Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Спиновая динамика электронов и экситонов в квантовых ямах и квантовых точках

Диссертация: Спиновая динамика электронов и экситонов в квантовых ямах и квантовых точках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Теоретические и экспериментальные исследования полупроводниковых наноструктур составляют наиболее активно развивающуюся область современной физики конденсированнного состояния. Движение носителей заряда в таких структурах ограничено в одном или нескольких направлениях, что приводит за счет эффектов размерного квантования к качественной перестройке энергетического спектра носителей заряда и других… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Влияние межчастичного взаимодействия на спиновую релаксацию электронов
    • 1. 1. Спиновая релаксация носителей заряда (обзор)
    • 1. 2. Кинетическая теория спиновой релаксации с учетом электрон-электронных столкновений
      • 1. 2. 1. Интеграл межэлектронных столкновений
      • 1. 2. 2. Спиновое расщепление в полупроводниках
      • 1. 2. 3. Решение кинетического уравнения. Тензор обратных времен спиновой релаксации
      • 1. 2. 4. Спиновая релаксация невырожденного двумерного электронного газа
      • 1. 2. 5. Спиновая релаксация двумерного электронного газа с произвольной степенью вырождения
    • 1. 3. Сопоставление с экспериментальными данными
    • 1. 4. Краткие итоги
  • 2. Спиновая динамика двумерных электронов в условиях электронного парамагнитного резонанса
    • 2. 1. Влияние магнитного поля на спиновую релаксацию носителей (обзор)
    • 2. 2. Интерференция ларморовского и циклотронного эффектов
      • 2. 2. 1. Релаксация продольной компоненты спина
      • 2. 2. 2. Время поперечной релаксации
    • 2. 3. Сравнение с экспериментом
    • 2. 4. Спиновая динамика в структурах большим спин-орбитальным расщеплением
      • 2. 4. 1. Спиновые биения без магнитного поля
      • 2. 4. 2. Влияние внешнего магнитного поля на спиновые биения
    • 2. 5. Краткие итоги
  • 3. Спиновые биения электронного газа во внешнем магнитном поле
    • 3. 1. Оптическая ориентация спинов свободных носителей в двумерном электронном газе (обзор)
    • 3. 2. Механизмы формирования оптических сигналов Керра и Фарадея
    • 3. 3. Спиновые биения двумерного электронного газа при резонансном возбуждении трионов и экситонов
      • 3. 3. 1. Резонансное возбуждение трионов
      • 3. 3. 2. Резонансное возбуждение экситонов
    • 3. 4. Сопоставление с экспериментом
    • 3. 5. Краткие итоги
  • 4. Тонкая структура и спиновая динамика экситонов в квантовых точках
    • 4. 1. Тонкая структура экситонных состояний в квантовых точках (обзор)
    • 4. 2. Тонкая структура экситонных состояний в немагнитных квантовых точках
      • 4. 2. 1. Структура экситонного уровня S — Р
      • 4. 2. 2. Структура экситонного уровня Р — Р
    • 4. 3. Экситонные уровни в квантовых точках с единичным магнитным ионом
    • 4. 4. Сравнение с экспериментом
    • 4. 5. Краткие итоги

Спиновая динамика электронов и экситонов в квантовых ямах и квантовых точках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Теоретические и экспериментальные исследования полупроводниковых наноструктур составляют наиболее активно развивающуюся область современной физики конденсированнного состояния [1, 2]. Движение носителей заряда в таких структурах ограничено в одном или нескольких направлениях, что приводит за счет эффектов размерного квантования к качественной перестройке энергетического спектра носителей заряда и других квазичастиц. Это существенным образом сказывается на оптических и кинетических свойствах низкоразмерных систем, приводит к ряду новых физических явлений.

С другой стороны, возрастающий интерес привлекают спиновые явления в твердых телах. Понижение симметрии наноструктур по отношению к объемным полупроводникам, с одной стороны, и локализация носителей на меньших масштабах, с другой, увеличивают роль спин-орбитального взаимодействия в таких системах. В последние годы значительные усилия направлены на изучение специфики спин-орбитального взаимодействия в низкоразмерных структурах, на исследование спиновой динамики носителей заряда и их комплексов. Достижения в области оптической ориентации спинов электронов и дырок, инжекции спин-поляризованных носителей в гетероструктуры, управлении спиновой динамикой носителей внешними полями открывают возможности для создания устройств, в основе которых заложено применение дополнительной степени свободы частицих спина [3]. Особое внимание приковывает изучение спиновой динамики в квантовых точках, где электроны и дырки демонстрируют очень большие времена спиновой релаксации, в то время как их комплексы (экситоны) теряют свой спин на значительно меньших временных масштабах [4, 5]. Перспективной выглядит возможность создания структур, сочетающих полупроводниковые и магнитные материалы, в частности, квантовых точек, содержащих единичные магнитные ионы [6].

