Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Неизотермические процессы в системах на основе кремния

Диссертация: Неизотермические процессы в системах на основе кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В противоположность термодиффузии, наибольшее количество работ и патентов посвящены термомиграции в полупроводниках (перекристаллизации методом зонной плавки с градиентом температуры) и в особенности термомиграции алюминия в кремнии. Результатом термомиграции, например в последнем случае, являются перекристаллизованные области р+ — типа проводимости определенной формы в исходном кремнии п — типа… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Неизотермические процессы и термоградиентная обработка
  • ОБЗОР)
    • 1. 1. Термодиффузия в кристаллах
      • 1. 1. 1. Термодинамическое описание термодиффузии
      • 1. 1. 2. Кинетические модели термодиффузии
      • 1. 1. 3. Математическое описание термодиффузии
      • 1. 1. 4. Применение термодиффузии в микроэлектронике
    • 1. 2. Термомиграция в полупроводниках
      • 1. 2. 1. Экспериментальные исследования термомиграции
      • 1. 2. 2. Применение термомиграции в микроэлектронике
    • 1. 3. Техника термоградиентной обработки
    • 1. 4. Выводы
  • Глава 2. Исследование физических принципов термодиффузии
    • 2. 1. Термодинамическая теория термодиффузии
    • 2. 2. Атомистическое описание термо диффузии
      • 2. 2. 1. Модель изотермической теплоты переноса
      • 2. 2. 2. Модель неизотермической теплоты переноса
    • 2. 3. Выводы
  • Глава 3. Особенности экспериментальной установки для термо градиентной обработки полупроводниковых пластин
    • 3. 1. Конструкция термоградиентной установки
    • 3. 2. Контроль температурного режима
      • 3. 2. 1. Измерение температуры
      • 3. 2. 2. Определение градиента температуры
      • 3. 2. 3. Установление направления градиента температуры
    • 3. 3. Выводы
  • Глава 4. Исследование влияния градиента температуры на техно логические процессы
    • 4. 1. Окисление кремния при наличии градиента темпера туры
    • 4. '1.1. Распределение температуры в системе окисел-кремний
      • 4. 1. 2. Модель окисления кремния
      • 4. 1. 3. Экспериментальные результаты
      • 4. 1. 4. Моделирование локального окисления кремния
      • 4. 2. Термодиффузия в кремнии
      • 4. 2. 1. Общее решение уравнения термодиффузии при постоянном градиенте температуры
      • 4. 2. 2. Термодиффузия из постоянного источника в полуограниченное тело
      • 4. 2. 3. Термодиффузия из переменного источника в полуограниченное тело
      • 4. 2. 4. Термодиффузия фосфора и бора в кремнии
      • 4. 2. 5. Двумерное численное моделирование термо диффузии
      • 4. 3. Эпитаксия кремния при наличии градиента температуры
      • 4. 3. 1. Эпитаксия из газовой фазы
      • 4. 3. 2. Твердофазная эпитаксия
      • 4. 4. Выводы
  • Глава 5. Исследование влияния градиента температуры на формирование структур кремний-на-изоляторе
    • 5. 1. Термоградиентный отжиг SIM0X-структур
      • 5. 1. 1. Модель отжига
      • 5. 1. 2. Экспериментальные результаты
    • 5. 2. Перекристаллизация поликремния зонной плавкой
      • 5. 2. 1. Экспериментальные результаты
      • 5. 2. 2. Механизм образования волнового рельефа
    • 5. 3. Выводы
  • Глава 6. Исследование новых возможностей применения термомиграции в микроэлектронике
    • 6. 1. Кинетика термомиграции
    • 6. 2. Разработка сквозных канальных волноводов
      • 6. 2. 1. Особенности изготовления сквозных канальных волноводов
      • 6. 2. 2. Распространение излучения в сквозных канальных волноводах
      • 6. 2. 3. Эффективность оптической связи
    • 6. 3. Разработка оптической связи для трехмерных ИС
      • 6. 3. 1. Концепция трехмерного компьютера с оптической связью
      • 6. 3. 2. Элементы оптической связи и технология их изготовления
      • 6. 3. 3. Оптический разъем и плата согласования длин волн
    • 6. 4. Сборка и герметизация приборов с применением термомомиграции
      • 6. 4. 1. Обычные полупроводниковые приборы и ИС
      • 6. 4. 2. Вакуумные приборы и ИС
    • 6. 5. Выводы

Неизотермические процессы в системах на основе кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Среди явлений переноса, обусловленных неоднородным распределением температуры (температурным полем), наибольшее значение для систем на основе кремния приобрели термодиффузия и термомиграция.

Большинство исследований по термодиффузии, связанной с наличием в системе градиентов концентраций (или химических потенциалов) компонентов и градиента температуры, выполнено на металлах и сплавах, так как они наиболее широко применяются в промышленности [1]. В ядерных реакторах окислы металлов часто находятся в условиях градиента температуры, что породило интерес к термодиффузии в окислах С2−41. С появлением полупроводниковых приборов и интегральных схем область исследований распространилась на полупроводниковые материалы и технологические процессы [5−8].

В противоположность термодиффузии, наибольшее количество работ и патентов посвящены термомиграции в полупроводниках (перекристаллизации методом зонной плавки с градиентом температуры) и в особенности термомиграции алюминия в кремнии. Результатом термомиграции, например в последнем случае, являются перекристаллизованные области р+ - типа проводимости определенной формы в исходном кремнии п — типа проводимости. При строгом рассмотрении термомиграции, необходимо учитывать термодиффузию атомов вещества в жидкой зоне. Это обстоятельство еще больше объединяет данные процессы.

Систематическое исследование указанных неизотермических процессов в системах на основе кремния является актуальным в связи с тем, что:

— термодиффузия в полупроводниках вообще и в системах на основе кремния, в частности, мало изучена. Отсутствуют основные физические закономерности, характеристики и механизмы термодиффузионных процессов. Экспериментальные данные по таким. системам крайне ограничены;

— реальные термические процессы, используемые в микроэлектронике, связаны с нагревом и охлаждением полупроводниковых пластин, что приводит к возникновению в них градиента температуры. Кроме того, некоторые технологические операции в той или иной степени осуществляются в температурном поле, которое следует учитывать;

— необходимость изготовления традиционных кремниевых структур с высокими электрофизическими характеристиками и создания новых структур для приборов будущего, требует поиска перспективных способов их формирования. Основой таких способов могут быть неизотермические процессы.

Целью работы являлось теоретическое и экспериментальное исследование влияния градиента температуры на процессы переноса в системах на основе кремния. В связи с этим были сформулированы следующие задачи:

1. Теоретически исследовать явления переноса с учетом тепла, обусловленного термодиффузионным потоком вещества.

2. Разработать кинетические модели основных технологических процессов в температурном поле.

3. Экспериментально исследовать влияние градиента температуры на образование структур в системах на основе кремния.

4. Выявить и проанализировать новые возможности применения термомиграции в микроэлектронике.

