Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Механизмы возникновения катодных неустойчивостей при напылении пленок сложных оксидов

Диссертация: Механизмы возникновения катодных неустойчивостей при напылении пленок сложных оксидов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для достижения вышеперечисленного набора свойств, требуемых для использования пленок сложных оксидов в твердотельной микроэлектронике, необходимо обеспечить синтез многокомпонентного вещества непосредственно в процессе роста конденсата стехиометрического состава. В этом направлении наиболее перспективными оказались методы ионно-плазменного осаждения, в частности, высокочастотное реактивное… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Способы получения пленок сложных оксидов и их применение в твердотельной микроэлектронике
      • 1. 1. 1. Газоразрядные способы получения пленок сложных оксидов
      • 1. 1. 2. Получение пленок сложных оксидов повышенного структурного совершенства при повышенных давлениях кислорода
      • 1. 1. 3. Применение пленок сложных оксидов в твердотельной электронике
    • 1. 2. Емкостный высокочастотный разряд
    • 1. 3. Методы исследования механизмов роста тонких пленок
      • 1. 3. 1. Интенсивности спектральных линий распыленных атомов и ионов в емкостном высокочастотном разряде при напылении пленок
      • 1. 3. 2. Исследование распыления материала катода в разряде кислорода и транспорта распыленных атомов и ионов от катода к подложке
    • 1. 4. Две стратеги получения тонких пленок
    • 1. 5. Сложности получения пленок сложных оксидов при повышенных давлениях кислорода
    • 1. 6. Методы математического моделирования прикатодных областей газового разряда, двумерных катодных неустойчивостей
      • 1. 6. 1. Приближение локального поля (ПЛП)
      • 1. 6. 2. Учет нелокальных эффектов и рассмотрение быстрых электронов
  • Глава 2. Экспериментальные способы изучения структурированных разрядов
    • 2. 1. Методы математического моделирования и эксперимента
      • 2. 1. 1. Компьютерное моделирование и эксперимент
      • 2. 1. 2. Различные численные способы решения кинетического уравнения Больцмана
    • 2. 2. Метод Монте-Карло как численный способ решения кинетического уравнения Больцмана
      • 2. 2. 1. Описание метода Монте-Карло
      • 2. 2. 2. Построение функции распределения электронов
      • 2. 2. 3. Расчет средних параметров (мезопараметров) электронного ансамбля на базе набранной статистики
    • 2. 3. Однородное модельное электрического поле
      • 2. 3. 1. Постановка задачи однородного поля
      • 2. 3. 2. Верификация метода Монте-Карло в модели однородного модельного поля
      • 2. 3. 3. Расчет функции распределения электронов по скоростям (ФРЭС) и энергиям (ФРЭЭ) и их динамика вдоль газоразрядной трубки
    • 2. 4. Экспериментальная установка
      • 2. 4. 1. Экспериментальная установка для исследования пространственного распределения интенсивностей спектральных линий
      • 2. 4. 2. Методы измерения электрических параметров разряда
  • Глава 3. Моменты кинетического уравнения Больцмана
    • 3. 1. Функция распределения. Уравнение Больцмана. Построение интегралов столкновения
    • 3. 2. Моменты уравнения Больцмана
      • 3. 2. 1. Закон сохранения количества вещества
      • 3. 2. 2. Закон сохранения импульса
      • 3. 2. 3. Закон сохранения кинетической энергии
    • 3. 3. Частный случай: законы сохранения для одномерного стационара и их проверка
  • Глава 4. Самосогласованная трехмерная модель газового разряда в кислороде
    • 4. 1. Экспериментальное обоснование постановки самосогласованной трехмерной задачи
      • 4. 1. 1. Построение вольтамперных характеристик разряда постоянного тока в кислороде
      • 4. 1. 2. Экспериментальное исследование пространственного распределения интенсивностей различных линий в разряде постоянного тока в кислороде
      • 4. 1. 3. Построение вольтамперных характеристик ВЧ разряда в кислороде по данным оптических измерений в разряде постоянного тока
      • 4. 1. 4. Доказательство схожести ЕВЧР и разрядов постоянного тока в кислороде в диапазоне давлений 0.1−7-2 тор
      • 4. 1. 5. Нормальный и аномальный режим горения емкостного высокочастотного разряда
    • 4. 2. Математическая постановка самосогласованной задачи
      • 4. 2. 1. Техника «трубок поля»
      • 4. 2. 2. Вольтамперная характеристика самосогласованного разряда в кислороде
      • 4. 2. 3. Структурирование разряда при разном количестве «трубок поля»
      • 4. 2. 4. Исследование выхода самосогласованной системы в стационарный режим и его устойчивость
      • 4. 2. 5. Моделирование возникновения сильноточных катодных неустойчивостей
      • 4. 2. 6. Уравнение баланса в трехмерной модели
  • Глава 5. Экстремальные механизмы формирования токовых неустойчивостей
    • 5. 1. Анализ механизмов формирования токовых неустойчивостей
    • 5. 2. Моделирование экстремальных параметров при размножении электронной лавины в однородном поле
      • 5. 2. 1. Точка Столетова
      • 5. 2. 2. Компьютерное моделирование эксперимента Столетова
    • 5. 3. Поиск новых экстремальных параметров в однородных электрических полях
    • 5. 4. Экстремальные зависимости между макроскопическими и мезоскопическими интегральными параметрами в неоднородных полях
    • 5. 5. Экстремальные параметры в самосогласованных электрических полях

