Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах

Диссертация: Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В этой связи исследования, проводимые в данной работе, посвящены решению актуальных проблем микрои наноэлектроники, а именно разработке физической модели формирования ОПЗ в тонкопленочных структурах для изучения влияния ПЛС аморфного гидрогенизированного кремния на токопроводящие свойства ОПЗ. Объектом исследования являются тонкопленочные МДП-структуры и транзисторные структуры на основе… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Электрофизические свойства тонкопленочных структур на основе неупорядоченных полупроводников
    • 1. 1. Структура спектра энергетических состояний в неупорядоченных полупроводниках
    • 1. 2. Механизмы переноса носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
    • 1. 3. Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на электрические свойства МДП-структуры
    • 1. 4. Анализ моделей для расчета тонкопленочных транзисторных структур на основе неупорядоченных полупроводников
  • Выводы по главе
  • Глава 2. Влияние локализованных состояний на формирование области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника в МДП-структуре
    • 2. 1. Модель МДП-структуры, исходные и граничные условия расчета
    • 2. 2. Решение одномерного уравнения Пуассона с учетом распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника
      • 2. 2. 1. Плотность объемного заряда в области пространственного заряда МДП-структуры
      • 2. 2. 2. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в области пространственного заряда
      • 2. 2. 3. Ширина области пространственного заряда в неупорядоченном полупроводнике
      • 2. 2. 4. Длина экранирования электрического поля в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника
    • 2. 3. Влияние локализованных состояний на формирование и электрофизические параметры области пространственного заряда
  • МДП-структуры на основе a-Si:H
  • Выводы по главе
  • Глава 3. Методика определения плотности электрически активных локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников
    • 3. 1. Анализ методов исследования ПЛС неупорядоченного полупроводника
    • 3. 2. Физические основы методики определения ПЛС неупорядоченного полупроводника
    • 3. 3. Способ определения потенциала и напряженности электрического поля в области пространственного заряда МДП-структуры
    • 3. 4. Методика расчета плотности электрически активных локализованных состояний в неупорядоченных полупроводниках
    • 3. 5. Экспериментальные результаты определения плотности электрически активных локализованных состояний в a-Si:H средствами ACM
  • Выводы по главе
  • Глава 4. Расчет транзисторной тонкопленочной МДП-структуры с учетом влияния на электропроводность канала плотности локализованных состояний неупорядоченного полупроводника
    • 4. 1. Исходные и граничные условия расчета транзисторной тонкопленочной МДП-структуры
    • 4. 2. Расчет электрических характеристик транзисторной тонкопленочной МДП-структуры
      • 4. 2. 1. Определение зависимости поверхностного потенциала в области пространственного заряда от приложенного 98 напряжения к транзисторной МДП-структуре
      • 4. 2. 2. Электрическая проводимость канала транзисторной МДП-структуры в режиме обогащения с учетом влияния 103 локализованных состояний щели подвижности неупорядоченного полупроводника
      • 4. 2. 3. Вывод аналитического выражения вольтамперной характеристики транзисторной МДП-структуры на основе неупорядоченного полупроводника
    • 4. 3. Оценка влияния локализованных состояний a-Si:H на параметры тонкопленочного полевого транзистора
      • 4. 3. 1. Режимы работы и параметры a-Si:H тонкопленочного полевого транзистора
      • 4. 3. 2. Оценка влияния локализованных состояний a-Si:H на статические параметры ТПТ в усилительном режиме работы
      • 4. 3. 3. Оценка влияния локализованных состояний a-Si:H на динамические параметры ТПТ в ключевом режиме работы
    • 4. 4. Алгоритм управления электрическими характеристиками тонкопленочных структур и параметрами неупорядоченного полупроводника в технологическом процессе
  • Выводы по главе

Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последние годы некристаллические полупроводники, благодаря своим уникальным свойствам, привлекают все больший интерес исследователей, технологов и разработчиков современных устройств микрои наноэлектроники. Резко возрастает объем производства устройств, в которых используется элементная база на основе одного из перспективных материалов данного класса — аморфного гидрогенизирован-ного кремния (a-Si:H).

