Контрольные вопросы и задания

• 1. Назовите основные признаки принадлежности схемы к классу ключевых.
• 2. Поясните следующие понятия, применяемые для оценки качества ключевых схем:
  • а) наибольшее допустимое напряжение для логического «нуля» на входе;
  • б) наименьшее допустимое напряжение для логической «единицы» на входе;
  • в) запас помехоустойчивости для логического «пуля»;
  • г) запас помехоустойчивости для логической «единицы».
• 3. Поясните работу схемы инвертора на биполярном транзисторе (см. рис. 19.1).
• 4. Сформулируйте требования к положению рабочей точки (РТ) на входной и семействе выходных ВАХ биполярного транзистора в схеме инвертора (см. рис. 19.1).
• 5. В каком логическом состоянии («О» или «1») на входе инвертора (см. рис. 19.1) от источника питания потребляется наибольшая мощность?
• 6. С какой целью между коллектором и базой инвертора на биполярном транзисторе (см. рис. 19.1) включен диод Шоттки (см. рис. 19.3)? Что такое транзистор Шоттки и каково его условное изображение (графическое обозначение)?
• 7. Назовите главные недостатки инвертора на биполярном транзисторе.
• 8. Поясните принцип действия инвертора на полевом транзисторе (см. рис. 19.4). Почему эта схема не потребляет энергию от источника входного сигнала? При каком уровне входного напряжения (низком или высоком) рассматриваемый инвертор потребляет существенную энергию от источника питания?
• 9. Что понимается под комплементарной парой полевых транзисторов?
• 10. Как работает схема инвертора на комплементарных полевых транзисторах, изображенная на рис. 19.5?
• 11. Почему инвертор на рис. 19.5 независимо от логического состояния на его входе («0» или «1») потребляет пренебрежимо малую мощность от источника питания?
• 12. Назовите наиболее важные достоинства инвертора на КМОП-транзисторах, но сравнению с инверторами на биполярном и нолевом транзисторах.
• 13. Каково главное назначение компараторов? Поясните принцип функционирования компаратора на ОУ (см. рис. 19.7, а).
• 14. На каких полупроводниковых элементах строятся универсальные базисы «И-НЕ» и «ИЛИ-НЕ»?
• 15. В чем заключается способ построения универсального базиса («И-НЕ» либо «ИЛИ-HE»), называемый диодно-транзисторной логикой?
• 16. Каков уровень напряжения (низкий или высокий) на выходе цепи на рис. 19.8, а в случае, когда:
  • а) и_вх1 = 0; г/_вх2 = 0;
  • б) ^М«х1 ^{= М}в*», а_х; ^М«х2⁼°;
• 13)М_ВХ, = 0; и_вг2 = и_вхтах;

О ««xl «|, X max'^вх2 И"х тах^.

• 17. Что такое многоэмиттерный биполярный транзистор?
• 18. Какова функция многоэмиттерного транзистора в схеме универсального базиса (см. рис. 19.10, а), построенного по принципу, называемому транзисторнотранзисторной логикой?
• 19. Каково логическое состояние на выходе схемы на рис. 19.10, а (в условиях позитивной логики): а) при двух логических «единицах» на входах; б) при двух логических «нулях» на входах?
• 20. Назовите основной недостаток схем универсальных базисов на биполярных транзисторах.
• 21. Каково преимущество логических элементов, построенных по принципу КМОП-логики?
• 22. Какую логическую функцию реализует схема на рис. 19.11, а, выполненная на КМОП-транзисторах в условиях: а) позитивной логики и б) негативной логики?