Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Криоформирование и электрофизические свойства островковых пленок свинца

Диссертация: Криоформирование и электрофизические свойства островковых пленок свинца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Существующие модели роста конденсатов, созданные на основе классических подходов, а именно, модель Франка-ван-дер-Мерве (послойный рост), Фольмера-Вебера (островковый рост) и Странски-Крастанова (смешанный тип), применимы только к начальным стадиям нуклеации и роста тонких пленок. Эмпирическая модель структурных зон Мовчана-Демчишина, развитая впоследствии Торнтоном, дает возможность лишь… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Рост тонких пленок металлов кеморезистивный эффект в полупроводниках
    • 1. 1. Формирование тонких пленок металлов
      • 1. 1. 1. Классические модели роста тонких пленок
      • 1. 1. 2. Модель структурных зон
      • 1. 1. 3. Теоретические модели и методы моделирования роста тонких пленок
      • 1. 1. 4. Молекулярно-динамическое моделирование роста тонких пленок
      • 1. 1. 5. Исследования тонких пленок свинца
    • 1. 2. Хеморезистивные свойства тонких полупроводниковых пленок
      • 1. 2. 1. Адсорбционный отклик
      • 1. 2. 2. Зависимость чувствительности от размера зерен
      • 1. 2. 3. Влияние паров воды на проводимость полупроводниковых слоев

Криоформирование и электрофизические свойства островковых пленок свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Прогресс в микроэлектронике, оптике и в ряде других областей техники непосредственно связан с развитием тонкопленочных технологий. Одним из наиболее широко используемых методов получения тонких пленок является метод физического осаждения паровой фазы (Physical Vapor Deposition, PVD). Существует несколько разновидностей этого метода, отличающихся, в основном, способом перевода материала в газовую фазу. Для этого используют электронно-лучевое, резистивное испарение, магне-тронное распыление. Появляются и новые варианты метода, такие как направленное осаждение, позволяющее получать высокие скорости конденсации металлов (1−100 мкм/мин) при минимальной диффузии между слоями [1]. Во всех используемых в настоящее время методах скорость осаждения, угол падения атомов, кинетическая энергия атомов и температура подложки могут изменяться независимо друг от друга. Поскольку все перечисленные параметры влияют на процессы, происходящие при росте пленки, то их варьирование открывает широкие возможности для управления микроструктурой, а следовательно, и свойствами получаемого конденсата на стадии его формирования. Однако множественность этих переменных затрудняет определение экспериментальных условий, необходимых для получения конденсата с желаемой структурой.

Существующие модели роста конденсатов, созданные на основе классических подходов, а именно, модель Франка-ван-дер-Мерве (послойный рост), Фольмера-Вебера (островковый рост) и Странски-Крастанова (смешанный тип), применимы только к начальным стадиям нуклеации и роста тонких пленок. Эмпирическая модель структурных зон Мовчана-Демчишина [2], развитая впоследствии Торнтоном [3], дает возможность лишь качественно оценить, будет, ли при данной температуре подложки образовываться плотная пленка или она будет иметь колончатую структуру, содержащую пустоты. Скорость осаждения и кинетическая энергия атомов при этом не учитываются.

Естественным дополнением экспериментальных исследований формирования тонких пленок при осаждении является компьютерное моделирование. Несмотря на большое количество работ в этой области, практически отсутствуют исследования, прямо связывающие такие экспериментальные параметры, как скорость осаждения, температура подложки и кинетическая энергия атомов с измеряемыми свойствами пленки, в частности, с электропроводностью. Одним из наиболее перспективных подходов к моделированию осаждения атомов является метод молекулярной динамики, позволяющий непосредственно учитывать все перечисленные параметры.

В настоящей работе сочетются экспериментальное получение тонких металлических пленок и исследование их электрофизических свойств в зависимости от условий осаждения с компьютерным моделированием крио-формирования пленки методом молекулярной динамики в комбинации с недавно разработанным методом температурно-ускоренной динамики.

Цель работы Работа была инициирована обнаружением чувствительности к парам аммиака при комнатной температуре свинецсодержащих полипара-кеилиленовых пленок, получаемых методом осаждения паровой фазы [4]. Наши предварительные эксперименты показали, что послойные конденсаты свинец-поли-n-ксилилен также изменяют свое сопротивление в аналогичных условиях. В связи с этим, целью работы стал анализ влияния условий осаждения на механизм роста и микроструктуру тонких пленок свинца, получаемых при осаждении на различных подложках при температурах 80 К и ниже и последующем нагреве до комнатной температуры.

В данной работе были поставлены и решены следующие задачи:

1. Анализ электропроводности конденсатов свинца на неориентирую-щих подложках при криоосаждении и нагревании.

2. Определение связи микроструктуры конденсатов с условиями осаждения.

3. Теоретическое моделирование криоформирования островковых пленок свинца при гомоэпитаксиальном росте методами молекулярной динамики.

4. Расчет электропроводности конденсатов, полученных при моделировании, и изучение влияния условий осаждения на порог перколяции.

Научная новизна результатов.

В работе, впервые:

• Установлена зависимость порога перколяции криоконденсатов свинца от скорости осаждения.

