Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и ?-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации

Актуальность темы

.

В последние два-три десятилетия в физике полупроводников и твёрдотельной микроэлектронике резко возрос интерес к структурам с пониженной размерностью. Это обусловлено как возникновением и изучением новых физических эффектов и созданием новых поколений приборов, так и возможностью улучшения свойств существующих полупроводниковых приборов.

Когда движение свободных носителей ограничено областями с характерными размерами порядка де-бройлевской длины волны, 0 происходит изменение характеристик энергетического спектра. Это приводит к тому, что все основные характеристики структуры начинают зависеть от её размеров. В таких структурах существенно меняется большинство электронных свойств из-за возникновения большого числа новых размерных эффектов вдоль координаты, по которой ограничено движение. В этом состоит проявление квантово-размерного эффекта, а структуры и их свойства, которые определяются этим эффектом, называются низкоразмерными. Если в структурах движение ограничено вдоль одного или двух направлений, то под влиянием приложенных полей могут меняться не три, а лишь две или одна компонента импульса ® электронов и дырок, т. е. носители ведут себя как двумерный или одномерный газ. Такие структуры называются двумерными и одномерными. Одномерные структуры получили название квантовых нитей. Если же структура проявляет квантово-размерные эффекты во всех трёх направлениях, то система с такой структурой называется нульмерной или квантовой точкой.

Возможность создания низкоразмерных структур в полупроводниках появилась после получения совершенных гетероструктур и сверхрешёток на их основе и в связи с бурным развитием современных технологий, а именно: молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), газофазной эпитаксии и нанолитографии [1−4].

В настоящее время одномерные и нульмерные системы получают методами субмикронной литографии на базе двумерных. Кроме того, в последнее время для создания одномерных систем всё чаще используются подложки с вицинальными (слабо разориентированными в определённом направлении) поверхностями. В этом случае возможно создание структуры с квантовыми нитями как при росте гетероструктур на подложках с ориентациями (111)А и (111)В [5−7], так и за счёт сегрегации легирующей примеси (олова) при использовании 5-легирования на вицинальные грани подложек GaAs [8]. Описанные выше структуры представляют собой квантовые ямы (КЯ), полученные 5-легированием. Возможно также создание КЯ из двух гетеропереходов. В этом случае можно получить существенно большую подвижность электронов, например, за счёт специального легирования или введения туннельно-прозрачного барьера [9]. Однако количество работ, посвященных синтезу таких структур и исследованию их электрофизических и транспортных свойств, в настоящее время мало.

В литературе нет данных об использовании свойства амфотерности атомов кремния на поверхности GaAs с ориентацией (111)А, где наиболее ярко проявляются эти свойства, для создания квазиодномерных структур. Из [6] известно, что при разориентации подложек (111)А в направлении [211] и [211] на малые углы от 1° до 4° возникают террасы с ориентацией (111)А и ступеньки с ориентациями (111)В и (100)В соответственно. Подбирая технологические условия роста, можно добиться того, чтобы атомы кремния занимали узлы мышьяка и галлия на террасах и ступеньках по-разному. И это может привести к анизотропии транспортных свойств таких эпитаксиальных структур.

Также недостаточно экспериментальных работ, посвященных ® детальному исследованию структур AlGaAs/GaAs/AlGaAs, содержащих внутри КЯ тонкий барьер AlAs. Как известно, в КЯ гетероструктур с модулированным легированием AlGaAs/GaAs/AlGaAs при температурах выше 77 К рассеяние электронов происходит в основном на полярных оптических (ПО) фононах. Рассеяние электронов на ПО фононах является неупругим и зависит от заполнения электронных состояний. Расчёты, выполненные в работе [9], показали, что рассеяние электронов на ПО фононах в КЯ можно регулировать, управляя спектром и заполнением состояний в КЯ. Такое регулирование позволяет как повысить, так и понизить подвижность электронов (це)> что изменяет и позволяет ® улучшать параметры быстродействия транзисторов, изготовленных на таких структурах.

Цель работы.

