Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5

Диссертация: Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Я также благодарна сотрудникам лаборатории инфракрасной оптоэлектроники И. А. Андрееву, В. В. Шерстневу, С. С. Кижаеву, Е. В. Куницыной, Е. А. Гребенщиковой, М. П. Михайловой, А. М. Монахову и Н. В. Зотовой за плодотворное сотрудничество, постоянный интерес и внимание к этой работе. Данная работа строится на результатах измерений проводимых в течение 5 лет при неоценимой поддержке С. И. Трошкова… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Методы формирования излучателей и фотоприемников на основе полупроводниковых гетероструктур узкозонных АЗВ5 (литературный обзор)
    • 1. 1. Химические особенности узкозонных, А В
      • 1. 1. 1. Технология полупроводникового производства лазеров, светодиодов и фотоприёмников на основе узкозонных А3В
      • 1. 1. 2. Создание гетероструктур эпитаксиальными методами
    • 1. 2. Литография
    • 1. 3. Создание контактов (металлургические аспекты, вжигание, гальваника)
      • 1. 3. 1. Электрические требования с системе
      • 1. 3. 2. Металлургические требования к системе
      • 1. 3. 3. Адгезия
      • 1. 3. 4. Напыление контакта
      • 1. 3. 5. Вжигание контакта
      • 1. 3. 6. Пример многокомпонентной контактной системы
      • 1. 3. 7. Гальваническое осаждение
      • 1. 3. 8. Создание омического контакта в данной работе
    • 1. 4. Жидкостное химическое травление в постростовой технологии оптоэлектронных приборов
      • 1. 4. 1. Влияние ориентации поверхности
      • 1. 4. 2. Влияние состава травителя
      • 1. 4. 3. Формирование меза-структур
    • 1. 5. Пассивация р-п-перехо да
      • 1. 5. 1. Анодное окисление
      • 1. 5. 2. Нанесение диэлектрических пленок
  • Выводы к главе 1
  • Глава 2. Создание и исследование светодиодов на основе 1пАв и его твердых растворов
    • 2. 1. Светодиоды (направления улучшения характеристик, вывод излучения)
    • 2. 2. Особенности светодиодов на основе ТпАэ и его твердых растворов
    • 2. 3. Создание и исследование светодиодов на основе гетероструктуры 1пАб/ 1пАз8Ь/1пА88ЬР с диффузно-рассеивающей поверхностью
      • 2. 3. 1. Технология создания светодиодов
      • 2. 3. 2. Создание диффузно-рассеивающей поверхности
      • 2. 3. 3. Исследование светодиодов с диффузно-рассеивающей поверхностью
  • Выводы к главе 2
  • Глава 3. Создание и исследование быстродействующих р-ьп фотодиодов на основе ва8Ь и его твердых растворов
    • 3. 1. Фотоприемники (направления увеличения быстродействия), р-ьп-фотодиоды на основе ва8Ь и его твердых растворов
    • 3. 2. Создание и исследование р-ьп фотодиодов с диаметром мезы 100 мкм
      • 3. 2. 1. Увеличение быстродействия р-ьп-фотодиодов на основе гетероструктуры Оа8Ь/Оа1пА88Ь/ОаА1А88Ь (ростовые и конструктивные особенности)
      • 3. 2. 2. Исследование травителей для p-i-n-фотодиодов на основе гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb
      • 3. 2. 3. Постростовая технология
      • 3. 2. 4. Исследования p-i-n фотодиодов с диаметром мезы ЮОмкм
    • 3. 3. Создание и исследование p-i-n фотодиодов с диаметром фоточувствительной мезы 50 мкм и «мостиковым» контактом
      • 3. 3. 1. Выбор травителя
      • 3. 3. 2. Влияние ориентации «мостика» относительно кристаллографического направления
      • 3. 3. 3. Влияние режима перемешивания
      • 3. 3. 4. Выявление кристаллографических направлений
      • 3. 3. 5. Разработка метода создания диэлектрической площадки
      • 3. 3. 6. Создание металлического «мостика»
      • 3. 3. 7. Исследование p-i-n фотоприемников с диаметром фоточувствительной мезы 50 мкм и «мостиковым» контактом
    • 3. 4. Создание и исследование фотоприемников с повышенной квантовой эффективностью за счет использования встроенных отражателей
      • 3. 4. 1. Разработка технологии создания фотоприемника
      • 3. 4. 2. Формирование встроенных отражателей
      • 3. 4. 3. Создание и исследование приборов со встроенными отражателями
  • Выводы к главе 3
  • Глава 4. Создание и исследование лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, на основе квантоворазмерной гетероструктуры GaAlAsSb/GalnAsSb/GaAlAsSb
    • 4. 1. WGM-лазеры
    • 4. 2. Создание и исследование WGM-лазеров на основе квантоворазмерной гетероструктуры GaAlAsSb/GalnAsSb/GaAlAsSb (к настоящему моменту)
      • 4. 2. 1. Гетероструктура GaAlAsSb/GalnAsSb/GaAlAsSb
      • 4. 2. 2. Создание резонатора дискового WGM-лазера
      • 4. 2. 3. Измерение спектров люминесценции одиночных WGM-лазеров
      • 4. 2. 4. Диаграмма направленности дисковых WGM-лазеров
    • 4. 3. Исследование поляризации дисковых WGM-лазеров
    • 4. 4. Исследование температурной зависимости порогового тока и спектров излучения WGM-лазеров
    • 4. 5. Сравнение WGM-лазеров на основе дисковых и кольцевых резонаторов
    • 4. 6. Создание и исследование дисковых WGM-лазеров со «связанными» резонаторами
  • Выводы к главе 4

Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Электроника на гетероструктурах широко используется во многих областях человеческой деятельности — это телекоммуникационные системы, основанные на лазерах с двойной гетероструктурой (ДГС), системы спутникового телевиденья с диодами Гана, солнечные элементы на гетероструктурах, а также приборы для экологического мониторинга, медицины и контроля различных процессов, включающие светодиоды, диодные лазеры и фотодиоды. Большой интерес для практического применения представляют оптоэлектронные приборы, работающие в средней инфракрасной (ИК) области спектра.

Этот спектральный диапазон актуален для задач лазерной диодной спектроскопии газов и молекул. Освоение этой области инфракрасного спектра исключительно важно для решения задач экологического мониторинга и медицинской диагностики. В связи с этим возникает необходимость создания оптоэлектронных приборов, перекрывающих диапазон ИК области спектра. Для создания таких оптоэлектронных приборов перспективными являются.

3 5 многослойные гетероструктуры на основе соединений, А В (Оа8Ь, 1пАз). Среди задач, стоящих перед исследователями, важнейшими являются повышение эффективности вывода излучения из кристалла, увеличение мощности излучения и повышение рабочих температур до комнатной и выше. Все это требует создания светодиодных и лазерных структур новых типов и на их основе — чипов новой конструкции.

Анализ литературы, имеющейся к началу диссертационной работы показал, что светодиоды, лазеры и фотоприемники для среднего инфракрасного диапазона находят широкое применение. Однако излучательная эффективность лазеров и светодиодов при комнатной температуре невысока, и они зачастую требуют криогенного охлаждения. Для решения ныне существующих задач необходимо создание новых быстродействующих фотоприемников, т.к. существующие приборы не соответствуют требуемым параметрам. Для создания приборов в средней ИК области спектра могут быть использованы материалы А2В6, А4В4, А3В5. Наиболее перспективными являются соединения т.к. обладают рядом преимуществ, а именно: наиболее высокой эффективностью излучательной рекомбинации, большой теплопроводностью и механической прочностью. Для синтеза этих материалов применяются методы ЖФЭ, МОГФЭ и МПЭ. Стандартная постростовая обработка полупроводниковых структур достаточно хорошо разработана для создания приборов в средней ИК области спектра, однако требует значительных усилий исследователей по совершенствованию обработки гетероструктур новых составов, а также глубокой разработки новых приемов для создания приборов принципиально новых форм. Формирование светодиодных, лазерных и фотодиодных чипов на основе четверных твердых растворов мало изучено, особенно для средней ИК области спектра, т.к. для этого может быть использована широкая гамма полупроводниковых материалов различного состава: от широкозонных (АЮаАзБЬ и 1пАз8ЬР) до узкозонных (Са1пАз8Ь и ГгъА^Ь). Постростовая обработка таких систем представляет особую сложность. Химическое травление многослойных структур, состоящих из разнородных по составу материалов, имеет существенные ограничения, вызванные сильным различием химических свойств материалов. Поэтому возникает острая необходимость разработки новых методов химического травления, которые позволили бы формировать необходимые профили и конфигурации мезаструктур. Требования к методам постростовой обработки так же различны как и конфигурации и формы приборов, необходимые для различных целей.

Актуальность темы

Оптоэлектронные приборы (светодиоды, фотодиоды, лазеры) в средней ИК-области спектра 1.6−5.0 мкм являются перспективными для науки и техники, экологического мониторинга окружающей среды и медицинской диагностики. В этом спектральном диапазоне находятся основные линии поглощения многих промышленных и природных газов и жидкостей [1], таких как СО2, СО, СН4, Н20 и др., что открывает широкие перспективы для создания оптических анализаторов газов и жидкостей. Перспективными материалами для изготовления таких устройств являются узкозонных твёрдые.

3 5 растворы полупроводников, А В, изопериодичные с подложками GaSb и In As.

