Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута

Диссертация: Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Развитие современного приборостроения требует создания новых полупроводниковых материалов, имеющих специальные свойства. А тенденции уменьшения размеров рабочих элементов электроники заставляют исследователей переходить на уровень наноразмеров. На наноуровне определяющими факторами свойств материалов служат квантово-размерные эффекты и состояние поверхности. Поверхность является одним из основных… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВИСМУТА
    • 1. 1. Кристаллы висмута
      • 1. 1. 1. Кристаллическая структура висмута
      • 1. 1. 2. Зонная структура висмута
      • 1. 1. 3. Дефекты в кристаллах висмута
    • 1. 2. Поверхность кристаллов висмута
      • 1. 2. 1. Структура поверхности кристаллов висмута
      • 1. 2. 2. Наноструктурные особенности на поверхности кристаллов висмута
      • 1. 2. 3. Электронные свойства поверхности кристаллов висмута
    • 1. 3. Наноразмерные структуры висмута
      • 1. 3. 1. Фабрикация наноразмерных структур висмута
      • 1. 3. 2. Энергетические свойства наноразмерных структур висмута
      • 1. 3. 3. Моделирование наноструктур висмута
  • ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ВИСМУТА
    • 2. 1. Контроль морфологии поверхности кристаллов висмута
      • 2. 1. 1. Сканирующая зондовая микроскопия поверхности кристаллов висмута
      • 2. 1. 2. Электронная микроскопия поверхности кристаллов висмута
      • 2. 1. 3. Металлографическая микроскопия поверхности кристаллов висмута
    • 2. 2. Получение и моделирование наноразмерных структур висмута
      • 2. 2. 1. Экспериментальная установка для обработки атомарным водородом поверхности кристаллов висмута
      • 2. 2. 2. Методы выращивания, разделения и обработки поверхности кристаллов висмута
      • 2. 2. 3. Квантово-химическое моделирование нанокластерных систем висмута
  • ГЛАВА 3. МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛА И САМООРГАНИЗАЦИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ВИСМУТА
    • 3. 1. Исследование морфологии поверхности монокристалла висмута
      • 3. 1. 1. Морфология поверхности кристаллов висмута после различных видов обработки
      • 3. 1. 2. Морфология поверхности скола монокристалла висмута
    • 3. 2. Исследование влияния плазменной обработки водородом на морфологию поверхности скола монокристалла висмута
    • 3. 3. Процессы самоорганизации наноразмерных структур на поверхности скола монокристалла висмута
  • ГЛАВА 4. ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОКЛАСТЕРОВ ВИСМУТА ПО ДАННЫМ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ
    • 4. 1. Геометрические параметры нанокластеров висмута различной размерности
    • 4. 2. Эволюция зонных параметров нанокластеров висмута
      • 4. 2. 1. Изменение ширины запрещенной зоны нанокластеров висмута
      • 4. 2. 2. Изменение ширины разрешенной зоны нанокластеров висмута
    • 4. 3. Энергетические характеристики нанокластеров висмута
      • 4. 3. 1. Изменение значения энергии ионизации нанокластеров висмута
      • 4. 3. 2. Изменение значения энергии диссоциации нанокластеров висмута

Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Развитие современного приборостроения требует создания новых полупроводниковых материалов, имеющих специальные свойства. А тенденции уменьшения размеров рабочих элементов электроники заставляют исследователей переходить на уровень наноразмеров [1−4]. На наноуровне определяющими факторами свойств материалов служат квантово-размерные эффекты и состояние поверхности [5−10]. Поверхность является одним из основных дефектов трехмерной структуры кристаллов. Отличительной чертой поверхности является ее гетерогенность, что обусловлено рядом взаимосвязанных факторов: геометрическая и структурная неоднородность, химическая неоднородность, неоднородность электронных свойств. Поверхность реального кристалла неоднородна, она содержит дефекты кристаллической решетки: вакансии, террасы, ступеньки, места выхода дислокаций и другие дефекты кристаллической решетки, обладающие различной реакционной способностью и различными физическими свойствами [6−8]. На современном этапе развития нанотехнологической отрасли для создания полупроводниковых и функциональных материалов (с квазикристаллической, субмолекулярной, нанокристаллической или аморфно-нанокристаллической структурой) широко используются процессы, протекающие на поверхности твердых тел [10−14]. При введении поверхности в атмосферу химически активных сред (жидкие, газовые), адсорбционные и каталитические процессы изменяют ее конфигурацию на наноуровне, в связи с чем появляется возможность наблюдения новых эффектов. Взаимное влияние газовой и кристаллической подсистем может приводить к синергетическим эффектам, в частности, формированию различных наностуктурных образований (нанокластеров), обладающих особыми свойствами [11−16]. Изучение поверхности представляет как теоретический, так и прикладной интерес, поэтому важно контролировать изменение ее структуры и исследовать влияние внешних факторов на конфигурацию и состояние.

На современном этапе развития физики поверхности сочетание передовых методов анализа поверхности и моделирования наносистем, вакуумных технологий и быстродействующей компьютерной техники позволяет решать широкий круг проблем, связанных с исследованиями поверхности кристаллов и наноструктур.

Висмут и его сплавы относятся к классу полуметаллов и узкозонных полупроводников и обладают широким комплексом свойств. [17, 18]. Высокая чувствительность зонных параметров висмута к внешним воздействиям: изменению температуры, давления, магнитного и электрического полей представляет большой практический интерес. Эти свойства висмута позволяют изготавливать из него болометры, тензометры, датчики Холла, Нернста, потока тепла, усилители звука, криостатированные фотоприемные устройства для космических аппаратов, применяемых во внеатмосферной астрономии и ИК-зондировании Земли и т. д. Особое значение имеет практическое применение висмута и при создании термоэлектрических преобразователей [19, 20]. При размерном квантовании наноразмерные структуры висмута могут переходить в полупроводниковое состояние, что может оказать существенное влияние при создании наноматериалов эффективных термоэлектриков.