• Предложена модель формирования при криоосаждении и разрушения при отжиге колончатой структуры, объясняющая немонотонное изменение сопротивления криоконденсатов свинца при их нагревании до комнатной температуры.

• Разработан комплекс программ для компьютерного моделирования криоформирования конденсатов металлов при осаждении из паровой фазы с реальными скоростями, позволяющий рассчитывать проводимость образующейся пленки конденсата.

• Проведено молекулярно-динамическое моделирование криоосажде-ния атомов свинца на поверхность РЬ (ЮО) при температурах 20−80 К со скоростями осаждения 0.182 и 0.727 монослоя/с. Установлена зависимость порога перколяции конденсата от температуры подложки, кинетической энергии конденсируемых атомов и скорости осаждения.

Практическая значимость.

Результаты работы могут быть использованы для управления микроструктурой и хеморезистивными свойствами наноматериалов при их крио-формировании. Результаты моделирования осаждения металлов из паровой фазы вычислительными методами могут быть использованы в лекционных курсах по материаловедению и нанотехнологии. Апробация работы и публикации.

Материалы диссертации были представлены на XIII Всероссийском Семинаре-Конференции по межмолекулярному взаимодействию и конфор-мациям молекул (Тверь, июнь 1997), XVI и XXII Всероссийских школах-симпозиумах молодых ученых по химической кинетике (Моск. обл., папсионат «Клязьма», февраль 1998, март 2004), 2-й Международной конференции «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотех-нологин» (Санкт-Петербург, июнь 1998), IV Международной конференции по наноструктурным материалам «NANO '98», (Швеция, июнь 1998), Европейской конференции по тонким организованным пленкам «ECOF» (Германия, сентябрь 1998; Испания, июль 2004), III Международной конференции по Химии низких температур «3ICLT» (Япония, июль 2000), IX Международной конференции по организованным молекулярным пленкам LB9 (Германия, август 2000), Гордоновской конференции «Химические сенсоры и межфазный дизайн» (Италия, май 2001), Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов 2001″ (Москва, апрель 2001), XV Международной конференции по Химии органического твердого телаЧССОБЗ XV» (Германия, июль-август 2001), Европейской конференции по органической электронике и связанных явлениях «ECOER'Ol» (Германия, ноябрь 2001), Европейской конференции, но материаловедению для молодых ученых «Junior Euromat-2002» (Швейцария, сентябрь 2002), Всероссийской конференции «Научная Сессия МИФИ-2003 (Москва, январь 2003), Международной школе НАТО «Разумные сенсоры и Микроэлектромеханические системы» (Португалия, сентябрь 2003), XVII Европейской конференции по твердотельным датчикам «Eurosensors» (Португалия, сентябрь 2003), V Европейской конференции по вычислительной химии «ЕиСоСС 5» (Франция, июнь 2004), VII Международной конференции по наноструктурным материалам «NANO 2004» (Германия, июнь 2004).

Результаты работы опубликованы в 23 публикациях, в том числе в 6 статьях и 17 тезисах докладов.

4>щ ¦ I. I.

II". p.

Hi! •.

I t.

Ml I фи. (¦ «> I.

ИI И*. t ¦ ¦ H||. I' •, i) lot I! ¦ •hi.

M M ¦ i 1 «. M.

4*1 •, «|. j ¦ I.

I ¦ ' • И.

Выводы.

1. Проведено экспериментальное и молекулярно-динамическое исследование формирования конденсатов свинца при низких температурах. Экспериментально изучен рост островковых пленок на поверхности полимера (поли-п-ксилилена), стекла и окиси алюминия. В расчете в качестве подложки использовали фрагмент кристаллической стурк-туры свинца. Реализована возможность управления структурой конденсата путем изменения условий криоформирования.

2. Создан аппаратно-программный комплекс, для получения криокон-денсатов при заданных температурах подложки и испарения и автоматического измерения электропроводности конденсата при его формировании.

3. Найдено, что порог перколяции растущей пленки свинца на поверхности поли-п-ксилилена, оксида алюминия и стекла при температуре 80 К зависит от скорости осаждения.

4. Установлено немонотонное изменение сопротивления с температурой подложки при отжиге образцов до комнатной температуры. Предложена модель формирования и разрушения колончатой структуры и образования частиц, близких к сферическим.

5. Показано, что пленки свинца обладают чувствительностью к нарам воды и аммиака только при достижениии порога перколяции в процессе осаждения.

6. На основе комбинации классического метода молекулярной динамики и метода температурно-ускоренной динамики создан программный комплекс для моделирования процессов нуклеации и роста тонких пленок металлов при конденсации из паровой фазы со скоростями осаждения, реализуемыми в эксперименте и возможностью расчета проводимости конденсата.

7. Для диффузии атома свинца по идеально ровной поверхности РЬ (ЮО) рассчитана энергия активации, которая составила 0.172 эВ. Показано что, данный барьер снижается при конденсации последующих атомов.

8. Проанализировано влияние ряда факторов на порог перколяции конденсата при гомоэпитаксиальном росте Pb/Pb (100):

• показано, что величина порога перколяции снижается с увеличением температуры подложки в диапазоне 20 80 К.

