Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
![Диссертация: Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия](https://gugn.ru/work/2791795/cover.png)
Интерес к слоистым полупроводникам определяется также возможностью создания на их основе квантовых генераторов, переключающих устройств, эффективных фотопреобразователей и других приборов. Поэтому важным для решения прикладных задач представляется изучение изменений оптических свойств, возникающих при легировании различными примесями. Для слоистых кристаллов такие исследования актуальны еще… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ И СПЕКТРОСКОПИЯ ЭКСИТОНОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И ГЕРМАНИЯ
- 1. 1. Особенности строения кристаллической решетки слоистых полупроводников
- 1. 1. 1. Полупроводники А71 (, G-a.Se, 1пЗе)
- 1. 1. *2. Полупроводники А1371 (ОеЗе, &-еЗв2, &-ей2)
- 1. 2. Энергетическая зонная структура слоистых кристаллов
- 1. 2. 1. Полупроводники АШВ71 (Са?е, 9аЗ, 1п&е)
- 1. 2. 2. Полупроводники А1УВ71 (С-еве, аеЗв2% Ое32)
- 1. 3. Спектроскопия и магнитоспектроскопия в слоистых полупроводниках
- 1. 3. 1. Полупроводники А71 (СаЗ, ОаЗе, 1пЗв)
- 1. 3. 2. Полупроводники А17В71 (ОеБе, 0е3е2, &-еВ2)
- 1. 1. Особенности строения кристаллической решетки слоистых полупроводников
- 2. 1. 1. Особенности выращивания монокристаллов &-аЗ
- 2. 1. 2. Применение метода статической сублимации для выращивания монокристаллов СеЗе, &е$>е2 9 Ое$
- 2. 1. 3. Анализ структуры и совершенства полученных кристаллов
- 2. 2. 1. Определение основных оптических констант
- 2. 2. 2. Низкотемпературные измерения
- 2. 2. 3. Учет влияния поляризационных свойств спектральной аппаратуры на результаты измерений
- 2. 2. 4. Особенности изучения спектров поглощения и фотопроводимости дихроичных кристаллов
- 2. 3. 1. Описание установки для исследования спектров маг-нитопоглощения и эффекта Фарадея в стационарных магнитных полях до 3 Т
- 2. 3. 2. Методика исследования фарадеевского вращения и магнитопоглощения в сильных импульсных полях
- 3. 1. Интерференционные эффекты в слоистых кристаллах
- 3. 2. Спектры поглощения в области прямых экситонных переходов на краю фундаментального поглощения
- 3. 3. Проявление политипизма в экситонном спектре поглощения кристаллов In. Se
- 3. 4. Экситонные эффекты в глубине фундаментального поглощения кристаллов (?а$е, 1пйе
- 3. 5. Влияние примесей Ре и Мп на оптические спектры селенида индия
- 3. 5. 1. О кристаллохимическом соответствии примесных атомов
- 3. 5. 2. Структура поглощения кристаллов In. Se — Ре, 1п$е--Мп
- 3. 5. 3. Спектры фотолюминесценции кристаллов 1п$е легированных Ре, Мп
- 4. 1. Эффект Фарадея в области края поглощения кристаллов GaS, GaSe, InSe
- 4. 2. Дисперсия фарадеевского вращения в экситонной области кристаллов InSe, и GaS
- 4. 3. Фарадеевское вращение в глубине поглощения InSe
- 4. 4. Эффект Фарадея в сильных импульсных магнитных полях
- 4. 5. Магнитопоглощение в кристаллах InSe
- 5. 1. Спектры поглощения кристаллов GeSe в области непрямых переходов
- 5. 2. Экситонная структура спектров поглощения GeSe, GeSes и ее поляризационные особенности
- 5. 3. Особенности экситон-фононного взаимодействия в GeSe и GeSe
- 5. 4. Фотопроводимость моноселенида германия
- 5. 5. Край поглощения и дисперсия двулучепреломления кристаллов дисульфида германия
Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
В «Основных направлениях экономического и Социального развития СССР на 1981;1985 гг. и на период до 1990 года», утвержденных на ХХУ1 съезде КПСС, указывается на необходимость создания и усовершенствования технологии получения и комплексных исследований полупроводниковых материалов с заданными свойствами.
Используемые сейчас материалы не в состоянии удовлетворить все созраставдие потребности таких развивающихся областей, как оптоэлектроника, квантовая электроника, микроэлектроника.