В настоящее время на основе a-Si:H создаются солнечные батареи с КПД до 16%, транзисторные матрицы управления плоскими жидкокристаллическими экранами (ЖКЭ), устройства копировальной техники, оперативной и долговременной памяти и др. Большие перспективы промышленного применения аморфного гидрогенизированного кремния (в частности, современные ЖКЭ выпускаются на базе матриц a-Si:H тонкопленочных полевых транзисторов — ТПТ) обусловлены следующими его достоинствами перед кристаллическим аналогом: технологическая доступность и дешевизна, высокая фоточувствительность, возможность получения однородных по свойствам пленок на больших площадях и на подложках из различного материала (диэлектрических, металлических, полупроводниковых), совместимость с технологическими процессами изготовления интегральных схем, радиационная стойкость [1,2].

В то же время до сих пор остаются нерешенными проблемы надежности, стабильности и долговечности приборов на их основе. Кроме того, существуют проблемы проектирования приборных структур на основе a-Si:H с заданными характеристиками [3,4].

Эти проблемы обусловлены отсутствием исчерпывающей теории физических процессов в неупорядоченных полупроводниках, в частности, процессов формирования областей пространственного заряда (ОПЗ) и токопереноса в МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) и транзисторных структурах. Для расчетов электрических и геометрических параметров приборов на основе неупорядоченных полупроводников в настоящее время используются модели и подходы, справедливые лишь для их кристаллических аналогов. При этом в расчетах приборных структур на неупорядоченных полупроводниках используются эмпирические зависимости, поправочные коэффициенты, приближающие результаты моделирования к экспериментальным данным. Однако такие меры не позволяют проследить связь электрических и физических параметров тонкопленочных МДП и транзисторных структур с важнейшей характеристикой, определяющей физику аморфного полупроводника, — распределением плотности локализованных состояний (ПЛС) в щели подвижности [5]. Поэтому необходимо развитие представлений о природе локализованных состояний в неупорядоченном полупроводнике, их влиянии на электрофизические характеристики структур на основе a-Si:H. Анализ формирования областей пространственного заряда в аморфном полупроводнике и принципов работы МДП-структур на его основе необходим для оптимизации конструкции приборов, в частности, характеристик a-Si:H ТПТ и подбора технологических режимов его получения.

Эффективным средством решения проблем проектирования и конструирования устройств на основе аморфного гидрогенизированного кремния является создание физико-математического аппарата для расчета электрических характеристик тонкопленочных транзисторных структур, учитывающего наличие энергетического распределения ПЛС в щели подвижности неупорядоченного полупроводника. Он должен включать в себя, во-первых, физическую модель формирования ОПЗ в структурах типа МДП или барьерах Шотки, во-вторых, эмпирические зависимости влияния технологических режимов на параметры аморфного материала.

Использование расчетных аналитических зависимостей позволит разработчикам точнее определять оптимальные параметры рабочих режимов функционирования устройств на основе a-Si:H и проводить предварительные оценки влияния на них локализованных состояний аморфного полупроводника.

В этой связи исследования, проводимые в данной работе, посвящены решению актуальных проблем микрои наноэлектроники, а именно разработке физической модели формирования ОПЗ в тонкопленочных структурах для изучения влияния ПЛС аморфного гидрогенизированного кремния на токопроводящие свойства ОПЗ. Объектом исследования являются тонкопленочные МДП-структуры и транзисторные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Для выбранной тонкопленочной a-Si:H транзисторной структуры рассчитываются вольтамперные характеристики, и исследуется влияние ПЛС на ее параметры.

Актуальность работы также связана с разработкой на основе предложенных теоретических соотношений новой методики исследования электрически активных локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника. Необходимо отметить, что с развитием атомно-силовой микроскопии (АСМ) появляются уникальные возможности для исследования не только морфологических, но и электрофизических свойств приборных структур микрои наноэлектроники [6]. Поэтому в разрабатываемой методике для получения информации о количестве и энергетическом распределении локализованных состояний в щели подвижности аморфного полупроводника входными данными являются результаты прямых измерений поверхностных потенциалов с применением новейшего научного оборудования АСМ.

