Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и электрофизическое состояние поверхности некоторых свинецсодержащих материалов

Диссертация: Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и электрофизическое состояние поверхности некоторых свинецсодержащих материалов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Спектры АЭЭ отражают распределение потенциала 9(2) по глубине, причем положение начала спектра Ешш соответствует величине поверхностного потенциала <�р*, а положение максимума спектра Е, пах — экстремальному значению потенциала <�ртах на некоторой глубине /о~ /о-5. Спектры АЭЭ существуют все время существования электретного заряда, а их изменения отражают изменения в распределении зарядов… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И КОНСТРУКТИВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ РЕНТГЕНОВСКОГО ФОТОЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРОМЕТРА С АНАЛИЗАТОРОМ ТИПА СФЕРИЧЕСКИЙ ДЕФЛЕКТОР
    • 1. 1. Сравнительный анализ светимости анализаторов типа сферический дефлектор (СД) и цилиндрическое зеркало (ЦЗ)
    • 1. 2. Аппаратная функция анализатора СД
    • 1. 3. Влияние торможения электронов перед входом в анализатор на характеристики спектрометров
    • 1. 4. Конструкция и устройство спектрометра РФЭС
    • 1. 5. Электронно-оптические характеристики спектрометра
    • 1. 6. Результаты и
  • выводы
  • 2. ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ И МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ СВИНЦОВОСИЛИКАТНЫХ СТЕКОЛ И МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН НА ИХ ОСНОВЕ
    • 2. 1. Строение поверхности и приповерхностных слоев свинцово-силикатных стекол и микроканальных пластин (обзор литературы)
    • 2. 2. Методика получения и характеристики исследованных образцов
    • 2. 3. Состав поверхности и диффузионные явления в свинцовосиликатных стеклах
    • 2. 4. Химсвязь и состав поверхности микроканальных пластин
    • 2. 5. Особенности формирования проводящего слоя в модельных образцах и микроканальных пластинках
    • 2. 6. Диффузионные явления на поверхностях конструктивных элементов микроканальных пластин
    • 2. 7. Выводы
  • 3. ПРОЯВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ УГЛЕЙ В ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ ИХ РФЭ-СПЕКТРОВ
    • 3. 1. Эффекты зарядки на поверхности непроводящих объектов
    • 3. 2. Характеристики РФЭ-спектров полисахаридов и углей
    • 3. 3. Изменение РФЭ-спектров углей в ряду метаморфизма
    • 3. 4. Связь параметров РФЭ-спектров с электрофизическими свойствами
    • 3. 5. Выводы
  • 4. СОСТАВ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНОНИОБАТА СВИНЦА
    • 4. 1. Поверхность сегнетоэлектрических материалов
    • 4. 2. Изменение состава поверхности МК РМИ при температурных воздействиях
    • 4. 3. Состав поверхности МК и его электрофизические свойства
    • 4. 4. Выводы
  • 5. СПЕКТРОСКОПИЯ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МАГНОНИОБАТЕ СВИНЦА
    • 5. 1. Спектры эмиссии электронов малых энергий, возбужденных мягким рентгеновским излучением
    • 5. 2. Аномальная электронная эмиссия с поверхности монокристаллов магнониобата свинца
    • 5. 3. Модель ЭЭ из сегнетоэлектрика-электрета
    • 5. 4. Выводы

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и электрофизическое состояние поверхности некоторых свинецсодержащих материалов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Определяющее влияние поверхности на физико-химические свойства веществ в конденсированном состоянии стало осознаваться исследователями по мере развития в 60е-70е годы техники сверхвысокого вакуума (СВВ) и таких поверхностно-чувствительных методов исследования как ультрафиолетовая (УФЭС) и рентгеновская (РФЭС) фотоэлектронная спектроскопия, а также электронная оже-спектроскопия (ЭОС [1−4]. Исторически впервые такое понимание появилось при исследовании проблем гетерогенного катализа, при котором микроскопические количества ультрадисперсных катализаторов кардинально изменяют ход химических процессов. Развитие производства новых материалов, особенно полупроводниковых, и приборов микроэлектроники на их основе сделало актуальной задачу обнаружения и идентификации различных примесей, появляющихся в результате диффузионных процессов как на свободных поверхностях, так и на границах раздела (металл-полупроводник, р-п-переход и т. п.) Использование при создании полупроводниковых устройств таких технологических приемов как ионная имплантация и молекулярно-лучевая эпитаксия приводит к появлению поверхностных структур, чрезвычайно чувствительных к свойствам исходной поверхности полупроводника. Проблемы появления сверхструктурных перестроек (81) или изменений углов связей (ваАв) на свободных поверхностях полупроводников, влияющие на их электрофизические свойства, также далеки от своего разрешения.

Помимо прикладных аспектов интереса к поверхности имеется и фундаментальный, связанный с рассмотрением поверхности как особой разновидности дефекта твердого тела, вызывающего нарушения идеальной периодической структуры твердого тела. Образование поверхности, вызывая нарушение трансляционной симметрии в одном из направлений, приводит к появлению новых локализованных электронных и колебательных состояний. Их вид и характер распределения во многом определяют физико-химические свойства поверхности и объекта в целом.

Особую роль поверхностные состояния (ПС) играют в сегнетоэлектриках (СЭ), поскольку в них большая часть компенсирующего заряда локализуется на поверхности. Как было показано [5], при достаточно большой плотности ПС (N5 ~ 1014 см" 2-эВ" !) поведение СЭ в основном будет определяться именно структурой поверхностных уровней. Такая величина плотности ПС выглядит, возможно, слишком большой для идеальной поверхности, однако она вполне реализуема для реальной поверхности монокристалла. Структура ПС реальной поверхности будет складываться как из собственных, так и примесных ПС, в т. ч. адсорбционного происхождения. Причем процесс ее формирования будет самосогласован с диффузионными процессами: заряд на ПС исходной поверхности вызывает изменения в равномерном распределении примесей (в т.ч. вакансий) в объеме кристалла, а диффузионные явления, изменяя состав поверхности, влияют на ее абсорбционные способности, что в свою очередь, приводит к изменению зарядового состояния поверхности и т. д. Определение физической природы тех или других ПС на поверхности реальных твердых тел и их влияние на электрофизические свойства объектов является чрезвычайно важной задачей как для понимания фундаментальных основ сегнетоэлектричества, так и в плане практических применений конкретных материалов. Экстремальные значения плотности поверхностных зарядов (Р5 >: 10″ 5 Кл-см" 2) отмечаются для сегнетоэлектриков из класса оксидов семейства перовскита (ОСП), обладающих и многими другими уникальными электрофизическими свойствами [6]. В процессе переполяризации свинцовосодержащих ОСП, являющихся не только СЭ, но и хорошими изоляторами, важную роль играют так называемые «сверхмедленные релаксации». Моделирование такого рода процессов удается осуществить при релаксации электретного заряда в поляризованных электретах — СЭ. Высокие значения (т > 105 с) характерного времени «сверхмедленных релаксаций» в свинецсодержащих ОСП сопоставимы с диффузионными временами носителей, что может приводить к взаимному влиянию процессов диффузии и переполяризации. Это влияние возрастает при термополевых воздействиях на образец в процессе его подготовки и эксплуатации.

