Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Взаимодействие собственных и примесных дефектов в люминесцентных полупроводниковых материалах на основе халькогенидов цинка

Диссертация: Взаимодействие собственных и примесных дефектов в люминесцентных полупроводниковых материалах на основе халькогенидов цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведенные в настоящей работе комплексные исследования ИК-ф ото люминесценции (ИК ФЛ) самоактивированных монокристаллов сульфида цинка позволили установить, что в области от 0,7 до 3,0 мкм излучение происходит в четырех полосах, связанных с разные центрами Наличие чистых образцов, вариация технологии их изготовления, включая легирование Cl, I, AI, Ga, термическую обработку в сере и цинке… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ В СУЛЬФИДЕ ЦИНКА И СЕЛЕНИДЕ ЦИНКА С ДЫРОЧНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ (обзор)
    • 1. 1. Инфракрасная люминесценция сульфида цинка
    • 1. 2. Центры люминесценции и электрически активные центры в 2п8е р-типа
  • Выводы I главы
  • Глава II. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ, ПРИГОТОВЛЕНИЯ И
  • ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОБРАБОТОК ОБРАЗЦОВ
    • 2. 1. Приготовление кристаллов самоактивированного (СА) сульфида цинка
    • 2. 2. Приготовление кристаллов, селенида динка с дырочной проводимостью и их обработка при термических отжигах
    • 2. 3. Измерение спектров люминесценции и возбуждения в видимой и инфракрасной (ИК) области
    • 2. 4. Разделение спектров люминесценции на составляющие полосы
    • 2. 5. Измерение кривых термовысвечивания
    • 2. 6. Измерения зависимости интенсивности фотолюминесценции от температуры
    • 2. 7. Измерения чувствительности к ИК свету
    • 2. 8. Оптическое высвечивание сульфида цинка двумя независимыми пучками света с плавно изменяющимся спектром
    • 2. 9. Измерения фотопроводимости
    • 2. 10. Измерение фотолюминесценции (ФЛ) сульфида цинка после ионной имплантации неона
    • 2. 11. Измерение влияния облучения у-лучами на интенсивность полос фотолюминесценции СА сульфида цинка
    • 2. 12. Измерения зависимости интенсивности видимой и инфракрасной фотолюминесценции сульфида цинка от интенсивности возбуждающего света
    • 2. 13. Измерения зависимости положения максимума полос
  • ФЛ от интенсивности возбуждающего света
    • 2. 14. Измерение поляризационных диаграмм
    • 2. 15. Измерение величины и характера двупреломления кристаллов селенида цинка
    • 2. 16. Измерение удельного сопротивления и эффекта Холла методом Ван-дер-Пау
    • 2. 17. Измерение типа проводимости кристаллов селенида цинкапомощью термо-э.д
    • 2. 18. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней
    • 2. 19. Измерение спектров послесвечения на оптическом многоканальном анализаторе ОМА-2 [17] >
  • Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ СУЛЬФИДА ЦИНКА В ВИДИМОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА
    • 3. 1. Люминесценция монокристаллов С, А сульфида цинка в видимой области спектра (обзор)
    • 3. 2. Чувствительность монокристаллов СА сульфида цинка к инфракрасному свету
    • 3. 3. Мелкие электронные уровни захвата в монокристаллах
  • СА сульфида цинка
  • Выводы III главы
  • ГЛАВА IV. ИНФРАКРАСНАЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ САМОАКТИВИРОВАННОГО СУЛЬФИДА ЦИНКА
    • 4. 1. Исследование спектров излучения и возбуждения ИК-фотолюминесценции самоактивированного сульфида цинка
    • 4. 2. Зависимость ИК-фотолюминесценции сульфида цинка от температуры и интенсивности возбуждающего света
    • 4. 3. Оптические переходы с участием ИК-центров в С, А сульфиде цинка
    • 4. 4. Исследование фотопроводимости СА сульфида цинка
    • 4. 5. Особенности температурного тушения зеленой полосы фотолюминесценции в монокристаллах СА сульфида цинка
    • 4. 6. Влияние радиационных дефектов на видимую и ИКфотолюминесценцию сульфида цинка
      • 4. 6. 1. Влияние облучения монокристаллов ионами неона на интенсивность полос фотолюминесценции
      • 4. 6. 2. Влияние у-облучения на интенсивность полос ИК- и видимой фотолюминесценции кристаллов СА сульфида цинка
  • Выводы IV главы
  • Глава. У. ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ЩЕЛОЧНЫМИ МЕТАЛЛАМИ НА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА Р-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ
    • 5. 1. Температурное и оптическое гашение полосы
  • ФЛ с Хтах ~ 500 нм и спектр ее возбуждения
    • 5. 2. Зависимость положения максимумов полос ФЛ от интенсивности возбуждающего света и от времени послесвечения
    • 5. 3. Изохронные отжиги кристаллов селенида цинка с дырочной проводимостью и их влияние на фотолюминесценцию
    • 5. 4. Образование и распад центра ФЛ сЛшах = 500 нм при термических отжигах
    • 5. 5. Равновесный состав кристаллов 2п8е и 2п8е, легированного Ы, сосуществующих с парами цинка и селена
    • 5. 6. Формирование компенсированного состояния 2п8е, легированного 1л
  • Выводы V главы
  • Глава VI. ДЕПОЛЯРИЗАЦИЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА С ДЫРОЧНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
    • 6. 1. Исследование оптических свойств кристаллов селенида цинка с дырочной проводимостью
    • 6. 2. Исследование поляризации фотолюминесценции кристаллов селенида цинка с дырочной проводимостью
  • Выводы VI главы
  • Глава VII. ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ I И V ГРУПП И ПОСТИМПЛАНТАЦИОННОЙ ОБРАБОТКИ МЕТОДОМ РЛГЭ НА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА
    • 7. 1. Люминесценция и электрические характеристики
    • 2. п8е
  • + и р-п перехода на его основе
    • 7. 2. Влияние имплантации азота на электрические характеристики 2п8е
  • + и электролюминесценцию р-п переходов на его основе
    • 7. 3. Исследование глубоких уровней в структурах на основе селенида цинка, полученных путем ионной имплантации элементов I и V групп, методами емкостной спектроскопии, электро- и фотолюминесценции
    • 7. 4. Наблюдение ловушек неосновных носителей при нестационарной спектроскопии глубоких уровней в диодах Шоттки с высоким барьером и компенсированной приконтактной областью
  • Выводы VII главы
  • СНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И
  • ВЫВОДЫ

Взаимодействие собственных и примесных дефектов в люминесцентных полупроводниковых материалах на основе халькогенидов цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Для повышения эффективности светоизлучающих устройств в коротковолновой области спектра важным является изучение и устранение потерь энергии на центрах безизлучательной рекомбинации и центрах, излучающих за пределами рабочей области светоизлучающих приборов. В связи с этим особую актуальность приобретают исследования центров захвата, тушения и центров инфракрасной люминесценции и их взаимодействия с центрами коротковолнового свечения. Не менее актуальным является выяснение условий получения широкозонных материалов с дырочной проводимостью. К широкозонным полупроводниковым соединениям АИВУ1, перспективным для изготовления на их основе коротковолновых светоизлучающих устройств, относятся сульфид и селенид цинка, исследованные в предлагаемой работе. В отличие от ваЫ, имеющего ширину запрещенной зоны Её ~ 3,5 эВ, 2п8е (Её ~2,6 эВ) обеспечивает получение голубого излучения не на примесных, а на более эффективных зона-зонных переходах. 2п8 обладает примерно такой же, как ваЫ шириной запрещенной зоны, но может быть приготовлен более дешевыми методами, чем ваЫ.

Основные цели работы:

1. Использование ИК спектроскопии в сочетании с исследованиями фотопроводимости и люминесценции в видимой области спектра в качестве метода изучения дефектов и их взаимодействия в широкозонных халькогенидах цинка.

2. Исследования процессов образования и взаимодействия дефектов в 2п8е р-типа как нелегированного, так и легированного щелочными металлами и другими элементами I и V групп, люминесцентными, электрофизическими, оптическими, емкостными и теоретическими методами, в зависимости от условий приготовления и последующих термообработок.

Для решения поставленных задач использован широкий спектр люминесцентных и электрофизических методик, а также исследования поляризации и емкостных характеристик, включая нестационарную спектроскопию глубоких уровней (БЬТ8) в сочетании с проведением теоретических расчетов.

Научная новизна.

1. Путем использования ИК спектроскопии как метода изучения дефектов и их взаимодействия в широкозонных халькогенидах цинка установлено существенное влияние собственнодефектных ИК центров, в том числе исследованных впервые, на электронно-дырочные процессы и интенсивность видимой люминесценции.

2. Впервые однозначно установлено, что в чистых монокристаллах сульфида цинка имеются четыре полосы ИК люминесценции: ИК-1 (Хшкс ~ 1 мкм) — ИК-И (?, макс = 1,27 мкм) — ИК-Ш (кшкс ~ 1,47- 1,65 и 1,78 мкм) и ИК-1У (А.макс ~ 1,9 мкм), связанные с разными центрами. Установлена взаимосвязь центров ИК-П и ИК-Ш в 7п8, а также центров, ответственных за ИК полосы с ЙЮщах = 0,45 — 0,52, 0,71 и 1,3 эВ в гп8е, с собственными дефектами решетки.

3. Показано, что из ИК центров только центры ИК-Ш в 7п8 и центры, ответственные за полосы с Йсотах= 0,45 и 0,52 эВ в 7п8е выступают в роли центров тушения видимой люминесценции. Установлено, что центры тушения, связанные с радиационными дефектами в ZnS, не являются центрами ИК излучения. Центры ИК-И в ZnS взаимодействуют с центрами видимой фотолюминесценции, конкурируя с ними по отношению к захвату носителей заряда из зоны проводимости.

4. Проведенные исследования показывают, что РЖ центры играют большую роль в тушении коротковолновой люминесценции. Отсюда следует, что для повышения эффективности источников голубого и ультрафиолетового излучения на селениде цинка и сульфиде цинка, соответственно, необходимо снижение концентрации центров ИК излучения.

5. Предложена зонная модель неактивированного позволившая объяснить электронно-дырочные процессы РЖ фотолюминесценции и связанной с ней видимой фотолюминесценции, вспышек и фотопроводимости.

6. Идентифицированы центры, обусловленные примесями лития, серебра, золота и азота в селениде цинка и исследованы их характеристики. Показано, что в р:7п8е идут процессы миграции энергии от коротковолновых центров к длинноволновым по оже-механизму взаимодействия донорно-акцепторных пар.

7. Теретически и экспериментально показано, что литий может существенно влиять на состав собственных точечных дефектов и ассоциативных центров, определяя условия получения материала с дырочной проводимостью и оказывая значительное влияние на интенсивность видимой фотолюминесценции.

Практическая значимость.

1. Результаты работы показывают перспективность применения сульфида цинка в оптоэлектронике и люминесцентной технике на ближнюю ИК область спектра. Установлено, что для увеличения интенсивности ИК ФЛ необходимо снижение содержания в образцах донорных примесей. Схема электронных переходов, дополненная уровнями центров ИК ФЛ, полезна при разработке на основе сульфида цинка приборов оптоэлектроники и люминесцентной техники.

2. Проведенные исследования ИК и безизлучательных центров в 2п8 и 2п8е и их взаимодействия с центрами видимой люминесценции позволят получить люминесцирующие материалы и структуры с меньшими потерями энергии в видимой области спектра. Они показывают, что ИК центры играют большую роль в тушении коротковолновой люминесценции. Отсюда следует, что для повышения эффективности источников голубого и ультрафиолетового излучения на селениде цинка и сульфиде цинка, соответственно, необходимо снижение концентрации центров ИК излучения.

3. Установлено влияние даже малых (~1016 см" 3) концентраций ЩМ, часто являющихся остаточной примесью в Ъс&е, на его люминесценцию и электрофизические свойства. Определены условия получения 2п8е (1л) с дырочной проводимостью, контролируемой мелкими (-0,1 эВ) акцепторными центрами.

4. Эти результаты могут быть использованы при планировании и прогнозировании результатов технологических процессов, направленных на получение низкоомного 2п8е р-типа и светоизлучающих структур на его основе.

5. Предложенная методика идентификации естественного двупреломления в кристаллах кубической сингонии может быть использована для оценки качества кристаллов и при проведении поляризационных исследований ФЛ.

На защиту выносятся:

1. Самосогласующиеся результаты исследований, использующих ИК-спектроскопию как метод изучения дефектов и их взаимодействия в широкозонных халькогенидах цинка и устанавливающих существенное влияние собственнодефектных ИК центров, в том числе исследованных впервые, на электронно-дырочные процессы и интенсивность видимой люминесценции.

2. Проведенная впервые однозначная идентификация наличия в чистых монокристаллах сульфида цинка четырех полос ИК люминесценции: ИК-I (?.макс «1 мкм) — ИК-П (А, макс = 1,27 мкм) — ИК-Ш (к макс ~ 1>47- 1,65 и 1,78 мкм) и ИК-IV (^макс ~ 1,9 мкм), связанных с разными центрами. Установление взаимосвязи центров ИК-Н и ИК-Ш в ZnS, а также центров, ответственных за ИК полосы в ZnSe с frcomax= ^>45 — 0,52, 0,71 и 1,3 эВ, с собственными дефектами решетки.

3. Выяснение того, что из ИК центров только центры ИК-Ш в ZnS и центры, ответственные за полосы с ficomax= 0,45 и 0,52 эВ в ZnSe выступают в роли центров тушения видимой люминесценции. Установление того, что центры тушения, связанные с радиационными дефектами в ZnS, не являются центрами ИК излучения. Выяснение взаимодействия центров ИК-П в ZnS с центрами видимой фотолюминесценции посредством конкуренции по отношению к захвату носителей заряда из зоны проводимости.

4. Предложенная зонная модель неактивированного ZnS, позволившая объяснить электронно-дырочные процессы ИК фотолюминесценции и связанной с ней видимой фотолюминесценции, вспышек и фотопроводимости.

5. Идентификация центров, обусловленных примесями лития, серебра, золота и азота в селениде цинка, и их характеристики.