Целью настоящей работы является поиск и разработка технологии получения полупроводниковых структур, содержащих квазиодномерные каналы без применения нанолитографических методов их формирования и исследование электрофизических параметров полученных структур, а также синтез структур со связанными КЯ (структуры типа © AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонким барьером из AlAs внутри КЯ) и исследование электронных свойств и электронного транспорта в случае двустороннего легирования таких структур.

Цель работы включает в себя решение следующих конкретных задач:

— Изучение влияния условий роста (температуры роста Тр, соотношения потоков мышьяка и галлия Y=PAs/PGa> где Pas и PGa — парциальные давления паров As и Ga в зоне роста установки МЛЭ) при использовании в качестве подложек пластин с ориентациями (100), ® (111)А, (111)В на структурные и электрофизические свойства эпитаксиальных плёнок (ЭП).

— Исследование распределения и перераспределения кремния в ЭП GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с разными ориентациями.

— Выяснение возможности использования свойства амфотерности атомов кремния для получения планарных р-п-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)А.

— Синтез с помощью МЛЭ ЭП с 8-легированными слоями кремния на слабо разориентированных в направлении [211] подложках GaAs с ориентацией (111)А.

— Исследование анизотропии проводимости и спектров фотолюминесценции (ФЛ) в зависимости от утла разориентации, а в 5-Si-легированных слоях GaAs, выращенных на разориентированных в направлении [211] подложках (111)А GaAs.

— Синтез структур с симметричными связанными КЯ AlGaAs/GaAs/AlGaAs, разделёнными AlAs барьером и исследование их оптических свойств.

— Разработка структур со связанными КЯ (на основе структур q n-AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs с барьером AlAs в середине GaAs и без него) с двусторонним легированием и исследование электронного транспорта.

Объекты и методы исследования.

Исследования выполнены на образцах, выращенных методом МЛЭ на установке ЦНА-24 (Россия, г. Рязань). В качестве исходных материалов в установке МЛЭ использовались мышьяк марки ОСЧ с содержанием остаточных примесей <10″ 5% (7N), галлий марки ОСЧ с содержанием остаточных примесей <10″ 6% (8N) и алюминий марки ОСЧ с содержанием остаточных примесей <10″ 4% (6N). В качестве легирующей примеси использовался кремний. Для каждой исследуемой структуры оптимизировались условия роста (Тр, у, время и температура предварительного отжига подложки перед ростом и т. д.) с целью получения ЭП наиболее высокого качества. Исследования свойств изучаемых структур проводились с помощью широкого круга экспериментальных методик, обеспечивающих максимально полную и достоверную информацию: измерения эффекта Холла, ФЛ, вторично-ионной масс-спектроскопии (ВИМС), рентгеноди фракционные исследования, атомно-силовая микроскопия и др.

Практическая значимость работы.

1. Предложена и разработана технология изготовления квазиодномерных квантовых структур без применения нанолитографии, а на основе использования разориентированных в направлении [211] подложек GaAs с ориентацией (111)А и 5-легирования кремнием.

2. Проведён большой комплекс работ по росту ЭП на подложках GaAs с ориентациями (100), (111)А, (111)В в едином технологическом процессе при широком диапазоне изменения у (от ~10 до ~77), исследованию электрофизических свойств выращенных ЭП и изучению поведения кремния как легирующей примеси при использовании в качестве подложек пластин GaAs с указанными ориентациями.

3. Продемонстрирована возможность получения планарных диодов при использовании подложек (111)А GaAs, а в качестве легирующей примеси только кремний.

4. Проведено систематизированное исследование изменения ® энергетического спектра и транспорта носителей в структурах.

AlGaAs/GaAs/AlGaAs при: 1) введении барьера из AlAs в центр

КЯ и изменения его толщины- 2) изменении ширины КЯ от 75 А о до 350 А- 3) применении двустороннего легирования и изменении степени легирования.

Научная новизна работы.