Научная новизна работы. Впервые проведено последовательное теоретическое и экпериментальное исследование влияния температурного поля на процессы переноса, используемые в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Это позволило выявить и решить комплекс проблем, связанных с закономерностями этих процессов.

Формально введенной величине в уравнение потока тепла дана физическая интерпретация и указаны способы ее теоретического и экспериментального определения. Показано, что не только диффузионный, но и термодиффузионный поток вещества переносит тепло. Разработаны атомные механизмы переноса тепла. Установлены связи между теплотами переноса и коэффициентами теплопроводности.

Впервые предложены кинетические модели термического окисления кремния и его эпитаксии из газовой и твердой фаз в температурном поле. Получены приближенные аналитические решения уравнения Фика при наличии градиента температуры с коэффициентом диффузии, зависящим от координаты, для случаев диффузии из постоянного и переменного источников в полуограниченное тело.

Впервые получены экспериментальные зависимости толщины окисла от времени окисления, концентрации фосфора и бора в кремнии от глубины диффузии и концентрации скрытых слоев кислорода в кремнии от глубины залегания для противоположных направлений градиента температуры. Теоретически и экспериментально определены значения теплот переноса фосфора и бора в кремнии, а также кислорода в двуокиси кремния.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1) установленные теоретические закономерности могут служить основой для расчета кинетических параметров, характеризующих процессы переноса при наличии градиентов концентрации и температуры;

2) разработанные модели неизотермических процессов, могут быть использованы в микроэлектронике для описания и прогнозирования поведения систем на основе кремния в температурном поле;

3) апробированные в работе неизотермические процессы, могут найти применение в технологии изготовления структур на основе кремния, а также микроприборов и интегральных схем;

4) конструктивные принципы, отработанные в экспериментальной установке, могут быть использованы при создании промышленного оборудования для термоградиентной обработки полупроводниковых пластин.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Термодинамические соотношения для диффузии при наличии градиента температуры с новыми теплотами переноса, полученные в рамках теории Онзагера, и их физическая интерпретация.

2. Кинетическая модель термодиффузии на основе статистического подхода и полученные выражения для теплоты переноса, а также их рассчитанные значения для ряда материалов.

3. Модель термического окисления кремния в температурном поле и экспериментально полученные зависимости толщины окисла от времени окисления для разных значений градиента температуры.

4. Математическая модель термодиффузии на основе решения уравнения Фика и экспериментально определенные концентрационные профили фосфора и бора в кремнии при наличии градиента температуры.

5. Установленные теоретические закономерности и механизмы эпитаксии кремния из газовой и твердой фаз при наличии градиента температуры на основе разработанных кинетических моделей.

6. Механизм отжига скрытых слоев кислорода в температурном поле и экспериментальные зависимости распределения концентрации кислорода в кремнии от времени термоградиентной обработки.

7. Экспериментальные результаты лазерной перекристаллизации пленок кремния методом зонной плавки на слое двуокиси кремния и механизм формирования волнового рельефа на поверхности этих пленок.

8. Способ изготовления канальных волноводов через кремниевую пластину с помощью термомиграции алюминия и рассчитанные значения их основных параметров.

9. Метод сборки и герметизации микроэлектронных приборов и интегральных схем с использованием термомиграции алюминия в кремний. o.

6.5. Выводы.

1. Метод термомиграции можно использовать для изготовления сквозных канальных волноводов через кремниевую пластину. Процесс распространения электромагнитных волн в канальных волноводах аналогичен распространению в диэлектрических волноводах.

2. Сквозные канальные волноводы полностью совместимы с оптоэлектронными приборами. Это открывет перспективу для создания оптических вычислительных устройств на основе кремния, где необходимо осуществлять передачу оптического сигнала не только по горизонтали, но и по вертикали.

3. Использование канальных волноводов позволяет исключить перекрестные помехи при передаче излучения и повысить эффективность оптической связи.

4. Метод термомиграции может быть использован для герметизации приборов и ИС. По сравнению с традиционными способами герметизации он имеет следующие преимущества:

— отсутствие соединений между крышкой и основанием корпуса, а также мезду основанием и сквознами выводами. Корпус представляет собой монолитную конструкцию;

— совместимость материалов в единой конструкции. Крышка, основание корпуса и сквозные выводы выполнены из одного и того же материала — кремния;

— интеграция процесса герметизации. За одну технологическую операцию одновременно герметизируются все ИС, расположенные на пластине.

Для повышения механической прочности указанную конструкцию можно установить в обычный металлостеклянный корпус.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. На основе теории Онзагера выполнено упрощение в общем виде термодинамического уравнения для потока тепла. Показано, что не только диффузионный поток вещества, обусловленный градиентом концентрации, переносит тепло в изотермической системе, но и термодиффузионный поток вещества, вызванный градиентом температуры, переносит тепло в изоконцентрационной системе.

При наличии в системе градиента концентрации растворенного вещества и градиента температуры результирующий поток тепла равен сумме двух потоков: один поток тепла связан с потоком вещества, вызванным градиентом концентрации, а другой — с потоком вещества, вызванным градиентом температуры. Мерой переносимого тепла указанными потоками вещества являются изотермическая и неизотермическая теплоты переноса соответственно.

2. С помощью неизотермической теплоты переноса установлены новые связи мезду коэффициентами Онзагера. Это позволило отношения кинетических коэффициентов для двухкомпонентной системы выразить через теплоты переноса. Получено выражение для определения неизотермической теплоты переноса. В отличие от изотермической теплоты переноса, которая определяется из условия стационарности потока вещества (эффекта Соре), неизотермическия теплота переноса определяется из условия стационарности потока тепла (эффекта Дюфура).

Установлена связь между диффузионной теплопроводностью и переносом тепла в системе. Коэффициент теплопроводности пропорционален изотермической и неизотермической теплотам переноса, а также зависит от концентрации примеси и ее коэффициента диффузии. С увеличением температуры коэффициент теплопроводности возрастает и при достаточно высокой концентрации примеси вклад диффузионной теплопроводности в общую теплопроводность системы, наряду с решеточной и электронной теплопроводностью, может быть заметным.

3. В рамках модели случайных блужданий получены выражения для изотермической и неизотермической теплот переноса, которые отличаются мезду собой на величину кТ. Отмечено, что термодинамическому определению теплоты переноса соответствует кинетическое объяснение. Теплота переноса представляет собой результирующую энергию, которую переносят атомы вещества при скачке. Вклад в результирующую энергию дают два конкурирующих процесса, один из которых обусловлен изменением частоты скачков диффундирущих атомов, а другой — изменением концентрации вакансий.

Показано, что по значению отношения частоты скачков атома к концентрации вакансий можно определить направление перемещения атомов вещества при наличии градиента температуры. Теплота переноса зависит от энергии связи комплексов точечных дефектов, в частности комплексов вакансия — примесный атом. Кроме того, теплота переноса существенно зависит от состояния вакансий в кристаллическом твердом теле. Отклонение вакансий от равновесия приводит к наблюдаемому различию теплот переноса для монокристаллов и поликристаллов.