6. Теретические и экспериментальные результаты, показывающие, что литий может существенно влиять на состав собственных точечных дефектов и ассоциативных центров, определяя условия получения материала с дырочной проводимостью и оказывая значительное влияние на интенсивность видимой фотолюминесценции.

7. Установление в p: ZnSe процессов миграции энергии от коротковолновых центров к длинноволновым по оже-механизму взаимодействия донорно-акцепторных пар.

Апробация работы:

Результаты исследований докладывались на ХХУП Всесоюзном совещании по люминесценции (кристаллофосфоры), Эзерниеки, Латв. ССР, 1980 г.- Всесоюзном совещании по люминесценции, посвященном 90-летию со дня рождения С. И. Вавилова, Ленинград, 1981 г.- V Всесоюзном совещании «Физика и техническое применение полупроводников AnBVI», Вильнюс, 1983гВсесоюзном совещании «Физика и технология широкозонных полупроводников», Махачкала, 1986; VI Всесоюзном совещании по люминофорам, Ставрополь, 1989; координационном совещании по физическим проблемам оптоэлектроники («Оптоэлектроника-89»), Баку, 1989; Третьей Всесоюзной научно-технической конференции.

Материаловедение халькогенидных полупроводников" (Черновцы, октябрь 1991 г.), VII Всес.-I Межд. сов. «Физика, химия и технология люминофоров», Ставрополь, 1992; Int. Conference on Radiation Effects on Semiconductor Materials, Detectors and Devices, Firenze, Italy, March 1998; Международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск: 18−24 июня 2000 г., а также на семинарах отдела люминесценции ФИАН им. П. Н. Лебедева РАН.

Результаты работы показывают перспективность применения сульфида цянка в оптоэлектронике и люминесцентной технике на ближнюю ИК-область спектра. Установлено, что для увеличения интенсивности ИК ФЛ необходимо снижение содержания в образцах донорных примесей. Схема электронных переходов, дополненная уровнями центров ИК ФЛ, полезна при разработке на основе сульфида цинка приборов оптоэлектроники и люминесцентной техники.

Проведенные в работе комплексные исследования ФЛ и электрических слоев селенида цинка с дырочной проводимостью как нелегированных, так и активированных щелочными металлами (ЩМ) и алюминием, в зависимости от условий приготовления и последующей обработки, позволили выяснить положение энергетических уровней и природу центров ФЛ, механизмы их взаимодействия, характер соответствующей рекомбинации, установить условия их образования и исчезновения. Показано, что в исследованных кристаллах значительную роль играют процессы миграции энергии озбуждения, осуществляющиеся по оже-механизму взаимодействия ДА пар, ¡-риводящие к деполяризации ФЛ в видимой области спектра.

Полученные результаты представляют как самостоятельный научный [нтерес, так и позволяют сформулировать некоторые рекомендации в плане [альнейшей работы по проблеме получения низкоомного селенида цинка с [ырочной проводимостью, перспективного для целей оптоэлектроники.

Так, например, результаты проведенных исследований показывают шределяющее влияние процессов с участием щелочных металлов, и, прежде *сего, лития, на формирование ДА-пар, точечных и ассоциативных дефектов,)тветственных за ФЛ в краевой и более ДВ областях спектра, образующих сак мелкие, так и более глубокие акцепторные уровни.

Далее, исследования показали, что в плане получения материала для эптоэлектронных устройств с излучением в голубой области спектра 1ерспективным является выращивание эпитаксиальных слоев сотоактивацией паровой фазы. В них преобладает излучение в экситонной эбласти спектра, краевая ФЛ значительно подавлена, а ДВ излучение этсутствует.

В результате анализа квазихимической модели дефектообразования в ZnSe и 2п8е (1л) показано, что литий даже в незначительных концентрациях (~1016 см" 3) может существенно влиять на равновесный состав материала. С понижением температуры наблюдается переход от составов с избытком цинка, близким к аналогичным при ртщ в теоретически чистом 2пБе, к составам с избытком селена, причем температура перехода определяется концентрацией лития. В приближении идеальной закалки оценены условия получения 2п8е (1л), обладающего при низких температурах дырочной проводимостью, контролируемой «мелким» (0,1 эВ) акцепторным центром.

На основе сравнения электрофизических и люминесцентных свойств.

1? 3 кристаллов 2п8е с примесями щелочных металлов (10 см~) и результатов эасчета концентраций точечных дефектов в этом материале предложен механизм формирования компенсированного состояния.

Предложена методика идентификации естественного двулучепреломления, обусловленного квадратичным эффектом тространственной дисперсии, основанная на измерениях углов погасаниявета, проходящего через кристалл кубической сингонии, помещенный яежду скрещенными николями, при его вращении в пространстве.

Методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ), ЙК электро- (ЭЛ) и фотолюминесценции проведены комплексные исследования глубоких центров в р-п переходах, образующихся при раздельной и совместной имплантации элементов I и V групп в низкоомную эснову п-ЕпБе. Определены глубины, концентрации, сечения захвата и природа образующихся донорных и акцепторных центров, связанных с имплантированными примесями и с собственными дефектами решетки. Проанализирована их связь с полосами ИК и видимой ФЛ, а также с эезызлучательными центрами рекомбинации.

Методом НСГУ исследованы диоды Шоттки на основе монокристаллического селенида цинка п-типа, полученные путем ионной имплантации азота и постимплантационной обработки методом радикало-пучевой геттерирующей эпитаксии в атомарном кислороде.

Для объяснения «аномальных» пиков в спектрах НСГУ исследуемых образцов с учетом особенностей обработки методом РЛГЭ предложена модель высокого барьера Шоттки с компенсированной приконтактной областью. На основе этой модели проведен теоретический анализ процессов, приводящих к наблюдению в исследуемых структурах ловушек неосновных носителей при отрицательных напряжениях смещения. Представлена методика определения толщины компенсированной области и концентрации ловушек основных и неосновных носителей.

Проведенные исследования показывают, что РЖ центры играют важную роль в тушении коротковолновой люминесценции. Отсюда следует, что для повышения эффективности источников голубого и ультрафиолетового излучения на селениде цинка и сульфиде цинка, соответственно, необходимо снижение концентрации центров РЖ излучения.

Все вошедшие в диссертацию исследования выполнены в отделе Люминесценции Физического института им. П. Н Лебедева РАН в рамках проблем «Исследовние широкозонных полупроводников и структур на их основе для оптоэлектроники», «Разработка физических принципов создания твердотельных устройств для оптоэлектроники и электроники нового поколения» РАН, «Физика твердотельных наноструктур», «Оптика, лазерная физика», «Фундаментальная спектроскопия» Министерства Науки РФ, были поддержаны грантами РФФИ, Министерства Науки РФ и фонда Сороса.

Диссертант багодарит к.ф.-м.н. В. Ф. Туницкую, к.т.н. Е. И. Панасюк,.

A.Д.Левита, М. С. Клейбанова, к.ф.-м.н. М. Е. Агельменева, д.ф.-м.н.

B.В.Урсаки, к.ф.-м.н. И. Д. Муллабаева, Е. Н. Агафонова, З. П. Шюхину, и других сотрудников отдела Люминесценции ФИАН и своих соавторов за плодотворное научное сотрудничество.

Автор признателен чл.-корр. РАН М. Д. Галанину, Зав. Отделом Люминесценции ФИАН д.ф.-м.н. А. Г. Витухновскому, д.ф.-м.н. Ю. П. Тимофееву, д.ф.-м.н. М. В. Фоку, д.ф.-м.н. А. М. Леонтовичу, д.ф.-м.н. М. Б. Котляревскому и к.ф.-м.н. Е. А. Бобровой за полезные консультации.