В работе впервые предложены и методом МЛЭ выращены структуры с квазиодномерными каналами при использовании в качестве © подложек разориентированные в направлении [211] пластины GaAs с ориентацией (111)А и 5-легирования кремнием.

— Выполнены процессы эпитаксиального роста для широкого диапазона изменения у (от ~10 до ~77) и для разных углов разориентации от 0 до 5°.

— Обнаружен сдвиг полосы ФЛ при hco-1,36 эВ в сторону больших энергий с ростом угла разориентации для образцов с одиночными S-Si-легированными слоями, выращенными при у"18. Наблюдаемый сдвиг полосы ФЛ объяснён возникновением на террасах и ступеньках вицинальной поверхности донорно-акцепторных (Д-А) пар, в которых среднее расстояние между донорами и акцепторами изменяется в зависимости от угла разориентации.

— Выявлены вариации формы спектра ФЛ, величины и типа проводимости эпитаксиальных слоев в зависимости от величины у и ориентации подложек GaAs, используемых для МЛЭ роста [(100), (111)А, (111)В]. Эти вариации интерпретированы, исходя из изменений концентрации акцепторов Si, их энергетического спектра, а также изменения соотношения концентрации донорных и акцепторных ® состояний Si.

Впервые обнаружена анизотропия проводимости в 8-Si-легированных структурах, выращенных на разориентированных подложках (111)А. Проведены измерения эффекта Холла и температурных зависимостей сопротивления в диапазоне температур 4,2−300 К вдоль и поперёк ступеней вицинальной поверхности, возникающей при разориентации (Ш)А GaAs подложек в направлении [211]. Выявленная анизотропия проводимости объяснена либо различным влиянием непрерывного распределения примеси на подвижности носителей для различного направления тока, либо ® появлением компенсированных областей.

— Получены планарные структуры с р-п-переходами и изготовлены диоды на подложках (111)A. GaAs с легирующей примесью только Si с использованием его амфотерности. Показано, что в зависимости от структуры слоев вольтамперная характеристика (ВАХ) приборов имеет вид как у обычного или обращённого диода.

— Экспериментально показано заметное влияние введения AlAs в о барьера малой толщины (5 Аи 10А) в центр КЯ AlGaAs/GaAs/AlGaAs на энергетический спектр квантовых состояний. (c) — Впервые экспериментально установлено изменение подвижности электронов с изменением толщины КЯ гетероструктуры AlGaAs/GaAs/AlGaAs с модулированным двусторонним легированием. Определены условия увеличения подвижности при введении в КЯ тонкого о барьера AlAs (~15ч-20 А).

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Предсказанная, экспериментально обнаруженная и исследованная анизотропия проводимости при использовании в МЛЭ в качестве исходных подложек слабо разориентированных в направлении [2li] пластин GaAs с ориентацией (111)А и 8-легировании кремнием.

2. Результаты исследований влияния соотношения потоков мышьяка и галлия на электрофизические, фотолюминесцентные и структурные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на подложках GaAs (100), (111)А, (111)В.

3. Экспериментальные результаты фотолюминесцентных и © электрофизических исследований эпитаксиальных структур с одиночными 5-легированными кремнием слоями, выращенными на подложках (111) A GaAs, разориентированных в направлении [211] на углы от 0 до 3° при широком диапазоне изменения у от 18 до 77 и их интерпретация. Обнаруженный сдвиг полосы ФЛ при Ьсо=1,36эВ в сторону больших энергий для у=18 в зависимости от угла разориентации.

4. Обнаруженные особенности распределения и перераспределения атомов кремния в квази S-Si-легированных эпитаксиальных структурах, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100), (111)А и.

111)В.

5. Реализация свойства амфотерности кремния как легирующей примеси для создания планарных р-п-переходов при использовании подложек GaAs с ориентацией (111)А.

6. Экспериментально подтверждённая возможность регулирования подвижности электронов в КЯ гетероструктуры AlGaAs/GaAs/AlGaAs с модулированным двусторонним легированием при использовании AlAs барьера в центре КЯ.

