Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Развитие методов локальной катодолюминесценции прямозонных полупроводников

Диссертация: Развитие методов локальной катодолюминесценции прямозонных полупроводников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложенные в диссертации методы определения некоторых электрофизических параметров: диффузионной длины, коэффициента поглощения — и ряда других — по зависимости КЛ излучения от уровня возбуждения — имеют значение для контроля качества полупроводниковых материалов. Разработанный метод определения параметров диффузии и измерения концентрации легирующей примеси в области р-п перехода может быть… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КЛ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБЪЕКТОВ В РЭМ /обзор литературы/
    • 1. 1. Генерация электронно-дырочных пар при взаимодействии электронного зоцца с полупроводником
    • 1. 2. Эмиссия излучения из полупроводников
    • 1. 3. Использование КЛ излучения для анализа полупроводников в РЭМ
      • 1. 3. 1. Системы детектирования излучения
      • 1. 3. 2. КЛ методы исследования полупроводниковых объектов в РЭМ
  • ГЛАВА II. РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ ЛОКАЛЬНОГО КЛ АНАЛИЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБЪЕКТОВ В РЭМ
    • 11. 1. Экспериментальная установка и методика проведения КЛ анализа полупроводников
    • 11. 2. КЛ анализ однородно легированных прямозонных полупроводников
      • 11. 2. 1. Использование зависимости интенсивности КЛ излучения от уровня возбуждения для определения некоторых характеристик полупроводниковых материалов
      • 11. 2. 2. Влияние поглощения излучения в полупроводнике на параметры КЛ спектров
    • 11. 3. Определение концентрации акцепторной примеси в области р-п перехода прямозонных полупроводников по спектрам локальной КЛ
      • 11. 3. 1. Изучение закономерностей диффузии легирующей примеси с использованием РЭМ
    • II. 3.2 Определение концентрации акцепторной примеси в области р-п перехода
    • II. 4 КЛ анализ эпитаксиальных четверных твёрдых растворов

Развитие методов локальной катодолюминесценции прямозонных полупроводников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Исследование локальных свойств полупроводниковых объектов, необходимость которого определяется как научными интересами, так и потребностью практики, является одним из важных направлений современной электроники. Решение этой задачи традиционными, например, оптическими, методами, обладающими высокой информативностью, как правило ограничено их низким пространственным разрешением. Поэтому весьма актуальной задачей является разработка новых методов исследования твёрдых тел, обладающих как большой информативностью, так и высоким пространственным разрешением.

Растровая электронная микроскопия /РЭМ/ относится к наиболее локальным методам исследования свойств твёрдых тел. Широкое применение РЭМ в фундаментальных и прикладных исследованиях обусловлено многообразием физических явлений, которые могут быть использованы для построения изображения и высоким пространственным разрешением. При этом возможность успешного использования РЭМ в значительной степени определяется степенью изученности механизма формирования полезного сигнала.

Исследование катодолюминесцентного /КЛ/ излучения, возникающего при взаимодействии электронного зонда РЭМ с полупроводником, как метод исследования известен достаточно давно. Важность этого метода заключается в возможности получения информации об объекте исследования, которую нельзя получить иными путями, причём характерной особенностью КЛ исследований в РЭМ является, наряду с высокой локальностью, возможность получения информации о химическом составе вещества, высокая чувствительность к дефектам и примесям, сильная зависимость КЛ излучения от влияния внешних факторов / температуры, давления и т. п. /. Ранее КЛ режим работы РЭМ использовался в значительной степени для проведения качественных исследований, а также как дополнение. к другим режимам работы микроскопа, и лишь сравнительно недавно он начал приобретать самостоятельное значение как метод количественного анализа полупроводниковых объектов. Специфика возбуждения и регистрации КЛ сигнала в РЭМ в сочетании с особенностями структуры исследуемых объектов делают вопрос понимания физических процессов, определяющих испускание электромагнитного излучения и интерпретации полученных экспериментальных данных достаточно сложным. Имеющаяся об этом в настоящее время информация во многих случаях, носит ограниченный характер, и описывает в основном некоторые аспекты этой проблемы или содержит результаты исследований конкретного, как правило, узкого класса полупроводниковых материалов, в общем случае не применимые для других объектов анализа.

Таким образом задача исследования наиболее общих физических закономерностей формирования сигнала с использованием КЛ излучения в РЭМ, улучшение существующих и развитие новых методов локального Ю1 анализа полупроводниковых объектов в РЭМ, расширение класса изучаемых полупроводниковых структур и разработка методов их исследования является весьма актуальной задачей современной электроники.

Основной целью работы является развитие качественных и количественных методов локального КЛ анализа прямозонных полупроводниковых объектов и выяснение информативных возможностей этих методов.

Первая глава носит обзорный характер. Она посвящена рассмотрению имеющихся в литературе данных об использовании КЛ излучения при исследовании полупроводниковых объектов в РЭМ. Из анализа литературных данных следует, что, несмотря на большие успехи, достигнутые в этой области, многие важные вопросы использования КЛ в РЭМ для анализа полупроводников ещё не решены. Отсюда определяются основные задачи работы и дается обоснование её актуальности.

