Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина

Диссертация: Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Арсенид галлия применяется для изготовления широкого круга приборов микрои оптоэлектроники — различных типов диодов, транзисторов. лазеров, солнечных элементов. Оптические и электрофизические характеристики арсенида галлия могут изменяться в широких пределах в зависимости от виза и концентрации примесей в нем. Присутствие в материале неконтролируемых примесей будет приводить к ухудшению… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. Л. Физик о-химические свойства арсенкда галлия
      • 1. 2. Поведение примесей в ваАз
      • 1. 3. Методы выращивания эпитаксиальных слоев ОаАз
      • 1. 4. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия МОС-гидридным методом
        • 1. 4. 1. Кинетика и механизм осаждения арсенида галлия
        • 1. 4. 2. Основные примеси и источники их поступления в слои арсенида галлия
  • Глава 2. Аппаратура и методика эксперимента
    • 2. 1. Аппаратура
    • 2. 2. Градуировка регуляторов расхода газа, температуры и давления
    • 2. 3. Определение газодинамических условий в реакторе
    • 2. 4. Характеристика исходных веществ
    • 2. 5. Подготовка подложек
    • 2. 6. Подготовка реактора
    • 2. 7. Методика эпитаксиального выравнивания слоев ОаАв
    • 2. 8. Определение толщины выращиваемых слоев
    • 2. 9. Методы исследования слоев ОаАх
    • 2. 10. Приготовление смесей соединений кремния с триметалгашшем
  • Глава 3. Получение эпитаксиальных слоев ОаАх по оеакпии триметилгаллия и арсина
    • 3. 1. Кинетические закономерности роста гомоэпитаксиальных слоев арсенида галлия
      • 3. 1. 1. Зависимость скорости роста от положения поддожек вдоль оси реактора
      • 3. 1. 2. Зависимость скорости роста от температуры
      • 3. 1. 3. Зависимость скорости роста от потока исходных реагентов на входе в реактор
    • 3. 2. Морфология и структурное совершенство слоев GaAs
  • Глава 4. Определение основных источников примеси кремния в слоях GaAs, полученных по реакции триметилгашшя и арсина
    • 4. 1. Электрофизические характеристики и примесный состав слоев GaAs
      • 4. 1. 1. Влияние степени чистоты исходных реагентов на электрофизические характеристики и концентрацию примеси кремния в слоях GaAs
      • 4. 1. 2. Влияние условий роста на электрофизические характеристики и концентрацию примеси Si в слоях GaAs
        • 4. 1. 2. 1. Влияние температуры роста
        • 4. 1. 2. 2. Влияние соотношения потоков арсина и триметилгаллия
        • 4. 1. 2. 3. Влияние потока тоиметилгаллия
    • 4. 2. Исследование спектров низкотемпературной фотолюминесценции слоев GaAs
  • Глава 5. Очистка триметижаллия методом ректификации
    • 5. 1. Схема установки и методика эксперимента
    • 5. 2. Результаты эксперимента и их обсуждение
  • Глава 6. Исследование поступления примеси кремния в слои GaAs из триметилгаллия
    • 6. 1. Влияние химической формы нахождения примеси кремния в триметилгаллии на ее переход в слои GaAs
    • 6. 2. Влияние условий процесса осаждения на переход примеси кремния из ТМГ в слои ваАв
      • 6. 2. 1. Влияние концентрации тетрахлорида кремния в триметилгаллии
      • 6. 2. 2. Влияние температуры роста
      • 6. 2. 3. Влияние соотношения потоков арсина и триметижаллия
      • 6. 2. 4. Влияние потока триметилгаллия
    • 6. 3. Исследование спектров фотолюминесценции слоев
  • ОаАя, полученных из тримешлгаллия с примесью тетрахлорида кремния
  • Выводы

Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Арсенид галлия применяется для изготовления широкого круга приборов микрои оптоэлектроники — различных типов диодов, транзисторов. лазеров, солнечных элементов. Оптические и электрофизические характеристики арсенида галлия могут изменяться в широких пределах в зависимости от виза и концентрации примесей в нем. Присутствие в материале неконтролируемых примесей будет приводить к ухудшению характеристик приборов, изготовленных на основе GaAs. Особенно актуальным это является при создании приборов с высоким быстродействием. которое определяется подвижностью свободных носителей заряда в GaAs и сильно зависит от концентрации примесей в нем. Для получения арсенида галлия с максимальной подвижностью носителей заряда концентрация электрически активных примесей не должна превышать 10 «' ат.% [1].