7. Результаты исследования квантово-размерных эффектов в структурах AlGaAs/GaAs/AlGaAs при введении в центр КЯ AlAs барьера разной толщины и изменении ширины КЯ от 75 А до.

350 А.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и опубликованы в трудах следующих конференций, совещаний и симпозиумов: VI Всесоюзный семинар «Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия» (г. Харьков, 1991 г.) — 23 Международная конференция по составным полупроводникам (г. Санкт-Петербург, 1996 г.) — Всероссийский симпозиум по электронике (г.Рязань, 1996 г.) — Пятая и шестая международные конференции «Актуальные проблемы твёрдотельной электроники и микроэлектроники» (г.Таганрог, 1998 и 1999 гг.) — Всероссийская научно-техническая конференция «Микрои наноэлектроника» (г.Звенигород, 1998 и 2001 гг.) — III и VI Всероссийские конференции по физике полупроводников «Полупроводники 97» и «Полупроводники 99» (г. Москва, 1997 г. и г. Новосибирск, 1999 г.) — Международная конференция по сверхрешёткам, наноструктурам и наноприборам ICSNN 2002 (Франция, Тулуза, 2002 г.) — Восьмая Российская конференция «Арсенид Галлия и Полупроводниковые соединения группы III-V» GaAs — 2002 (г. Томск, 2002 г.) — Международная конференция «Оптика, Оптоэлектроника и технологии» (г. Ульяновск, 2002 г.) — 1Iм Международная конференция «Наноструктуры: физика и технология» (г. Санкт-Петербург, 2003 г.).

Личный вклад автора состоит в развитии научной проблемы © формирования и исследования свойств двумерных и одномерных структур, в формулировании конкретных задач, нахождении методов и путей их решения, постановке экспериментальных исследований и их непосредственное проведение, в выращивании образцов и подготовке их к измерениям, в анализе и интерпретации полученных результатов, в осуществлении научного руководства проектами по Межотраслевой научно-технической программе России «Физика твердотельных наноструктур» (№ 2−030/4, № 96−2009, 99−2044) и по программе Минпромнауки «Исследования и разработки по приоритетным направлениям науки и техники» по теме «Технология низкоразмерных объектов и систем» © (Государственный контракт № 40.072.1.1.1178) по разработке технологии получения низкоразмерных систем методом МЛЭ. В диссертацию вошли работы, выполненные совместно с соавторами-теоретиками. В этих работах личный вклад автора заключается в участии в постановке задачи, обсуждении и изложении результатов, подготовке статей и докладов.

Структура и объём диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения, списка цитируемой литературы, а также списка работ, опубликованных по теме диссертации, изложена на 203 страницах, включает 54 рисунка, 13 таблиц и 162 ссылки на литературные источники.

Основные результаты и выводы диссертации состоят в следующем.

1. Проведены комплексные исследования структурных, электрических и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ в едином технологическом цикле, на подложках GaAs с ориентациями (100), (111)А, (111)В. Установлено сильное влияние отношения молекулярных потоков As и Ga на указанные свойства.

• Установлено, что в диапазоне изменений у от 16 до 77 ® кристаллическая структрура ЭП GaAs, выращенной на подложке.

111)А GaAs, оказывается более совершенной, чем на (111)В.

• Наибольшие изменения в кривых дифракционного отражения для ЭП с ориентацией (111)А наблюдаются в диапазоне 20<у<40, то есть, когда эпитаксиальные слои при легировании кремнием переходят от рк n-типу проводимости.

• В спектрах ФЛ эпитаксиальных плёнок в зависимости от кристаллографической ориентации подложек и величины у наблюдаются либо две (Ви Si-полосы), либо одна В-полоса. В-полоса.

Q соответствует межзонной излучательной рекомбинации (e-«h), а Siполоса приписана оптическим переходам между зоной проводимости и акцепторными состояниями Si (е—"А).

• Обнаруженные вариации формы спектра ФЛ, величины и типа проводимости исследуемых эпитаксиальных слоёв, выращенных на подложках (111) A GaAs, в зависимости от значения у, интерпретированы исходя из изменений концентрации акцепторов.