Конструкция оптоэлектронного прибора оказывает большое влияние на физические параметры, поэтому разработка новых, более эффективных конструкций приборов, а также разработка технологии их создания, является важнейшей задачей инфракрасной оптоэлектроники. Важную роль в разработке оптоэлектронных приборов играет постростовая обработка гетероструктур, выращенных эпитаксиальными методами. Постростовая обработка гетероструктур позволяет создавать оптоэлектронные приборы различной формы (мезаструктуры плоской и выпуклой формы, мезаполоски, диски, флип-чип (flip-chip) и др.), применяемые в современной оптоэлектронике. Для создания оптоэлектронных приборов различной формы, как правило, используется «жидкостное» химическое травление. Химическое травление многослойных структур, состоящих из разнородных по составу материалов, имеет существенные ограничения, вызванные сильным различием химических свойств материалов. Поэтому возникает острая потребность в разработке новых методов химического травления, которые позволили бы формировать необходимые профили и конфигурации мезаструктур. Требования к методам постростовой обработки так же различны, как и конфигурации и формы приборов, создаваемые для различных целей. Электролюминесцентные и фотоэлектрические свойства оптоэлектронных приборов существенно зависят от формы и конфигурации созданных приборов.

Цель работы. Создание новых конструкций оптоэлектронных приборов для средней ИК-области спектра на основе эпитаксиальных гетероструктур GaSb и InAs и исследование влияния формы приборов на их электролюминесцентные и фотоэлектрические свойства.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Разработка принципиально новых методов постростовой обработки эпитаксиальных гетероструктур, как с целью создания нового типа полупроводникового лазера, так и для существенного улучшения электролюминесцентных характеристик светодиодов и фотоэлектрических характеристик фотодиодов для средней ИК-области спектра;

2. Исследование влияния формы оптоэлектронного прибора на внешний квантовый выход излучения лазеров и светодиодов;

3. Исследование влияния конфигурации фотодиодного чипа на быстродействие и эффективность фотодиодов, работающих в средней ИК-области спектра.

Научная новизна результатов, полученных в работе состоит в следующем:

• Предложены и разработаны методики постростовой обработки многослойных гетероструктур соединений ЪпАбЛпАзЗЬ для создания высокоэффективных светодиодов с диффузно-рассеивающим рельефом на световыводящей поверхности, в которых достигается увеличение внешнего квантового выхода излучения, что позволяет увеличить внешнюю квантовую эффективность;

• Предложены и разработаны методики постростовой обработки многослойных гетероструктур соединений А3ВЭ на основе гетероструктуры ГпАб/ТпАзЗЬ для создания фотодиодов с малой площадью кольцевой мезы относительно площади светопоглощающей поверхности диода и отражающим рельефом на тыльной стороне структуры, что позволяет увеличить квантовую эффективность прибора;

• Предложены и разработаны методики постростовой обработки.

3 5 многослойных гетероструктур узкозонных соединений, А В на основе Оа8Ь/Са1пАз8Ь/ОаА1А88Ь для создания р-ьп-фотодиодов мостиковой конструкции для диапазона 1.2−2.4 мкм, что позволяет увеличить быстродействие;

• Предложены и разработаны методики постростовой обработки соединений, А В на основе квантоворазмернои гетероструктуры Оа8Ь/ОаА1Аз8Ь/Са1пА88Ь для создания как одиночных, так и связанных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи ^вМ-лазеров);

• По итогам проведенных в работе исследований созданы опытные образцы светодиодов, быстродействующих фотодиодов и связанных ^ОМ-лазеров.

Научная и практическая значимость работы:

Разработаны новые методы постростовой обработки, пригодные как для улучшения, так и для создания принципиально новых приборов инфракрасной оптоэлектроники: светодиодов, фотоприемников и лазеров на основе узкозонных материалов 1пАз и ваБЬ. На основе разработанных технологических методик созданы быстродействующие фотодиоды, WGM-лазеры с повышенной добротностью и светодиоды с повышенной квантовой эффективностью.

Научные положения, выносимые на защиту:

• В светодиодах на основе гетеропереходов в системе ТпАзЛпАбБЬ с созданным диффузно-рассеивающим рельефом на световыводящей поверхности происходит увеличение внешнего квантового выхода излучения за счет изменения направления световых потоков в кристалле при многократных отражениях от диффузно-рассеивающей поверхности.

• В фотодиодах на основе гетероструктуры Оа8Ь/Оа1пА88Ь/ОаА1А88Ь, в которых область поглощения излучения и область омического контакта разделены воздушным контактным мостиком, достигается максимальное быстродействие за счет уменьшения емкости всего прибора.

• В фотодиодах на основе гетероструктуры ¡-пАзЛпАбЗЬ с малой площадью кольцевой мезы относительно светопоглощающей площади диода и отражающим рельефом на тыльной стороне структуры в виде криволинейных поверхностей, состоящих из вытравленных полусфер, достигается увеличение квантовой эффективности за счет изменения направления световых потоков в кристалле при многократных отражениях света от криволинейных поверхностей фотодиодной структуры с последующим поглощением света в активной области.