В настоящее время большинство приборов микрои оптоэдектроники создается на базе эштгаксиальных слоев. Шгоокое распространение для польчения эпитаксиальных слоев GaAs получил метод химического осаждения из паров триметилгаплия (ТМГ) и арсина (МОС — шдридный метод '?. Его достоинствами являются относительная простота технологического оборудования, высокая производительность. сравштгелыю низкие температуры роста.

Согласно литературным сообщениям методом химического осаждения из паров триметилгаллия и арсина удалось получшь слои GaAs с подвижностью свободных электронов при 77 К 162 ООО см '/в-сек [2]. Это значение находится на уровне лучших результатов, достигнутых при использовании других методов вырашивания эпитжсиальных слоев GaAs и свидетельствует о высокой степени их чистоты.

Шесте с тем. типичные значения подвижности свободных электооi нов в нелегарованных слоях, полученных по реакции ТМГ и арсина заметно ниже (50 000 — 100 000 см 2/в сек). Это обусловлено загрязнением СгаАБ в процессе роста неконтролируемыми примесями.

Как свидетельствуют литературные данные, одной из наиболее важных примесей в СгаАя является кремний. Поведение данной примеси отличается большой сложностью. Она является амфотерной, то есть может занимать в решетке ОаАя как места атомов ва, так и места атомов А*, проявляя при этом, соответственно, свойства мелких доноров и акцепторов. Имеются многочисленные сообщения об образовании этой примесью комплексов с собственными дефектами кристалла, приводящих к появлению в запрещенной зоне СаАя дополнительных эназгетичеосих уровней.

Кремний является одной из наиболеераспространенных примесей в СаАз. получаемом по реакции триметилгаллия и арсина Часто именно эта примесь определяет уровень электрофизических характеристик слоев (ЗаА&-. Считается, что основными источниками примеси кремния в слоях являются исходные реагенты — триметилгаллий и арсин. Пэлагают, что в арсине примесь кремния присутствует щзеимушественно в виде сишна Сведения о форме нахождения кремния в триметилгаллии и его поступлении из ТМГ в растущий слой в литературе немногочисленны и противоречивы В связи с этим, исследование поступления примеси кремния из ТМГ в эпитаксиальные слои арсенида галлия, получаемые по реакции триметилгаллия и арсина, является актуальным как в научном, так и в практическом плане.

Цель работы заключалась в исследовании влияния химической формы нахождения примеси кремния в тримегащгаллии и условий процесса осаждения на внедрение данной примеси в слои СаА^ выращиваемые МОС-гидюидным методом.

В первой главе диссертации представлен литературный обзор в котором рассматриваются свойства арсенида галлия, поведение примесей в нем, методы выращивания эпитакшальных слоев СаАз, обсуждаются кинетические закономерности осаждения ОэАб, а также основные примеси, их источники и закономерности внедрения в растущий слой.

Вторая глава содержит описание аппаратуры и методики выращивания слоев СзАб. использованных в настоящей работе, а также методов исследования их свойств.

Третья глава посзвяшена исследованию кинетики процесса осаждения слоев ОаАБ из паров тримегилгаллия и ареина на подложках ОаАБ с ориентацией (100). Изучалась зависимость скорости роста от расположения подложек вдоль оси реактора, температуры роста и потоков исходных реагентов. Ихледовалосъ также влияние условий роста на морфологию поверхности и структурное совершенство получаемых слоев.

В четвертой главе представлены результаты исследования электрофизических и оптических харктеристик. а также примесного состава слоев ОзАб, полученных при использовании различных партий исходных реагентов. Изучено влияние условий процесса осаждения на концентрацию примеси кремния и электрофизические характеристики слоев ОаАз. Рассмотрены причины, определяющие характер их изменения.