• зависимость порога перколяции от кинетической энергии атомов в диапазоне 0.014−0.025 эВ имеет максимум вблизи 0.02 эВ.

• найдено, что при увеличении скорости осаждения атомов порог перколяции пленки повышается.

3.3.

Заключение

.

В работе создан программный комплекс для моделирования процессов нуклеации и роста тонких пленок металлов при конденсации из паровой фазы со скоростями осаждения, реализуемыми в эксперименте. Для достижения этой цели в расчетной программе использована комбинация классического метода молекулярной динамики и метода температурно-ускоренной динамики.

Для оценки проводимости конденсатов программно реализован алгоритм Фогельхольма, основанный на последовательном исключении внутренних узлов проводящей сетки атомов металла.

Исследована диффузия атома свинца на поверхности РЬ (ЮО). Рассчитанная энергия активации диффузии на идеально ровной подложке равна 0.17 эВ. Обнаружено, что барьер снижается при конденсации последующих атомов.

Показано, что порог перколяции конденсата снижается с увеличением температуры подложки в диапазоне 20−80 К.

Обнаружено, что зависимость порога перколяции от кинетической энергии атомов в диапазоне 0.014−0.025 имеет максимум вблизи 0.02 эВ.

Найдено, что увеличение скорости осаждения (потока) атомов приводит к повышению порога перколяции пленки.