• В оптически связанных дисковых лазерах на основе квантоворазмерной гетероструктуры Оа8Ь/СаА1А88Ь, работающих на модах шепчущей галереи (М^вМ-лазерах), с резонаторами, находящимися друг от друга на расстоянии порядка длины волны излучения, за счет оптической связи двух колебательных систем, возникает одночастотная генерация при подаче положительного смещения одновременно на оба лазера.

Личный вклад автора: Вклад диссертанта состоит в том, что О. Ю. Серебренниковой была разработана технология постростовой обработки кристаллов и гетероструктур на основе узкозонных полупроводниковых.

3 5 соединении для создания светодиодов, фотоприемников и лазеров.

Диссертантом были проведены экспериментальные исследования различных этапов постростовой технологии, по результатам которых были созданы опытные партии оптоэлектронных приборов (светодиодов, фотоприемников и лазеров различных конфигураций). Были проведены экспериментальные исследования электролюминесценции и фотоэлектрических свойств приборов, а также дана интерпретация результатов и формулировка выводов.

Апробация работы. Результаты работы опубликованы в авторитетных реферируемых журналах и докладывались на различных конференциях. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. XI Всероссийской молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (С-Петербург, Россия, 2009 г);

2. XXI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Орион, Москва, Россия, 20 Юг);

3. International Scientific and Applied Conference Opto-Nano Electronics and Renewable Energy Sources (Varna, Bulgaria, 2010);

4. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (Новосибирск, Россия, 2011).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 9 печатных работах, список которых приведен в конце диссертации, также есть заявка на патент N2011124578/28, приоритет от 16.06.2011.

Гранты. Работа поддержана грантом У.М.Н.И.К. 2009;2011 г Номер проекта: 14 029, номер Госконтракта: 8945р/14 029 от 19.04.2011.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 200 страниц, включая 62 рисунка и 10 таблиц. Список цитируемой литературы включает 91 наименование.

Основные результаты и выводы.

1. Изготовлены флип-чип светодиоды с длиной волны 4.3 мкм на основе гетероструктур InAs/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Изготовлены два типа конструкции светодиодов с гладкой световыводящей поверхностью и с развитым рельефом на поверхности. Исследованы электролюминесцентные свойства. Светодиоды с развитой световыводящей поверхностью имеют более высокие значения оптической мощности по сравнению со светодиодами с гладкой световыводящей поверхностью, что связано с увеличением выхода излучения из кристалла за счет многократного переотражения. Получено значение мощности при комнатной температуре в QCW режиме 30 мкВт при токе 200 мА и 0.6 мВт в импульсном режиме при токе 2А.

2. Созданы и исследованы неохлаждаемые быстродействующие GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb p-i-n-фотодиоды с длинноволновой границей спектральной чувствительности Я = 2.4 мкм и диаметром фоточувствительной площадки 100 мкм. Получение низкого уровня легирования активного слоя.

15 —з.

10 см) позволило добиться низкой емкости фотодиода (менее 1.0 пФ при диаметре чувствительной площадки 100 мкм) и рекордного быстродействия (на уровне -150 пс). Предельное быстродействие фотодиодов достигает значения 1−1,5 ГГц. Фотодиоды характеризуются малой величиной обратного темнового тока (500−1000 нА при смещении 1−3 В) и обнаружительной способностью до 91 010 смТц½ Вт-1 в максимуме спектральной чувствительности 1.9−2.2 мкм (Т=ЗООК).

3. Разработана технология создания фотоприемников «мостиковой» конструкции с разделением фоточувствительной и контактной областей. Проведены исследования фотоприемников такой конструкции, созданных на основе гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/GaAlAs. При этом для разработанного фотоприемника «мостиковой» конструкции были достигнуты более низкие значения обратных темновых токов и более высокое значение быстродействия, чем для 100 мкм фотоприемников стандартной конструкции. В соответствии с оценкой времени нарастания/спада импульса фотоответа, приведенной выше, уменьшение концентрации носителей до 1015 см «3 в структуре с диаметром мезы 50 мкм позволит ожидать увеличения предельного быстродействия рассматриваемых фотодиодов до 10 ГГц. Такие фотодиоды перспективны для задач лазерной дальнометрии, гетеродинного приема квантовых каскадных лазеров, информационных технологий.

4. Проведены сравнительные исследования ватт-амперной чувствительности фотодиодов, содержащих как поглощающие, так и отражающие тыльные стороны фотодиодного чипа. Показано, что в случае использования криволинейной многократно отражающей поверхности на тыльной стороне фотодиодного чипа в виде полусферических ямок травления глубиной 60 мкм наблюдается повышение квантовой эффективности фотодиода в 1.3−1.7 раза во всем исследованном интервале длин волн 2.5−5.0 мкм. Полученные результаты служат подтверждением преимущества искривленных светоотражающих (и световыводящих) поверхностей при изготовлении оптоэлектронных приборов для среднего ИК-диапазона.

