Математическая модель и структурные формулы МОП-схемы И-НЕ в переходной схемотехнике

Представим теперь транзисторную МОП-схему И-НЕ на два входа в переходной схемотехнике (рис. 10.14). Заменим МОП-транзисторы на рисунке 10.13 их моделями — схемами в переходной схемотехнике. В соответствии с транзисторной схемой применим принцип функциональной интеграции — объединим однотипные вершины разных транзисторов с одинаковым управлением в одну с этим же управлением.

Результирующая модель переходной МОП-схемы И-НЕ с двумя входами изображена на рисунке 10.14.

Так как размерность полученной модели равна 8, количество возможных пространственных реализаций составляет 4⁸ = 65 536.

На рисунке 10.15 представлена структурная формула МОП-схемы И-НЕ на два входа в ЭПТ. Она будет «прочитана» следующим образом: в области р_1У подложке p-типа, на которую подается потенциал «земли» (нулевой потенциал 1, он же Е₀), содержатся 4 полупроводниковые области п-типа: п_2у на которую подается напряжение питания Е; п_ЗУ с которой снимается выходной сигнал; n_s (без управления) и область л₄, на которую подается потенциал «земли».

Между областями п₂ и д₃, п₃ и я₈, п₈ и п₄ на поверхности сформированы тонкие оксиды, через которые осуществляется воздействие поля на подложку — формирование каналов между л-областями с помощью напряжения питания и входных сигналов.

Задание. Составьте различные варианты структур и топологий переходного МОП-вентиля И-НЕ с учетом того, что в структурных формулах любое ребро может превращаться в одну из четырех типов дуг (->, <, —^)•.