Не смотря на огромное количество теоретических и экспериментальных исследований, посвященных висмуту, известно мало работ по изучению поверхности монокристаллов висмута на наноуровне и наноструктур [21−31].

Целью работы является получение наноразмерных структур на поверхности монокристалла висмута и исследование их геометрических и энергетических параметров.

Задачи исследования:

1. Исследование морфологии поверхности скола монокристалла висмута, формирующейся при комнатной температуре и температуре кипения жидкого азота.

2. Исследование влияния плазменной обработки водородом на наноструктуру поверхности скола монокристалла висмута. 5.

3. Проведение квантово-химического моделирования нанокластеров висмута BiN (N — количество атомов) с целью прогнозирования свойств наноструктурированных образований на поверхности висмута.

Предмет и объект исследований Объектом исследований являются наноразмерные структуры на основе висмута. Предметом — морфология поверхности монокристаллов и нанокластерные системы висмута.

Научная новизна:

1. Установлено, что повышение температуры скалывания монокристаллов висмута по плоскости спайности приводит к образованию отщепленных микрои нанотеррас с углом наклона 2.7° к плоскости (111), обусловленное двойникованием в результате пластической деформации.

2. Выявлено, что влияние плазменной обработки водородом поверхности скола (111) монокристалла висмута в зависимости от времени приводит к селективному распылению поверхности с последующей самоорганизацией пирамидальных образований. Изучены характер и физические основы изменения морфологии поверхности скола монокристалла висмута при плазменной обработке водородом, предложена физическая модель определяющей роли дефектов кристаллической решетки в процессе формирования микрои нановыступов в результате распыления приповерхностной области.

3. Проведено квантово-химическое моделирование методами Хартри-Фока (HF) и функционала плотности (DFT) физических свойств нанокластеров висмута в зависимости от количественного содержания атомов. Определены геометрия, межатомные расстояния, энергии диссоциации и ионизации, ширины запрещенных зон. Сделана оценка области перехода из полупроводникового состояния в полуметаллическое.

Практическая и теоретическая значимость С использованием набора экспериментальных методов и квантово-химического моделирования проведено комплексное исследование поверхности монокристаллов и наноструктур висмута. Показаны структурные особенности и целесообразность 6 детального изучения поверхностной морфологии в процессе электроискровой резки, скалывания и технологической обработки кристаллов. Определена роль дефектов структуры поверхности скола в процессе водородно-плазменной модификации ее морфологии, с самоорганизацией наноразмерных кристаллических пирамидальных кластеров. Рассчитаны энергетические параметры нанокластеров висмута, указывающие на переход «полуметалл-полупроводник». Дана оценка количества атомов в кластере, при котором наступает бесщелевое состояние. Полученные данные могут быть полезны при создании веществ и материалов с прогнозируемыми свойствами.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Скалывание по плоскости совершенной спайности монокристалла висмута при комнатной температуре приводит к появлению отщепленных микрои нанотеррас с углом наклона 2.7° к плоскости (111), что обусловлено двойникованием в результате пластической деформации, исчезающим при скалывании после охлаждения в жидком азоте.

2. Обработка поверхности скола (111) монокристалла висмута холодной водородной плазмой вызывает самоорганизацию комплекса пирамидальных микрои нановыступов, с угловыми параметрами характерными для кристаллической решетки висмута. Формирование системы микрои нановыступов обусловлено террасированной и дислокационной морфологией исходной поверхности скола монокристалла висмута.

3. В результате квантово-химического моделирования определены геометрические параметры и энергетические характеристики нанокластеров висмута, зависящие от количества содержащихся в них атомов, увеличение которого до величины ~103 приводит к переходу из полупроводникового в полуметаллическое состояние.

Достоверность полученных результатов Достоверность результатов исследования определяется использованием качественных монокристаллов, системы основных современных экспериментальных взаимодополняющих 7 методов исследования поверхности (СТМ, АСМ, СЭМ, МГ) и методов квантово-химического моделирования (Н1% О ИТ), многократной повторяемостью результатов эксперимента. Полученные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Апробация работы Изложенные в диссертации результаты докладывались на 15, 16, 17 Всероссийских научных конференциях студентовфизиков и молодых ученых «ВНКСФ-15, 16, 17» (Кемерово — Томск — 2009,.

Волгоград — 2010, Екатеринбург — 2011)), 1-й Всероссийской научной конференции «Методы исследования состава и структуры функциональных материалов» — «МИССФМ-2009» (Новосибирск — 2009), 52 и 53 научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук» (Московская обл., г. Долгопрудный — 2009, 2010), Международных школах-семинарах молодых ученых России и Украины «Методы дискретных особенностей в задачах математической физики» (Орел — 2009, 2010),.

Всероссийской научно-практической конференции «Неравновесные процессы в природе» (Елец — 2009), Международной научной конференции «Прочность и разрушение материалов и конструкций» (Оренбург. — 2010), X юбилейной международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь — 2010), 50 Международном симпозиуме.

Актуальные проблемы прочности" (Белоруссия, Витебск — 2010), V (XXXVI).

Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Образование, наука, инновации — вклад молодых исследователей» (Кемерово — 2010), 17 и 18 Международных конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2010, 2011» (Москва.

2010, 2011), XI Всероссийской молодежной школе-семинаре по проблемам физики конденсированного состояния вещества «СПФКС-11» (Екатеринбург.

2010), 13-й научной молодежной школе по твердотельной электронике «Физика и технология микрои наносистем» (Санкт-Петербург — 2010), Международной конференции «Структурные основы модификации материалов» — «МНТ-Х1».

