Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΡ‹, курсовыС, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅...
Брочная ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΡƒΡ‡Ρ‘Π±Π΅

БрСдства отобраТСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ рСгистра ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ микросхСму 555АП6 (DD1 Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅1), Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π΄Π΅ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° — микросхСму К155 Π˜Π”7 (DD2 Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅1). R1 =…= R7 =(E — UVD — UΠ’Π«Π₯ (0)) / IИМП =(5 — 2,2 — 0,4)/ 44,72*10−3=53,66 Ом Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ рСзисторы ΠΏΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ряду рСзисторов ΠΈΠ· ΡΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ Π•24. R8 =…= R12 = UΠ‘* / I1 = 1,6 / 7,8*10−3=205 Ом Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ рСзисторы ΠΏΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ряду рСзисторов ΠΈΠ· ΡΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ Π•24. R8 =…= R12… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

БрСдства отобраТСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠœΠΈΠ½ΠΈΡΡ‚Π΅Ρ€ΡΡ‚Π²ΠΎ образования ΠΈ Π½Π°ΡƒΠΊΠΈ Π£ΠΊΡ€Π°ΠΈΠ½Ρ‹ НВУ «Π₯ПИ»

ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π±ΠΈΠΎΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½ΡΠΊΠΎΠΉ элСктроники РасчСтно-графичСскоС Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ Π΄ΠΈΡΡ†ΠΈΠΏΠ»ΠΈΠ½Π΅: «Π‘рСдства отобраТСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ»

ΠŸΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΠ»Π°: студСнтка Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ЭМБ 47-Π² Π”Π΅ΠΌΠΈΠ΄ΠΎΠ²Π° ЕвгСния ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΡΠ»: ΠœΠ°ΠΊΠ°Ρ€ΠΎΠ² Π’.А.

Π₯Π°Ρ€ΡŒΠΊΠΎΠ² 2010

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅

1. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ стробирования. ЭО Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π³ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ совпадСнии Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (логичСский «0») Π½Π° ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΊΠ΅ ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠ»Π±Ρ†Π΅.

2. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ микросхСмы (рСгистра).

3. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ расчСт Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ строк ΠΈΠ»ΠΈ столбцов.

4. Π’ ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€.

IH = IF =20 мА

UVD =2,2 B

IИМП = IH*q½ =20*5½ =44,72 мА

I2 = IИМП*7 =7*44,72 =313,04 мА

R1 =…= R7 =(E — UVD — UΠ’Π«Π₯(0)) / IИМП =(5 — 2,2 — 0,4)/ 44,72*10-3=53,66 Ом Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ рСзисторы ΠΏΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ряду рСзисторов ΠΈΠ· ΡΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ Π•24.

R1 =…= R7 =51 Ом

I2 = IΠ‘

Π”Π°Π»Π΅Π΅ слСдуСт Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы, исходя ΠΈΠ· Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° транзисторов Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор p-n-p Π“Π’320А, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ всСм поставлСнным трСбованиям.

IБ =150 мА

IБ И =300 мА

UΠ‘Π• =12 Π’

UΠ’Π• =3 Π’

=20 — 80

Π’Ρ‹Π±Ρ€Π°Π² срСдний коэффициСнт, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для дальнСйшСго расчСта.

I1 = I2 / = 313,04 / 40 =7,8 мА

UΠ‘* =Π• — UΠ’Π• — UΠ’Π«Π₯ =5 -3 — 0,4=1,6 Π’

R8 =…= R12 = UΠ‘* / I1 = 1,6 / 7,8*10-3=205 Ом Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ рСзисторы ΠΏΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ряду рСзисторов ΠΈΠ· ΡΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ Π•24.

R8 =…= R12 =200 Ом Π˜ Π΄Π»Ρ выполнСния условия задания Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ КWM — 20571CGB

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ рСгистра ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ микросхСму 555АП6 (DD1 Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅1), Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π΄Π΅ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° — микросхСму К155 Π˜Π”7 (DD2 Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅1).

Рисунок 1. Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма

Π‘Ρ‚.1=11 101 011=EB

Π‘Ρ‚.2=10 000 000=80

Π‘Ρ‚.3=11 101 011=EB

Π‘Ρ‚.4=10 000 000=80

Π‘Ρ‚.5=11 101 011=EB

Π‘Ρ‚.1=10 111 101=BD

Π‘Ρ‚.2=10 111 110=BE

Π‘Ρ‚.3=10 101 110=AE

Π‘Ρ‚.4=10 010 110=96

Π‘Ρ‚.5=10 111 001=B9

Π‘Ρ‚.1=11 001 110=C1

Π‘Ρ‚.2=10 111 110=BE

Π‘Ρ‚.3=10 111 110=BE

Π‘Ρ‚.4=10 111 110=BE

Π‘Ρ‚.5=11 011 101=DD

Π‘Ρ‚.1=11 001 110=CE

Π‘Ρ‚.2=10 110 110=B6

Π‘Ρ‚.3=10 110 110=B6

Π‘Ρ‚.4=10 110 110=B6

Π‘Ρ‚.5=10 111 001=B9

Π‘Ρ‚.1=11 110 001=F1

Π‘Ρ‚.2=11 101 110=EE

Π‘Ρ‚.3=11 101 110=EE

Π‘Ρ‚.4=11 101 110=EE

Π‘Ρ‚.5=11 111 101=FD

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