Особую признательность автор выражает своему научному консультанту д.ф.-м.н., профессору, академику РАЕН А. Н. Георгобиани за многолетнее плодотворное сотрудничество, внимание и содействие в выполнении данной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Проведенные в настоящей работе комплексные исследования ИК-ф ото люминесценции (ИК ФЛ) самоактивированных монокристаллов сульфида цинка позволили установить, что в области от 0,7 до 3,0 мкм излучение происходит в четырех полосах, связанных с разные центрами Наличие чистых образцов, вариация технологии их изготовления, включая легирование Cl, I, AI, Ga, термическую обработку в сере и цинке, применение усовершенствованной методики изучения ИК ФЛ в комплексе с исследованиями стимуляции и тушения видимой ФЛ и ФП, позволили уточнить природу, энергетические глубины центров PIK ФЛ, их связь с центрами самоактивированной люминесценции и исследовать соответствующие электронно-дырочные переходы и процессы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Garlick G.F.J., Dumbelton MJ. Phosphorus emitting infrared radiation. // Proc. Phys. Soc. B. 1954. Vol. 67. P. 442—443.
  2. Meijer G. Infrared fluorescence of copper-activated ZnS-phosphors // J. Phys. and Chem. Solids. 1958. Vol. 7. P. 153—158.
  3. Apple E. F., Prener J. S. On the infrared emission in ZnS: Cu. Effect of sulfur pressure and aluminium // Ibid. 1960. Vol. 13. P. 81—87.
  4. Broser I., Schulz H. J. A comparative study of infrared luminescence and someother optical and electrical properties of ZnS: Cu single crystals // J. Electrochem. Soc. 1961. Vol. 108. P. 545—548.
  5. Gumlich H.-E., Moser R., Neumann E. Modulation and excitation of the infrared luminescence of ZnS (Cu) by electrical AC fields // Phys. Status Solidi. 1969. Vol. 32. P. 127—133.
  6. А. Г., Жолкевич Г. А., Королько Б. Н. Видимая и инфракраснаялюминесценция ZnS, Си, Т1 // Электролюминесценция твердых тел. Киев: Наук, думка, 1971. С. 124—127.
  7. . Н. Электронные и дырочные энергетические переходы при инфракрасной электролюминесценции соединений А2Вб: Дис.. канд. физ.-мат. наук. 01.04.07. Киев, 1973. 149 с.
  8. Brown P. F. Infrared luminescence of zinc and cadmium sulphide phosphorus //
  9. J. Electron. 1956. Vol. 2. P. 1—16.
  10. Garlick G.F.J., Fatehally R. A. Recent development in infrared phosphorus // Solid State Phys. Electron, and Telecommuns. 1960. Vol. 4, pt 2. P. 741—750.
  11. Tyagi R. C., Garlick G. F. J. The enhancement of visible and infrared electroluminescence in zinc sulphide crystals by infrared irradiation // Brit. J. Appl. Phys. 1966. Vol. 17. P. 747−755.
  12. Schafer D., Scharmann A. Infrared luminescence of ZnS-crystals//Ztschr. Phys. 1970. Bd. 240. S.62—70.
  13. Broser L., Germer R., Seliger F. et al. Luminescence of M center in ZnS? // J. Phys. and Chem. Solids. 1980. Vol. 41. P. 101—107.
  14. Schafer D., Scharmann A. IR luminescence of ZnS/Mn crystals // Phys. Status Solidi. 1969. Vol. 34. P. K107—K109.
  15. Scharmann A., Schwabe D. Polarization of the IR luminescence of cubic ZnS single crystals // Ztschr. Phys. 1971. Bd. 242. S. 189—194.
  16. Bryant F.J., Cox A. F. J. Energy-level structure for the infrared luminescence of cadmium sulphide and zinc sulphide // Brit. J. Appl. Phys. 1965. Vol. 16. P. 463—469.
  17. Bryant F.J., Cox A. F. J. Heat treatment effects in cadmium sulphide // Ibid. P. 1065—1074.
  18. Bryant F. J., Cox A. F. J. Structured luminescence emission in cadmium sulphide at 2,0 to 2,8 |am //Phys. Status Solidi. 1966. Vol. 14. P. 427—434.
  19. Bryant F. J., Cox A. F. J. Polarization of infrared fluorescence in single crystals of cadmium sulphide //Proc. Phys. Soc. 1966. Vol. 87. P. 551—559.
  20. Bryant F. J., Cox A. F. J. Atomic displacement energies for binary semiconductors //J.Phys. C: Solid state Phys. 1968. Vol. 1. P. 1734—1736.
  21. Cox A. F. J., Hagston W. E., Radford C. J. Infrared luminescence of zinc and cadmium sulphide phosphors and the role of cation vacancies // Ibid. P. 1746— 1758.
  22. Potter R. M., Aven M., Kastner J. Optical measurements on ZnS: Cu produced by neutron irradiation of ZnS // J. Electrochem. Soc. 1962. Vol. 109. P. 1154— 1162.
  23. Broser J., Franke K.-H. Erzeugung «ultraroter» Kupferzentren in ZnS durch Kernzer-fall von Zn65// J- Phys. and Chem. Solids. 1965. Vol. 26. P. 1013— 1020.
  24. De Wit M. Zeeman effect in the absorption spectrum of copper-doped zinc sulfide // Phys. Rev. 1969. Vol. 177. P. 441—447.
  25. Wohlecke M. Zeeman effect of the Cu2+ centre in cubic ZnS // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1974. Vol. 7. P. 2557—2568.
  26. Jida S., Yatabe. Т., Kinto H. P-Type Conduction in ZnS Grown by Vapour Phase Epitaxy. // Jap. J. of Appl. Phys. 1989. V.28. No. 4. Part 2. P. L535.
  27. A.H. Георгобиани, M.K. Шейнкман. Физика соединений AnBvl (М., Наука, 1986).
  28. Browne P. F. The origin of the infrared emission bands in zinc and cadmium sulphide phosphorus // J. Electron. 1956. Vol. 2. P. 95—97.
  29. Browne P. F. Luminescence of the sulphide phosphors // Ibid. P. 154 — 165.
  30. Halsted R. E., Apple E. F., Prener J. S. Radiative energy transfer in ZnS // Phys. Rev. Lett. 1958. Vol. 1. P. 134—136.
  31. Garlick G. F. J. Infrared phosphor-semiconductors // J. Phys. and Ghem. Solids. 1959. Vol. 8. P. 449—457.
  32. Ballentyne D. W. G. Infrared emission and electroluminescence in zinc sulphide phosphorus // Proc. Phys. Soc. 1961. Vol. 78. P. 348—353.
  33. Broser I., Broser-Warminsky R., Schulz H.-J. Ultrarot-Effekte und Anti-Stokes-Lumineszenz in ZnS and CdS-Kristallen // Proc. Intern. Gonf. Semicond. Phys. Prague, 1960. Prague, 1961. P. 771—775.
  34. Schulz H.-J. Uber die Ultrarot-Lumineszenz von Zinksulfid-Kristallen // Phys. status solidi. 1963. Vol. 3. P. 485—515.
  35. И., Воолайд X. Инфракрасное тушение люминесценции фосфоров типа сульфида цинка // Изв. АН ЭССР. Физика. Математика. 1969. Т. 18. G. 286—296.
  36. И. X., Воолайд X. Ю. ИК-тушение люминесценции и структура центров свечения фосфоров типа ZnS—Си // ЖПС. 1969. Т. 10. С. 79—83.
  37. И. X. ИК-эффекты и строение центров свечения в фосфорах типа сульфида цинка: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Тарт. гос. ун-т, 01.046.1970. 17 с.
  38. R. М., Aven М. Some electrical and optical properties of p-type zinc sulfide // Bull. Amer. Phys. Soc. 1959. Vol. 4. P. 227.
  39. Ullman F. G., Dropkin J. J. Infrared enhancement and quenching of photoconduction in single crystals of ZnS: Cu // J. Electrochem. Soc. 1961. Vol. 108. P. 154—159.
  40. A. H., Котляревский M. Б., Михаленко В. H. и др. Природа центров люминесценции в сульфиде цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью // ЖПС. 1981. Т. 35, вып. 4. С. 632—636.
  41. Weakliem H. A., Me Clure D. S. Symmetry of transition metal impurity sites in crystals as inferred from optical spectra // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. P. 347—354.
  42. Д., Пренер Д. С. Физика и химия соединений АгВб. М.: Мир, 1970. 348 с.
  43. Garlick G. F. J. Reports on progress in physics. L., 1967. Chapt. 2. P. 491— 560.
  44. Alfrey G. F., Meadowcroft. Electroluminescence spectra of zinc sulphide single crystals //Brit. J. Appl. Phys. 1965. Vol. 16. P. 1675—1680.
  45. Garlick G. F. J. L’Emission infra-rouge et le schema de niveaux communs aux phosphores ZnS, CdS, ZnCdS, etc. // J. phys. et radium. 1956. Vol. 17. P. 673.
  46. Bethe H. A. Termaufspaltung in Kristallen // Ann. Phys. 1929. Vol. 3. P. 133— 208.
  47. Liehr A.D. Reciprocation of electrostatic and electromagnetic forces in Ligand field theory // J. Phys. Chem. 1960. Vol. 64. P. 43−51.
  48. Griffith J. S. The theory of transition metal ions. Cambridge. 1961. 1964. 455 P
  49. Ballhausen C. J. Introduction to ligand field theory. L.- N. Y.: McGraw-Hill, 1962. 298 p.
  50. Liehr A.D. The coupling of vibrational and electronic motions in degenerate electronic states of inorganic complexes // Progr. Inorg. Chem. Intersci. 1961. Vol. 3. P. 281 — 314- 1962. Vol. 4. P. 455—540.
  51. Schlafer H. L., Gliemann G. Einfuhrung in die Ligandenfield Theorie. Frankfurt, а. M.: Изд-во, 1967. 535 S.
  52. И. Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. М.: Химия, 1976. 349 с.
  53. Birman J. L. Electronic structure of the centres in ZnS // Phys. Rev. 1961. Vol. 121. P. 144—145.
  54. Broser I., Maier H., Schulz H. J. Fine structure of the infrared absorption and emission spectra of Cu2+ in ZnS and CdS crystals // Ibid. 1965. Vol. 140. P. A2135 — A2138.
  55. Walter W., Birman J. L. Ligand-field-band theory of copper in ZnO: Cu and ZnS: Cu // Intern. Gonf. II—VI semicond. compounds. N. Y.: Benjiamin, 1967. P. 89—99.
  56. Birman J. L. Theory of luminescent centres and processes in ZnS-type II—VI compounds // Intern. Gonf. Luminescence. Budapest, 1966: Proc. Budapest: 1968. P. 919—961.
  57. Scharmann A., Grasser R. Strahlenschadigung anorganischer Leuchtstoffe // Intern. Symp. Lumineszenz. Munchen, 1965. S. 209—222.
  58. Grasser R., Scharmann A. Zur Lumineszenz und Lumineszenzzerstorung von ZnS-LeucHtstoffen // Ztschr. Phys. 1966. Bd. 189. S. 339—354.
  59. Grasser R., Roth G., Scharmann A. Excitation and temperature dependence of the blue luminescence of ZnS crystals // Ibid. 1971. Bd. 249. S. 91—100.
  60. Eckelt P., Madelung О., Treusch J. Band structure of cubic ZnS (Korringa-Kohn-Ros-toker method) // Phys. Rev. Lett. 1967. Vol. 18. P. 656—658.
  61. А. Г., Королька В. H., Степанченко Э. С. Два набора ловушек ZnS—Си, Т1 электролюминофоров //ЖПС. 1969. Т. 10. С. 876—877.
  62. А. Г., Королько Б. Н., Лисный И. Д., Лишний М. М. Инфракрасная электролюминесценция ZnS—Си, Т1 // ЖПС. 1969. Т. 10. G. 997—998.
  63. Bates С. A., Chandler P. E., Stevens K. W. H. Isomorphysms and the spin-phonon interaction for (3d)" ions // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1971. Vol. 4. P. 2017—2023.
  64. Hagston W. E. Molecular orbital theory for Cu2+ in tetrahedral coordination // Ibid. 1968. Vol. l.P. 810—817.
  65. Cox A. F. J., Hagston W. E. Correlation between infrared absorption and paramagnetic copper centers in zinc and cadmium sulphide // Ibid. 1970. Vol. 3.P. 1954—1962.
  66. Bates C.A. Tetrahedrally Coordinated Cu2+ Ions // Phys. Lett. A. 1969. Vol. 29. P. 252−253.
  67. С. А., Рыскин А. И. Фотоперенос дырок с ионов Ni2+ на ионы
  68. Си1+ в кристалле ZnS—Ni, Си // Оптика и спектроскопия. 1972. Т. 33, вып. 2. С. 273—283.
  69. С. А. Электронно-дырочные процессы на ионах никеля инекоторых других ионах группы железа в полупроводниковых соединениях А2Вб: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Тарту: 1972. 15 с.
  70. А. И. Спектроскопия сульфида цинка и других соединений AnBVI, активированных ионами переходных металлов: Автореф. дис.. д-ра физ.-мат. наук. Л.: 1973. 23 с. О
  71. Cleriaud В., Gelineau A. Jahn-Teller effect in the ZT2 state of Cu in ZnS //
  72. Phys. Rev. B. 1974. Vol. 9. P. 2832—2837.
  73. Maier H., Scherz U. Vibronic spectra and the dynamic Jahn-Teller effect ofcubic ZnS: Cu2+//Phys. status solidi (b). 1974. Vol. 62. P. 153—164.
  74. У. X. Инфракрасная люминесценция в сульфидах цинка и кадмия ицентр меди в регулярном узле // Тр. по электролюминесценции. Тарту, 1979. С. 95—138. (Учен. зап. Тарт. гос. ун-та- Вып. 509).
  75. Ермолович И, Б., Лукъянчикова Н. Б., Шейнкман М. К. Определениевыхода излучательного захвата электронов на очувствляющие рекомбинационные центры в CdS // ФТТ. 1967. Т. 9. С. 2899—2903.
  76. M. К&bdquo- Lyubchenko А. V., Ermolovich I.B. Radiative and nonradiative carrier capture mechanism in sensitizing recombination centres in cadmium sulphide // Intern. Conf. Luminescence. Budapest, 1966: Proc. Budapest, 1968. P. 1026—1034.
  77. M. А. Новая модель центров ИК-свечения и поглощения в системе ZnS—CdS // Физика и техника полупроводников. 1976. Т. 10, вып. 9. С. 1627—1633- 1977. Т. 11. С. 610—615.
  78. Физика и химия соединений AnBVI // Пер. с англ, под ред. Медведева С. 1. А.-М. :Мир, 1970.-624 с.
  79. Hartmann H., Mach R., Selle B. Wide gap II-VI compounds as electronic materials // Current topics in Materials Science. 1982. — V.9. — Edited by Kaldis E. — North-Holland Publishing Company.
  80. Liang W.Y., Yoffe A.D. Luminescence in hexagonal zinc selenide crystals //
  81. Philos.Mag. 1967. -V.16, N 144. — P. 1153−1156.
  82. В. В. Зоны и экситоны соединений группы АПВУ1 -Кишинев:1. Штиинца, 1980. 256 с.
  83. Walter J.P., Cohen M.L., Petroff Y., Balkanski M. Calculated and Measured
