Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка в ИК-области спектра

Диссертация: Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка в ИК-области спектра
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Некоторые из свойств твердых растворов Сёз^пхАз2 в последние десятилетия привлекли внимание к этим соединениям, в частности, характер изменения ширины запрещенной зоны у них подобен наблюдаемому в Н^Те-СсГГе /9/, что позволяет при получении сплавов СёзАэг — варьировать ширину запрещенной зоны при комнатной температуре в пределах от -0.1 до 1 эВ /10/. Преобладание Сс^Аэг в Сёз. х2пхАз2… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. Cd3As2 и Zn3As2 и твердые растворы на их основе
    • 1. 1. Физико — химические свойства Cd3As2 и Zn3As2 и их 9 кристаллическая структура
    • 1. 2. Синтез и получение кристаллов Cd3As2, Zn3As2 и твердых 14 растворов на их основе
    • 1. 3. Зонная структура арсенидов кадмия и цинка
    • 1. 4. Электрические, гальваномагнитные, термомагнитные и оптиче- 21 ские свойства арсенида кадмия
    • 1. 5. Электрические, гальваномагнитные, термомагнитные и оптиче- 25 ские свойства арсенида цинка
    • 1. 6. Электрические свойства твердых растворов Cd3xZnxAs2 и явле- 27 ния переноса в них
    • 1. 7. Оптические свойства твердых растворов Cd3. xZnxAs
  • ГЛАВА II. Рост и характеристики монокристаллов и тонких пленок 36 твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка
    • 2. 1. Выращивание монокристаллов твердых растворов арсенид кад- 36 мия — арсенид цинка. Подготовка образцов для исследования
    • 2. 2. Рост пленок твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка 39 конденсацией из паровой фазы
    • 2. 3. Методика измерения спектров отражения с помощью Фурье — 49 спектрометра IFS 113v
    • 2. 4. Методика исследования фотоэлектрических свойств 56 р- Cd3xZnxAs2: Se
  • ГЛАВА III. Спектры отражения твердых растворов арсенид кадмия — 59 арсенид цинка в инфракрасной области
    • 3. 1. Экспериментальные спектры отражения
    • 3. 2. Методика обработки спектров отражения
    • 3. 3. Общий алгоритм вычисления оптических функций
    • 3. 4. Анализ экспериментальных результатов
  • ГЛАВА IV. Фотопроводимость и остаточная проводимость твердых 92 растворов арсенид кадмия — арсенид цинка, легированных селеном
    • 4. 1. Изготовление контактов к образцам твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка
    • 4. 2. Фотопроводимость монокристаллов и пленок Сё3. х2пхА82:8е
    • 4. 3. Остаточная проводимость в твердых растворах Сёз. х2пхА
    • 4. 4. Теоретическая модель остаточной проводимости
    • 4. 5. Анализ экспериментальных результатов исследования остаточной проводимости

Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка в ИК-области спектра (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Современные производственные технологии предъявляют все более жесткие требования к свойствам используемых полупроводниковых материалов. Удовлетворить их можно как с помощью дальнейшего углубленного изучения известных веществ, так и исследованием новых полупроводниковых соединений. Одними из них являются соединения типа А" В1, к которым относятся арсениды и фосфиды кадмия и цинка, а также твердые растворы на их основе.

Среди большого числа соединений А" В в последние годы большое внимание привлек к себе 2п3Р2, как материал пригодный для использования в преобразователях солнечной энергии. Он имеет крутой край полосы поглощения вблизи 1.5 эВ и достаточную диффузионную длину (~10 мкм) неосновных носителей заряда, что обуславливает относительно высокий КПД (7.6%), полученный для Мё/2п3Р2 барьеров Шоттки. Для контактов металл — 2п3Р2 был обнаружен отчетливый фотодихроизм, который нашел применение в индикаторе поляризации света. Так же на основе пленок 2п3Р2 были изготовлены ультрафиолетовые детекторы /1 /.

Изучение люминесценции и лазерного излучения в кристаллах Сё3Р2 показало, что это вещество перспективно в качестве полупроводникового материала для когерентного инфракрасного источника излучения с рабочей длиной волны 2.1 мкм. Применение твердого раствора СёзА8хР2-х позволяет увеличить длину волны излучения до 2.45 мкм /1/.

Особый интерес представляет арсенид кадмия как узкозонный полупроводниковый материал с тетрагональной кристаллической структурой и инверсным расположением зон /2/. Он обладает одним из самых больших, наблюдаемых в тетрагональных полупроводниковых материалах, значением подвижногу сти основных носителей заряда (до 4.6 м /(В-с) при 15 К) /3/ и приемлемым коэффициентом диффузии, поэтому в настоящее время обсуждается возможность использования Сс13А82 в качестве материала для термоэлементов /4, 5/. В /6/ сообщается о создании датчика Холла на основе арсенида кадмия.

2п3А82 является типичным полупроводниковым веществом с шириной запрещенной зоны около 1 эВ /7/. Он предлагается для замены полупроводников типа II-VI, применяемых при росте пленок арсенида галлия и фосфида индия в качестве подложек, из-за того что сверхрешетка Аб в практически идентична сверхрешетке кристаллов III-V /8/.