Аналогичное влияние диффузионных процессов, изменяющих как состав приповерхностного слоя, так и его электрофизические характеристики, отмечается для свинцовосиликатных стекол (ССС), служащих основой для производства детекторов частиц и ионизирующих излучений [7].

Метод РФЭС является мощным инструментом исследования элементного состава поверхности твердых тел, а высокая чувствительность РФЭ-линий элемента к его химическому окружению, приводящая к изменениям их энергетического положения (химсдвигам), позволяет идентифицировать не только сам элемент, но и функциональную группу, в состав которой он входит [8,9]. Все это нашло отражение в первоначальном названии метода РФЭС: Электронная Спектроскопия для Химического Анализа (ЭСХА) [1], зачастую используемый и сегодня. Однако при таком подходе почти полностью игнорируется информация, заключенная в энергетических характеристиках.

РФЭ-спектров (исключая химсдвиг). Более того, уширение РФЭ-линий и их энергетический сдвиг, возникающие в следствие так называемой «зарядки» слабопроводящих образцов (полупроводников и изоляторов), как правило, рассматриваются как мешающие факторы, отрицательно влияющие на точность и вопроизводимость получаемых аналитических результатов [8−10]. А ведь в энергетических характеристиках РФЭ-спектров содержится информация об электрофизических свойствах поверхности объекта, в т. ч. ее зарядовом состоянии. Несмотря на богатую историю развития метода РФЭС, его использование в качестве инструмента исследования электрофизичских свойств полупроводников и изоляторов практически равно нулю.

Таким образом комплексное использование аналитических возможностей метода РФЭС (определение состава и характера химсвязей) и учет влияния электрофизических свойств образцов на энергетические характеристики РФЭ-спектров, необходимы при исследовании процессов на поверхностях полупроводниковых и диэлектрических (в т.ч. сегнетоэлектрических) материалов. Кроме того исследование веществ, являющихся в том числе эмиттерами электронов, фотоэлектронным методом (РФЭС) позволят получать информацию об их эмиссионных характеристиках непосредственно из их РФЭ спектров.

Актуальность темы

Актуальность проблемы деградации свободных поверхностей однородных кристаллов и границ раздела различных фаз под влиянием адсорбционных и диффузионных процессов, протекающих в приповерхностных (приграничных) слоях вещества, вытекает из все более широкого использования именно поверхностных (граничных) свойств твердых тел в конкретных приборах и устройствах. Задача получения стабильных характеристик исходных поверхностей создаваемых, как правило, в целом ряде технологических циклов, усугубляется проблемой их сохранения в процессе эксплуатации прибора. Если учесть, что изготовление и эксплуатация прибора сопровождается воздействием различных факторов (температуры, полевые, ионизирующие излучения и т. д.), то для уменьшения их влияния на характеристики прибора необходимо точное знание характера и величины каждого из этих воздействий на свойства поверхности.

Бурно растущее использование электрически активных материалов (в том числе свинецсодержащих ОСП) в составе переключающих элементов (оптических модуляторов и преобразователей, ВЧ-полевых эмиттеров и т. п.) делает актуальной выяснение причин усталостных явлений, приводящих к ухудшению характеристик приборов и их выходу из строя.

Понимание природы процессов, происходящих на поверхности твердого тела, позволит не только улучшить характеристики приборов и увеличить их долговечность, но и окажет положительное влияние на развитие фундаментальных основ физики эмиссионных и поляризационных явлений.

Целью работы является :

1. Оценка принципиальной возможности получения информации об электрофизических свойствах поверхностных слоев твердых тел из характеристик их РФЭ-спектров.

2. Установление взаимосвязи между элементным составом поверхности и ее электрофизическими свойствами, находящими свое отражение в РФЭ-спектрах образцов.

3. Исследование химсвязи и элементного состава поверхностей свинцовосиликатных стекол и монокристаллов магнониобата свинца после различных физико-химических воздействий.

Объекты исследования: свинцовосиликатные стекла типа 6Ва 4 и микроканальные пластины (МКП) на их основеполикристаллы каменных углей и полисахаровмонокристаллы магнониобата свинца (МК PMN).

Методы исследования — рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) — электронная Оже-спектроскопия (ОЭС) в совокупности с послойным ионным травлениемрастровая электронная микроскопия (РЭМ) и рентгеноспектральный микроанализ (РСМА).

Научная новизна. Впервые исследованы комплексом методом (РФЭС, ЭОС, РСМА) поверхности МКП и элементов их сборки (ОЖС и МЖС), подвергнутые различным воздействиям (химическое травление, отжиг на воздухе, восстановление в водороде) и установлены кардинальные отличия в химсвязи и составы поверхностей МКП по сравнению с поверхностями исходных ССС. Для модельных стекол установлен новый механизм образования барьерного слоя, препятствующего диффузии свинца к поверхности, отличающийся от механизма его формирования в исходных ССС. Показано, чт (именно формирование этого слоя в МКП, происходящее на стадиях предварительного прогрева на воздухе в присутствии механических нагрузок, полностью определяет диффузионные процессы в приповерхностных слоях МКП.

Впервые систематически исследованы методом РФЭС каменные угли в ряду метаморфизма и установлено немонотонное изменение энергетических характеристик РФЭ-спектров с максимальными значениями для углей с содержанием углерода ~ 90−91%. Показано, что энергетические характеристики РФЭ-спектров углей отражают изменения их электропроводности, которая имеет примесный характер и определяется содержанием кислорода в углях.

Впервые исследованы комплексом методов (РФЭС, ЭОС и РСМА) МК РМИ и установлены закономерности формирования состава их приповерхностных слоев в различных внешних условиях.