В пятой главе представлены результаты очистки тримегилгаллия методом ректификации. Изучен характер распределения примесей по длине колонны и рассмотрены причины, определяющие их распределение.

Шестая глава посвящена исследованию процесса загрязнения эпи-таксиальньк слоев СаАя примесью кремния, присутствующей в исходном триметилгаллии в виде мешлхлорсиланов. Изучено влияние кошгентра-шм примесных соединений кремния в тртвдешлгаллии и условий процесса осаждения на элеюрофизические характеристаки получаемых слоев арсенида галлия.

выводы.

1. Изучено влияние условий процесса осаждения гомоэпшаксиальных слоев СаАв из ларов тримешлгаллия и арсина на концентрацию примеси кремния в слоях и их электрофизические характеристики. Установлено, что основными источниками примеси кремния в алоях арсенида галлия являются исходные реагенты — триметилгаллий и арсин.

2. Показано, что очистка от примеси кремния триметалгаллия, полученного по обменной реакции трихлорида галлия и тримештлюминия, методом ректификации не эффективна. Г|эедполагается, что это связано с присутствием примеси кремния в триметилгаллии в ферме меттшхлорсиланов, имеашдах близкий к единице коэффициент разделения с основой.

3. Исследован переход в алой ОаАз примеси кремния, присутствующей в триметипгагатии в виде тетраметилсилана, три-, дии монометилхлорсилана и тетрахлорида кремния. Установлено, что внедрение примеси кремния в спои растет с увеличением числа атомов хлора, coдqзжaщиxcя в молекуле примесного соединения. Максимальная концентрация электронов в ОяАб получена при добавлении в триметилгаллий тетрахлорида кремния.

4. Исследовано влияние условий процесса осаждения на электрофизические характфисгоки слоев ОаАз, полученных из триметилгашмя с примесью тетрахлорида кремния. Установлено, что ¡-шнцштрация свободных электронов в слоях увеличивается с увеличением у температуры роста от 600 до 680 С и не зависит от величины потока 1 МГ в интервале (2.5 — 5) >10 «5 моль/мин и соотношения арсина к ТМГ от 10 до 92. При температуре роста 600 °C концентрация свободных электронов в слоях шшейно увеличивается до 6.2 -10 13 см «3 с увеличением концентрации тетрахлорида кремния в ТМГ до 4.5 -10 '' мол% и далее не мечтается. Определен уровень концентрации этой примеси в триметлгш1лии, равньй.