Некоторые из свойств твердых растворов Сёз^пхАз2 в последние десятилетия привлекли внимание к этим соединениям, в частности, характер изменения ширины запрещенной зоны у них подобен наблюдаемому в Н^Те-СсГГе /9/, что позволяет при получении сплавов СёзАэг — варьировать ширину запрещенной зоны при комнатной температуре в пределах от -0.1 до 1 эВ /10/. Преобладание Сс^Аэг в Сёз. х2пхАз2 обуславливает наличие п-типа проводимости в данном сплаве, а с увеличением содержания Тщк.^ п-тип сменяется р-типом проводимости в узком интервале составов х=1.35 — 1.5 /11/. Селен, будучи введенным в рСё3×2пхА82, является донорной примесью, что позволяет снизить концентрацию основных носителей заряда /10/. Эти особенности Сс1зх2пхА82 позволяют считать, что при получении совершенных кристаллов и пленок с низкой концентрацией основных носителей заряда их можно будет использовать в длинноволновых фотоприемных устройствах /1/.

В связи с перспективой применения этих полупроводниковых материалов возникает необходимость детального изучения их параметров и свойств.

Цель работы.

1. Исследовать спектры отражения монокристаллов Сё3. х2пхА82 в области оптических колебаний кристаллической решетки и выполнить их полный анализ.

2. Разработать технологию роста пленок Сё3. х2пхА82, легированных селеном.

3. Исследовать фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок рСё3×7пхАз2, легированных селеном.

Научная новизна.

1. Выполнено исследование ИК — спектров отражения (40 — 800 см" 1) монокристаллов Сё3×2пхА82. Определены параметры оптических фононов кристаллической решетки Сё3×2пхУ 4 к. — 1,2- 2,55), вычислены основные оптические функции. Исследовано влияние количества примеси селена на динамику оптических колебаний кристаллической решетки Сё3×2пхА82.

2. Выбраны режимы роста и выращены пленки Сс1о, 452п2−55А82, легированные селеном.

3. По измеренным спектрам фотопроводимости определена величина температурного коэффициента изменения запрещенной зоны р что позволило установить закон изменения ширины запрещенной зоны Сс13. х2пхА82 от состава и температуры.

4. Исследована остаточная проводимость в кристаллах Сс13. хЕпхА82, легированных селеном, состава х > 1,4. Предложено объяснение ее появления, связанное с крупноблочным строением образцов.

Практическая ценность работы. Полученные в работе данные о структуре оптических колебаний кристаллической решетки Сё3. х2пхА82 и основные оптические функции (40 — 800 см" 1) могут быть использованы в теоретических расчетах, при обработке экспериментальных данных и проектировании приборов на их основе.

Установлены технологические условия, позволяющие получать аморфные и кристаллические пленки нелегированных и легированных селеном сплавов Сс13. х2пхА82. Легированные пленки обладают фоточувствительностью. Сплавы р — Сс13. х2пхА82, фоточувствительные в ближней ИК — области спектра, могут быть применены в устройствах ИК-техники.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Инфракрасные спектры отражения сплавов Сс1з.^пхА52 имеют структуру сходную со структурой спектров 2п3Р2.

2. Количество основных оптических колебаний кристаллической решетки Сс1зх2пхА82 изменяется от 22 до 28 в зависимости от состава. Наблюдается малое отличие частот соответствующих ЬОи ТОфононов.

3. Значения статической ео и высокочастотной диэлектрической проницаемости в области составов 1.2 — 2.55 нелегированных сплавов Сд3. х2пхА82 изменяются, соответственно, 10 — 13и25−34 при Т-300 К.

4. Предложенная технология позволяет получать вакуумным термическим напылением нелегированные и легированные селеном пленки р

С<13.хгпхА82.

5. В р — Сс^^п^АБг^е наблюдается фотопроводимость, связанная с зона — зонными переходами с максимумом фоточувствительности при Т"140 К. Ширина запрещенной зоны р — Сс^^п^Аз^е равна (0,540 ± 0,004) эВ при 0 К, термический коэффициент ее расширения (0,39±0,03) эВ/К. Закон изменения ширины запрещенной зоны от состава и темепратуры (70 — 200 К) описывается уравнением: Её (х, Т) = -0,1 + 0,39-х — (0,33 + 0,04-х)-10″ 3-Т (эВ).

6. В кристаллах р — Сёз. х2пхАз2:8е, выращенных расплавными методами, наблюдается остаточная проводимость. Высоты барьеров, образующихся на границах кристаллитов и ответственных за образование остаточной проводимости в р — Сёз. х2пхА82 равны: рекомбинационного 0.1 эВ, дрейфового от 0.003 до 0.08 эВ. Высота дрейфового барьера зависит от состава, мощности засветки, качества поверхности образцов.

Апробация работы: Основные результаты работы докладывались на III Всероссийской научно — технической конференции «Методы и средства измерений физических величин» (Нижний Новгород, 1998 г.), Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти 8.

М.П.Шаскольской (Москва, 1998 г.), Международной конференции «Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации «Распознавание — 99» «(Курск, 1999 г.), Всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (С. — Петербург, 1999 г.).

Публикации: По результатам диссертации опубликовано 8 научных работ.

Объем работы: Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 134 страницах, включающих 54 рисунка и 15 таблиц.