Si, их энергетического спектра, а также изменения соотношения концентрации донорных и акцепторных состояний Si.

2. Методами ВИМС и атомно-силовой микроскопии исследовано распределение и перераспределение Si в ЭП, выращенных на подложках с ориентациями (100), (111) А, (111)В. Для этого использованы выращенные методом МЛЭ структуры, содержащие легированные Si слои (толщиной ~320 А), разделённые нелегированными, а слоями (толщиной ~640 А).

• Выявлены особенности распределения и перераспределения Si в таких структурах, связанные со структурным совершенством, и ускоренной диффузией Si по дефектам в случае подложки (111)В.

• При исследовании поверхностей ЭП методом атомно-силовой микроскопии обнаружено, что при ионном травлении во время измерений методом ВИМС рельеф поверхности GaAs с ориентацией (111)А, в отличие от (100) и (111)В, развивается в виде неоднородностей типа «ripples». Показано, что такая особенность развития рельефа может ухудшить разрешение по глубине метода ВИМС, особенно при измерениях профилей распределения примеси в тонких и сверхтонких слоях.

3. Продемонстрирована возможность создания планарных р-п-переходов при использовании подложек (111)А GaAs, а в качестве легирующей примеси — только Si. Показано, что путём введения нелегированной прослойки GaAs между ри n-слоями, можно управлять характеристиками диода от обращённого диода до обычного.

4. Выполнены электрофизические и фотолюминесцентные исследования 8−81-легированных структур GaAs, выращенных методом МЛЭ при различных соотношениях парциальных давлений Рл/Рса^У на подложках с ориентацией (111) А точно и разориентированных в направлении [211] на углы 1- 1,5- 3°.

• Показано, что проводимость образцов изменяется от рк п-типу при увеличении давления As, то есть у.

• Выявлено, что в отличие от ЭП с ориентацией (100), для ЭП с ориентацией (111)А и разориентированных от этой плоскости в направлении [211] в спектрах ФЛ наблюдаются полосы, связанные с одиночными б-Бьлегированными слоями.

• Обнаружено, что для образцов, выращенных при малых у, то есть, когда формируется 5-слой р-типа, происходит сдвиг полосы ФЛ при Ьсо=1,36эВ в сторону больших энергий. Этот сдвиг объяснён изменением среднего расстояния между донорами и акцепторами в D-A парах, возникающих на ступеньках и террасах вицинальной поверхности, и изменением ширины террас при изменении угла разориентации.

• В случае же больших у (у=63), когда формируется 5-слой п-типа, кроме основной полосы при Ьсо=1,508эВ, присутствует особенность при hco" 1,47-И, 48 эВ. С ростом угла разориентации интенсивность этой полосы возрастает. Эта полоса связывается с переходами между донорными и акцепторными состояниями Si, то есть SlGaSlAs.

5. Выявлена предсказанная анизотропия проводимости в 5-легированных кремнием слоях GaAs, выращенных на разориентированных в направлении [211] подложках (111)A GaAs. Анизотропия проводимости объяснена тем, что на террасах вицинальной поверхности, которые имеют (111)А ориентацию, атомы Si можно осаждать или как акцепторы или создавать компенсированный слой, когда атомы Si занимают и узлы Ga, и узлы As примерно поровну. На ступеньках, которые имеют ориентацию (100), атомы Si осаждаются как донорные, © поэтому плотность дырок около ступенек уменьшается, что приводит к изменению транспорта дырок через ступеньки и, следовательно, к анизотропии проводимости параллельно и перпендикулярно ступенькам вицинальной поверхности.

6. Из спектров ФО определены энергии межзонных оптических переходов гетероструктур AlxGaixAs/GaAs/AlxGai"xAs с двойными и одиночными КЯ с различным соотношением ширины ямы и толщины барьера. Двойные КЯ создавались внесением в середину слоя GaAs указанной гетероструктуры барьера из AlAs толщиной 0,5- 0,9 и 1,8 нм. Показано, что наблюдаемые значения энергий переходов соответствуют правилам отбора для прямоугольных ям и могут быть рассчитаны в рамках модели огибающей волновой функции с учётом расщепления валентной зоны GaAs на подзоны тяжёлых и лёгких дырок и туннельного расщепления в связанных КЯ.