Вторая глава посвящена развитию методов локального КЛ анализа прямозонных полупроводников в РЭМ.

В первой части главы описаны экспериментальная установка, созданная для проведения локального КЛ анализа полупроводников и методика проведения исследований.

Во второй части главы рассмотрены физические закономерности и информативные возможности метода диагностики прямо-зонных полупроводниковых материалов по зависимости параметров КЛ излучения от ускоряющего напряжения РЭМ.

В третьей части главы на примере арсенида галлия, легированного теллуром и цинком, рассматриваются закономерности локальной КЛ прямозонной полупроводниковой структуры, для образования р-п перехода у которой использованы различные /донорная и акцепторная/ мелкие примеси. Предложен метод определения концентрации мелкой акцепторной примеси /цинка/ в области р-п перехода по спектрам локальной КЛ. Для определения профиля легирования проведено изучение закономерностей диффузии легирующей примеси и разработан метод определения параметров диффузии с использованием РЭМ.

В четвёртой части главы приведены результаты исследований возможностей локального КЛ анализа эпитаксиальных четверных твердых растворов системы индий — галлий — фосфор — мышьяк.

Третья глава содержит результаты комплексного исследования фотоэлементов на основе поликристаллического сульфида кадмия с использованием стандартных и нестандартных режимов работы РЭМ. Проведено изучение структуры, состава и КЛ фотоэлементов. Показано, что применение методов РЭМ позволяет существенно расширить возможности диагностики фотоэлементов.

В приложении описан применявшийся в настоящей работе способ определения оптимальных параметров функциональной зависимости путём линеаризации функции с использованием метода наименьших квадратов.

Научная новизна настоящей работы состоит в выявлении физических закономерностей формирования сигнала КЛ излучения полупроводниковых объектов в РЭМ и развитии методов локального КЛ анализа полупроводниковых объектов.

Проведено исследование зависимости интенсивности КЛ излучения от уровня возбуждения для определения электрофизических характеристик однородно легированного прямозонного полупроводникового материала.

Изучено и количественно объяснено явление смещения максимума спектров КЛ излучения в длинноволновую область при увеличении ускоряющего напряжения РЭМ.

Впервые проведено исследование локальной КЛ в области р-п перехода структур на основе арсенида галлия, легированного мелкими донорной и акцепторной примесями. Предложен метод определения концентрации акцепторной примеси в области р-п перехода по спектрам локальной КЛ.

Исследована локальная КЛ эпитаксиальных четверных твёрдых растворов системы индий-галлий-фосфор-мышьяк. Показана высокая эффективность метода КЛ анализа для оценки качества эпитаксиальных плёнок.

Исследованы информативные возможности РЭМ и проведены комплексные электронномикроскопические исследования фотоэлементов на основе поликристаллического сульфида кадмия.

Практическая ценность работы заключается в дальнейшем развитии возможностей локального КЛ анализа полупроводниковых объектов в РЭМ, что является весьма важным для понимания физических процессов и изучения объектов полупроводниковой оп-тоэлектроники.

Предложенные в диссертации методы определения некоторых электрофизических параметров: диффузионной длины, коэффициента поглощения — и ряда других — по зависимости КЛ излучения от уровня возбуждения — имеют значение для контроля качества полупроводниковых материалов. Разработанный метод определения параметров диффузии и измерения концентрации легирующей примеси в области р-п перехода может быть использован для диагностики полупроводниковых приборов в процессе их изготовления. Практический интерес представляют проведённые комплексные исследования фотоэлементов на основе поликристаллического сульфида кадмия, в результате которых выявлен ряд физических и технологических аспектов приготовления фотоэлементов. Результаты исследований использованы при разработке усовершенствованной технологии производства тонкоплёночных фотоэлементов.

Основные защищаемые положения.

1. Физический механизм и информативные возможности метода диагностики полупроводниковых материалов по зависимости параметров КЛ излучения от энергии электронного пучка.

2. Закономерности локальной КЛ прямозонной полупроводниковой структуры, для образования р-п перехода у которой использованы различные /донорная и акцепторная/ мелкие примеси, и метод определения концентрации акцепторной примеси по спектрам локальной КЛ из области р-п перехода.

3. Метод определения параметров диффузии легирующей примеси в полупроводниковом материале.

4. Информативные возможности РЭМ и результаты исследований фотоэлементов на основе поликристаллического сульфида кадмия.