Список литературы

содержит 139 наименований.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ:

1. Впервые проведено исследование ИК — спектров отражения монокристаллов твердых растворов Сс13×2пхА82 нелегированных и легированных селеном до 0,1 и до 1% вес., составов х = 1,2 — 2,55 при Т = 80 и 300 К в области волновых чисел 40 — 800 см" 1 с ошибкой в измерении длины волны не более 0.2 см" 1. Вид полученных спектров имеет сходство со спектрами соединения 2п3Р2. Смещение спектров вдоль оси волновых чисел с изменением состава «10 см» 1.

2. Методом дисперсионного анализа с предварительной оценкой методом, основанном на применении интеграла Крамерса — Кронига, определены основные параметры оптических фононов (частоты и затухания их ЬОи ТОсоставляющих). Построена зависимость частоты наиболее сильных фононов от состава. Вычислены значения высокочастотной и статической диэлектрических прони-цаемостей. Они изменяются в пределах 10,1 — 13,0 и 25,6 — 34,1, соответственно, при комнатной температуре для исследуемого диапазона составов. Излом на зависимости 8о (х) при х = 1,5 — 1,8, очевидно, соответствует фазовому переходу ос'" —их". Спектры, измеренные при Т = 80 К, отличаются от спектров при Т = 300 К уменьшением амплитуды основных пиков и, соответственно, снижением значений в", и 80. Они смещены в высокоэнергетическую область на величину порядка 2 см" 1. Для измеренных спектров отражения методом обобщенного исследовательского анализа восстановлен вид основных оптических функций (п, к, Вь в2 и др.) в исследуемом диапазоне волновых чисел.

3. Анализ колебательных спектров отражения легированных селеном сплавов Сё3. хгпхА82 показывает, что при повышении концентрации 8е от 0,1 до 1% вес. кристаллическая упорядоченность образцов уменьшается и верхний предел содержания примеси 8е в твердых растворах Сё3. х2пхАз2, при котором полученное соединение будет представлять однофазный материал, интересный для проведения электрических и фотоэлектрических исследовани, следует ограничить 1% вес.

4. Отработан технологический режим выращивания нелегированных и легированных селеном пленок Cd3. xZnxAs2 (х>1,8) вакуумным термическим напылением. При температуре подложки, равной комнатной, наиболее близкие по составу с исходным порошком пленки выращиваются при температурах нагревателя Т&bdquo- ~ 850 К. С увеличением Тн относительное содержание As в них увеличивается (от 42% при Тн ~ 850 К до величины более 52% при Тн ~ 1000 К), что приводит к быстрому окислению пленок на поверхности. Последующий отжиг в течение 10 — 20 ч. в атмосфере аргона при Т = 470 — 520 К приводит к повышению степени кристалличности пленок. Поверхность легированных селеном пленок, напыленных при тех же режимах, что и нелегированных отличается от последних наличием неоднородностей. Предварительный расчет плотности потока испарения и конденсации сплавов Cd3. xZnxAs2, выполняемый с применением известных уравнений для давлений насыщенного пара арсенида цинка и арсенида кадмия, удовлетворительно согласуется с экспериментальными значениями.

5. Исследованы спектры стационарной фотопроводимости твердых растворов Cdi.23Zni.77As2:Se в области температур 80 — 170 К. По длинноволновому спаду определены значения ширины запрещенной зоны при 0 К и температурного коэффициента ее изменения: Eg = 0.540 ± 0.004 эВ,? = 0.39±0.03 мэВ/К, соответственно. С использованием литературных данных получен закон изменения Eg от состава и температуры в области от 80 до 200 К: Eg (x, T) = -0.1 + 0.39-х — (0.33 ¦+ 0.04-х)-10″ 3-Т. Пленки Cd0,45Zn2,55As2:Se так же обладают фоточувствительностью.

6. Исследовано явление остаточной проводимости. На основе двубарьерной модели вычислены коэффициенты кинетики остаточной проводимости (а и у) и величины барьеров, ответственных за ее образование. Появление остаточной проводимости связывается с крупноблочным строением исследуемых соединений, выращенных расплавивши методами.

В заключении автор выражает искреннюю и глубокую благодарность доктору физико-математических наук, профессору И. С. Захарову и кандидату физико-математических наук А. Ф. Князеву за руководство работой, большое внимание и постоянную поддержку.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую признательность кандидату физико-математических наук А. И. Белогорохову (ГНЦ, «Ги-редмет») за большую помощь и участие, оказанные при исследовании оптических свойств, доктору физико-математических наук, профессору Д. Р. Хохлову (кафедра низких температур МГУ им. М.В.Ломоносова) за содействие исследованиям фотопроводимости и техническую поддержку, оказанную при изучении спектров отражения, доктору химических наук, профессору С. Ф. Маренкину (ИОНХ РАН, г. Москва) за предоставление возможности роста пленок и многочисленные полезные консультации.

Автор благодарит всех сотрудников кафедры конструирования и технологии вычислительных средств КГТУ за доброжелательное отношение во многом способствовавшее выполнению этой работы.

Основное содержание диссертации отражено в следующих работах.

1. Захаров И. С., Князев А. Ф., Спирин Е. А., Кочура A.B., Ржаных С. А. Установка для исследования фотопроводимости.// Тезисы докладов III Всероссийской научно — технической конференции «Методы и средства измерений физических величин». Часть IV. Нижний Новгород, 1998. С. 10.