Теоретически определены теплоты переноса фосфора и бора в кремнии, а также кислорода в двуокиси кремния. Полученные значения теплоты переноса для фосфора и бора составляют +14,3 ккал/г-атом и +11,1 ккал/г-атом соответственно, а для кислорода +39,8 ккал/г-атом. Это означает, что указанные элементы в температурном поле должны перемещаться в направлении более холодной стороны образца.

4. Впервые предложена математическая модель процесса роста сплошного термического окисла на поверхности кремния при наличии в системе градиента температуры, в рамках которой получено выражение для толщины окисла как функции времени. Показано, что при одинаковой средней температуре в системе можно увеличивать или уменьшать скорость роста окисла за счет изменения величины и направления градиента температуры. Разработана методика экспериментального определения теплоты переноса кислорода в двуокиси кремния.

Впервые получены экспериментальные зависимости толщины окисла от времени окисления для противоположных направлений градиента температуры. Установлено, что при отрицательном градиенте температуры окисел растет быстрее, чем при положительном. Это объясняется тем, что в температурном поле кислород перемещается в направлении более холодной стороны образца. Экспериментально определенное значение теплоты переноса кислорода в двуокиси кремния равно +47,7 ккал/г-атом.

Впервые предложена математическая модель локального роста термического окисла на поверхности кремния при наличии в системе градиента температуры. На основе известных эмпирических зависимостей для локального окисления кремния в изотермических условиях получены теоретические профили окисла в виде «птичьего клюва» при наличии градиента температуры. Показано, что с помощью температурного поля можно уменьшить длину «птичьего клюва» по сравнению с аналогичной длиной, получаемой при изотермическом процессе.

5. На основе решения уравнения Фика для случаев постоянного и переменного источников в полубесконечное тело при постоянном градиенте температуры и с коэффициентом диффузии, зависящим от координаты, получены выражения, описывающие распределение концентрации. Отмечено, что указанные выражения отличаются от обычных, имеющих вид ег: Сс-функции или функции Гаусса. Показано, что с помощью изменения величины и направления градиента температуры можно управлять распределением концентрации вещества. Разработана методика экспериментального определения теплоты переноса для нестационарного случая.

Экспериментально получены концентрационные профили фосфора и бора в кремнии для противоположных направлений градиента температуры. Отмечено влияние направления градиента температуры на форму распределения концентрации. Установлено, что фосфор и бор в процессе термодиффузии перемещаются в направлении более холодной стороны образца. Экспериментально определенные значения теплот переноса фосфора и бора в кремнии равны +22,1 ккал/г-атом и +33,6 ккал/г-атом соответственно.

6. Предложены механизмы эпитаксии из газовой и твердой фаз при наличии градиента температуры. Получены выражения, описывающие процесс эпитаксии кремния в температурном поле. Скорость роста эпитаксиального кремния из газовой и твердой фаз зависит от величины и направления градиента температуры. Показана возможность отжига аморфных и монокристаллических имплантированных слоем кремния, а также образования эпитаксиальных силицидов в температурном поле.

7. На основе физической модели дано объяснение процессу отжига БШОХ-структур с помощью градиента температуры. Показано, что величина градиента температуры в скрытом слое 3102 значительно больше градиента температуры, измеряемом в эксперименте. В этом случае достаточно подвижный свободный кислород в зависимости от направления градиента температуры перемещается к одной или другой границе раздела окисел-кремний и вступает в реакцию с кремнием. Тем самым происходит уменьшение количества кислорода и увеличение толщины скрытого окисла.

Экспериментально обнаружено влияние величины и направления градиента температуры на профиль распределения концентрации скрытого кислорода в кремнии. Установлено, что толщина скрытого слоя двуокиси кремния увеличивается с более холодной стороны образца. Это указывает на положительное значение теплоты переноса кислорода. Отмечено, что при положительном направлении градиента температуры профиль кислорода с лицевой стороны двуокиси кремния является более резким, чем при отрицательном градиенте.

8. Экспериментально обнаружено, что при формировании КНИ структур методом перекристаллизации поликремния зонной плавкой (гШ) с помощью лазерного луча поверхность перекристаллизованной пленки кремния принимает периодическую структуру в направлении движения зоны. Предложен механизм образования такого волнового рельефа. Выполнены оценки напряжений, возникающих в области расплавленной зоны. Показано, что основной вклад в формирование выпуклого мениска дает растягивающее напряжение в покровном окисле, обусловленное перепадом температуры в зоне. Механические свойства покровного окисла как части колебательной системы, оказывают влияние на период и кривизну выпуклого мениска. Это приводит к изменению периода и амплитуды волнового рельефа.

9. В кинетической модели термомиграции учтена термическая диффузия атомов в расплавленной зоне. Получены выражения для скорости растворения и кристаллизации, которые включают этот фактор. Показано, что на указанные скорости влияет теплота переноса. В зависимости от знака теплоты переноса, скорости растворения и кристаллизации могут увеличиваться или уменьшаться. Сделана оценка вклада термической диффузии в скорость движения зоны. Установлено, что при достаточно больших градиентах температуры вклад термической диффузии становится значительным и его необходимо учитывать. Однако при малых градиентах температуры влиянием термической диффузии можно пренебречь. В этом случае, выражения для указанных скоростей принимают обычный вид.

10. Установлено, что при термомиграции алюминия в кремний п-типа проводимости увеличивается показатель преломления перекристаллизованной области р±типа проводимости. Предложена технология изготовления сквозных канальных волноводов методом термомиграции алюминия. Рассчитанные значения параметров таких волноводов и определение эффективности оптической связи с их применением, позволяют сделать вывод о перспективности их использования для передачи оптического сигнала в трехмерных ИС и компьютерах с оптической связью. Экспериментально изучена возможность создания интегральных светодиодов и фотодиодов на основе материалов А3В5 и А4Вб. Показано, что эпитаксиально выращенные буферные слои на кремниевой подложке обладают необходимыми свойствами для изготовления оптоэлектронных приборов.

11. Проанализированы основные свойства монокристаллического кремния и материалов, применяемых в изготовлении корпусов ИС. Установлено, что свойства кремния не уступают свойствам других материалов. Разработан способ сборки и герметизации микроэлектронных приборов с применением термомиграции алюминия. Показано, что он является перспективным в технологии изготовления корпусов как обычных полупроводниковых, так и вакуумных интегральных схем. Корпуса таких приборов и ИС представляют собой монолитную конструкцию, в которой основание корпуса, крышка и выводы выполнены из кремния, а технологический процесс сборки ИС позволяет осуществлять групповую герметизацию.