  84. Reflectivity of ZnSe and ZnTe // Phys. Rev. 1970. — V. l, N 6. — P. 2661 -2667.
  85. Physica. 1967. — V.34. — P.149−154. ?9. Shirakava Y" Kukimoto H. Near—band-edge photoluminescence in ZnSe grown from indium solution // J.Appl.Phys, — 1979. — V.51, N 4. — P.2014−2019.
  86. Dean P. J" Merz J.L. «Pair spectra» and «edge emission» in zinc selenide // Phys.Rev.B. 1969. — V. l78, N 3. -P. 1310−1318.
  87. Stringfellow G. B, Bube R.H. Photoelectronic Properties of ZnSe Crystals //
  88. Phys. Rev. 1968. — V.171. N 3. -P.903−915.
  89. A.H., Зада-Улы E., Муллабаев И. Д., Левонович Б. Н., Сердюк Н. В. Влияние изохронных отжигов на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинка, имплантированных Аг+ // Крат.сообщ.по физике.-1984.-№ 2. С. 55−59.
  90. А.Н., Котляревский М. Б. Проблемы создания инжекционных светодиодов на основе широкозонных полупроводниковых соединений AnBVI // Изв. АН СССР, сер.физическая. 1985. — Т.49, № 10. — С.1916−1922.
  91. Park Y.S., Chung С.Н. Type Conversion and p-n Junction Formation in Lithium-Ion-Implanted ZnSe // Appl.Phys.Lett,-1971. V. 18, N 13. — P.99-Ю2.
  92. Nishizawa J., Suzuki R., Okuno Y. p-type conduction in ZnSe grown by temperature difference method under controlled vapour pressure // J.Appl.Phys. 1986. — V.59, N 6. — P.2256−2258.
  93. Kun Z.K., Robinson R. Some characteristics of the formation of high conductivity p-layers in ZnSe and ZnSxSe (.x // J. of Electronic Materials. 1976.-V.5,N 1.-P.23−35.
  94. Bryant F.J. Ion implantation in group И-VI Compounds // Progress Crystal Growth and Charact. 1983 — V.6, N 2. -P.199−263.
  95. Terada T. Photo-conductivity of Phosphorus-Ion-Implanted Zinc Selenide //J.Phys.Soc.Jap. 1976. — V.40, N 4. — P. 1048−55.
  96. Chung C.H., Tai C.H. Injection luminescence in N-ion-implanted ZnSe // J.Luminescence. 1976, N 12/13. — P. 917−922.
  97. Santiago J.J., Ehret J.E., Woody W.R., Park Y.S. Annealing studies of broadband luminescence from ion-implanted ZnSe. // Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials / ed. Growder. Plenum, New York, 1973.-P. 353−362.
  98. Yu P.W., Park Y.S. p-Type Conduction in Undoped ZnSe // Appl.Phys.Lett. -1973. V.22, N 7. — P.345−347.
  99. Neumark G.P., Herko S.P. Li-doped ZnSe and problems of p-type conduction // J. of Crystal Growth. 1982. — V. 59″ N 2. — P. 189−195.
  100. Fitzpatrick B.P., Neumark G.P., Bhargava R.N., Vermaak J.S. Structural defects and p-type conductivity in ZnSe //Physica B. 1983. — V.116. — P. 487−491.
  101. Nishizawa J., Itoh K., Okuno Y., Sakurai F. Blue light emission from ZnSe p-n junctions // J.Appl.Phys. 1985.- V. 57. N 6. — P. 2210−2216.
  102. Kosai K. Fitzpatrick B.J.f Grimmeiss H.G., Bhargava R.N., Neumark G.P. Shallow acceptors and p-type ZnSe // Appl. Phys.Lett. 1979. — V.35, N 2. -P. 194−196.
  103. Park Y.S., Hemenger P.M., Chung C.H. p-type conduction in Li-doped ZnSe // Appl.Phys.Lett.- 1971. V. 18, N 2. — P. 45−46.
  104. Bube R.H., Lind E.L. Photoconductivity of Zinc Selenide Crystals and a Correlation of Donor and Acceptor Levels in II-VI Photoconductors // Phys.Rev. 1958. — V. l 10, N 5. — P. 1040−1049.
  105. Aven M., Segall B. Carrier Mobility and Shallow Impurity States in ZnSe and ZnTe //Phys.Rev. 1963. — V. l30, N 1.- P. 81−91.
  106. Aven M., Woodbury H.H. Purification of II-VII Compounds by Solvent extraction // Appl.Phys.Lett. 1962. — V. l, N 3. — P. 53−54.
  107. Holten W.C., de Wit M., Estle T.L. Self-activated ZnS and ZnSe: luminescence and electron spin resonance // Intern. Luminescence Sympos.Phys. and Chem. Szintillators, Munchen, 1965. P. 454−459.
  108. Aven M., Keunicott P.R. Semiconductor Device Concepts// Scientific Report N. AF-19 (628)-329, U.S.- Air Forse Cambridge Research Laboratories, Bedford, Massachusetts, 1964. P. 17−20.
  109. Emelyanenko O.V., Ivanova G.H., Lagunova T.S. et al. Scattering Mechanisms of Electrons of ZnSe Crystals with high Mobility // Phys.Stat.Sol.(b). 1979. — V.96, N 2.-P. 823−833.
  110. П.В., Недеогло Д. Д., Нгуен Ань Минь. Электрические свойства селенида цинка, легированного алюминием и галлием. В кн.: Физические процессы в полупроводниках. -Кишинев: Штиинца, 1977. -126 с.
  111. Jones G., Woods J. The electrical properties of Zinc Selenide // J.Phys.D: Appl.Phys. 1976. — V.9, N 5. — P. 779−810.
  112. Sethi B.R., Mathur P.E. Effect of Heavy Doping of ZnSe crystals with Indium in Creating Compensating Acceptors // Phys.Stat.Sol.(a). 1978. — V.46, N 2. -P. 717−720.
  113. Bhargava R.N., Seymour R.I., Fitzpatrick B.J., Herko S.P. Donor-acceptor pair bands in ZnSe // Phys.Rev.B. 1979. -V.20, N 6. — P. 2407−2419.
  114. Merz J.L., Nassau K., Shiever J.W. Pair Spectra and the Shallow Acceptors in ZnSe // Phys.Rev.B. 1973. — V.8, N 4. — P. 1444−1452.
  115. Shin B.K., Park Y.S., Look B.C. Electrical characteristics of Al-implanted ZnSe // Appl.Phys.Lett. 1974. V.24, N 9, — P. 435−436.
  116. Igaki K., Saton S. The electrical properties of zinc selenide heat—treated in controlled partial pressures of Constituent elements //Jap.J.of Appl.Phys. -1979.-V.18,N 10.- P. 1965−1971.
  117. Koda Т., Shionoya S. Nature of the Self-Activated Blue Luminescence Center in Cubic ZnS: CI Single Crystals // Phys.Rev.A. 1964. — V.136, N 2A. -P.541−555.
  118. Yoshikawa A., Tanaka K., Yamaga S., Kosai H. Growth of high-quality ZnSe films by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Jap. J. of Appl. Phys. 1984. -V. 23, N 6. — P. L424-L426.
  119. Dima I., Vasilin G. Photoconductivity of ZnSe thin films // Phys.St.Sol. -1967. V.22, N 2. — P. K79-K81.
  120. Taguchi Т., Ray B. Point defects in II-VI compounds // Progress Crystal Growth and Charact, 1983. — V.6, N 2. — P, 103−162,
  121. H.B. // Люминесценция селенида цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью и структур на его основе: Дис.. канд.физ.-мат.н., М., 1983.- 120 с.
  122. Watkins G.D. Irradiation effects in II-VI compounds // Radiation Effects in Semoconductors / ed. by J. W, Corbett and G.D.Watkins. Gordon and Breach, N.Y., 1971. — P. 301−309.
  123. Lee K.M., Dang L.S., Watkins G.D. Optically Detected Magnetic Resonance of Zinc Vacancy in ZnSe // Solid State Commun. 1980, — V.35, N 7. — P. 527−530.
  124. Halsted R.E., Aven M. Photoluminescence of defect exciton complexes in II-VI compounds // Phys.Rev.Lett, 1965. -V. 14, N 3. — P. 64−65.
  125. Merz J, L" Kukimoto H., Nassau K., Shiever J.W. Optical properties of substitional donors in ZnSe // Phys, Rev, B. -1972. V.6, N 2. — P.545−556.
  126. Roppisher H., Jacobs J., Novikov B.V. The influence of Zn and Se heat treatment on the exciton spectra of ZnSe single crystals // Phys. Status Solidi (a). 1975. — V.27, N 1. -P. 123−127.
  127. Saton S., Igaki K. Effect of Native Defect Concentration on Free Exciton Luminescence in Zinc Selenide. // Jap. J. of Appl. Phys. 1980. — V.19, N 10. — P.1953−1958.
  128. Jiang X. J., Hisamure Т., Nozne Y., Goto T. Optical Properties of the Ideep Bound Exciton in ZnSe // J.Phys.Soc. Japan. 1983. — V.52, N 11. — P.4008−4013.
  129. Swaminathan V., Greene L.C. Pair spectra, edge emission and the shallow acceptors in melt-grown ZnSe // Phys.Rev. B. 1976. — V.14, N 12. — P.5351−5363.
  130. Г. Н., Недеогло Д. Д., Новиков Б. В., Талалаев В. Г. Люминесценция связанных экситонных комплексов в монокристаллах ZnSe // ФТТ. 1981. — Т. 23, № 9. — С.2693−2699.
  131. Bhargawa R.N. The Role of Impurities in Refined ZnSe and other II VI semiconductros // J. Crystal Growth. — 1982. — V.59, N ½. — P. 15−26.
  132. Dean P.J., Herbert D.C., Werkhoven C.J., Fitzpatrick B.J., Bhargava R.N. Donor-abound- exciton excited states in zinc selenide // Phys.Rev.B. 1981. — V.23,N 10.-P.4888−4901.
  133. Dean P.J. Pitt A.D., Skolnick M.S., Wright P.J., Cockayne B. Optical properties of undoped organometallic grown ZnSe and ZnS // J. Crystal Growth. 1982. — V.59, N ½. -P.301−306.
  134. Bhargava R.N., Seymour R.I., Fitzpatrick B.J., Herko S.P. Donor-acceptor pair bands in ZnSe // Phys.Rev.B. 1979. -V.20, И 6. — P.2407−2419.
  135. Patel J.L., Davies J.J., Nichols J.E. Direct optically detected magnetic resonance observation of coper center associated with the green emission in ZnSe // J.Phys.C.: Sol.St. Phys. 1981. — V.14fN 35. — P.5545−5557.
  136. Hnang S.M., Nozne Y., Igaki K. Bound-exciton luminescence of Cu-doped ZnSe //Japan J.Appl.Phys. 1983. — V.22, N 7.- P. 1420−1422.
  137. Dieleman J., de Jong J.W., Meijer I. Acceptor Action of Alkali Metals in II-VI Compounds as Detected by Electron Spin Resonance Techniques // J. of Chemical Phys. 1966. — V.45, N 9. — P.3178−3184.
  138. Rosa A.J., Streetman B.G. Photoluminescence of Sodium Implanted Zinc Selenide // J.Luminescence. 1975. — V. 10, N 4.- P.211−219.
  139. Rosa A.J., Streetman B.G. Characterization of the edge emission in Na doped ZnSe // J.Luminescence. 1978. -V.16, N 2. — P. 191−198.
  140. Haberland D., Nelkowski H., Wallpach R.V. Pair spectra and exciton emission of sodium implanted ZnSe: Li // J.Luminescence. 1981. — N 24/25, Pt.l. — P.55−58.
  141. E.B., Давыдов А. А. Сублимация кристаллов CdS // Изв. AH СССР, сер.Неорг.мат. 1971, — T.7, № 4. — C.575−580.
  142. Tews H., Venghaus H., Dean PJ. Excited states of shallow acceptors in ZnSe // Phys.Rev.B. 1979. — V.19, N 10. -P.5178−5184.
  143. Godlewski M. Lamb W.E., Cavenett B.G. ODMR investigations of the nature of copper-green and copper-red PL bands in ZnSe // J.Luminescence. 1981. -N24/25.-P. 173−176.
  144. Godlewski M., Lamb W.E., Gavenett B.C. ODMR ivestigations of recombination processes in ZnSe: Cu // Sol.St.Commun. — 1981. V.39, N 4. — P.595−599.
  145. Dean P.J., Fitzpatrick B.J., Bhagava R.N. Optical properties of ZnSe doped with Ag and Au // Phys.Rev.B. 1982. -V.26, N 4. — P.2016−2035.
  146. Poolton N.R.J., Davies J.J., Nicholls J.E., Fitzpatrick F.J. ODMR investigation of gold-related deep-recombination centres in zinc selenide // J.Phys.C.: Solid State Phys. -1987. V.20. N 23. — P.3553−3558.
  147. Dean P.J., Stutins W., Neumark G.F., Fitzpatrick F.J., Bhargava R.N. Ionization energy of the shallow nitrogen acceptor in zinc selenide // Phys.Rev.B. 1983. — V.27, N 4. — P.2419−2428.
  148. Blanconnier P., Hogrel J.F. Jean-Lonis A.M., Sermage B. The High Pure ZnSe as Grown by OMCVD // J.Appl.Phys. 1981. — V.52, N11.- P.6895−6901.
  149. J. «Comment on p-type conduction in Li-doped ZnSe // Appl.Phys.Lett. -1971. V. 19, N 4. — P.84−85.
  150. Park Y.S. Reply to «Comment on p-Type Conduction in Li-Doped ZnSe» // Appl. Phy s.Lett. 1971. — V. 19, N 4. — P.85.
  151. J. // In II-VI Semicindueting Compounds / edited by O.G.Thomas, W.A.Benjamin., New York, 1967. P. 199.
  152. J.H. // In II-VI Semiconducting Compounds / ed. By D.G.Thomas, W.A.Benjamin, New York, 1967, p. 207.77
  153. Dieleman J. Observation of Se super hyperfine structure on the electron-paramagnetic resonance of Fe3+(3d) in cubic ZnSe // Philips Res.Repts. -1965. v.20, N 2. — P.206−212.
  154. Henning J.C. M., Boom H. van den, Dieleman J. Electron-spin resonance of C02+ in cubic ZnSe // Phil.Res.Repts. 1966. — V.21. N 1. — P. 16−26.
  155. Reinberg A.R., Holton W.C., Wit M. de, Watts R.K. Phosphorous and arsonic centers in ZnSe. II. Optical and electrical properties. // Phys.Rev.B. 1971. -V.3, N 2. — P. 410−416.
  156. Neumark G.F. Are impurities the cause of self-compensation in large-band-gap semiconductors //J.Appl.Phys. 1980. — V.51, N 6. — P.33 83−3387.
  157. Neumark G.F.J. Effect of deep levels on semiconductor carrier concentrations in the case of «strong» compensation // Phys.Rev.B. 1982, — V.26, N 4. -P.2250−2252.
  158. Owen M. High electron mobility in Zinc selenide through low-temperature annealing // J.Appl.Phys. 1971. — V.43, N 3. — P. 1204−1208.
  159. A.H., Котляревский М. Б., Леонтьева O.B., Пегов А. А. Собственно-дефектные электрически активные акцепторные центры в селениде цинка р-типа // Кратк. сообщ. по физике. 1986. — № 6. — С.21−23.
  160. А.Н., Котляревский М. Б., Пегов А. А., Урусов Б. Г. Спектры фотопроводимости собственно-дефектного селенида цинка р-типа // Кратк. сообщ. по физике. 1986. — № 8. — С.27−29.
  161. Saton S., Igaki К. Bound Exciton Emission of Zinc Selenide // JapJ.Appl.Phys. 1981. — V.20, N 10. — P.1889−1895.
  162. Saton S., Igaki K. Photoluminescence and Electrical Properties of Undoped and Cl-Doped ZnSe // Jap J.Appl.Phys. 1983. — V.22, N 1. — P.68−75.
  163. Bryant F.J., Manning P. S. Selenium displacement and the infrared cathodoluminescence of Zinc Selenide // J.Phys. C.: Solid State Phys. 1972. — V.5, N 14. — P.1914−1920.