5. Разработаны конструкция и технология создания дисковых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур ОаА1А88Ь/Оа1пА88Ь/СаА1Аз8Ь, работающих на модах шепчущей галереи (УОМ). Резонатор в данной конструкции представляет собой активную область, выдающуюся за пределы мезы в виде диска, с такой гладкостью стенки, когда размер неровностей меньше длины волны излучения. Созданы лазеры со «связанными» резонаторами, и показано, что в полупроводниковом источнике инфракрасного излучения с двумя оптически «связанными» дисковыми резонаторами при включении по отдельности каждый из лазеров показывает многомодовую генерацию. При соблюдении условий, когда расстояние Ь между дисковыми резонаторами не превосходит 5 длин волн излучения, 0<�Ь<5А, при подаче напряжения одновременно на оба дисковых резонатора происходит выделение одной моды, и лазерная система входит в одномодовый режим генерации.

Моей семье посвящается.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моим научным руководителям Юрию Павловичу Яковлеву и Наталье Дмитриевне Ильинской за руководство работой, постоянный интерес и неоценимую поддержку.

Я также благодарна сотрудникам лаборатории инфракрасной оптоэлектроники И. А. Андрееву, В. В. Шерстневу, С. С. Кижаеву, Е. В. Куницыной, Е. А. Гребенщиковой, М. П. Михайловой, А. М. Монахову и Н. В. Зотовой за плодотворное сотрудничество, постоянный интерес и внимание к этой работе. Данная работа строится на результатах измерений проводимых в течение 5 лет при неоценимой поддержке С. И. Трошкова и С. Ю. Беловой. Хочу поблагодарить технологов Ю. М. Задиранова, B.JI. Щеглова, В. И. Ильину, О. В. Иванову, Е. М. Нинову, чье участие сделало возможным создание приборов описанных в данной работе. Я благодарна A.A. Хотиной и A.A. Трошиной за помощь в оформлении работы и моральную поддержку. Я искренне благодарна коллегам A.A. Усиковой, A.B. Зубовой, Е. М. Танклевской, A.B. Малевской, О. Н. Эйзнер за полезное обсуждение результатов и деловую благожелательную атмосферу.

Заключение

.

Исследования, результаты которых представлены в диссертации, были направлены на разработку технологии постростовой обработки гетероструктур

3 5 на основе твердых растворов узкозонных, А В, создание и исследование светодиодов, лазеров и фотоприемников для среднего ИК диапазона.