Исследование спиновой динамики носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах позволяет извлекать информацию как о кинетических параметрах электронов и дырок (таких как времена релаксации носителей по спину и по импульсу, частоты межчастичных столкновений), т&к и о тонкой структуре энергетического спектра носителей заряда и их комплексов.

Сказанное выше определяет актуальность темы диссертации.

Целью настоящего исследования является изучение кинетических и оптических эффектов в полупроводниковых гетероструктурах: квантовых ямах и квантовых точках — обусловленных процессами спиновой динамики носителей заряда и тонкой структурой их энергетического спектра.

Научная новизна работы состоит в решении конкретных задач:

1. Построить теорию спиновой релаксации электронов проводимости в полупроводниковых квантовых ямах с учетом межчастичного взаимодействия.

2. Изучить влияние внешнего магнитного поля на спиновую динамику электронного газа в квантовых ямах, а также спиновые биения, обусловленные спин-орбитальным расщеплением дисперсионной кривой носителей.

3. Построить теорию оптической ориентации двумерного электронного газа низкой плотности при резонансном возбуждении экситонов и трионов и разработать модель спиновых биений, возникающих в такой системе во внешнем магнитном поле.

4. Исследовать тонкую структуру и спектры фотолюминесценции возбужденных состояний экситона в квантовых точках, в частности, в точках, содержащих единичные магнитные ионы.

Практическая значимость работы заключается «в том, что в ней впервые исследовано влияние электрон-электронного взаимодействия на спиновую релаксацию носителейвпервые подробно изучен вопрос о замедлении магнитным полем спиновой релаксации электронов в квантовых ямахвпервые построена теория тонкой структуры возбужденных состояний экситонов в изотропных и анизотропных квантовых точках, в том числе точках, содержащих магнитный ион. Сопоставление полученных результатов с экспериментальными данными позволяет изучать тонкую структуру энергетического спектра носителей заряда и их комплексов, а также определять ряд кинетических параметров электронов и дырок.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Электрон-электронные столкновения, сохраняющие полный импульс ансамбля носителей, замедляют спиновую релаксацию электронного газа в механизме Дьяконова-Переля так же, как и процессы приводящие к потере полного импульса системы.

2. С увеличением степени поляризации электронного газа обменное взаимодействие между электронами приводит к стабилизации спина ансамбля носителей.

3. В подавлении спиновой релаксации двумерного электронного газа' внешним магнитным полем циклотронный и ларморовский эффекты могут интерферировать.

4. Резонансное возбуждение синглетного состояния триона циркулярно поляризованным светом приводит к спиновой ориентации резидентных электронов в квантовых ямах п-типа.

5. Тонкая структура энергетического спектра экситонов в квантовых точках с единичным ионом марганца определяется конкуренцией между электрон-дырочным дальнодействующим обменным взаимодействием и взаимодействием носителей с rf-электронами магнитного иона.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на семинарах ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, ИТФ им. Л. Д. Ландау РАН, на рабочих семинарах университетов Клермон-Феррана (Франция) и Саутгемптона (Великобритания), международных симпозиумах «Nanostructures: Physics and Technology» (С.-Петербург 2005, 2007) и VI Российской конференции по физике полупроводников (С.-Петербург 2003), международной школе «2nd International School on Nanophotonics» (Mapa-тея, Италия 2007, приглашенный доклад).

Публикации. По результатам исследований, проведенных в диссертации, опубликовано 10 печатных работ, список которых приведен в Заключении.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из Введения, четырех глав, Заключения и списка литературы. Она содержит 113 страниц текста, включая 21 рисунок и одну таблицу. Список цитируемой литературы содержит 124 наименования.

Основные результаты диссертационной работы изложены в публикациях:

Al] М. М. Глазов, E. JL Ивченко, Прецессионный механизм спиновой релаксации при частых электрон-электронных столкновениях // Письма в ЖЭТФ 75, 476−478 (2002).

А2] М. М. Глазов, Механизм спиновой релаксации Дьякопова-Переля при частых электрон-электронных столкновениях в квантовой яме конечной ширины // ФТТ 45, 1108−1111 (2003).

A3] М.М. Glazov, E.L. Ivchenko, Dyakonov-Perel's" spin relaxation under electron-electron collisions in QWs // В сб. «Optical Properties of 2D Systems with Interacting Electrons» под ред. W.J. Ossau и R. Suris, 181−192 (2003). .

A4] М. М. Глазов, E.JI. Ивченко, Влияние электрон-электронного взаимодействия на спиновую релаксацию носителей тока в полупроводниках // ЖЭТФ 126, 1465−1478 (2004).