Обнинск 2011), IX Международной конференции «Взаимодействие излучения 8 с твердым телом» — «ВИТТ-2011» (Белоруссия, Минск, 2011), 2-й Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы химической науки, практики и образования». (Курск — 2011), 51 Международной конференции Актуальные проблемы прочности (Харьков -2011),, IV Всероссийской конференции по наноматериалам «НАН2 011» (Москва — 2011), XLVII Всероссийской конференции по проблемам физики частиц, физики плазмы и конденсированных сред, оптоэлектроники (Москва -2011), V школе-семинаре молодых ученых «Квантово-химические расчеты: структура и реакционная способность органических и неорганических молекул» (Иваново — 2011).

Личный вклад автора В диссертации изложены результаты, полученные как лично автором под научным руководством Маркова О. И., так и в сотрудничестве с Грибановым E.H. (квантово-химические расчеты), Коростелевым Д. А. (плазменная обработка), Корчагиным П. С. (металлографические исследования). Подготовка эксперимента, обработка и интерпретация полученных экспериментальных данных, построение зависимостей и физических моделей, СТМ-, ЭМи АСМ-исследования проводились соискателем самостоятельно. Научным руководителем Марковым О. И. была оказана помощь в планировании эксперимента и построении физических моделей. Монокристаллы висмута для эксперимента предоставлены Марковым О.И.

Соответствие диссертации паспорту научной специальности Диссертационное исследование соответствует п. 3. «Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах" — п. 4. «Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления" — п. 5. «Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе" — п. 17. «Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах, технологических процессов и полупроводниковых приборов» паспорта специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников».

Публикации По результатам исследований автором опубликовано 33 работы, в том числе 6 статей в рецензируемых научных журналах, 27 публикаций в научных изданиях, сборниках материалов и тезисов докладов на Международных, Всероссийских и региональных конференциях.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитированной литературы и приложения. Материал изложен на 129 страницах, содержит 64 рисунка, 10 таблиц и 11 формул.

Список литературы

содержит 170 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Исследована структура поверхности монокристалла висмута, полученной при электроискровой резке и последующей механической и химической обработке. Получены топографии характерных участков, проанализированы особенности профилей рельефа по глубине, измерена шероховатость. По результатам исследований сделан вывод о целесообразности детального изучения поверхностной морфологии в процессе технологической обработки кристаллов.

2. Установлено, что скалывание монокристалла висмута при комнатной температуре ведет к высокой дефектности поверхности, связанной с пластической деформацией, приводящей к двойникованию. При этом высоты ступеней между террасами составляет от 15 до 70 нм, ширина террас меняется от 13 до 1300 нм Снижение температуры скалывания до температуры кипения жидкого азота позволяет получить менее дефектный скол, на поверхности которого количество террас значительно сокращается, а ширина их соответственно увеличивается до 800 нм — 2.5 мкм. В тоже время высота ступеней между террасами существенно уменьшается до 1.5 — 15 нм.

3. Исследована морфология поверхности монокристаллов висмута, изучены характер и физические основы изменения морфологии поверхности скола монокристалла висмута при плазменной обработке водородом. При этом обнаружено: изменение морфологии поверхностиповерхность монокристалла висмута при плазменной обработке водородом распыляется неоднородноустановлено селективное распыление поверхности кристалла висмутаустановлено, что процесс модификации поверхности зависит от длительности обработкивоздействие атмосферы водорода приводит к появлению на поверхности монокристалла висмута ансамбля нановыступов в форме многогранников (и их конгломератов) с треугольным основанием ограненных кристаллографическими плоскостями.

4. Увеличение продолжительности плазменной обработки водородом привело к повышению количества пирамидальных образований с четко выделенными кристаллическими гранями. Углы наклона грани у основания пирамиды 56° и у вершины 20° позволяют заключить, что грани пирамид, образованы плоскостями {100} и {211}. Формирование самоорганизующейся системы нановыступов обусловлено террасированной и дислокационной морфологией исходной поверхности монокристалла висмута.

5. С помощью квантово-химического моделирования установлено, что нанокластеры висмута Вщ, Bil8, Bi50, Bi9%, Bil62 находятся в полупроводниковом состоянии. Показаны закономерности изменения ширины запрещенной (АЕ) и разрешенной зон для каждого метода, на основе которых дана оценка количества атомов для нанокластера, равная по порядку величины 103, при которой происходит переход «полуметалл-полупроводник». Полученные данные коррелируют с известными экспериментальными данными по исследованию тонких пленок висмута. Рассчитаны энергии ионизации и диссоциации для каждого кластера.

