрин. // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. — С-Пб., 2008. — С.94−95.
  46. Шмидт Н. М Высокая квантовая эффективность синих светодиодов слагаемые успеха / Н. М. Шмидт, М. Г. Агапов, Е. В. Богданова,
  47. A.A. Грешнов, A.JI. Закгейм и др. // Нитриды галлия, индия и алюминия -структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. С-Пб., 2008. — С.113−114.
  48. Moolman М.С. A method towards simulating the total luminous flux of a monochromatic high power LED operated in a pulsed manner / M.C. Moolman, W.D. Коек, H.P. Urbach // Optics express. 2009. — Vol. 17, No. 20. — P. 1−14.
  49. A.B. Влияние температуры на эффективность светодиодов REBEL / A.B. Данильчик, Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий и др. // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. — С-Пб., 2008. — С. 80−81.
  50. С.Г. Температура в жизни и работе светодиодов /
  51. C.Г. Никифоров // Компоненты и технологии. 2006. — № 1. — С. 18−23.
  52. А.Л. Исследования и анализ зависимости квантового выхода светодиодов на основе материалов AlGalnN от плотности тока в неразо-гревающем режиме // А. Л. Архипов, С. Г. Никифоров #6 7139lightemitters. С. 69−70.
  53. В.Е. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами /
  54. B.Е. Кудряшов, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович, А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин // Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33, вып. 4. — С. 56−58.
  55. В.А. Определение локальных температур в структурах красных AlInGaP/GaAs светодиодов в импульсном режиме / В. А. Сергеев,
  56. A.А. Широков // Письма в ЖТФ. 2009. — Т. 35, вып. 9. — С. 5−10.
  57. А.Г. Исследование влияния импульсных токовых перегрузок на деградацию мощных светодиодов // А. Г. Полищук, А. Н. Туркин,
  58. B.М. Харитонов. // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. — С-Пб., 2008. — С. 127.
  59. Rebane Y.T. Degradation and transient currents in Ill-nitride LEDs / Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov et al. // Proceedings of SPIE. 2003 -Vol. 4996.-P. 113.
  60. С.Г. Теперь электроны можно увидеть: светодиоды делают электрический ток очень заметным / С. Г. Никифоров // Компоненты и технологии. -2006. № 3. — С. 96−103.
  61. Н.В. Исследование импульсных режимов работы полупроводниковых источников света, используемых в системах отображения информации / Н. В. Мулюкин, В. П. Сушков, В. П. Новиков, Е. В. Кашеварова,
  62. В.В. Локтев // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. «1977. № 4(114). — С. 55−62.
  63. Н.В. Исследование визуальной индикации полупроводниковых источников излучения в импульсном режиме / Н. В. Мулюкин, Б. В. Пронин, О. В. Бычков // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 1975. — № 2(94). — С. 18−23.
  64. Human Perception Studied to Double LED Brightness Электронный ресурс. // Tech-on: [интернет портал]. [2008]. Режим доступа: http:// te-chon.nikkeibp.co.jp/ english/ NEWSEN/ 20 080 407/ 150 114. — Загл. с экрана.
  65. В.И. Частичная когерентность излучения мощных светодиодов на основе Ш-нитридов / В. И. Осинский, Е. И. Новиков, А. В. Раков // Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы: тез. докл. 6-й Всерос. конф. — С-Пб., 2008. — С.106−107.
  66. Применение светодиодов проблемы и их решения Электронный ресурс. // Информационная статья. [2009]. Режим доступа: http://www. radi-odetali.ru/ pdf/ led/ ledadndr.pdf.
  67. М.Г. Спектры излучения мощных светодиодов белого свечения и осветители на их основе / М. Г. Варешкин, Н. А. Гальчина, Л. М. Коган, И. Т. Рассохин, Н. П. Сощин, А. Э. Юнович // Светотехника. 2005. -№ 1. — С. 15−17.
  68. А.В. Желтые люминофоры, применяемые в производстве белых светодиодов Электронный ресурс. / А. В. Феопентов // LED Сот-munity: [интернет портал]. [М., 2007]. — Режим доступа: http://www. ledcommunity.ru/ reviews/ papers/ yellphos.