А5] W.J.H. Leyland, G.H. John, R.T. Harley, М.М. Glazov, E.L. Ivchenko, D.A. Ritchie, I. Farrer, A.J. Shields, and M. Henini, Enhanced spin-relaxation time due to electron-electron scattering in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. В 75, 165 309 (2007).

A6] М.М. Glazov, Magnetic field effects on spin relaxation in heterostructures // Phys. Rev. В 70, 195 314 (2004).

AT] M.M. Glazov, Effect of structure anisotropy on low temperature spin dynamics in quantum wells // Solid State Commun. 142, 531 (2007).

А8] E.A. Zhukov, D.R. Yakovlev, M. Bayer, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, G. Karczewski, T. Wojtowicz and J. Kossut, Spin coherence of a two-dimensional electron gas induced by resonant excitation of trions and excitons in CdTe/(Cd, Mg) Te quantum wells // Phys. Rev. В 76, 205 310 (2007).

A9] M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, R. v. Baltz and E.G. Tsitsishvili, Fine structure of excited excitonic states in quantum disks // Proc. Int. Symp. «Nanostructures: a *.

Physics and Technology" (St-Petersburg, Russia, 2005) pp. 348−349.

A10] M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault, and H. Mariette // Fine structure of exciton excited levels in a quantum dot with a magnetic ion, Phys. Rev. В 75, 205 313 (2007).

Автор выражает благодарность своему научному руководителю E. J1. Ивченко. Работа под его руководством, его внимание и постоянная поддержка были для меня очень важны.

Я признателен участникам Низкоразмерного и Чайного семинаров ФТИ. Обсуждение на этих семинарах работ, вошедших в диссертацию, принесло мне большую пользу.

Я благодарен Н. С. Аверкиеву, JI.E. Голубу, С. А. Тарасенко и С. В. Гупалову за ценные замечания и всем сотрудникам сектора Ивченко за полезные обсуждения, а также М. О. Нестоклону за помощь, любезно оказанную при оформлении g * диссертации и сопутствующих документов.

Заключение

.

В диссертации получены следующие основные результаты:

• Построена кинетическая теория спиновой релаксации в механизме Дьяконова-Переля с учетом межчастичногр. взаимодействия. Выведен интеграл электрон-электронных столкновений при произвольной степени поляризации электронного газа.

• Показано, что электрон-электронные столкновения замедляют спиновую релаксацию по механизму Дьяконова-Переля так же, как и процессы упругого рассеяния, приводящие к релаксации импульса в ансамбле электронов. Обменное взаимодействие между электронами приводит к дополнительному зач медлению спиновой релаксации с ростом степени поляризации электронного газа.

• Теоретически изучена спиновая релаксация двумерных электронов в классических магнитных полях по механизму Дьяконова-Переля при произвольной анизотропии спинового расщепления и ориентации внешнего магнитного поля. Показано, что циклотронный и ларморовский эффекты внешнего магнитного поля либо аддитивно замедляют спиновую релаксацию, либо частично компенсируют друг друга в зависимости от типа доминирующего вклада в спиновое расщепление и знака электронного ^-фактора.

• Получено выражение для ширины линии электронного парамагнитного резонанса при произвольной анизотропии спинового расщепления и ориентации магнитного поля по отношению к главным осям квантовой ямы. *.

Продемонстрировано, что спиновые биения в нулевом магнитном поле, наблюдаемые в структурах, где спиновое расщепление превышает столкнови-тельное уширение уровней, затухают за счет* Анизотропии спинового расщепления, теплового размытия функции распределения носителей и процессов рассеяния электронов.

Показано, что резонансное возбуждение синглетного состояния Х~ триона в квантовой яме с двумерным электронным газом низкой плотности приводит к ориентации резидентных электронов по спину.

Построена теория спиновых биений двумерного электронного газа во внешнем магнитном поле при резонансном возбуждении трионных и экситонных состояний. Получены зависимости начальной фазы спиновых биений от величины магнитного поля. Сопоставление построенной теории и экспериментальных данных позволило определить-фактор носителей и время спиновой релаксации электронов.

Построена теория расщепления возбужденных состояний экситонов за счет электрон-дырочного далыюдействующего обменного взаимодействия в аксиально симметричных квантовых точках и в точках с малой степенью анизотропии. Показано, что в аксиально симметричных квантовых точках S — Р экситонный уровень расщепляется на подуровни за счет дальнодействующе-го обменного взаимодействия, а Р—Р уровень — за счет прямого кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой.

В квантовых точках, содержащих единичный магнитный ион, тонкая структура экситонных состояний определяется конкуренцией анизотропного обменного взаимодействия и обменного взаимодействия электрон-дырочной пары с магнитным ионом, при этом спектр возбужденных состояний экситона оказывается чувствительным к положению иона относительно главных осей квантовой точки.

