Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения

Диссертация: Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Следует отметить и то, что изменились условия радиационного и электромагнитного воздействия на УВК, а следовательно и на СБИС, вследствие совершенствования средств противодействия, изменение орбит полетов космических летательных аппаратов, связанное с планированием долгосрочных космических экспедиций, совершенствованием существующих и созданием новых ядерных энергетических установок. Кроме того… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Современное состояние средств автоматизированного проектирования микроэлементной базы для систем управления двойного назначения
    • 1. 1. Направление развития бортовых вычислительных комплексов для систем управления двойного назначения
    • 1. 2. Состояние и задачи развития микроэлементной базы для систем управления двойного назначения
    • 1. 3. Анализ состояния средств проектирования элементной базы нового поколения бортовых вычислительных комплексов
    • 1. 4. Задачи автоматизации проектирования современных радиационно-стойких микроэлектронных компонентов для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения
  • 2. Обоснование структуры средств автоматизации проектирования радиационно-стойких КМОП, КНС БИС двойного назначения
    • 2. 1. Методика автоматизации проектирования нового поколения элементной базы и вычислительных систем управления на ее основе
    • 2. 2. Разработка базовых лингвистических средств дизайн центра
    • 2. 3. Технология формирования и разработка единой информационной среды дизайн центра
    • 2. 4. Обоснование архитектуры дизайн центра проектирования универсальной и специализированной радиационно — стойких микросхем для вычислительных комплексов систем управления
    • 2. 5. Структура прикладных программных средств дизайн центра проектирования
  • 3. Оценка стойкости элементной базы и математическое обеспечение расчета тепловых и термомеханических эффектов
    • 3. 1. Алгоритм оценки стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам
    • 3. 2. Комплексное решение задач моделирования тепловых, термомеханических эффектов при воздействии рентгеновского излучения
      • 3. 2. 1. Динамическая модель процессов, возникающих в конструкции микроэлектронного устройства при воздействии рентгеновского излучения
      • 3. 2. 2. Прогнозирование тепловых эффектов
      • 3. 2. 3. Прогнозирование термомеханических эффектов
    • 3. 3. Методика расчета стойкости микроэлектронных устройств к воздействию рентгеновского излучения по тепловым и термомеханическим эффектам
  • 4. Моделирование переходных ионизационных эффектов в элементах КМОП микросхем
    • 4. 1. Расчет мощности дозы импульсного рентгеновского, гамма- и нейтронного излучения
    • 4. 2. Моделирование переходных процессов при воздействии импульсного излучения
    • 4. 3. Средства схемотехнического моделирования базовых элементов
  • КМОП БИС
    • 4. 4. Схемотехническое моделирование базовых структур
  • БИС при импульсном радиационном воздействии
  • 5. Моделирование интегральных ионизационных эффектов в КМОП-изделиях в САПР сквозного проектирования
    • 5. 1. Общая методология моделирования радиационно-индуцированного накопления заряда в диэлектрике МОП-транзистора с учетом влияния полевого оксида
    • 5. 2. Моделирование накопления заряда в подзатворном диэлектрике транзистора
    • 5. 3. Моделирование накопления заряда в диэлектрике паразитного транзистора, образованного полевым оксидом на периферии основного n-канального транзистора
    • 5. 4. Влияние вносимых при облучении структурных повреждений на характеристики МОП-структур
    • 5. 5. Моделирование статических видов радиации на схемотехническом и функционально-логическом уровнях
  • 6. Особенности реализации средств автоматизированного проектирования радиационно-стойкой микросхем
    • 6. 1. Создание научной и промышленной базы автоматизации проектирования и производства специализированных СБИС двойного назначения и вычислительных комплексов на их основе
    • 6. 2. Особенности построения системы автоматизации проектирования радиационно-стойких КМОП, КНС СБИС
    • 6. 3. Интеграция проблемно-ориентированного программного обеспечения САПР
    • 6. 4. Моделирование тепловых и термомеханических эффектов
    • 6. 5. Моделирование ионизационной реакции от импульсного ионизирующего воздействия
    • 6. 6. Моделирование статического ионизирующего воздействия
    • 6. 7. Оценка эффективности разработанных средств
    • 6. 8. Создание библиотеки базовых элементов
    • 6. 9. Разработка ядра функционально полного комплекса БИС двойного назначения на КМОП приборах для цифровой обработки сигналов

Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Разработка управляющих вычислительных комплексов (УВК) двойного назначения относится к приоритетному направлению технической политики нашего государства, так как они применяются в оборонной, научной, социальной и других жизненно-важных сферах деятельности. При этом особую роль играют бортовые комплексы, которые применяются для систем управления (СУ) авиационных и космических летательных аппаратов, атомных электростанций, ядерных реакторов, химических производств, так как они имеют стратегическое значение для национальной безопасности страны. Главной задачей на ближайшую перспективу является достижения научной, технической и технологической независимости от ведущих иностранных государств.