Механизмы возникновения катодных неустойчивостей при напылении пленок сложных оксидов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последние годы во многих научных центрах и промышленных корпорациях обсуждается вопрос о применении сегнетоэлектрических пленок для изготовления на их основе приборов и устройств новой техники, таких как перестраиваемые СВЧ-устройства [1, 2, 3], пленочные электрооптические модуляторы и переключатели [4], линии задержки, параметрические усилители и др. Эти исследования продемонстрировали перспективность использования тонких сегнетоэлектрических пленок для различного вида перестраиваемых СВЧ устройств и возможность создания на их основе фазовращателей СВЧ диапазона до 40 ГГц включительно [5, 6]. Обращение исследователей и разработчиков новой СВЧ техники к активным материалам на основе оксидов связано с тем, что в развитии интегральной твердотельной электроники в настоящее время достигнут настолько высокий уровень интеграции, что возникает ряд физических ограничений при ее дальнейшем повышении. Это, в свою очередь, заставляет обращаться к новым принципам построения интегральной микроэлектроники. И одним из таких путей является функциональная электроника — направление, не связанное с построением электрических цепей из отдельных пассивных и активных компонентов. Главный отличительный признак функциональной электроники состоит в использовании динамических неоднородностей в континуальных средах, которые служат основным средством хранения и обработки информации [3]. Поэтому задача создания новых активных сред для твердотельной интегральной микроэлектроники и исследование возможности использовать интеграцию различных физических эффектов в одной среде, остаётся одной из актуальных задач твердотельной микроэлектроники. Сложные оксиды по многим параметрам подходят в качестве континуальных сред для новой электроники [8]. Открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) [9] в сложных оксидах поставили задачу исследования по физике ВТСП пленок в ранг наиболее актуальных задач современной микроэлектроники. Пленки Y-Ba-Cu-0 являются многообещающим материалом для создания приборов СВЧ диапазона [10]. В первую очередь это относится к созданию и исследованию туннельных переходов в структурах «сверхпроводник-диэлектрик-сверхпроводник» (СИС), которые обладают сильно нелинейной ВАХ при напряжениях, превышающих пороговое. В СИС структурах существуют макроскопические квантовые эффекты, которые проявляются лишь на высоких частотах. Наиболее важным из этих эффектов, с точки зрения микроэлектроники, является усиление с преобразованием (усиление входного сигнала на гетеродинном смесителе непосредственно в процессе понижающего преобразования частоты), которое обеспечивает возможность детектирования СВЧ-сигнала на уровне квантового предела. Такие однопереходные СИС-смесители обычно насыщаются при очень низком уровне мощности сигнала. Их динамический диапазон увеличивается при переходе к матричным СИС пропорционально квадрату элементов в матрице. В этом случае одинаковые токи должны протекать через все последовательно соединенные переходы матрицы и любая неоднородность их характеристик приведёт к неравномерному делению напряжения между ними и тем самым к отказу устройства. При этом существенно, чтобы метод получения пленок сочеталась с технологией микроэлектроники. Также важно, чтобы свойства, характерные для объемных образцов, сохранялись в пленочной реализации и чтобы качество поверхности пленок допускало выполнение фотолитографических работ. Этими практическими требованиями определяются общие требования к технологии создания пленок сложных оксидов с точки зрения создания на их основе реальных СВЧ приборов:

• высокая степень однородности по площади;

• морфология поверхности первого слоя СИС-структуры должна быть атомарно-гладкой с тем, чтобы возможно было сформировать диэлектрический слой толщиной 20−30 нм;

• синтез третьего слоя СИС-структур должен осуществляться без повреждений туннельного диэлектрика, как с точки зрения химических реакций, так и его механической целостности.

Эти общие требования к СИС структурам позволяют сформулировать требования к способу получения ВТСП пленок:

• синтез сложного оксида должен осуществляться непосредственно в процессе его осаждения;

• рост плеики должен проводиться в монокристаллическое состояние и по слоевому механизму для обеспечения атомарно-гладкой морфологии поверхности.

Существует немного способов получения пленок сложных оксидов с такими свойствами. Особый интерес представляют технологии напыления пленок в атмосфере кислорода [8], [11]-[14]. Здесь на сегодняшний день получены пленки с наиболее интересными для практического применения свойствами: сверхпроводящие, сегнетоэлектрические, с огромным магнито-резистивным эффектом и др. Для получения пленок такого типа используются разные типы высокочастотного разряда, но пленки с наибольшим структурным совершенством получены при использовании емкостного высокочастотного разряда (ЕВЧР) [8]. На сегодня строго показано [8], что и сегнетоэлектрические, и ВТСП пленки в рамках такого способа их получения можно выращивать в рамках одного единого технологического цикла со всем вышеперечисленным набором свойств, требуемым для использования в твердотельной микроэлектронике. Емкостный высокочастотный разряд в настоящее время интенсивно изучается как в ряде теоретических, так и экспериментальных работ [15]-[17]. Это связано с его использованием не только в технологии получения пленок сложных оксидов, но и при создании новых источников света [18], при возбуждении активных сред газоразрядных лазеров [19]-[22]. Емкостный высокочастотный разряд стал удачным дополнением к классическому прикатодному тлеющему разряду [23]. И везде с ЕВЧР получаются интересные и неожиданные потребительские свойства. Исходя из этого, в последние годы к этому типу разряда проявляется неослабевающее внимание [15]. ЕВЧР обладает целым рядом свойств, которые затрудняют его исследования. В прикатодных зонах разряда существуют сильные градиенты электрических полей. Это, как следствие, формирование функции распределения электронов по энергиям, сильно отличающейся от равновесной. Здесь возникают эффекты нелокальности, т. е. функция распределения электронов по энергиям (ФРЭЭ) неоднозначно определяет кинетические коэффициенты газового разряда в данной зоне. Это делает невозможным использование традиционных подходов к расчету параметров газового разряда в этих зонах. В этом типе разряда довольно легко образуются на катоде различного типа катодные пятна и токовые неустойчивости [8, 24, 25]. Исследованию этих явлений посвящено значительное количество работ [25]-[27]. Однако эти исследования чаще всего проводились в атмосфере инертных газов (а не кислорода) и в условиях, далеких от получения пленок сложных оксидов. Отсутствие в настоящее время достаточно полных и достоверное экспериментальных данных о параметрах неравновесной плазмы емкостного ВЧ разряда объясняется значительными трудностями диагностики такой плазмы. Свойства ЕВЧР напрямую зависят от функции распределения электронов (ФРЭ) по энергии и скоростям и сечений соответствующих процессов [15]. Функция распределения электронов по энергиям (ФРЭЭ) играет фундаментальную роль в формировании процессов происходящих в плазме. Однако ЕВЧР в кислороде в большинстве случаев представляет собой явление столь сложное, что любыми приближенными аналитическими теориями удается описать лишь отдельные стороны процесса, выяснить природу ряда эффектов, указать основные закономерности, но едва ли возможно таким путем получить полную и исчерпывающую картину процесса. По этой причине особую роль в последнее время начинают играть различные косвенные способы исследования механизмов катодных неустойчивостей газового разряда. И среди них наибольшее внимание заслуживают методы компьютерного моделирования [16], [29]-[35], изучения вольтамперных [37], и оптических характеристик газового разряда [12]-[14], [38]-[41]. Одними из важнейших характеристик любого разряда являются его вольтамперные характеристики (ВАХ) при разных давлениях газа. ВАХ определяет энергетику разряда, среднюю энергию электронов и ионов, энергию пучковых электронов, а значит, и параметры отрицательного свечения, то есть практически те параметры, которые определяют работу напылительных установок. ВАХ являлась одной из главных экспериментальных характеристик при изучении разряда на постоянном токе, которая позволила проникнуть в природу процесса. Однако многочисленные работы с реальными ВЧ системами показывают, что корректно измерить классическими радиотехническими методами ВЧ ток и ВЧ напряжение не удается. Ошибка достигает 200 и более процентов. Связано это с тем, что в реальных напылительных системах при работе в атмосфере кислорода при плотностях вкладываемой мощности до 25 Вт/см2, наличие большого числа паразитных емкостей, индуктивностей сильно искажают результаты измерений. Поэтому задача измерения ВАХ реального ВЧ разряда нерадиотехническими методами является в настоящее время крайне актуальной. И наиболее перспективным способом для этой цели могут являться оптические характеристики разряда. Для этих целей могут быть использованы как поведение свечения линий основного газа, так и распыленных в разряде атомов и ионов.