Апробация работы. Основные результаты, изложенные в дис сертационной работе, докладывались и обсуждались на: X /г. Ташкент, 1976 г./ и XI /г. Таллин, 1979 г./ Всесоюзных конференциях по электронной микроскопииВсесоюзном симпозиуме «Применение электронной микроскопии в современной технике» /г. Звенигород, 1978 г./- III /г. Звенигород, 1981 г./ и 1У /г. Звенигород, 1984 г./ Всесоюзных симпозиумах по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твёрдых телII Всесоюзном научно-техническом семинаре «Пути повышения стабильности и надёжности микроэлементов и микросхем» /г. Рязань, 1981 г./- У Всесоюзном совещании по исследованию арсенида галлия /г. Томск, 1982 г./- II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках /г, Одесса, 1982 г./- III конференции социалистических стран по микроэлектронике «Микроэлектроника — 82» /г. Будапешт, 1982 г./, а также на расширенном заседании секции «Прикладные исследования» Научного совета «Изыскание новых путей использования солнечной энергии» Академии Наук СССР /г. Яремча, 1979 г./.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 15 печатных работ в журналах, трудах отечественных и зарубежной конференций.

выводы.

1. Проведено исследование зависимости интенсивности монохроматической КЛ от уровня возбуждения для арсенида галлия, легированного теллуром в диапазоне концентраций (0,25−6,95)•10^® см~^ с целью определения его электрофизических характеристик. Показано, что учёт в общем случае нелинейной зависимости интенсивности от уровня возбуждения и самопоглощения КЛ излучения позволяет расширить диапазон параметров полупроводникового материала, которые можно определить при исследовании КЛ в РЭМ и даёт лучшее согласие теории с экспериментом.

2. Смещение максимума энергии спектров КЛ излучения в длинноволновую область при увеличении ускоряющего напряжения объяснено влиянием самопоглощения в объёме полупроводника. Теоретический расчёт и экспериментальное изучение этого явления проведены для краевой полосы излучения арсенцца галлия. Показано, что указанное явление может быть использовано для определения электрофизических параметров полупроводникового материала.

3. Впервые исследована локальная КЛ прямозонной полупроводниковой структуры, для образования р-п перехода у которой использованы различные /донорная и акцепторная/ мелкие примеси. Предложен и экспериментально реализован метод определения концентрации мелкой акцепторной примеси — цинка в области р-п перехода структур GaAV-CTe^n) по спектрам локальной КЛ из р-п перехода.

4. Предложен и экспериментально реализован метод определения параметров диффузии легирующей примеси в полупроводниковом материале, основанный на применении РЭМ и использующий приближённое решение уравнения диффузии при наличии концентрационной зависимости коэффициента диффузии.

5. Изучены особенности КЛ эпитаксиальных твёрдых растворов системы индий — галлий — фосфор — мышьяк, выращенных на подложке из фосфида индия. Обнаружено наличие полос излучения фосфида индия в слоях твёрдого раствора вблизи границы раздела «плёнка — подложка», что связывается с «прорастанием» дефектов подложки через буферный слой в плёнку.

6. Впервые в РЭМ проведены комплексные исследования фотоэлементов на основе поликристаллического сульфида кадмия с использованием стандартных возможностей РЭМ: изучением интегральной КЛ, РСМА, использованием режимов «топография» и" состав" отражённых электронов — и применением нестандартных методов: анализа спектров КЛ излучения, цветной КЛ, цветокодирования сигнала отражённых электронов. В результате изучены возможности и показана перспективность проведения локального анализа фотоэлементов на основе поликристаллических плёнок методами РЭМ. Проведённые исследования локальных физико-химических свойств фотоэлементов позволяют объяснить некоторые особенности их работы и определить пути оптимизации технологического процесса для производства высокоэффективных приборов.

Заключение

.

Впервые в РЭМ проведены комплексные электронномикроско-пические исследования ФЭ на основе гетероперехода Cu^S-CdS с использованием стандартных возможностей РЭМ: изучением интегральной КД, РСМД, использованием режимов «топография» и «состав» отраженных электронов — и применением нестандартных методов: анализа спектров KJI излучения, цветной КЛ, цветоко-дирования сигнала отраженных электронов.

В результате.

1. Определены возможности интегральной КЛ в сочетании с другими стандартными режимами работы РЭМ.

2. Установлено, что применение цветной КЛ и анализ спектров локальной КЛ позволяют оценить качество напыленной пленки сульфида кадмия и ФЭ на её основе, наличие дефектов и примесей на выбранных микроучастках поверхности.

3. Исследовано проникновение меди в сульфид кадмия в процессе обработки в CUjCC2 и термообработки. Установлено, что проведение вторичной термообработки приводит к проникновению меди вглубь кристалла и уменьшению толщины обогащенного медью приповерхностного слоя. Обнаружено, что медь проникает на значительные расстояния10 мкм) вглубь пленки CdS по границам кристаллитов и обволакивает кристаллиты, в том числе и по участкам границ, параллельным подложке .

4. Показана перспективность режима цветокодирования отраженных электронов при проведении физико-химического анализа приповерхностной области.