6. Полученные в результате самоорганизации наноразмерные структуры на поверхности монокристалла висмута находятся в полупроводниковом состоянии и поэтому могут представлять интерес с точки зрения технологии получения квантовых точек.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Пул, Ч. — мл. Нанотехнологии Текст. / Ч. Пул — мл., Ф. Оуэне. — М.: Техносфера, 2009. — 336 с.
  2. , В. П. Основы наноэлектроники Текст. / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. М.: Университетская книга- Логос- Физматкнига, 2006. — 496 с.
  3. , В.К. Физика на переломе тысячелетий: Физические основы нанотехнологий Текст. / В. К. Воронов, A.B. Подоплелов, Р. З. Сагдеев. М.: Книжный дом «ЛИБРОКОМ», 2011. — 432 с.
  4. А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии Текст. / А. И. Гусев. М.: Физматлит, 2009. — 416 с.
  5. Физика низкоразмерных систем Текст. / А. Я. Шик, Л. Г. Бакуева, С. Ф. Мусихин, С. А. Рыков. СПб.: Наука, 2001.- 160 с.
  6. , В.Ф. Основы физики поверхности твердого тела Текст. / В. Ф. Киселев, С. Н. Козлов, A.B. Зотеев. М.: МГУ, 1999. — 287 с.
  7. Введение в физику поверхности Текст. / К. Оура, В. Г. Лифшиц, A.A. Саранин и др. М.: Наука, 2006. — 490 с.
  8. , В.В. Введение в физику зарядовых и размерных эффектов. Поверхность, кластеры, низкоразмерные системы Текст. / В. В. Погосов. М.: Физматлит, 2006. — 328 с.
  9. , Й. Введение в мезоскопическую физику Текст. / Й. Имри. М.: Физматлит, 2004. — 304 с.
  10. , И.П. Нанотехнология: физико-химия кластеров, наноструктур и наноматериалов Текст. / И. П. Суздалев. М.: КомКнига, 2006. — 592 с.
  11. Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots. Synthesis, Assembly, Spectroscopy and Applications Text. / ed. A. L. Rogach. Wien: Springer-Verlag, 2008.-372p.
  12. Наноструктурные материалы Текст. / под ред. Р. Ханника, А. Хилл. М.: Техносфера, 2009. — 488 с.
  13. , В. А. Физическое материаловедение наноструктурных материалов: Учебное пособие Текст. / В. А. Поздняков. М.: МГИУ, 2007. -204 с.
  14. , А.И. Нанокристаллические материалы Текст. / А. И. Гусев, А. А. Ремпель. М.: Физматлит, 2001. — 224 с.
  15. , Э. Размерные эффекты в наноматериалах Текст. / Э. Родунер. -М.: Техносфера, 2010.-352 с.
  16. Ihn, Т. Semiconductor Nanostructures. Quantum States and Electronic Transport Text. / T. Ihn. Oxford university press, 2010. — 552 p.
  17. , JI. А. Физические свойства висмута Текст. / Л. А. Фальковский // УФН. 1968. — Т. 94. — Вып. 1. — С. 3−41.
  18. , В. С. Свойства электронов в висмуте Текст. / В. С. Эдельман // УФН. 1977. — Т. 123. — Вып. 2 — С. 257−287.
  19. Goldsmid, H.J. Bismuth The Thermoelectric Materials of the Future? Text. / Goldsmid H.J. // Proceedings of the XXV Int. Conf. on Thermoelectrics. Wien, Austria, 2006. — Wien, 2006. — P.5−10.
  20. Goldsmid, H.J. Introduction to Thermoelectricity Text. / H.J. Goldsmid -Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2010. 242 p.
  21. , А. В. Исследование электронных свойств поверхности висмута методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии Текст.: дис.. канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / Офицеров Алексей Владиславович. Москва, 2004. — 120 с.
  22. Sun, J. Structural determination of the Bi (110) semimetal surface by LEEDanalysis and ab-initio calculations Text. / J. Sun, A. Mikkelsen, Fuglsang Jensen M., 112
  23. Y. M. Koroteev, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, D. L. Adams, Ph. Hofmann, K. Pohl // Phys. Rev. В 2006. — Vol. 74. — P. 245 406.
  24. Hoffman, C.A. Semimetal-to-Semiconduktor transition in bismuth thin films Text. / C.A. Hoffman, J.R. Meyer, F.J. Bartoli, A. Di Venere, X.J. Yi, C.L. Hou, H.C. Wang, J.B. Ketterson, G.K. Wong // Phys. Rev. B. 1993. — Vol. 48. — P.11 431−11 434.
  25. Rogacheva, E. I Quantum size effects and transport phenomena in thin Bi layers Text. / E.I. Rogacheva, S.G. Lyubchenko, O.N. Nashchekina, A.V. Meriuts, M.S. Dresselhaus //Microelectronics Journal 2009. — Vol. 40. — P. 728−730.
  26. , E.B. Блочная структура пленок висмута и ее влияние на подвижность носителей заряда Текст.: дис.. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07: защищена 10.12.2009 / Демидов Евгений Владимирович. С.-Петербург,.2009. -150 с.
  27. Huber, Т. E. Electronic transport in a three-dimensional network of one-dimensional bismuth quantum wires Text. / Т. E. Huber, M. J. Graf // Phys. Rev. В -1999.-Vol. 60.-P. 16 880.
  28. Scott, Shelley A. Growth of oriented Bi nanorods at graphite step-edges Text. / Shelley A. Scott, Milo V. Krai, and Simon A. Brown // Phys. Rev. B. 2005. — Vol. 72.-P. 205 423.
  29. Farhangfar, Shadyar Quantum size effects in a one-dimensional semimetal Text. / Shadyar Farhangfar // Phys. Rev. В 2006. — Vol. 74. — P. 205 318.
  30. Reichel, Ren’e Nano scale cluster devices Text. // A thesis submitted in partial fulfillment of the requirements for the Degree of Doctor of Philosophy in Physics in the University of Canterbury / Ren’e Reichel. Christchurch, New Zealand, 2007. -163 p.
  31. Szwaski, N.G. Basic elements of crystallography Text. / N.G. Szwaski, T. Szwaska- Singapore: Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2010.- 195 p.