Для достижения вышеперечисленного набора свойств, требуемых для использования пленок сложных оксидов в твердотельной микроэлектронике, необходимо обеспечить синтез многокомпонентного вещества непосредственно в процессе роста конденсата стехиометрического состава [8]. В этом направлении наиболее перспективными оказались методы ионно-плазменного осаждения, в частности, высокочастотное реактивное распыление при повышенном давлении газа (кислорода). Однако в процессе осаждения пленок при повышенных давлениях кислорода в таком разряде возникает целый ряд сложных технологических проблем. И, в частности, здесь формируются токовые неустойчивости, описанные в [8]. Суть их состоит в том, что по непонятным к настоящему времени причинам на катодах из активных материалов (сегнетоэлектрические и сверхпроводящие) возникает стягивание разряда в узкую, локальную зону, с резким повышением плотности тока в ней. Разряд переходит в сильно неустойчивую стадию, происходит разрушение материала дорогостоящего катода и выход его из строя. Использование всевозможных систем защиты от токовых неустойчивостей часто не приносит успеха. Особенно это касается напыления ВТСП пленок. Этот тип катода оказывается максимально чувствительным к формированию на нем неустойчивостей. Отсутствие достаточно полных и достоверных данных о параметрах такого разряда и механизмах образования токовых неустойчивостей в нем является одним из сдерживающих факторов дальнейшего совершенствования метода получения пленок сложных оксидов при повышенных давлениях кислорода. Исходя из этого, целью настоящей работы являлось:

1. Получение трехмерного уравнения баланса энергии, импульса электронов с учетом всех типов элементарных процессов (ионизация, возбуждение, упругие удары и др.), которые играют основополагающую роль в формировании токовых неустойчивостей.

2. Разработка методов расчета самосогласованных трехмерных задач при катодных зон газового разряда. Верификация этих методов по расчету средних параметров в модели однородного поля и катодных пятен в нормальном режиме разряда. Сравнение рассчитанных результатов с экспериментальными данными.

3. Исследование методами компьютерного моделирования экстремальных процессов в газовом разряде, которые могут быть ответственны за формирование структур в кислородном разряде. Нахождение связи этих экстремальных параметров с формированием токовых неустойчивостей на катоде в режиме напылении пленок.

4. Проведение сравнительных исследований разряда постоянного тока и емкостного высокочастотного разряда оптическими методами. Построение из оптических характеристик разряда постоянного тока ВАХ ВЧ разряда в кислороде. Проведение сравнения с расчетными данными.

Основные результаты диссертационной работы представлены в работах [167, 168, 173, 181, 182, 183].

В заключение приношу глубочайшую благодарность моим научным руководителям: доктору физ.-мат. наук, профессору Синявскому Геннадию Петровичу, и кандидату физ.-мат. наук Толмачеву Геннадию Николаевичу за постоянное внимание к работе, постановку всех основных задач, обеспечение самых благоприятных условия для проведения работы.

Я искренне признателен сотрудникам ИОФ им. А. М. Прохорова РАН Мащенко Александру Ивановичу и Ковтуну Анатолию Павловичу за все консультации, аспирантам Бакаеву Андрею Анатольевичу и Дацюку Олегу Викторовичу за плодотворные дискуссии.

Заключение

.

Таким образом, при выполнении диссертационной работы было сделано следующее:

• Из измерений пространственного распределения линий кислорода в разряде постоянного тока и емкостного высокочастотного разряда сделано заключение о тождественности их свойств в диапазоне частот 5−25 МГц.

• Из сравнения оптических характеристик этих двух типов разрядов построены оптические вольтамперные характеристики ЕВЧР. Сделан вывод о том, что моделировать формирование катодных неустойчивостей в ЕВЧР можно в разряде постоянного тока.

• Записаны трехмерные уравнения баланса энергии и импульса электронного ансамбля с учетом всех основных типов элементарных процессов в кислороде. Проведена верификация уравнения баланса энергии в модели однородного поля.

• Применительно к конкретной постановке задачи реализован метод расчета трехмерных самосогласованных задач прикатодных зон газового разряда. Верификация метода выполнена по моделированию катодных пятен в нормальном режиме разряда. Проведено сравнение рассчитанных результатов с экспериментальными данными.

• Для трехмерной геометрии разряда рассчитаны вольтамперные характеристики разряда в кислороде постоянного тока. Получены пространственные распределения интенсивностей иониых линий кислорода.

• Проведен расчет динамики перехода аномального разряда из устойчивого состояния с растущей ВАХ в структурированное состояние.

Показано, что такой переход достигается за счет локального увеличения коэффициента вторичной ионной эмиссии 7, локального увеличения концентрации кислорода.

• Из анализа серии параметров в модели однородного поля найден локальный параметр {efoj^ioc, совпадающий в точке минимума как по величине, так и по приведенной напряженности электрического поля с параметром Столетова.

• Был введен нелокальный параметр (efm)nanioc, полученный для всей структуры в различных режимах. Найденный параметр поддерживает устойчивое состояние разряда и переход его из одного устойчивого структурированного состояния в другое с новым типом структуры. Переход разряда из одного устойчивого состояния в другое связано не с изменением экстремальных условий самого разряда, а с локальным изменением внешних, по отношению к разряду, параметров.