Таким образом, проведенные исследования, позволят в дальнейшем адекватно моделировать функционирование области пространственного заряда в приборных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния, а также расширить возможности зондовой микроскопии, в частности, предложить новые методы экспресс-контроля тонкопленочных структур в процессе их формирования. Развитие представлений о влиянии локализованных состояний аморфного полупроводника на свойства ОПЗ дает новые возможности для получения структур микрои наноэлектроники с заданными электрофизическими характеристиками.

Цель работы.

Развитие физических моделей формирования области пространственного заряда и переноса носителей в тонкопленочных a-Si:H структурах микрои наноэлектроники с учетом распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника.

Поставленная цель вызвала необходимость решения следующих задач: 1. Анализ существующих представлений об энергетическом спектре локализованных состояний, их влиянии на механизмы переноса заряда и электрофизические характеристики неупорядоченных полупроводников.

2. Исследование влияния локализованных состояний щели подвижности a-Si:H на распределение заряда, электрического потенциала и поля в области пространственного заряда тонкопленочной структуры.

3. Разработка методики определения плотности локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника на основании результатов измерения электрофизических характеристик тонкопленочных структур методами атомно-силовой микроскопии.

4. Исследование преобладающих механизмов переноса носителей заряда и влияния электрически активных локализованных состояний в щели подвижности на токопроводящие свойства канала транзисторной МДП-структуры на основе a-Si:H.

5. Получение аналитического выражения, описывающего вольтамперные характеристики (ВАХ) тонкопленочной полевой транзисторной структуры с учетом влияния плотности электрически активных локализованных состояний в неупорядоченном полупроводнике.

Научная новизна.

1. Получены новые аналитические выражения для расчета электрического тока, распределения поля и потенциала в области пространственного заряда аморфного гидрогенизированного кремния, отличающиеся от известных учетом параметров энергетического распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника и позволяющие определить степень влияния этих состояний на электрические свойства МДП тонкопленочных структур.

2. Предложен новый способ определения электрических характеристик области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника, основанный на измерениях электрического потенциала на краевом склоне тонкой пленки зондовыми методами с высоким пространственным разрешением.

3.Разработана методика определения энергетического распределения плотности электрически активных локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника, которая отличается от существующих способом определения длины экранирования внешнего электрического поля с учетом заряда ионизированных локализованных состояний.

Практическая значимость работы.

1. Получены аналитические выражения для расчета распределения поля, потенциала и тока в области пространственного заряда аморфного кремния МДП-структуры, которые могут быть использованы для создания моделей тонкопленочных приборов на неупорядоченных полупроводниках (ТПТ, p-i-n-диодов, солнечных элементов и др.) и применения их в программах схемотехнического моделирования, таких как p-Spice, MicroCAP и др.

2. Разработана методика определения плотности электрически активных локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника с применением атомно-силовой микроскопии, позволяющая проводить экспресс-контроль электрофизических параметров приборных структур микрои наноэлектроники и расширить технических возможностей зондовой микроскопии (результаты работы используются в ЗАО «НТ-МДТ», г. Зеленоград).

3. Разработан алгоритм управления электрическими параметрами тонкопленочных структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния, который используется в технологическом процессе получения МДП-структур на предприятии ИМИ РАН, г. Ярославль.

На защиту выносятся следующие положения и результаты:

1. Учет распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника в математических выражениях для расчета потенциала, напряженности электрического поля и ширины области пространственного заряда позволяет установить взаимосвязь между электрофизическими характеристиками материала и электрическими параметрами транзисторных и «металл-диэлекгрик-полупроводник» структур.

2. Регистрация поверхностных потенциалов на краевом склоне полупроводниковой пленки методами зондовой микроскопии позволяет определить пространственное распределение электрического потенциала, напряженности электрического поля и заряда в тонкопленочных структурах на неупорядоченных полупроводниках.