Показать весь текст

Список литературы

  1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОДИОД ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Заявка N2011124578/28, приоритет от 16.06.2011.
  2. R.H. Pierson, A.N. Fletcher and E.S. Gantz / Catalog of infrared spectra for qualitative analysis of gases // Anal. Chem., 1956, v.28, p.1218−1239
  3. А.И., Юдин B.B. / Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем М.: Высшая школа, 1986. -367 с.
  4. Е.В. Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов GalnAsSb: Дис. канд. физ.-мат. наук. -СПб, 1999 г.
  5. С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетерострутур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Дис. канд. физ.-мат. наук. СПб, 2003 г.
  6. В.М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов М.: Советское радио, 1975 г. -328 с.
  7. A.B., Карманенко С. Ф. Физико-химические основы технологии полупроводников СПб: Изд-во Политехи. Ун-та, 2005 .-113с.
  8. Т.Н., Никитин A.B., Сурис P.A. Оптические основы контактной фотолитографии М: Советское радио, Электроника, 1982 г., вып. 33.
  9. Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и микросхем М: Советское радио, Электроника, 1978 г., вып. 18
  10. O.K., Романцев A.C. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и микросхем М.: Высшая школа, 1979 г
  11. У. Микролитография, т. 1. и 2. М.: Мир, 1990 .-1240с.
  12. Ю.С. Фото-, электроно- и рентгенорезисты. М.: Радио и связь, 1982г
  13. S. Wolf Microchip manufacturing // Lattice press, USA, Sunset beach, California, 2004, p. 565
  14. В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектронике М.: Металлургия, 1978 .-208 с.
  15. Н.В., Хатько В. В. Диэлектрические пленки в твердотельной электронике // Минск, Наука и техника, 1990
  16. Химические эффекты при формировании электронной структуры3 5поверхности полупроводников, А В, сульфидированной в растворах / Бессолов
  17. B.Н., Коненкова Е. В., Лебедев М. В., Zahn D.R.T. // ФТП, 1999, том 41, вып. 5
  18. Патент (19) RU (11)2340981 (13) С1 (51) МПК H01L31/18 (2006.01)
  19. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия / Солдатенков Ф. П., Сорокина
  20. C.В., Тимошина Н. Х., и др. // ФТП, 2011, т.45, вып.9, с.1266−1273
  21. Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (^cutoff=4.5 мкм) / Закгейм А. Л., Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., и др. // ФТП, 2009, т.43, вып.З., стр. 412−417
  22. Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb / Гребенщикова Е. А., Именков А. Н., Кижаев С. С., и др. // ФТП, 2012, т. 46, в.2, стр. 247−251
  23. Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb (P) (длинноволновая граница Аол=5.2 мкм) / Карандашев С. А., Матвеев Б. А., Мжельский И. В., и др. // ФТП, 2012, т.46, в.2, с. 258−261
  24. Быстродействие вертикально излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений In As / Надточий A.M., Блохин С. А., Мутиг А., и др // ФТП, 2011, т.45, в.5, с. 688−693
  25. В. А. Электрохимия полупроводников. Учебное пособие // Барнаул Алт. гос. ун-та 1998
  26. С. Гальванотехника для мастеров. Справочник М.: Металлургия, 1990 г.-208с
  27. Травление полупровоников ред. B.C. Хангулова М.: Мир, 1965 г.-382с
  28. . Д. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников М.: Радио и связь, 1982 г
  29. Технология СБИС, ред. С. Зи, т. 1. и 2. М.: Мир, 1986 г.-455, 388с.
  30. Ильинская Н.Д.: д.с.п. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. Л., 1986 г.
  31. Faust, J.W., and A. Sagar, Effect of Polarity of the III-V Intermetallic Compounds on Etching // J. Appl. Phys., 31(2), 331−33 (1960)
  32. В.А., Гаршенин B.B, Курносов А. И. Производство полупроводниковых приборов М.: Высшая школа, 1973 г.-264 с.
  33. Сульфидная пассивация подложек InAs (lOO) в растворах Na2S / Львова Т. С., Седова И. В., Дунаевский М. С. И др. // ФТП, 2009, т.51, вып. 6, стр. 1055−1061
  34. Г. Г., Панков Э. Д., Андреев А. Л., Полыциков Г. В. Источники и приемники излучения Спб: Политехника, 1991 г.-239 с
  35. М., Мусаев Э. С. Светоизлучающие диоды и их применение -М.: Радио и связь, 1988 г.-78с.
  36. Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды М.: Энергоатомиздат, 1983 г.-208с.
  37. А., Дин П. Светодиоды М.: Мир, 1979 г.-687с
  38. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия. Обзор / Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., Карандашев С. А., и др. // ФТП 42 (6), 641 (2008), с.610−657
  39. Tetsuya Arizumi and Isamu Akasaki / Etch Patterns and Dislocation Etch Pits on Germanium with KI-I2 Redox System // Jpn. J. Appl. Phys., 1 (1962), p. 350−357
  40. Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6−2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга / Стоянов Н. Д., Журтанов Б. Е., Астахова А. П. и др. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 8. С. 996.