Впервые установлены корреляционные зависимости между сверхстехиометриче-ским содержанием свинца на поверхности МК РМЫ и его электретными свойствами при поляризации в коронном разряде.

Впервые разработаны основы методики спектроскопии рентгеновской эмиссии электронов малых энергий (РЭЭМЭ) (0−20 эВ), возбужденной мягким рентгеновским излучением, и показана перспективность ее использования для исследования электрофизических свойств твердых тел.

Применение данной методики в исследовании электретного состояния МК РМЫ позволило впервые обнаружить дополнительную электронную эмиссию, возбужденную рентгеновским излучением, с поверхности сегнетоэлектрика, в которую инжектирован электронный заряд (явление аномальной электронной эмиссии — АЭЭ). Исследование временных зависимостей характеристик спектров АЭЭ показали их однозначную зависимость от величины электретного заряда, а также возможность получения информации о распределении потенциала по глубине образца из спектров АЭЭ.

Практическая ценность. Численные расчеты анализаторов типа сферический дефлектор (СД) с использованием аналитических выражений, полученных в настоящей работе, позволили установить оптимальные значения геометрических параметров анализаторов типа СД с различным энергетическим разрешением Я. Полученные результаты позволили создать в НИИ Физики РГУ рентгеновский фотоэлектронный спектрометр РФЭС-1, с анализатором типа СД (К = 10'2), по своим электронно-оптическим свойствам не уступающий выпускаемым аналогам, а также могут быть использованы при расчетах анализаторов заряженных частиц.

Экспериментально установленный в настоящей работе технологический этап производства МКП, на котором происходит формирование барьерного слоя, изменяющего диффузионные характеристики МКП, создает базу для внесения изменений в технологию изготовления МКП с целью улучшения их эмиссионных характеристик.

Установленные в работе закономерности формирования состава поверхности и его влияния на электрофизические свойства полупроводников и изоляторов, которые отражаются в энергетических характеристиках их РФЭ-спектров, позволяют не только исследовать, но и прогнозировать некоторые электрофизические свойства (величину и тип проводимости, электретные свойства и т. п.) этих объектов по их РФЭ-спектрам.

Разработанная в настоящей работе методика спектроскопии электронов малых энергий (РЭЭМЭ) является новым перспективным инструментом исследования неравновесных состояний в сегнетоэлектрических материалах, позволяя, в частности, получать информацию о распределении потенциала по глубине образца (до <100 нм) и его изменении во времени.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изложенных на 166 страницах, и содержит 74 рисунка, 13 таблиц и библиографию из 183 названий.

5.4. Выводы.

1. Энергетические и токовые характеристики спектров эмиссии электронов малых энергий (0−20 >В), возбужденных мягким рентгеновским изучением (РЭЭМЭ), несут информацию об электрических свойствах образца и электрических условиях в его приповерхностном слое толщиной, равной глубине выхода медленных электронов /у > 10 нм, величина которой на порядок больше глубины метода РФЭС.

2. Спектры ЭЭ, полученные с «отрицательных» поверхностей сегнетоэлсктрика-электрета, содержат дополнительный эмиссионный пик, отсутствующий в спектрах «нейтральных» и «положительных» поверхностей кристалла, интегральная интенсивность которого на 2−3 порядка выше интенсивности спектров «нейтральной» поверхности (явление Аномальной Электронной Эмиссии — АЭЭ).

3. Предложена модель, в которой появление АЭЭ объясняется наличием немонотонного распределения потенциала ср (г) по глубине образца, возникающего в результате отклика СЭ па инжектированный при его поляризации заряд и способствующего выходу электронов из кристалла. Эмиссионный ток имеет туннельный характер, усилению которого способствует ускоряющее электрическое иоле величиной ?>

8- Ю9 В/м, существующие в приповерхностном слое, толщиной ~/у.

4. Спектры АЭЭ отражают распределение потенциала 9(2) по глубине, причем положение начала спектра Ешш соответствует величине поверхностного потенциала <р*, а положение максимума спектра Е, пах — экстремальному значению потенциала <ртах на некоторой глубине /о~ /о-5. Спектры АЭЭ существуют все время существования электретного заряда, а их изменения отражают изменения в распределении зарядов по глубине образца с течением времени после его поляризации, что позволяет исследовать кинетику релаксации электретного заряда по спектрам АЭЭ. В частности, характерные времена т изменения энергетических параметров спектров АЭЭ (Еп, ьь Етах) совпадают с временем т релаксации электретного заряда в МК РМЫ, измеренными электрофизическими методами.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате выполнения настоящей работы получены следующие научные результаты:

1. Создан рентгеновский фотоэлектронный спектрометр с анализатором 180 СД с оптимальными геометрическими размерами, электронно-оптические характеристики которого не уступают серийно выпускаемым аналогам.

2. Обнаружен новый механизм образования барьерного слоя, препятствующего диффузии свинца к поверхности модельных ССС, полностью определяющий эмиссионные характеристики этих ССС.

3. Установлена гиперболическая зависимость энергетических характеристик Cl sи.

01 sспектров полисахаров от объемного содержания кислорода Со в них, ч то объясняется монотонным ростом их поверхностной проводимости с ростом С ().

4. Немонотонное изменение энергетических характеристик Cl sи Oisспектров углей в ряду метаморфизма, принимающих максимальные значения для углей с содержанием углерода Сс~ (90=91) %, объясняется немонотонным характером зависимости их поверхностной проводимости, величина которой определяется не только объемной концентрацией кислорода, но и относительным его дефицитом в приповерхностной области, имеющим максимальное значение для углей с Cc~- (90−91) %.

5. Естественное старение в воздушной среде при комнатной температуре МК PMN сопровождается ростом поверхностной концентрации магния, что объясняется максимальной (из возможных) величиной теплоты образования его окисла (MgO). Увеличение температуры и времени отжига приводит к усилению диффузии свинца к поверхности и формированию фаз с дефицитом или полным отсутствием ниобия.

6. Кагиоиный состав поверхности МК PMN, полученной после отжига, определяет' се электретные свойства. Рост сверхстехиометрического содержания свинца на поверхности, обуславливающий ослабление степени ее дефектности, приводит к уменьшению величины электрического потенциала при увеличении времени её релаксации.

7. Разработаны физические основы и экспериментальные методики получения спектров эмиссии электронов малых (0−20 эВ) энергий, возбужденных мягким рентгеновским излучением (спектроскопия РЭЭМЭ),.