Становится очевидным, что дальнейшие успехи этих областей науки и техники связаны с исследованиями новых классов материалов, коренным образом отличающихся по своим свойствам от уже полученных.
Актуальность темы
На современном этапе развития физики полупроводников отчетливо выделяется направление, связанное с исследованием кристаллов, особенностью которых является слоистое строение решетки. Взаимодействие между слоями в таких кристаллах (типа Ваи-дер-Ваальсова) существенно слабее по сравнению с внутри-слоевым, а это обусловливает сильную анизотропию их физических свойств. К классу слоистых полупроводников принадлежат некоторые соединения групп дихалькогениды переходных металлов, гаплоидные соединения и др.
Среди слоистых кристаллов наиболее изучен селенид галлия и именно для него имеющиеся к настоящему времени данные об электронных и колебательных спектрах позволяют в общих чертах разглядеть картину проявления в этих спектрах особенностей, обусловленных слоистым характером строения решетки. Информация же для других соединений менее полная, поэтому присущи ли эти особенности всему классу слоистых структур или только отдельным группам и объектам, остается еще выяснить.
Интерес к слоистым полупроводникам определяется также возможностью создания на их основе квантовых генераторов, переключающих устройств, эффективных фотопреобразователей и других приборов. Поэтому важным для решения прикладных задач представляется изучение изменений оптических свойств, возникающих при легировании различными примесями. Для слоистых кристаллов такие исследования актуальны еще и тем, что дают возможность выяснить механизм вхождения примесей (локализация атомов в межслоевом пространстве или в слое).
Большой информативностью при изучении полупроводников обладают такие магнитооптические методы, как эффект Фарадея и магнито-поглощение. Именно с помощью этих методов были получены важные сведения об экситонах и зонной структуре кристаллов Оа&е, тогда как магнитооптические свойства других соединений к началу выполнения данной работы были мало изучены.
Делыо работы являлось проведение экспериментальных исследований оптических и магнитооптических свойств ряда слоистых кристаллов из групп А71 (СаЗ, СаВе, 1пВв), А^В71 (), А^В^ ()в Такое количество объектов исследования определено задачей поиска общих закономерностей проявления особенностей в оптических спектрах, присущих полупроводникам одного класса, но принадлежащих к различным группам.
При этом были поставлены следующие задачи: I. Исследование низкотемпературных спектров поглощения слоистых кристаллов халькогенидов галлия, индия и германия и выявление общих закономерностей в наблюдении экситонной структуры и в энергетическом спектре экситонов.
2. Изучение температурной зависимости основных характеристик эк-ситонной полосы поглощения в интервале 4,2 + 300 К и выявление особенностей экситон-фононного взаимодействия в слоистых кристаллах.
3. Исследование влияния примесей переходных элементов /чз и Мп на спектры поглощения и фотолюминесценции (на примере кристаллов In. Se),.
4. Использование магнитооптических измерений эффекта Фарадея и магнитопоглощения для определения параметров экситонов и зон в кристаллах.
Научная новизна" В работе проведены сравнительные экспериментальные исследования экситонной структуры в низкотемпературных спектрах поглощения кристаллов, характеризующихся сильно анизотропной слоистой решеткой. Установлено общее сходство энергетического спектра экситонов в кристаллах из различных групп и выявлены общие закономерности в температурной зависимости интегральных характеристик основной экситонной полосы, связанные с особенностями экситонного поглощения в слоистых полупроводниках.
Впервые обнаружена тонкая структура основного состояния эк-ситона в кристаллах In. Se, обусловловленная существованием в исследуемых образцах смеси ?- и ^ -политипов.
На примере кристаллов 1п§ е., легированных Ре и Мп, показано, что введение примесей приводит к размытию экситонной структуры в спектре поглощения и к существенной перестройке спектра фотолюминесценции (тушению экситонной линии и «возгоранию» длинноволнового участка).
Для кристаллов проведены магнитооптические исследования и на их основе определены параметры экситонов и зон (в частности, впервые оценена величина параметра анизотропии селенида индия Д^хбх/М^ 1.75).
Практическая ценность. Учитывая высокую чувствительность экси-тонных спектров исследуемых в работе кристаллов к их структурному совершенству, политипному составу, наличию примесей, однородности, полученные результаты могут быть использованы для контроля и совершенствования технологии выращивания качественных монокристаллов слоистых полупроводников.