• Разработана и обоснована технология расчета самосогласованных трехмерных задач прикатодных зон газового разряда методом трубок поля с использованием техники Монте-Карло по dt.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.М., Мухортое Вас.М., Следков А. А. Элементная база для аппаратуры связи на основе ВТСП. // Микросистемная техника.- 2002. Т. 8. — С. 12−21.
  2. А., Гайдуков М., Гагарин и др. Волноводнощелевой 60 ГГц фазовращатель на основе (Ва, Sr) Ti03 сегнетоэлектрической пленки. // Письма в ЖТФ. 2002. — Т. 28, Вып. 6. — С. 5156−5160.
  3. В.М., Мухортое Вас.М., Следков А. А. Функциональные блоки из ВТСП модулей. // Микросистемная техника. — 2002. — Т. 9.- С. 34−48.
  4. Carlson С.М., Ruvkin Т. V., Parilla P.A. Large dielectric constant e/eо > 6000 Вао^го.бТЮз thin films for high-performance microwave phase shifters. // Applied Physics Letters. 2000. — V. 76, № 14. — P. 19 201 922.
  5. H.H., Бунзин И. М., Вепдик О.Г и др. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ. Под ред. Вендика О. Г. — М.: Советское радио, 1979.- 271 с.
  6. О.В., Гашинова М. С., Деление А. Н. Влияние тонкой пленки сегнетоэлектрика на характеристики микрополосковой линии передачи. // Письма в ЖТФ. 2002. — Т. 28, № 11. — С. 378−41.
  7. В.М. Гетероэпитаксия сложных оксидов. Дис.. док. физ.-мат. наук. ИОФ РАН. Москва. — 2001.
  8. Larbalestier D., Gurevich A., Feldmann D.M. and Polyanskii A. High-Tc superconducting materials for electric power applications. // Nature.- 2001. V. 414, № 15. — P. 368−377.
  9. E.K., Плоткин Д. А., Разумов С. В., Тумаркин А. В. Получение толстых пленок УВа2Сиз07х на сапфире с подслоем оксида церия. // ЖТФ. 1999. — Т. 69, № 1. — С. 94−98.
  10. V. М., Golovko Y.I., Tolmachev G.N., Klevtzov A.N. The synthesis mechanism of complex oxide films formed in dense RF-plasma by reactive sputtering of stochiometric targets. // Ferroelectrics. — 2000.- P. 75−83.
  11. B.M., Головко Ю. И., Толмачёв Т. Н., Мащенко А. И. Механизм высокочастотного распыления сложных оксидов. // ЖТФ. — 1998. Т. 68, № 9. — С. 99−103.
  12. В.М., Головко Ю. И., Толмачёв Г. Н., Мащенко А. И. Гетеро-эпитаксиальный рост плёнок сложного оксида из самоорганизованной системы, образующейся в плазме газового разряда. // ЖТФ. — 2000.- Т. 65, № 12. С. 1235−1247.
  13. В.М., Толмачёв Г. Н., Мащенко А. И. Влияние внутренних параметров системы ВЧ осаждения на механизм синтеза и кристаллизации плёнок Pb(ZrTi)C>3 в процессе их роста. // ЖТФ. — 1993.- Т. 63, № И. С. 135−142.
  14. Ю.П., Шнейдер М. Н., Яценко Н. А. Высокочастотный емкостный разряд: Физика- Техника эксперимента- Приложения: Учебное пособие для вузов. — М: МФТИ/Наука/Физматлит РАН, 1995. — 320 с.
  15. Lister G. Low-pressure gas discharge. //J. Phys. D: Appl. Phys. — 1992.- V. 25, № 12. P. 1649−1680.
  16. Stampa A., Wulf И.О. The behavior of electrostatic double probes iji plasmas with high-amplitude RF fields. // J. Phys. D: Appl. Phys. — 1978. V. 11, № 7. — P. 1119−1124.
  17. А.Ф., Лутохин А. Г., Строкань Г. П., Толмачев Г. Н., Хаси-лев В. Я. Использование поперечного высокочастотного разряда для атомно-абсорбционного анализа. // Новые методы спектрального анализа. СО АН СССР. Новосибирск. Наука. 1983. — С. 31−33.
  18. Е.Л., Михалевский B.C., Сэм М.Ф., Толмачёв Г. Н., Хасилев В. Я. Генерация на ионных переходах металлов при поперечном ВЧ возбуждении. // Письма в ЖЭТФ. 1976. — Т. 24, № 2. — С. 81−83.
  19. Mentel J., Reich N., Schulze J., Grozeva M., Sabotinov N., and Mizeraczyk J. Radio frequency excited CW gas ion laser. //J. IEE Japan.- 1996, V. 116A, № 11. — P. 963−969.
  20. Ivanov I.G., Latush E.L., Sern M.F. Metal Vapour Ion Lasers. Kinetic Processes in Gas Discharges. John Wiley & Sons Ltd. England. — 1996.- И.Г., Латуш Е. Л., Сэм М. Ф. Ионные лазеры на парах металлов. — М.: Энергоатомиздат, 1990. — 256 с.
  21. Г. Н. Лазеры на парах металлов с емкостным высокочастотным разрядом. // Симпозиум «Лазеры на парах металлов». Лазаревское. 25−29 сентября. 2002. — С. 20−22.
  22. В.Л. Электрический ток в газе. Установившийся ток. — М.: Наука, 1971.
  23. С.Л., Миркерамов A.M., Солдатов И. В. Структура группового катодного пятна на поверхности горячекатаных сталей. // ЖТФ.- 1998. Т. 68, № 11. — С. 62−73.
  24. И.А., Андронов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. — М.: Высшая школа, 1984. — 320 с.
  25. Технология тонких пленок. Справочник. Том 1, 2. Под редакцией Майссела Л., Гленга Р. Пер. с англ. — М.: Сов. радио, 1977. — 664 с.
  26. И.Д., Цендин Л. Д., Яценко Н. А. Двумерный высокочастотный разряд при средних давлениях. // ЖТФ. — 1994. — Т. 64, № 12. С. 25−46.
  27. Francey J.L., Jones D.A. Analytic solutions to the Boltzmann equation for electron swarms. // J. Phys. D: Appl. Phys. — 1976. — V. 9, № 3.- P. 457−464.
  28. Tran N.A., Marode E. and Johnson P.C. Monte Carlo simulation of electrons within the cathode fall of a glow discharge in helium. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1977. — V. 10, № 16. — P. 2317−2329.
  29. Bogaerts A., Gijbels R. and Goedheer W. Hybrid Modeling of a Capacitively Coupled Radio Frequency Glow Discharge in Argon: Combined Monte Carlo and Fluid Model. // Jpn. Л. Appl. Phys. — 1999.- V. 38, № 7B. P. 4404−4415.
  30. Abramov A.A., Papakin V.F., Sern M.F. and Tolmachev G.N. A Monte Carlo method applied to calculation of the parameters of the active media of lasers. // J. Moscow Phys. Soc. 1997. № 7. — P. 183−188.