• Сопоставление экспериментальных спектров возбуждения фотолюминесценции одиночных квантовых точек, легированных Мп2+, позволило определить константы обменного взаимодействия между носителями, связанными в нульмерный экситон, и Зй-электронами магаитного иона.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Davies J. The physics of low-dimensional semiconductors. — Cambridge University Press, 1998.
  2. Ivchenko E. L. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. — Alpha Science, Harrow UK, 2005.
  3. Zutic I., Fabian J., Sarma S. D. Spintronics: Fundamentals and applications // Rev. Mod. Phys. 2004. — Vol. 76, no. 2. — P. 323.
  4. Merkulov I. A., Efros A. L., Rosen M. Electron spin relaxation by nuclei in semiconductor quantum dots // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 65. — P. 205 309.
  5. Photon beats from a single semiconductor quantum dot / T. Flissikowski, A. Hundt, M. Lowisch et al. // Phys. Rev. Lett. — 2001. — Vol. 86. — P. 3172.
  6. Probing the spin state of a single magnetic ion in an individual quantum dot / L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault et al. // Phys. Rev. Lett. — 2004. — Vol. 93, no. 20. P. 207 403. t *
  7. Vina L. Spin relaxation in low-dimensional systems // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. — Vol. 11. — P. 5929.
  8. Пику с Г. E., Титков А. Н. Спиновая релаксация носителей при оптической ориентации в полупроводниках // Оптическая ориентация / Под ред. Б. П. Захарченя, Ф. Майер. 1989. — С. 62.
  9. Fabian J., Sarma S. D. Spin relaxation of conduction electrons. — 1999. — Preprint arXiv: cond-mat/9 901 170.
  10. Averkiev N., Golub L., Willander M. Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductor systems //J. Phys.: Condens. Matter.— 2002.— Vol. 14.-P. R271.
  11. Бир Г. JI., Аронов А. Г., Пикус Г. Е. Спиновая релаксация электронов при рассеянии на дырках // ЖЭТФ. — 1975. — Т. 69. — С. 1382.
  12. Elliott R. J. Theory of the effect of spin-orbit coupling on magnetic resonance in some semiconductors // Phys. Rev. — 1954. — Vol. 96, no. 2. — Pp. 266−279.
  13. Yafet Y. g-factors and spin-lattice relaxation of conduction electrons // Solid State Physics / Ed. by F. Seitz, D. Turnbull.— Academic, New-York, 1963.— P. 2.
  14. В. H., Яссиевич И. Н. Аномальный эффект Холла на поляризованных электронах в полупроводниках // ЖЭТФ.— 1971. — Vol. 61. — Р. 2571.
  15. М. И., Перелъ В. И. Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии // ФТТ. — 1972. — Т. 13. — С. 3581.
  16. М. И., Качоровский В. Ю. Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии // ФТП. — 1986. — Т. 20. — С. 178.
  17. Dresselhaus G. Spin-orbit coupling effects in zinc blende structures // Phys. Rev. — 1955. — Vol. 100. P. 580.
  18. Bychkov Y., Rashba E. Oscillatory effects and the magnetic susceptibility of carriers in inversion layers // J. Phys. C: Solid State. — 1984. — Vol. 17. — P. 6039.
  19. Averkiev N. S., Golub L. E. Giant spin relaxation anisotropy in zinc-blende heterostructures // Phys. Rev. B. — 1999. — Vol. 60, no. 23. —Pp. 15 582−15 584.
  20. Kainz J., Rossler U., Winkler R. Anisotropic"spin-splitting and spin-relaxation in asymmetric zinc blende semiconductor quantum structures // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, no. 7. — P. 75 322.
  21. Fishman G., Lampel G. Spin relaxation of photoelectrons in p-type gallium arsenide // Phys. Rev. B. — 1977. Vol. 16, no. 2, — Pp. 820−831.
  22. Пику с Г. E., Марущак В. А., Титков А. Н. Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах А3В5 // ФТТ.— 1988. —Т. 22.- С. 185.
  23. Room-temperature electron spin relaxation in bulk InAs / T. F. Boggess, J. T. Olesberg, C. Yu et al. // Appl. Phys. Lett2000.— Vol. 77, no. 9.— Pp. 1333−1335.
  24. Spin coherence and dephasing in GaN / B. Beschoten, E. Johnston-Halperin, D. K. Young et al. // Phys. Rev. B. 2001.- Vol. 63, no. 12.- P. 121 202.
  25. Song P. H., Kim K. W. Spin relaxation of conduction electrons in bulk III-V semiconductors // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66, no. 3. — P. 35 207.