При этом ключевой задачей является обеспечение работоспособности СУ при воздействии ионизирующих излучений, электромагнитных полей, механических нагрузок в широком диапазоне температур. Данная задача может быть решена только с применением комплексных мероприятий по совершенствованию архитектуры вычислительных систем, разработки и производства широкой функционально-ориентированной номенклатуры высокоинтегрированных микросхем, создания научной и промышленной инфраструктуры разработки, создания и испытания вычислительных комплексов, модулей и микросхем.

Среди данных мероприятий задача разработки микросхем, стойких к радиационному воздействию является особенно важной. Ее решение требует, прежде всего, совершенствования проектной среды разработки элементной базы, позволяющей разрабатывать изделия, работающие в особо жёстких условиях: радиационных и электромагнитных воздействия, широкий диапазон температур, большие механические нагрузки и т. д. При этом основной технологией является КМОП-технология, которая обеспечивает уникальные интегральные показатели: широкий спектр функциональных возможностей, высокую производительность и быстродействие, низкую потребляемую мощность, простоту изготовления и др.

Одной из основных проблем является моделирование радиационных эффектов в процессе проектирования, которое в настоящее время требует существенной модернизации. Это обусловлено коренными преобразованиями ЭП, вследствие резкого уменьшения проектных норм, увеличения степени интеграции, созданием СБИС, включая СнК, совершенствованием традиционных и созданием новых технологий производства, что привело к усилению влияния физических процессов, в том числе и радиационного характера, степень проявления которых ранее, была пренебрежимо мала.

Следует отметить и то, что изменились условия радиационного и электромагнитного воздействия на УВК, а следовательно и на СБИС, вследствие совершенствования средств противодействия, изменение орбит полетов космических летательных аппаратов, связанное с планированием долгосрочных космических экспедиций, совершенствованием существующих и созданием новых ядерных энергетических установок. Кроме того, ужесточились требования по надежности и продолжительности функционирования аппаратуры в условиях ионизирующего излучения. Эти требования были отражены в новом комплексе государственных стандартов (КГС) «Климат-7», в котором скорректированы параметры «традиционных» видов излучения и введены новые.

Так как зарубежные средства моделирования радиационных эффектов являются самым оберегаемым секретом фирм-производителей и не продаются на мировом рынке, а известные программные комплексы, системы и подсистемы не обеспечивают моделирования всего комплекса радиационных воздействия в новых условиях для создания радиационно-стойких микросхем в области теории САПР были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали комплексного подхода к их решению, начиная от совершенствования физических моделей процессов и заканчиваю программной реализацией.

Диссертация выполнена по программам важнейших работ Министерства образования и науки по планам НИР и ОКР ФГУП «Научно-исследовательский институт электронной техники»: «Салон», «Форзац», «Разводчик», «Танк-5», «Трикута», «Истра-7» и др., а также в соответствии с межвузовской научнотехнической программой И.Т.601 «Перспективные информационные технологии в высшей школе» и научным направлением Воронежской государственной лесотехнической академии (ВГЛТА) «Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)», «Разработка математического обеспечения проектирования СБИС двойного назначения».

Цель работы состоит в создании комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ.

Для ее реализации необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, обеспечивающей моделирование радиационных эффектов, определить проблемы и направления их развития;

2. Сформулировать требования, целевые задачи, принципы построения и обосновать архитектуру технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

3. Обосновать выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

4. Разработать математические модели и алгоритмы моделирования тепловых, термомеханических и деградационных процессов радиационного характера в КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

5. Обосновать технологию формирования и осуществить реализацию лингвистического и информационного обеспечения;

6. Провести программную реализацию разработанных средств и их интеграцию в единую программную среду проектирования КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения СУ;

7. С помощью разработанных средств разработать типовую библиотеку элементов КМОП СБИС, на основе которой создать радиационно-стойкие микросхемы, и таким образом, провести опытную эксплуатацию предложенных средств и оценить их экономическую эффективность.