2. Князев А. Ф., Кочура A.B. Остаточная проводимость в кристаллах твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка.// Тезисы докладов Между.

123 народной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М. П. Шаскольской. М. 1998. С. 132.

3. Захаров И. С., Князев А. Ф., Кочура A.B. Оптические колебания кристаллической решетки полупроводниковых соединений Cd3xZnxAs2.// Сборник материалов 4-ой международной конференции «Распознавание — 99». Курск, 1999. С. 81−83.

4. Кочура A.B., Морозов Р. И. Спектры отражения твердых растворов Cd3xZnxAs2 в средней и дальней ИК-областях.// Тезисы докладов Всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. С.-Петербург. 1999. С. 26.

5. Белогорохов А. И., Захаров И. С., Князев А. Ф., Кочура A.B. Спектры отражения твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка в инфракрасной области.// КГТУ. 1999. 38 с. Рук. деп. в ВИНИТИ № 3864-В99 от 28.12.99 г.

6. Белогорохов А. И., Захаров И. С., Князев А. Ф., Кочура A.B. Фотоэлектрические явления в кристаллах Cdi>23Zni-77As2, легированных селеном.// Известия РАН. Неорганические материалы. 2000. Т.36. № 7. С. 1 — 4.

7. Белогорохов А. И., Захаров И. С., Князев А. Ф., Кочура A.B. Оптические свойства твердых растворов арсенид кадмия — арсенид цинка в инфракрасной области.// Изв. КГТУ. 2000. № 4. С. 153 — 160.