Наблюдаемые особенности объяснены влиянием параметров конденсации на диффузионную подвижность, которая способствует послойному росту пленок свинца при гомоэпитаксиальном росте.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Groves J. F. Directed Vapor Deposition: Ph.D. thesis / Faculty of the School of Engineering and Applied Science, University of Virginia. — 1998.
  2. . А., Демчишин А. В. Исследование структуры и свойств толстых вакуумных конденсатов никеля, титана, вольфрама, окиси алюминия и двуокиси циркония // Физ. мет. металловед. — 1969. — Т. 28. С. 653−660.
  3. Thornton J. A. Influence of apparatus geometry and deposition conditions on the structure and topography of thick sputtered coatings //' J. Vac. Sci. TechnoL 1974. — Vol. 11. — Pp. 666−670.
  4. S erg ее v G., Zagorsky V., Petrukhina M., Zavyalov S., Grigorev E., Trakhtenberg L. Preliminary study of the interaction of metal nanoparticle-containing poly-p-xylylene films with ammonia // Anal Comrnun. 1997. — Vol. 34. — Pp. 113−114.
  5. Ю. Ф. Физика тонких пленок. Размерные и структурные эффекты. — М.: Атомиздат, 1979. — 264 с.
  6. Smith D. L. Thin-film deposition. Principles and Practice. McGraw-Hill, Inc., 1995. — 616 pp.
  7. Campbell С. T. Ultrathin metal films and particles on oxide surfaces: structural, electronic and chemisorptive properties // Surf. Sci. Rep.— 1997.-Vol. 27.-Pp. 1−111.
  8. Brune H. Microscopic view of epitaxial metal growth: nucleation and aggregation // Surf. Sci. Rep. 1998. — Vol. 31.- Pp. 121−229.
  9. Zinke-Allmang M., Feldman L. C., Grabow M. H. Clustering on surfaces // Surf. Sci. Rep. 1992. — Vol. 16. — Pp. 377−463.
  10. Stoldt C. R., Caspersen K. J., Bartelt M. C., Jenks C. J., Evans J. W., Thiel P. A. Using temperature to tune film roughness: nonintuitive behavior in a simple system // Phys. Rev. Lett. — 2000.— Vol. 85.— Pp. 800−803.
  11. Ehrlich G., Hudda F. G. Atomic view of surface self-diffusion: Tungsten on tungsten // J. Chem. Phys. 1966. — Vol. 44, no. 3. — Pp. 1039−1049.
  12. Schwoebel R. L. Step motion on crystal surfaces. II // J. Appl. Phys.— 1969. Vol. 40, no. 2. — Pp. 614−618.
  13. Ratsch C., Venables J. A. Nucleation theory and the early stages of thin film growth 11 J. Vac. Sci. Technol. 2003. — Vol. 21. — Pp. S96-S110.
  14. Walgraef D. On the dynamics of nanostructures formation during thin film growth // Instabilities and nonequilibrium structures / Ed. by O. Descalzi, J. Martinez,, S. Rica. 2001. — Vol. 9. — Pp. 389−411.
  15. Thompson С. V. Grain growth in thin films // Annu. Rev. Mater. Sci. — 1990. Vol. 20. — Pp. 245−268.
  16. Ozawa S., Sasajirna Y., Heermann D. W. Monte Carlo simulations of film growth // Thin Solid Films. 1996. — Vol. 272. — Pp. 172−183. '
  17. Montalenti F., Fernando R. Competing mechanisms in adatom diffusion on a channeled surface: Jumps versus metastable walks // Phys. Rev. B. — 1998. Vol. 58. — Pp. 3617−3620.
  18. H. Т., N0rskov J. K., Jacobsev K. W. Mechanisms of self-diffusion on Pt (110) // Phys. Rev. В. 1999, — Vol. 60, — Pp. R5149-R5152.
  19. Voter A. F., Montalenti F., Germann Т. C. Extending the time scale in atomistic simulation of materials // Annu. Rev. Mater. Res. 2002. Vol. 32. Pp. 321 346.
  20. Voter A. F. A method for accelerating the molecular dynamics simulation of infrequent events // J. Chem. Phys. 1997.- Vol. 106.- Pp. 46 654 677.
  21. Voter A. F. Hyperdynamics: Accelerated molecular dynamics of infrequent events 11 Phys. Rev. Lett. 1997. — Vol. 78. — Pp. 3908−3911.
  22. Voter A. F. Parallel replica method for dynamics of infrequent events // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 57. — Pp. R13985-R13988.
  23. S0rensen M. R., Voter A. F. Temperature-accelerated dynamics for simulation of infrequent events //J. Chem. Phys. — 2000. — Vol. 112. — Pp. 9599−9606.
  24. Truhlar D. G., Garrett В. C., Klippenstein S. J. Current status of transition-state theory // J. Phys. Chem. — 1996. — Vol. 100. — Pp. 12 771−12 800.
  25. Milller K.-H. Stress and microstructure of sputter-deposited thin films: Molecular dynamics investigations //
  26. Paik S. M., Kim S., Schuller I. K. Surface kinetics and roughness on microstructure formation in thin films // Phys. Rev. В.— 1991. — Vol. 43. Pp. 1843−1846.
  27. Smith R. W., Srolovitz D. Void formation during film growth: a molecular dynamics simulation study // J. Appl. Phys. — 1996. — Vol. 79. — Pp. 1448−1457.
  28. Dong L., Smith R. W., Srolovitz D. J. A two-dimensional molecular dynamics simulation of thin film growth by oblique deposition // J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 80. — Pp. 5682−5690.
  29. Zhou X., Johnson R., Wadley H. A molecular dynamics study of nickel vapor deposition: temperature, incident angle, and adatom energy effects // Acta Mater. 1996. Vol. 45. Pp. 1513−1524.