8. Установлено наличие в спектрах ЭЭ с «отрицательных» поверхностей сегнетоэлек-трика-электре га дополнительного пика, отсутствующего в спектрах «нейтральных» и «положительных» поверхностей, имеющего интенсивность на 2−3 порядка большую, чем с нейтральной поверхности (явление Аномальной Электронной Эмиссии).

9. Предложена модель, объясняющая АЭЭ наличием ускоряющего электрического поля в приповерхностном слое, возникающего в результате отклика СЭ на инжектированный при его поляризации заряд и способствующего выходу электронов в вакуум. Перепад потенциалов в приповерхностной области достигает ~ 100 В, а спектры АЭЭ отражают существующее распределение потенциала ф (г) по глубине образца.

Ю.Изменения спектров АЭЭ с течением времени после поляризации, отражая изменения в распределении потенциала ф (г), позволяют исследовать кинетику релаксации электретного заряда в течение всего времени его существования.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К., Нордлинг К., Фольмен А. и др. Электронная спектроскопия.- М: Мир, 1971.-493 с.
  2. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии/ Под ред. Д. Бриггса и М. П. Сиха. М: Мир, 1987, 600 с
  3. Д. Дел чар Т. Современные методы исследования поверхности. М. Мир, 1989.-568
  4. Карлсон Т. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия. Л.: Машиностроение, 1981.- 431 с.
  5. .В. Поверхностные уровни сегнетоэлектрических кристаллов// Кристаллография. 1974. — Т. 19, N 2. — С. 221−227.
  6. Е.Г. Семейство перовскитаи сегнетоэлектричество. М: Атомиздат, 1972. -248 с.
  7. М. Р. Поленов Б.В. Вторично-элект ронные умножители открытого типа и их применение. М: Энергоиздат, 1981. 138 с.
  8. В. И. Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М: Науки, 1983. — 296 с.
  9. В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. М: Химия, 1983. — 296 с.
  10. В. В. Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наукова думка, 1976. — 336 с
  11. В.П., Явор С. Я. Электростатические энергоанализаторы для пучков заряженных частиц. М: Наука, 1978. -224 с
  12. Козлов И. Г. Современные проблемы электронной спектроскопии
  13. А. Г. Никольский A.B. О светимости анализатора типа сферический дефлектор для целей рентгеноэлекгроиной спектроскопии
  14. В.В., Корсунский М. И., Лавров В. П., Редькин B.C. О влиянии конечного размера конечного размера источника на фокусировку пучка заряженных частиц в электростатическом спектрометре с цилиндрическим полем// ЖТФ. -1971. Т. 41, N 1.-С. 187−192.
  15. В.В., Савенко И. А., Савин Б. И. О применении электростатических анализаторов для изучения легкой заряженной компоненты космического излучения// Геомагнетизм и аэрономия. 1961. — Т. 1, N 6. — С. 981−994.
  16. И.Б. Светосильный электростатический анализатор, принимающий частицы из полусферы// Геомагнетизм и аэрономия. 1961. — Т. 1, N 6. — С. 995−998.
  17. Paolinu F.R., Tlieodoridis G.C. Charged particle transmission through spherical plate electrostatic analyzer// Rev. Sci. Instr. 1967/ V. 38, N 5. — P. 579−588.
  18. Tlieodoridis G.C., Paolinu F.R. The angular response of spherical plate electrostatic analyzer// Rev. Sci. Instr. 1969. — V. 40, N 5. — P. 621−631.
  19. Chaise L.M. the geometrical factor of large aperture hemispherical electrostatic analyzer// Rev. Sci. Instr. 1973. — V. 44, N 8. — P. 998−1003.
  20. Helmer J.S. Weicheit N. I I. Enhancement of sensivity in ESCA spectrometer// Appl. Phys. Lett. 1968.-V. 13, N2.-P. 266−268.
  21. В.П., Явор С. Я. О возможности увеличения светимости энергоанализаторов за счет оптимизации параметров пучка// ЖТФ. 1975. — Т.45, N 3,-с. 471−480.
  22. ICemeny Р.С., Mchachlan A.D., Baltge F.L. et al. An analysis of the transmission properties of spherical electrostatic electron spectrometer// Rev. Sci. Instr. 1972. — V. 44, N9.-P. 1197−1203.
  23. Л. И. Юматов В.Д., Мурахтанов B.B. и др. Рентгеновские спектры молекул.- Новосибирск: Наука, 1977. 334 с.
  24. Fraser W.A., Florio J.V., Delgass W.N., Robertson W.D. Au X-ray pholoclcctron spectrometer designed for surface research// Rev. Sci. Instr. 1973. — V. 44, N 10. — P. 1490−1496.
  25. O.M., Болотов Б. Б., Гелевер В. Д., Кремков М. В. Спектрометр медленных электронов для исследования поверхности твердых тел// ПТЭ. 1973. — N 6. — С. 3032.
  26. Simson J.A. High resolution low energy electron spectrometer// Rev. Sci. Instr. 1964. -V. 35, N 12. — P. 1698−1704.
  27. Ю.И., Колесников В. И., Козаков А. Т., Никольский A.B. Исследование фрикционного переноса политетрафторэтилена методом рентгеноэлектронной спектроскопии// Вестник машиностроения. 1985. — N 2. — С. 33−36
  28. A.B., Козаков А. Т., Кравченко В. Н. Динамика изменения химического состояния поверхностей трения металлополимерных сопряжений в процессе фрикционного взаимодействия // Трение и износ. 1988. — Т. 9, N 5. — С. 860−869.
  29. A.C. Сучков В. В., Козаков А. Т., Никольский A.B. Исследование комплексобразования при трибохимических превращениях 1 (теноил-2) — 3.3.3. трифторацетона//Трение и износ. — 1989.-Т. 10, N6.-С. 1031−1037.
  30. А.Т., Любимов Д. Н., Никольский A.B., Иванов А. Е., Панасюк М. М., Козаченко H.H. Влияние структуры «третьего тела» на фрикционные характеристики сопряжения эпоксидный композит- металл. // Трение и износ. 1992. -Т. 13, N 6.-С. 1032−1038.