12. Разработана, изготовлена и апробирована в эксплуатации экспериментальная установка для исследования неизотермических процессов. Установка предназначена для индивидуальной обработки полупроводниковых пластин диаметром 100 мм. Она позволяет проводить исследования по окислению кремния, термодиффузии легирующих примесей, отжигу структур на основе кремния и термомиграции. Конструктивные принципы, заложенные в экспериментальную установку могут быть использованы при создании промышленного оборудования для термоградиентной обработки полупроводниковых пластин.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Oriani R.A. Thermomigration in solid metals // J. Phys. Chem. Solids, 1969. Vol. 30. N 2. P. 339−351.
  2. Fryxell R.E., Aitken E.A. High temperature studies of uranla in a thermal gradient // J. Nuclear Mater., 1969, Vol. 30. P. 50−56.
  3. Evans S.K., Aitken E.A. Effect of a temperature gradient on the stoichiometry of urania plutonia fuet // J. Nuclear Mater., 1969. Vol. 30. P. 57−60.
  4. Aitken E.A. Thermal diffusion in closed oxide fuel systems // J. Nuclear Mater., 1969. Vol. 30. P. 62−73.
  5. В.И., Бабикова Ю. Ф., Вол Ю.Ц., Грузин П. Л. К вопросу о диффузионном поведении примесей в кремнии под действием термодиффузионного нагрева // Кн.: Диффузия в полупроводниках/ Горький, 1969. С. 217−225.
  6. В.А. Перемещение жидкой зоны через твердое тело // Кн.: Зонная плавка/М.: Металлургия. 1966. С. 110−130.
  7. В.Г. Зонная плавка. М.: Мир. 1970. 366 с.
  8. Новое в легировании полупроводниковых приборов // Электроника, 1977. № 11. С. 7−8.
  9. Onsager L. Reciprocal relations in irreversible processes. I // Phys. Rev., 1931. Vol. 37. P. 405−426.
  10. Onsager L. Reciprocal relations in irreversible processes. II // Phys. Rev., 1931. Vol. 38. P. 2265−2279.
  11. Де Гроот С.P. Термодинамика необратимых процессов. М.: ГИТТЛ, 1956. 280 с.
  12. Де Гроот С. Р, Мазур П. Неравновесная термодинамика. М.: Мир, 1964. 456 с.
  13. B.C., Бокштейн С. З., Жуховицкий А. А. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах. М.: Металлургия, 1974.280 с.
  14. Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М.: Мир, 1971. 278 с.
  15. Wirtz К. Zur kinetlschen Theorle der Thermodiffusion 1m Krlstal -lglter // Phyz. Z., 1943. Vol. 44. N 11. P. 221−231.
  16. Weeks J.D., Shulef K.E. Random walk model of Interstitial thermal diffusion In crystals // J. Chem.Phys., 1972. Vol. 56. P. 1883−1889.
  17. В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1969. 296 с.
  18. П.П. Об увлечении диффундирующих ионов фононами в металлах // Укр. физ. журн., 1970. Т. 15. J6 12. С. 1982−1991.
  19. Schottky G. A Theory of Thermal Diffusion Based on the Lattice Dynamics of a Linear Chain // Phys. stat. sol., 1965. Vol. 8. N 1. P. 357−368.
  20. Howard R.E., Lidiard A.B. Matter transport In solid//Rep. Prog. Phys., 1964. Vol. 27. P. 161−240.
  21. Allnatt A.R. Statistical mechanics of thermotransport of a heavy Impurity In an Insulating solid // Z. Naturforsch., 1971. Vol. 26 a. N 1. P. 10−17.
  22. Allnatt A.R., Rowley L.A. Brownlan motion In a non-Isothermal solid // Molec. Phys., 1972. Vol. 24. N 5. P. 1073−1094.
  23. Allnatt A.R., Chadwick A.V. Thermal diffusion In crystalline solids // Chem. Rev., 1967. N 6. P. 681−705.
  24. Rice S.A. Dynamical Theory of Diffusion In Crystals // Phys. Rev., 1958. Vol. 112, F 3. P. 804−811.
  25. Gillan M.J. The heat of transport in solids: A new theoreticalapproach // J. Phys.C.: Solid State Phys., 1977. Vol. 10. P. 1641−1657.
  26. Stark J.P. Thermal diffusion in concentrated solid solutions // Met.Trans., 1971. Vol. 2. N 9. P. 2485−2488.
  27. Buda M.J. Zagadnienie termodyfuzji w clalach stalych // Biul. WAT J. Dabrowskiego, 1977. Vol. 26. N 6. P. 49−59.
  28. Buda M.J. Termodyfuzja ze zrodla zmiennego // Biul. WAT J. Dabrowskiego, 1978. Vol. 27. N 5. P. 111−124.
  29. Mathuni J., Kirchein R., Fromm E. Zur Berechnung von Konzentrationsprofilm beim Thermo-und Elektro transport // Z. Metallk., 1978. Vol. 69. N 4. P. 277−281.
  30. B.C. Термодиффузия при стационарном градиенте температуры // ФММ, 1981. Т. 52. Вып. 1. С. 154−163.
  31. Т.Т., Яськов Д. А., Лагкуев Д. Х. Об увеличении примеси меди в твердых растворах теллурида германия неоднородным тепловым полем // ЖТФ, 1980. Т. 50. Вып. 3. С. 644−645.
  32. Т.Т., Жукова Т. В., Яськов Д. А., Лагкуев Д. Х. Иссле -дование эффекта Сорэ в теллуриде свинца // ФТТ, 1980. Т. 22. Вып. 36. С. 922−924.
  33. Т.Т., Яськов Д. А., Лагкуев Д. Х. Термодиффузия атомов примеси иода в теллуриде свинца // ЖТФ, 1981. Т. 51. Вып. 7. С. 1539−1541 .
  34. Д.С., Пилецкая И. Б., Ширяев В. И. Зонная очистка в твердом состоянии // ДАН СССР, 1968. Т. 179. J6 2. С. 323−326.
  35. M.J. 0 zastosowanlu termodyfuz^i do oczyszczannia clal w stanie stalym // Blul. WAT J. Dabrowskiego, 1979. Vol. 27. N 5. P. 101−110.
  36. E.K., Файнер М. Ш., Загоруйко Ю. А. и др. Перераспреде -ление примесей в кристаллах селенида цинка при зоннодиффузионном отжиге // Кристаллография, 1990. Т. 35. Вып. 1. С. 239−241.
  37. Т.Т., Лагкуев Д. Х., Мошников В. А. и др. Об изменении однородности твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова при отжиге в условиях градиента температуры // ЖТФ, 1983. Т. 53. Вып. 2. С. 404−406.
  38. Krause G. Verfahren zum Herstellen einer dreldlmensionalen Integrleren Schaltung. Pat. DE 2 832 012 (ФРГ).
  39. Yamlchi Ohmura. Regrowlng selectively formed ion amorphosized regions by thermal gradient. Pat. 4 385 937 США).
  40. Holsteln W.L. Thermal Diffusion in Metal-Organic Chemical Vapor Deposition // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science end Technology, 1988. Vol. 135. N. 7. P. 1788−1793.
  41. Geller G.K. Slllcon-on-insulator films by oxygen implantation and lamp annealing // Solid State Technol., 1987. Vol. 30. N 3. P. 93−98.
  42. Cline H.E., Anthony T.R. High-speed droplet migration in silicon // J. Appl. Phys., 1976. Vol. 47. N 6. P. 2325−2331.
  43. Cline H.E., Anthony T.R. Thermomigration of aluminium-rich liquid wires through silicon // J. Appl. Phys., 1976. Vol. 47. N 6. P. 2332−2336.