  30. Daw M. S.- Baskes M. I. Embedded-atom method: Derivation andapplication to impurities, surfaces, and other defects in metals // Phys. Rev. B. 1984. — Vol. 29. — Pp. 6443−6453.
  31. Kelchner C. L., DePristo A. E. Molecular dynamics simulations of multilayer homoepitaxial thin film growth in the diffusion-limited regime ,// Surf. Sci. 1997. — Vol. 393. — Pp. 72−84.
  32. Montalenti F., Voter A. F. Applying accelerated molecular dynamics to crystal growth // Phys. Stat. Sol. (b). 2001. — Vol. 226. — Pp. 21−27.
  33. Montalenti F., S0rensen M. R., Voter A. F. Closing the gap between experiment and theory: crystal growth by temperature accelerated dynamics // Phys. Rev. Lett. 2001. — Vol. 87. — P. 126 101.
  34. Montalenti F., Voter A. F. Normal-incidence steering effect in crystal growth: Ag/Ag (100) // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. — P. 81 401.
  35. Sprague J. A., Montalenti F., Uberuaga B. P., Kress J. D., Voter A. F. Simulation of growth of Cu on Ag (001) at experimental deposition rates // Phys. Rev. B. 2002. — Vol. 66. — P. 205 415.
  36. Jalochowski M., Bauer E. Quantum size and surface effects in the electrical resistivity and high-energy electron reflectivity of ultrathin lead films // Phys. Rev. B. 1988. — Vol. 38. — Pp. 5272−5280.
  37. Jalochowski M., Bauer E., Knoppe H., Lilienkarnp G. Experimental evidence for quantum-size-effect fine structures in the resistivity of ultrathin Pb and Pb-In structures // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 45. -Pp. 13 607−13 613.
  38. Jalochowski M., Knoppe H., Lilienkamp G., Bauer E. Photoemission from ultrathin metallic films: quantum size effect, electron scattering, and film structure // Phys. Rev. B. 1992. — Vol. 46. — Pp. 4693−4701.
  39. Jalochowski M., Hoffmann M., Bauer E. Pb layer-by-layer growth at very low temperatures // Phys. Rev. B. — 1995. — Vol. 51. — Pp. 7231−7238.
  40. Henzler M., Pfenningtorf 0., Land K., Liler, Moresco F., Hilderbrandt T. Structure and electronic properties of epitaxial metallic monolayers // Surf. Sci. 1999. — Vol. 438. — Pp. 178−184.
  41. Pfenningtorf 0., Land K., Giinter H.-L., Henzler M. Electronic transport in ultrathin epitaxial Pb films on Si (lll) surfaces // Appl. Surf. Sci.— 2000. Vol. 162−163. — Pp. 537−546.
  42. Hoque E. Petkova A. Henzler M. Growth mode of Pb films on vicinal Si (lll) /7 Surf. Sci. 2002. — Vol. 515. — Pp. 312−322.
  43. Pfenningstorf O., Petkova A., Guenter H., Henzler M. Conduction mechanism in ultrathin metallic films // Phys. Rev. В.— 2002, — Vol. 65. P. 45 412.
  44. Wu Y. Chen Q., Takeguchi M., Furuya K. High-resolution transmission electron microscopy study on the anomalous structure of lead nanoparticles with UHV-MBE-TEM system // Surf. Sci. 2000. — Vol. 462. Pp. 203 210.
  45. Jeffers G., Dubson M. A., Duxbury P. M. Island-to-percolation transition during growth of metal films //J. Appl. Phys.— 1994, — Vol. 75.— Pp. 5016−5020.
  46. Bhaumik S., Kundu S., SenGupta S. P. Morphology of thin lead films grown on glass substrates by atomic force and electron microscopy // Mat. Chem. Phys. 2001. — Vol. 72. — Pp. 16−22.
  47. Strongin M., Kammerer 0. Superconductive phenomena in ultrathin films // J. Appl. Phys. 1968. — Vol. 39. — Pp. 2509−2514.
  48. Strongin M., Thompson R. SKammerer 0. F., Crow J. E. Destruction of superconductivity in disordered near-monolayer films // Phys. Rev. B. 1969. — Vol. 1. — Pp. 1078−1091.
  49. Danilov A. V., Kubatkin S. E., Landau I. L., Parshin I. A., Rinderer L. Insulating modifications in cold deposited films of metals // Chin. J. Phys. 1998. — Vol. 36. — Pp. 428−432.
  50. Ekinci K. L. Valles Jr. J. M. Formation of polycrystystalline structure in metallic films in the early stages of zone I growth // Acta Mater. — 1998. Vol. 46. — Pp. 4549−4557.
  51. Ekinci K. L., Valles Jr. J. M. Morphology of quench condensed Pb films near the insulator to metal transition // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82.-Pp. 1518−1521.
  52. Gopel W.- Hesse J., Zemel J. Sensors: A Comprehensive Survey. — VCH Weinheim, 1995. Vol. 8.
  53. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции. — М.: Наука, 1987. — 432 с.
  54. Morrison S. J. Changes of surface conductivity of germanium with ambient gas // J. Phys. Chem. 1953. — Vol. 57. — Pp. 860−863.
  55. Г. П. Физика поверхности полупроводников. — Киев: Изд-во Ки-евск. ун-та, 1967. — 192 с.
  56. Semiconductor sensors in physico-chemical studies / Ed. by L. Y. Kupriyanov. — Amsterdam: Elsevier, 1996. — 400 pp.
  57. Химия твердого состояния: Пер. с англ. / Под ред. В. Гарнера. М.: Изд-во иностр. лит., 1961. — С. 501−518.
  58. Kocemba I. The mechanism of electrical conduction in resistant sensors of gas based on Sn02 // Electron Technology. 1996. — Vol. 29. — Pp. 372 383.