Представленные в работе данные о линейности эффекта Фарадея в широком диапазоне магнитных полей для полупроводников и оцененные значения коэффициента Верде на частотах излучения гелий-неонового лазера можно использовать при создании на основе данных материалов магнитооптических устройств (модуляторов, затворов и др.).
На защиту выносятся следующие положения:
1. Спектры краевого поглощения слоистых кристаллов халькоге-нидов галлия, индия и германия при низких температурах характеризуются экситонной структурой, которая удовлетворительно описывается в рамках переходов между изотропными электронными состояниями.
2. Температурная зависимость интегральных характеристик экситонной полосы поглощения в слоистых кристаллах обнаруживает отличительные особенности, связанные с проявлением механизмов рассеяния экситонов на изгибных волнах и низкоэнергетических фононах.
3. Тонкая структура основного состояния экситона в 1пВе объясняется влиянием политипизма на экситонные спектры слоистых полупроводников.
4. Межзонный эффект Фарадея в полупроводниках АШВУ1 определяется вкладами прямых и непрямых переходов, а фарадеевское вращение в экситонной области описывается в рамках изотропной двух-зонной модели.
5. Для кристаллов 1п ве в магнитном поле имеет место диамагнитный сдвиг экситонных линий и их спиновое расщепление.
Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на Республиканской конференции молодых ученых (Черновцы, 1978 г.), Всесоюзной конференции «Материалы для оптоэлектроники» (Ужгород, 1980 г.), ХУ Всесоюзном семинаре «Экситоны в кристаллах» (Черновцы, 1981 г.), Всесоюзном совещании по люминесценции, посвященном 90-летию со дня рождения академика С. И. Вавилова (Ленинград, 1981 г. О, УП Всесоюзном симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (Ленинград, 1982 г.), ежегодных научных конференциях и семинарах Черновицкого государственного университета в период 1977;1983 гг.
Публикации. По результатам исследований опубликовано 10 работ.
Объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов, приложения, примечания, списка литературы, содержит страниц машинописного текста, 60 рисунков, 8 таблиц, 179 наименований литературных источников.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
1. На основании исследованной структуры края поглощения для всех изучаемых кристаллов (за исключением) установлено существование экситонных серий, состоящих из трех линий для &С1 $е ,.
1п?е, из двух линий для и по одному пику для Ое$е, ОеВе2, Показано, что энергетический спектр в случае наличия нескольких членов серии удовлетворительно описывается моделью трехмерных эк-ситонов Ванье-Мотта.
2. Из исследования температурной зависимости интегральных характеристик основной экситонной полосы для всех кристаллов выявлены следущие особенности: а) в области температур Т< 50 К имеет место сдвиг экситонной полосы, не сопровождающийся увеличением ее полушириныб) величины коэффициента (^Ета%1с1Т) существенно отличаются для интервалов Т< 50 К и Т>50 К, а знак коэффициента во всем интервале остается отрицательнымв) Интегральная интенсивность экситонной полосы увеличивается до ТКр = 100 К и переходит к насыщению при Т > Ткр. Обсуждение полученных особенностей дано в рамках теории, учитывающей взаимодействие экситонов с изгибными волнами (изгибными колебаниями слоев).
3. Обнаружена разновидность формы основной экситонной полосы поглощения, которая обусловлена различным политипным составом кристаллов 1пЗе. Наблюдаемое расщепление основного состояния экситона (ДЕ =2,5 мэВ) объясняется существованием в реальных кристаллах гексагональной? и ромбоэдрической умодификациями.
4. Проведены исследования влияния примесей переходных элементов Ре и Мп на спектры поглощения и фотолюминесценции монокристаллов 1пЗе. Установлено, что увеличение концентрации примеси приводит к значительному уменьшению вклада экситонной люминесценции и одновременному «возгоранию» длинноволнового участка спектра. Обнаружено уширение экситонной структуры в спектре поглощения легированных кристаллов и отсутствие концентрационного сдвига максимума основной экситонной полосы.
5. Для кристаллов орторомбической структуры &е$е и &е$е2 установлены поляризационные особенности края поглощения. Экси" тонная структура для (?е$е проявляется в обеих поляризациях, а длятолько в случае Еи&-. Показана удовлетворительная корреляция между спектрами фотопроводимости и поглощения кристаллов моноселенида германия.