Методика исследования. Для решения поставленных задач использованы: тёория вычислительных систем, автоматизации проектирования, оптимизацииаппарат вычислительной математики. А также теория построения программметоды модульного, структурного и объектно-ориентированного программированияимитационное, структурное, и параметрическое моделированиевычислительные эксперименты.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

— принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения;

— математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него;

— математические модели ионизационного тока в р-п перехода в МОП — структурах и переходных процессов в типовых элементах микросхем при воздействии импульсного ионизирующего излучения;

— математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ионизирующего воздействия;

— математические модели базовых элементов;

— методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства,.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

— принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения для нового поколения систем управления двойного назначения, обеспечивших унификацию технического, математического и программного обеспечения и заложивших основу создания единого информационного пространства сети дизайн-центров проектирования микросхем, блоков, модулей, вычислительных комплексов;

— математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него, отличающиеся учетом особенностей современной конструкции, технологии изготовления для различных амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик воздействия;

— математические модели ионизационного тока в р-п перехода в МОПструктурах и переходных процессов в типовых элементах микросхем при воздействии импульсного ИИ, отличающаяся учетом особенностей субмикронных технологий, температурного режима, спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик радиационного воздействия в соответствии с требованиями КГС «Климат-7»;

— математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ИИ, отличающиеся учетом микродозиметрических радиационных эффектов, характерных для субмикронных технологий, связанных с особенностями накопления заряда в элементах конструкции в соответствии с требованиями комплекса государственных стандартов «Климат-7»;

— математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием радиационных процессов, происходящих в МОП-структурах при воздействии импульсного и статического ИИ с учетом субмикронных технологий и требований КГС «Климат-7» на всех иерархических уровнях проектирования;

— методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства, соответствующих базовым принципам современных информационных технологий.

Практическая значимость и результаты внедрения. На основе предложенных решений созданы и внедрены программные средства комплексного проектирования КМОП СБИС двойного назначения в ФГУП НИИЭТ (г.Воронеж), ОАО «Ангстрем» (г.Зеленоград), реализованные на единой методологической платформе и позволяющие распространить их на предприятиях аналогичного профиля. Анализ результатов внедрения показал высокую эффективность разработанных средств.

Предложенные средства проектирования радиационно-стойких изделий использовались при создании типовой библиотеки элементов радиационно-стойких СБИС, что позволило спроектировать более 500 типовых элементов, благодаря чему была созданы СБИС серий 1867, 1830, 1874.

Разработаны и внедрены обучающие программно-аппаратные комплексы, которые эффективно используются для проведения лабораторных работ, курсового и дипломного проектирования, подготовки аспирантов, соискателей, а также для непрерывной переподготовки специалистов в Воронежском государственном техническом университете (ВГТУ) на кафедре САПР.

Предложенные решения носят универсальный характер и могут использоваться при создании подобных систем в ЭП.

Апробация работы. Основные положения работы докладывались и обсуждались на: коллегиях ряда Министерств РФ, на совещаниях департамента ЭП, семинарах ведущих предприятий по разработке элементной базы моделей и блоков.

Автор выступал с докладами на: международных конференциях: «Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий» (Сочи 2002, 2003, 2005, 2006) — «Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники» (Королев 2002, 2003) — «Кибернети-ка.21век» (.Москва 2005) — «Математические методы в технике и технологии» (Казань 2005, Воронеж 2006, Ярославль, 2007) — «Авиация и космонавтика» (Москва 2005) — «Высокие технологии энергосбережения» (Воронеж 2005) — «Наука и образование» (Воронеж 2005) — «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки» (Воронеж 2006) — российских конференциях: «Радиационная стойкость электронных систем» (Москва 2002, 2003, 2005, 2006) — ."Интеллектуальные информационные системы" (Воронеж 2005) — «Интеллектуализация управления в социальных и экономических системах» (Воронеж 2005) — «Информационные технологии» (Воронеж 2005) — «Новые технологии» (Воронеж 2006) — «Стойкость» (Москва 2005, 2006, 2008) — «Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве» (Воронеж 2008).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 88 печатные работы, включая 28 работ, опубликованных в журналах определенных ВАК, 5 монографий и 5 авторских свидетельств общим объемом 1622 с (лично автором выполнено 597с).

Двадцать шесть публикаций выполнены без соавторов, личный вклад автора в работах, опубликованных в соавторстве заключается в определении целей и задач работы, разработке моделей и алгоритмов, в выполнении научно-технических исследований и анализе их результатов, в разработке основных элементов ее внедрения.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести разделов, заключения, списка использованных источников. Материал диссертации изложен на 334 страницах.

Выводы.

1. Создана промышленная и научная инфраструктура разработки, производства и испытания специализированной элементной базы. В результате проведения данных работ существенно развиты аппарат математического моделирования и систем автоматизации проектирования, которое заключалось в предложенных оригинальных методах, моделях и алгоритмах.

2. Разработаны средства проектирования специализированных БИС двойного назначения, отличающиеся учетом радиационного воздействия и проводящие моделирование с большей адекватностью и меньшими затратами времени на моделирование.

3. Разработана библиотека базовых элементов, отличающаяся учетом конструктивно-технологический особенностей, режимов эксплуатации, радиационного воздействия.

4. Разработано ядро функционально-полного комплекта СБИС двойного назначения, на основе специализированных средств проектирования и проведена экспериментальная проверка адекватности и эффективности моделирования.