5−10 «8 мол%, ниже которого возможно получение слоев ОаАз с концентрацией свободных электронов ниже 1−10 14 см «3, удовлетворяющей требованиям микроэлектроники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Актуальные проблемы матфиажведееия: В>пт.2. Пер. с англ,'ТЪд ред. Э. Калдиса. М.: Мир, 1983. С. 178.
  2. Шша MC., Lu ZH, Oh E.G., Mao K, Mgerfeld A J. Qysi Growth. 1992. V.124. P.443.
  3. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение. ГЬд ред. Кесаманлы Ф. П. и Наследова Д. Н. М.: Наука. 1973. 471с.
  4. С. Т., Joyce В. A. Phys. D: Appl. Phys. 1974. V.7.P.2422.5
  5. Kresse! Н., Nelson Н. Phys. Thin. Films. 1973. V.7. P. 115.
  6. Воронов ИН, Смирнов В. А, Эйдензон AM Крисхштография. 1979. Т.24. С. 1259.
  7. Biom G.M. J. Cryst. Growth. 1969. V.40. P.613.
  8. В. Л., Житомфсжий И С, Чебанова Т. С. Кржяшкография. 1973. Т. 18. С. 39.
  9. Hall R.N., Racette J.H. J. Appl. Phys. 1964. V. 35. P. 379.
  10. Allison H.W., Fuller C.S. J. Appl. Phys. 1965. V.36. P.2519.
  11. В. Б., Югова Т. Г. Особенности поведения меди в арсениде галлия. ГИРЕДМЕТ. 1970. 286 с.
  12. MacQmstan D.A., Weinberg F. J. Cryst. Growth. 1991. V.11Q. P.745. 14. Черняев B. H, Кожитов Л. В. Технология эпитакхжшьных слоев арсенида галлия и приборы на их основе. М.: Энергия, 1974.С. 16.
  13. Teramoto I. J. Phys. Chern. Solids. 1972. V.33. N11.P.2089.
  14. Van de Yen J., School HG., Gflling L.J. J. Appl.Phys. 1986 V.60. N5. P. 1648.
  15. Schneider J., Dlschler B., Sedewmd H, Mooney P. M Appl. Phys. Lett. 1989. V.54. P. 1442.
  16. Skowronski M, Kremer RE. J. Appl. Phys. 1991. V.69. № 11. P.7825.
  17. Bourgom J.C., Stievenard D., Dsresmes D., Arroyo J.M. J. Appl. Phys. 1991. V.69. № 1. p.284.
  18. Furuhata N, Kakinioto K, Yoshida M J.Appl.Rm 1988. V.64. P. 4692
  19. Ashvvio MJ" Newman R.C., Murala K. J. Appl. Phys. 1997. V.82. P. 137
  20. Newman R.C. Semicond.Sci. Techno! 1994. V.9. P. 1749.
  21. Haisty RW, Mehai E.W., Stratton R. J. Phys. Chem Solids. 1962. V.23. P.829.
  22. Ruby D.S., Arai K., Stillman G.E. J. Appl. Phys. 1985. V.58. P.825
  23. Miki H., Otsubo M. Jap. X Appl. Phys. 1971. v. 10. N4. P.509.
  24. Morkoc XL Eastman L.F., Woodard D. Hiin Solid Films. 1980. V.71. P. 248
  25. Larkins E.C., IfelLxian E.S., Schlom D.G., Bans J.S. Appl. Phys. U4t. 1986. V.49. N7. P.391.
  26. Kalem S., Stillman. G.E. Jap. J. Appl. Phys. 1994. V.33. P.6086.
  27. Chang N. J. Cryst. Growth. 1989. V.97. P.415.
  28. Knight J JR., EfFer D., Evans P. R Solid State Electron. 1965. V.8. P. 178.
  29. Stillman G.E., Wolf CM. Thin Solid Films. 1976. V.31.P.69.
  30. Cardwell M. J. J. Cryst. Growth. 1984. V.70. P.97.
  31. Kennedy J.K., Potto: W.D., Davies D.E. J. Qyst. Growth. 1974. V.24. P. 233.
  32. Abrokwah J.K., Peck T.N., Walterson BA, Stillman G. E., Low T.S., Skromme B. J. Electron. Mater. 1983. V.12. P.681.-13 738. ManasevitH. M. Appl. Phys. Lett. 1968. V.12. P. 156.
  33. Manasevit HM, Sinpson W.I. J. Electrocheni Soc. 1969.V. 116. P.1725.