  44. Cline H.E., Anthony T.R. Migration on fine molten wires in thin silicon wafers // J. Appl. Phys., 1978. Vol. 49. N 4. P. 2412−2419.
  45. Patent USA # 3 998 662. Migration of fine lines for bodies of semiconductor materials having a (100) planar orientation of a major surface. Anthony T.R., Cline H.E., Houston D.E., 1976.
  46. Patent USA Jfi 4 159 916. Thermal migration of fine lined cross-hatchtd patterns. Houston D.E., 1979.
  47. Patent USA «4 160 679. Migration of fine liquid wires by thermal gradient zone melting through doped surfaces. Houston D.E., Сline H.E., Anthony T.R., 1979.
  48. Patent USA J§ 4 171 990. Migration of uniform fine lines for bodies of semiconductor materials having a (100) planar orientation of a major surface. Cline H.E., Anthony T.R., 1979. У
  49. Patent USA № 3 899 362. Thermomigration of metal-rich liquid wires through semiconductor materials. Cline H.E., Anthony T.R., 1975.
  50. Patent USA J6 4 076 559. Temperature gradient zone melting through an oxide layer. Chang M.F., Anthony T.R., Cline H.E., 1978.
  51. Patent USA Ji 3 998 653. Method for cleaning semiconductor devices. Anthony T.R., Cline H.E., Chang M.E., 1976.
  52. JI.M., Нашельский А. Я. Зонная плавка с градиентом температуры и ее применение в технологии полупроводниковых приборов. М.: Цветметинформация. 1966. 36с.
  53. В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972. 240 с.
  54. В.Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллиза -ция градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 323 с.
  55. Anthony T.R., Cline H.E. Stress generated by the thermomigra -tlon of liquid Inclusions in silicon // J. Appl. Phys., 1978. Vol. 49. N 12. P. 5774−5782.
  56. Patent USA Jfi 3 910 801. High velocity thermal migration method of making deep diodes. Cllne H.E., Anthony T.R., 1975.
  57. Patent USA Л 3 898 106. High velocity thermomigration method of making deep diodes. Cllne H.E., Anthony T.R., 1975.
  58. Patent USA Jfi 3 899 361. Stabilized droplet method of making deepdiodes having uniform electrical properties. Cllne H.E., Anthony T.R., 1975.
  59. Patent USA Jt 3 902 925. Deep diode device and method. Anthony T.R., Cline H.E., 1975.
  60. Patent USA Л 4 024 566. Deep diode device. Anthony T.R., Cllne H.E., 1977.
  61. Patent USA Jfc 3 901 736. Method of making deep diode devices. Anthony T.R., Cllne H.E., 1975.
  62. Patent USA Jfe 3 897 277. High aspect ratio p n? Junctions by thethermal gradient zone melting technique. Blumenfeld S.M., 1975.
  63. Patent USA № 4 030 116. High aspect ratio p n Junctions by the thermal gradient zone melting technique. Blumenfeld S.M., 1977.
  64. Patent USA 3 977 910. Deep finger diodes. Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  65. Patent USA Л 3 988 770. Deep finger diodes. Anthony T.R., Cllne H.E., 1976.
  66. Patent USA J§ 4 063 965. Making deep power diodes, Cllne H.E., Anthony T.R. 1977.
  67. Patent USA Л 3 956 023. Process for making a deep power diode by thermal migration of dopant. Cllne H.E., Anthony T.R., 1976.
  68. Patent USA 3 972 742. Deep power diode. Cline H.E., Anthony1. T.R., 1976.
  69. Patent USA Jfi 3 975 213. High voltage diodes. Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  70. Patent USA Л 3 988 769. High voltage diodes. Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  71. Patent USA? 3 988 757. Deep diode zeners. Cline H.E., Anthony T.R., 1976.
  72. Patent USA Л 4 032 960. Anisotropic resistor for electrical feed throughs. Anthony T.R., Cline H.E., 1977.
  73. Patent USA 4 082 572. Process for making resistor for electrical feed throughs. Anthony T.R., Cline H.E., 1978.
  74. Patent USA Jfe 4 032 364. Deep diode silicon controlled rectifier. Anthony T.R., Cline H.E., 1977.
  75. Patent USA № 3 988 768. Deep diode silicon controlled rectifier. Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  76. Patent USA J§ 3 988 760. Deep diode bilateral semiconductor switch. Cline H.E., Anthony T.R., 1976.
  77. Patent USA J6 3 988 767. High voltage deep diode power semiconductor switch. Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  78. Patent USA Л 4 040 869. High voltage deep diode power semiconductor switch. Anthony T.R., Cline H.E., 1977.
  79. Patent USA Л 3 956 024. Process for making a semiconductor varistor embodying a lamellar structure. Cline H.E., Anthony T.R., 1976.
  80. Patent USA Jfi 4 032 965. Semiconductor varistor embodying a lamellar structure. Cline H.E., Anthony T.R., 1977.
  81. Patent USA Jfc 3 956 026. Making a deep diode varactor by thermal migration. Cline H.E., Anthony Т.Н., 1976.
  82. Patent USA Л 3 982 270. Deep diode varactors. Cline H.E., Anthony1. Т.R., 1976.
  83. Patent USA .№ 4 032 955. Deep diode transistor. Anthony T.R., Сline H.E., 1977.
  84. Patent USA J® 3 936 319. Solar cell. Anthony T.R., Cline H.E., Winegar D.M., 1976.
  85. Patent USA Jf> 4 010 534. Process lor making a deep diode atomic battery. Anthony T.R., Cllne H.E., 1977.
  86. Patent USA Jfc 3 988 764. Deep diode solid state inductor coil. Cline H.E., Anthony T.R., 1976.
  87. Patent USA № 4 024 565. Deep diode solid state transformer. Anthony T.R., Cllne H.E., 1977.
  88. Patent USA & 4 071 378. Process of making a deep diode solid state transformer. Anthony T.R., Cllne H.E., 1978.
  89. Mlzrah T. Joining and recristalllzation of SI using the thermomigration process.// J. Appl. Phys., 1980. Vol. 51, N 2. P. 1207−1210.
  90. Patent USA № 3 904 442. Method of making isolation grids in bodies of semiconductor material. Anthony T.R., Cllne H.E., 1975.
  91. Patent USA Jfc 3 979 230. Method of making isolation grids in bodies of semiconductor material. Anthony T.R., Cllne H.E., 1976.
  92. Patent USA J§ 3 988 762. Minority carrier isolation barriers for semiconductor devices. Cllne H.E., Anthony T.R., Kokosa R.A., Wolley E.D., 1976.
  93. Patent USA .№ 3 988 763. Isolation? Junction for semiconductors devices. Torreno M.L., 1976.