7. В гетероструктурах AlGaAs/GaAs/AlGaAs с одиночными и связанными КЯ и с двусторонним легированием исследованы зависимости подвижности электронов от их концентрации, ширины GaAs КЯ, а также от введения в середину КЯ барьера из AlAs. Получены следующие результаты.

0 • Подтверждены теоретические выводы о доминирующей роли неупругого рассеяния электронов на ПО фононах, которое существенно зависит от структуры энергетического спектра и вырождения электронного газа. • Получены экспериментальные доказательства возможностей регулирования подвижностью в КЯ. Показано, что подвижность в КЯ снижается по сравнению с подвижностью в объёме при толщинах КЯ L=18 и 30 нм, при которых имеет место резонансное межподзонное рассеяние электронов на ПО фононах. Повышение подвижности в КЯ в сравнении с объёмной имеет место при толщине КЯ около L=13 и 25 нм. Пульсирующая зависимость подвижности от толщины КЯ и минимумы в области резонансного рассеяния электронов на ПО фононах экспериментально наблюдались впервые.

Показано, что подвижность электронов в КЯ падает при вырождении электронного газа в КЯ (ns>54 015 м" 2). Определены условия, при которых введение в КЯ тонкого барьера позволяет увеличить подвижность электронов. Впервые экспериментально установлен факт повышения подвижности при введении в центр AlGaAs/GaAs/AlGaAs КЯ толщиной 13 нм тонкого (1,0−5-1,8 нм) барьера.

СПИСОК РАБОТ, ВОШЕДШИХ В ДИССЕРТАЦИЮ.

А1. Мокеров В. Г., Фёдоров Ю. В., Гук А. В., Галиев Г. Б., Страхов В. А., Ярёменко Н. Г. Оптические свойства легированных кремнием слоёв GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП. 1998. Т. 32. № 9. С. 1060−1063.

А2. Мокеров В. Г., Галиев Г. Б., Слепнёв Ю. В., Хабаров Ю. В. Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоёв арсенида галлия // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. С. 13 201 324.

A3. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Слепнёв Ю. В., Хабаров Ю. В., Ломов А. А.,.

Имамов P.M. Свойства и структура плёнок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100), (111)А, (111)В методом МЛЭ // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 7. С. 68−72.

А4. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Волков В. Ю., Имамов P.M., Слепнёв Ю. В., Хабаров Ю. В. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В // Радиотехника и электроника. 1999. Т. 44. № 11. С. 1360−1366.

А5. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Слепнёв Ю. В., Волков В. Ю., Шагимуратов Г. И., Хабаров Ю. В., Ломов А. А., Имамов P.M. Исследование структурных, электрических и оптических свойств эпитаксиальных плёнок GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. № 3. С. 66−70. А6. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Чеглаков В. Б. Использование дифракции рентгеновского отражения для исследования слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ при низких температурах роста // Всероссийский симпозиум по эмиссионной электронике: термоэлектронная, вторично-электронная, фотоэлектронная эмиссии и спектроскопия поверхности твёрдого тела. Рязань, 1996. С. 61−62.

А7. Galiev G.B., Mokerov V.G., Cheglakov V.B., Demkina T.B., Pashaev A.M. Structural properties of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy at low temperatures // 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors. St. Peterburg, Russia, 1996. P. 267−270.

A8. Галиев Г. Б., Имамов P.M., Медведев Б. К., Мокеров В. Г., Мухамеджанов Э. Х., Пашаев Э. М., Чеглаков В. Б. Исследование структурных свойств слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ при низких температурах // ФТП. 1997. Т. 31. № 10. С. 1168−1170.