  34. ManasevitH.M. J. Cryst. Growth. 1972. V. 13/14. P.306.
  35. Ray-Choudhury P. J. Elec-trochem. Soc. 1969. V.116. P. 1745.
  36. Thorsen A.C., Manasevit H.M. J. Appl. Phys. 1971. V.42. P.2519.
  37. McFarlane S.H., Wang C.C. J. Appl. Phys. 1972. V.43. P. 1724.
  38. Thorsen AS., Manasevit HM, HaradaRH Solid. State Electron. 1974. V. 17. P.855.
  39. Karnon 1С, Shimaai M, Kimura K. J. Ciyst Growth. 1987. V.84. P. 126.
  40. Reep D.H., Ghandhi S.K. J. Electrochem. Soc. 1983 V.130. N3. P.675.
  41. Diclieram J.P., Bonnet M, Koelsch F., Huyghe D. J. Electrochem. Soc. 1979. V.126. N7. P. 1134.
  42. Л.С., Бароненкова PIT, Фатюшина НП. Научньзе трудя ГИРЕДМЕТа. 1978. Т. 86. С. 42.
  43. Masashi М, Seiji К., Takashi J. Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. № 5. P. L283.
  44. SogaT., Hattori S. J. Cryst. Growth. 1986. V.77. P.498.
  45. Lum R.M., Kimgert J.K. Appl. Phys. Lett. 1987. V.51. № 1.P.36.
  46. Nozaki S., Noto M, Egawa Т., Soga Т., Jiinbo Т. Jap. J. Appl. Phys. 1990. V.29. № 1. P. 138.
  47. Lopez M, Ikd. Т., Takano Y., Рак К., Yonezu H. Jap. J. Appl. Phys.1990. V.29. Nib 3. P.551.
  48. Tiwari AN, Freundlich A, Beaumont В., Hunisr S. J. Qyst Growth.1992. V. 124. P.565.
  49. Alberts V., Nedhling J. H, Leitch AW J. Appl. Phys. 1994. V.75. N11. P. 7258.
  50. SeJa Y., Tanno KL, Lida K., I child E. J. Electrochem. Soc. 1975. V.122. N8. P. 1108.-13 857. Shastry S. R, Zemon S., Keoneson D.G., Lambert G. Appl. Phys. Lett. 1988. V.52. N2. P. 150.
  51. Raasghi M, Gmnes F., Nagle J., Defour M Appl. Phys. Lett. 1989. V.55. N16. P. 1677.
  52. Balk P., Heiiiecke H, PutzN., Plass C., Lutfa H J. Vac. Sd. Teclmol. 1986. V. A4. P.711.
  53. Sato M., Suzuki M. Jap. J. Appl. Phys. 1986. V.25. N12. P. 1890.
  54. Yoshida M, Waianabe H, Uesiigi F. J. Electrocheni Soc. 1985. V.135. P.677.
  55. Brauers A., Weyers M., Balk P. Chemtronics. 1989. V.4. P.8.
  56. Nafcayama Y., Qhkawa S., Hashimoto H, Ishikawa H J. Sedrochem. Soc. 1976. V. 123. N8. P. 1227.
  57. KuechT.F. J. Ciyst. Growth. 1991. V.115. P.52.
  58. Скворцов ИМ, ЗНЫировсжий Д. Н, Дутвииа Т. А, Грибов Б. Г., Федоров В. А, КЬзьршн Б. И Изв. АН СССР. (Сер. Нгорг.мат.). 1976. N12. С. 754.
  59. Plass С, ffineeke Н, Kayser О., Luth Н, Шк P. J. Cryst. Growth. 1988. V.88. P.455.
  60. Clim СН, Reihleti E. H, Striiigfdlow G.B. J. Cmt. Growth. 1989. V.96. P.497.
  61. Cherng MI, Cohen RM, Stringfdlow G.B. J. Heciron. Mater. 1984. V. 13. P.799.
  62. Speckman D.M., Wendt J.P. Appl. Phys. Lett. 1987. V.50. P.676.
  63. Lum RM, Klmgert J.K., Wymi AS., Lamont MG. Appl. Phys. Lett. V.52. N 18. P. 1475.
  64. Bhai R, Koza MA, Skrorne B.J. Appl. Fiiys. Lett. 1987. V.50, N17. P. 1194.
  65. Takahashi Y., Soga Т., Sakai S., Umeno M, Hatton S. Jap. j. Appl. Phys. 1984. V.23. N6. P.709.
  66. Schlyer D.J., Ring M.A. J. Organometal. Chem. 1976. V.114. P.9.
  67. Larsen CA, Buchan N.I., Stringfdlow G.B. Appl. Phys. Lett. 1988. V.52. N6. P.480.