3. Полученное аналитическое выражение для расчета вольтамперной характеристики обращенной тонкопленочной транзисторной структуры позволяет рассчитывать электрические параметры устройства с учетом механизмов переноса носителей заряда и распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника, что дает возможность проектировать тонкопленочные структуры на основе неупорядоченных полупроводников с заданными электрическими параметрами.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на IV и V Международных научно-технических конференциях «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (г. Санкт-Петербург, 2004, 2006) — 2″ Международной конференции «Физика электронных материалов» (г. Калуга, 2005) — XI всероссийской научной конференции студентов — физиков и молодых ученых (г. Екатеринбург, 2005) — X, XI, XII Международных научно-технических конференциях аспирантов и молодых ученых «Ломоносов 2003, 2004, 2005» (г. Москва, 2003, 2004, 2005) — XXXVII — XXXIX научно-технических конференциях РГРТУ (г. Рязань, 2003,2004,2005).

Публикации.

Основные научные результаты диссертации опубликованы в 28 работах, включая 4 статьи в журналах из списка ВАК, 15 статей в других изданиях, в том числе в сборниках научных трудов РГРТУ, 5 тезисов докладов на российских и международных конференциях, 1 учебно-методическое издание и 3 отчетов по НИР.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов и выводов по работе, содержит 145 страницы машинописного текста, включая 6 таблиц, 93 рисунка, 138 формул, 4 приложений и список литературы из 125 наименований.

Основные результаты и выводы.

1. Показана необходимость разработки новой модели формирования ОПЗ в a-Si:H, учитывающей влияние локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника на электрофизические свойства МДП и транзисторных тонкопленочных приборов.

2. Получены новые аналитические выражения для распределения напряженности электрического поля, потенциала и тока в ОПЗ неупорядоченного полупроводника на основании решения уравнения Пуассона, содержащие параметры распределения ПЛС в щели подвижности полупроводника, позволяющие рассчитать параметры активных слоев МДП и транзисторных структур при проектировании приборов на его основе.

3. С помощью расчетных формул распределения электрического поля и потенциала подтверждено предположение о «переменной характеристической длине экранирования» внешнего поля зарядом ОПЗ в неупорядоченных полупроводниках. На основании экспериментальных данных впервые получены зависимости характеристической длины экранирования от координаты и потенциала в ОПЗ a-Si:H.

4. Предложен новый способ определения распределения потенциала в ОПЗ полупроводника по результатам измерения электрического потенциала на поверхности краевого склона тонкой пленки.

5. Разработана новая методика определения плотности электрически активных локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника по результатам прямого измерения поверхностного потенциала на краевом склоне полупроводниковой пленки зондовыми методами. Методика расширяет возможности атомно-силовой микроскопии и может быть использована как средство слежения за электрофизическими параметрами тонких пленок в процессе формирования приборных структур.

6. Предложен алгоритм управления электрическими параметрами тонкопленочных структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с заданными электрофизическими характеристиками в технологическом процессе получения.