  164. Kishida S., Matsura K., Nagase H., Mori H., Takeda F., Tsurumi I. The photosensitive optical absorption bands in Zn-treated and neutron-irradiated ZnSe single crystals // Phys. Status Solidi (a). 1980. — V.95, N 1. — P. 155 164.
  165. Matsuura K., Tsurumi I., Takeds F. Optical absorption and lattice defects induced by neutron irradiation and heat treatment in ZnS crystals // Phys.Stat.Sol. (a). 1975. — V.28, N 1, — P.379−385.
  166. Kishida S., Matsuura K., Fukuma H., Takeds F., Tsurumi I. Optical absorption bands in neutron irradiated ZnSe and ZnSo, sSeo, 5 crystals // Phys.Stat.Sol.(b). 1982. — V. 113, N 1. — P. K31-K32.
  167. Lentwein K., Ranber A. Optical and photoelectric properties of the F-centre in ZnS // Solid State Comm. 1967. — V.5, N 3. — P.773−786.
  168. Schneider J., Rauber A, Electron Spin Resonance of the F-centre in ZnS // Solid State Comm. 1967. — V.5, N 3. — P.779−781.
  169. B.T., Добротворский C.C. Влияние окислительной среды и термообработки на стехиометрию поверхности кристаллов ZnSe // Поверхность. 1984. — № 6. — С. 145−152.
  170. А.Н., Котляревский М. Б. Управление дефектным составом и инверсия типа проводимости в широкозонных полупроводниках A"BVI. Труды П Всесоюзн.совещ. по широкозонным полупроводникам. Л., 1979. — С.71−85.
  171. А.Н., Котляревский М. Б., Михаленко В. Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS р-типа // Тр.ФИАН. 1983. -Т.138. — С.79−135.
  172. Дж. Дефекты решетки в соединениях AUBV1 — в кн. «Точечные дефекты в твердых телах», М.:Мир, 1971. — серия «Новости физики твердого тела», — вып.9. — С.221−258.
  173. А.Н., Грузинцев А. Н., Озеров Ю. В., Тигиняну И. М. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках -Труды ФИАН. 1985. -Т.163. — С.39−127.
  174. А.Н., Грузинцев А. Н., Тигиняну И. М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широкозонных полупроводниках // Изв. АН СССР, сер.физическая. 1985. — Т.49, № 10. — C. I899-I904.
  175. Vodolazskii P.V., Kiyak B.R., Matsko M.G., Nosov V.B., Petrovskii G.T., Shatilov A.V. Reversible and irreversible changes in exciton spectra of ZnSe luminescence // Phys. status solidi (a). 1984. — v.87, N 1. — P. K69-K71.
  176. П.JI. Комплексный метод определения схемы и энергии активации образования дефектов в полупроводниках AnBVI // Изв. АН СССР, сер.Неорг.мат., 1980. Т. 16, № 9. — С. 1509−1513.
  177. П.Л., Палмре Н. В. Центры свечения в нелегированном ZnSe и энергии активации их образования // Изв. АН СССР, сер.Неорг.мат. -1980. Т.16, № И. — C. I9I6−1920.
  178. Kukk P., Palmire О., Mellikov F, The structure of recombination centres in activated ZnSe // Phys. Status Solidi (a). 1982. — V.70, N 1. — P.35−42.
  179. Н.В. Кинетика квазихим. реакций в примесном ZnSe // Автореф.дисс. канд.хим.наук. Свердловск, 1979. — 20с.
  180. Williams F.E. Theory of the energy levels of donor-acceptor pairs // J.Phys.Chem.Solids. 1960. — V.12, N 2. — P.265−275.
  181. Л.М. Регулирование массопереноса в газотранспортной системе селенид цинка-водород-инертный газ // Изв. АН СССР, сер. Неоргмат. -1982. Т. 18, № 6. — С.899−905.
  182. Hitier G., Curie D., Visocekas R. Emission de baundes larges dans ZnSe: cathodoluminescence, thermoluminescence, transitions ohces and centres profonds // J.Phys. 1981.- V.42, N 3. — P.479−481.
  183. Ymaguchi M., Shiegematsu T. Behavior of Coper Impurity in ZnSe // Japan J.Appl.Phys. 1978. — V. 17, N 2. — P.335−340.
  184. Yamaguchi M., Yamomoto A., Kondo M. Photoluminescence of ZnSe single crystals diffused with a group III element // J.Appl.Phys. — 1977. -V.48, N 12. — P.5237−5244.
  185. Serdyuk V.V., Koreneva N.N., Vaksmann. Y.E. Studies of long-wave luminescence of Zinc selenide monocrystals // Phys. Status Solidi (a). 1985. — V.91, N 1. — P.173−185.
  186. Ю.Ф., Макушин H.B., Сердюк B.B. Форма элементарных полос самоактивированной фотолюминесценции монокристаллов ZnSe:Al. -ВИНИТИ, 2568−2576, деп.
  187. Ю.Ф., Макушин Н. В., Сердюк В. В. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe, легированных А1 // ЖПС. -1976. Т.25, № 5. — С.832−835.
  188. М.К., Беленький Г. Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe // ФТП. 1968. — Т.2, № И. -С.635−641.
  189. Dunstan D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J. Zinc vacancy associated defects and donor-acceptor recombination in ZnSe // J.Phys.C.: Sol.St.Phys. 1980. — V.13, N 34. — P.6409−6419.
  190. П.Л., Палмре Н. В. Отжиг центров свечения в селениде цинка // В кн. «Тезисы докладов ХХУ совещания по люминесценции (кристаллофосфоры)», Львов, 1978. С. 168.
  191. A.M. Развитие представлений о химической природе центров свечения цинк-сульфидных люминофоров // Успехи химии. 1966. -Т.35, № 8. — С.1495−1526.
  192. Н.К. Спектр изоэлектронных ловушек кислорода в сульфиде цинка // ЖПС. 1982. — Т.36, № I. — С. 163.
  193. Д.В., Пащенко Ю. А., Морозова Н. К., Кузнецов В. А., Галстян В. Г., Долуханян Т. П., Хирген В. Н. Особенностимонокристаллов ZnSe, выращенных в гидротермальных условиях // Кристаллография. 1986. — Т.31, вып.4, — С.710−725.
  194. Ю.А., Галстян В. Г., Морозова Н. К. Связанные и локализованные на кислороде экситонные состояния в спектрах монокристаллов селенида цинка, полученных разными методами. // Физика п/п материалов, межвуз.сб.научн.тр., М., МЭИ, 1985. № 76.
  195. Н.К., Пащенко Ю. А., Боровикова С. С. Температурная зависимость концентрации собственных точечных дефектов в селениде цинка. // Сб.научн.трудов МИЭТ «Физич.основы микроэлектроники (1986).
  196. А.А., Горьков Л. П., Дзялошинский И. Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М.:Физматгиз, 1962, 437 с.
  197. Bonley J.C., Blanconnier P., Herman A., Ged P., Henoc P., Noblanc J.P. Luminescence in highly conductivity n-type ZnSe // J.Appl.Phys. 1976. -V.46, N 9. — P.3549−3555.
  198. Kasai P.H., Otomo Y. Electron paramagnetic resonance studies of the ZnS A and В centres //J.Chem.Phys. 1962. -V.37, N 6.- P. 1263−1275.
  199. Shionoya S. Optical properties of defects in И-VI Semiconducting Compounds / ed. D.G.Thomas, Benjamin New York, 1967, p. 1−39.
  200. Cavenett B.C. Magneto-optical Investigations of Recombination Radiation in Inorganic Crystals // Luminescence spectroscopy, ed.M.D.Lamb, Academic Press, New York, 1978. p.299−368.
  201. Davies J.J. Optically detected magnetic resonance and its applications // Contemporary Physics. 1976. — V. 17, N 3. — P.275−294.
  202. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: Физматгиз. — 1979, 283 с.
  203. Е.Е., Григорьев H.H., Фок М.В. Применение метода поляризованных диаграмм для исследования одноосных кристаллов // Труды ФИАН. 1974. — Т.79. — С.108−144.
  204. С.С., Танатар М. А., Шейнкман М. К. Поляризованная люминесценция анизотропных центров в гексагональных кристаллах // Опт. и спектроскопия. -1960. Т.46, вып.4. — С.778−784.
  205. И. А., Остапенко С. С. Поляризационные диаграммы люминесценции кубических кристаллов в двухдипольном приближении // Укр.физ.журнал. 1985. — Т. ЗО, № 6. — C.86I-865.
  206. Dean P.J. Photoliminescence as a diagnostic of semiconductors // Progress Crystal Growth and Charact. 1982. — V.5, N ½. — P.88−174.
  207. С.Г., Нагорный В. П., Соовик T.A. Поляризованное Ат-излучение кристаллов KCl-Ga и KBr-Ga при 0,4−20 К // Оптика и спектроскопия. 1984. — Т.57, в.5. — С.952−954.
  208. С.Г., Нагорный В. П., Соовик Т. А. Поляризованное Ах-излучение Ga+ -центров в кристаллах KCl-Ga и KBr-Ga // ФТТ. 1985. -Т.27, в.З. — С.700−709.
  209. С.Г. Исследование структуры возбужденных состояний ртутеподобных центров в кубических кристаллах методом поляризованной люминесценции // Изв. АН СССР, сер.физическая. -1982.-Т.46,№ 2.- С.273−279.
  210. Н.Д. Оптическая анизотропия и миграция энергии в молекулярных кристаллах. М.: Наука, 1987. — 167 с.
  211. В.М., Гинзбург В. Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М.: Наука, 1979. -432 с.
  212. Г. Е., Букке Е. Е., Вознесенская Т. И., Горбачева H.A., Григорьев H.H., Фок М.В. Визуализация структурных нарушений вкристаллах типа ZnS методом декорирования антрахиноном // Труды ФИАН. 1981. — Т.129. — С. 66−128.
  213. A.B. Основы оптической кристаллографии. М.: Изд-во АН СССР, 1958.-205 с.
  214. Г. С. Оптика. М.: Наука, — 1976. — 927 с.
  215. С.С., Танатар М. А., Шейнкман М. К. Симметрия анизотропных центров самоактивированного свечения монокристаллов ZnSe // Укр.физ.журнал. 1981. — Т.26, № 9. — C. I526-I527.
  216. А.Н. Широкозонные полупроводники АцВу1 и перспективы их применения. // УФН. 1974. Т. 113. № 1. С. 129−155.
  217. А.Н., Илюхина З. П., Левонович Б. Н., Сердюк Н. В. Электролюминесцентные характеристики светодиода на основе ZnSe. // ФТП, 1984, т.18, вып. 3, с.408−411.
  218. Ю.В., Левит А. Д., Левонович Б. Н., Панасюк Е. И., Сердюк Н. В. // О возможности выращивания кристаллов ZnSe с дырочной проводимостью. // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1983, № 7, с.42−45.
  219. Nishizawa J., Itoh К., Okuno Y., Sakurai F. Blue light emission from ZnSe p-n junctions //J.Appl.Phys. 1985.- V. 57. N 6. — P. 2210−2216.
  220. Yasuda Т., Wistsuishi J., Kukimoto H. Metalorganic Vapour phase epitaxy of low-resistivity p-type ZnSe. // Appl. Phys. Lett. (USA). 1988. V.52. N.l. P. 5759.
  221. Haanstra J.H., Dieleman J. Electrochem. Soc. Ext. abstr., 14, 2 (1965).
  222. А., Дин П. «Светодиоды», «Мир», М. (1979).
  223. Калеева 3. П., Панасюк Е. К, Туницкая В. Ф. и др. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS // ЖПС. 1969. Т. 10, вып. 5. С. 819— 824.
  224. Илюхина 3. П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф. и др. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS // Люминесценция и нелинейная оптика. М.: Наука, 1972. С. 38—63. (Тр. ФИАН- Т. 59).
  225. Е. И. Технологические методы приготовления монокристаллов сульфида цинка с различными оптическими и электрическими свойствами: Автореф. дис. канд. техн. наук. 05.17.16. М., 1972. 22 с.
  226. А. И., Лавров А. В., Панасюк Е. И. Влияние донорно-акцепторных примесей на катодолюминесценцию монокристаллов ZnS // Изв. АН СССР, Сер. физ. 1969. Т. 33. № 6. С. 980—983.
  227. М.Е., Левит А. Д., Панасюк Е. И., Сердюк Н. В. Выращивание илюминесцентные свойства объемных кристаллов нелегированного селенида цинка с дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, сер. Неорг.мат. 1986. — Т. 22, № 3. — С. З87−391.
  228. Е.В., Давыдов A.A. Сублимация кристаллов CdS // Изв. АН СССР, сер.Неорг.мат. 1971, — Т.7, № 4. — С.575−580.
  229. Л.М. Регулирование массопереноса в газотранспортной системе селенид цинка-водород-инертный газ // Изв. АН СССР, сер. Неоргмат. -1982. Т. 18, № 6. — С.899−905.
  230. Фок M. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева // Люминесценция и нелинейная оптика. М.: Наука. 1972. С. 3—25. (Тр. ФИАН: Т. 59).
  231. Е. А. Термоэлектрические охлаждающие приборы. М.- Л.: Изд-во АН СССР. 1963. 191 с.
  232. Ullman F. G., Dropkin J. J. Infrared enhancement and quenching of photoconduction in single crystals of ZnS: Cu // J. Electrochem. Soc. 1961. Vol. 108. P. 154—159.
  233. Г. Е., Букке E.E., Вознесенская Т. И., Горбачева H.A., Григорьев H.H., Фок M.B. Визуализация структурных нарушений в кристаллах типа ZnS методом декорирования антрахиноном // Труды ФИАН. -1981. Т.129. — С. 66−128.
  234. A.B. Основы оптической кристаллографии. М.: Изд-во АН СССР, 1958. — 205 с.
  235. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. радио, 1974. -328 с.
  236. В.М., Охотин A.C., Боровикова Р. П., Пушкарский A.C. Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников. М., Атомиздат, 1969. — 370 с.
  237. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys., Vol. 45, № 7, July 1974. —PP. 3023 -3032.
  238. Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. — Л.: Наука, 1981. — 176 С.
  239. A.M. Развитие представлений о химической природе центров свечения цинк-сульфидных люминофоров // Успехи химии. 1966. Т. 35. С. 1495—1526.
  240. Калеева 3. П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф. и др. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS //ЖПС. 1969. Т. 10, вып. 5. С. 819— 824.
  241. Samelson H., Lempicki A. Fluorescence of cubic ZnS: Cl crystals // Phys. Rev.1962. Vol. 125. P. 901—909.
  242. Kroger F. A., Vink H. J. The origin of the fluorescence in self-activated ZnS,
  243. CdS and ZnO // J.Chem. Phys. 1954. Vol. 22. P. 250−252.
  244. Ichizo U. Fluorescence of pure zinc sulfide in correlation with deviation fromstoichiometry // J. Phys. Soc. Jap. 1964. Vol. 19. P. 670—674.