  59. Bdrsan N., Weimar U. Conduction model of metal oxide gas sensors /,/ J. Electroceramics. 2001. — Vol. 7. Pp. 143−167.
  60. Watson J. A note on the electrical characterisation of solid-state gas sensors // Sens. Actuator B-Chem. 1992. — Vol. 8. — Pp. 173−177.
  61. Iwamoto M. Characterisation of oxygen adsorbates on semiconductive oxides. — Tokyo: Kodansha, 1992. — Vol. 4 of Chemical Sensor Technology. — Pp. 63−83.
  62. Chemical sensing with solid state devices / Ed. by M. J. Madou, S. R. Morrison. — London: Academic Press, 1991. — 556 pp.
  63. Heiland, G. Kohl D. Physical and chemical aspects of oxidic semiconductor gas sensors. — Tokyo: Kodansha, 1988. — Vol. 1 of Chemicalm
  64. Sensor Technology. — Pp. 15−39.
  65. Т. В., Semancik S. Conductance response of Pd/Sn02 (110) model gas sensors to H2 and O2 // Sens. Actuator B-Chem. — 1990.— Vol. 2. Pp. 305−309.
  66. Zemel J. N. Theoretical description of gas-film interaction on SnO^ // Thin Solid Films. 1988. — Vol. 163. — Pp. 139−202.
  67. Gaggiotti G., Galdikas A., Kaciulis S., Mattogno G., Setkus A. Temperature dependencies of sensitivity and surface chemical composition of SnOx- gas sensors // Sens. Actuator B-Chem.— 1995.— Vol. 25.— Pp. 516−519.
  68. Windischrnann H., Mark P. A model for the operation of a thin-film SnOx- conductancc-modulation carbon monoxide sensor //J. Electrochern. Soc. 1979. — Vol. 126. — Pp. 627−633.
  69. Peti F., Fleisher M., Meixner H., Giber J. Effect of coadsorption of reducing gases on the conductivity of P-G&2O3 thin films in the presence of 02 /,/ Sens. Actuator B-Chem. 1994. — Vol. 19. — Pp. 573−577.
  70. Barsan N., Schweizer-Berberich M., Gopel W. Fundamental and practical aspects in the design of nanoscaled SnC>2 gas sensors: a status report // Fresenius J. Anal. Chem. 1999. — Vol. 365. — Pp. 287−304.
  71. Williams D. E. Semiconducting oxides as gas-sensitive resistors // Sens. Actuator B-Chem. 1999. Vol. 57. -- Pp. 1- 16.
  72. Simon I., Barsan N., Bauer M., Weimar U. Micromachined metal oxide gas sensors: opportunities to improve sensor performance // Sens. Actuator B-Chem. 2001. — Vol. 73. — Pp. 1−26.
  73. Yamazoe N., Miura N. Some basic aspects of semiconductor gas sensors. — Tokyo: Kodansha, 1992. — Vol. 4 of Chemical Sensor Technology. — Pp. 19−42.
  74. Yamazoe N. New approaches for improving semiconductor gas sensors // Sens. Actuator B-Chem. 1991. — Vol. 5. — Pp. 7−19.
  75. В. В., Сысоев В. В., Ворошилов С. А., Симаков В. В. Влияние адсорбции кислорода на проводимость тонких пленок оксида олова // ФТП. 2000. — Т. 34. — С. 314−317.
  76. Sberveglieri G. Recent developments in semiconducting thin-film gas sensors // Sens. Actuator B-Chem. — 1995. Vol. 23. — Pp. 103−109.
  77. Narducci D., Girardi G., Mari С. M., Pizzini S. Application of surface science to preparation and characterization of solid-state chemical sensors // Sens. Actuator B-Chem. 1996. — Vol. 8. — Pp. 223−229.
  78. Hahn S. H., Barsan N., Weimar U., Ejakov S., Visser J. H., Soltis R. E. CO sensing with Sn02 thick film sensors: role of oxygen and water // Thin Solid Films. 2003. — Vol. 436. — Pp. 17−24.
  79. Schmid W., Barsan N.- Weimar U. Sensing of hydrocarbons with tin oxide sensors: possible reaction path as revealed by consumption measurements // Sens. Actuator B-Chem. 2003. Vol. 89. — Pp. 232 236.
  80. В. Квантоворазмерные металлические коллоидные системы // Успехи химии. 2000. — Т. 69, № 10. — С. 899−923.
  81. В. В., Петрухина М. А., Сергеев Г. Б., Розенберг В. И., Харитонов В. Г. Способ получения пленочных материалов, содержащих кластеры металлов. Патент 2 017 547. — 1994.
  82. D. У. Device applications of polymer-nanocomposites // Adv. Polymer Sci. 2000. — Vol. 153. — Pp. 163−205.
  83. В. А., Вдовина JI. И., Сметанников Ю. В., Васильков А. К). Велавцева Е. М., Радченко Л. Г., Гурышев В. Н. Синтез хромсодер-жащего поли-п-ксилилена // Металлоорг. химия. — 1990. — Т. 3. С. 919−922.
  84. Г. В., Загорский В. В., Зиненкова Г. М., Пет, рухина М. А., Ревокатов О. П., Сергеев Г. Б. Электронно-микроскопическое исследование металлсодержащих поли-пара-ксилиленовых пленок // Изв. АН сер. физ. 1997. — Т. 61. — С. 1871−1876.
  85. Sergeev G., Zagorsky V., Petrukhina М. Nanosize metal particles in poly (p-xylylene) films obtained by low-temperature codeposition // J. Mater. Chem. 1995. — Vol. 5. — Pp. 31−34.
  86. В. В., Насонова А. Е., Петрухина М. А. Сергеев Г. Б. Криохимическое получение наночастиц марганца в полип-кси л и леновых пленках // Вестник Моск. Ун-та, сер. 2, Химия.--1995. Vol. 36, по. 4. — Pp. 159−163.
  87. Alexandrova L. N., Sochilin V. A., Gerasimov G. N., Kardash I. E. Cryochemical synthesis of Mg-containing poly (p-xylylene) // Polymer. 1997. Vol. 38. — Pp. 721−724.