Заключение

.

1. Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определены проблемы и направления их развития;

2. Обоснованы требования, целевые задачи, принципы построения, архитектура технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС, обеспечивших унификацию технических, математических и программных средств и заложивших основу создания единого информационного пространства сети ДЦ и КМ;

3. Обоснован выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

4. Разработаны математические модели и алгоритмы моделирования тепловых и термомеханических радиационных физических процессов в элементах конструкции СБИС;

5. Предложены математические модели расчета динамических полей температур и механических напряжений при радиационном воздействии и после него, отличающиеся учетом особенностей современной конструкции, технологии изготовления для различных амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик воздействия;

6. Разработаны математические модели переходных процессов при воздействии импульсного ионизирующего излучения, отличающаяся учетом особенностей субмикронных технологий, температуры и парметров радиационного воздействия:

7. Предложены математические модели деградации электропараметров типовых элементов изделий вследствие воздействия статического ионизирующего воздействия, отличающиеся учетом микродозиметрических радиационных эффектов в соответствии с требованиями комплекса государственных стандартов «Климат-7»;

8. Разработаны математические модели базовых элементов, которые отличаются описанием радиационных процессов, происходящих в МОПструктурах при воздействии импульсного и статического ионизирующего излучения с учетом субмикронных технологий и требований КГС «Климат-7» на всех иерархических уровнях проектирования;

9. Предложены методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства ДЦ;

Ю.Проведена программная реализация разработанных средств и создана единая программная среда проектирования КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

11 .Предложены методика и особенности развития научной и промышленной базы автоматизации проектирования специализированных СБИС двойного назначения;

12.Разработано методическое обеспечение, средств комплексной автоматизации проектирования.