6. На основании исследования межзонного эффекта Фарадея в полупроводниках проведено разделение вклада в фарадеевское вращение прямых разрешенных и непрямых запрещенных переходов. Показано сохранение линейности угла вращения в области прозрачности кристаллов по магнитному полю вплоть до 20 Т.
7. Показано, что в экситонной области спектр фарадеевского вращения носит резонансный характер и характеризуется сильной температурной зависимостью, особенно ярко проявляющейся в изменении амплитуды пиков. Из сопоставления экспериментальных результатов с теорией определен ряд зонных и экситонных параметров для крис таллов, А V*.
8. Обнаружены диамагнитный сдвиг и спиновое расщепление основного экситонного состояния в кристаллах In. Se при Т = 5 К и в магнитном поле с индукцией до 3 Т. Из магнитооптических измерений оценена величина параметра анизотропии для селенида ицция.
А = 1,75 .
Список литературы
- Абрикосов H.X., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В., Скудинова Е. В., Чижевская С. Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе.- М.: Мир, 1973.- 437 с.
- Абрикосов Н.Х., Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе А^В71. М.: Наука, 1975.- 195 с.
- Борн М., Вольф Д. Основы оптики.- М.: Наука, 1973.- 712 с.
- Е.Н.Ермаков, В. В. Ницович, Б. М. Ницович. Поглощение и рассеяние экситона в примесных кристаллах.- Киев, 1982, 20 с. (препринт ИФ АН УССР, 548−162.01).
- Ландсберг Г. С. Оптика.- М.: Наука, 1976.- 928 с.
- Мушинский В.П., Карман М. И. Оптические свойства халькоге-нидов галлия и индия.- Кишинев: Штиинца, 1973.- 114 с.
- Э.М.Омельяновский, В. И. Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М., «Металлургия», 1983, 192 с.
- С.М.Рябченко, Ю. Г. Семенов. Проявление носитель-примесных обменных взаимодействий в магнитолегированных полупроводниках. В кн.: Спектроскопия кристаллов. Ленинград, «Наука», 1983, с.206−225.
- Ф.Ф.Сизов, Ю. И. Уханов. Магнитооптические эффекты Фарадея и Фойгта в применении к полупроводникам. Киев, «Наукова думка», 1979.- 180 с.
- В.В.Соболев. Собственные энергетические уровни соединенийту утгруппы, А В. Кишинев: Штиинца, 1981, 284 с.
- П.Соболев В. В. Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и галлия.- Кишинев: Штиинца, 1982.- 271 с.
- Таблицы физических величин /Под редакцией И.К.Кикоина/.-М.: Атомиздат, 1976, с. 1008.
- Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников.- М.: Наука, 1977, — 306 с.
- Бакуменко B.JI., Ковалюк З. Д., Курбатов JI.H., Чишко В. Ф. Оптические свойства монокристаллов в области края фундаментального поглощения. П.- ФТП, 1976, т.10, № 7, с.1246−1250.
- Г. И.Беленький, В. Б. Стопачинский. Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы aV*. Успехи физ. наук, 140, Ш 2, с.233−270, 1983.
- Г. И.Беленький, З. Ю. Салаев, Р. А. Сулейманов, Э. И. Мирзоев. Влияние одноосной деформации на экситонные спектры ФТТ, 1980, т.22, № 10, с.3153−3154.
- Я.М.Билый, Я. О. Довгий. Спектр двумерного экситона в кристаллах Ь.-В кн.: Тезисы доклада республ.конф. по молекулярной спектроскопи. 4.1, Киев: Наукова думка, 1972, с.23−24.
- Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Сичка М. Ю. Три полиморфных формы кристаллов feSс.-Кристаллография, 1979, т.24, № I, с.83−89.
- И.В.Блонский, И. М. Раренко, Т. Н. Сушкевич, В. В. Фризель. Экситонные спектры легированных монокристаллов Р^Z .ФТТ, 1981, 23, № 8, с.2419−2421.
- И.В.Блонский, А. С. Крочун, А. В. Франив. Проявление фазовых структурных переходов в экситонных спектрах слоистого полупроводника. УФЕ, 26, № II, с. 1919−1922, 1981.
- С.А.Бойко, Д. И. Блецкан, С. Ф. Терехова. Оптические постоянные диселениды германия в области края собственного поглощения. УФЖ, 1980, 25, В 10, с.1740−1742.
- М.С.Бродин, И. В. Блонский, А. С. Крачук, Б. М. Ницович, А. В. Франив. Экситонное поглощение света в слоистых кристаллах. -ЖЭТФ, 83, № 9, с. 1052−1057, 1982.