  32. , Н.Б. Исследование эффекта де Гааза-ван Альрена у висмута при сверхнизких температурах Text. / Н. Б. Брандт, Т. Ф. Долголенко, H.H. Ступоченко //ЖЭТФ -1963. Т. 45. -Вып. 5. — С.1319−1335.
  33. , B.C. Форма электронной поверхности Ферми висмута Текст. / B.C. Эдельман // ЖЭТФ 1973, — Т. 64, — № 5. — С. 1734−1745.
  34. , Н.Б. Исследование квантовых осциляций магнитной восприимчивости висмута при сверхнизких температурах Текст. / Н. Б. Брандт, А. Е. Дубровская, Г. А. Кытин // ЖЭТФ 1959. — Т. 37. — Вып. 2. С.572−574.
  35. Mase, S. Electronic structure of Bismuth Type Cristals Text. / S. Mase // J. Phys. Soc. Japan 1958. — Vol. 13. — P.434−445.
  36. Fereira, L.G. Relativistic Band Structure calculation for bismuth Text. / L.G. Fereira//J.Phys.Chem.Solids 1967. — Vol. 28. — No. 10. — P.1891−1902.
  37. Fereira, L. G., Band structure calculation for bismuth: Comparison with experiment Text. / L. G Fereira. // J. Phys. Chem. Solids. 1968. — Vol. 29. — No. 2. -P. 357−365.
  38. Golin, S. Band structure of bismuth: Pseudopotential approach Text. / S. Golin // Phys. Rev. 1968. — Vol. 166. — No. 3. — P. 643−651.
  39. Xu, J. H. A tight-binding theory of the electronic structures for rhombohedral semimetals Text. / J.H. Xu, E.G. Wang, C.S. Ting, W.S. Su //Phys. Rev. В 1993. -Vol. 48.-P. 17 271.
  40. Liu, Y. Electronic structure of the semimetals Bi and Sb Text. / Y. Liu, R.E. Allen//Phys. Rev. В 1995. — Vol. 52. — P. 1566−1577.
  41. , JI.A. Электроны и дырки в висмуте Текст. / Л. А. Фальковский, Г. С. Разина // ЖЭТФ 1965. — Т. 49. — Вып. 1(7). — С. 265−274.
  42. , A.A. Некоторые вопросы теории полуметаллов Текст. / A.A. Абрикосов // ЖЭТФ 1973. — Т. 65. — Вып. 5. — С. 2063−2074.
  43. , Б.А. Электронная структура полуметаллов группы V Текст. / Б. А. Волков, Л. А. Фальковский // ЖЭТФ 1983. — Т. 85. — Вып. 6. — С. 21 352 151.
  44. Lax, В. Band Structure of Indium Antimonide Text. / B. Lax // Rev. of Mod. Phys. 1958. — Vol. 30. — № 1. — P.122−154.
  45. Cohen, M.H. Energy bands in the bismuth structure. I. A nonellipsoidal model for electrons in Bismuth Text. / M.H. Cohen // Phys. Rev. 1961. — Vol. 121. — P. 387−395.
  46. McClure, J.W. The energy band model for bismuth: Resolution of a theoretical discrepancy Text. / J.W. McClure // J. Low Temp. Phys. 1976. — Vol. 25. — No. 5−6.-P. 527−540.
  47. McClure, J.W. Energy band model and properties of electrons in bismuth / J. W. McClure, К. H. Choi // Sol. St. Commun. 1977. — Vol. 21. — No. 11. — P. 1015−1018.
  48. Шувалов Л. А. Современная кристаллография Текст.: в 4-х томах / Л. А. Шувалов, А. А. Урусовская, И. С. Желудев, А. В. и др.- АН СССР, ин-т Кристаллографии им. А. В. Шубникова, М., Наука. 1981.- 496с. 4 т.
  49. Физическое металловедение Текст. / Под ред. Р. Кана. Вып. 3. -М.:Мир, 1968.-427 с.
  50. , А. Кристаллография и дефекты в кристаллах Текст. / А. Келли, Г. Гровс- пер. с англ. С. Н. Горина, О. М. Кугаенко, В. С. Савченко, науч. ред. М. П. Шаскольская. М.: Мир, 1974. — 496с.
  51. В.П. Об упругом двойниковании кристаллов висмута Текст. / В. П. Солдатов, В. И. Старцев // ФТТ 1964. — Вып.6. -№ 6. -С. 1671−1674.
  52. Блочная структура кристаллов висмута, сурьмы и сплавов системы висмут-сурьма, выращенных методом зонной перекристаллизации Текст. / В. М. Грабов, Г. А. Иванов, В. Л. Налетов и др. // Известия АН СССР. 1982. -Т.18. — № 1. — С. 33−37.
  53. Физика полуметаллов и низкоразмерных структур на их основе Текст.: учебное пособие / В. М. Грабов, В. А. Комаров, И. И. Худякова, В. А. Яковлева. СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2011. — 293с.
  54. , C.B. Механическое двойникование кристаллов типа висмута Текст. / C.B. Ланкин, Ю. Т. Левицкий. Благовещенск: АмурКНИИ ДВО РАН, 1996. — 26с.
  55. , В.П. О равновестной форме двойника, затормозившегося у препятствия Текст. / В. П. Солдатов, В. И. Старцев // Доклады АН СССР. 1966. -Т.166. -№ 3. -С.588−591.
  56. , A.M. Дислокации в теории упругости (влияние дислокаций на механические свойства кристаллов) Текст. / A.M. Косевич. Киев: Наук. Думка, 1978.-220 с.
  57. Ф.Ф. Взаимодействие дислокаций в цинке, висмуте и сурьме при двойниковании Текст. / Ф. Ф. Лаврентьев // Физика металлов и металловедение. 1964. — Т. 18. — Вып. З — С. 429−436.
  58. , Г. Физико-химические основы материаловедения Текст. / Г. Готтштайн- пер. с англ. под ред. В. П. Зломаного. М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2009. — 400 с.
  59. , Т. Динамика дислокаций и пластичность. Текст. / Т. Судзуки, X. Ёсинага, С. Такеути- пер. с яп. А. В. Хачояна- под ред. Ю. А. Осипьяна, Р. А. Варданяна. М.: Мир, 1989. — 296 с.
  60. , В. И. Идеальная и дислокационная структура кристаллов висмута Текст. / В. И. Чернобай, Г. А. Иванов, Г. Б. Багдуев, Т. В. Чернобай // Полуметаллы и полупроводники: сб. науч. тр. / ЛГПИ им. А. И. Герцена -Ленинград, 1975. С.37−43.
  61. , М.Д. Рост кристаллов в расплаве. Кристаллографический анализ и эксперимент Текст. / М. Д. Любалин. СПб.: Наука, 2008. — 391 с.
  62. , Ю. О. Авто деформационные дефекты кристаллов Текст. / Ю. О. Пунин, А. Г. Штукенберг. СПб.: Изд-во С.-Петерб. Ун-та, 2008. — 318с.