5. Обнаружен ряд технологических дефектов, которые могут влиять на электрофизические параметры ФЭ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. В., Сапарин Г. В., Быков М. В. Растровая электронная микроскопия. — Успехи физич. наук, 1969, т.99, вып.4, с. 635−672.
  2. Практическая растровая электронная микроскопия / Под ред. Гоулдстейна Дж. и Яковица X, М.: Мир, 1978. — 656 с.
  3. Thornton P. Scanning electron microscopy.-London: Chapman and Hall, 1968. 368 p.
  4. С.Г., Сидоров А. Ф. Электронно зондовые методы исследований полупроводниковых материалов и приборов. -М.: Энергия, 1978. — 136 с.
  5. .Н. Электронно зондовый микроанализ тонких плёнок. — М.: Металлургия, 1977. — 239 с.
  6. Рид С. Электронно зондовый микроанализ. — М.: Мир, 1979. — 423 с.
  7. Introduction to analitical electron microscopy.-New York and London: Plenum Press, 1979. 612 p.
  8. Heydenreich I. Electron microscopy in semiconductor re -search.-Proc. 10th Int. Congr. El. Microscopy. Hamburg: Deutsche Gesellschaft fur Electronenmikroskopie, 1982. -p. 365−372.
  9. Bethe H.A. Zur Theorie des Durchgangs schneller Korpuskularstrahlen durch Materie. Annalen der Physik (Leipzig), 1930, b. 5, s. 324−400.
  10. Klein C.A. Power efficiency and quantum efficiencies of electron-beam pumped lasers.-IEEE J. Quantum electronics, 1968, v. QE No p. 186−194.
  11. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэле-ктроника. М.: Мир, 1976. — 432 с.
  12. Panish М.В., Casey Н. С|в Temperature dependence of the energy gap in GaAs and' GaP. J. Appl. Phys., 1969, v. 40, No 1, p. 163−167.
  13. M.A., Филиппов С. С. Решение стационарного уравнения диффузии с точечным источником для электронно-зон -дового метода исследования полупроводников. М.: Ин — т прикладной математики АН СССР, 1975, препринт № 38.- 62 с.
  14. Pfefferkorn G., Brocker W., Hastenrath M. The cathodolu-minescence method in the scanning electron microscope. -SEM/1980, v. 1, p. 251−258.
  15. Casey H.C., Jayson J.S. Cathodoluminescent measurements in GaP (Zn, 0).-J. Appl. Phys., 1971, v. 42, No 7, p.2774−2776.
  16. Kyser D.F., Wittry D.B. Spatial distribution of exess carriers in electron-beam excited semiconductors.-Proc. IEEE, 1967, v. 55, 753−734.
  17. M.A. Исследование формирования сигнала наведенного тока в полупроводниковых материалах под действием электронного зонда. Дисс. канд. физ.-мат. наук. М.: 1977. 126 с.
  18. Archard G.D. Back scattering of electrons. J. Appl. Phys., 1961, v. 32, No 8, p. 1505−1509.
  19. Physics of quantum electronics. New York: McGraw. Hill Book Company, 1966, p. 424.
  20. Kanaya K., Okayama S. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets. J. Phys. D (Appl.Phys.), 1972, v. 5, No 1, p. 43−58.
  21. Ehrenberg W., Franks J. The penetration of electrons into luminescent material. Proc. Phys. Society, 1953, v. LXVI 12-B, p. 1057−1066.
  22. Ehrenberg W., King D.E. The penetration of electrons into luminescent material. Proc. Phys. Society, 1963, v. 81, p. 751−766.
  23. А.Ф. 0 проникновении электронов в твёрдые тела. -ФТТ, I960, т. II, вып.9, с. 2I6I-2I84.
  24. Д.И. Моделирование и статистический анализ псевдослучайных чисел на электронных вычислительных машинах. -М.: Наука, 1965. 227 с.
  25. М.А., Филиппов С. С. Вычисление диффузионных токов через р-п переход для протяжённых источников, возбуждаемых электронным зоцдом. М.: Ин-т прикладной матема -тики АН СССР, 1975, препринт № 60. — 64 с.
  26. Wittry D.B. Resolution of electron probe microanalyzers. J. Appl. Phys., 1958, v. 29, No 11, p. 154−3-1548.
  27. Everhart Т.Е., Hoff P. Determination of kilovolt electron energy dissipation vs penetration distance in solid materials. -J. Appl. Phys., 1971, v. 42, No 13, P.5837−5846.
  28. Jones G.A.C., Nag B.R., Gopinath A. Temperature variation of cathodoluminescence in direct gap semiconductors. -SEM/1973, v. 1, p. 308−316.
  29. Balk L.I., Kubalek E. Cathodoluminescence studies of semiconductors in scanning electron microscope. BEDO, 1973, v. 6, p. 559−569.