7. Установлено, что локализованные состояния щели подвижности неупорядоченного 'полупроводника играют существенную роль в процессах токопереноса, протекающих при малых напряжениях, приложенных к МДП транзисторной структуре. В связи с этим решена проблема учета влияния локализованных состояний на функционирование ТПТ. Полученные в данной работе выражения для проводимости канала транзисторной МДП-структуры могут быть использованы при проектировании ТПТ на основе неупорядоченных полупроводников.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. Мировой рынок средств отображения информации. В цифрах и таблицах / Электроника: НТБ, 2005. Вып. 8. С. 16−19.
  2. Nathan A., Sakariya К., Sazonov A. Amorphous Silicon TFT Circuit Integration for Oled Displays on Glass and Plastic // Electrical and Computer Engineering, IEEE 2003 Custom Integrated Circuits Conference. 2003. Pp. 215−222.
  3. Аморфный кремний и родственные материалы: Пер. с англ. / Под ред. X. Фрицше. М.: Мир, 1991. 544 с.
  4. А.В. Жидкокристаллические дисплеи. Схемотехника, конструкция и применение. М.: СОЛОН-Р, 2002.304 с.
  5. .Г. Особенности структуры и физические свойства неупорядоченных полупроводников: Учебное пособие. М.: МГИЭТ (ТУ), 1994.96 с.
  6. В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии: Учебное пособие. Нижний Новгород: Российская академия наук, Институт физики микроструктур, 2004.114 с.
  7. Физика тонких пленок / Под. ред. Г. Хасса, М. Франкомба, Р. Гофмана. Том VIII. М.: Мир, 1978. 360 с.
  8. Неупорядоченные полупроводники: Учебное пособие / АА Айвазов, Б. Г. Будагян, С. П. Вихров, А.И. Попов- Под ред А. А. Айвазова. М.: Издательство МЭИ, 1995. 352 с.
  9. А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1991.670 с.
  10. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2 т. Т.1. М.: Мир, 1982.368 с.
  11. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2 т. Т.2. М.: Мир, 1982.658 с.
  12. Электропроводность полупроводников: Учебное пособие / Э. Н. Воронков, Е. В. Зенова, О. Б. Сарач. М.: Издательство МЭИ, 2005.68 с.
  13. А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1963.
  14. Н. Электроны в неупорядоченных структурах. М.: Мир, 1969.
  15. Шур М. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. Кн. 1. М.: Мир, 1992.480 с.
  16. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под ред. Й. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. 376 с.
  17. Е.В., Сухоруков О. Г. Определение плотности локализованных состояний в a-Si:H из измерений токов, ограниченных пространственным зарядом // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 22. Вып. 4. С. 735−737.
  18. В.А. Расчет функции плотности электронных состояний в аморфном кремнии // Solid State Electronics and Technologies. 1996 Vol.1. Pp. 50−53.
  19. Kocka J. The Density of States in Undeped and Doped Amorphous Hydrogenated Silicon//Journal of Non-Crystalline Solids. 1987. Vol. 90. Pp. 91−98.
  20. Adriaenssens G., Eliat A. Density of Localized States in The Gap of Non-Crystalline Semiconductors // Physics and Applications on Non-Crystalline Semiconductors in Optoelectronics. 1997. Pp. 77−91.
  21. П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая шк., 2000.494 с.
  22. Spear W., Le Comber P. Investigation of The Localised State Distribution in Amorphous Si Films // J. Non-Cryst. Sol. 1972. Vol. 8. Pp. 727−738.
  23. Malik S., O’Leary S. Empirical Model for The Distribution of Electronic States Associated with Hydrogenated Amorphous Silicon // IEEE Proceedings of the 2002 Canadian Conference on Electrical & Computer Engineering. Pp. 383−388.
  24. О.И., Андреев A.A., Теруков Е. И. Определение плотности состояний в запрещенной зоне аморфного гидрированного кремния // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 9. С. 529−532.
  25. И.Г., Авачев А. П., Вишняков Н. В. Заряженные дефектные состояния в неупорядоченных полупроводниках / Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства: Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2002. С. 31−35.
  26. Барьеры Шоттки на кристаллических и аморфных полупроводниках: Учебное пособие / С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, Д. Н. Гусев. Рязань: РГРТА, 1995. 80 с.