  26. Low-temperature spin relaxation in n-type GaAs / R. I. Dzhioev, K. Kavokin, V. Korenev et al. // Phys. Rev. B. — 2002. Vol. 66, no. 24. — P. 245 204. i +
  27. Spin relaxation in GaAs (llO) quantum wells / Y. Ohno, R. Terauchi, T. Adachiet al. // Phys. Rev. Lett. — 1999. — Vol. 83, no. 20. — Pp. 4196−4199.
  28. Spin relaxation in GaAs/Ala-Ga1a-As quantum wells / A. Malinowski, R. S. Britton, T. Grevatt et al. // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62, — P. 13 034.
  29. Subpicosecond spin relaxation in GaAsSb multiple quantum wells / К. C. Hall, S. W. Leonard, H. M. van Driel et al. // Appl. Phys. Lett — 1999.— Vol. 75, no. 26. Pp. 4156−4158.
  30. Picosecond electron-spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum wells and InGaAs/InP quantum wells / A. Tackeuchi, T. Kuroda, S. Muto, O. Wada // Physica B. 1999. — Vol. 272. — P. 318.
  31. Weng M. Q., Wu M. W. Spin dephasing in 77-type GaAs quantum wells // Phys. а •
  32. Rev. B. 2003. — Vol. 68. — P. 75 312.
  33. E. Л. Спиновая релаксация свободных носителей в полупроводниках без центра инверсии в продольном магнитном поле // ФТТ. —. 1973. — Т. 15. С. 1566.
  34. Lyo S. К. Electron-electron scattering and mobilities in semiconductors and quantum wells // Phys. Rev. В.— 1986. — Vol. 34, 110. 10. — Pp. 7129−7134.
  35. D’Amico I., Vignale G. Coulomb interaction effects in spin-polarized transport // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 65, no. 8. P. 85 109.
  36. Л. Д., Померанчук И. О свойствах металлов при очень низких температурах // ЖЭТФ. 1936. — Т. 7. — С. 379.
  37. Л. Д. Кинетическое уравнение в случае кулоновского взаимодействия // ЖЭТФ. 1936. — Т. 7. — С. 203.
  38. Л. Д. Теория Ферми-жидкости // ЖЭТФ. — 1956. — Т. 30. — С. 1058.
  39. Glazov М., Ivchenko Е. D’yakonov-Perel' Spin Relaxation under Electron-Electron Collisions In QWs // Optical Properties of 2D Systems with Interacting Electrons / Ed. by W. Ossau, R. Suris. — 2003. — P. 181.
  40. Wu M. W., Metiu H. Kinetics of spin coherence of electrons in an undoped semiconductor quantum well // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 61. — P. 2945.
  41. Weng M. Q., Wu M. W. Spin dephasing in n-type GaAs quantum wells in the presence of high magnetic fields in voigt configuration // Phys. Stat. Sol. B. — 2003. —Vol. 239.- P. 121.
  42. Weng M. Q., Wu M. W. Rashba-effect-induced spin dephasing in n-type In As quantum wells //J. Phys.: Condens. Matter. — 2003.—Vol. 15. —P. 5563.
  43. Weng M. Q., Wu M. W., Jiang L. Hot-electron effect in spin dephasing in n-type GaAs quantum wells // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69. — P. 245 320.
  44. Anisotropic polariton scattering and spin dynamics of cavity polaritons / M. Glazov, I. Shelykh, G. Malpuech et al. // Solid State Commun.— 2005.— Vol. 134.-P. 117.
  45. Roessler U., Kainz J. Microscopic interface asymmetry and spin-splitting of electron subbands in semiconductor quantum structures // Solid State, Commun.- 2002.- Vol. 121. — P. 313.
  46. Stern F. Polarizability of a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. — 1967. — Vol. 18, no. 14. Pp. 546−548.
  47. А. В. Энергетический спектр и рассеяние электронов в инверсионных слоях // ЖЭТФ. 1971. — Vol. 60. — Р. 1845. i *
  48. Giuliani G. F., Quinn J. J. Lifetime of a quasiparticle in a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. B. — 1982. — Vol. 26, no. 8. — Pp. 4421−4428.
  49. Precession and motional slowing of spin evolution in a high mobility two-dimensional electron gas / M. A. Brand, A. Malinowski, O. Z. Karimov et al. // Phys. Rev. Lett. — 2002. — Vol. 89, no. 23. P. 236 601.
  50. Spin relaxation times of two-dimensional holes from spin sensitive bleaching of intersubband absorption / P. Schneider, J. Kainz, S. D. Ganichev et al. // Journ. Appl. Phys. 2004. — Vol. 96, no. 1. — Pp. 420−424.
  51. Effect of initial spin polarization on spin dephasing and electron g factor in a high-mobility two-dimensional electron system / D. .Stich, J. Zhou, T. Korn et al. — Preprint arXiv: cond-mat/612 477.
  52. В. А., Степанова M. Д., Титков А. Н. Подавление продольным магнитным полем спиновой релаксации электронов проводимости в полупроводниковых кристаллах без центра инверсии // Письма ЖЭТФ. — 1983. — Т. 37. — С. 337.