  30. Излучательная рекомбинация в полупроводниках / Под ред. Покровского Я. Е. М.: Наука, 1972. — 304 с.
  31. . Оптические процессы в полупроводниках. М.:1. Мир, 1973. 465 с.
  32. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. — 368 с.
  33. W. van Roosbroeck, Shockley W. Photon-radiative recombination of electrons and holes in germanium. Phys. Rew., 1954, v. 94, No 6, p. 1558−1560.
  34. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. — 584 с.
  35. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. — 672 с.
  36. Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. — 558 с.
  37. В.И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1967. — 415 с.
  38. . И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. — 416 с.
  39. Г. И. Физика твёрдого тела. М.: Высшая школа, 1965. — 276 с.
  40. Lucovsky G., Varga A.J., Schwarz R.F. Edge apsorption and photoluminescence in clisely compensated GaAs. Solid State Commun., 1965, v. 3, No 1, p. 9−13.
  41. А., Дин П. Светодиоды. M.: Мир, 1979. — 688 с.
  42. Steyn J.B., Giles P., Holt D.B. An efficient spectroscopic detection system for cathodoluminescence mode scan -ning electron microscopy. J. Microscopy, 1976, v. 107, p. 107−128.
  43. Bond E.F., Haggis G.H., Beresford D. Improved cathodo-luminescence microscopy. J. Microscopy, 1974, v. 100, p. 271−284.
  44. Horl E., Miigschl E. Scanning electron microscopy of metals using light emission.-Proc. 5th Europ. Conf. El. Microsc.-London and Bristol: Inst. Phys., 1972, p. 502 503.
  45. Carlsson L., C.G. van Essen. An efficient apparatus for studing cathodoluminescence in the scanning electron microscope. J. Phys. E, 1974-, v. 7, No 2, p. 98.-108.
  46. С.К., Сапарин Г. В., Спивак Г. В., Тепляков А. Г., Попов С. М. Исследование люминесцирующих материалов с большим временем релаксации в цветном растровом электронном микроскопе. Изв. АН СССР, сер. физич., 1980, т.44, № 6, с.1142−1146.
  47. Balk L.J., Kubalek Е. Use of phase sensitive (look-in) -amplication with scanning electron microscope. BEDO, 1974-, v. 6, p. 551−558.
  48. Khauer U., Wolfgang E. Cathodoluminescence spectrometry for the inspection of the silicon-doped gallium-arsenide light-emitting diodes. Siemens Forsch.-u. Entwickl.-Ber. Bd., 1977, v. 6, No 4, p. 236−244.
  49. H., Недялкова H., Николова JI. Применение цилиндрической линзы при фотографической регистрации слабых спектральных линий. ЖПС, 1982, т. 36, вып.5, с.845−847.
  50. М.К., Красавина Е. М., Крюкова И. В., Слуев В. И., Спивак Г. В. Саморазрушение лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой. Квантовая электроника, 1975, т. 2, № 9, с. 1969−1977.
  51. Wittry D.B., Kyser D.F. Cathodoluminescence at p-n yunc-tion in GaAs.-J. Appl. Phys., 1965, v. 36, No 4, p.1387−1389.
  52. В.И. Развитие локального катодолюминесцентного анализа в растровой электронной микроскопии. Дис. канд. физ.-мат. наук. — М, 1976. — 141 с.
  53. Cusano D.A. Radiative recombination from GaAs directly excited by electron beams. Solid State Commun., 1964-, v. 2, p. 353−358.
  54. Stradliny R.A., Eaves L., Hault R.A., Miura N., Simmonds C.C., Bradley C.G. Zeeman spectroscopy of the shallow donor states in GaAs and InP.-London and Bristol: Inst. Phys., Conf.Ser. Gallium arsenide and related compounds, 1973, No 17, p. 65−74.
  55. While A.M., Deam P.J., Ashen D.J., Mullin J.В., Well M., Day B. Asseptor levels in gallium arsenide.-J. Phys. C, 1973, v. 16, No 11, p. 243−246.
  56. Hwang c.J. Quantum efficiency and the radiative lifetime of the «band-to-band» recombination in heavily doped p-type GaAs.-Phys. Rev., 1979, v. В 6, p. 1355−1361.
  57. JI. И., Лошинский A.M., Рогулин В. Ю., Долгинов Л. М., Чупахина В. М. Фотолюминесцентные свойства эпитак-сиальных структур InGaPAs . ФТП, 1979, т. 13, № 6, c. II5I — 1155.
  58. Ю.А. Исследование и управление локальными излу-чательными процессами в фосфиде галлия. Дис. кацц. физ.-мат. наук. — М., 1979. — 150 с.
  59. Balk L.J., Kubalek Е., Menzel Е. Investigation of as-grown dislocation in GaAs single cristals in the SEM.- SEM/1976, v. 1, p. 257−264.