8. Belogorokhov A.I., Zakharov I.S., Knjazev A.F., Kochura A.V. Far — Infrared Reflectivity of Cd3. xZnxAs2 Monocrystals.// Appl. Phys. Lett. In progress.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Arushanov Е.К. II3V2 Compounds and Alloys // Prog. Cryst. Growth Charact. 1992. V.25.P. 131−201.
  2. В. Структура и свойства соеднений АПВУ // В. кн.: Физико-химия твердого тела. М. 1972 С. 72−116.
  3. Houde D., Jandl S., Banville M., Aubin M. The Infrared Spectrum of Cd3As2 // Solid State Commun. 1986. V. 57. № 4. P. 247 248.
  4. Kierski A. Termomagnetic effects in II V narrow — gap semiconducting compounds // Acta Phys. Pol. 1988. A73. № 2. P. 311 — 313.
  5. Chakravarti A.N., Ghatak K.P., Ghosh K.K., Ghosh S. and Mukherjee H.M. Effect of Size Quantization on the Einstein Relation in Ultrathin Films of n Cd3As2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. V. 108. № 2. P. 609 — 615.
  6. H.C. Получение и свойства тонких пленок полупроводниковых соединений А"Вуг И Автореф. Дис. на соиск. уч. степени канд. физ. мат. наук. Москва. 1993. 21 С.
  7. Kolodka В., Misiewicz J. and Pawlikowski J.M. Optical Transitions in Zn3As2 Thin Films and Singl Crystals // Acta. Phys. Polon. 1982. A62. № 1 -2. P. 63 81.
  8. Chelluri В., Chang T.Y., Ourmazd A., Dayem A.N., Zyskind J.L. and Srivastava A.// Appl.Phys.Lett. 49. 1665(1986).
  9. А.Ф., Даниленко Г. Н., Даниленко В. Е. и др. Теплоемкость и термодинамические свойства соединий А3В2// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т. 13. № 2. С. 214 -216.
  10. Bartkowski К., Pompe G., Hegenbarth Е. Specific Heat of Single Crystalline Cd3As2, Cd3P2, and Zn3P2 at Low temperatures // Phys. Stat. Sol. 1989. (a). V. 111. № 2. P. kl65 kl69.
  11. Cisowski J. Semimagnetic Semicondactors Based on II V Compounds // Phys. Stat. Sol. (b). 1997. V.200. № 2. P. 311−350.
  12. А.А., Иофе Б. З., Фирсов В. Г. Измерение давления насыщеного пара твердых сплавов методом радиоактивных индикаторов // Журнал физической химии. 1956. Т.ЗО. № 6. С. 1250−1257.
  13. Wistmore J.B., Mann К.Н., Tickner A.W. Mass Spectrometric Study of the Nonstoichiometric Vaporization of Cadmium Arsenide // J. Phys. Chem. 1964. V.68. № 3. P. 606−612.
  14. E.C., Маренкин С. Ф., Пономарев В. Ф., Шевченко В. Я. Термическая диссоциация Cd3As2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. № 11. С.1983−1985.
  15. В.Б., Шевченко В. Я., Гринберг Я. Х. и др. Полупроводниковые соединения AnBv // М. Наука. 1978. 256 С.
  16. Pietraszko A., Lukaszewicz К. Thermal Expansion and Phase Transitions of Cd3As2 and Zn3As2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V.18. № 2. P.723 -730.
  17. Trzebiatowski W., Krolicki F., Zdanowicz W. Dilatometric Studies in the Semiconductor System Cd3As2 Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1968. V.16. № 7. P.343−346.
  18. Zdanowicz W., Lukaszewicz K., Trzebiatowski W. Crystall Structure of the Semiconducting System Cd3As2 Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. 1964. V.12. № 3. P. 169−176.
  19. Castellion G.A., Beegle. The Preparation and Properties of Cd3As2 and Zn3As2 Alloys// J. Phys. Chem. Sol. 1965. V.26. № 4. P.767−773.
  20. Naake H.J., Belcher C.S. Solid Solutions in the System Cd3As2 Zn3As2 // J. Appl. Phys. 1964. V.35. № 10. p. 3064 — 3065.
  21. Weglowski S., Lukaszewicz K. Phase Transitions of Cd3As2 and Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1968. V.16. № 4. P. 177−182.
  22. Pietraszko A., Lukaszewicz K. The Crystall Structure of Zinc Arsenide Polimor-phic Modifications a Zn3As2 and a' - Zn3As2 // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1976. V.24. № 6. P. 459−464.
  23. Steigmann G.A., Goodvear J. The Crystall Structure of Cd3As2 // Acta Crystallographies 1968. B24. P. 1062−1067.
  24. B.M., Касымова M. Плотность арсенидов цинка и кадмия в твердом и жидком состоянии и объемные изменения при их плавлении // Докл. АН СССР. 1968. Т. 183. № 1. С. 141−143.
  25. В.Н., Рубцов В. А., Трухан В. М. Фазовые равновесия в системе Zn-P-As-Cd // Известия РАН. Неорганические материалы. 1996. Т. 32. № 7.С. 799 803.
  26. С.Е., Лазарев В. Б., Максимова С.Е.и др. Исследование морфологии роста из газовой фазы монокристаллов МПХУ // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т.13. № 10. С. 1729−1732.
  27. Hupfer A., Hirsch D. Electron spectroscopic investigations (UPS, RELS, XPS, AES) of semicondutors // Acta. Univratise. Mat. fiz., astron., 1986. № 47. P. 153−161.
  28. Silvey G.A. Zn3As2, a Semiconducting Intermtallic Compound // J. Appl. Phys. 1958. v29. № 2. P. 226−227.
  29. Я.А., Зюбина T.A. Получение и исследование некоторых электрических свойств монокристаллов арсенида цинка // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1966. Т.2. № 1. С. 9 -16.