  31. Blodgeu K.B. Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment// J. Amer. Ceram. Soc. 1951. — V. 34, N 1. — P. 14−17.
  32. В.И. Исследование процесса восстановления свинца при обработке свинцового стекла в восстановительном пламени// ДАН СССР. 1954. -Т. 96, N 4. — С. 745−747.
  33. Е.А. Химический состав фазы восстанавливающейся на поверхности высокосвинцовых стекол в процессе их термообработки в водороде// Журнал прикладной химии. 1965. — Т. 38, N 10. — С. 2192−2196.
  34. Trap H.J.l. Les effect de quelques traitements conventionnels sur la conductibilite superficielle du verre// Verres et refract. 1969. — V. 23, N 1. — P. 28−37.
  35. Д.К., Канчиев З. И., Копаева Г. Я., Печерская К. П. Исследование пропускания ССС, подвергнутых термоводородному восстановлению// Журнал прикладной химии. 1978. — Т. 51, N 4. — С. 933−935.
  36. A.M. О режиме восстановления некоторыз ССС, используемых для изготовления микроканалтных пластин// Оптико-механич. промышл. 1974. — N 9. -С. 41−45.
  37. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies channel plate surfaces// Adv. Electr. and Electon Phys. 1976. — V. 40A. — P. 153−165.
  38. A.M., Королев M.B., Топсева M.H., Петухов Jl.B., Харин A.C. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стекол// Оитико-механ. пром. 19 807 — N 4. — С. 11−13.
  39. В.М. Исследование процессов полировки стекла. М.: Машиностроение, 1967. — 230 с.
  40. О.В., Канчиев З. И., Петровский Г. Т., Саттаров Д. К. Изменение свойств и структуры с в ип цово-сил и кати ы х стекол в ходе термоводородного восстановления// Журнал прикладной химии. 1980. — N 5. — С. 977−984.
  41. A.M., Смирнов О. М., Терехов А. Н., Харьгоров В. А., Чебан Г. А. Исследование восстанавливающихся свинцовосиликатных стекол методом спектроскопии медленных электронов// Физика и химия стекла. 1981. — Т.7, N 4.1. C. 470−476.
  42. A.M., Костиков Ю. Н., Новолодский В. А., Саттаров Д. К., Смирнов О. М., Терехов А. Н., Харьюзов В. А. Исследование эмиссионными методами поверхности восстанавленных свинцовосиликатных стекол// Физика и химия стекла. 1985. -T.11.N3. — С. 326−330.
  43. Sakai J., Moganii A. Study of gain fatigue mechanism in channel electron multipliers// Surface Sei. 1979. — V. 86. — P. 359- .
  44. Kanaya Koihi, Ono S., Ichidaki F. Secondary electron emission from insulators// J. Phys.
  45. D. Appl. Phys. 1978. — V. 11, N 17. — P. 2425−2437.
  46. C.A., Новолодский B.A., Смирнов O.M., Харыозов В. А. Применение оже-спектроскопии для изучения распределения элементов в приповерхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол// Физика и химия стекла. 1985. -T.11.N5. -С. 600−602.
  47. С. А. Новолодский В.А., Полухин В. Н., Смирнов О. М., Харыозов В. А. Профили распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол// Физика и химия стекла. 1985. — Т. 11, N 5. — С. 603 604.
  48. З.И., Борина Р. П., Макарова Т. М., Исаев Е. А. Удаление растворимой жилы из матрицы микроканальных пластин// Журнал приклад, химии. 1979. — Т. 52, N 8. -С. 1718−1724.
  49. Л.А., Терпогосова И. З., Козловский С. Ф. и др. Изменение состава и свойств стекла в процессе изготовления микроканальных пластин// Электронная техника. 1984. — Сер. 6, N 12. — С. 45−52.
  50. С.И., Жабрев В. А., Костин К. Б., Мухенбер K.M., Взаимная диффузия в стеклообразных расплавах при наличии градиента концентрации оксидов двух- и трехвалентных элементов// Физика и химия стекла. 1988. — Т. 14, N 5. — С. 699−705.
  51. .А., Апаев В. А. Диффузия щелочных ионов и кислорода на границах спеченных щелочнобариевоборатных и щелочпосвиицовосиликатпых стекол// Физика и химия стекла. 1990. — Т. 16, N 2. — С. 228−233.
  52. Г. Т., Саттаров Д. К., Капчиев З. И. Структура и свойства восстановленных слоев на поверхности свинцовосиликатных стекол// Физика и химия сте4кла. 1981. — Т. 7, N 4. — С. 457−469.
  53. Улько 10.1 L, Файнберг Е. А. О влиянии термообработки свинцовосиликатных стекол в водороде на коэффициент вторичной электронной эмиссии// Изв. АН СССР, неорг. мат. 1967. — Т. 3, N 2. — С. 345−346.
  54. Siddiqui S.H. An investigation jf active surfaces jf microchanncl plates using Auger electron ESC A spectroscopic techniques//J. Appl. Phys. 1977. — V. 48, N 7. — P. 30 533 057.
  55. A.A., Шульц M.M., Взаимодиффузия катионов и сопутствующие процессы в поверхностных слоях щелочносиликатных стекол, обработанными водными растворами// Физика и химия стекла. 1983. — Т.9. N 1. — С. 3−27.
  56. A.M., Миловапов А. П., Моисеев В. В., Нефедов В. И. Исследование методом РФЭС поверхности натриевосиликатных стекол, прошедших ионно-обменную обработку// Физика и химия стекла. 1983. — Т.9, N 5. — С. 622−628.
  57. А.П., Моисеев В. В., Портнягин В. И. Современные методы анализа поверхности при изучении стекла// Физика и химия стекла. 1985. — Т.11, N 1. — С. 323.
  58. Г. Б., Фрейдман С. Н., Зацепин А. Ф., Кортов В. С. Губанов В.А.Исследование электронного строения диоксида кремния в кластерном приближении// физика и химия стекла. 1985 — Т. 11, N 5. — с. 513−517.
  59. С. И. Козаков А.Т., Демьянченко В. А. Статистический подход при исследовании многофазных материалов методом рентгеноспектрального анализа // Заводская лаборатория. 1992. — N 9. — С. 20−23.
  60. Johanson G., Hedman J. Berndtsson A., Klasson M. and Nilson R. Calibration of electron spectra//J. Electron Spcctrosc. 1973. — V. 2, N 2. — P. 295−317.