  69. XLamp 7090 Binning and Labelling (XL Series) Электронный ресурс. // Cree: [Официальный сайт]. [M., 2007]. — Режим доступа: http://www.cree.com/products/lightledsdocs.htm.
  70. А.С. Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором : автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. / А. С. Хайрулина — М-во образования и науки РФ, Ульяновский гос. унив. Ульяновск, 2008. — 25 с.
  71. Справочник по импульсной технике / под ред. В. Н. Яковлева. К.: Техника, 1970.-655 с.
  72. А.Н. Импульсная техника: уч. пособие / А. Н. Старостин. М.: Высшая школа, 1973. — 334 с.
  73. А.П. Электрические источники света: 4.1. Лампы накаливания / М.: ГОНТИ. 1938. — 355 с.
  74. Я.С. Импульсные цифровые устройства / Я. С. Ицхоки, Н. И. Овчинников. М.: Советское радио, 1972. — 592 с.
  75. П.М. Моделирование и управление оптическим излучением тепловых источников света при термоциклическом режиме работы : дис. канд. техн. наук / П. М. Анашкин. Саранск, 2008. — 195 с.
  76. Xi Y. Junction-temperature measurement in GaN ultraviolet light-emitting diodes using diode forward voltage method / Y. Xi, E.F. Shubert // Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 85. — P. 2163.
  77. Ф.Е. Светодиоды : пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича / Ф. Е. Шуберт. 2-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. — 496 с.
  78. Kuball М. Self-Heating effects at high Pump Currents in Deep UV LED / M. Kuball, S. Pajasingam, A. Sarua et al. // Appl.Phys.Lett. 2003. — Vol. 82. -P. 124.
  79. Winewisser С. In-situ temperature measurements via ruby R-lines of sapphire substrate based InGaN light emitting diodes during operation / C. Winewisser, J. Schneider // J. Appl. Phys. 2001. — Vol. 89. — P. 3091.
  80. A.A. Измерение температуры кристалла маломощных светодиодов / A.A. Ашрятов, С. А. Микаева, А. Б. Мышонков // Автоматизация и современные технологии. 2011. — № 3. — С. 10−13.
  81. Продукция, сапфир Электронный ресурс.: официальный сайт компании ООО НПФ «Экситон». [Ставрополь, 2010]. — Режим доступа: http://www.npf-exiton.ru.
  82. JI.C. О новой публикации МКО «Фотометрия светодиодов» / Л. С. Ловинский // Светотехника. -1999. № 3. — С. 18−20.
  83. ГОСТ Р 52 282−2004. Технические средства организации дорожного движения. Светофоры дорожные. Типы и основные параметры. Общие технические требования. Методы испытаний — введ. 2006−01−01.
  84. Светофор дорожный светодиодный Электронный ресурс. // Уральский оптико-механический завод: [официальный сайт]. [2005]. Режим доступа: http://www.uomz.ru/ production/ skds8.htm.
  85. Светофоры Электронный ресурс. //ОАО «JIOMO»: [официальный сайт]. [2005]. Режим доступа: http://www.lomo.ru/ site/ catalog.
  86. DLP Projector Technology, Light Engine, DMD Chip Электронный ресурс.: Projector. [2010]. -Режим доступа: http://www.projector.com/ resources/ dlpproj ectortechnology .php.
  87. DLP или LCD? Электронный ресурс. // Интернет-магазин. -[2010]. Режим доступа: http://www.kupiproektor.ru/dlp-lcd.htm.
  88. Технологии Электронный ресурс. // ДеЛайт 2000 интегрированные аудио-визуальные системы: [официальный сайт]. [М., 2010]. — Режим доступа: http://www.delight2000.com/ gloss. html? idrub=4644&obj=rub.
  89. А.Г. Обеспечение теплового режима мощных светодиодных ламп при разработке светотехнических устройств / А. Г. Полищук // Современная электроника. 2006. — № 3. — С. 52−56.
  90. A.A. Измерение температуры кристалла маломощного светодиода / A.A. Ашрятов, С. А. Микаева, А. Б. Мышонков // Приборы. -2010. -№ 5(119).-С.56−61.
  91. А.Б. Методика контроля температуры кристаллов све-тодиодов при разработке световых приборов / А. Б. Мышонков // Светотехника и источники света: сб. науч.-метод, тр. Саранск: СВМО, 2011. — С. 100 101.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!