  245. A.A., Русанова А. И. О некоторых свойствах ZnS-, ZnS.CdS- и
  246. ZnS.ZnSe-люминофоров // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1949. Т. 13. С. 173— 187.
  247. А. А. Образование цинксульфидных люминофоров при отсутствииплавней и строение центров свечения // ЖФХ. 1956. Т. 30. С. 2260—2266.
  248. А. А. Диспропорционирование в твердой фазе как причина появления способности к люминесценции у халькогенидов металлов подгруппы цинка//Изв. АН СССР. Сер. физ. 1962. Т. 26. С. 527—531.
  249. Ч. Б. К теории термического высвечивания // ДАН СССР. 1955. Т. 101. С. 641—644.
  250. J. Т., Wilkins M.H.F. Phosphorescence and electron traps // Proc. Roy. Soc. 1945. Vol. 184. P. 366107.
  251. В.Ф. О составе голубой полосы излучения ZnS(Cl)-фocфopoв // ЖПС. 1969. Т. 10, вып. 6. С. 1004—1007.
  252. Е. Е., Вознесенская Т. И., Голубева Н. П. и др. Разложение на элементарные полосы спектра голубой люминесценции «самоактивированного» ZnS //ЖПС. 1970. Т. 12. С. 1047—1052.
  253. Е. Е., Вознесенская Т. И., Голубева Н. П. и др. Применение обобщенного метода Аленцева для анализа спектра сине-голубой люминесценции ZnS // Люминесценция и нелинейная оптика М.: Наука, 1971. С. 26—37. (Тр. ФИАН- Т. 59).
  254. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева // Люминесценция и нелинейная оптика. М.: Наука. 1972. С. 3—25. (Тр. ФИАН: Т. 59).
  255. В.Ф. Чувствительность к инфракрасному свету самоактивированных монокристаллов сульфида цинка // ЖПС. 1970. Т. 12, вып. 4. С. 722—725.
  256. Ребане К.-С. К. О глубоких уровнях захвата в фосфорах ZnS // Оптика и спектроскопия. 1958. Т. 4, вып. 2. С. 211—216.
  257. Ребане К .-С. К. Тушение свечения ZnS—Cu-фосфора инфракрасным светом // Изв. АН СССР. 1959. Т. 23, № 11. С. 1296—1299.
  258. Ребане К.-С. К, Сакаринен Э. Влияние температуры на инфракрасное тушение // Оптика и спектроскопия. 1960. Т. 8, вып. 4. С. 545—549.
  259. Ребане К.-С. К., Руттас В. И. Влияние активатора на спектры ИК-стимуляции и тушения фосфоров ZnS // ЖПС. 1965. Т. 2, вып. 4. С. 350— 355.
  260. В. И. Влияние плавня на спектры ИК-стимуляции фосфоров ZnS //ЖПС. 1967. Т. 6, вып. 1. С. 107—109.
  261. Ребане К .-С. К., Руттас В. И. О стимуляции фосфоров ZnS при низких температурах // ЖПС. 1967. Т. 6. Вып. 5. С. 637—639.
  262. Ребане К .-С. К. Стимуляция и тушение люминесценции инфракрасным светом // Люминесценция кристаллов. Тарту: Изд-во, 1978. С. 107—129. (Тр. ИФА АН СССР- Т. 48).,
  263. А. И., Лавров А. В., Панасюк Е. И. Влияние донорно-акцепторных примесей на катодолюминесценцию монокристаллов ZnS // Изв. АН СССР, Сер. физ. 1969. Т. 33. № 6. С. 980—983.
  264. Klein W. Exzitonenemission von Hexagonalem ZnS bei Anregung mit 50-keV-Electronen //J. Phys. and Chem. Solids. 1965. Vol. 26. P. 1517—1521.
  265. Ю. В., Георгобиани А. Я., Гершун А. С. и др. Ультрафиолетовая электролюминесценция сульфида цинка // Оптика и спектроскопия, 1966. Т. 20. С. 183—184.
  266. В. Ф., Филина Т. Ф., Панасюк Е. И., Илюхина 3. 77. Температурные свойства индивидуальных голубых полос самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров излучения //ЖПС. 1971. Т. 14, вып. 2. С. 239 — 245.
  267. Т. С., Туницкая В. Ф. К вопросу о механизме вспышки и тушения ZnS—Ре(С1)-люминофоров // Там же. 1970. Т. 12, вып. 2. С. 295—300.
  268. В. Ф., Филина Т. Ф., Панасюк Е. И., Илюхина 3. 77. Свойства индивидуальных полос голубого излучения самоактивированногосульфида цинка и природа соответствующих центров свечения // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т. 35, № 7. С. 1437 — 1440.
  269. В. Ф. Спектры возбуждения подполос голубого излучения самоактивированного сульфида цинка // ЖПС. 1972. Т. 16, вып. 6. С. 1033—1036.
  270. Илюхина 3. П., Панасюк Е. К, Туницкая В. Ф. и др. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS // Люминесценция и нелинейная оптика. М.: Наука, 1972. С. 38—63. (Тр. ФИАН- Т. 59).
  271. Ю. #., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2,66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного ZnS // Там же. 1973. Т. 19, вып. 3. С. 469—474.
  272. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966. 323 с.
  273. Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964.283 с.
  274. Ю. П. Кинетика люминесценции температурно-чувствительных кристаллофосфоров: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. 044. М.: 1971. 22 с.
  275. Ребане К.-С. К. Температурное тушение рекомбинационной люминесценции // Материалы XIX совещ. по люминесценции. Рига, Ч. 2. 1970. С. 180—182.
  276. Maeda К. Temperature dependence of pair band luminescence in GaP // J. Phys. and Chem. Solids. 1965. Vol. 26. P. 595−605.
  277. Era K, Shionoya S., Washizawa Y. Mechanism of broad-band luminescence in ZnS phosphorus//Ibid. 1968. Vol. 29. P. 1827—1857.
  278. В. Ф., Лепнев Л. С. Чувствительность самоактивированного ZnS к инфракрасному свету // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. № 9. С. 1984—1988.
  279. В. Ф., Лепнев Л. С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом // ЖПС. 1977. Т. 26, вып. 4. С. 706—711.
  280. Ву Куанг, Фок М. В. О соотношении между оптической и термической глубинами электронных ловушек // Центры люминесценции в кристаллах // М.: Наука, 1974. С. 39—63. (Тр. ФИАН- Т. 79).
  281. Фок М. В. Оценка параметров центров локализации дырок и электронов по тушащему и вспышечному действию инфракрасного света // Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4. С. 1009—1014.,
  282. В. Г., Ефименко А. В., Тале И. А., Туницкая В. Ф. Исследование энергетического спектра электронных ловушек в самоактивированных кристаллах сульфида цинка методом фракционного термовысвечивания // ЖПС. 1975. Т. 23. вып. 4. С. 648—653.
  283. В. В. Исследование оптических и термических процессов в центрах захвата сульфидных люминофоров: Автореф. дис.. канд. физ,-мат. наук. М., 1970. 11 с.
  284. А. К, Маев Р. Г., Озеров Ю. В. и др. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. С. 1979— 1983.
  285. Cleriaud В., Gelineau А. Jahn-Teller effect inthe *Г2 State of Cu in ZnS //
  286. Phys. Rev. B. 1974. Vol. 9. P. 2832—2837.
  287. . И. Прыжковая проводимость слабо легированных полупроводников // ФТП. 1972. Т. 6. С. 1197—1226.
  288. Л. С., Панасюк Е. К, Туницкая В. Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности ихзаполнения // Люминесценция кристаллов. Труды ФИАН, М.: Наука, 1983, Т. 138, С. 135—156.
  289. Bryant F. J., Kydd R. F. Thermally stimulated current and thermoluminescence in zinc sulphide // Solid State Communs. 1974. Vol. 15. P. 1929—1932.
  290. В. Ф. Термовысвечивание ZnS-фосфоров в области температур 14—77 К // Оптика и спектроскопия. 1963. Т. 14. С. 445—446.
  291. В. Л., Туницкая В. Ф. О некоторых люминесцентных характеристиках ZnS—Mn-фосфоров в области 15—77 К // Там же. 1965. Т. 18. С. 328—330.
  292. Riehl N., Thoma Р. Untersuchungen im Tieftemperaturbereich uber Electronen. Haitstellen sehr geringer energetischer Tiefe // Ztschr. angew. Phys. 1962. Bd. 14. S. 751 — 754.
  293. Sweet M. A. S., Urquhart D. Shallow traps in ZnS single crystals // Phys. status solidi (a). 1979. Vol. 54. P. K81 — K83.
  294. Sweet M. A. S., Urquhart D. Analysis of low-temperature traps in ZnS single crystals // Phys. status solidi (a). 1980. Vol. 59. P. 223—231.
  295. E. К, Рыскин А. К, Хилъко Г. И. О структуре кристаллов ZnS, выращенных из газовой фазы // Крат, сообщ. по физике ФИАН. 1970. № 10. С. 42—47.
  296. А. Н., Котляревский М. Б. Управление дефектным составом и инверсия типа проводимости в широкозонных полупроводниках AnBVI // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л.: Инт ядер, физики, 1979. С. 71—88.
  297. Ч. Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах // Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах. Тарту: 1955. С. 1—230. (Тр. ИФА ЭССР- № 3).
  298. В. Л., Туницкая В. Ф., Черепнев А. А. О происхождении уровней локализации в —Си, Со-фосфорах // Оптика и спектроскопия. 1956. Т. 1. С. 255—263.
  299. Л. С., Туницкая В. Ф. Инфракрасная фотолюминесценция самоактивированных монокристаллов сульфида цинка // ЖПС. 1982. Т. 36, вып. 1. С. 40—42.
  300. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева // Люминесценция и нелинейная оптика. М.: Наука. 1972. С. 3—25. (Тр. ФИАН: Т. 59).
  301. . Н. Электронные и дырочные энергетические переходы при инфракрасной электролюминесценции соединений А2В6: Дис.. канд. физ.-мат. наук. 01.04.07. Киев, 1973. 149 с.
  302. А. Н., Лепнев Л. С., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф. Исследование центров инфракрасной фотолюминесценции в кристаллах нелегированного сульфида цинка: Препринт ФИАН, № 274. М.: 1983. 58 с.
  303. Brown P. F. Infrared luminescence of zinc and cadmium sulphide phosphorus // J. Electron. 1956. Vol. 2. P. 1—16.
  304. Фок M. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964.283 с.
  305. Ю. П., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2,66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного ZnS // Там же. 1973. Т. 19, вып. 3. С. 469—474.
  306. Л. С., Панасюк Е. К, Туницкая В. Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности ихзаполнения // Люминесценция кристаллов. М.: Наука, 1983. С. 135—156. (Тр. ФИАН- Т. 138).
  307. Ю. В. Ультрафиолетовая люминесценция сульфида цинка при электронном и оптическом возбуждении // Излучательная рекомбинация в полупроводниковых кристаллах. М.: Наука, 1973. С. 3—94. (Тр. ФИАН- Т. 68).
  308. Broser /., Schulz H. J. A comparative study of infrared luminescence and some other optical and electrical properties of ZnS: Gu single crystals // J. Electrochem. Soc. 1961. Vol. 108. P. 545—548.
  309. M. К., Любченко А. В. Два параллельных механизма захвата носителей на один рекомбинационный центр // Докл. АН СССР. 1966. Т. 167. С. 795—798.
  310. М. К, Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Механизмы оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции в монокристаллах CdS и параметры соответствующих центров свечения // ФТТ. 1968. Т. 10. С. 2628—2631.
  311. Godlewski M, Lamb W. E., Cavenett B. C. ODMR investigations of IR photoluminescence in ZnS: Cu // Ibid. 1982. Vol. 15. P. 3925—3942.
  312. Лепнев Л. C» Панасюк E. И., Туницкая В. Ф. Исследование фотопроводимости самоактивированного сульфида цинка // V Всесоюз.совещ. «Физика и техн. применение полупроводников AnBVI «, Вильнюс, 1983: Тез. докл. Вильнюс, 1983. Т. 1. С. 79.
  313. Potter R. M, Aven M Some electrical and optical properties of p-type zinc sulfide // Bull. Amer. Phys. Soc. 1959. Vol. 4. P. 227.
  314. Ullman F. G., Dropkin J. J. Infrared enhancement and quenching of photoconduction in single crystals of ZnS: Cu // J. Electrochem. Soc. 1961. Vol. 108. P. 154—159.
  315. И. А., Боган Я. P., Болика В. А., Витол И. К. О механизме рекомбинационных процессов в сульфиде цинка // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1966. Т. 30. № 9. С. 1560—1562.
  316. А. Н., Котляревский М. Б., Михаленко В. Н. и др. Природа центров люминесценции в сульфиде цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью // ЖПС. 1981. Т. 35, вып. 4. С. 632—636.
  317. В. И. Влияние плавня на спектры ИК-стимуляции фосфоров ZnS //ЖПС. 1967. Т. 6, вып. 1. С. 107—109.
  318. Ребане К .-С. К, Руттас В. И. О стимуляции фосфоров ZnS при низких температурах //ЖПС. Вып. 5. С. 637—639.
  319. Ю. П., Фок М. В. Кинетика рекомбинационного взаимодействия примесных центров в кристаллофосфорах // Рекомбинационная люминесценция и лазерная спектроскопия. М.: Наука, 1980. С. 3—54 (Тр. ФИАН- Т. 117).
  320. М. Д., Раевский А. В. Температурное тушение люминесценции кристаллофосфора ZnS—Ag при возбуждении светом или а-частицами // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1959. Т. 23. С. 1280—1282.
  321. Ю. В., Георгобиани А. Н., Дементьев Б. П. и др. Управление стехиометрией полупроводников A.IBVI ионным легированием // Физика и техника полупроводников. 1976. Т. 10. С. 316—319.
  322. А. Н., Дементьев Б. П., Котляревский М. Б. и др. Исследование дефектообразования в монокристаллах ZnS при ионной имплантации компонентов соединения // Изв. вузов. Физика. 1977. № 10. С. 61—67.
  323. Ю. В., Илюхина 3. П., Лепнев Л. С., Туницкая В. Ф. Фотолюминесценция сульфида цинка с ионно-имплантированной примесью неона // ЖПС. 1979. Т. 30,. вып. 2. С. 263—266.
  324. Ю. В., Демин В. И., Лепнев Л. С., Туницкая В. Ф. Влияние облучения монокристаллов ZnS ионами неона на интенсивности полос фотолюминесценции//ЖПС. 1980. Т. 33. вып. 6. С. 1040—1044.