  63. , A.M. Образование дислокаций при расколе кристалла висмута по плоскости спайности Текст. / А. М. Косевич // Кристаллография. 1962. — Т. 7.-Вып. 1.-С. 97−102.
  64. , А. М. Амплитуда атомной гофрировки поверхности скола висмута, измеренная сканирующим туннельным микроскопом Текст. / А. М. Трояновский, B.C. Эдельман // Письма в ЖЭТФ. 1994. — Т. 60. — Вып. 4. — С. 285−289.
  65. , А. М. Образование атомно гладких террас при сколе кристалла висмута и динамика их границ Текст. / А. М. Трояновский, В. С. Эдельман // Письма в ЖЭТФ. 1994. — Т. 60. — Вып. 2. — С. 104−108.
  66. , А. М. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности скола висмута Текст. / A.M. Трояновский, B.C. Эдельман // Кристаллография. -1999. Т. 44. — №. 2. — С. 336−346.
  67. , М. С. Изготовление монокристаллов легкоплавких металлов Текст. / М. С. Хайкин, С. М. Черемисин, В. С. Эдельман // ПТЭ. 1970. — № 4. -С.225−227.
  68. , В. С. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия атомно-чистой поверхности висмута Текст. / В. С. Эдельман // УФН. 2005. -Т.175. — № 10 — С. 1111−1115.
  69. Monig, H. Structure of the (111) surface of bismuth: LEED analysis and first-principles calculations Text. / H. Monig, J. Sun, Yu. M. Koroteev, G. Bihlmayer, J. Wells, E. V. Chulkov, K. Pohl and Ph. Hofmann // Phys. Rev. B. 2005. — Vol. 72. -P. 85 410.
  70. , А. В. Исследование спектра поверхностных состояний в висмуте методом сканирующей туннельной спектроскопии Текст. / А. В. Офицеров, В. С. Эдельман // ЖЭТФ. 2001. — Т. 120. — Вып. 3(9). — С. 731−739.
  71. , A.M. Неоднородные электронные состояния у поверхности скола висмута Текст. / А. М. Трояновский, В. С. Эдельман // ЖЭТФ. 1999. -Т.115. — Вып. 6. — С. 2214−2227.
  72. Koroteev, Yu. M. Strong Spin-Orbit Splitting on Bi Surfaces Text. / Yu. M. Koroteev, G. Bihlmayer, J. E. Gay one, E. V. Chulkov, S. Blugel, P. M. Echenique, and Ph. Hofmann // Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol. 93. — P. 46 403.
  73. Hofmann, Ph. Electronic structure and Fermi surface of Bi (100) Text. / Ph. Hofmann, J. E. Gayone, G. Bihlmayer, Yu. M. Koroteev, and E. V. Chulkov // Phys. Rev. B. 2005. — Vol. 71. — P. 195 413.
  74. Chu, H. T. Comment on «Semimetal-to-semiconductor transition in bismuth thin films» Text. / H. T. Chu // Phys. Rev. B. 1993. — Vol. 51. — No. 8. — P. 55 325 534.
  75. Shick, A. B. Electronic structure, phase stability, and semimetal-semiconductor transitions in Bi Text. / A. B. Shick, J. B. Ketterson, D. L. Novikov, A. J. Freeman // Phys. Rev. B. 1999. -Vol. 60.-No. 23.-P. 15 484−15 487.
  76. , В. M. Атомно-силовая микроскопия пленок висмута Текст. / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров // ФТТ. 2008. — Т. 50. Вып. 7. — С. 1312−1316.
  77. , В. М. Атомно-силовая микроскопия декорированныхоксидированием дефектов пленок висмута Текст. / В. М. Грабов, Е. В.118
  78. , В. А. Комаров, М. М. Климантов // ФТТ. 2009. — Т. 51. — Вып. 4. — С. 800−802.
  79. Dresselhaus, M. S. Nanowires Text. / M. S. Dresselhaus, Y. M. Lin, O. Rabin, M. R. Black, G. Dresselhaus // Springer Handbook of Nanotechnology / ed. Bharat Bhushan. Springer Berlin Heidelberg New York, 2007. P. 113−160
  80. Black, M. R. Dresselhaus Infrared absorption in bismuth nanowires resulting from quantum confinement Text. / M. R. Black, Y.-M. Lin, S. B. Cronin, O. Rabin, and M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 65. P. 195 417.
  81. Black, M. R. Optical absorption from an indirect transition in bismuth nanowires Text. / M. R. Black, P. L. Hagelstein, S. B. Cronin, Y. M. Lin and M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. 2003. — Vol. 68. — P. 235 417.
  82. Huber, Т. E. Electronic transport in a three-dimensional network of one-dimensional bismuth quantum wires Text. / Т. E. Huber, M. J. Graf // Phys. Rev. B. 1999.-Vol. 60.-P. 16 880.
  83. Khanna, S. N. Atomic clusters: Building blocks for a class of solids Text. / S. N. Khanna and P. Jena // Phys. Rev. B. 1995. — Vol. 51. — No. 19. — P. 13 705−13 716.
  84. И.М. Бесщелевые полупроводники новый класс веществ Текст. / И. М. Цидильковский. — М.: Наука, 1986. — 240 с.
  85. Kubatkin, Sergey Е. Spontaneous Shape Distortion in Quench-Condensed Bismuth Clusters below 8 К Text. / Sergey E. Kubatkin, Andrey V. Danilov, Hakan Olin and T. Claeson // Phys. Rev. Lett. 2000. — Vol. 84. — No. 25. P. 5836−5839.
  86. Ikemoto, H. Phase transitions of bismuth clusters Text. / H. Ikemoto, T. Miyanaga, T. Kiuchi // J. of Non-Crystalline Solids. 2007. — Vol. 353.- P. 33 943 398.
  87. , JI. А. Модели, математика и понятие точности в квантовой химии Текст. / Л. А. Грибов // РХЖ. 2005. — Т. XLIX. — № 2. — С. 137−142.
  88. , Н. Ф. Квантовая механика и квантовая химия Текст. / Н. Ф. Степанов. М.: Мир, 2001. — 519 с.
  89. , В. И. Теория строения молекул Текст. / В. И. Минкин, Б. Я. Симкин, Р. М. Миняев. Ростов-на-Дону: «Феникс», 1997. — 560 с.
  90. Sholl, D. S. Density functional theory: a practical introduction Text. / D. S. Sholl, J. Steckel. Hoboken, New Jersey: John Wiley & Sons, Inc., 2009. — 238 P.