  68. Kanion K., Shimazu M Kimura К, Штага M J. Cryst. Growtli. 1987. V.84. P. 126.
  69. Petace W. H, Gottschalch V., Butter E. Kristall Techn. 1974. V.9. P. 763.
  70. Mshi2awa J, Rurabayashi Т., Abe H, Sakurai N. J. Plectrochem. Soc. 1987. V. 134. N4. P.945.
  71. Ж Nishizawa J., Kiirah^ashi T.J. Ebctrochem Soc. 1983. V.130. N2. P.413.
  72. Фролов И А, Болдырев<�жий Л Б., Друзь Б. Л., Соколов ЕБ. Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1977. Т. 13. С. 773.а). Мишина В. Г., Попов В. П. Изв. АН СССР. №орг. материалы 1987. Т.23. № 3. С. 429.
  73. Haauf С, ivfiner С, Emmerstorfer В. Canadian J. Phys. 1985. V.63.1. P.664.
  74. I to S., Shinohara Т., Sekr Y. J. Electrocheni Soc. 1973. V.120. N10. P. 1419.
  75. Hiat R, О Connor P., Temkin H, Нише P. Int. Syrap. GaAs and Reiat. Compounds, Japan, 1981. Inst. Phys. Conf. Ser. N63. Ch.3. P. 101.
  76. Slealy J. R, Kreismanis V. G., Wagner D. K., Wicks G. W, Schaff W. I. int. Symp. GaAs and Relat. Compounds, .Albuquerque, 1982. Inst Phys. Conf. Ser. N 65. Ch.2. P. 109.
  77. Hunt N., Wilhams J.О. Chemotronics. 1987. V.2. P. 165.
  78. Watkins S. P., Haacke G., Burkhard H Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 5.1. P. 401.
  79. Jones A.C., Walles G., Wright P.J., Oliver P.E. Chemotronics. 1987. V.2. P.83.
  80. Ша iVI, Fukuhara N, Zenpo Y. J. Oyst. Growth. 1988. V.93. P.543.
  81. D^kus P.D., Manasevit HM, HsssKL.5LowT.S., StfflinaiiG.E. J. Ciyst Growth. 1981. V.55. P. 10.
  82. Nakamsi Т., Udagawa Т., Tanaka A, Kama К J. Cryst. Growth. 1981. V.55. P.255.
  83. Nakamsi Т. J. Cryst. Growth. 1984. V.68. P.282.
  84. Shastry S.K., Zemon S., Norris P. Int. Symp. GaAs said Rdat. Compounds, Las Vegas, Nevada, 1986. Inst. Phys. Conf. Ser. No.83: Ch.3. P.81.
  85. Ikeda Т., Noda H, Matsumoto K. J. Crvst. Growth. 1992. V.124. P. 272.
  86. B.B., Гуртовой В. Л., Шапов&л С.Ю., Киреев В. А, Смирнов Н. В. ФТП. 1995, Т. 29. № 1. С. 175.
  87. Кутьин, А М, оболов И А, Фукин К К // Ж. физ. химии. 1977. Т. LI. № 2. С.511 512.
  88. В. А, Крутиков В.А, Ефремов, А А, Зорин АД, Соломатин
  89. B.C. В сб.: Шлучение и анализ высокочистых веществ. 1974. Горький.1. C. 83.
  90. Ефремов, А А, Федоров В. А, Гринберг Е. Е. Высокочист, вещества. 1988. N3. С. 5.
  91. Miller L. M, Coleman J.J. CRC Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 1988. V.15. P.l.
  92. Qh.no H., Ikeda E., Hasegawa H. J. Ciyst. Growth. 1984. V. 68.P. 15.
  93. Shimazu M, Kamon K, Kirnura K., Mashita M. J. Cryst. Growth. 1987. V.83. P.327.
  94. Sakaguchi H, Suzuki R, Megtiro Т. J. Cryst. Growth. 1988. V93. P. 602
  95. Hagernan P. R, Tang X, Ds Croon MHi. M, Giling L.J. J. Cryst Growth. 1989. V.98. P.249.
  96. Kueeh T.F., Sdlla G.J., Cardone F. J. Ciyst. Growth. 1988. V.93. P.550.-Mi
  97. Ohyama Т., Otsuka E., Mafcsuda O., Mori Y, Kaneko K. Jep. J. Appl. Phys. 1982. V.21. P. L583.