  31. О.В., Бакаев А. А., Толмачев Г. Н. Компьютерное моделирование тлеющего разряда методом Монте-Карло. // «Современные проблемы математического моделирования». Сборник трудов. Ростов-на-Дону. 1999. — С. 65−71.
  32. Boeuf J.P. and Marode Е. A Monte Carlo analysis of an electron swarm in a no uniform field: the cathode region of a glow discharge in helium. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1982. — V. 15, № 11. — P. 2169−2189.
  33. В.А., Швейгерт И. В. Математическое моделирование при-катодной области стационарного тлеющего самостоятельного газового разряда. Ц ЖПМТФ. 1988. № 4. — С. 16−23.
  34. Boeuf J.-P. A two-dimensional model of dc glow discharges. // J. Appl. Phys. 1988. — V. 63, № 5. — P. 1342−1349.
  35. H.R. Scullerud The stohastic computer simulation of ions in a gas subjected to a constant electric field. // J. Phys. D2. — 1968. — № 1.- P. 1567−1568.
  36. Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов.- М.: Наука, 1980.
  37. А.А., Савинов В. П. Пространственное распределение параметров стационарного ВЧ разряда. // Вестник МГУ, сер. физ. — 1973. № 2. — С. 215−223.
  38. Р.Г., Муравьев И. И. О распределении интенсивности спектральных линий вдоль отрицательного тлеющего свечения. // Известия вузов, физика. 1975. — Т. 18, № 6. — С. 87−91.
  39. А.Н., Муравьев И. И., Каримов Р. Г., Евтушенко Г. С. О характере возбуждения гелия в отрицательном свечении тлеющего разряда. // Оптика и спектроскопия. 1975. — Т. 39, № 6. — С. 1035−1042.
  40. Petrovuc Z.Lj., Bzenic S., Jovanovic J. and Djirovic S. On spatial distribution of optical emission in radio frequency discharges. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. — V. 28, № 11. — P. 2287−2293.
  41. К., Оксли Дж., Брочер Дж. Осаждение из газовой фазы. — М.: Атомиздат, 1979.
  42. Хи ./., Shaikh A.S., Vest R. W. High К ВаТЮз films from metalloorganic precursors. // Ferroelectrics and Frequency Control. — 1989. — V. 36, № 3. P. 307−312.
  43. Brierley J., Trundle C., Considine L., Whatmore R. W. and Ainger F. W. The Growth of Ferroelectric Oxides by MOCVD. // Ferroelectrics. 1989.- V. 91. P. 181−192.
  44. Buhay H., Sinharoy S., Kasner W.H., Francombe M.H., Lampe D.R. and Stepke E. Pulsed laser deposition and ferroelectric characterizationof bismuth titanate films. // Appl. Phys. Lett. 1991 — V. 58, № 14.- P. 1470−1472.
  45. Roy D., Krupanidhi S.B. and Dougherty J. P. Excimer laser ablated lead zirconate titanate thin films. // J. Appl. Phys. 1991. — V. 69, № 11.- P. 7930−7932.
  46. Ijima K., Terashima Т., Yamamoto K., Hirata K. and Bando Y. Preparation of ferroelectric ВаТЮз thin films by activated reactive evaporation. // Appl. Phys. Lett. 1990. — V. 56, № 6. — P. 527−529.
  47. Roy R.W., Etzold K.F. and Cuomo J.J. Materials Research Soc. Symposium Proc. — V. 200: «Ferroelectric thin films.» (eds. Myers E. R. and Kingon A.I.), 141 (1990).
  48. Francombe M.H. and Krishnaswamy S.V. Materials Research Soc. • Symposium Proc. — V. 200: «Ferroelectric thin films.» (eds. Myers E.R.and Kingon A.I.), 179 (1990).
  49. Mansingh A. Fabrication and applications of piezoelectric and ferroelectric films. // Ferroelectrics. 1990. — V. 102. — P. 69−84.
  50. Maissel L.I. and Gland R. Handbook of Thin Film Technology. — McGraw-Hill Book Company, 1970.
  51. Haycock P.W. and Townsend P.D. A method of poling LiNbCb and LiTa03 below Tc. // Applied Physics Letters. 1986. — V. 48, № 11.- P. 698−700.
  52. Baumann R., Rost T. and Rabson T. Materials Research Soc. Symposium Proc. V. 200: «Feroelectric thin films.» (eds. E. R. Myers and A. 1. Kingon), 25 (1990).
  53. Graettinger T.M., Rou S.H., Ameen M.S., Auciello O. and Kingon A.I. Electro-optic characterization of ion beam sputter-deposited KNbC>3 thin films. // Appl. Phys. Lett. 1991. — V. 58, № 18. — P. 1964−1966.
  54. Xu R. The Challenge of Precursor Compounds in the MOCVD of Oxides. // JOM. 1997. — V. 49, № 10.
  55. Sakuta Ken, Iyori Masahiro, Katayama Yoshitomo, Kobayashi Takeshi Effect of Discharge Gas Pressure on YBaCuO Epitaxial Film Formation by Reactive RF Magnetron Sputtering. // Jpn. J. Appl. Phys. — 1990.- V. 29, Part 2, № 4. P. L611-L613.
  56. Bannerjee R., Purandare S.C., Palkarl V.R. and Pinto R. Microstructural studies of aqueous sol derived ferroelectric РЬТЮз thin films. // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. — V. 13, № 3.- P. 501−513.
  57. Andreas Seifert, Fred F. Lange, and James S. Speck. Epitaxial growth of РЬТЮз thin films on (001) БгТЮз from solution precursors. // J. Matter. Res. 1996. — V. 10, № 3. — P. 680−696.
  58. Krupanidhi S.B., Maffei N., Sayer M. and Assal K. RF planar magnetron sputtering and characterization of ferroelectric Pb (Zr, Т1) Оз films. // J. Appl. Phys. 1983. — V. 54, № 11. — P. 6601−6609.
  59. Sreenivas K. and Sayer M. Characterization of Pb (Zr, Т1) Оз thin films deposited from multielement metal targets. // J. Appl. Phys. — 1988.- V. 64, № 3. P. 1484−1493.
  60. Kwok C.K., Desu S.B. and Kammerdiner L. Materials Research Soc. Symposium Proc., — V. 200: «Ferroelectric thin films.» (eds. E. R. Myers and A. 1. Kingon), 83 (1990).
  61. Adachi H., Kawaguchi Т., Setsune K., Ohji K. and Wasa K. Electro-optic effects of (Pb, La)(Zr, Ti)03 thin films prepared by rf planar magnetron sputtering. // Appl. Phys. Lett. 1983. — V. 42, № 10. — P. 867−868.