  60. A.B., Колесник JI.И. Микрокатодолюминесцентное исследование влияния дефектов структуры на излучатель-ную рекомбинацию в арсениде галлия. ФТП, 1978, т. 12, № 3, с. 448−452.
  61. A.C., Говорков A.B., Колесник Л. И., Лошинский A.M., Большакова Ю. Н. Роль взаимодействия дислокация точечный дефект — легирующая примесь в процессе рекомбинации в арсениде галлия. — ФТП, 1982, т.16, № 8, с.1510−1512.
  62. С.С., Освенский В. Б., Мильвидский М. Г., Моргу-лис JI.M., Гришина С. П. Природа мелких ямок травления в легированных теллуром монокристаллах GaAs. Кристаллография, 1978, т.18, вып.6,с.1299−1302.
  63. А.С., Говорков А. В. Исследование дефектов структуры полупроводниковых соединений типа А^В^ на РЭМ в режимах наведенного тока и микрокатодолюминесценции.
  64. Изв. АН СССР, сер. физич., т. 47, № 6, с. 1202−1204.
  65. Lohnert К., Kubalek Е. Cathodoluminescence investigation of the grain structure zinc oxide ceramic. BEDO, 1981, v. 14, p. 147−152.
  66. Knauer U., Vtolfgang E. Cathodoluminescence spectrometry for the inspection of silicon-doped gallium-arsenide light-emitting diodes. Siemens Eorsch.-u. Entwickl.-Ber. Bd., 1977, v. 6, No 4, p. 236−241.
  67. Kressel H., Dunse J.U., Nelson H., Hav/rylo F.Z. Luminescence in silicon-doped GaAs grown by liquid-physe epitaxy.- J. Appl. Phys., 1968, v. 39, No 4, p. 2006−2011.
  68. Г. В., Сапарин Г. В., Антошин М. К. Цветной контраст в растровой электронной микроскопии. Успехи физич. наук, 1974, т.113, вып. 4, с. 695 — 699.
  69. С.К., Сапарин Г. В. Преобразование видеосигнала для получения цветных катодолюминесцентных изображений с медленной развёрткой. Тезисы докл. Всесоюзн. симп.
  70. Применение электрон, микроскопии в современ. технике".-М.: 1978, с. 145.
  71. Л.Ф. Исследование полупроводников с повышенным разрешением в растровом электронном микроскопе. Дис. канд. физ.-мат. наук. М.: 1977. 185 с.
  72. Wittry D.B., Kyser D.F. Measurements of diffusion length in direct-gap semiconductors by electron beam excitation.- J. Appl. Phys., 1967, v. 38, No 1, p. 375−382.
  73. Norris C.B., Barnes C.E., Beezhold W. Analysis of n-type GaAs with electron beam excited radiative recombination.- J. Appl. Phys., 1973, v. 44, No 6, p. 3902−3911.
  74. Rao-Sahib T.S., Wittry D.B. Measurement of diffusion length in p-type gallium arsenide by electron beam excitation.-J. Appl. Phys., 1969, v.40,No 9, P.3745−3750.
  75. С.К., Сапарин Г. В. О влиянии электрического поля на эффективность катодолюминесценции сульфида кадмия. Тезисы докл. III Всесоюзн. симп. по растр, электрон, микроскопии и аналитич. методам исследования тверд, тел.
  76. М.: ИКАН, 1981, с. 178−179.
  77. Datta S., Boswarva I.M., Holt D.B. Cathodoluminescence in deformed MgO crystals. Phys. Chem. Solids, 1979″ v. 40, No 7, P. 567−571.
  78. В.И., Грибковский В. П. Введение в теорию люминесценции. Минск: АН БССР, 1963, — 444с.
  79. Bhalla R.I.R.S., White E.W. Polarized cathodoluminescence emission from willemite (Z^SiO^CMn)) single crystals.-J. Appl. Phys., 1970, v. 41, No 6, p. 2267−2268.
  80. Г. В., Филиппов М. Н., Антошин М. К. О поляризационном контрасте катодолюминесценции, наблюдаемом в растровом электронном микроскопе. Изв. АН СССР, сер. физич., 1977, Т.41, вып. 5, с. 876−879.
  81. М.Н. Физические основы и применение особых типов контраста изображения твёрдых тел в растровой электронной микроскопии. Дис. канд. физ.-мат. наук. — М, 1982. — 171 с.
  82. Sze S.M. Physics of semiconductors devices. New York: Willey, 1969. — 812 p.
  83. Г. В., Комолова Л. Ф., Слуев В. И., Сапарин Г. В., Антошин М. К. 0 свойствах люминесцентного излучения, возбуждаемого в малом объёме электронным пучком. Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, вып.1, с.38−40.
  84. Spivak G.V., Saparin G.V., Komolova L.F. The physical fundamentals of the resolution enhancement in the SEM. for CL and EBIC modes. — SEM/1977, v. 1, p. 191−200.
  85. Г. В., Обьщен С. К. Электронно-вычислительная техника в растровой электронной микроскопии. Тезисы докл. III Всесоюзн. симп. по растр, электрон, микроскопии и аналитич. методам исследован, тверд, тел. — М.: ИКАН, 1981, с. 10−12.