  61. Hnatowich 13.J., Hudis J., Perlman M.L. and Ragaini R.C. Hi. Appl. Phys. 1971. — V. 42, N 12.-P. 4883-?
  62. Ley L" Pollack R.A., McFeely F.R., Kowalczyk S.P. and Shirley D.A. //Phys. Rev. 1974. — V. B9, N 2. — P. 600- ?.
  63. Hedman J., Bayer Y" Berndtsson A., Klasson M., Leonhardt G. et al. // J. Electron. Spectrosc. 1972. — V. 1, N 1. — P. 101-?.
  64. L.F., Spicer W.E. // Phys. Rev. Lett. 1972. — V. 28, N 21. — P. 1381-?
  65. P. Полупроводники. M.: Мир, 1982. — 558 с.
  66. A.P., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М., 1977. — 551 с.
  67. Ebel M.F., Ebel Н. About the charging effect in X-ray photoelectron Spectrometry// J. Electron Spectrosc. 1974. — V. 3, N 3. — P. 169−180.
  68. Lohnciss H. Anwendungen der Electronen spectroscopie bei Rontgenanregung (ESCA) anf organische und anorganische Verbindungen. Dissertation. Doct Naturwissenschaft. -Munchen, 1974, — 162 p.
  69. В.И., Айруни К. Е. Надмолекулярная организация, структура и свойства углей.-Киев, 1988.- 192 с.
  70. Юркевич 51., Рошковский С. Углсхимия. М., 1973. 381 с.
  71. С .Г., Скрипченко Г. Б. современные представления о химической структуре углей// Химия твердого топлива. 1986. — N 3. — С. 3−13.
  72. Ван-Крсвелен Д.В., Шур Ж. Наука об угле. М, 1960. — 303 с.
  73. Метан в угольных пастах, Сб. Трудов ИТД им. А, А, Скочинского. 1953.
  74. А.П., Поспелова К. А., Яковлев А. Г. Курс коллоидной химии. М., 1964. -420 с.
  75. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. М., 1987. — 287 с.
  76. Несмеянов А. IL, Несмеянов H.A. Начала органической химии. М.: Химия, 1974. -Т. 1. — 623 с.
  77. Геолого-географическая карта Донецкого бассейна. Вып. 8. — М&bdquo- 1954. — 430 е.
  78. В.В., Прокопец Е. И. Изучение коксующей способности ме тодом нафталинового экстрагирования// Сб. работ по химии угля. Харьков, 1932. — С. 1218.
  79. В.В. Изучение угленосных формаций геофизическими методами. М., 1980. -360 с.
  80. Д.Р. 11оверхностиые состояния// Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып. 2. — М., 1977. — С. 208−242.
  81. А. Связь между физическими и химическими процессами на поверхност и полупроводников// Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып. 2. — ML, 1977.-С. 306−343.
  82. С. Химическая физика поверхности твердого тела. М., 1980. — 488 с.
  83. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х частях. Ч. 1. — М., 1984.-350 с.
  84. А.Т., Колесников В. В., Никольский А. Т. Физическая природа аномалий в рентгеноэлестройных спектрах и электрофизические свойства нелинейных углей. Препринт. Ростов-на-Дону: СКНЦ ВШ, 1993. — 48 с.
  85. В.И., Реиун В. В., Поздняков Г. А. Электрические поля в потоке аэрозолей. Киев: Наукова думка, 1981. — 112 с.
  86. В.К. Электризация частиц угольной пыли при ее распылении// Энергетика и электрификация. 1971. — N 1. — С. 125−129.
  87. В.И., Рспун В. В., Поздняков Г. А. Исследование электризации аэрозоля в процессе дробления и распыления угля// Химия твердого топлива. 1977. — N 1. — С, 75−71.
  88. В.И., Реиун В. В., Поздняков Г. А. Изменение физико-химических и электрических свойств углей при измельчении// Химия твердого топлива. 1977. — N 4.-С. 37−38.
  89. Ю.А., ХрепковаТ.М., Лебедева В. В. и др. Эмиссия электронов в процессе измельчения углей// Докл. АН СССР.- 1981. Т. 257, N 2. — С. 418−422.
  90. А.Н., Зайцев ПЛ., Загоруйко В. А., Панченко Е. М. и др. Новый метод прогнозирования склонности каменных углей к внезапным выбросам// Письма в ЖТФ. 1990. — Т. 16, Вып. 5. — С. 88−90.
  91. Е.М., Прокопало О. И., Зайцев ПЛ., Сахненко В. П., Савенко Ф. И. Сверхмедленная релаксация электрической поляризации в каменных углях и прогнозирование выброса угля и газа. Препринт. Ростов-на-Дону, 1992. — 40 с.
  92. Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников, — М., 1973. 400 с.
  93. Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1974. — 472 с.
  94. Ю.М., Мощенко И.11. Модель структурных изменений в углях при метаморфизме. Препринт СК11Ц Bill. Ростов-на-Дону, 1992. 24 с.
  95. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. — 736 с.
  96. Электреты.1 Под ред. Г. Сесслера. М.: Мир, 1983. — 486 с.
  97. А.И. Электреты. М.: Наука, 1978.- 191 с.
  98. Ф., 1Инране Д. Сегпетоэлектрические кристаллы. М., 1965.- 562 с.
  99. Травление полупроводников/ Под ред. СЛ. Горина. М., 1965. — с.
  100. Интегральная оптика/ Под ред. Т. Гамира. М., 1978. — 344 с.
  101. АЛ. Тугоплавкие оксиды и их соединения в топком слое. Томск, 1989. -289 с.
  102. В.П., Фесенко Е. Г. Физика сегиетоэлектричсских пленок. Изд-во Ростовского госуниверситета, 1979. — 190 с.
  103. Anliker М., Brugger H.R., Kanzig W. Das Verhalten von Kolloidalen Seignetleclektrika. 3. Bariiuntitanal BaTi03 // Helv. Phys. Acta. 1954. — V.27. — S. 99- .
  104. В.П., Фесенко Е. Г., Гавриляченко В. Г. Дифрактометрическое исследование состояния поверхности монокристаллов титаната бария, выращенных по методу Ремейки// Изв. АН СССР, сер.физ. 1967. — Т. 31, N. — С. 1779- ,
  105. В.П., Фесенко Е. Г., Гавриляченко В. Г. О поверхностном слое кристаллов гитапата бария// Электронная техника. Сер. 14. 1970. -Вып. 4. — 130−135.
  106. И.Н., Дудкевич В. П., Бондаренко Е. Г., Фесенко Е. Г. Рентгеноструктурное исследование тонких кристаллов титаната бария// Физика и химия твердого тела. 1975. — Вып. 6. — С. 112- 115.