  27. В.В., Стриха В. И. ВАХ контакта металл аморфный кремний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18. Вып.5. С. 873−876.
  28. Е.В. Статические характеристики тонкопленочных полевых транзисторов на основе a-Si:H // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 7. С. 1256−1263.
  29. Tsai Y., Hong К., Yuan Y. An Efficient Analytical Model for Calculating Trapped Charge in Amorphous Silicon // IEEE Transactions on Computer-Aided Design Of Integrated Circuits and Systems, Vol. 13. NO. 6. 1994. Pp. 725−728.
  30. Malik S., O’Leary S. Empirical model for the distribution of electronic states associated with hydrogenated amorphous silicon // Proceeding of the 2002 IEEE Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. September, 2002. Pp.383−388.
  31. C.B., Теруков Е. И. Влияние хвостов зон a-Si:H на заполнение состояний оборванных связей и величину фотопроводимости // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 6. С. 684−686.
  32. Hack М., Shur М., Shaw J. Physical models for amorphous silicon thin-film transistors and their implementation in a circuit simulation program // IEEE Transaction on Electron Devices. 1999. Vol. 36. No. 12. Pp. 2764−2768.
  33. B.B., Стриха В. И. ВАХ контакта металл аморфный кремний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18. Вып.5. С. 873−876.
  34. Yeh J., Lee S.-Ch. High field effect mobility deuterated amorphous silicon thin-film transistors based on the substitution of hydrogen with deuterium // IEEE Electron Device Letters. 1999. Vol. 20. No. 8. Pp. 415−417.
  35. Физика гидрогенизированного аморфного кремния: В 2-х вып. Вып. 1: Структура, приготовление и приборы: Пер с англ. / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. М.: Мир, 1987.307 е.- Вып. 2: Электронные колебательные свойства. М.: Мир, 1988.409 с.
  36. Tokuda J., Hayashi М., Usami A. Evaluation of Interface States in MOS Structures by DLTS with A Bipolar Rectangular Weighting Function // J. Phys.O.: Appl. Phys. 1981. Vol.14. Pp. 895−898.
  37. Lemmi F. Street R. The Leakage Currents of Amorphous Silicon Thin-Film Transistors: Channel Charge Emission // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 47. N. 12,2000. Pp. 2399−2403.
  38. Атаманчук-Л.М., Борисов Б. С., Васенков А. А., Лещенко П. Т., Петров А. А. Матрица тонкопленочных полевых транзисторов на аморфном кремнии для управления ЖКИ // Электронная промышленность. 1987. Вып. 8. С. 35−37.
  39. А.Г., Высоцкий В. А., Грабко B.C., Осика В. А., Усенок А. Б. Высокоинформативные ЖК экраны с активной матричной адресацией // ЗЭТ. 1989. Вып. 4. С. 3−42.
  40. Л.М., Борисов Б. С., Васенков А. А., Лещенко П. Т., Петров А. А. Жидкокристаллический индикатор, адресуемый матрицей тонкопленочных полевых транзисторов на аморфном кремнии // Электронная промышленность. 1987. Вып. 8. С. 37−38.
  41. Wu B.-S., Hao Ch.-W., Wu T.-K. Process-controlled staggered ambipolar amorphous-silicon thin-film transistor // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. Vol. 36. No. 12. Pp. 2903−2907.
  42. Ibaraki N., Fukuda K. The Effect of Interface States on Amorphous-Silicon Transistors // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 36. NO. 12, 1989. Pp. 2971−2972.45 http://www.aimspice.com
  43. P., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989.630 с.
  44. Shur М., Jacunski М., Slade Н., Hack М. Analytical models for amorphous and polysilicon thin film transistors for high definition display technology // J. of the Society for Information Display. 1995. Vol. 3. No. 4. P. 223.
  45. А., Мейтин M., Стряхилев Д., Натан А. Низкотемпературные материалы и тонкопленочные транзисторы для электроники на гибких подложках / Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 986−994.49 http://www.ece.unwaterloo.ca
  46. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 1. Пер. с англ. М.: Мир, 1984.456 с.
  47. Wyrsch N., Beck N., Meier J., Torres P., Shah A. Electric field profile in |xc-Si:H p-i-n devices // Universite of Neuchatel. Switzerland. MRS Spring meeting -1998.