  62. Boyer L.L., Wu A.Y. and McNeil J.R. Materials Research Soc. Symposium Proc. — V. 200: «Feroelectric thin films.» (eds. E. R. Myers and A. 1. Kingon), 97 (1990).
  63. Krishnakumar S., Esener S.C., Orzguz V., Title M.A. and Lee S.H. Materials Research Soc. Symposium Proc., — V. 200: «Feroelectric thin films.» (eds. E. R. Myers and A. 1. Kingon), 91 (1990).
  64. AdamY. Wu, Foiling Wang, Ching-Bo Juang and Bustamante C. Materials Research Soc. Symposium Proc., — V. 200: «Feroelectric thin films.» (eds. E. R. Myers and A. 1. Kingon), 261 (1990).
  65. Kingon A.I., Ameen M.S., Graettinger T.M., Rou S.H., Auciello A.R. and Kraus A.R. The 1st International Ceramic Science & Technology Congress, 18-SVIII-89C, Anaheim, California (October 1989).
  66. Вл.М., Марголин A.M., Дудкееич В. П. и др. О механизмах катодного распыления и испарения титаната бария. // ЖТФ. — 1975.- Т. 45, № 2. С. 396−399.
  67. В.М., Никитин Я. С., Дудкееич В. П. Способ получения сегнетоэлектрических плёнок. Авторское свидетельство № 1 324 339. 1987.
  68. В.М., Ceepudoe Е.В., Клеецов А. Н., Дудкееич В. П. Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме. Авторское свидетельство № 1 240 076. 1986.
  69. Мухортое Вас.М., Головко Ю. И., Мухортое Вл.М., Дудкееич В. П. Особености роста пленок сегнетоэлектрических сложных оксидов при ионно-плазменном распылении. // Изв. ВУЗов. Физика. — 1981. — Т. 24. С. 7−11.
  70. В.П., Фесенко Е. Г. Физика сегнетоэлектрических пленок.
  71. Ростов-на-Дону.: Издательство РГУ, 1979. — 190 с.
  72. Tolstonsov S., Mukhortov Vas.M., Dudkevich V., Fesenko E. Memory effects in the structure silicon single crystal-ferroelectric film. // Ferroelectrics: Letter. Sec. 1983. — V. 1, № 2. — P. 51−56.
  73. Вл.М., Гительсон А. А., Дудкевич В.П., Михалевский
  74. B.C., Фесенко Е. Г. Свойства сегнетоэлектрических тонких пленок Вао^Эго.бТЮз, полученных методом высокочастотного катодного распыления. // Журнал технической физики. — 1975. — Т. 45, № 8. —1. C. 2441−2444.
  75. Вл.М., Тостоусов С. В., Бирюков С. В., Дудкевич В. П., Фесенко Е. Г. Структура поликристаллических пленок (Ва, Эг) ТЮз полученных ВЧ катодным распылением. // Журнал технической физики. 1980. — Т. 50, № И. — С. 2475−2477.
  76. A.M., Суровяк З. С., Захарченко И. Н., Алешин В. А., Чернышева Л. К., Радченко М. Г., Дудкевич В. П. Сегнетоэлектрические пленки (K, Na) Nb03, полученные ВЧ катодным распылением. // Журнал технической физики. 1988. — Т. 58, № 12. — С. 1127−1132.
  77. Мухортое Вас.М., Головко Ю. И., Мухортое Вл.И., Дудкевич В. П., Фесенко Е. Г. Гетероэпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок (Ва, Sr) Ti03 на (001) скола монокристаллов MgO. // — 1979. — Т. 5, № 19. С. 1175−1177.
  78. Mukhortov VIM., Golovko Yu.I., Aleshin V.A., Sviridov E.V., Mukhortov Vas.M., Dudkevich V.P. Ferroelectric phase transition in heteroepitaxialfilms of (Ba, Sr) Ti03. // Phys. Stat. Sol.(a). 1983. — V. 77, № 1. -P. K37-K40.
  79. Г. Н. Исследование активных сред и характеристик излучения ионных лазеров непрерывного действия на парах металлов. Дис.. канд. физ.-мат. наук. Саратов, 1978.
  80. В.П. Исследование механизма стационарного высокочастотного разряда. Дис.. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1970.
  81. Н.А. Экспериментальное исследование ВЧ разряда и комбинированного разряда при средних давлениях. Дис.. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1981.
  82. С.М. Исследование потенциала зажигания ВЧ разряда в переходной области частот и давлений, j j ЖТФ. — 1957. — Т. 27, № 5. С. 970.
  83. С.М. Потенциал пространства и распыление электродов в ВЧ разряде. // ЖТФ. 1957. — Т. 27, № 5. — С. 1001−1009.
  84. А.А., Савинов В. П. О возникновении электронных пучков в стационарном ВЧ разряде: Вопросы физики низкотемпературной плазмы. Минск. 1970, С. 162.
  85. А.А., Савинов В. П. О влиянии собственных электрических полей на свойства ВЧ разряда. // Радиотехника и электроника.- 1973. Т. 18, № 4. — С. 816−818.
  86. А.А., Савинов В. П. Пространственное распределение параметров стационарного ВЧ разряда. // Вестник МГУ, сер. физ. — 1973. № 2. — С. 215−223.
  87. R. 1оп sheath effects on RF plasma probes. Experimental results in laboratory plasmas. // Radio Science. 1977. — V. 12, № 6. — P. 921−934.
  88. Stampa A., Wulf И.О. The behaviour of electrostatic double probes in plasmas with high-amplitude RF fields. // J.Phys. D: Appl.Phys. — 1978.- V. 11, № 7. P. 1119−1124.
  89. Д. А., Орлов K.E., Смирнов А. С., Черноизюмская Т. В. Аналог эффекта полого катода в высокочастотном емкостном разряде низкого давления. // Письма в ЖТФ. 2003. — Т. 29, № 12. — С. 89−94.
  90. И.Г., Латпуш Е. Л., Сэм М.Ф. Ионные лазеры на парах металлов. — М.: Энергоатомиздат, 1990. — 256 с.
  91. .И. Разряд с полым катодом. — М.: Энергия, 1963. — 184 с.
  92. В.А. Особенности а-7-перехода в ВЧ разряде низкого давления в аргоне. // ЖТФ. 1998. — Т. 68, № 5, — С. 52−60.
  93. Г. П. Процессы разрушения поверхности электрода в плазме высокочастотного разряда. // ЖТФ. 2001. — Т. 71, № 9. — С. 112 115.
  94. Mukhortov V.M., Golovko Y.I., Tolmachev G.N., Kitaev G.D. Peculiarity of epitaxial growth of PZT films. The 8-th International Meeting on Ferroelectrics Semiconductors (IMFS-8). Rostov-on-Don. The book of ab-stracts. — 1998. — P. 129−130.