  88. В. В., Ивашко С. В., Петрухина М. А., Сергеев Р. Криосинтез наночастиц марганца в поли-п-ксилиленовых пленках // Вестн. Моск. Ун-та сер. 2 хим. 1998. — Т. 39, № 4. — С. 276−277.
  89. E. В. Синтез, структура и свойства поли-п-ксилиленовых композитных пленок с металлическими и полупроводниковыми частицами: Автореф. дис. канд. хим. наук: 02.00.06. — М., 2000. — 25 с.
  90. А. Ф., Соловьев В. Н., Загорский В. В., Сергеев Р. Б. Моделирование эффектов памяти при одномерном росте кластеров /7 Жури. физ. химии. 1994. — Т. 68. — С. 155−158.
  91. Г. В., Загорский В. В., Петрухина М. А., Завьялов С. А., Григорьев Е. И., Трахтенберг Я. И. Чувствительный слой на аммиак. Патент 2 097 751.- 1995.
  92. А. Е. Фотопроводящие и сенсорные свойства поли-п-ксилиленовых пленок, содержащих наночастицы металла: Дне. канд. физ.-мат. наук: 02.00.04. М., 1999. — 123 с.
  93. Erjavec J., Sikita J., Beaudoin P., Raupp G. P. Novel parylene-N films depositred at liquid nitrogen temperatures // Mater. Lett.— 1999. Vol. 39. Pp. 339−342.
  94. Г. Б. Нанохимия. — М.: Изд-во Моск. ун-та, 2003. — 288 с.
  95. Gorham W. A new, general synthetic method for the preparation of linear poly-p-xylylenes // J. Polymer Sci. A-l.- 1966.- Vol. 4.- Pp. 30 273 039.4
  96. Технология тонких пленок: Пер. с англ. / Под ред. Л. Майссела. Р. Глэнга. — М.: Изд-во «Сов. радио», 1977.— Т. 1.
  97. Greenspan L. Humidity fixed points of binary saturated aqueous solutions // J. National Bureau of Standards. — 1977. — Vol. 81 A, no. 1. Pp. 89−96.
  98. Pattabi M., Suresh N., Chaudhari S. M., Banerjee A., Phase D. M., Gupta A., Mohan Rao K. Aging studies on discontinuous silver films in ultrahigh vacuum // Thin Solid Films. 1998. — Vol. 322. — Pp. 340−343.
  99. Bochenkov V. E., Karageorgiev P., Brehmer L., Sergeev G. B. Quenched growth of nanostructured lead thin films on insulating substrates / / Thin Solid Films. 2004. — Vol. 458. — Pp. 303−307.
  100. Gingerich K. A., Cocke D. L., Miller F. Thermodynamic investigation ofthe lead molecules Pb2, РЬз, and Pb4 by mass spectrometry // J. Chem. Phys. 1976. — Vol. 64. — Pp. 4027−4033.
  101. Balasubramanian K., Majumdar D. Spectroscopic properties of lead trimer (РЬз and PbJ): potential energy surfaces, spin-orbit and Jahn-Teller effects // J. Chem. Phys. 2001. — Vol. 115. — Pp. 8795−8809.
  102. Zhao C., Balasubramanian K. Spectroscopic properties of lead hexamer and its ions (Pb6, PbJ, Pb^) // J. Chem. Phys. 2002, — Vol. 116. — Pp. 10 287−10 296.
  103. JJ. И., Холмянский В. А. Островковые металлические пленки. — М.: Металлургия, 1973. — 320 с.
  104. Мейксин 3. Г. Несплошные и керметные пленки // Физика тонких пленок: Пер. с англ. / Под ред. Г. Хасса, М. Франкомба,, Р. Гофмана. М.: Мир, 1978. — Т. 8. — С. 106−179.
  105. Chopra К. L., Randlett М. R. Influence of deposition parameters on the coalescence stage of growth of metal films //J. Appl. Phys.— 1968.— Vol. 39.-Pp. 1874−1881.
  106. В. И. Структура и перколяционные свойства проводящих пленочных композиций // Колл. журн. — 1998. — Т. 60. — С. 729−745.
  107. В. И. -Фрактальные структуры в дисперсных системах // Усп. химии. 2003. — Т. 72. — С. 931−959.
  108. Coombes С. J. The melting of small particles of lead and indium // J. Phys. F: Met. Phys. 1972. — Vol. 2, — Pp. 441−449.
  109. К. F., Cohen J. В., Chung Y.-W. Melting of Pb nanocrystals // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 57. — Pp. 13 430−13 438.
  110. Tsuboi Т., Seguchi Y., Suzuki T. The melting temperature of thin lead films // J. Phys. Soc. Japan. 1990. — Vol. 59. — Pp. 1314−1321.
  111. Giilseren 0., Ercolessi F., Tosatti E. Premelting of thin wires // Phys. Rev. B. 1995. — Vol. 51. — Pp. 7377−7380.
  112. Thiirmer K., Williams E., Reutt-Robey J. Autocatalytic oxidation of lead crystallite surfaces // Science. 2002. — Vol. 297. — Pp. 2033−2035.
  113. Tuckerman M. E., Martyna G. J. Understanding modern molecular dynamics: techniques and applications // J. Phys. Chem.-- 2000. — Vol. 104, — Pp. 159−178.
  114. Lim H. S., Ong С. K., Ercolessi F. Stability of face-centered cubic and octahedral lead clusters // Surf. Sci. 1992. — Vol. 269 -270. — Pp. 1109 1115.
  115. Lim H. S., Ong С. K., Ercolessi F. Icosahedra from liquid droplets? // Comput. Mater. Sci 1994.™ Vol. 2, — Pp. 495−499.
  116. G., Lutz H. 0. The onset of a liquid-vapour transition in metallic nanoparticles // Chem. Phys. Lett. 1997. — Vol. 280. — Pp. 5965.
  117. Hendy S. C., Hall B. D. Molecular dynamics simulations of lead clusters // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64. — P. 85 425.
  118. Hendy S. C., Doye J. P. K. Surface-reconstructed icosahedral structures for lead clusters // Phys. Rev. B. 2002. — Vol. 66. — P. 235 402.
  119. Doye J. P. K., Hendy S. C. The structure of small lead clusters // Eur. Phys. J. 2003. — Vol. 22. — Pp. 99−107.