- Бродин М.С., Гнатенко Ю. П. Исследование оптических свойств слоистого кристалла би^е .-УФЖ, 1966, т. П, № 7,с.759−765.
- Ватаманюк П.П., Савчук А. И. Датчик опорного напряжения.-ПТЭ, 1982, 1& 5, с.207−208.
- Ватаманюк П.П., Ляхович А. Н., Савчук А. И. Магнитооптическиео ссвойства полупроводников, А В .- В кн.: Тез.докл. Всесоюз. конф. «Материалы для оптоэлектроники». Ужгород, 1980, с. 133.
- Вихорев А.И. Влияние оптических приборов на поляризацию све-та.-Приборы и техника эксперимента, 1979, № I, с.175−178.
- Л.К.Водопьянов, Л. В. Голубев, Л. Ю. Кенчерпинский, Д.И.Блец-кан. Фазовый переход в монокристаллах & .- ФТТ, 1982, т.24, й 5, с.1562−1563.
- Гавалешко Н.П., Курик М. В., Делевский Г. Б., Ковалюк З. Д., Савчук А. И., Скицко И. Ф. Влияние одноосной деформации на экситонное поглощение в&$е и 1и .- УФЖ, 1974, т. 19, № 10, с.1741−1743.
- Гавалешко Н.П., Савчук А. И., Ватаманюк П. П., Ляхович А. Н. Влияние примеси Яе На оптические спектры монокристаллов 1ч? е .- УФ!, 1980, т.25, № II, с.1914−1915.
- Гавалешко Н.П., Савчук А. И., Ватаманюк П.П.1,Ляхович А. Н. Получение и оптические свойства монокристаллов .-Изв.АН СССР, Неорган, мат., 1981, т.17, В 3, с.538−539.
- Гавалешко Н.П., Савчук А. И., Ляхович А. Н., Ватаманюк П. П. Фотолюминесценция селенида индия, легированного железом.-В кн.: Тез. докл.Всесоюз.совещания по люминесценции. Л., 1981, с. 79.
- Гавалешко Н.П., Савчук А. И., Ватаманюк П. П., Ляхович А. Н. Эффект Фарадея в монокристаллах Iy.%t .- В кн.: Проблемы ядерной физики и космических лучей. Харьков, 1982,$ 17, с.86−90.
- Гавалешко Н.П., Ляхович А. Н., Ватаманюк П. П., Савчук А. И. Экситонные спектры кристаллов и .-Черновцы, Черновицкий госуниверситет, 1981, — 9 е.- Рукопись деп. в ВИНИТИ 15.10.81, № 4800−81 Деп.
- Гаджиев В. А. Соколов В.И., Субашиев К. К., Тагиев Б. К. Электропоглощение йЛе .- ФТТ, 1970, т.12, J& 5, с.1350−1354.
- Старухин А.И. Поляризационная люминесценция оптических кристаллов в магнитном поле.- ФТТ, 1980, т.22, J& 12, с.3620−3627.
- Тамару Е.М., Ивченко Е. Л., Пикус Г. Е., Разбирин Б. С., Стафе-ев В.И., Старухин А. И. Индуцируемый магнитным полем переход ориентация-выстраивание на связанных экситонах в кристаллейЛе ФТТ, 1982, т.24, № 8, с.2325−2334.
- Гашимзаде Ф.М., Гусейнова Д. А., Кулибеков A.M. Оптические спектры и зонная структура селенида германия.- Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников, т.1, 1982, Баку, с. 134.
- Ю.П.Гнатенко, З. Д. Ковалюк, П. А. Скубенко. Краевая люминесценция кристаллов GVbe «легированных примесями группы железа.- УФЖ, 27, № 6, с.838−842, 1982.
- И.С.Горбань, С. В. Ковтуненко, А. П. Маковецкая, А. В. Слободянюк, И. И. Тычина, В. А. Шевченко. Межзонный эффект Фарадея в тетрагональных кристаллах .- УФЖ, 1978,23, J? 6, с.1029−1032.
- Гросе Е.Ф. и др. Спектры поглощения кристаллов некоторых халькогенидов галлия.-Оптика и спектроскопия, 1959, т.6,с.56.
- Д.А.Гусейнов, А. М. Кулибеков, И. К. Нейманзаде. Экситонный край поглощения монокристаллов ikSe .-ФТП, 1983,17,№ 4,с.738−740.