  98. Knech T.F., Tichler MA, Wang P.J., Scilla G., Potemski R, Cardone F. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 14. P. 1317.
  99. Reed AD., Bose S.S., StillmanG.E. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 13. P. 1262.
  100. Kushibe M, Eguchi K, Fmianizu M. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 13. P. 1248.
  101. Takagich S., Mori H. Jap. J. Appl. Phys. 1983. V.22. № 12. P. L795.
  102. Дж.Г., Аглвдзе P.И, Шалякина НВ. Известия АН Грузинской ССР. Сер. химическая. 1982. Т.8. N2. С. 146.
  103. Ефремов, А А, Федоров В. А, Гринберг Е. Е., Ефремов Е. А, ГЬтепалов В. П, Фетисов Ю. М. Электрон, техника. Сер. Материалы 1973. Вып. 9. С. 49.
  104. Гордеев AM, Гришнова НД, Салганский Ю. М, Шишов В. Н Высокочистые вещества. 1990. № 4. С. 141.
  105. Wolfe С. М, Stfflrnan G.E. Semiconductors and Semimetals. 1975. V.l. P. 175.
  106. MoriH., Takagislii S. J. Cryst. Growth. 1984. V.69. P. 23.
  107. Makarow Yu.N. Zhmakm A J. J. Crvst. Growth. 1989. V.94. P. 537.
  108. Tirtowidjojo M" Pollard R. J. Cryst. Growth. 1989. V.98. P.420.
  109. Молекупярно-лучевая эпшаксжя и хетеросфуктуры: Перевод с англ/ Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М: Мир, 1989. С. 153.
  110. Knech T.F., Potemski R. Appl. Phys.Lett. 1985. V. 47. № 8. P.821.
  111. BlasseG. Struct. Bonding, 1980. V.42. P.l.
  112. DenBaars S.P., Maa B.Y., E^pkus P.D., Danner AD., Lee HC. J.Crvst.Growth. 1986. V.77. P. 188.
  113. Александров Л. Н Переходные области эпигаксиапьных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука. 1978. 272с.
  114. Matsumoto К., Hidaka J. J. Appl. Phys. 1989. V. 65. № 10. P. 3849.
  115. Sun S.Z., Armour EA, Zheng K., Schaus CR. I. Cryst. Growth. 1991. V.113. P.103.
  116. Knech T.F., Tischler MA, Potemski R, Cardone F. J. Cryst. Growth. 1989. V.98. P.174. >
  117. Reep D. H, Ghandhi S. K J. Hectrochem Soc. 1984. V.131. N 11. P. 2697.
  118. Зорин АД, Каратаев EH, Машевсжий, А Г., Синицин MA, Федорова О. М. ФТП. 1986. Т.20. ВЫП.12. С. 2163.
  119. . И, Капотов МН, Скоряшж. Е. А. Изв. ВУЗов. Физика 1983. № 10. С. 56.
  120. Bourgoin J.C., von Barddeben HJ., Stivenard D. J. Appl. Phys. 1988. V. 64. № 9. P. R65.
  121. Фукин KK, Резчиков В. Г., Кузнецова Т. С., Фролов ИА. Зав. лаб. 1973. № 8. С. 933.
  122. Т.С., Зевеке Т.А, Зорин АД, Каратаев Е. Н, Рубцова P.A. В сб.: Получение и анализ чистых веществ. Горький, 1983. С. 21.
  123. Разуваев Г. А, Грибов Б. Г., Домрачев Г. А. Металлорганичесжие соединения в электронике. М: Наука, 1972. 479с.
  124. Молоканов Ю. К, Кораблика Т. П. Разделение смесей кремнийорганических соединений. Л.: Химия. 1986. 336 с.
  125. Термоданашмеские свойства вещесга. Сггравочник. Под ред. В. Г1 Глушко. В. IV. М., 1970.
  126. Burger Н Die Eindungsverhaltnisse am SiJiciimvAtom // Fortschr. Clieni Forsch. 1967. V. 9. S. 38.
  127. АН. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники. М.: Высшая школа. 1983. 304 с.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!