  91. Becke, A. D. Density-functional exchange-energy approximation with correct asymptotic behavior Text. / A. D. Becke // Phys. Rev. A. 1988. — Vol. 38. — No. 6. -P. 3098−3100.
  92. Becke, A. D. Density functional thermochemistry III. The role of exact exchange Text. / A. D. Becke // J. Chem. Phys. — 1993. — Vol. 98. — No. 7. — P. 5648 -5652.
  93. Lee, C. Development of the Colle- Salvetti correlationenergy formula into a functional of the electron density Text. / C. Lee, W. Yang, R.G. Parr // Phys. Rev. B. 1988. — Vol. 37. — No. 2. — P. 785 — 789.
  94. , В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии Текст. / В. Л. Миронов Н.-Новгород: РАН. Институт физики микроструктур, 2004. — 115 с.
  95. Binnig, G. Scanning tunneling microscopy Text. / G. Binnig, H. Rohrer // Helv. Phys. Acta. 1982. — Vol. 55. — No. 6. — P. 726−735.
  96. Binnig, G. Atomic-forse microscope Text. / G. Binnig, C. F. Quate, Ch. Gerber // Phys. Rev. Lett. 1986. — Vol. 56. — No. 9. — P. 930−933.
  97. В. А. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхности Текст.: Дисс. д. т. н.: 05.27.01,0104.01: защищена 13.09.2000 / Быков Виктор Александрович. М.: Гос. НИИФП, 2000. — 393 с.
  98. , Б. А. Сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия Текст.: учебное методическое пособие. / Б. А. Логинов. М.: ГОУ МИФИ (ГУ), 2008. — 92 с.
  99. , Ю. В. Методика исследования поверхности скола монокристаллов висмута с помощью сканирующей туннельной микроскопии Текст. / Хрипунов Ю. В. // Вестник науки: сб. статей / ОГУ Орёл, 2009. -Вып. 8.-С. 110−114.
  100. , Ю. В. Методика исследования поверхности монокристаллов висмута с помощью атомно-силовой микроскопии Текст. / Хрипунов Ю. В. // Вестник науки: сб. статей / ОГУ Орёл, 2010. — Вып. 9. — С. 168−172.
  101. Ю. В. Атомно-силовая и сканирующая туннельная микроскопии поверхности кристаллов на мультимикроскопе СММ-2000 Текст. / Хрипунов Ю. В. // Вестник науки: сб. статей / ОГУ Орёл, 2010. — Вып. 10. -С. 179−183.
  102. , В. И. Обработка и анализ изображений в сканирующем зондовом микроскопе СММ-2000 Текст.: учебное пособие. / В. И. Кузькин, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский. М.: Моск. Гос. Ин-т электроники и математики, 2009. — 20 с.
  103. , М. М. Ульяненков А. Г. Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ в примерах практического приминения Текст. / М. М. Криштал, И. С. Ясников, В. И. Полунин, А. М. Филатов. М.: Техносфера, 2009. — 208 с.
  104. , В. Г. Компьютерная микроскопия Текст. / В. Г. Пантелеев, О. В. Егорова, Е. И. Клыкова. М.: Техносфера, 2005. — 304 с.
  105. , Е. В. Кристаллография Текст. / Е. В. Чупрунов, А. Ф. Хохлов, М. А. Фадеев. -М.: Изд-во Физ.-мат. лит-ры, 2000. 496 с.
  106. , К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение Текст. / К. Сангвал- пер. с англ. А. В. Быстрицкий, Т. И. Маркова. М.: Мир, 1990.-492 с.
  107. , С. Методы прямого наблюдения дислокаций Текст. / С. Амеликс- пер. с англ. В. М. Кардонского М.: Мир, 1968. — 440 с.
  108. , Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля Текст. / Д. Брандон, У. Каплан- пер. с англ. под ред. С. JI. Баженова. -М.: Техносфера, 2004. 377 с.
  109. Лаборатория металлографии Текст. / Е. В. Панченко, Ю. А. Скаков, К. В. Попов и др.- под ред. Б. Г. Лившица. М.: Металлургиздат, 1957. — 696 с.
  110. , Ю. В. Методика исследования поверхности кристаллов висмута методами металлографии Текст. / Ю. В. Хрипунов, П. С. Корчагин // Вестник науки: сб. статей / ОГУ Орёл, 2010. — Вып. 10. — С. 184−188.
  111. , Г. Экспериментальные методы в неорганической химии Текст. / Г. Луке- пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой. М.: Мир, 1965. — 654 с.
  112. , М. Химия поверхности раздела металл-газ Текст. / М. Роберте, Ч. Макки — пер. с англ. И. В. Важениной — под ред.М. В. Грязнова. М.: Мир, 1981.-539 с.
  113. , В. Ф. Химическая эмиссия электронов и фотонов с поверхности кристаллофосфоров Текст.: автореф. дис. на соиск. учен. степ, докт. физ.-мат. наук (01.04.04) / Харламов Владимир Федорович. -Новосибирск, 1990. 31 с.
  114. , О. И. Неразрушающий контроль состава и качества монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма Текст. / О. И. Марков // Контроль. Диагностика.- 2007.- № 2.- С. 69−72.
  115. О.И. Контроль качества ветвей термоэлементов на основе твердых растворов висмут-сурьма Текст. / О. И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2007. — № 6. — С. 61−63.
  116. О.И. Контроль состава ветвей термоэлементов на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма Текст. / О. И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2008. — № 4. — С. 4446.
  117. О.И. Контроль концентрации донорной примеси в «-ветви термоэлемента на основе монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма Текст. / О. И. Марков // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2010. — № 3. — С. 42−44.
  118. Gaussian 03 / Frisch M.J., Trucks G.W., Schlegel H.B.and etc. Gaussian 03, Revision B-03. Gaussian, Inc., — Pittsburgh, PA, 2003. — Электронный ресурс.: режим доступа: http://www.gaussian.com, свободный.