  325. А. 3., Лепнев Л. С., Туницкая В. Ф. Влияние облучения у-квантами на интенсивности полос фотолюминесценции самоактивированного сульфида цинка//ЖПС. 1983. Т. 39, вып. 5. С. 856—857.
  326. Л.С. Лепнев, Е. И. Панасюк, В. Ф. Туницкая. Зависимость инфракрасной фотолюминесценции сульфида цинка от температуры и интенсивности возбуждающего света. ЖПС, 1985, т.42, № 3, с.484−487.
  327. А.Н. Георгобиани, Л. С. Лепнев, Е. И. Панасюк, В. Ф. Туницкая. Оптические переходы с участием инфракрасных центров в сульфиде цинка. Журн. прикл. спектроск., 1985, т.42, № 3, с.443−451.
  328. А.Н. Георгобиани, Л. С. Лепнев. Исследование фотопроводимости самоактивированного сульфида цинка. Журн. прикл. спектроск., 1985, 42, 4, 594−599.
  329. М.Е., Левит А. Д., Панасюк Е. И., Сердюк Н. В. Выращивание и люминесцентные свойства объемных кристаллов нелегированного селенида цинка с дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, сер. Неорг.мат. 1986. — Т. 22, № 3. — С.387−391.
  330. Физика и химия соединений AnBVI // Пер. с англ, под ред. Медведева С. А.- М.: Мир, 1970.-624 с.
  331. М.Е., Георгобиани А. Н., Илюхина З. П., Клейбанов М.С., Левит
  332. А.Д., Лепнев Л. С. Взаимосвязь экситонной и длинноволновой (~ 500 нм) люминесценции селенида цинка, содержащего щелочные металлы // Кратк.сообщ. по физике. 1986. — № 9. — С.37−39.
  333. М.Е., Георгобиани А. Н., Илюхина З. П., Левит А. Д., Лепнев Л. С., Случ М. И. Влияние лития на образование центров фотолюминесценции в селениде цинка // Кратк.сообщ. по физике. 1984. -№ 6. -С. 18−20.
  334. Д. Д., Симашкевич А. В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка // Кишинев: Штиинца, 1984. -150 с.
  335. Steiner Т., Thewalt M.L.W, Bhargava R.N. Photoluminescence lifetimes of bound excitons in ZnSe // Solid State Comm,-1985. V.56, N11, — P.933−936.
  336. Blanconnier P., Hogrel J.F. Jean-Lonis A.M., Sermage B. The High Pure ZnSe as Grown by OMCVD//J.Appl.Phys. 1981. — V.52, N 11. — P.6895−6901.
  337. А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. М.: Мир, 1966.291 с.
  338. А.Н., Грузинцев А. Н., Тигиняну И. М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широкозонных полупроводниках // Изв. АН СССР, сер.физическая. 1985. — Т.49, № 10. — C. I899-I904.
  339. . Оптические процессы в полупроводниках. / Перевод с англ, под ред. Ж. И. Алферова, В. С. Вавилова. // М.: Мир. 1973. 456 с.
  340. А.Н., Котляревский М. Б. Управление дефектным составом и инверсия типа проводимости в широкозонных полупроводниках AnBvl. -Труды П Всесоюзн.совещ. по широкозонным полупроводникам. Л., 1979. -С.71−85.
  341. Bryant F.J., Manning P. S. Selenium displacement and the infrared cathodoluminescence of Zinc Selenide // J.Phys. C.: Solid State Phys. 1972. -У.5, N 14. — P.1914−1920.
  342. Ray A, K» Kroger F.A. The Defect Structure of Pure and Doped ZhSe // J.Electrochem.Soc.: Solid-state Science and Technology. 1978. — V.125. N 8 — P.1348−1355.
  343. Apperson J., Vorobiov Y., Garlick G.F. The photoluminescence and photoconduction of manganese-activated zinc selenide // Brit.J.Appl.Phys. -1967. У.18, N4. — P.389−399.
  344. M.K., Беленький Г. Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe // ФТП. 1968. — Т.2, № II. -С.635−641.
  345. Е.В., Давыдов А. А. Выращивание ориентированных монокристаллов сульфида кадмия из паровой фазы // Изв. АН СССР, сер.Неорг.мат. 1975. — в. Н, № 10. — С. 1755−1758.
  346. Haberland D., Nelkowski H., Wallpach R.V. Pair spectra and exciton emission of sodium implanted ZnSe: Li // J.Luminescence. 1981. — N 24/25, Pt.l. -P.55−58.
  347. Hnang S.M., Nozne Y., Igaki K. Bound-exciton luminescence of Cu-doped ZnSe // Japan J.Appl.Phys. 1983. — V.22, N 7.1. P.1420−1422.
  348. Neumark G.F. Are impurities the cause of self-compensation in large-band-gap semiconductors // J.Appl.Phys. 1980. — V.51, N 6. — P.3383−3387.
  349. Vodolazskii P.V., Kiyak B.R., Matsko M.G., Nosov V.B., Petrovskii G.T., Shatilov A.V. Reversible and irreversible changes in exciton spectra of ZnSe luminescence // Phys. status solidi (a). 1984. — v.87, N 1. — P. K69-K71.
  350. A.H., Зада-Улы E., Муллабаев И. Д., Левонович Б. Н., Сердюк Н. В. Влияние изохронных отжигов на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинка, имплантированных Аг+ // Крат.сообщ.по физике.-1984.-№ 2. С. 55−59.
  351. Shin В.К., Park Y.S., Look B.C. Electrical characteristics of Al-implanted ZnSe // Appl.Phys.Lett. 1974. У.24, N 9.- P. 435−436.
  352. Igaki K., Saton S. The electrical properties of zinc selenide heat—treated in controlled partial pressures of Constituent elements //Jap.J.of Appl.Phys. -1979. У.18, N 10.- P. 1965−1971.
  353. B.T., Добротворский C.C. Влияние окислительной среды и термообработки на стехиометрию поверхности кристаллов ZnSe // Поверхность. 1984. — № 6. — С. 145−152.
  354. П.Л. Комплексный метод определения схемы и энергии активации образования дефектов в полупроводниках AHBVI // Изв. АН СССР, сер.Неорг.мат., 1980. Т. 16, № 9. — С. 1509−1513.
  355. Watkins G.D. Irradiation effects in II-VI compounds // Radiation Effects in Semiconductors / ed. by J. W, Corbett and G.D.Watkins. Gordon and Breach, N.Y., 1971.-P. 301−309.
  356. Дж. Дефекты решетки в соединениях AnBVI — в кн. «Точечные дефекты в твердых телах», М.:Мир, 1971. — серия «Новости физики твердого тела», — вып.9. — С.221−258.
  357. Neumark G.F., Gatlow C.R.A. Interstitial Li and Na in ZnSe-pairing energies and lattice location // J.Phys.C. 1984. — V. 17, N 34. — P.6087−6092.
  358. Dima I., Vasilin G. Photoconductivity of ZnSe thin films // Phys.St.Sol. 1967. — V.22, N 2. — P. K79-K81.
  359. Yoshikawa A., Tanaka K., Yamaga S., Kosai H. Growth of high-quality ZnSe films by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Jap. J. of Appl. Phys. 1984. -V. 23, N 6. — P. L424-L426.
  360. Neumark G.F.J. Effect of deep levels on semiconductor carrier concentrations in the case of «strong» compensation // Phys.Rev.B. 1982, — V.26, N 4. -P.2250−2252.
  361. Owen M. High electron mobility in Zinc selenide through low-temperature annealing // J.Appl.Phys. 1971. — V.43, N 3. — P.1204−1208.
  362. С. Д., Мартынов В. П., Кобелева С. П. и др. Температурная зависимость равновесных парциальных давлений цинка и селена над селенидом цинка//Электрон. техника. Сер. 6. Материалы. 1980. Вып. 11. С. 87—89.
  363. Ray А. К- Kroger F. A. The defect structure of pure and doped ZnSe//J.Electrochem. Soc.: Solid-state Science and Technology. 1978. V. 125. № 8. P. 1348—1355.
  364. H. К, Пащенко Ю. А., Боровкова С. Г. Анализ равновесия собственных точечных дефектов в селениде цинка//Химия твердого тела. Свердловск: Изд. Уральского политехи, ин-та, 1986. С. 56.
  365. Н. В. Люминесценция селенида цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью и структур на его основе: Автореф. дис. канд. хим. наук. М.: Изд. ФИАН СССР, 1984.
  366. Neumark G. F. Are impurities the cause of «self"-compensation in large-band-gap semiconductors?//!. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 6. P. 3383—3387.
  367. Ю. Watkins G. D. Radiation effects in semiconductors. N. Y.: Gordon and Breach, 1971. P. 301.
  368. H. Lee R. M., Dang L. S., Watkins G. D. Optically detected magnetic resonance of the zinc vacancy in ZnSe//Solid State Communs. 1980. V. 35. № 7. P. 527— 530.
  369. Bryant F. J., Manning P. S. Selenium displacement and the infrared cathodoluminescence of zinc selenide//J. Phys. C: Solid State Phys. 1972. V. 5. P. 1914—1920.
  370. Kishida S., Matsura K., Nagase H., Mori H., Takeda F., Tsurumi I. Thephotosensitive optical absorption bands in Zn-treated and neutron-irradiated ZnSe single crystals // Phys. Status Solidi (a). 1980. — V.95, N 1. — P. 155 164.
  371. Jiang X. J., Hisamure Т., Nozne Y., Goto T. Optical Properties of the Ideep Bound Exciton in ZnSe // J.Phys.Soc. Japan. 1983. — V.52, N 11. — P.4008−4013.
  372. Д. Д., Симашкевич А. В, Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка. Кишинев: Штиинца, 1984. С. 20, 85. >. Merz J. L., Nassau К, Shiever J. W. Pair spectra and shallow acceptors in
  373. A.H., Левит А. Д., Клейбанов M.C. и др. Равновесный состав кристаллов ZnSe и ZnSe, легированного Li, сосуществующих с парами цинка и селена // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. Т. 25. № 12. С. 1978 -1982.
  374. Е.В., Давыдов А. А. Выращивание ориентированных монокристаллов сульфида кадмия из паровой фазы // Изв АН СССР. Неорган, материалы. 1975. Т. 11. № 10. С. 1755 1758.
  375. Jiang X. J., Hisamure Т., Nozne Y., Goto T. Optical Properties of the Ideep Bound Exciton in ZnSe // J.Phys.Soc. Japan. 1983. — V.52, N 11. — P.4008−4013.
  376. Merz J.L., Massau K., Shiever J.W. Pair Spectra and the Shallow Acceptors in ZnSe // Phys. Rev. B. 1973. V. 8. No. 4. P. 1444 -1452.
  377. Neumark G.F., Herco S.P. Li Doped ZnSe and Problems of p-Type Conduction //J. Cryst. Growth. 1982. V. 59. No. 1−4. P. 189−195.
  378. M.E., Георгобиани A.H., Илюхина З. П., Клейбанов М. С., Левит А. Д., Лепнев Л. С. Люминесценция ZnSe:Li, Na р-типа проводимости // Ш Всесоюзн. совещ. «Физика и технология широкозонных полупроводников», 10−12 сент., Махачкала, 1986, с.164−165.
  379. М.Е. Агельменев, А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, М. С. Клейбанов, А. Д. Левит, Л. С. Лепнев. Люминесценция селенида цинка, легированного щелочными металлами. Известия АН СССР, сер. Неорг. мат., 1989, т. 25, с. 731−736.
  380. Ш. Д. Алиев, М. С. Клейбанов, А. Д. Левит, Л. С. Лепнев, П. А. Тодуа. Соотношение концентраций собственных точечных дефектов и остаточных примесей Li и Na в кристаллах CdS, ZnS и ZnSe. КСФ, 1991, № 3, с.27−30.
  381. Ш. Д. Алиев, А. Н. Георгобиани, М. С. Клейбанов, А. Д. Левит, Л. С. Лепнев. Состав точечных дефектов ZnSe как следствие процесса самокомпенсации остаточной примеси. КСФ, 1992, № 5,6, с.35−38.
  382. Ш. Д. Алиев, А. Н. Георгобиани, М. С. Клейбанов, А. Д. Левит, Л. С. Лепнев. Самокомпенсация амфотерной примеси в ZnSe. Неорганические материалы, 1993, т. 29, № 10, с. 1395−1398.
  383. Е.Е., Григорьев H.H., Фок М.В. Применение метода поляризованныхдиаграмм для исследования одноосных кристаллов // Труды ФИАН. -1974. -Т.79. -С.108−144.
  384. Н.Д. Естественное двупреломление в кубическом кристалле селенида цинка. // Опт. и спектроскопия. -1983. Т.55, в.5. -С.966−969.
  385. Н.М., Грум-Гржимайло C.B. Методы исследования оптических свойств кристаллов. М.: изд-во АН СССР, 1954. 190 с.
  386. Г. Е., Букке Е. Е., Вознесенская Т. И., Горбачева H.A., Григорьев H.H., Фок М.В. Визуализация структурных нарушений в кристаллах типа ZnS методом декорирования антрахиноном // Труды ФИАН. 1981. — Т.129. — С. 66−128.
  387. И.А. Процессы фотоионизации ионов хрома, железа и титана в селениде цинка: диссерт. канд.физ.-мат.наук.-М., 1985. 173 с.
  388. Kosai К. Fitzpatrick BJ. f Grimmeiss H.G., Bhargava R.N., Neumark G.P. Shallow acceptors and p-type ZnSe // Appl. Phys.Lett. 1979. — V.35, N 2. — P. 194−196.
  389. B.B., Салов B.B., Хвостов B.A., Шейнкман М. К. Оже-механизм взаимодействия центров люминесценции с ДА-парами в сульфиде кадмия // ФТП. 1976. — Т. 10, в. 12. — С.2288−2293.
  390. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: Физматгиз. — 1979, 283 с.
  391. М.Е., Георгобиани А. Н., Илюхина З. П., Левит А. Д., Лепнев Л. С., Случ М. И. Влияние лития на образование центров фотолюминесценции в селениде цинка // Кратк.сообщ. по физике. 1987. -№ 6.-С. 18−20.
  392. Era К., Shionoya S., Washizawa Y., Ohmatsu H. Mechanism of broad-band luminescence in ZnS phosphors. II. Characteristics of pair emission type luminescence // J.Phys. and Chem.Sol. 1968. — V.29, N 10. — P. 1843−1857.
  393. Д. Д., Симашкевич А. В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка // Кишинев: Штиинца, 1984. -150 с.
  394. Дж. Дефекты решетки в соединениях AHBVI — в кн. «Точечные дефекты в твердых телах», М.:Мир, 1971. — серия «Новости физики твердого тела», — вып.9. — С.221−258.
  395. Watkins G.D. Irradiation effects in II-VI compounds // Radiation Effects in Semoconductors / ed. by J. W, Corbett and G.D.Watkins. Gordon and Breach, N.Y., 1971. — P. 301−309.
  396. Galland D., Herve A. ESR spectra of the zinc vacancy in ZnO // Phys.Lett. -1970. V.33A, N 1. — P. 1 -2.
  397. Taylor A.L., Pilipovich G., Lindeberg G.K. Identification of Cd vacancies in neutron irradiated CdS by electron paramagnetic resonance // Solid State Comm. 1971. — V.9, N 13. — P.945−947.