  95. Mukhortov V.M., Tolmachev G.N., Mashchenko A.I. and Klevtsov A.N. Capacitive transverse rf discharges in oxygen at elevated pressures for produc-ing thin films of complex oxides. Sov. Pys. Tech. Phys. — 1992. V. 37, № 5. — P. 495−498.
  96. А. Ионизованные газы. — M.: Физматгиз, 1959.
  97. Ю.П. Современный уровень понимания явлений в катодных частях тлеющего разряда. // ТВТ. 1986. — Т. 24, № 5. — С. 984−994.
  98. Ю.С., Напартович., Пашкин С. В. и др. Развитие контракции тлеющего разряда при различных способах ее инициирования. Квазистационарный разряд. // ТВТ. 1985. — Т. 23, № 4. — С. 658−666.
  99. К.Н. // ТВТ. 1972. — Т. 10, № 5. — С. 931.
  100. С.Я., Колобов В. М., Сушкин В. Н., Шабашов В. И., Ярцев Ю. В. О нормальной плотности тока в несамостоятельном тлеющем разряде. // ТВТ. 1980. — Том. 18, № 1. — С. 46−54.
  101. В.Ю., Веденов А. А., Низьев В. Г. Разряд в потоке газа. // ТВТ. 1972. — Том. 10, № 6. — С. 1156−1159.
  102. Г. Г., Самохип А. А. Численное исследование шнурования тока па электродах в теющем разряде. // ПМТФ. — 1981. — № 5. — С. 15−23.
  103. Ю.П. Лазерная искра и распространение разрядов. — М.: Наука, 1974.
  104. ИЗ. P. Moussou and Е. Marode The DC gas discharge structure as a thermodynamic minimum. // J. Phys. D: Appl. Phys. — 1992. — V. 25.- P. 1205−1209.
  105. Llewellyn Jones F. Glow Discharges. — London: Methuen, 1966.
  106. В.А. О неустойчивости Таундсеновского разряда. // Письма в ЖТФ. 1993. — Т. 19, № 20. — С. 56−60.
  107. М.С. О ветвлении решений в теории катодного слоя тлеющего разряда. // ЖТФ. 1988. — Т. 58, № И. — С. 2086−2092.
  108. В.И., Яценко Н. А. Исследование устойчивости комбинированного разряда, поддерживаемого постоянным и высокочастотным электрическими полями. // Физика плазмы. — 1982. — Т. 8, № 3. — С. 543−549.
  109. Г. А. Электроны в вакуумном разряде: пробой, искра, дуга. — М.: Наука, 2000. 424 с.
  110. Г. А., Раховский В. И. Катодное пятно вакуумной дуги. // УФН. 1978. — Т. 125, № 4. — С. 665−706.
  111. И.Г. Катодное пятно электрической дуги. — М.: Наука, 1968.- 254 с.
  112. А. И. Фидельман Г. Н. К вопросу о поперечном распространении тлеющего разряда. // ТВТ. 1978. — Т. 16, № 3. — С. 497−503.
  113. Ю.П., Суржиков С. Т. Двумерная структура тлеющего разряда и роль диффузии в формировании катодного и анодного токовых пятен. // ТВТ. 1988. — Т. 26, № 3. — С. 428−435.
  114. В.И. О нормальном режиме горения тлеющего разряда. // ТВТ. 1982. — Т. 20, № 4. — С. 642−648.
  115. СЛ., Баранов Г. А. Газодинамика и термоионизационная неустойчивость области тлеющего разряда. // ЖТФ. — 2001. — Т. 71, № 7. С. 30−38 (часть 1) — - С. 39−43 (часть 2).
  116. Townsend J.S. Electricity in Gases. — Oxford: Oxford University Press, 1915.
  117. Davis W.D. and Ward A. Effect of Space Charge in Cold-Cathode Gas Discharges. // Physical Review. 1958. — V. 112, № 6. — P. 1852−1857.
  118. Леб Л. Основные процессы электрических разрядов в газах. — М.: Ленинград, 1950. — 364 с.
  119. Cobine J.D. Gaseous Conductors. — New York: McGraw Hill, 1941. — 128 p.
  120. Langmur I. The Interaction of Electron and Positive Ion Space Charges in Cathode Sheaths. // Phys. Rev. 1929. — V. 33, № 6. — P. 954−989.
  121. Neuringer J.L. Analysis of the cathode fall in high-voltage low-current gas discharges. // J. Appl. Phys. 1978. -V. 49, № 2. — P. 590−604.
  122. Davies A.J. and Evans J.G. An analysis of the one-dimensional steady-state glow discharge. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1980. — V. 13, № 9. — P. L161-L166.
  123. Emeleus K.G., von Engel A. The lateral spread of short glow discharges. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1979. — V. 12, № 4. — P. 555−560.
  124. Boeuf J.P. A Monte Carlo analysis of an electron swarm in a nonuniform field: the cathode region of a glow discharge in helium. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1988. — V. 17, № 6. — 1133−1148.
  125. Morton P.L. Ionization Currents in Non-Uniform Electric Fields. // Phys. Rev. 1946. — V. 70, № 5−6. — P. 358−366.
  126. Gottscho R.A., Mitchell A., Scheller G.R., Chan Y.-Y. and Graves D.B. Electric field reversals in dc negative glow discharges. // Phys. Rev. A.- 1989. V. 40, № 11. — P. 6407−6414.
  127. Den Hartog E.A., Doughty D.A. and Lawler J.E. Laser optogalvanic and fluorescence studies of the cathode region of a glow discharge. // Phys. Rev. A. 1988. — V. 38, J№ 5. — P. 2471−2491.
  128. Doughty D.K., Den Hartog E.A. and Lawler J.E. Optogalvanic measurements of gas temperature in the cathode fall. // Appl. Phys. Lett.- 1985. V. 46, J№ 4. — P. 352−354.
  129. Friedland L. Electron multiplication in a gas discharge at high values of Е/р. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1974. — V. 7, № 16. — P. 2246−2253.
  130. Bayle P., Vacquie J. and Bayle M. Cathode region of a transitory discharge in CO2. 1. Theory of the cathode region. // Phys. Rev. A.- 1986. V. 34, № 31. — P. 360−371.
  131. Pringle D.H. and Farvis W.E.J. Screened Probe Measurements in the Helium Negative Glow. // Proc. Phys. Soc. B. 1955. — V. 68, № 11.- P. 836−848.
  132. Shoenbach K.H., Chen H. and Schaefer G. A model of dc glow discharges with abnormal cathode fall. // J. Appl. Phys. 1990. — V. 67, № 1.- P. 154−162.