  53. Magnetic-field dependence of electron spin relaxation in n-type semiconductors / F. X. Bronold, I. Martin, A. Saxena, D. L. Smith // Phys. Rev. В.— 2002.— Vol. 66, no. 23. P. 233 206.
  54. Semenov Y. G. Electron spin relaxation in semiconductors and semiconductor structures // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 67, no. 11. — P. 115 319.
  55. Suppression of Dyakonov-Perel spin relaxation in high-mobility n-GaAs / R. I. Dzhioev, К. V. Kavokin, V. L. Korenev et al. // Phys. Rev. Lett. — 2004. — Vol. 93, no. 21, — P. 216 402.
  56. Wilamowski Z., Jantsch W. Suppression of spin relaxation of conduction electrons by cyclotron motion // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69, no. 3. — P. 35 328.
  57. Оптическая ориентация электронов и дырок в полупроводниковых сверхрешетках / Е. J1. Ивченко, П. С. Копьев, В. JI. Кочерешко и др. // Письма ЖЭТФ. 1988. — Т. 47. — С. 407.
  58. Spin lifetimes and-factor tuning in Si/SiGe quantum wells / W. Jantsch, Z. Wilamowski, N. Sandersfeld et al. // Physica E. — 2002. — Vol. 13. — Pp. 504 507.
  59. Lyubinskiy I. S., Kachorovskii V. Slowing down of spin relaxation in two-dimensional systems by quantum interference effects // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 70. P. 205 335.
  60. Burkov A. A., Balents L. Spin relaxation in gi-two-dimensional electron gas in a perpendicular magnetic field // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69, no. 24. — P. 245 312.
  61. Golub L., Ivchenko E. Spin splitting in symmetrical SiGe quantum wells // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69. — P. 115 333.
  62. Nestoklon M. O., Golub L. E., Ivchenko E. L. Spin and valley-orbit splittings in SiGe/Si heterostructures // Phys. Rev. B. — 2006. Vol. 73, no. 23. — P. 235 334.
  63. Ч.Сликтер. Основы теории магнитного резонанса. — М. Мир, 1982.
  64. Tahan С., Joynt R. Spin relaxation in SiGe fwo-dimensional electron gases. — Preprint arXiv: cond-mat/401 615.
  65. В. H. Теория биений фарадеевского вращения в квантовых ямах с большой величиной спинового расщепления // Письма ЖЭТФ. — 2001. — Т. 74. С. 417.
  66. Weng М. Q., Wu М. W., Shi Q. W. Spin oscillations in transient diffusion of a spin pulse in n-type semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69.-P. 125 310.
  67. Culcer D., Winkler R. Spin polarization decay in spin-½ and spin-3/2 systems. — Preprint arXiv: cond-mat/610 779.
  68. Grimaldi С. Electron spin dynamics in impure' quantum wells for arbitrary spin-orbit coupling 11 Phys. Rev. B. — 2005. Vol. 72. — P. 75 307.
  69. Rashba and Dresselhaus Spin-Splittings in Semiconductor Quantum Wells Measured by Spin Photocurrents / S. Giglberger, L. E. Golub, V. V. Bel’kov et al. — Preprint arXiv: cond-mat/609 569.
  70. M. И., Перель В. И. Теория оптической ориентации спинов электронов и ядер в полупроводниках // Оптическая ориентация / Под ред. Б. П. Захарченя, Ф. Майер. — 1989. — С. 17.
  71. Lampel G. Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductors // Phys. Rev. Lett. — 1968. — Vol. 20, no. 10. Pp. 491−493.
  72. Parsons R. R. Band-to-band optical pumping in solids and polarized photoluminescence // Phys. Rev. Lett.— 1969.— Vol. 23, no. 20.— Pp. 11 521 154.
  73. А. И., Сафаров В. И. Оптическая ориентация носителей при межзонных переходах в полупроводниках // Письма ЖЭТФ. — 1970. — Т. 12. — С. 293.
  74. Эффект оптической ориентации электронных спинов в кристалле GaAs / Б. П. Захарченя, В. Г. Флейшер, Р. И. Джиоев и др. // Письма ЖЭТФ.— 1971. —Т. 13.-С. 195.
  75. А. И., Сафаров В. И. Наблюдение оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках п-типа // Письма ЖЭТФ.— 1971.— Т. 13. С. 251.
  76. D. Т., Meier F., Zurcher P. Negative electron affinity GaAs: A new source of spin-polarized electrons // Appl. Phys. Lett.— 1975.— Vol. 26, no. 12.— Pp. 670−672.
  77. Intrinsic radiative recombination from quantum states in GaAs-Al^Gai-^As multi-quantum well structures / C. Weisbuch, R. C. Miller, R. Dingle et al. // Solid State Comm, un. — 1981. — Vol. 37. — P. 219.