А9. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Волков В. Ю., Имамов P.M., Ломов А. А., Слепнёв Ю. В. Технологическая особенность роста и свойства 5-легированных эпитаксиальных слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках (111) А // Всероссийская научно-техническая конференция «Микрои наноэлектроника 98». Тезисы докладов. Звенигород, 1998. Т. 2. С. 1−14.

А10. Галиев Г. Б., Сарайкин В. В., Слепнёв Ю. В., Шагимуратов Г. И. Исследование процесса распределения кремния в эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs с ориентациями (100), (111)А, (111)В // Труды шестой международной научно-технической конференции. Актуальные проблемы твёрдотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог, 1999. С. 39.

АН. Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Мокеров В. Г., Неволин В. К., Сарайкин В. В., Слепнёв Ю. В., Шагимуратов Г. И. Исследование перераспределения кремния в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В // IV Российская конференция по физике полупроводников: Полупроводники-99. Тезисы докладов. Новосибирск, 1999. С. 159.

А12. Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Мокеров В. Г., Неволин В. К., Сарайкин В. В., Слепнёв Ю. В., Шагимуратов Г. И. Исследование распределения и перераспределения кремния в тонких легированных слоях арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 7. С. 769−773.

А13. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Сарайкин В. В., Слепнёв Ю. В., Шагимуратов Г. И., Имамов P.M., Пашаев Э. М. Исследование структурного совершенства, распределения и перераспределения кремния в эпитаксиальных плёнках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 4. С. 47−52.

А14. Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Мокеров В. Г., Велиховский Л. Э. Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных р-п-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)А методом МЛЭ // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 4. С. 427−430.

А15. Galiev G., Kaminskii V., Milovzorov D., Velihovskii L., Mokerov V. Molecular beam epitaxy growth of a planar p-n junction on a (111)A GaAs substrate using the amphoteric property of silicon dopant // Semicond. Sci. Technol. 2002. V. 17. № 2. P. 120−123.

A16. Галиев Г. Б., Волков В. Ю., Слепнёв Ю. В. Структурные и электрофизические характеристики 5-легированных слоёв GaAs пи р-типа проводимости, выращенных методом МЛЭ // Актуальные проблемы твёрдотельной электроники и микроэлектроники. Труды пятой Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог, 1998. С. 73−75.

А17. Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов Ю. В., Ярёменко Н. Г. Фотолюминесцентные исследования амфотерного поведения кремния в арсениде галлия // ДАН. 1999. Т. 367. № 5. С. 613 616.

А18. Галиев Г. Б., Гук А. В., Мокеров В. Г., Слепнёв Ю. В., Фёдоров Ю. В., Хабаров Ю. В., Ярёменко Н. Г. Фотолюминесценция однороднои 8-легированных кремнием слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентацией (100), (111)А, (111)В // III Всероссийская конференция по физике полупроводников «Полупроводники 97». Тезисы докладов. Москва, 1997. С. 306.

А19. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Ляпин Э. Р., Сарайкин В. В., Хабаров Ю. В. Исследование электрофизических и оптических свойств 8-легированных кремнием слоёв GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [211] поверхностях (111)A GaAs // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 4. С. 421−426.

А20. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Хабаров Ю. В. Влияние угла разориентации на спектры фотолюминесценции 5-легированных кремнием слоёв арсенида галлия (111)А, выращенных методом МЛЭ // ДАН. 2001. Т. 376. № 6. С. 749−752.

А21. Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasil’evskii I.S. Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structures // International conference on superlattices nano-structures and nano-devices. Toulouse, France, 2002. P. I-P062.

A22. Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Кульбачинский В. А., Кытин В. Г., Лунин Р. А., Деркач А. В., Васильевский И. С. Анизотропия проводимости в S-легированных кремнием слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [211] поверхностях (111)А GaAs // ДАН. 2002. Т. 384. № 5. С. 611−614.

А23. Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Мокеров В. Г. Технологические перспективы создания GaAs полевых транзисторов на квантовых нитях и достижимые характеристики // Всероссийская научно-техническая конференция «Микрои наноэлектроника 98». Тезисы докладов. Звенигород, 1998. Т. 2. С. Р2−20.