13.С помощью разработанных средств создана библиотека типовых элементов специализированных КМОП СБИС, на основе которой проектируются ра-диационно-стойкие микросхемы. В результате создана широкая номенклатура изделий и, таким образом, проведена опытная эксплуатация предложенных средств и оценена экономическую эффективность.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие Текст. / В. Немудров., Г. Мартин — Москва: Техносфера, 2004. — 216с.
  2. , Е.И. Стандартные микропроцессоры и микроконтроллнры Текст. / Иванов Е. И. // Электронные компонентыи 2000 г. — N2. — С. 5.3. 16-разрядные микроконтроллеры PHILIPS, PANASONIC, OKI, Tl. Текст. // Chip News 2000 г. — N7. — С. 16−20.
  3. , В.Н. Задачи автоматизации проектирования современной радиацион-но-стойкой элементной базы Текст. / В. Н. Ачкасов, А. В. Ачкасов,
  4. IEEE Spectrum. 1998. — v.35. — N9. — Р.39.
  5. Новые DSP новый рывок в производительности. Chip News, N10, 2000 г. Текст. // Chip News — 2000 г. — N10. — С.21−25.
  6. , В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии. Текст. /В.М.Зыков // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Томск, 2002.
  7. A.B. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации Текст.: монография / A.B. Ачкасов,
  8. B.К.Зольников, К. И. Таперо Воронеж: Воронеж, гос. ун-т, 2006.- 165 с.
  9. , П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования дизайн центра Текст.: монография / П. Р. Машевич, В.К. Зольников- ВГУ.-Воронеж, 2006.- 284с.
  10. , B.E. Программная среда событийного ускорителя логического моделирования Текст. / В. Е. Межов, Н. А. Кононыхина // Методы искусственного интеллекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. -.Гурзуф, 1990. -С. 64−67.
  11. , В.Н. Методика проектирования радиационно-стойких ИС Текст. / В. Н. Ачкасов, В. К. Зольников // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. М.: СПЭЛС-НИИП, 2003. — С.38 -39.
  12. , В.Е., Проектирование САПР и АРМ изделий электронной и вычислительной техники : Учеб. пособие. Текст. / В. Е. Межов, В. М. Питолин, В. В. Плотников В.Н. Харин Воронеж: Воронеж, политехи, тн-т, 1989. -101 с.
  13. , В.А. Автоматизация функционально-логического проектирования микроэлектронных устройств и аппаратуры на мини-ЭВМ :Учеб. Пособие Текст. / В. А. Дыбой, В. Е. Межов, А. А. Рындин -Воронеж: Воронеж, политехи, ин-т. 1990. -78с.
  14. , Б.Л. Унифицированные интерактивные средства проектирования изделий электронной техники Текст. / Б. Л. Толстых, И. Л. Талов, В. Н. Харин, В. Е. Межов -М.: Радио и связь, 1984. -136с.
  15. , С.Г. Автоматизация поиска неисправностей на основе вероятностно-лингвистического метода диагностирования Текст. / С. Г. Данилюк, В. И. Зютин // Информационные технологии в проектировании и производстве -1996 № 3- 4 С59−64.
  16. , Г. В. Подсистема ускоренной верификации тестов Текст. / Г. В. Зизин, В. Е. Межов // Интеллектуальные информационные системы: Тез. докл. науч.-техн. конф. Воронеж: ВГТУ, 1999. — С.45−47
  17. , А.Е. Структурный метод построения тестовых последовательностей для К-МОП интегральных схем Текст. / А. Е. Люлькин // Микроэлектроника -1995- т.24.- № 2- С.150−155
  18. Исследование и разработка методов и алгоритмов автоматизированной генерации тестов проверки ТЭЗ’зов Текст. / Отчет по НИР «Турнир» // ФГУП НИИ-ЭТ. У11 759, — Воронеж, 2007.
  19. Исследование и разработка алгоритмов и экспериментальных программ для специализированного процессора моделирования Текст. / Научно технический отчет по НИР ТРОПИК // ФГУП НИИЭТ — 2007 г. — У42 917.
  20. , В.И. Диагностика неисправностей цифровых автоматов Текст. /
  21. B.И.Казначеев//Москва., «Советскоерадио» 1975 г.
  22. , К. Логическое проектирование СБИС Текст. / К. Киносита, К. Асада, О. Карасу М- Мир. 2003 г. — 309 с.
  23. , Т. Программные средства тестируемости и автоматическая генерация тестов для СБИС Текст. / Т. Киркленд, И. В. Флорес // Электроника 1996 г. — № 51. C.34−38.
  24. Комплекс средств автоматизированного проектирования специализированных ИС.// Электроника. 1996 — № 12 С. 85 -88.
  25. , В.В. Автоматизация контроля цифровых функциональных модулей Текст. / В. В. Кондратьев Б.Н.Махалин М.- Радио и связь. 1990. — 156с.
  26. Разработка библиотеки элементов Текст. / Отчет по НИР «Трикута-2Р» // ФГУП НИЭТ 2006 — 111с.
  27. , П.П. Входной язык и принципы организации транслятора системы САПРИС 11 Текст. / П. П. Аврашков, Ю. И. Беляков, Ю. Б. Егоров // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. -1996.-Вып.4 (76), -С.30−37.
  28. , A.A. Универсальная информационная среда проектирования для создания интегрированных САПР БИС Текст. / А. А. Рындин, А. В. Межов // Вопросы радиоэлектроники. Серия ЭВТ. -1994. -Вып. 2. -С. 51−56.
  29. , В.Н. Особенности графической подсистемы АРМ проектировщика КМОП БИС Текст. / В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков, В. Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2002. — С.50−54.
  30. , В.Н. Лингвистическое обеспечения АРМ проектировщика КМОП БИС Текст. / В. Н. Ачкасов, ВЛКрюков, В. Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2002. — С.75−80.