  78. Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в GaAs при переходе от двумерных к трехмерным структурам / И. А. Акимов, Д. Н. Мирлин, В. И. Перель, В. Ф. Сапега // ФТП.~ 2001.— Т. 35. — С. 758.
  79. М. И., Перель В. И. О возможности оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках // Письма ЖЭТФ. — 1971. — Т. 13. — С. 206.
  80. М. И., Перель В. И. Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Теория // ЖЭТФ.— 1973.— Т. 65.— С. 362.
  81. И. А., Перель В. И., Портной М. Е. Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в квантовых ямах // ЖЭТФ. 1990. — Т. 99. — С. 1202.
  82. Е. Л., Тарасенко С. А. Монополярная оптическая ориентация электронных спинов в объемных полупроводниках и гетероструктурах // ЖЭТФ. 2004. — Т. 126. — С. 426.
  83. Spin coherence of two-dimensional electron gas in CdTe/(Cd, Mg) Te quantum wells / E. A. Zhukov, D. R. Yakovlev, M. Bayer et al. // Phys. Stat. Sol. В.— 2006. — Vol. 243. P. 878.
  84. Optical initialization and dynamics of spin in a remotely doped quantum well / T. A, Kennedy, A. Shabaev, M. Scheibner et al. // Phys. Rev. В. — 2006.— Vol. 73, no. 4. P. 45 307.
  85. Optical control of spin coherence in singly charged (In, Ga) As/GaAs quantum dots / A. Greilich, R. Oulton, E. A. Zhukov et al. // Phys. Rev. Lett. — 2006. —a *
  86. Vol. 96, no. 22. P. 227 401.
  87. Hole spin quantum beats in quantum-well structures / X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune et al. // Phys. Rev. В.- 1999. —Vol. 60, no. 8, — Pp. 5811−5817.
  88. Oscillator strength of trion states in ZnSe-based quantum wells / G. V. Astakhov, V. P. Kochereshko, D. R. Yakovlev et al. // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62.— P. 10 345.
  89. Optical method for the determination of carrier density in modulation-doped quantum wells / G. V. Astakhov, V. P. Kochereshko, D. R. Yakovlev et al. // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 65. — P. 115 310/ «
  90. Golub L. E., Ivchenko E. L., Tarasenko S. A. Interaction of free carriers with localized excitons in quantum wells // Solid State Commun. — 1998. — Vol. 108. — P. 799.
  91. А. Г., Ивченко E. JJ. Дихроизм и оптическая анизотропия в среде с ориентированными спинами свободных электронов // ФТТ.-~ 1973. Vol. 15.-Р. 231.
  92. Spin quantum beats of 2D excitons / Т. Amand, X. Marie, P. Le Jeune et al. // Phys. Rev. Lett. 1997. — Vol. 78, no. 7.- Pp. 1355−1358.
  93. Coherent spin dynamics of excitons in quantum wells / M. Dyakonov, X. Marie, T. Amand et al. // Phys. Rev. В.— 1997. — Vol. 56, no. 16. — Pp. 10 412−10 422.
  94. Electron and hole g factors measured by spin-flip raman scattering in CdTe/CdixMgxTe single quantum wells / A. A. Sirenko, T. Ruf, M. Cardona et al. // Phys. Rev. B. 1997. — Vol. 56, no. 4. — Pp. 2114−2119.
  95. Optical readout and initialization of an electron spin in a single quantum dot /
  96. A. Shabaev, A. L. Efros, D. Gammon, I. A. Merkulov // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, no. 20. P. 201 305.
  97. Submillisecond electron spin relaxation in InP quantum dots / M. Ikezawa,
  98. B. Pal, Y. Masumoto et al. // Phys. Rev. B.~ 2005, — Vol. 72, no. 15.— P. 153 302.
  99. Woods L. M., Reinecke T. L., Lyanda-Geller Y. Spin relaxation in quantum dots // Phys. Rev. B. — 2002. Vol. 66, no. 16. — P. 161 318.
  100. Вир Г., Пикус Г. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. — М. Наука, 1972.
  101. Denisov М., Makarov V. Longitudinal and transverse excitons in semiconductors // Phys. Stat. Sol. 5. — 1973. — Vol. 56. — P. 9. s *
  102. Maialle M., de Andrada e Silva E., Sham L. Exciton spin dynamics in quantum wells // Phys. Rev. В.— 1993. Vol. 47.- P. 15 776.
  103. С. В., Ивченко Е. Л., Кавокин А. В. Тонкая структура уровней локализованных экситонов в квантовых ямах // ЖЭТФ.— 1998.— Vol. 113.— Р. 703.
  104. С. В., Ивченко Е. Л. Тонкая структура экситонных уровней в на-нокристаллах CdSe // ФТТ. — 2000. — Т. 42. — С. 1976.
  105. Maialle М. Z. Spin dynamics of localized excitons in semiconductor quantum wells in an applied magnetic field // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 61. — P. 10 877.