- Давыдов И.В., Диев Н. П. 0 сублимации моносульфида германия.-ЖНХ, 1957, т.2, № 9, с.2003−2006.
- Дембовский С.А., Лойцнер Э. Н. Получение и исследование некоторых свойств монокристаллов дихалькогенидов германия.-Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1967, т.3,№ II, с.2092−2094.
- Л.А.Демчина, Д. В. Корбутяк, З. Д. Ковалюк, В. Г. Литовченко. Экситонные спектры интерколированного е .- ФТП, 16, № 9, с.1580−1583, 1982.
- Джонсон 0. Германий и его соединения.- Успехи химии, 1956, т.25, № I, с.105−132.
- В.Н.Ермаков, И. Н. Кроншевский, В. В. Ницович. Изучение спектров экситонного поглощения в примесных кристаллах. УФЖ, 1982, 27, J? 6, с.944−946.
- Захарчухс А.П., Терехова С. Ф., Тодоров С. М., Цебуля Г.Г.Край поглощения монокристаллов GtSe. ФТП, 1976, т. 10, № 12-с.2367−2370.
- Иванов-Эмин В. И. Селениды германия.- 10Х, 1940, т.10, А&- 21, C. I8I3-I8I8.
- С.С.Ищенко, С. М. Окулов, Г. Б. Абдуллаев, Г. Л. Беленький, В. Г. Грачев и др. ЭПР в монокристаллах ФТТ, 17. № 6, с.1794−1796, 1975.2−45. Караман М. И. и др. Излучение экситонов в ФТП, 1972, т.6, 12, с. 412.
- Карабанов С.Г., Зломанов В. П., Украинский Ю. М. О высокотемпературных модификациях моносульфида и моноселенида германия.-Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1970, т.6, № I, с.125−126.
- Караханов М.И., Соколова Л. П., Новоселова A.B., Пашинкин A.C. Изучение системы (л-по разрезу otSe^ .
- Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1976, т.12, № 8, с.1484−1485.248.1 З. Д. Ковалюк, А. И. Малик, А. И. Савчук. Дисперсия двойного лучепреломления в монокристаллах klz^ ФТП, 1975, 9, № 6, с.1216−1218.
- Д.В.Корбутяк, Л. А. Демчина, В. Г. Литовченко, З. Д. Ковалюк. Фотолюминесцентные свойства моноселенида индия, интерколи-рованного кадмием.- ФТП, 1983, 17, № 5, с.814−817.
- Курик М.В., Савчук А. И., Раренко И. М. О природе тонкой структуры поглощения &-Ле .- Оптика и спектроскопия, 1968, т.24, с.999−1002.
- Ле Хань Бинь, Субашиев В. К. О зонах .- ФТТ, 1971, т.13, с. 2996.
- Лидер К.Ф., Соловьев Л. Е. Оптические и фотоэлектрические свойства US и .-ФТТ, 1962, т.4,$ 6, с.1500−1502.
- Лю-цюнь-Хуа, Пашинкин A.C., Новоселова A.B. О диселениде германия.-ЖНХ, 1962, т.7, № 9, с.2159−2161.
- Савчук А.И., Гавалешко Н. П., Делевский Г. Б., Ковалюк З. Д. Гиперболические экситоны в l^Se- .- УФЖ, 1972, т.17, В 9, с.1548−1549.
- Савчук А.И., Ватаманюк П. П., Кица М. С., Ляхович А. Н., Слобо-дян В.З. Структура спектра поглощения монокристаллов fts"^ Изв. АН СССР, Неорган.мат., 1980, т.16, № 12,с.2258−2260.
- Савчук А.И., Гавалешко Н. П., Ватаманюк П. П., Ляхович А. Н. Дисперсия фарадеевского вращения в экситонной области спектра моноселенида индия.-Оптика и спектроскопия, 1982, т.53, № 10, с.842−944.
- Салаев Э.Ю. и др. Поглощение двумерных экситонов в &Se ФТП, 1971, т.1, im, с. 2325.260.' Салаев Э. Ю., Гашимзаде Ф. М., Халипов В. Х. Межзонный эффект Фарадея ФШ, 1972, т.6, №. 2, с.267−270.
- Салаев Э.Ю., Халипов В. Х., Антонов В. Б., Найн Р. Х. Эффект Фарадея в области экситонного поглощения в &Se ФТП, 1982, т.6, й 2, с.267−270.