  48. Мишустин • В. Г. Дебаевская длина экранирования в аморфном гидрогенизированном кремнии // Сб. тез. докл. 1-ой Рос. конф. молодых ученых по физическому материаловедению. Калуга: «Манускрипт», 2001. С. 126−127.
  49. Г. Б., Монтримас Э. А. Измерение распределения электрического поля в тонких структурах a-Si:H // Литовск. физ. сб. 1992. Т.32. С. 612−617.
  50. Wyrsch N., Fischer D., Shah A. Determination of Internal electrical field profile in a-Si:H solar cells // Institut de Microtechnique. Universite de Neuchatel. Switzerland. Breguet. 2000.
  51. Street R.A. Measurements of depletion layers in hydrogenated amorphous silicon // The American Physical Society. 1983. Vol. 27. No. 8. Pp. 4924−4932.
  52. Н.В., Вихров С. П., Мишустин В. Г., Авачёв А. П., Уточкин И. Г., Попов А. А. Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 10. С. 1189−1194.
  53. В.И., Ильченко В. В. Прыжковый механизм переноса тока на контакте металл-а-8Ш // ДАН УССР. Сер. А. Физ.-мат. и техн. науки. 1986. № 10. С. 51−54.
  54. О природе темновых токов в структурах с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии / А. А. Андреев, О. А. Голикова и др. // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 2. С. 373−376.
  55. В.И. Контактные явления в полупроводниках. Киев: Выща школа, 1982.224 с.
  56. .В. Микроструктуры интегральной электроники. М.: Радио и связь, 1990.304 с.
  57. В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Наукова думка, 1974.263 с.
  58. К.А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Сов. радио, 1981.304 с.
  59. Э.Х. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ. / Под ред. Г. В. Степанова. М.: Радио и связь, 1982.208 с.
  60. Mariucci L., Coluzza С., Frova A. Effects of tunneling on a-Si:H schottky barriers //J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62.No. 8. Pp. 3285−3287.
  61. В.И., Ильченко B.B. Учет туннелирования через область пространственного заряда в контакте металл-аморфный кремний // Изв. вузов СССР. Сер. Физика. 1986. № Ц. С. 3−7.
  62. Shousha A. The potential barrier height of amorphous MIS-tunnel diodes // Sol. Stat. Commun. 1987. Vol. 64. No. 5. Pp. 831−835.
  63. Snell A., Mackenzie К., Le Comber P., Spear W. The interpretation of capacitance and conductance measurements on metal-amorphous silicon barriers // Phyl. Mag. B. 1979. Vol. 40. No. l.P. 1−15.
  64. Powell M.J. The Physics of amorphous-silicon thin-film transistors // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. Vol. 36. No 12.
  65. Busta H., Pogemiller J., Standley R., Mackenzie K. Self-aligned bottom-gate submicrometer-channel-length a-Si:H thin-film transistors // IEEE Transaction on Electron Devices. 1989. Vol. 36. No. 12. Pp. 2883−2887.
  66. Uchida Y., Matsumura M. Short-channel a-Si thin-film MOS transistors // IEEE Transaction on Electron Devices. 1989. Vol. 36. No. 12. Pp. 2940−2942.
  67. B.C., Козлов Ю. Ф., Петров C.B. Аморфный гидрогенизированный кремний и полупроводниковые структуры на его основе для изделий электронной техники // Электронная промышленность. 1990. Вып. 10. С. 45−51.
  68. Valdinoci М., Gnudi A., Rudan М. Analysis of Amorphous-Silicon Devices // IEEENUPAD. 1994. Pp. 19−22
  69. А.П., Вишняков H.B., Уточкин И. Г., Мишустин В. Г. Тонкопленочные полевые транзисторы на неупорядоченных полупроводниках. Проблемы расчета и применения. / Вестник Рязанской государственной радиотехнической академии. 2004. Вып. 14. С. 83−87.
  70. Г. П. Физика поверхности полупроводников. Киев: Изд-во Киевского университета, 1967.
  71. И.Г. Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе a-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Рязань, 2005.
  72. Gunes М., Li Y., Dawson R., Wronski С. Investigation of Intrinsic Defect States in Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using Steady-State Photoconducnvity and Sub-Bandgap // IEEE. 1993. Pp. 885−890.
  73. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 2. Пер. с англ. М.: Мир, 1984.456с.
  74. Дьяконов В. Mathcad 2000: Учебный курс. СПб.: Питер, 2000. 592 с.
  75. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учебник для вузов. М.: Высшая школа, 1987. 239 с.