А24. Галиев Г. Б. Молекулярно-лучевая эпитаксия на слабо-разориентированных в направлении [211] подложках GaAs с ориентацией (111)А // МЭ. 2003. Т. 32. № 1. С. 3−11.

А25. Рагозин В. А., Васильевский И. С., Деркач А. В., Кульбачинский В. А., Лунин Р. А., Галиев Г. Б., Мокеров В. Г., Турин П. В. Анизотропия проводимости в 6-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)А и (111)В // Восьмая Российская конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V. GaAs — 2002». Материалы конференции. Томск, 2002. С. 183−185.

А26. Галиев Г. Б., Игнатьев А. С., Копылов В. Б., Рябов Ю. Э. Исследование 5-легированных слоёв в квантово-размерных структурах на основе GaAs -(AlGa)As методом вторично-ионной масс-спектрометрии // Радиотехника и электроника. 1992. Т. 37. № 10. С. 1910;1915.

А27. Галиев Г. Б., Игнатьев А. С., Копылов В. Б., Мокеров В. Г., Пфлигер А. Исследование процессов формирования 5-легированных слоёв кремния в структурах GaAs/AlxGaixAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии // Микроэлектроника. 1992. Т. 21. Вып. 4. С. 3−10.

А28. Галиев Г. Б., Игнатьев А. С., Копылов В. Б., Рябов Ю. Э. Исследование 5-легированных слоёв в квантово-размерных структурах на основе GaAs-(AlGa)As методом ВИМС // Вторично-ионная и ионно-фотонная эмиссия. Тезисы докладов VI Всесоюзного семинара. Харьков, 1991. С. 137−139.

А29. Авакянц Л. П., Боков П. Ю., Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Кульбачинский В. А., Мокеров В. Г., Червяков А. В. Исследование эффектов размерного квантования в связанных квантовых ямах AlxGai. xAs/GaAs/AlxGai.xAs методом спектроскопии фотоотражения // Оптика и спектроскопия. 2002. Т. 93. № 6. С. 929−934.

А30. Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Мокеров В. Г., Авакянц Л. П., Боков П. Ю., Червяков А. В., Кульбачинский В. А. Исследования электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 1. С. 77−82.

А31. Мокеров В. Г., Галиев Г. Б., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs/GaAs/AlGaAs // ФТП. 2002. Т. 36 Вып. 6. С. 713−717.

А32. Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Мокеров В. Г., Авакянц Л. П., Боков П. Ю., Червяков А. В. Исследования электронно-дырочных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом фотоотражения // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2002. С. 82.

АЗЗ. Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А., Шкердин Г. Н., Яременко Н. Г. Фотолюминесценция двойных квантовых ям // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2002. С.

А34. Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А., Шкердин Г. Н., Яременко Н. Г. Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонким разделяющим барьером // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 5. С. 599−603.

А35. Афанасьев A.M., Галиев Г. Б., Имамов P.M., Климов Е. А., Ломов А. А., Мокеров В. Г., Сарайкин В. В., Чуев М. А. Структурная характеризация двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонкими разделяющими AlAs-слоями с помощью рентгеновской дифрактометрии // МЭ. 2003. Т. 32. No 3. С. 203−210. А36. Галиев Г. Б., Каминский В. Э., Мокеров В. Г., Кульбачинский В. А., Лунин Р. А., Васильевский И. С., Деркач А. В. Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 6. С. 711−716. A37. Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Vasilevskii I.S., Galiev G.B., MokerovV.G., Kaminskii V.E. Peculiarities of electron transport in the coupled AlGaAs/GaAs quantum wells with thin central AlAs barrier //11th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Peterburg, 2003. P. 402−403.

A38. Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Kaminskii V.E., Rogozin V.A.,.

Lunin R.A., Kutin V.G., Derkach A.V. Electron properties of delta-doped by tit.

Si on vicinal (lll)A and (lll)B surface GaAs structures //11 Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Peterburg, 2003. P. 216−318.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.