  86. А.Б. Определение диффузионной длины неравновесных носителей тока в полупроводниках с помощью электронного микрозонда. ПТЭ, 1976, Р 2, с. 199−201.
  87. А.Б. Метод измерения диффузионной длины носителей тока в полупроводниках с помощью электронного микро-зоцца. Тезисы докл. Всесоюзн. симп. «Применение электронной микроскопии в современной технике». — М.: 1978, с. 151.
  88. Электронно-микроскопическое исследование микродефектовв полупроводниковых структурах. Научно-технический отчёт. /Руководитель работы Петров В. И. Тема № 52/76 -М., МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет, 1978.
  89. И.М.Бронштейн, Фрайман B.C. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969.- 407 с.
  90. В.Л., Арапова Е. И., Карелин В. М. и др. Исследование кат од олюминесценции монокристаллов ZnS и других катодолюминофоров. Труды ФИАН СССР — М.: 1963, т. 23, с. 64−135.
  91. Физика твёрдого тела. Спецпрактикум. М.: МГУ им. М. В. Ломоносова, 1983. — 231 с.
  92. Вакуленко 0.В., Новиков H.H., Скрышевский В. А. Фотолюминесценция арсенида галлия, легированного теллуром. -ФТП, 1981, т.15, вып. 5, с.1005 1008.
  93. Таблицы физических величин. Справочник. М.: Атомиз-дат, 1976. — 1006 с.
  94. .И. Диффузия в полупроводниках. М.: физмат-гиз, 1961. — 462 с.
  95. Атомная диффузия в полупроводниках, /под ред. Шоу Д. -М.: Мир, 1975. 684 с.
  96. Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. Кишинёв- Штиинца, 1978. — 230 с.
  97. М.А., Малкович Р. Ш. Способ приближенного решения нелинейного уравнения диффузии /теплопроводности/. ЖТФ, 1980, т.50, вып. 9, с. 2007−2010.
  98. Cunnel Р. Л, Gooch С.Н., Diffusion of zinc in gallium arsenide. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 15, Wo 1, p. 127−133.
  99. Allen J.W. The diffusion of ionized impurities in semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 15, No 1, p. 134—139.
  100. Longini R.L. Rapid zinc diffusion in gallium arsenide.-Solid State Electron., 1962, v. 5, p. 127−130.
  101. Т.Д., Малкович Р. Ш. Об изоконцентрационной диффузии цинка в арсениде галлия. в кн.: Арсенид галлия. — Томск: ТГУ, 1968, с. 261 — 264.
  102. Т.Д. Влияние межпримесного взаимодействия и дефектообразования на диффузию в полупроводниках. -Дис.докт. физ.-мат. наук. JI., 1973. — 377 с.
  103. Gvosdover R.S., Petrov V.I., Stepovich M.A. Scanningelectron microscopy of GaAs based single cristalline light-emitting elements, Proc. 3th Microelectron. Conf. Socialist Countries. — Budapest: 1982, p. 77−78.
  104. P.C., Степович M.A. Исследование локальной катодолюминесценции GaAs:(Те, Zn) в структурах с р-п переходом. Тезисы докл. XI Всесоюзн. конф. поэлектрон, микроскопии. M.: Наука, 1979, с. 59.
  105. P.C., Матвеев В. А., Петров В. И., Степович М. А. Электронно-микроскопические исследования локальной катодолюминесценции GaAs(Te, Zn) в образцах с р-п переходом. Изв. АН СССР, сер. физич., 1980, т.44, № 10, с. 2145−2148.
  106. Материалы для оптоэлектроники. Сборник статей. М.: Мир, 1976, 408 с.
  107. В.В., Соболев Т. И., Холоднов В. А. Вольтампер -ные и спектральные характеристики варизонных р-п -структур, Ш1, 1979, т.II, № 12, с. 2314−2321.
  108. .И., Арсентьев И. Н., Гарбузов Д. З., Румян -цев В.Д. Структура энергетических зон твёрдых растворов Ini-xGaxAs1-yPy. Ш1, 1977, т. И, № 12 с. 2330−2337.
  109. А.Н., Степович М. А., Яковлев Ю. П. Катодолюми-несценция твердых растворов InixGaxpiyAsy • -Тезисы докл. II Всесоюзн. семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем» -М.: 1981, с. 175−176.
  110. Р.С., Степович М. А. Локальная катодолюминес-ценция Ini-xGaxpl-yAsy твёрдых растворов. -Поверхность. Физика, химия, механика, 1983, № 3, с. 115 -118.
  111. Г. Ф. Зонная структура твердых растворов ^Ч-х^х^-у^у . 1977, т. II, Р 8, с. 1550 -1554.
  112. Reynolds D.C., Antes L.L., Marburger R.E. Photovoltaic effect in cadmium sulfide. Phys. Prev., 1954-, v. 96, No 2, p. 533−534.
  113. Barnett A.M., Bragagnolo J.A., Hall R.B., Phillips J.E., Meakin J.D. Achivement of 9,15 $ efficiency of thin -film CdS/Cu2S cells. Proc. 13th IEEE Photovolt. Spec. Conf. — New York: 1978, p. 419−420.