- Сахновский М.Ю., Тимофеев В. Б., Якимова A.C. Спектры собственного поглощения и оптические переходы в монокристаллах .-ФТП, 1968, т.2, JS 2, с.199−205.
- Сепаторова Н.Р. Влияние поляризационных свойств спектральной аппаратуры на результаты спектральных измерений.- ПТЭ, 1978, № 6, с.134−138.
- В.В.Соболев, В. И. Донецких. Спектры отражения некоторых халькогенидов германия и олова.- Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1972, 8, № 4, с.688−692.
- Соболев В.В. и др. Спектры отражения монохалькогенидов галлия.- В кн.: Тезисы доклада Всесоюзной конференции по хим. связи в полупроводниках. Минск, АН БССР, 1974, с. 139.
- Соломонов Ю.Ф., Субашиев В. К. Глубокие свободные и связанные экситоны и биэкситоны в и их коллективные взаимодействия.- Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, № 5, с.278−282.
- Субашиев В.К., Ле Хан Бинь. Прямое наблюдение гиперболических экситонов.- Письма в ЖЭТФ, 1970, т.12, № 3, с. 139.
- Субботин С.И., Панфилов В. В., Верещагин Л. Ф., Молчанова Р. Т. Ахундов Г. А. Смещение максимума экситонного поглощения и фазовый переход в селениде галлия под действием гидростатического давления.- ДАН СССР, 1972, т.202, IS 5, с. 1039.
- Харламов Б.М., Улицкий Н. И., Пындык A.M., Подобедов В. Б. Установка для низкотемпературных спектральных исследований в мильных импульсных полях.- ПТЭ, 1981, № I, с.204−207.
- Abdulajeva S.G., Gadjiev V.A., Keriraova T.G., Salayev E.Y. Electroabsorption in laminated GaSe S1 semiconductors in1. X I ««Xfundamental absorption edge region.- Nuovo Gimento, 1977, v.38, N 2, pp.459−469.
- Abdulayev G.B., Belenkii G.L., Salayev ii.Yu., Suleimanov R.A. Interlayer interaction and exciton spectrum of Gade at low temperatures.- Nuovo Gimento, 1977, V.38B, N 2, pp.469 477.
- Andriyashik M.V., Sakhnovskii M.Yu., Timofeev V.B., Yaki-mova a.?>. Optical transition in the spectra of the fundamental absorption and reflection of In3e single crystals.-Phys.3tat.Sol., 1968, v.28, N 1, pp.277−285.
- Aoyagi K., Misu A., Kuwabara G., Hishina Y., Kurita ?3., Fu-kuroi Т., Akimoto 0., Shinada M., ?>ugano 3. Magneto-optical studies of exciton effects in layer-type semiconductors.2.76.2.77.2.78.2.79.2.80.281. 2.82.2.83.2.84.2.85.2.86.
- Balzarotti A., Piacentini M. Excitonic effect at the direct absorption edges of GaSe.- Sol.?tate Communs, 1972, v.10, W 5, pp.421−425.
- Bassani P., Grenaway D.L., Fisher G. Proc.Int.Conf.Phys.Semi-cond., Paris, 1964, B-5, pp.51−56.
- Besson J.M., Jain K.P., Kuhn A. Optical absorption edge in GaSe under hydrostatic pressure.- Phys.Rev.Letters, 1974, V.32, N 17, pp.932−936.
- Bianchi D., Emiliani U., Podini P. Tridimensional character of GaSe excitons in the Faraday effect.- Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.68, N 1, pp.435−441.
- Boiko S.A., Bletskan D.I., Terekhova S.F. Exciton absorption of germanium diselenide.- Phys.Stat.Sol.(b), 1978, v.90,1. N 1, pp. K49-K52.
- Boswarwa I.M., Howard R.E., Lidiard A.B. Faraday effect in semiconductors.- Proc.Roy.Soc., 1962, a269, pp.125−141.
- Brebner J.L., Fisher G. Optical properties of the layer structures GaTe, GaSe and GaS.- Proc.Int.Conf.Phys.Semicond., Exeter, 1962, pp.760−765.
- Brebner J.L., Mooser E. Excitons in GaSe polytypes.- Phys. Letters, 1967, v.24a, N 5, pp.274−275.
- Brebner J.L., Mooser E. Electroabsorption in GaSe.- Helv. Phys. Acta, 1965, v. 36, pp.656−662.