  106. Takagahara Т. Theory of exciton doublet structures and polarization relaxation in single quantum dots // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62. — P. 16 840.
  107. Electrodynamical treatment of the electron-hole long-range exchange interaction in semiconductor nanocrystals / S.V.Goupalov, P. Lavallard, G. Lamouche, D.S.Citrin // ФТТ. 2003. — Vol. 45. — P. 730.
  108. С. В., Ивченко Е. JI. Обменное взаимодействие между электроном и дыркой в полупроводниках в методе сильной связи // ФТТ.— 2001.— Т. 43. —С. 1791.
  109. Franceschetti A., Zunger A. Direct pseudopotential calculation of excitoni 4coulomb and exchange energies in semiconductor quantum dots // Phys. Rev. Lett. — 1997. — Vol. 78, no. 5. Pp. 915−918.
  110. Bester G., Nair S., Zunger A. Pseudopotential calculation of the excitonic fine structure of million-atom self-assembled In1a. Gaa-As — GaAs quantum dots // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 67. — P. 161 306.
  111. Bester G., Zunger A. Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor quanttim dots do not have cylindrical symmetry: Atomistic symmetry, atomic relaxation, and piezoelectric effects // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71. — P. 45 318.
  112. Fine structure splitting in the optical spectra *of single GaAs quantum dots / D. Gammon, E. Snow, B. Shanabrook et al. // Phys. Rev. Lett.— 1996.— Vol. 76. P. 3005.
  113. Fine structure of neutral and charged excitons in self-assembled InGaAs-AlGaAs quantum dots / M. Bayer, G. Ortner, O. Stern et al. // Phys. Rev. В. — 2002.— Vol. 65.-P. 195 315.
  114. Bright-exciton fine structure and anisotropic exchange in CdSe nanocrystal quantum dots / M. Furis, H. Htoon, M. A. Petruska et al. // Phys. Rev. B.— 2006. — Vol. 73, no. 24. P. 241 313.
  115. Gourdon C., Lavallard P. Fine structure of heavy excitons in GaAs/AlAs superlattices // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 46. — P. 4644.
  116. Fine structure of biexciton emission in symmetric and asymmetric CdSe/ZnSe single quantum dots / V. D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol. 82. — P. 1780.
  117. Carrier-induced spin splitting of an individual magnetic atom embedded in a quantum dot / L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault et al. // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71. P. 161 307®.s '
  118. Geometrical effects on the optical properties of quantum dots doped with a single magnetic atom / Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault et al. // Phys. Rev. Lett. — 2005. — Vol. 95, no. 4. P. 47 403.
  119. Govorov A. O. Optical probing of the spin state of a single magnetic impurity in a self-assembled quantum dot // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 70. — P. 35 321.
  120. Fernandez-Rossier J. Single exciton spectroscopy of semimagnetic quantum dots // Phys. Rev. B. 2006. — Vol. 73.- P. 45 301.
  121. Excitonic absorption in a quantum dot / P. Hawrylak, G. A. Narvaez, M. Bayer, A. Forchel // Phys. Rev. Lett. 2000. — Vol. 85. — P. 389.
  122. Que W. Excitons is quantum dots with parabolic confiment // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 45. P. 11 036.
  123. M. А., Сергеев P. A., Сурис P. А. Локализация электрон-дырочных комплексов на флуктуациях интерфейсов квантовых ям // ФТП.— 2006.— Т. 40. С. 1373.
  124. Efros A. L., Rosen M. Quantum size level structure of narrow-gap semiconductor nanocrystals: Effect of band coupling // Phys. Rev. В.— 1998.— Vol. 58, no. 11. —Pp. 7120−7135.
  125. Kinetic exchange between the conduction band electrons and magnetic ions in quantum-confined structures / I. A. Merkulov, D. R. Yakovlev, A. Keller et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol. 83. — P. 1431.
  126. Spontaneous formation and photoluminescence of ZnSe dot arrays / B. P. Zhang, W. X. Wang, T. Yasuda et al. // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol. 71, no. 23. — Pp. 3370−3372.
  127. И. JI., Ивченко Е. Л. Природа анизотропного обменного расщепления в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II // Письма ЖЭТФ.— 1992.— Т. 55. С. 662.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!