  114. Bragagnolo J.A., Barnett A.M., Phyllips J.E., Hall R.B., Rothwarf A., Meakin J.D. The design and fabrication of thin-film CdS/C^S cells of 9,15 percent conversion efficiency. IEEE transactions on electron devices, 1980, v. ED-27, No 4, p. 645−651.
  115. Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твёрдого тела. /Под ред. Серафина Б. М.: Энергоиздат, 1982, — 320 с.
  116. В.Н., Карпенко И. В., Ксендзацкая Ю. Н., Тыквен-ко Р.Н. Тонкоплёночные солнечные элементы на основе CdTe CdS. Электротехническая промышленность сер. Химич. и физич. источники тока, 1970, вып. 3, с. 21−25.
  117. Солнечная энергетика /Под ред. Малевского Ю. Н. и Колтуна М. М. М.: Мир, 1979.
  118. Baron В., Catalan A.W., Fagen Е.А. Formation and pro -perties of cuprous sulfide thin-film CdS/C^S photo -voltaic devices. Proc. 13th IEEE Photovolt. Spec. Conf. — New York: 1978, p. 406−411.
  119. P.В., Павелец С.10. Электронографические исследования сульфида меди и рекомбинационные характеристики фотопреобразователей p-0u2eXB-n-CdS. $ТП, 1979, т.13, № 9, с. 2281−2284.
  120. Х.Т., Юлдашев Б. Д. Электрические и фотоэлектрические свойства гетерофотоэлементов Cu^s-Cds f полученных на основе плёнок Cds стехиометрического состава. Гелиотехника, 1979, № 5, с. 17−22.
  121. Bresse J.F., Perotin М., Bougnot J. Characterisation of photopiles Cu^jS/CdS using ТЕМ, X-ray spectrometry and SEM by EBIC mode. Proc. 7th Europ. Congr. El. Microscopy. — Hague: 1980, v. 1, p. 358−359.
  122. T.M., Разыкова M.A. Электронно-зондовый ана -лиз и деградация фотопреобразователей cu2S-CdS • ~ Гелиотехника, 1981, № 2, с.29−31.
  123. Oakes J.J., Greenfield I.G., Partain L.D. Diffusion length determination in thin-film Cu^S/CdS solar cellsоby scanning electron microscopy. J. Appl. Phys., 1977, v. 48, No 6, p. 2548−2555.
  124. Michall J., Norian K.H., Williams D.B., Edington J.W., STEM and CTEM studies of the CdS layer of thin-film solar cells. Proc. 7th Europ. Congr. El. Microscopy. — Hague: 1980, v. 1, p. 352−353.
  125. М.К., Карпенко И. В., Коваль О. И., Колтун М. М., Петров В. И., Степович М. А. Растровая электронная микроскопия фотоэлементов на основе сульфида кадмия. -Изв. АН СССР, сер. физич., 1980, т.44, № 6, с. 1290−1293.
  126. Физика и химия соединений А111 /Под ред. Медведева С. -М.: Мир, 1970. 624с.
  127. М.К., Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Механизмы оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции в монокристаллах CdS и параметры соответствующих центров свечения. ФТТ, 1968, т.10, вып. 9, с. 2628−2638.
  128. И.Б., Матвеевская Г. И., Шейнкман М. К. О природе центров оранжевой люминесценции в сульфиде кадмия. ФТП, 1975, т. 9, вып. 8, с. 1620 — 1623.
  129. Власенко H.A."Борисова 3.Г., Ермолович И. Б., Матвиевская Г. И. Энергетическая структура и физико-химическая природа центров собственной «оранжевой» люминесценции в Тез. докл. ХХУ Всесоюзн. совещан. по люминесценц. Львов: 1978, с. 160.
  130. Kulp В.A., Kelley R.H. Displacement of the sulfur atora in CdS by electron bombardment. J. Appl. PHys., 1960, v. 31, No 6, p. 1057−1061.
  131. И.В., Петров В. И., Степович М. А., Фишкис Ц. Я. Микрокатодолюминесцентные исследования сульфида кадмия. Тезисы докл. Всесоюзн. симп. «Применение электрон. микроскопии в современ. технике». — M.: 1978, с. III.
  132. Статистические методы в экспериментальной физике /Под ред. Тяпкина A.A. М.: Атомиздат, 1976. — 264 с.
  133. Мак Кракен, Дорн У. Численные методы и программирование на ФОРТРАНЕ. М.: Мир, 1979. — 287 с.
  134. И.С., Жидков Н. П. Методы вычислений. М.: Физматгиз, 1962. — 464 с.
  135. Справочник по специальным функциям /Под ред. Абрамовича М. и Стиган И. М.: Наука, 1979. — 830 с.
  136. BEDO: Beitr. Elektronenmikroscop. Direktabb. und Oberflachen, ed. Pfefferkorn G., Munster, V/.-Germany. SEM/1973−77: IIT Research Institut, Chicago, III., 1. USA.
  137. SEM/1978−82: SEM Inc., AMF O’Hare, III., USA.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!