  30. В.Я., Маренкин С. Ф., Пономарев В. Ф. Рост монокристаллов Zn3As2 из газовой фазы // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1977. Т.13.№ 10.С. 1898- 1899.
  31. Kolodka В., Misiewicz J. and Pawlikowski J.M. Optical Transitions in Zn3As2 Thin Films and Singl Crystals. // Acta. Phys. Polon. 1982. A62. № 1−2. P. 63 81.
  32. Pigon K. Semiconducting Properties of Zinc Arsenide // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1961. V. 9. № 11. P. 751 760.
  33. Turner W.J., Fischler A.S., Reese W.E. Physical Properties of Several II V Semiconductors. Phys. Rev. 1961. V. 121. № 3. P. 759 — 767.
  34. Г. П. Получение и исследование кинетических свойств арснида кадмия // Дис. На соиск. учен, степени к. ф. м. н. Кишинев. 1974. — 130 С.
  35. С.И., Арушанов Э. К., Натепров А. Н. Арсенид и фосфид кадмия // Кишинев: Штиинца. 1976. 112 С.
  36. Я.А., Зюбина Т. А. Получение и электрические свойства полупроводниковых поли- и монокристаллов CdAs2 и Cd3As2 // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1965. Т. 1. № 6. С. 860 867.
  37. Swiggard Е.М. Liquid Encapsulation Zone Refining (LEZOR) // J. Electrochem. Soc. 1967. V.114. № 9. P. 976−977.
  38. Hryby A., Petova J. Preparation of Cd3As2 and CdAs2 Crystals by Transport Reaction in Vapour Phase // Czech. J. Phys. 1971. 21B. № 8. P. 890 895.
  39. Rosemn J. Effect Shubnikov De Haas Dans Cd3As2: Forme de la Surface de Fermi et Modele non Paraboliquie de la Bande de Conduction // J. Phys. Chem. Sol. 1969. V. 30. № 6. P. 1385 1402.
  40. Weszka, Renucci M., Zwick A. Some Aspects of Raman Scattering in Cd3As2 Single Crystals // Phys. Stat. Sol. 1986. (b). V. 133. № 1. P. 57 64.
  41. Э.К., Лукьянова JT.H, Маркус M.M. и др. Получение и свойства монокристаллов фосфида и арсенида кадмия // В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев. 1975. С. 18 38.
  42. Lovett D. The Growth and Electrical Properties of Single Crystal Cd2As2 Platelets // J. Mat. Sei. 1972. № 7. P. 388 392.
  43. Э.К., Князев А. Ф., Натепров A.H., Радауцан С. И. Явления переноса в арсениде кадмия, легированном элементами I и VI групп // ФТП. 1981. Т.15.Ж7.С. 1433 1436.
  44. Bodnar J. Energy Band Structure of Cd3As2 Near k=0 on the Basis of Shubnikov-de Haas and Haas-van-Alphen Effects // Proc. Ill Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. Warsaw 1977. (Polish Scientific Publ. Warshaw 1978) P. 311 -316.
  45. Rogers L.M., Jenkins R.M., Croker A.J. Transport and Optical Properties of the Cd3. xZnxAs2 Alloy System // J. Phys. D: Appl. Phys. 1974. V.4. P. 793 809.
  46. Ito Т., Wada M., Iwami M. and Kawbe K. Two-Band and Impurity-Band Conduction in the Cd3. xZnxAs2 Alloy Crystals // J. Phys. Soc. Jap. 1977. V.43. № 5. P. 1672- 1678.
  47. А.Ф. Явления переноса в р Cd3xZnxAs2 // Изв. Акад. Наук МССР. 1984. № 2. С. 31−35.
  48. Lubczynski J., Cisowski J. and Portal J.C. Shubnikov de Haas Effect in Cd3xZnxAs2 Alloys // Phys. Stat. Sol. 1990. (a). V. 120. № 2. P. 525 — 529.
  49. Я.А., Зюбина Т. А., Малыгин Е. А. Электрические параметры монокристаллов твердых растворов Cd3xZnxAs2 // Изв. Ан СССР. Неорганические материалы. 1966. Т.2. № 1. С. 17−20.
  50. В., Цисовски Я., Арушанов Э. К., Князев А. Ф. Влияние гидростатического давления на концентрацию и подвижность электронов в Cd3xZnxAs2 // ФТП. 1989. Т.23. № 8. С. 1406−1410.
  51. С.И., Князев А. Ф., Маркус М. М., Натепров А. Н. Зонные параметры тведых растворов арсенид кадмия арсенид цинка // V Всес. Координационное совещание по полупроводниковым соединениям АПВУ. Душанбе. 1982. М. 1982. С. 14.
  52. Blom F.A.P., Gelten M.J. Electrical Transport Properies of Cadmium Arsenide with Low Concentrations // Proc. Int. Conf. Phys. Narrow-GapSemicond. Warsaw. 1977 (Polish Scientific Publ. Warsaw. 1978). P. 257 262.
  53. Lin-Chung P.J. Energy Band Structures of Cd3As2 and Zn3As2 // Phys. Rev. 1969. V. 188. № 3. P. 1272- 1280.
  54. Bodnar J. Energy Band Structure of Cd3As2 Near k=0 on the Basis of Shubnikov-de Haas and Haas-van-Alphen Effects // Proc. Ill Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. Warsaw 1977 (Polish Scientific Publ. Warshaw 1978). P. 311−316.
  55. Ю.И., Журавлева JI.B. Зонная структура Cd3As2 // Ред. ж. Изв. Вузов. Физ. Томск. 1997. деп. в ВИНИТИ 07.05.97. № 1491 В97.
  56. Szatkowski J., Sieranski K. Electronic Energy Levels of an Ideal Vacancy in II3V2 compounds // Solid St. Comm. 1995. V. 93. № 7. P. 595−598.
  57. Sieranski K., Szatkowski J., and Misiewicz J. Semiempirical tight-binding band structure of II3V2 Semiconductors: Cd3P2, Zn3P2, Cd3As2 and Zn3As2 // Phys. Rev. B. 1994. V.50. № 11. P. 7331−7337.
  58. В.Я., Дворянкин В. Ф., Гончаренко Г. И. и др. Эффект Холла при высоких температурах в Cd3As2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1969. Т.5. № 11. С. 2015−2017.