- Brebner J.L., Halpern J., Mooser E. Magneto-optical absorption in GaSe.- Helv.Phys.Acta, 1967, v.40, N 4, pp.385−390.
- Burgeat Par.J., Roux G.Le., Brenac A. Sur une nouveile forme crystallin de GeSe?.- J.Appl.Cryst., 1975, v.3, N 2, pp.325−327.
- Camassel J., Merle P., Mathieu H., Ghevy A. Excitonic absorption edge of indium selenide.- Phys.Rev., 1968, B.17, N 12, pp.4718−4725.
- Depeursinge J. Electronic Band structure for the polytypes of GaSe.- Nuovo Gimento, 1977, v. B38, pp.153−157.297. uittmar G., Schafer H. Die Krystallstruktur von Germaniumselenide.- Acta crystallogr., 1976, v. B32, pp.2726−2728.
- Doni E., Girlanda R., Grasso V., Balzarotti A., Diacuitini M. Electronic properties of the III-VT layer compounds. I:
- Band structure of GaS, GaSe and InSe.- Nuovo Gimento, 1979, v. B51, pp.154−163.
- Личное участие диссертанта в работах, опубликованных в соавторстве, заключается в следующем:
- Н.П.Гавалешко, А. И. Савчук, П. П. Ватаманюк, А. Н. Ляхович. Влияние примеси Ге на оптические спектры монокристаллов .и Ье.-УФЖ, 1980, т.25, Л II, с. 1932.
- В данной работе диссертантом получены монокристаллы селе-нида индия, легированного железом. Диссертант принял участие в обсуждении полученных экспериментальных результатов.
- Н^П.Гавалешко, А. И. Савчук, П. П. Ватаманюк, А. Н. Ляхович. Получение и оптические свойства монокристаллов 6» .- Неорг. материалы, 1981, т.17, № 3.
- А.И.Савчук, П. П. Ватаманюк, М. С. Кица, А. Н. Ляхович, В. З. Слободян. Структура спектра поглощения монокристаллов Неорг.мат., 1980, т.16, № 12.
- В данных работах диссертантом получены монокристаллы ди-халькогенидов германия, а также принял участие в проведении эксперимента и в обсуждении.
- П.П.Ватаманюк, А. Н. Ляхович, А. И. Савчук. Магнитооптические свойства полупроводников АШВ^.- Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Материалы для оптоэлектроники», Ужгород, 1980, с. 133.
- Н.П.Гавалешко, А. Н. Ляхович, П. П. Ватаманюк, А. И. Савчук. Эффект Фарадея в слоистых соединениях А^В1.- «. 1982, № Ю, К ИЗ, 447.
- В данных работах диссертант принял участие в проведении эксперимента и обсуждении полученных результатов.
- А.И.Савчук, Н. П. Гавалешко, П. П. Ватаманюк, А. Н. Ляхович. Фотолюминесценция селенида индия, легированного железом. Тез. Всесоюзного совещания по люминесценции. Ленинград, 1981, с. 95.
- Н.П.Гавалешко, А. Н. Ляхович, А. И. Савчук, П. П. Ватаманюк, М. С. Кица. Оптические спектры монокристаллов 1ц? е. легированных примесями Р».,, Тезисы Всесоюзного совещания по спектроскопии.
- Диссертантом получены монокристаллы, проведен эксперимент, а также совместно с другими соавторами проведено обсуждение результатов.
- Н.П.Гавалешко, А. И. Савчук, П. П. Ватаманюк, А. Н. Ляхович. Эффект Фарадея в монокристаллахЬе .- В сб.: Проблемы ядерной физики и космических лучей (Харьков), 1982, № 17, с.86−90.
- А.И.Савчук, Н. П. Гавалешко, П. П. Ватаманюк, А. Н. Ляхович. Дисперсия фарадеевского вращения в экситонной области спектра моноселенида индия. «Оптика и спектроскопия», 1982, т.53, 942.
- В данных работах проведен эксперимент и принято участие в обсуждении результатов.
- Н.П.Гавалешко, А. Н. Ляхович, П. П. Ватаманюк, А. И. Савчук. Экситонные спектры кристаллов Се5е и (теЬе^. Черновцы, 1981, Черновицкий госуниверситет, 9 е., с илл., библ.9 /Рукопись деп. в ВИНИТИ 15 октября 1981 г. № 4800 81 Деп/.
- В данной работе диссертантом проведена экспериментальная часть и получены монокристаллы.