  94. Patent USA .№ 4 063 966. Method for forming spaced electrically isolated regions In a body of semiconductor material. Anthony1. T.R., Cline H.E., 1977.
  95. Patent USA J§ 4 006 040. Semiconductor device manufacture. Cline H.E., Anthony T.R., 1977.
  96. Patent USA Ji 4 040 868. Semiconductor device manufacture. Chang M.F., Cline H.E., Anthony T.R., 1977.
  97. Patent USA Ji 4 108 685. Semiconductor device manufacture. Chang M.F., Cline H.E., Anthony T.R., 1978.
  98. Lischner D.J., Basseches H., D’Alfroy F.A. Oservations of the temperature gradient zone melting process for isolating small devices // J. Electrochem. Soc., 1985. Vol. 132. N 12. P. 2997−3001.
  99. Patent USA Jfc 3 982 269. Semiconductor devices and method including TGZM, of making same. Torreno M.L., Kurz B.F., Krishna S., 1976.
  100. Patent USA % 3 972 741. Multiple p n Junction formation with an alloy droplet. Anthony T.R., Cline .H.E., 1976.
  101. Patent USA Jfc 3 988 766. Multiple p n Junction formation with an alloy droplet. Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  102. Patent USA .№ 3 982 268. Deep diode lead throughs. Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  103. Patent USA J® 4 398 974. Temperature gradient zone melting process employing a buffer layer. Chow K., Grlnberg J., 1983.
  104. Patent USA J6 4 523 067. Temperature gradient zone melting apparatus. Brown R.H., ChowK., Goodwin N.W., Grlnberg J., 1985.
  105. Patent USA № 4 275 410. Three-dimenslonally structured micro -electronic device. Grinberg J., Jacobson A.D., Chow K. 1981.
  106. Etchells R.D., Grinberg J., Nudd G.R. Development of a three-dimensional circuit integration technology and computer architecture // «Proc. Soc. Photo-Opt. Instrum. Eng.», 1981. 282. P. 64−72.
  107. JI. Миниатюризация машин путем «этажерочного» расположе -ния пластин // Электроника, 1983. Л 11. С. 9−10.
  108. Patent USA J6 4 385 937. Regrowing selectively formed ion amorphosized regions by thermal gradient. Ohmura Y., 1983.
  109. Patent USA Л 4 075 038. Deep diode devices and method and apparatus. Anthony T.R., Cline H.E., 1978.
  110. Patent USA J&4 519 850. Process for the thermomigration of liquid phases. Klug-Weiss P.,. 1985.
  111. Patent USA № 4 001 047. Temperature gradient zone melting utilizing infrared radiation. Boah J.K., 1977.
  112. Patent USA Jfc 3 998 661. Uniform migration of an annular shaped molten zone through a solid body. Chang M. F, Anthony T.R., Cline H.E., 1976.
  113. Patent USA 4 012 236. Uniform thermal migration utilizing noncentrosymmetrlc and secondary sample rotation. Anthony T.R., Cline H.E., 1977.
  114. Patent USA 4 081 293. Uniform thermomigration utilizing sample movement. Cline H.E., Anthony T.R., 1978.
  115. Patent USA J§ 4 141 757. Uniform thermomigration utilizing sample movement. Cline H.E., Anthony T.R., 1978.
  116. Patent USA Л 4 157 564. Deep diode devices. Anthony T.R., Cllne H., 1979.
  117. Kluge-Welss P., Roggwlller P. Laserlnduced liquid zone migra -tion of metal-silicon alloys in Si // «Laser and Electron -Beam Interact. Solids. Proc. Mater. Res. Soc. Annu. Meet., Boston, Mass., Nov.1981» / New York e.a., 1982. P. 449−455.
  118. P. Термодинамика необратимых процессов. M.: Мир, 1967, 544 с.
  119. Физические величины: Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  120. В.И. Связь теплоты переноса с концентрацией вакансий // Сб. материалов конф. молодых ученых и специалистов по проблемам микроэлектроники, посвященный XXVI съезду КПСС / М.: МИЭТ, 1980. С. 17−18.
  121. В.И. К вопросу о теплоте переноса в кристаллах // Тез. докл. X Всесоюзн. научн. конф. по микроэлектронике / Таганрог, 1982. С. 232−233.
  122. В.И. Кинетическая модель теплоты переноса в чистых кристаллах // Труды ИМ РАН / Ярославль, 1992. С. 73−82.
  123. В.И. Теплота переноса в чистых кристаллах // ФТТ, 1992. Т. 34. Вып. 12. С. 3671−3676.
  124. В.И., Рудаков В. И. Неизотермическая диффузия в твердых телах в стационарном состоянии. Физические основы микро -электроники // Сб. научн. тр. МИЭТ / М., 1979. С. 32−35.
  125. И.С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: ГИФШГ, 1962. 1100 с.
  126. Дж.П. Диффузия в твердых телах. М.: Энергия, 1980. 240 с.
  127. McKee R.A., Stark J.P. // Phys. Rev. В. 1975. Vol. 11. N 4. P. 1374−1381.
  128. J.H., Stark J.P. // Acta metallurglca, 1971. Vol. 19. P. 923−929.
  129. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 384 с.
  130. Технология СБИС. Кн.1. М.: Мир, 1986. 404 с.
  131. М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. М.: Мир, 1984. 264 с.
  132. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. 472 с.
  133. Атомная диффузия в полупроводниках. М.: Мир, 1975. 686 с.
  134. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эгштаксия. М.: Мир, 1969. 452 с.
  135. .В., Рудаков В. И. Установка для термоградиентной об -работки полупроводниковых пластин // ПТЭ, 1996. Jfc 2. С. 155−157.
  136. Д.Е., Прохоров Ю. И. Применение лучистого ИК нагрева в электронной промышленности. М.: Энергия, 1970. 174 с.
  137. В.И., Черномордик В. Д. Ускоренное окисление кремния при наличии градиента температуры // Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники: Тез докл. Всесоюзн. научн. конференции / Минск, 1985. Часть II. С. 203.
  138. Л.С., Рудаков В. И., Черномордик В. Д. Исследование тонких пленок диоксида кремния, полученных методом быстрого термического окисления // Труды ИМРАН / Ярославль, 1992. С. 49−54.
  139. Deal B.E., Grove A.S. General Relationship for the Thermal Oxidation or Silicon // J. Appl. Phys., 1965. Vol. 36. N 12. P. 3770−3778.
  140. Теплопроводность твердых тел. Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1984. 321 с.
  141. В.П., Рудаков В. И. Модель локального окисления крем -ния при наличии градиента температуры // Труды ИМРАН. Ярославль, 1992. С. 14−23.
  142. Guillemot N. Pananakakis G. f Chenevier P. A New Analytical Model of the «Bird's Beak» // IEEE Transactions on electron devices, 1987. Vol. ED-34. N 5. P. 1033−1038.
  143. M., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии.М.: Мир, 1985. 496 с.