  31. , Г. Исследование сложных систем по частям — диакоптика Текст. / Г. Крон // М.: Наука 1972. -542с.
  32. , C.B. Методика формирования единой информационной среды распределенной обработки данных в системе управления Текст. / C.B. Величко // Известия ВУЗов. Северо-Кавказский регион. Технические науки 2004.- № 3.- С. 61−64.
  33. , В.М. Бортовые подсистемы инерциального управления и спутниковой навигации с автономными вычислителями Текст. / Антимиров В. М., Ачкасов В.Н.// Авиакосмическое приборостроение. 2005. № 6. — С.20 — 22.
  34. , В.М. Вопросы построения адаптивных бортовых управляющих вычислительных комплексов Текст. / Антимиров В. М. Ачкасов В.Н.// Системы управления и информационные технологии. 2005. № 4(21). — С.5 — 8.
  35. , В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения Текст. / В. М. Антимиров В.Н.Ачкасов, П. Р. Машевич, Ю.К.Фортинский// Приводная техника. 2005. № 3(55). — С.56 — 61.
  36. , В.М. Особенности реализации подсистемы обработки геофизических полей и оптической навигации, как автономных вычислительных модулей Текст. / Антимиров В. М., Ачкасов В.Н.// Полет. 2005. № 6. — С.55 — 60.
  37. , В.М. Разработка базового алгоритма подсистемы коррекции погеофизическим полям Текст. / В. М. Антимиров, В. H Ачкасов // Программные продукты и системы 2007 — № 4. — С.37 — 38.
  38. , В.Е. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС Текст. / В. Е. Межов, В. К. Зольников, ДЕ. Соловей и др. Воронеж: ВГЛТА, 1998. — 258с.
  39. , Б.И. Компьютерно-интегрированные производства и CALS-технологии в машиностроении. Текст. / Б. И. Черпаков. М.: ГУП «ВИМИ», 1999. 512с.
  40. , И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем Текст. / И. П. Норенков М.: Высшая школа. 1986.
  41. NATO CALS Handbook. Ver. 2, June 2000.
  42. ГОСТ 18 298–79. Термины и определения.53. ГОСТ РИСО 9000−2001.
  43. , C.B. Формирование базы данных ведения законодательства в региональной системе управления природопользованием Текст. /C.B. Величко // Вестник Донского гос. техн. ун-та.- 2004.- № 3.- С. 21−28.
  44. Aitcen, Robert С. Modeling the unmolable: Algorithmic fault diagnostic Текст. / Robert C. Aitcen // IEEE Des. Fnd Test Comput, -997 -14,№ 3-C.98−103.
  45. , В.Н. Подсистема автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления. Текст. / В. Н. Ачкасов, В. М. Антимиров,
  46. П.Р.Машевич, Ю. К. Фартинский // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. — 2005. -С. 45−46.
  47. Braynt R.E. A switch level model and simulator for MOS digital system Текст. // IEEE Trans. Comput. vol. C-33, pp.160 — 177. feb. 1984
  48. , В.Н. Автоматизация управления информационной инфраструктурой комплексной САПР Текст. / В. Н. Ачкасов, A.B. Стариков, А. В. Кузьмин // Программные продукты и системы 2007 — № 2. — С.35 — 37.
  49. , Ю.В. Автоматизации проектирования специализированной микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения Текст. / Ю. В. Гуляев, В. Н. Ачкасов.- Воронеж: Воронежский государственный университет, 2005.- 319 с.
  50. , В.Н. Разработка и применение информационных технологий в электронной промышленности Текст. /В.Н Ачкасов, И. Я. Львович, Ю.К. Фортин-ский Воронеж: Воронежский государственный университет, 2008.- 281 с.
  51. , В.Е. Автоматизация проектирования КМОП ИС с учетом радиации Текст. / В. Е. Межов, А. Н. Зольникова, В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков Воронеж: Воронежский гос. университет, 2002. -178с.
  52. , В.Н. Создание конструктивно-технологического базиса функционально полного комплекта СБИС двойного назначения Текст. / В. Н. Ачкасов,
  53. В.П.Крюков // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб., Вып. 5.-М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. С.37−38.
  54. , В.М. Исследование вариантов резервирования мигистральных связей в вычислительной системе Текст. / В. М. Анитимиров, В. Н. Ачкасов, П. Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. -№ 2(20).-С.238−243.
  55. , А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы Текст. / А. И. Чумаков М.: Радио и связь, 2004.
  56. The Radiation Design Handbook. European Space Agency. ESTEC, Noordwijk, the Nederlands, 1993.
  57. Archive of Radiation Effects Текст. // IEEE NSREC Short Course Notebooks from 1980−1998.
  58. Gordon, G. Geostationary communications satellites Текст. // Practical Considerations in Applying Electronics to Space Systems. ШЕЕ NSREC Short Course. 1993. P. 1−1 -1−52.
  59. , В.Н. Алгоритм определения стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам в САПР ИЭТ Текст. / В. Н. Ачкасов // Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. № 3. -С.96 — 98.
  60. , В.Н. Методика определения стойкости изделий микроэлектроники Текст. / В. Н. Ачкасов // Труды всероссийской конференции «Новые технологии». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. — 2006. -С. 72−73.
  61. , В.Н. Расчет тепловых эффектов радиационного происхождения конструкции ИЭТ Текст. / В. Н. Ачкасов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2005. № 1. -С.205 — 209.
  62. , В.Н. Математические модели расчета тепловых эффектов, возникающих в конструкции ИЭТ при воздействии рентгеновского излучения Текст. /