  41. Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb с составом вблизи границы области несмешиваемости/ Андреев И. А., Куницына Е. В., Михайлова М. П., Яковлев Ю. П // ФТП, 1999, т. ЗЗ, вып.2, с.249−253
  42. Don W. Shaw / Enhanced GaAs etch near near the edges of a protective mask // Journal of the electrochemical society, 1986, September, 958−959
  43. Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambdacut off=4.5 мкм) / Закгейм А. Л., Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., и др. // 2009, ФТП, т.43, 3, с. 412−417.
  44. Sherstnev Y.V., Monakhov A.M., Grebenshikova E.A., Baranov A.N., Yakovlev Yu.P. Semiconductor source of infrared radiation (варианты). Pat. МПК2011: H01S 5/34 H01L33/00. (Заявка на изобретение № 2 011 124 703, приор, от 16.06.2011, входящий № 36 481).
  45. Физические принципы работы полупроводниковых дисковых лазеров / Н. С. Аверкиев, В. В. Шерстнев, A.M. Монахов, и др. // Физика низких температур, 2007, т. ЗЗ, № 2/3, с.378−387
  46. Quantum Cascade Laser / J. Faist, F. Capasso, Deborah L. Sivco et al // Science, 1994, v. 264, n. 5158, p. 553−556.
  47. J.B.Rodriguez, L. Cerutti and E. Tournie / GaSb-based, 2.2 pm type-I laser fabricated on GaAs substrate operating continuous wave at room temperature // App. Phys.Lett. 94, 23 506 (2009)
  48. О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур / Слипченко С. О., Бондарев А. Д., Винокуров Д. А., и др. // ФТП, 2009, том43, вып.1
  49. Изучение пространственных мод полудисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb / А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. А. Гребенщикова, и др.// ФТП, 2011, т.45, вып. З, с.365−371
  50. A.N. Baranov, R. Teissier, D. Barate, A. Vicet, C. Alibert, C. Renard, X. Marcadet, M. Garcia, C. Sirtori. Abstracts Book MIOMD-IV. Sixth Int. Conf. Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (St. Petersburg, Russia, 2004)
  51. Semiconductor WGM lasers for mid-IR spectral range. / Sherstnev V.V., Monakhov A., Astakhova A.P., et al //Semiconductors (USA), 39(9), pp.1087−1092, (2005), (transl.of: Sov.Phys. Semicond (USSR), 39(9), ppl 122−1128, (2005))
  52. Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона / В. В. Шерстнев В.В., Монахов А. М, Астахова А. П., и др. // ФТП, 2005, т. 39, вып. 9, с.1122−1128
  53. Room-temperature lasing action in In0.51Ga0.49P/In0.2Ga0.8As microcylinder laser diodes / Levi A.F.J., Slusher R.E., McCall, et al. // Apll. Phys. Lett, 1993, 62(17), p. 2021−2023
  54. Demonstration of an erbium-doped microdisk laser on a silicon chip / Kippenberg T. J, Kalkman J, Polman A, Vahala K. J. // Physical review a 74, 2006, 51 802®
  55. Deformed Microcavity quantum cascade lasers with directional emission / Qi Jie Wang, Changling Yan, Laurent Diehl, et al. // New J. Phys. 11, 2009, 125 018
  56. Far-field observation of the radial profile of visible whispering-gallery modes in a single microdisk based on Si-nanocrystal/Si02 superlattices / Se-Young Seo, Rong-Jun Zhang, Wolfgang Loffler, et al. // Journal of applied physics 106, 2009, 123 102
  57. Whispering-gallery mode microdisk lasers / McCall S. L., Levi A. F. J., Slusher R. E., Pearton S. J., et al. // Appl. Phys. Lett. 60 (3), 20 January 1992
  58. Near-IR subwavelength microdisk lasers / Song Q., Cao H., Ho S. T., Solomon G. S. // Applied physics letters 94, 2009, 61 109
  59. InAs quantum wires in InP-based microdisks: Mode identification and continuous wave room temperature laser operation / Seassal C., Letartre X., Brault J., Gendry M., et al. // J. Appl. Phys., Vol. 88, No. 11, 1 December 2000
  60. Whispering gallery mode lasing in high quality GaAs/AlAs pillar microcavities / P. Jaffrennou, J. Claudon, M. Bazin, N. S. Malik, et al. // Applied physics letters 96, 2010, 71 103
  61. High-speed, low-voltage modulation in circular WGM Microresonators / Thiruvikraman Sadagopan, Seung June Choi, Sang Jun Choi, and P. Daniel Dapkus // 0−7803−8306−0/04, 2004 IEEE
  62. GaN microdisk light emitting diodes / S. X. Jin, J. Li, J. Z. Li, // Appl. Phys. Lett., Vol. 76, No. 5, 31 January 2000
  63. Protein detection by optical shift of a resonant microcavity / Vollmer F., Braun D., Libchaber et al // Appl. Phys. Lett., 2002, v.80, n. 21, p. 4057−4059
  64. A. F. G. Monte, D. Rabelo, P. C. Morais / Optical properties of CdS nanoparticles embedded in polymeric microspheres // Journal of Alloys and Compounds 495 (2010) 436−438
  65. Whispering gallery-mode lasing in ZnO microrods at room temperature / J. Dai, C.X. XU, K. Zheng, // Applied physics letters 95, 2009, 241 110
  66. Whispering-gallery mode resonators for highly uniderectional laser action /. Qi Jie Wang, Changling Yan, Nanfang Yu et al. // PNAS, december 28, 2010, vol. 107, no.52, 22 407−22 412
  67. Marian O. Scully / Collimated unindirectional laser beams from notched elliptical resonators // PNAS, december 28, 2010, vol. 107, no.52, 22 367−22 368