  59. Nasledov D.N., Shevchenko V.Ya. Semiconducting AnBv Compounds // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V.15. № 1. P. 3−38.
  60. Zdanowicz W., Zdanowicz L. Semiconducting Compounds AnBv Group -Propeties and Applications // Ann. Rev. Mat. Sei. 1975. № 5. P. 301 323.
  61. Lovett D.R. Semimetals and Narrow Band Semiconductors // London. Pion Limited. 1977. 256 P.
  62. Turner W.J., Fischer A.S., Reese W.E. Electrical and Optical Propeties of the II-V Compounds //J.Appl. Phys. Suppl. 1961. V.32. № 10. P. 2241−2245.
  63. Blom F.A.P., Scharama J.T. On the Conduction Band Structure and Scattering Mechanism in Cd3As2 // Phys. Let. 1969. V.30A. № 4. P.245 246.
  64. Aubin M.J., Caron L.G., Jay-Gerin J.-P. Band Structure of Cadmium Arsenide at Room Temperature // Phys. Rev. B. 1977. V.15. № 18. P.3872 3878.
  65. Caron L.G., Jay-Gerin J.-P., Aubin M.J. Energy Band Structure of Cd3As2 at Low Temperature and Dependence of the Direct Gap on Temperature and Pressure // Phys. Rev. B. 1977. V.15. № 18. P.3879 3887.
  66. Radautsan S.I., Arushanov E.K., Chuiko G.P. The Conduction Band of Cadmium Arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. V.20. P. 221 226.
  67. Blom F.A.P. Anisotropy of the Fermi Surface of Cadmium Arsenide // Proc. I Int. Conf. Phys. Chem. II-V Compounds. Mogilany. 26−30 September. 1980. Eindhoven. 1980.P.51−57.
  68. Aubin M.J., Truong A.T. Scattering in High-mobility Cd2,8Zn0−2As2 // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V.13. № 1. P.217−222.
  69. Э.К., Князев А. Ф., Натепров A.H., Радауцан С. И. Зонные параметры арсенида кадмия // ФТП. Т.15. № 9. С.1839−1841.
  70. Gelten M.J., van Es С.М., Blom F.A.P, Jongeneelen J.W.F. Optical Verification of the Valence Band Structure of Cadmium Arsenide // Solid St. Comm. 1980. v.33. P.833 836.
  71. Haidemenakis E.D., Mavrodies J.G., Dresselhaus M.S., Kolesar D.E. Observation of Interband Transitions in Cd3As2 // Solid St. Comm. 1966. V.4. № 1. P. 65 68.
  72. Bhola V.P. Thermoelectance Spectra of Cd3As2 // J. Phys. Chem. Sol. 1977. V.38. № 11. P.1237 1238.
  73. Doi H., Fukuroi Т., Fukase Т., Muto V. et al. The Haas van Alphen Effect in n-Type Cd3As2 // Sci. Rep. Inst. Tokyo Univ. 1960. A20. P. 190 — 200.
  74. JI.H. Получение и исследование твердых растворов арсенид кадмия фосфид кадмия // Дис. на соиск. уч. степени канд. физ. — мат. наук. Кишинев. 1981. -132 С.
  75. Э.К. и др. Влияние гидростатического давления на электрические свойства твердых растворов арсенид кадмия фосфид кадмия // Изв. АН МССР. Сер. физ — техн. и мат. н. 1989. № 3. С. 63 — 64.
  76. Aubin M.J., Rambo A. Shubnikov de Haas Type Oscillations in the Optical Transmission of higly doped Cd3As2 // Solid State Commun. 1979. V. 30. № 5. P. 297−300.
  77. Chakravarti N., Ghatak K.P., Ghosh K.K., Ghosh S. and Mukherjee H.M. Effect of Size Quantization on the Einstein Relation in Ultrathin Films of n Cd3As2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. V. 108. № 2. P. 609 — 615.
  78. Singh, Leotin J., Wallace P.R. Theory of the Diffusivity Mobility Ratio in Cadmium Arsenide//Phys. Stat. Sol. (b). 1983. V. 115. № 1. P. 105 — 113.
  79. Ghatak P., Chattopadhyay N., Mondal M. The Einstein Relation in Kane type semiconductors // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. № 9. P. 4536.
  80. B.B., Козлов А. И., Князев А. Ф. и др. Спектры отражения Cd3As2, Zn3As2, Cd3P2, Zn3P2 // V Всес. Координационное совещание по полупроводниковым соединениям AnBv. Душанбе. 1982. М. 1982. С. 111.
  81. Gelten M.J., van Es С.М. Far Infrared Optical Properties of Cd3P2 and Cd3As2 // Proc. 4th Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. Linz. 1981. P.211−215.
  82. Weszka J., Renucci M., Zwick A. Raman Scttering in cadmium Arsenide Thin Films // Acta Phys. Polon. 1986. V. A69. № 5. P. 881 883.
  83. Jandl S., Desgreniers S., Carlone C., Aubin MJ. The Raman Spectrum of Cd3As2 // J. Raman. Spectrosc. 1984. V. 15. № 2. P. 137 139.
  84. Hupfer A., Hirsch D., Schulce S. Photoemission on, А «в У Semiconductor Material: Cd3As2, Zn3As2, Cd3P2, Zn3P2 Crystals and Thin Films // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.152. № 2. P. 505 517.
  85. Schulze S., Hupfer A., Hirsch D., Zdanovicz L. Photoemission Studies (UPS, XPS) of Ultra High Vcuum Deposited Cd3As2 and Zn3P2 Thin Films // Acta Phys. Polon. V. A75. № 5. P. 667 — 673.
  86. Hupfer A., Schulze S., Hirsch D., Zdanovicz L. Surface Preparation of AljBj semiconductors (Cd3As2, Zn3As2, Cd3P2, Zn3P2) under ultra high vacuum conditions // Cryst. Res. And Technol. 1987. V. 22. № 7. P. 911 — 922.
  87. Varga B.B. Coupling of Plasmons to Polar Phonons in Degenerate Semiconductors//Phys.Rev.A. 1965. V.137. P. 1896−1902.
  88. Pigon K. Semiconducting Properties of Zinc Arsenide // Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. Chem. 1961. V. 9. № 11. P. 751 760.