  63. В.Н.Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 2(20). — С. 197 — 204.
  64. , В. Дозиметрия ионизирующего излучения: Текст. / В. Штольц, Р. Бернхардт // Пер. с нем. Рига: Зинатне, 1982. — 142 с.
  65. , В.И. Курс дозиметрии Текст. / В. И. Иванов. М.: Энергиоздат, 1988. — 400с.
  66. , В.К. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии излучения с большой степенью поглощения Текст. / В. К. Зольников, Н. Н. Афонин, О. Н. Мануковский // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТПО. 1991. Вып. 1, С. 51−55.
  67. , В.К. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии рентгеновского излучения Текст. / В. К. Зольников // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб. науч. трудов. — Воронеж: ВГЛТА, 1998. С. 46−50.
  68. , A.A. Теория разностных схем Текст.: Учеб. пособие для вузов /
  69. A.А.Самарский. М.: Наука, 1989. — 614 с.
  70. , В.К. Исследование нелинейных процессов в полупроводниковых структурах в импульсных полях гамма-излучения большой мощности Текст. /
  71. B.К.Зольников // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб. науч. трудов. Воронеж: ВГЛТА, 1998. — С. 33−35.
  72. , A.B. Сопротивление материалов Текст.: Учебник для вузов / А. В. Александров, В. Д. Потапов, Б.П.Державин- Под ред. А. В. Александрова -М.: Высш. школа, 2003. 560 с.
  73. , Л.Д. Теоретическая физика Текст.: В 10 т.: Учеб. Пособие для студентов физ. спец. ун-тов / Л. Д. Ландау, Е.М.Лифшиц- Под ред. Л. П. Питаевского -М.: Физматлит. Т.7: Теория упругости — 2001. — 264 с.
  74. , B.C. Статические контактные задачи для многослойных упругих тел Текст. / В. С. Никишин / Механика контактных взаимодействий. М.: Физматлит, 2001.-С. 30−54.
  75. , A.A. Методы решения сеточных уравнений Текст.: Учеб. пособиедля вузов / А. А. Самарский, Е. С. Николаев. М.: Наука, 1978. — 591 с.
  76. , В.И. Задача термоупругости и методы ее решения Текст.: Учебное пособие / В. И. Климов. М.: Изд-во московского авиац. ин-та, 1977. — 44 с.
  77. , Н.П. Численные методы в теории упругости и теории оболочек Текст. / Н. П. Абовский, Н. П. Андреев, А. П. Деруга и др.— Красноярск: Изд-во краен, ун-та, 1986. 384 с.
  78. , Б.Г. Вопросы теплопроводности и термоупругости Текст.: Учебное пособие / Б. Г. Коренев, М. Г. Ванюшенков, И. И. Демин М.: МИСИ, 1984. — 100с.
  79. , B.C. Статические контактные задачи для многослойных упругих тел Текст. / В. С. Никишин / Механика контактных взаимодействий. М.: Физмат-лит, 2001.-С. 30−54.
  80. , А.Д. Термоупругость Текст.: Учебное пособие / А. Д. Коваленко. -Киев: Вища школа, 1975. 216 с.
  81. Ачкасов, В. Н. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации Текст. / В. Н. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. № 2(27). С. 180 — 187.
  82. , А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС Текст. / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков А.И. М.: Радио и связь, 1994.
  83. ГОСТ 25 645.106−84. Пояса Земли радиационные естественные. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.
  84. ГОСТ 25 645.150−90. Лучи космические галактические. Модель изменения потоков частиц. Госкомитет СССР по стандартам, 1991.
  85. Barth, J. Applying Modeling Space Radiation Environments Текст. // Applying Computer Simulation Tools to Radiation Effects Problems. IEEE NSREC Short Course. 1997.
  86. ГОСТ 25 645.104−84. Лучи космические. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.
  87. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники Текст. / Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980.
  88. , Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов Текст. / Е. А. Ладыгин М.: ЦНИИ «Электроника», 1976.
  89. , Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Текст. / Под ред. Т. М. Агаханяна. М.:Энергоатомиздат, 1989. — 256 с.
  90. , В.Н. Проектирование микроэлектронных компонентов космического назначения: монография Текст. /В.Н. Ачкасов.- Воронеж: Воронежский государственный университет, 2005.- 301с.
  91. , Ю.А. Система логического моделирования и генерации тестов АСМИД -П. Текст. / Ю. А. Скобцев, В. Ю. Скобцев // Управляющие системы и машины. -1996- № 1−2 -С.39−45
  92. , В.Н. Экономичный алгоритм оценка стойкости элементной базы к воздействию ионизирующих излучений Текст. / В. Н. Ачкасов, А. В. Сакерский, В.М.,
  93. A.А.Обухов // Материалы международной конференции «Высокие технологии энергосбережения». -Воронеж: Издательство ВГТУ, 2005. С.11−12.
  94. , В.Н. Алгоритм моделирования работы ИС в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ Текст. / В. Н. Ачкасов // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып.5. М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. — С.109 — 110.
  95. , В.Н. Проектирование радиационно-стойких БИС Текст. / В. НАчкасов,
  96. B.К.Зольников, Ю. К. Фортинский // Материалы Российской конференции «Стой-косгь-2005». Москва: МИФИ. — 2005.- С.43−44.
  97. Самьюэл, Уэбер. Поиск эффективной стратегии интеграции инструментальных средств проектирования Текст. / Уэбер Самьюэл // Электроника. 12 13. 1990 г. с. 135−137.