  120. Giilseren O., Ercolessi F., Tosatti E. Non-crystalline structures of ultra-thin unsupported nanowires // Phys. Rev. Lett. — 1998. — Vol. 80. -Pp. 3775−3778.
  121. Stauffer D., Aharony A. Introduction to percolation theory.— 2nd edition. — London: Taylor and Francis, 1992. — 190 pp.
  122. ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
  123. V. V., Bochenkov V. Е., Ivashko S. V., Sergeev G. В. Electric conductivity of organic films, containing nanosize metal particles // Mater. Sci. Eng. C.-1999.-Vol. 8−9.-Pp. 329−334.
  124. Zagorskii V. V., Ivashko S. V., Bochenkov V. E., Sergeev G. B. Cryochemical synthesis and physical-chemical properties of nano-dispersed metallopolymers // Nanostruct. Mater. — 1999. — Vol. 12. — Pp. 863−866.
  125. Bochenkov V. E., Stephan N., Brehmer L., Zagorskii V. V., Sergeev G. B. Sensor activity of thin polymer films containing lead nanoparticles // Colloid Surf. A-2002. —Vol. 198.-Pp. 911−915.
  126. Г. В., Боченков В. Е. Нанохимия металлов и размерные эффекты // Труды Всеросс. конф. «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем». -М: 2003." — С. 24−29.
  127. V. Е., Karageorgiev P., Brehmer L., Sergeev G. В. Quenched growth of nanostructured lead thin films on insulating substrates // Thin Solid Films. 2004. — Vol. 458. — Pp. 303−307.
  128. Bochenkov V., Zagorsky V., Sergeev G. Chemiresistive properties of lead nanoparticles, covered by oxide and sulfide layer // Sens. Actuator B-Chem. -2004. Vol. 103. — Pp. 375−379.
  129. Zagorsky V. V., Ivashko S. V., Bochenkov V. E., Sergeev G. B. Cryochemical synthesis and physical-chemical properties of nano-dispersed metallopolymers // Proc. IV International Conf. on Nanostruct. Mater. (NANO '98).-Stockholm: 1998.-P. 95.
  130. Zagorsky V. V., Bochenkov V. E., Ivashko S. V., Sergeev G. B. Electric conductivity of organic films, containing nanosize metal particles // Proc. European Conf. on Thin Organised Films,. — Potsdam: 1998. P. 310.
  131. Zagorsky V. V., Ivashko S. V., Bochenkov V. E., Sergeev G. B. Cryosynthesis and electro-physical properties of nanosize metal-polymer systems j I Proc. Ill Irternational Conf. on Low Temperature Chemistry. -Nagoya: 1999. P. 149.
  132. Botchenkov V. E., Stefan N., Brehmer L., Zagorskii V. V., Sergeev G. B. Sensor activity of thin polymer films containing lead particles // Proc. IX International conf. on Organized Molecular Films (LB9). — Potsdam: 2000. — P. 172.
  133. Bochenkov V. E., Zagorskii V. V., Sergeev G. B. Sensor activity of thin polymer films containing lead nanoparticles // Сборн. тез. докл. Международной конф. студентов и аспирантов по фунд. наукам «Ломоносов-2001». секция Химия. М: 2001. — С. 204.
  134. V. Е., Zagorskii V. V., Sergeev G. В. The design of solid metallopolymer films and their properties // Proc. XV International Conf. on Chemistry of Organic Solid State. — Mainz: 2001. — P. 35.
  135. V. E., Zagorsky V. V., Sergeev G. В., Brehmer L. Nanostructured lead-poly (p-xylylene) films and their sensor properties // Proc. European Conf. on Organic Electronics and Related Phenomena. — Potsdam: 2001.-Pp. 186−187.
  136. В. E., Сергеев Г. Б. Рост наночастиц свинца на диэлектрических подложках // Сборн. тез. докл. II Международной конференции «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехноло-гии». М: 2003. — С. 126.
  137. V. Е., Sergeev G. В. Sensor activity of nanostructured lead thin films // Proc. NATO Advanced Study Institute «Smart sensors and MEMS». Povoa de Varzim: 2003. — P. 298.
  138. Bochenkov V., Zagorsky V., Sergeev G. Chemiresistive properties of lead nanoparticles, covered by oxide layer // Proc. European conf. on solid-state transducers (EUROSENSORS XVII).-Guimaraes: 2003.-Pp. 350−351.
  139. В. E., Сергеев Г. В. Молекулярно-динамическое моделирование роста наноструктур свинца при осаждении на холодную поверхностьв вакууме // Сборы, тез. докл. XXII Всероссийской школы-симпозиума молодых ученых по хим. кинетике. — М: 2004. — С. 77.
  140. V. Е., Sergeev G. В. MD simulation of thin Pb films growth on cooled substrate // Proc. V European conf. on computational chemistry. — La Londe Les Maures: 2004. P. 80.
  141. V. E., Sergeev G. В., Karageorgiev P., Brehmer L. Quenched growth of gas sensitive''-nanostructured thin films // Proc. VII International conf. on Nanostructured materials (NANO 2004). — Wiesbaden: 2004. P. 266.
  142. Bochenkov V. E., Zagorsky V. V., Sergeev G. B. Cryoformation of nanostructured lead films // Proc. IX European conf. on organized films. — Valladolid: 2004.-P. 12.
  143. Bochenkov V. E., Sergeev G. B. Molecular dynamics study of lead nanostructures grown by physical vapor deposition // Proc. IX European conf. on organized films.—Valladolid: 2004. —P. 93.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!