  89. Pawlikowski J.M., Misiewicz J., Sujak-Cyrul B. and Wrobel J. Absorption Edge of Zn3As2 at 5,8 and 300 К // Phys. Stat. Sol. (b). 1979. V. 92. № 3. kl23 kl25.
  90. Misiewicz J. and Pawlikowski J.M. Optical Band-Gap of Zn3As2 I I Solid St. Comm. 1979. V. 32. № 8. P.687−690.
  91. С.Ф., Жалилов H.C., Мудрый A.B., Патук А. И., Шакин А. И. Оптические свойства монокристаллов и пленок полупроводникового соединения Zn3As2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1992. Т.28. № 10. С.2045−2047.
  92. Pangilinan G., Sooryakumar R., Chelluri В., Chang T.Y. New Long Range Atomic Order and Hteroepitaxy of Single Crystal Zn3As2 // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 62. № 5. P. 551 — 554.
  93. Weszka J., Zwick A., Renucci M. Raman Scattering in a Zn3As2 Crystals // Acta. Phys. Polon. 1990 V. A77. № 1. P. 363 — 365.
  94. В., Chang T.Y., Ourmazd A., Dayem A.H., Zyskind J.L., Srivastava A. // J. Cryst. Growth. 81. 530 (1987).
  95. Aubin M.J., Portal J.C. Shubnikov-de Haas Oscillations in Cd3. xZnxAs2 Alloys // Solid St. Comm. l981.V.38. P.695−702.
  96. Cisowski J., Zdanowicz W. Pressure and Temperature Dependence of the Holl Coefficient in Cd3. xZnxAs2 Solid Solutions // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. V.41. № 1. P. K59-K62.
  97. Э.К., Натепров A.H., Князев А. Ф., Мощалков В. В. Эффект Шуб-никова де Гааза в твердых растворах Cd3xZnxAs2 // в кн: «Многокомпонентные полупроводниковые материалы» (ред. С.И.Радауцан). Штиинца. Кишинев. 1985. С. 10−15.
  98. Caron L.G., Aubin M J. and Jay-Geren J.-P. Electron Mobility in Cd3. xZnxAs2 alloys // Sol. State Com. 1977. V. 23. № 7. P. 493 498.
  99. Э.К., Губанова A.A., Князев А. Ф., Лашкул A.B., Лисунов К. Г., Сологуб В.В.//ФТП. 22. 338 (1985).
  100. Пб.Князев А. Ф., Натепров А. Н. Температурная зависимость фотопроводимости в Cd3. xZnxAs2 // Изв. АН МССР. № 3. 1993. С. 42 44.
  101. А.Ф. Фотопроводимость твердых растворов арсенид кадмия арсе-нид цинка // в сб. «Ультразвук и термодинамические свойства вещества». Курск. 1993. С. 42 — 44.
  102. Aubin M.J., Cloutier J.P. La thermore’flectance des alliages Cd3xZnxAs2 // Can. J.Phys. 1975. v.53.№ 17. P. 1642−1645.
  103. А.Ф. Долговременная релаксация фотопроводимости в Cd3.xZnxAs2 // в сб. «Проблемы и прикладные вопросы физики». Саранск. 1993. С. 69.
  104. Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники // М. Сов. Радио. 1979. 400 С.
  105. Е.А., Хаммадов И. И. Спектроскопия объемных и поверхностных фононов кристаллов // Ташкент. «ФАН» Узбекской ССР. 1989. 168 С.
  106. Ж.Физ.Хим. 61 (1987) 2319.
  107. Неорг. Матер. 33 (1987) 1423.
  108. Г. Д., Гринберг Я. Х., Лазарев В. Б. Тензиметрические исследования сублимации Cd3As2 // Ж. Физ. Химии. 1989. Т. 63. № 2. С. 325 328.
  109. В.М., Лазарев В. Б., Жаров В. В. Фазовая диаграмма простых веществ //М. Наука. 1980. 276 С.
  110. Misiewiz J., Wrobel J.M., Clayman B.P. Lattice Modes of Zn3P2 // Solid State Commun. 1988. V. 66. № 7. P. 747 750.
  111. Я. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра // М. Мир. 1967. 73 С.
  112. Bowlden H.J., Wilmshurst J.K. Evaluation of the One-Angle Reflection Technique for the Determination of Optical Constants // J.Opt.Soc.Am. 1963. V. 53. P. 1073−1078.
  113. Gottlieb M. Optical properties of Lithium Fluoride in the Infrared // J.Opt.Soc.Am. 1960. V.50. P. 343 349.
  114. Jahoda F, C. Fundamental Absorption of Barium Oxide from its Reflectivity Spectrum // Phys. Rev. 1957. V. 10. P. 1261 1265.
  115. Thomas D.G., Hopfield J.J. Exition Spectrum of Cadmium Sulfide // Phys. Rev. 1959. V. 116. P. 573 -582.
  116. M.B., Погарев Д. Е. Дисперсионный анализ сложных спектров отражения // Оптика и спектроскопия. 1975. Т. 38. С. 1018 1020.
  117. Е.А., Водопьянов JI.K. Силы осцилляторов в смешанных кристаллах полупроводниковых соединений AnBv // ФТТ. 1975. Т. 17. С. 3161 -3166.
  118. А.Ф. Получение и исследование твердых растворов арсенид кадмия арсенид цинка // Автореф. Дис. на соиск. уч. степени канд. физ. — мат. наук. Кишинев. 1982. 16 с.
  119. Г. Д., Гринберг Я. Х., Лазарев В. Б. и др. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1989. Т. 25. № 12. С. 1947 1953.
  120. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках // М. Физмат-гиз. 1963.
  121. В.Б., Ждан А. Г., Мессерер М. А., Гуляев И. Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников // ФТП. 1973. Т. 7. № 7. С 1314—1321.
  122. М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость // ФТП. 1976. Т. 10. №. 2. С. 209−233.
  123. Maksimov М.Н., Vassilev L.V., Besedin Yu.G., and Dyakov T. Deep levels and persistent conductivity effects in undoped p-type PbTe films // Infrared Phys. 1991. V.31. № 2. P. 199−205.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!