  144. Г. В. Генерация дислокаций в кристаллах электронно -лучевым нагревом // ФХОМ, 1973. Ji 4. С. 67−71.
  145. В.И., Рудаков В. И. Применение электронных пучков для неизотермической диффузии в полупроводниках // Диффузионные процессы в металлах: Сб. научн. тр. Тульск. политехи, инст. / Тула, 1978. С. 69−73.
  146. В.М. Концентрационный профиль при термодиффузии // Физические основы микроэлектроники: Сб. научн. тр. МИЭТ / М., 1980. С. 85−89.
  147. В.М. Термодиффузия бора в кремнии // Сб. материалов конференции молодых ученых и специалистов по проблемам микроэлектроники, посвященный XXVI съезду КПСС / М.: МИЭТ, 1980. С. 119.
  148. В.М. Диффузия в поле градиента температуры // Интег -рация и нетермическая стимуляция технологических процессов микроэлектроники: Тез. докл. Всесоюзн. конф. АПМ 81 / М.:1. ММЭТ, 1981. С. 62.
  149. В.И. Диффузия фосфора в кремнии в поле градиента температуры // Интеграция и нетермическая стимуляция техноло -гических процессов микроэлектроники: Тез. докл. Всесоюзн. конф. АПМ-81 / М.: МИЭТ, 1981. С. 61.
  150. В.И. Численное решение урвнения диффузии при наличии градиента температуры // Тез. докл. X Всесоюзн. научн. конф. по микроэлектронике / Таганрог, 1982. С. 233−234.
  151. В.И. Исследование процесса неизотермической диффузии примесей в кремнии // Канд. диссертация / М.: МИЭТ, 1982. 183 с.
  152. В.И. Математическое описание процесса неизотермической диффузии // Приборы и системы управления, 1984. 13 с. / Рукопись деп. в ЦНИИТЭИ приборостроения 21.06.84. M 2484 пр-84 Деп.
  153. Ю.И., Рудаков В. И. Диффузия атомов вещества при на -личии градиента температуры // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 1988. Вып. 4 (128). С. 70−72.
  154. В.И., Ермилов С. Н. Термодиффузия из постоянного источника в полуограниченное тело // Проектирование, конструирова -ние и технология СБИС: Сб. научн. тр. МИЭТ / М., 1991. С. 136−144.
  155. В.И., Ермилов С. Н. Термодиффузия из переменного источ-точника в полуограниченное тело // Физика и моделирование технологических процессов, маршрутов и элементов СБИС: Сб. научн. тр. МИЭТ / М., 1991. С. 5−12.
  156. Rudakov V.l., Ovcharov V.V. Analitical solution of the diffusion equation for an extended source of infinite extent at constant temperature gradient // Int. J. Heat Mass
  157. Transfer, 1997. Vol. 40. N 9. P. 2231−2234.
  158. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Analltical solution of the diffusion equation for an instantaneous plane source at constant temperature gradient // Int. Comm. Heat Mass Transfer, 1997. Vol. 24. N 4. P. 579−585.
  159. Mock W. Thermomigration of Au195 and Sb125 in Gold // Phys. Rev., 1969. Vol. 179. N3. P. 663−676.
  160. И. Неравновесная термодинамика. M.: Мир, 1974. 304 с.
  161. Gerl M. Contribution a l’etude theoriqe et experimentale de la"thermodiffusion de defauts ponctuels dans les metaux // Premiere these / France, 1968. 84 с.
  162. Crolet J.L., Lazarus D. A critical stady of the thin layer method In thermomigration: application to gold // Solid State Communications, 1971. Vol. 9. P. 347−351.
  163. Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравне -ниям. М.: Наука, 1976. 576 с.
  164. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964. 487 с.
  165. Г., Эрдейн А. Таблицы интегральных преобразований. T.I. Преобразование Фурье, Лапласа, Меллина. М.: Наука, 1969. 344 с.
  166. B.C., Смирнов И. Ф. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. Л.: Наука, 1972. 160 с.
  167. А.А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1977. 656 с.
  168. Г. П. Методы вычислительной математики. М.: Наука, 1989.608 с.
  169. В.П., Рудаков В. И. Селективный эпитаксиальный рост кремния // Зарубежная электорнная техника / М.: ЦНИИ Электроника, 1994. M 7−8. С. 60−82.
  170. У., Лаксон Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление. М.: Мир, 1985. 504 с.
  171. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. М.: Мир, 1982. 576 с.
  172. Е. И. Предисловие // Микроэлектроника, 1994. Т. 23. Вып. 6. С. 3.
  173. С.А., Рудаков В. И. Возможный механизм эффекта «дальнодействия» при ионной бомбардировке // Ионно-лучевая модификация полупроводниковых и других материалов микро -электроники: Тез. докл. III Всесоюзн. конф. / Новосибирск, 1991. С. 66.
  174. Bujanov D.V., Churilov А.В., Rudakov V.I. Study of SIMOX Layers Spatially-structural Homogeneity // 3rd European Vacuum Conference (EUC-3), Sept. 23−27, 1991: Conference Handbook / Technische Universltat Wien Austria, 1991. A28.
  175. Д.В., Рудаков В. И., Чурилов А. Б. Исследование однород -ности SIMOX-структур на кремниевых пластинах диаметром 100 мм. Труды ИМ РАН // Ярославль, 1992. С. 64−72.
  176. С.А., Маковийчук В. А., Рекшинский В. И., Рудаков В. И. Симакин С.Г. Формирование SiOg-слоя в кремнии, импланти -рованном кислородом // Высокочистые вещества, 1993. № 6. С. 146−150.
  177. В.И., Мочалов Б. В. Механизм отжига SIMOX-структур в температурном поле // Электроника и информатика-97: Тез. докл. второй Всероссийской научно-техн. конф. с международным участием. Зеленоград 25−26 ноября 1997 / М.: МИЭТ, 1997. Ч. 1. С. 126.
  178. Ю.И., Преображенский М. Н., Рудаков В. И. Исследование структурных неоднородностей в рекристаллизованном лазером кремнии-на-диэлектрике с помощью акустической микроскопии // ФХОМ, 1994. № 4−5. С. 19−22.
  179. Л.С., Рудаков В. И. Электрофизические характеристики МОП-структур с тонким подзатворным диэлектриком // Микро -электроника 94: Тез. докл. российской конф. с участием зарубежных ученых / Москва, 1994. Ч. 1. С. 337−338.
  180. Ю.И., Постернак В. В., Преображенский М. Н., Рудаков В. И. Неразрушающие измерения характеристик КНИ-структур опти -ческими и акустическими методами // Микроэлектроника, 1994. Т. 23. вып. 6. С. 39−45.
  181. В.В., Рудаков В. И. Неразрушающий метод локального контроля толщин слоев КНИ-структур // Субмикронные технологии: Труды ФТИАН // М.: Наука, 1995. Т. 9. С. 68−73.
  182. В.В., Рудаков В. И. Вихревая модель формирования полосчатой структуры тонкой пленки кремния в процессе зонной рекристаллизаци КНМ структур // Электроника и информатика 95: Тез. докл. Всеросс. научн-техн. конф. / М.: МИЭТ, 1995. С. 117−118.
