Традиционная память с асинхронным интерфейсом

В традиционной памяти сигналы RAS# и CAS#, обслуживающие запоминающие ячейки, вводятся непосредственно по соответствующим линиям интерфейса. Вся последовательность процессов в памяти привязывается именно к этим внешним сигналам. Данные при чтении будут готовы через время TCAC после сигнала RAS#, но не раньше, чем через TRAC после сигнала RAS#.

На основе стандартных ячеек строится память с быстрым страничным доступом — FPM (Fast Page Mode) DRAM. Здесь для доступа к ячейкам, расположенным в разных колонках одной строки, используется всего один импульс RAS#, во время которого выполняется серия обращений с помощью только импульсов CAS#. Нетрудно догадаться, что в пакетных циклах доступа получается выигрыш во времени (пакеты укладываются в страницы «естественным» образом). Так, память FPM со временем доступа 60−70 нс при частоте шины 66 МГц может обеспечить цикл чтения 5−3-3−3.

Следующим шагом стала память EDO (Extended Data Out, расширенный вывод данных) DRAM. Здесь в микросхемы памяти ввели регистры-защелки, и считываемые данные присутствуют на выходе даже после подъема CAS#. Благодаря этому можно сократить время действия CAS# и не дожидаясь, пока внешняя схема примет данные, приступить к предзаряду линии CAS#. Таким образом можно ускорить передачу данных внутри пакета и на тех же ячейках памяти получить цикл 5−2-2−2 (60 нс, 66 МГц). Эффект полученного ускорения компьютера, полученного довольно простым способом, был эквивалентен введению вторичного кэша, что и послужило поводом для мифа о том, что «в EDO встроен кэш». Страничный цикл для памяти EDO называют и «гиперстраничным», так что второе название у этой памяти — HPM (Hyper Page Mode) DRAM. Регистр-защелка ввел в микросхему памяти элемент конвейера — импульс CAS# передает данные на эту ступень, а пока внешняя схема считывает их, линия CAS# готовится к следующему импульсу.

Память BEDO (Burst EDO, пакетная EDO) DRAM ориентирована на пакетную передачу. Здесь полный адрес (со стробами RAS# и CAS#) подается только в начале пакетного цикла; последующие импульсы CAS# адрес не стробируют, а только выводят данные — память уже «знает», какие следующие адреса потребуются в пакете. Результат — при тех же условиях цикл 5−1-1−1.

Память EDO появилась во времена Pentium и стала применяться также в системах на 486. Она вытеснила память FPM и даже стала ее дешевле. Память BEDO широкого распространения не получила, поскольку ей уже «наступала на пятки» синхронная динамическая память.

Вышеперечисленные типы памяти являются асинхронными по отношению к тактированию системной шины компьютера. Это означает, что все процессы инициируются только импульсами RAS# и CAS#, а завершаются через какой-то определенный (для данных микросхем) интервал. На время этих процессоров шина памяти оказывается занятой, причем, в основном, ожиданием данных.