  119. Chemcraft Graphical program for visualization of quantum chemistry computations Электронный ресурс.: Сайт разработчиков — Режим доступа: http://www.chemcraftprog.com/, свободный.
  120. , Ю. В. Авто деформация кристаллов висмут-сурьма Текст. / Ю. В. Хрипунов, П. С. Корчагин // Материалы 17 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-17» /
  121. Екатеринбург, Россия, 2011. Екатеринбург, 2011. — Т. 1. — С. 606−607.123
  122. , П. С. Автодеформационные дефекты монокристаллов висмут-сурьма Текст. / П. С. Корчагин, О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Учёные записки Орловского государственного университета. 2011. — № 3(41). — С. 6166.
  123. , П. С. Исследование дефектов на поверхности монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма Текст. / П. С. Корчагин, О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Учёные записки Орловского государственного университета. -2011.-№ 5 (43).-С. 173−179.
  124. , Ю. В., Об особенностях структуры поверхности монокристалла висмута Текст. / Ю. В. Хрипунов, О. И. Марков // Альманах современной науки и образования. 2009. — № 12(31). — Ч. 1. — С.138−141.
  125. , О. В. Особенности дефектообразования на поверхности монокристалла висмута Текст. / О. В. Аношина, П. С. Корчагин, О. И. Марков, А. В. Сорокин, Ю. В. Хрипунов // Научный журнал «Молодой ученый». -2010. -Т. 1. № 5(16). — С.22−26.
  126. , О.И. Контроль поверхности кристалла висмута после технологической обработки Текст. / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2011. — № 8. — С.56−59.
  127. , О.И. Особенности структуры поверхности кристаллов висмутапосле химического травления Текст. / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов, E.H.124
  128. Грибанов // Сборник статей 2-й международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы химической науки, практики и образования» /Курск, Россия, 2011. Курск: ЮЗГУ, 2011. — С. 124−127.
  129. , О. И. АСМ исследование поверхности кристалла висмута после технологической обработки Текст. / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Инженерная физика. -2011. № 5. — С. 20−24.
  130. Ю.В. Топология поверхности скола монокристалла висмута Текст. / Ю. В. Хрипунов // Материалы 15 Всероссийской научной конференци студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-15"/ Кемерово-Томск, Россия, 2009. Кемерово-Томск, 2009. — С. 784.
  131. , Ю.В. Исследование поверхности монокристалла висмута сканирующим туннельным микроскопом Текст. / Ю. В. Хрипунов, О. И. Марков // Учёные записки Орловского государственного университета. 2009. -№ 2(32). — С.27−37.
  132. , Ю. В. Исследование структуры поверхности сколамонокристалла висмута с помощью атомно-силовой микроскопии Текст. / Ю.
  133. В. Хрипунов // Тезисы докладов XI Всероссийской молодежной школысеминара по проблемам физики конденсированного состояния вещества
  134. СПФКС-11» / Екатеринбург, Россия, 2010. Екатеринбург, 2010. — С. 173.125
  135. , О.И. Некоторые аспекты металлографических исследований монокристаллов висмут-сурьма Текст. / О. И. Марков, Ю. В. Хрипунов // Учёные записки Орловского государственного университета. 2010. — № 4(38). -С.27−32.
  136. , В. С. Формирование нанорельефа при ионном облучении поверхности германия и кремния Текст. / В. С. Черныш, А. С. Патракеев, Е. С. Солдатов, Д. В. Петров, С. В. Алышев // Поверхность. 2007. — № 12. — С. 25−29.
  137. , Е. Л. Воздействие атомарного водорода на свойства кристаллов элементарных полупроводников / Е. Л. Жавжаров, В. М. Матюшин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2004. № 12. — С. 36−39.
  138. , С. П., Морфология поверхности эпитаксиальных пленок РЬхх Еих8е после плазменной обработки Текст. / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, М. Н. Герке, С. В. Кутровская, И. И. Амиров // Изв. ВУЗов. Физика. 2007. — Т. 50. -№ 11.-С. 90−93.
  139. , Ю.В. Реструктуризация поверхности среза кристалла висмута в атмосфере водорода Текст. / Ю. В. Хрипунов, О. И. Марков // Учёные записки Орловского государственного университета. 2009. — № 4(34). — С. 11−15.
  140. , А. А. Квантовая механика Текст. / А. А. Соколов, И. М. Тернов. -М.: Наука, 1979.-528 с.
  141. , Ч. Введение в физику твердого тела Текст. / Ч. Киттель- пер. с англ. изд. А. А. Гусева, А. В. Пахнева, под общ. ред. А. А. Гусева. М.: Наука, 1978.-792 с.
  142. В. М. Влияние атомарного водорода на поверхность гетерогенной полупроводниковой структуры Текст. / В. М. Матюшин, Д. А. Полеха // Поверхность. 2007. — № Ю. — С. 93−95.
  143. В. М. Эволюция поверхности конуса при ионной бомбардировке Текст. / В. М. Сотников // Известия РАН. Серия физическая. -2008. — Т. 72. — № 5. — С. 636−640.
  144. , Н. Химия элементов Текст.: в 2-х томах. / Н. Гринвуд, А. Эрншо- пер. с англ. В. А. Михайлова и др.. М.:БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. — 607 с. — 1 т.
  145. Химическая энциклопедия Текст.: в 5 томах / ред. И. JI. Кунаянц (гл.) и др. -М.: Советская энциклопедия, 1988. 623 с. — 1 т.
  146. , Е. Н. Когда висмут становится полуметаллом? Текст. / Грибанов Е. Н., Марков О. И., Хрипунов Ю. В. // Российские нанотехнологии. -2011.-№ 9−10.-С. 89−91.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!