  68. A. Tulek and Z.V. Vardeny / Unindirectional laser emission from-conjugated polimer microcavities with broken symmertry // Appl. Phys. Lett., 90, 16 1106(2007)
  69. High-power directional emission from microlasers with chaotic resonantors / Gmachl C., Capasso F., Narimanov E.E., et al. // Published in Science 280, 1556 (1998)
  70. Tunability of notch angles in quantum cascade microlasers with highly deformed spiral resonators / Dongxia Qu, Richard Cendejas, Zhijun Liu, et al. // Applied physics letters, 93, 2008, 261 116
  71. Lasing modes in a spiral-shaped dielectric microcavity / Tea-Yoon Kwon, Soo-Young Lee, Michael S. Kurdoglyan et al. // Optics letters, Vol. 31, No. 9, May 1, 2006
  72. Deciphering output coupling mechanisms in spiral microcavities with femtosecong light bullets / F. Courvoisier, V. Boutou, J. P. Wolf, et al. // Optics letters, Vol. 30, No. 7, April 1, 2005
  73. Continuous wavw operation of a spiral-shaped microcavity laser / Chil-Min Kim, Jinhang Cho, Jinhyung Lee, et al. // Applied physics letters 92, 2008, 131 110
  74. T. Ben-Messaoud, J. Zyss / Unidirectional laser emission from polymer-based spiral microdisks // Applied physics letters 86, 2005, 241 110
  75. Unidirectional lasing from InGaN multiple-quantum-well spiral-shaped micropillars / G. D. Chern, H. E. Tureci, A. Douglas Stone et al. // Applied physics letters, volume 83, number 9, sptember 1, 2003
  76. Current-injection spiral-shaped microcavity disk laser diodes with unidirectional emission / G. M. Knessi, M. Teepe, N. Miyashita, et al. // Applied physics letters, volume 84, number 14, april 5, 2004
  77. Single-mode laser action in quantum cascade lasers with spiral-shaped chaotic resonators / Ross Audet, Mikhail A. Belkin, Jonathan A. Fan, et al. // Applied physics letters 91, 2007, 131 106
  78. Fabrication of an InGaAs single quantum well circular ring laser by direct laser patterning / M. C. Shih, M. H. Hu, M. B. Freiler, et al. // Appl. Phys. Lett. 66 (20), 15 May 1995, 2608−2610
  79. Experimental observation of whispering gallery modes in sector disk lasers / Monakhov A.M., Sherstnev V.V., Astakhova A.P. et al // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 51 102.
  80. Частотно-перестаиваемый полупроводниковый WGM-лазер (lambda= 2.35 мкм), работающий при комнатной температуре / Именков А. Н., Шерстнев В. В., Сиповская М. А., и др. // Письма в ЖТФ, 2009, т.35, в. 18,. 50−57.
  81. Визуальное наблюдение частотной перестройки диодного лазера на основе мод шепчущей галереи при комнатной температуре / Именков А. Н., Шерстнев В. В., Сиповская М. А., и др. // Письма в ЖТФ, 2009, т. 35, в. 24, с. 52−58.
  82. Интерференция лучей перестраиваемого полупроводникового WGM лазера / Именков А. Н., Шерстнев В. В., Дершевич А. И. и др. // Письма в ЖТФ, 2009, т. 35, в. 24, с. 12−19.
  83. Интерференция излучения дисковыхлазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb / А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, A.M. Монахов, и др. // Письма в ЖТФ, 2010, том 36, вып. 13
  84. Дисковые WGM-лазеры (lambda=2.4 мкм) с выпуклым резонатором, работающие при комнатной температуре / Гребенщикова Е. А., Ильинская Н. Д., Шерстнев В. В. и др. // Письма в ЖТФ, 2008, т. 34, в. 21, с. 27−32.
  85. Я.В., Монахов A.M., Рожанский И. В. / Моды шепчущей галереи конического резонатора // ЖТФ, 2009, в. 11, с. 72−76.
  86. High temperature GalnSbAs/GaAlSbAs quantum well singlemode continuous wave lasers emitting near 2.3 mkm / Yarekha D.A., Glastre G., Perona A., et al. // Electron. Lett., 2000, v. 36, n 6, p. 537−539.
  87. D.A. Cohen, M. Hossein-Zadeh, A.F.J. Levi /High-Q microphotonic electro-optic modulator// Sol. St. Electron, 2001, v. 45, p. 1577−1589
  88. Mid-infrared ring laser. / Sherstnev V.V., Krier A., Monakhov A.M. and Hill G. // Electronics Letters, (USA), 39(12), pp.916−917, (2003)
  89. Anomalous polarization characteristics of 1.3-pm InGaAsP buried heterostructure lasers / Craft D.C., DuttaN.K., Wagner W.R. // Appl. Phys. Lett. 1984, v. 44. p. 823.
  90. Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе / Аверкиев Н. С., Баранов А. Н., Именков А. Н., и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 6. С. 332−337.
  91. Поляризационная пьезоспектроскопия фотолюминесценции квантовой ямы GaAs/Alo.35Ga0.65As:Be / Аверкиев Н. С., Иванов Ю. Л., Красивичев А. А. и др. / ФТП, 2008, т. 42, в. 3, с. 322−326.
  92. Полупроводниковый WGM-лазер с кольцевым резонатором, работающий при комнатной температуре / В. В. Шерстнев, Е. А. Гребенщикова, A.M. Монахов, // Письма в ЖТФ, 2009, том 35, вып. 16
  93. Дисковые WGM-лазеры (к=2Л мкм) с выпуклым резонатором, работающие при комнатной температуре / Гребенщикова Е. А., Ильинская Н. Д., Шерстнев В. В., и др. // Письма в ЖТФ, 2008, т. 34, в.21, с.27−32
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!