  98. , Д.К. Диалоговое логическое моделирование сложных СБИС с помощью специализированного компьютера Текст. / Д. К. Хоуорд, Р. Н. Малм, Л. М. Уоррен // Электроника. 1983 г. 25−26 с. 43 -46.
  99. , В.Е. Некоторые особенности реализации пакета программ иерархического моделирования Текст. / В. Е. Межов, И. Е. Медведкова // Методы искусственного интелекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. Гурзуф, 1990. -С. 74−77.
  100. , В.Н. Физические процессы радиационного воздействия в транзисторе Текст. / В. Н. Ачкасов, Ю. В. Гуляев // Моделирование систем и процессов- Воронеж: Издательство воронежский госуниверситет 2006. Вып.1. — С. 6 — 12.
  101. Brown, D.B., Saks N.S. Time-Dependence of Radiation-Induced Interface Trap Formation in Metal-Oside-Semiconductor Devises as a Function of Oxide Thickness and Applied Field // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70, N 7. P. 3734−3747.
  102. Schwank, J.R., Fleetwood D.M., Winokur P. S. et al. The Role of Hydrogen in Radiation-Induced Defect Formation in Polysilicon Gate MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34, N6. P. 1152−1158.
  103. , В.Н. Радиационные эффекты в биполярных микросхемах. Текст. / В. Н. Устюжанинов, А. З. Чипиженко -М.: Радио и связь, 1988. 288 с.
  104. , Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Текст. / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов // Минск. Наука и техника, 1978. — 232 с.
  105. Rashkeev, S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Defect Generation by Hydrogen at the Si-Si02 Interface // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87, N 16. 165 506/1−4.
  106. Rashkeev, S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Proton-Induced Defect Generation at the Si-Si02 Interface // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001. Vol. 48, N 6. P. 2086−2092.
  107. Boesch, H.E. Jr. Interface-State Generation in Thick Si02 Layers // Ibid. 1982. Vol. 29, N6. P. 1446−1451.
  108. , П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра Текст. / П. Р. Машевич,
  109. В.К.Зольников, К. И. Таперо Воронеж: Воронежский государственный университет, 2006
  110. , C.B. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами. Текст. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1999.
  111. Ning, Т.Н. Capture Cross Section and Trap Concentration of Holes in Silicon Dioxide // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, N2.P. 1079−1081.
  112. Johnson, W.C. Mechanism of Charge Buildup in MOS Insulators // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1975. Vol. 22, N 6. P. 2144−2150.
  113. Warren, W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M. et al. Microscopic Nature of Border Traps in MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1994. Vol. 41, N 6. P. 1817−1827.
  114. McWhorter, P.J., Miller S.L., Miller W.M. Modeling the Anneal of Radiation-Induced Trapped Holes in a Varying Thermal Environment // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1990. Vol. 37, N 6. P. 1682−1689.
  115. , Д.Г. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации Текст. / Д. Г. Хорюшин, А. В. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. — № 1(26). — С. 110 112.
  116. , В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовых систем управления Текст. / Антимиров В. М., Ачкасов В. Н., Машевич П. Р. // Полет. 2005. № 8. — С.23 — 26.
  117. , В.К. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем Текст. / В. К. Зольников, В. Н. Ачкасов, П. Р. Машевич, И. П. Потапов //
  118. Вестник ВГТУ. Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. № 3. -С.9 -11.
  119. , В.Н. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно стойких микросхем Текст. / В. Н. Ачкасов, И. П. Потапов, A.B. Ачкасов // Приводная техника — № 4. — с. 52−55.
  120. , В.Н. Интеграция программных средств САПР Текст. / В. Н. Ачкасов // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. М: Издательство «Радио и связь». — 2006. Часть 2 — С. 34.
  121. A.c. № 1 790 316, Способ изготовления структур больших интегральных КМОП схем Текст. / В. Н. Ачкасов, В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский. Заявл. 22.02.92- Опубл. 12.02.93, Бюл. № 4.
  122. A.c. № 1 616 448, Способ изготовления КМДП интегральных схем Текст. / В. Н. Ачкасов — Заявл. 22.05.90- Опубл. 21.01.91, Бюл. № 3.
  123. A.c. № 1 515 965, Способ изготовления структур КМОП-интегральных схем Текст. / В. Н. Ачкасов, Н.Я.Мещеряков- Заявл. 15.06.89- Опубл. 10.02.90, Бюл. № 4.
  124. A.c. № 289 950, Способ контроля ухода размеров топологических элементов интегральных схем Текст. /В.Н.Ачкасов — Заявл. 1.03.89- Опубл. 21.02.90, Бюл. № 1.
  125. А.с. № 1 319 755, Способ изготовления больших интегральных схем с короткока-нальными МДП -транзисторами Текст. / В. Н. Ачкасов, Н. Я. Мещеряков, С. А. Цыбин. Заявл. 15.06.89- Опубл. 21.01.90, Бюл. № 3.
  126. , В.Н. Библиотека элементов для проектирования радиационно-стойких изделий Текст. / В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков, И.П.Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». Москва: МИФИ. — 2006, — С.123−124.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!