  107. Dvorak V. On surface layers of BaTi03 single crystals// Czech. J. Phys. 1959. — B9. — S. 710- .
  108. В.П., Захарченко И. И., Бондаренко B.C., Колесова Р. В., Стойнов А. Г., Фесенко Е. Г. О поверхностном слое кристаллов титанага бария. кристаллография. -1973.-Т. 18, N5.-С. 1095−1097.
  109. В.П., Цихоцкий Е. С., Захарченко И. Н., Фесенко Е.Г Поверхностный слой титанага свинца// ФТТ. 1974. — Т. 16, N 12. — С. 3492−3493.
  110. Бородин В.З., fax С.Г., Кузнецов В. Г. и др. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. Изд-во Ростовского госуниверситета, 1969. — С. 98- 106.
  111. В.З., Гах С.Г., Кузнецов В. Г. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. Изд-во Ростовского госуниверситета, 1969. — С. 107- 118 .
  112. В.З., Гах С.Г., Краморов О. П., Кузнецов В.17/ Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. Изд-во Ростовского госуниверситста, 1969. — С. 119 126 .
  113. Borodin V.Z., Gach S.G., Zapharov Y.N. ct al. The state of polarization in the surface layer of the unipolar crystal and pyroelectric responses// Ferroelectries. 1973. — V. 6. — P. 83−86.
  114. Э.У., Гах С.Г. Бородин В. З., Экнадиосянц Е. Н. Процессы обратного переключения в монокристаллах BaTiOj // Кристаллография. 1983. — Т. 28, N 6. — С. 1161−1164.
  115. В.З., Гах С.Г. Унигюлярность процессов иереполяризации в кристаллах титаната бария// Изв. АН СССР, сер. физ. 1984. — Т. 48, N 6. — С. 1081−1085.
  116. Э.У., Шпитальник Б. И., Проскуряков Б. Ф., Захаров 10.11., Бородин В. З. Особенности переполяризации кристаллов титаната бария, содержащих вольфрам// Изв. АН СССР, сер. физ. 1975. — Т. 39, N 4. — С. 861−863.
  117. Проскуряков Б. Ф, Шгшталышк Б. Ц., Шнейдер Э. У., Бородин В. З. и др. Изменение структуры и свойств поверхностного слоя при модификации кристаллов ВаТЮ3// Изв. АН СССР, сер. физ. 1975. — Т. 39, N 5. — С. 1049−1051.
  118. О.И. Точечная дефектность, электропроводность и энергетические спектры электронных уровней окислов семейства перовскита// ФТТ. 1979. — Т. 21, N 10.-С. 3073−3076.
  119. Прокопало О. И, Фесенко Е. Г., Гавриляченко В. Г. и др. Титаиат бария. Ростов-на-Дону: Изд-во РГУ, 1971. — 214 с.
  120. Procopalo O.I. Electrical conductivity and slow polarisation process in lead-titanate ceramics// Ferroelectrics. 1974. — V. 7. — P. 333−335.
  121. Э.В. Нелинейный кристалл титанаг бария. — М&bdquo- 1968. — 464 с.
  122. А.Н., Воробьев Ю. П., Чуфаров Г. И. Физико-химические свойства иестехиометрических окислов. Л.: Химия, 1973. — 222 с.
  123. А.Д. // Нестехиометрические соединения. М.: Химия, 1971. — С. 102−200.
  124. Tanaka М, l lonjo G. Electron optical studies of barium titanate single crystals films// J. Phys. Soc. Japan. 1964. — V. 19. — P. 954- .
  125. M.A., Костиков Ю. П. Магнетохимическое исследование восстановленного титаната бария// Изв. АН СССР, неорг. матер. 1980. — Т. 16, N2 -С. 328−331.
  126. Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики. М.: Связь, 1984. — 193 с.
  127. Ю.Я. Строение сегиетоэлсктрических поверхностей.// Изв. АН СССР, сер. физ. 1987. — Т. 51, N 12. — С. 2263−2268.
  128. Кузьминов 10.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М: Наука, 1982. — 400 с.
  129. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. — 540 с.
  130. С.М., Проденко Н. П., Загоруйко В. А., Соколова Т. В., Зайцев С. М. Выращивание кристаллов магнониобата свинца// Изв. АН СССР, сер. физ. 1975. -Т. 39, N5. -С. 1049−1051.
  131. Bonnean P. Gamier P., Husson Е., Gavarri J.R., Hewat A.W. and Morrell A. X-ray and neutron diffraction studies of the diffuse phase transition in PbMgiaNbjnOj ceramics// J. Solid State С hem. 1989. — V. 93. — P. 350- 356.
  132. Bonnean P., Gamier P., Husson E. and Morrell A. Structural studies of PMN ceramics, by X-ray diffraction between 297 and 1023 К // Mat. Res. Bull. 1989 — V. 24. — P. 201 206.
  133. Verbaere A. Piffard J., Ye Z.G., Husson E. Lead magnoniobate crystal strycture determination// Mat. Res. Bull. 1992 — V. 27. — P. 1227−1234.
  134. M.X., Карапетьянц M.Jl. Главные термодинамические постоянные неорганических и органических веществ. М.: Химия, 1968. — 472 с.
  135. Трусов 10.А. Медленная поляризация и электретное состояние в некоторых свинец-содержащих оксидах со структурой перовскита. Диссерт. канд. физ.-мат. наук. Ростов-на-Дону: РГУ, 1994. — 198 с.
  136. О.И., Раевский И. П. Электрофизические свойства оксидов семейства перовскита. Ростов-па-Дону, 1985. — 104 с.
  137. Szot К., Hillebrecht F. U., Sarma D.D., Campagua М., Arend П. Surface defect segregation in the perovskite-type ferroelectric КЫЬОз// Appl. Phys. Lett. 1986. — V. 48, N 2. — P. 490−492.
  138. Wolf P.A. Theory of secondary cascade in metals// Phys. Rev. 1954. — V. 95.- P. 56−66.
  139. Kane H.O. electron scattering by pair production in silicon// Phys. Rev. 1967. — V. 159.-P. 624−631.
  140. Berglund C.N., Spicer W.E.// Phys. Rev. 1964. — V. 136, N 4А, — P. A1030-A1044.
  141. Feuerbacher В., Christensen N. Photoemission studies of copper and silver: theory// Phys. Rev. В 1974. — V. 10, N 6, — P. 2373−2390.
  142. Willis R.F. Secondary electron emission spectroscopy dependence and phenomenology// Phys. Rev. Lett.- 1973. V. 34, N 11 .- P. 670−674.