  183. Ю.И., Овчаров В. В., Рудаков В. И. Особенности формирования волнового рельефа при лазерной рекристаллизации структур «кремний на изоляторе» // ФХОМ, 1997. J6 3. С. 13−16.
  184. А.Б., Мусатова Л. В. Моделирование процесса зонной плавки пленок кремния // Поверхность, 1991. .№ 2. С. 73−82.
  185. А.Б., Гиваргизов Е. М. Лазерная зонная перекристал -лизация тонких пленок кремния: метод, структура, механизмы кристаллизации // Микроэлектроника, 1991. Т. 20. Вып. 4. С. 356−369.
  186. Mertens P.W., Maes Н.Е. Stress in the micro-zone-molten crystalline silicon films on solid substrates // J. J. Appl. Phys., 1993. Vol. 32. Part 1. N 7. P. 3217−3226.
  187. Dutartre D. Mechanics of the silica cap during zone melting of Si films // J. Appl. Phys., 1989. Vol. 66. N 3. P. 1388−1391.
  188. Mertens P.W., Maes H.E. Qualitative model for surface rippling of zone melting recrystallized s11icon-on-insulator layers // MRS / Boston, 1989.
  189. Cline H.E. Surface rippling induced in thin films by ascanning laser// J. Appl. Phys., 1981. Vol. 52 (1). P. 443−448.
  190. Floryan J.M., Chen C. Thermocapillary convection and existence of continious liquid layers in the absence gravity // J. Fluid Mech., 1994. Vol. 277. P. 303−329.
  191. Shanahan M.E.R. The spreading dynamics of a liquid drop on a visco-elastic solid// J. Phys. D: Appl. Phys., 1988. Vol. 21. P. 981−985.
  192. Л.Д., Лифшиц E.M. Теория упругости. M.: Наука, 1987. 248 с.
  193. М. Деформация и течение. М.: ГНТМН и ГТЛ, 1963. 382 с.
  194. Pimputkar S.M., Ostrach S. Transient tthermo-capillary flow in thin liquid layers // Phys. Fluids, 1980. Vol. 23 (7). P. 1281−1285.
  195. GeisM.W., Henri I.Smith., Chen C.K. Characterization and. entrainment of subboundaries and defect trails in zone-melting -recrystalllzed SI films // J. Appl. Phys., 1986. Vol. 60. N 3. P. 1152−1160.
  196. А.А., Клыков В. М. Структура КНД и КМОП ИС на их основе // ЭП, 1989. Jt 10. С. 2−7.
  197. В.И., Коледов Л. А. Термомиграция и ее применение в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника / М.: ЦНИИ Электроника, 1993. М 3−4. С. 27−60.
  198. В.М., Коледов Л. А. Термомиграция и ее применение в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника / М.: ЦНМИ Электроника, 1993. J6№ 5−6. С. 25−40.
  199. Ю.И., Рудаков В. И. Исследование термомиграции А1 в кремнии // Низкотемпературные технологические процессы в электронике: Тез. докл. Всесоюзн. постоянного научн.-технич.семинара / Ижевск, 1990. С. 57.
  200. С.А., Рудаков В. И. Образование нелинейных диф фузионно-рекомбинационных волн дефектов при термомиграции // Современные проблемы микроэлектроники: Мат. докл. ежегодной общеинститутской конф. ИМ АН СССР / Ярославль, 1991. С. 126−131.
  201. Волноводная оптоэлектроника. М.: Мир, 1991. 575 с.
  202. Р. Интегральная оптика. Теория и технология. М.: Мир, 1985. 381 с.
  203. Koyanagi M., Takata H., Maemoto T., Hirose M. Opcally coupled three-dimensional common memory // Optoelectronics, 1988. Vol. 3. N. 1. P. 83−98.
  204. Rudakov V.I., Posternak V.V. Three dimensionl Integrated infrared sensor // Book of Abstracts. Eurosensors VIII Confe -rence. Sept. 2528, 1994 / Toulouse-France, 1994. P. 415. ¦
  205. Soref R.A., Lorenzo J.P. All-Silicon Active and Passive Gulded-Wave Components for A,=1.3 and 1.6 jam // IEEE Journal of Quantum Electronics, 1986. Vol. QE-22. N. 6. P. 873−879.
  206. Основы оптоэлектроники. M.: Мир, 1988. 288 с.
  207. Полупроводниковые формирователи изображения. М.: Мир, 1979. 575 с.
  208. С. Оптические компьютеры. М.: Наука, 1992. 96 с.
  209. В.И., Горбунов Ю. И., Коледов Л. А. Трехмерные интегральные схемы // Обзоры по электронной технике. Серия 3. Микро электроника. Вып. 5(1307) / М.: ЦНИИ Электроника., 1987. 48 с.
  210. В.И. Трехмерные интегральные схемы с оптической связью // Зарубежная электронная техника / М.: ЦНИИ Электроника, 1995. Л 4. С. 92−118.
  211. Little M.J., Grlnberg J. The 3-D Computer: An Integrated Stack of WSI Wafers // Wafer Scale Integration / Boston Dordrecht — London: Kluwer Academle Publishers, 1989. P. 253−317.
  212. В.П., Рудаков В. И., Дегоев М. А., Ильин Ю. Л., Мошников В. А., Яськов Д. А. Графоэпитаксия слоев Pb, Sn Те и1.X X
  213. Pb Sn Se на аморфных подложках // Физика и химия поверхности1.2С Xи границ раздела узкощелевых полупроводников: Тез. докл. республ. конф. / Львов, 1990. С. 154.
  214. C.B., Рудаков В. И., Саунин И. В. Изготовление структур для светоизлучающих приборов с длиной волны 3−5 мкм на кремниевых подложках: Труды ИМ РАН / Ярославль, 1992. С. 128−133.
  215. C.B., Рудаков В. И., Саунин И. В., Сергеева Я. В. Свой -ства пленок Pb Sn Те, легированных индием // Неорганические1 X Xматериалы, 1993. Т. 29. М 3. С. 333−336.
  216. В.П., Рудаков В. И. Формирование фосфида индия на кремнии для интегральных светодиодов // Письма в ЖТФ, 1995. Т. 21. Вып. 24. С. 20−24.
  217. Т., Мацумура X. Инфракрасные волоконные световоды. М.: Мир, 1993. 272 с.
  218. В.А. Сборка и герметизация микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1982. 144 с.
  219. К.Э. Кремний как механический материал // ТИИЭР, 1982. Т. 70. J* 5. С. 5−49.
  220. В.И., Пересветов Н. Н. Способ герметизации полупровод -никовых интегральных схем. Авт. свид-во Л 1 393 249, 1988.
  221. Технология СБИС. Кн.2. М.: Мир, 1986. 453 с.
  222. К.А. Микроэлектрроника: достижения и пути развития. М.: Наука, 1986. 144 с.
  223. IEEE Transactions on Electron Devices, 1991. Vol. 38. N. 10. (This Special Issue documents the research reported at the
  224. Third International Vacuum Microelectronics Conference held in Monterey, CA, in July 1990).
  225. O.B., Кривелевич C.A., Рудаков В. И. Вакуумные интег -ральные схемы // Зарубежная электронная техника / М.: ЦНИИ Электроника, 1995. J6 4. С. 92−118.
  226. О.В., Кривелевич С. А., Рудаков В. И. Вакуумный микротриод. Заявка РФ J6 95 100 407/25, решение о выдаче патента РФ от 20.02.97 г.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!