  133. Dexter A.C., Farrell T. and Lees M.I. Electronic and ionic processes and ionic bombardment of the cathode in a DC hydrogen glow discharge. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. — V. 22, J№ 3. — P. 413−430.
  134. DiCarlo J. V. and Kushner M.J. Solving the spatially dependent Boltzmann’s equation for the electron-velocity distribution using flux corrected transport. // J. Appl. Phys. 1989. — V. 66, J№ 12. — P. 57 635 774.
  135. Sommerer T.J., Hitchon W.N.G. and Lawler J.E. Self-consistent kinetic model of the cathode fall of a glow discharge. // Phys. Rev. Lett. A.- 1989. V. 39, J№ 12. — P. 6356−6366.
  136. Ingold J.E. Moment method applied to gaseous electronics. // Phys. Rev. A. 1989. — V. 40, № 7. — P. 3855−3863.
  137. Kulikovsky A.A. Hydrodynamic description of electron multiplication in the cathode region: elementary beams model. // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1991. V. 24, № 11. — P. 1954−1963.
  138. Doughty DA., Den Hartog E.A. and Lawler J.E. Current balance at the surface of a cold cathode. // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 58, № 25.- P. 2668−2671.
  139. Warren R. Field Measurements in Glow Discharges with a Refined Electron Beam Probe and Automatic Recording. // Phys. Rev. — 1995.- V. 98, № 6. P. 1650−1658.
  140. Lawler J.E. Equilibration distance of ions in the cathode fall. // Phys. Rev. A. 1985. — V. 32, № 5. — P. 2977−2980.
  141. Labahn R.W. and Callaway J. Polarization Effects in the Elastic Scattering of Electrons from Helium. // Phys. Rev. — 1964. — V. 135, № 6A. P. A1539-A1546.
  142. Carman R.J. and Maitland A. A simulation of electron motion in the cathode sheath region of a glow discharge in helium. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1987. — V. 20, № 8. — P. 1021−1030.
  143. Tran N.A., Marode E. and Johnson P.C. Monte Carlo simulation of electrons within the cathode fall of a glow discharge in helium. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1977. — V. 10, № 16. — P. 2317−2328.
  144. Gill P. and Webb C.E. Electron energy distributions in the negative glow and their relevance to hollow cathode lasers. // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1977. V. 10, № 3. — P. 299−301.
  145. X., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике: В 2-х частях. Пер. с англ. — М.: Мир, 1990. — 339 с.
  146. Д.В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике. Пер. с англ. / Под ред. С. А. Ахманова. — М.: Наука, 1990.- 176 с.
  147. О.М., Опарин A.M. Численный эксперимент в турбулентности. От порядка к хаосу Издание 2-е, доп. — М.: Наука, 2000.- 223 с.
  148. Фундаментальные основы математического моделирования. — М.: Наука, Серия «Кибернетика: неограниченные возможности и возможные ограничения», 1997. — 198 с.
  149. К., Хеерман Д. В. Моделирование методом Монте-Карло в ста-тистичевкой физике: Введение: Пер. с англ. В. Н. Задкова. — М.: Наука. Физматлит, 1995. — С. 144.
  150. С.М. Метод Монте-Карло и смежные вопросы, изд. 2-е. — М.: Наука, 1975. 471 с.
  151. E.M., Питаевский Л. П. Физическая кинетика. — М.: 1979, — 528 с.
  152. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика: Квантовая механика. (нерелятивистская теория). Том. 3. — М.: Физматлит, 2001.- 808 с.
  153. Morgan W.L., Boeuf J.P. and Pitchford L.C. Сечения кислорода и других газов. // Internet сайт: http://www.kinema.com/kinema
  154. В.П. Вторичные электроны. — М.: Энергоатомиздат, 1987.
  155. Л., Кромптон Р. Диффузия и дрейф электронов в газах. — М.: Мир. 1977.
  156. О.В., Кривоносое С. Е. Расчет источников ионизации методом Монте-Карло в газоразрядной плазме. // Труды аспирантов и соискателей ростовского государственного университета, том VII, Ростов-на-Дону, 2001 г., изд. РГУ, С. 37−39.
  157. О.В., Кривоносое С. Е. Расчет источников ионизации методом Монте-Карло в газоразрядной плазме. // Сборник тезисов докладов ВНКСФ-7, 5−10 апреля, 2001 г, изд. СпбГУ, С. 352.
  158. С. Элементарные процессы в плазме газового разряда. — М.: Атомиздат, 1961.
  159. В.П. Введение в кинетическую теорию газов. — М.: Наука, 1971.
  160. Ю.Б., Рывкин М. Ш. Термодинамика, статистическая физика и кинетика. — М.: Наука, 1977.
  161. Ю.П. Физика газового разряда. — М.: Наука, 1987.
  162. В.Е., Жилинский А. П., Сахаров И. Е. Основы физика плазмы. — М.: Атомиздат, 1977.
  163. В.Т., Васильев М. А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. — Киев: Наукова думка, 1975. — 176 с.
  164. .М. Отрицательные ионы. — Москва: Атомиздат, 1978.
  165. A.M., Рахимов А. Т., Рахимова Т. В. Самосогласованные модели высокочастотных разрядов низкого давления в электропоположи-тельных и электроотрицательных газах. // Физика плазмы. — 1993. Т. 19, № 10. — С. 1241−1267.
  166. Boeuf J.P. and Segur P. S. Interaction plasma froids matterials / Ed. C. Lejeune, GREC057 CNRS (Paris: Les editions de physicue). — 1988. — P. 113.
  167. А.А., Мащенко А. И., Толмачев Г.Н Анализ уравнения баланса мощностей процессов при движении ансамбля электронов в однородном электрическом поле в гелии. // Письма в ЖТФ. — 1996. Т. 21, № 23. — С. 30−33.
  168. С.Е., Толмачев Г. Н. Применение метода Монте-Карло для расчета лазерных параметров. // Сбоник тезисов симпозиума «Лазеры на парах металлов», Лоо, 24−26 сентября, 2002 г., изд. РГУ, С. 1517.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!