  76. Методы исследования полупроводниковых структур: Методические указания к лабораторным работам / В. Г. Литвинов, Ю. А. Туркин, С. А. Кострюков, А. П. Авачев, Н. Н. Довгопол, И. Г. Уточкин. Рязань: РГРТА, 2005.24 с.
  77. А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971.480 с. •
  78. А.Н., Назаров Ю. Ф., Ибрагимов И. М. Основы нанотехнологии в технике: Учебное пособие. М.: МГОУ, 2006.242 с.
  79. В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М., 1970.400 с.
  80. Руководство пользователя СЗМ «Solver Pro" — MDT. М- Гос. НИИ Физ. проблем, 2004.
  81. .Г., Айвазов А. А., Мейтин М. Н., Стряхилев Д. А., Радосельский А. Г., Попов А. А., Черномордик В. Д., Малыпаков В. Г., Бердников А. Е. Перспективный метод получения аморфного кремния // Известия вузов. Сер. Электроника. 1997. № 2. С. 4448.
  82. Bisson М., Kemp М., Meunier М. Fabrication and characterization of the amorphous silicon static induction transistor // IEEE Transactions on Electron Devices. 1989. Vol. 36. P. 2844.
  83. Э.Н., Казуров Б. И., Попов И. А., Черноретов Б. П. Влияние УФ-излучения на характеристики транзисторов на аморфном кремнии // Electronic Industry. 1993. Vol.3. Pp. 25−27.
  84. Frank R., Watson T. Steady State and Pulsed Bias Stress Induced Degradation in Amorphous Silicon Thin Film Transistors for Active-Matrix Liquid Crystal Displays // IEEE. 1992. Pp. 681−684.
  85. Miyashita H., Watabe Y. Dependence of thin film transistor characteristics on the deposition conditions of silicon nitride and amorphous silicon // IEEE Transactions on Electron Devieces. 1994. Vol. 41. No. 4. Pp. 499−503.
  86. А.П. Проблемы расчета тонкопленочных полевых транзисторов на неупорядоченных полупроводниках / Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства: Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2003. С. 19−24.
  87. Hack М., Shur М., Shaw J. Physical Models for Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors and Their Implementation in a Circuit Simulation Program // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 36. No. 12,1989. Pp. 2764−2768.
  88. Troutman R., Kotwal A. A Device Model for the Amorphous-Silicon Staggered-Electrode Thin-Film Transistor // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 36. No. 12. 1999. Pp. 2915−2922.
  89. Е.Н., Леженин В. П. Численно-аналитическая модель МОП-транзистора с неоднородно легированной подзатворной областью // Микроэлектроника, 1995. Т. 24. Вып.5. С. 343−348.
  90. Khakzar К., Lueder Е. Modeling of Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors for Circuit Simulations with SPICE // IEEE Transaction on Electron Devices. Vol. 39. No. 6. 1992. Pp. 1428−1434. '
  91. Choi Y.-J., Kwak W.-K., Cho K.-S., Kim S.-K., Jang J. Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistor with a Thin Gate Insulator // IEEE Electron Device Letters. 2000. Vol. 21. No. 1.
  92. Madeira P., Hornsey R. Analog Circuit Design Using Amorphous Silicon Thin Film Transistors // IEEE CCECE 1997, Pp. 633−636.
  93. В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (PSpice). М.: СК Пресс, 1996.272 с.
  94. Н.М. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1990.576 с.
  95. Shur М., Jacunski М., Slade Н., Hack М. Analytical model for amorphous-silicon and polysilicon thin film transistors for high-definition display technology // Journal of Society for Information Display. 1995. Vol. 3. No. 4. P. 223.
  96. A.C. Жидкокристаллические индикаторы. M.: Радио и связь, 1991.256 с.
  97. Tsukada Т. Advances in Amorphous Silicon Technology for LCDs, IEEE IEDM 1997. Pp. 531−534.
  98. Busta H., Pogemiller J., Standley R., Mackenzie K. Self-aligned bottom-gate submicrometer-channel-length a-Si:H thin-film transistors // IEEE Transaction on Electron Devices. 1989. Vol. 36. No. 12. Pp. 2883−2887.
  99. Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. Учеб. для вузов М.: Гардарики, 2002.638с.
  100. В.Д. Система схемотехнического моделирования МС5. М.: СК Пресс, 1997.273 с.
  101. А.П. Влияние локализованных состояний на параметры усилительного режима a-Si:H ТПТ // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства: Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТУ, 2006. С. 17−21.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!