  143. O.M., Терехов A.M. Влияние одноэлектрониой плотности состояний на вторично-эмиссионные свойства монокристаллического вольфрама//ФТТ. 1979. — Т. 21, Вып. 4.- С. 1102−1108.
  144. О.М., Смирнов O.I I., Терехов A.1I Влияние энергетической структуры приповерхностной области кристалла на энергетический спектр вторичных электронов/'ФТТ. 1981. — Т. 23, Вып. 5. — С. 1558−1560.
  145. Кораблсв В.13., Кудинов Ю. А., Сысоев С. И. Проявление зонной структуры твердого тела в спектрах вторичных электронов с угловым разрешением// ФТТ. -1986. Т. 28, Вып. 9. — С. 2648−2654.
  146. В.В., Кудинов Ю. А., Сыеоев С.И Расчетные и экспериментальные спектры медленных вторичных электронов, эмитированных под разными углами к поверхности W (100). //ФТТ. 1987. — Т. 29, Вып. 3. — С. 702−705.
  147. О.Ф., Шаталов В. М. Стационарное распределение неравновесных носителей в металлах// ЖЭТФ. 1987. — Т. 93, Выи 1(7). — С. 222−230.
  148. U.M., Виноградов А. Г., Панченко О. Ф., Терехов А. И., Шаталов В. М. Связь топкой структуры спектров вторичной электронной эмиссии кремния с законом дисперсии и длиной свободного пробега электронов//ФТТ. 1989. — Т. 31, N 1,-С. 57−61.
  149. .В., Любов С. И., Невинный 10.А. Изучение электронной системы адсорбированных пленок посредством радиационной электронной эмиссии// Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. — N 9. — С. 71−76.
  150. А.Т., Колесников В. В., Никольский A.B., Сахненко В.11. Вторично-эмиссионные процессы в спектроскопии твердых тел// Изв. Вузов Сев.-Кав. Регион, спец.вып. 1994. С. 93−98.
  151. А.Т., Колесников В. В., Никольский A.B., Сахненко В. П. Анализ поверхности твердого тела, но спектрам медленных электронов, возбужденных мягким рентгеновским излучением //ФТТ. 1994. — Т. 36, N 2. — С. 317−329.
  152. А.Т., Колесников В. В., Никольский A.B., Сахненко В.I I. Анализ поверхностных слоев и объема твердого тела, но спектрам эмиссии медленных электронов. I Чувствительность спектров к состоянию поверхности. //ФММ. 1994. -Т. 77, Вып. 6.-С. 109−117.
  153. Козаков /V.T. Колесников В. В., Никольский A.B., Сахненко В. П. Анализ поверхностных слоев и объема твердого тела по спектрам эмиссии медленных электронов. 11. Физические аспекты явления. //ФММ. 1994. — Т. 77, Вып. 6. — С. 118 127.
  154. И.М. Вторичная электронная эмиссия. М, 1969. — 314 с.
  155. Мойжес Б .Я Физические процессы в оксидном катоде. М, 1968. — 479 е.
  156. К.Л., Тягунов Г. А. О вторичной эмиссии электронов// ЖТФ. 1939. -Т. 9, Вып. 17.-С 1573—1589.
  157. А.Е. Распределение вторичных электронов, но скорости для различных эмиттеров// ЖЭТФ. 1945. — Т. 15, Вып. 10. — С. 600−604.
  158. Т., Хенсел Дж&bdquo- Филипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М, 1980. — 347 с.
  159. Бронштейн 11.M., Сегаль Р. Б. Пробег медленных электронов в металле и роль нсупругого отраженных электронов во вторичной электронной эмиссии//ДАН АН СССР. 1958. — Т. 123, N 4. — С. 639−642.
  160. Бронштейн 11.M., Проценко А. Н. Неупругое рассеяние электронов и вторичная электронная эмиссия диэлектриков// Р и Э. 1970. — Т. 15, N 4. — С. 805−811.
  161. М.А. Физика рентгеновских лучей. 1 957 166. .Количественный электронно-зондовый микроанализ/ Под ред. В. Скотта, Г. Лава. М: Мир, I486. -352 с.
  162. А.Т., Никольский A.B. Исследование возбужденных мягким рентгеновским излучением спектров медленных электронов// ЖТФ. 1997. — т. 67, N3. — С. 73−77.
  163. A.B., Козаков А. Т. Спектры аномальной электронной эмиссии и поляризационные явления в монокристалле магнониобата свинца// ФТТ. 1997. — т. 39, N8.-С. 1446−1451.
  164. Е.В. О монодоменной поляризации ссгнетоэлектриков с фазовым переходом первого рода// ФТТ. 1970, — T.12,N 2. — С 586−592.
  165. P.M., Иванчик И. И. Ковтонюк Н.Ф. //ФТТ. 1968. — Т. 10, N 1. — С. 135−143.
  166. Р. Нойман X. Поверхностные свойства твердых тел/под ред. М. Грина. -М: Мир, 1972. 432 с.
  167. Р. Нойман X. Автоэлектронная эмиссия твердых тел полупроводников. -М: Наука, 1971.
  168. С.А., Мовнин С. М. Физические основы электронной техники. М., 1982.-608 с.
  169. Piteili Е. Tunneling emission into an insulating films with trap. // Solid state Electron. V.6. -P.667−671.
  170. Л. А., Фридрихов C.A.// P и Э. 1962. — т. 7. — С. 1649−1656.
  171. Яснопольский H. JL, Малышева B.C. // Р и Э. 1962. — т. 7. — С. 1657−1668.
  172. С.А., Шойхет Ф. Н. Об аномальном характере кривых зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии, усиленной полем, от энергии первичных электронов// Р и Э. 1968. — т. 13. — С. 1483−1488.
  173. Simmons J.G., Verderker R.R. New thin film resistive memory.// Radio Electron. Eng. -1967-V.34.-P.81−89.
  174. Simmons J.G., Verderker R.R. New conduction and reversible memory phenomena in thin insulating film. // Proc. Roy. Soc.-1967-A301-P.77−102.
  175. Л.Т., Колесников В. В., Никольский А. В., Сахненко В.Г1. Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития// ФТТ. 1997. -Т. 39, N 4. — С. 679−682.
  176. А.В., Козаков А. Т. Спектры аномальной электронной эмиссии и поляризационные явления в монокристалле магнониобата свинца// ФТТ. 1997. — Т. 39, N 8.-С. 1446−1451.
  177. А.Т., Никольский А. В., Новиков И. В. Стимулированная мягким рентгеновским излучением электронная эмиссия с поверхности поляризованных сегнетоэлекгриков// Журнал структурной химии. 1998. — Т.39, N6. — С.1031−1036.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!