  398. Maffeo В., Herve A., Rins G., Santier C., Picard R. Ender measurements of paramagnetic of the V center in irradiated BeO // Solid State Communs. 1972.- V.10, N 12. P.1205−1208.
  399. Dunstan D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J. Zinc vacancy associated defects and donor-acceptor recombination in ZnSe // J.Phys.C.: Sol.St.Phys. -1980. V.13,N34. — P.6409−6419.
  400. Lee K.M., Dang L.S., Watkins G.D. Optically Detected Magnetic Resonance of Zinc Vacancy in ZnSe // Solid State Commun. 1980, — V.35, N 7. — P. 527 530.
  401. Stringfellow G. B, Bube R.H. Photoelectronic Properties of ZnSe Crystals // Phys. Rev. 1968. — V. 171. N 3. -P.903−915.
  402. C.C., Танатар M.A., Шейнкман M.K. Симметрия анизотропных центров самоактивированного свечения монокристаллов ZnSe // Укр.физ.журнал. 1981. — Т.26, № 9. — С. 15 261 527.
  403. М.Е., Георгобиани А. Н., Лепнев Л. С. Деполяризация фотолюминесценции селенида цинка // Препринт ФИАН СССР. -1988.- № 45, 32 с.
  404. А.Н. Широкозонные полупроводники AjjBvi и перспективы их применения.//УФН. 1974. Т.113. № 1. С. 129−155.
  405. А.Н., Илюхина З. П., Левонович Б. Н., Сердюк Н. В. Электролюминесцентные характеристики светодиода на основе ZnSe. // ФТП, 1984, т.18, вып. 3, с.408−411.
  406. Ю.В., Левит А. Д., Левонович Б. Н., Панасюк Е. И., Сердюк Н. В. // О возможности выращивания кристаллов ZnSe с дырочной проводимостью. // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1983, № 7, с.42−45.
  407. Nishizawa J., Kazuomi J., Okuno Y., Sakurai F. Blue light emission from ZnSe p-n junctions // J. Appl. Phys. 1985. V. 57, No.6. P. 2210−2216.
  408. Yasuda Т., Wistsuishi J., Kukimoto H. Metalorganic Vapour phase epitaxy of low-resistivity p-type ZnSe. // Appl. Phys. Lett. (USA). 1988. V.52. N.l. P. 5759.
  409. Dean P.J. Fitzpatrick B.J., Bhargava R.N. Optical properties of ZnSe doped with Ag and Au // Phys.Rev.B. 1982. -V.26, N 2. — P.2016−2035.
  410. Stringfellow G. B, Bube R.H. Photoelectronic Properties of ZnSe Crystals // Phys. Rev. 1968. — V.171. N 3. -P.903−915.
  411. Haanstra J.H., Dieleman J. Electrochem. Soc. Ext. abstr., 14, 2 (1965).
  412. A.H., Котляревский М. Б., Михаленко B.H., в сб. «Люминесценция кристаллов», Труды ФИАН, М.,"Наука», 1983, т.138, с. 79−134.
  413. Akimoto К., Miyajima Т., Mori Y. Electroluminescence from a ZnSe p-n Junction fabricated by Nitrogen-Ion Implantation. // Jap.J. of Appl.Phys. 1989. V.28. No.4. p. L528-L530.
  414. Akimoto K., Miyajima Т., Mori Y. Tlectroluminescence in an Oxygen-Doped ZnSe p-n junction Grown by Molecular Beam Epitaxy. // Jap.J. of Appl.Phys. 1989. V.28, No.4., p. L531−534.
  415. A.H., Котляревский М. Б., в кн. «Физика соединений под ред. Георгобиани А. Н., Шейнкмана М. К., М. Наука, 1986. -320 с.
  416. Jida S., Yatabe. Т., Kinto H. P-Type Conduction in ZnS Grown by Vapour Phase Epitaxy. //Jap. J. of Appl. Phys. 1989. V.28. No. 4. Part 2. P. L535.
  417. А., Дин П. «Светодиоды», «Мир», М. (1979).
  418. П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. // Зарубежная радиоэлектроника. 1981. № I. с.3−50.
  419. Poolton N.R. et al. J. Cryst. Growth, 72, 336 (1985).
  420. A.H. Е.Зада-Улы, И. Д. Муллабаев, Б. Н. Левонович, H.B.Сердюк. Влияние изохронных отжигов на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинка, имплантированных Аг+ Краткие сообщения по физике ФИАН, 1984, № 2, с.55−59.
  421. М.А. и др. Проективные пробеги и разбросы пробегов для 1240 комбинаций ион-мишень в интервале энергий 20 кэВ < Е < 1000 кэВ. М., изд-во МГУ, 1974.
  422. А.Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Л. С. Лепнев, И. Д. Муллабаев. Фотолюминесценция селенида цинка, имплантированного серебром. Тезисы докладов VI Всесоюзного совещания по люминофорам, Ставрополь, 1989, с. 39.
  423. Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М., Советское радио, 1978.
  424. В.И. Прямая ветвь вольтамперной характеристики несимметричного диода. // ФТТ, 1961, т. З, вып.1, с. 185−193.
  425. . Оптические процессы в полупроводниках. / Перевод с англ, под ред. Ж. И. Алферова, В. С. Вавилова. // М.: Мир. 1973. 456 с.
  426. Dunstan D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J. Zinc vacancy associated defects and donor-acceptor recombination in ZnSe // J.Phys.C.: Sol.St.Phys. -1980. V.13, N 34. — P.6409−6419.
  427. A.H., Львова Е. Ю., Фок M.B. Исследование электрон-фононного взаимодействия в ZnS методом электролюминесценции в слабых полях.
  428. Труды ФИАН, «Люминесценция и анизотропия кристаллов сульфида цинка». 1985. Т. 164. с.3−43.
  429. . Квантовые процессы в полупроводниках. М., Мир, 1986.
  430. Davies J.J., Nicholls J.E., Fitzpatrick B.J. J. Cryst. Growth, 72, № 1−2, 336 (1985).
  431. J. Jiang X. J., Hisamure Т., Nozne Y., Goto T. Optical Properties of the Ideep Bound Exciton in ZnSe // J.Phys.Soc. Japan. 1983. — V.52, N 11. — P.4008−4013.
  432. Santiago J, J. et al. Ion implantation in semiconductors and other materials. N.Y., 1973.
  433. Bhargawa R.N., Seymour R.J., Fitzpatrick B.J., Herko S.P. Donor-acceptor pair bands in ZnSe. // Phys. Rev. 1979. B. v.20. No.6. p.2407−2419.
  434. Wu Z. L, Merz J.L., Werkhoven C.J., Fitzpatrik B.J., Bhargava R.N. Shallow N acceptor in I^-implanted ZnSe. // Appl. Phys. Lett. 1982 V.40. P. 345−346.
  435. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys., Vol. 45, № 7, July 1974. PP. 3023 -3032.
  436. Э.Х. «Контакты металл-полупроводник"1, «Радио и связь», М. (1982).
  437. A.M. Физико-химические исследования, как основа для выбора оптимальных условий получения люминофоров и определения их микроструктуры. // Известия АН СССР, серия физическая. 1976, Т.40. с.1904−1913.
  438. W. В., Wessels В. W., Nitrogen related defect centers in zinc selenide //J. Appl. Phys., Vol. 55, № 6, March 1984. — PP. 1614−1616
  439. Christianson K.A., Wessels B.W. Detection of traps in high conductivity ZnSe by optical transient capacitance spectroscopy. J.Appl.Phys. 1983. v. 54. No.7 p.4205−4208.
  440. Verity D., Bryant F.J., Davies J.J., Nichols J.E., Scott C.G., Shaw D. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annealed ZnSe single crystals. // J. Phys. C, 1982, v.15, No.26, p.5497−5505.
  441. Ido Т., Okada M. Detection of traps in ZnSe grown by liquid phase epitaxy // J. Crystal Growth., Vol. 72, № ½, 1985. — P. 170.
  442. Bala W. Deep levels at the interface of ZnSe-ZnO structures. // Acta Phys. Pol. A, 1986, v. A69, No.5, p.783−786.
  443. Bawolen B.J., Wessels B.W. Thin Solid Films, 102, No. 3, p. 251 (1983).
  444. Holtz P.O., Monemar В., Lozykowski H.J. Optical properties of Ag-related centers in bulk ZnSe. // Phys. Rev. В., 1985, v.32, No.2, p. 986−996.
  445. Swaminathan V., Greene L.C. Low Temperature photoluminescence in Ag-doped ZnSe. // J. Luminesc, 1976, No. 14, p.357−363.
  446. Ф.А. «Химия несовершенных кристаллов», «Мир», М.,(1969),
  447. А. Н. Илюхина З.П., Лепнев Л. С. и др., Труды координационного совещания социалистических стран по физическим проблемам оптоэлектроники. «Оптоэлектроника 89», с. 37, Баку, (1989).
  448. Фок М.В., в сб. «Рекомбинационная люминесценция и лазерная спектроскопия», Труды ФИАН, М. «Наука», 1980.Т.117, с. 80.
  449. А.И., Коротков В. А., Пека Т. П., Симашкевич А. В. Исследование глубоких центров селенида цинка методом релаксации барьерной емкости. // Физ. и техн. полупроводн., 1982, № 16, вып.6, с. 1005−1009.
  450. Aven M., Woodbury H.H. Purification of II-VII Compounds by Solvent extraction // Appl.Phys.Lett. 1962. — V. l, N 3. — P. 53−54.
  451. Mircea A., Mitonneau A. A study of Electron Traps in Vapour-Phase Epitaxial GaAs. //Appl.Phys. 1975. v.8. p.15−21.
  452. Ralph H.I., Hughes. F.D. Capture Cross section of trapping centres in polar semiconductors. // Solid State Commun., 1971, v. 9, No. 17, p. 1477−1480.
  453. Bryant F.J., Manning P. S. Selenium displacement and the infrared cathodoluminescence of Zinc Selenide // J.Phys. C.: Solid State Phys. 1972. — V.5.N 14. -P.1914−1920.
  454. G.D. «Radiation Effects in Semiconductors, edited by J.W.Corbett and G.D.Watkins, p.301, Gordon and Breach, N.Y. (1971).
  455. Kishida S., Matsura K., Nagase H., Mori H., Takeda F., Tsurumi I. Thephotosensitive optical absorption bands in Zn-treated and neutron-irradiated ZnSe single crystals // Phys. Status Solidi (a). 1980. — V.95, N 1. — P. 155 164.
  456. A.H., Левит А. Д., Клейбанов M, C., Лепнев Л. С., Агельменев М. Е. Равновесный состав кристаллов ZnSe и ZnSe, легированного Li, сосуществующих с парами цинка и селена. // Изв. АН СССР, Неорг. Матер. 1989. т.25. № 12. с.1978−1982.
  457. Фок М. В. Свойства электролюминесценции как проявление отклонения системы от термодинамического равновесия. // в сб. «Люминесценция кристаллов». Труды ФИАН. М. «Наука». 1983. Т.138. с.3−24.
  458. Н.В., «Люминесценция селенида цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью и структур на его основе», Автореферат канд. дисс., ФИАН, М., (1984).
  459. А. Милне, Д. Фойхт. Гетеропереходы и контакты металл-полупроводник (М., Мир, 1975).
  460. М., Kido К., Naito Н., Kirosawa К., Okuda М., Fujino Т., Kitagawa М. //Phys. Stat. Solidi (a), Vol. 117, № 2, 1990. —P. 515.
  461. Besomi P., Wessels B. W. Deep level defects in heteroepitaxial zinc selenide //
  462. J. Appl. Phys., Vol. 53, № 4, 1982. — PP. 3076−3084.
  463. Grimmeiss H. G., Kullendorff N. A steady-state constant capacitance method for the characterization of deep energy levels in semiconductors // J. Appl. Phys., Vol. 51, № 11, 1980. —PP. 5852−5858.
  464. Ни В., Karczewski G., Luo H., Samarth N., Furdyna J.K. Gallium-related defect centers in molecular-beam-epitaxy grown ZnSe films: influence of electric field on thermal emision of electrons // Phys. Rew. B, Vol. 47, № 15, 1993. —PP. 9641−9649.
  465. Karczewski G., Hu W., Yin A., Luo H., Furdyna J. K. Deep electron states inchlorine-doped ZnSe films grown by molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys., Vol. 75, № 11, June 1994. — PP. 7382−7388.
  466. Shirakawa Y., Kukumoto H., Deep levels in ZnSe/GaAs heterojunctions // J. Appl. Phys., Vol. 51, № 11, November 1980. — PP. 5859−5863.
  467. E.B. Астрова, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев. Влияние последовательногосопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней. // ФТП. 1985. № 19, вып.8. с. 1382−1385.
  468. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984. — 456 С.
  469. Stolt L., Bohlin К. Deep-level transient spectroscopy measurements using high
  470. Schottky barriers // Sol. State Electron., Vol. 28, № 12, 1985. — PP. 12 151 221.
  471. A. H., Котляревский M. Б., Кидалов В. В., Георгобиани А. А.,
  472. И. В. Исследование механизма роста пленок ZnO и ZnSe, полученных методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии, на подложках ZnS и ZnSe II Неорган, материалы, Т. 29, № 10, 1993. — С. 1399−1403.
  473. И. П., Никитенко В. А. Окись цинка: получение и оптическиесвойства. — М.: Наука, 1984. — 166 С.
  474. Miyamoto S. The origin of the ultraviolet emission in ZnO phosphors // Jap. J.
  475. Appl.Phys., Vol. 16, № 6, 1978. —PP. 1129−1130.
  476. Д. Д., Симашкевич А. В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка. — Кишинев: Штиинца, 1984. — 150 С.
  477. Gutowski J., Pressler N., Kudlek G. Optical properties of ZnSe epilayers andfilms // Phys. Stat. Sol. A, Vol. 120, № 1, 1990. — PP. 11−59.
  478. Ohkawa Т., Mitsuyu Т., Yamazaki O. Molecular beam epitaxial growth of nitrogen-doped ZnSe with ion doping technique // J. Cryst. Growth, Vol. 86, 1988. —PP. 329−334.
  479. Qui J., DePuydt J. M., Cheng H., Haasse M. A. Heavily doped p-ZnSe: Ngrown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., Vol. 59, 1991. — P. 2992.
  480. Hauksson I. S., Simpson J., Wang S. Y., Prior K. A., Cavenett В. C. Compensation processes in nitrogen doped ZnSe II Appl. Phys. Lett., Vol. 61, № 18, 1992. — PP. 2208−2210.
  481. H. К., Каретников И. А., Гаврищук E. M. Роль кислорода вформировании глубоких центров люминесценции ZnSe II Неорган, материалы, Т. 35, № 8, 1999. — С. 917−922.
  482. Jones G., Woods G. The luminescence of self-activated and copper-doped zincselenide // J. Luminescence, № 9, 1974. — PP. 389−405.
  483. А.Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Л. С. Лепнев, И. Д. Муллабаев. Влияние имплантации азота на электрические характеристики ZnSe: Ag+ и электролюминесценцию р-n переходов на его основе. КСФ, 1990, № 2, с.29−31.
  484. РОССИЙСКАЯ <�оОУЯА3С7ВЕН H? II БИБЛИОТЕКА-Iki52 q -02
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!