Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Электронное состояние поверхности GaAs и InP: Диагностика, управление, пассивация

Диссертация: Электронное состояние поверхности GaAs и InP: Диагностика, управление, пассивация
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Первые систематические исследования электронных свойств реальной поверхности ОаАэ, выполненные в конце 60- — начале 70- годов Дмитруком, Ляшенко и Флинном, выявили чрезвычайно важный в научном и прикладном отношении факт существования в СаАв вблизи границы с собственным оксидом ярко выраженного обедненного слоя, играющего значительную роль в механизме электронных явлений в этом материале. Однако… Читать ещё >

Содержание

  • Основные сокращения и условные обозначения
  • ЕЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ЯВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ФОТО-ЭДС В ваАз и 1пР
    • 1. 1. Физические механизмы и модельные расчеты ПФЭ. Сравнение с экспериментом (состояние вопроса)
    • 1. 2. Длинновременная поверхностная фото-ЭДС в 1пР
    • 1. 3. Люкс-вольтовые характеристики поверхностной фото-ЭДС в ОаАБ
    • 1. 4. Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на фото-ЭДС в ОаАБ и 1пР
    • 1. 5. Малосигнальная поверхностная фото-ЭДС
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ПЛАНАРНАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ на
  • ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ
    • 2. 1. Постановка задачи
    • 2. 2. Об измерении фотоотклика внутреннего (ьп) барьера методом динамического конденсатора
    • 2. 3. Методика регистрации зависимости стрь (Уръ)
    • 2. 4. Барьерные эффекты в фотопроводимости тонкопленочных структур
    • 2. 5. Модель барьерной фотопроводимости
    • 2. 6. Экспериментальное подтверждение модели БФП
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ДИАГНОСТИКА ЭЛЕКТРОННОГО СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3В
    • 3. 1. Проблемы контроля электронных свойств реальной поверхности полупроводников А3В
    • 3. 2. Методы определения приповерхностного изгиба зон
    • 3. 3. Определение параметров поверхностных состояний
    • 3. 4. Исследование приповерхностной подвижности электронов
    • 3. 5. Контроль распределения электрофизических параметров по поверхности пластины
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. УПРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ И ЭЛЕКТРОННЫМИ СВОЙСТВАМИ ПОВЕРХНОСТИ ФОСФИДА ИНДИЯ
    • 4. 1. Роль адсорбционных воздействий в формировании поверхностного заряда
    • 4. 2. Эффект поверхностного легирования металлами
    • 4. 3. Влияние окисления на поверхностные свойства InP
    • 4. 4. Ионная обработка поверхности. j
    • 4. 5. Модификация поверхности атомами серы
  • Выводы
  • ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ НЕКОТОРЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
    • 5. 1. Зависимость приповерхностного изгиба зон от объемного легирования
    • 5. 2. Эффект фотопамяти на термически окисленной поверхности GaAs
    • 5. 3. Электрические характеристики структур GaAs — анодный оксид
    • 5. 4. Управление электрофизическими свойствами пленок
  • GaAs в процессе газофазной эпитаксии в системе Ga (CH3)3-AsH3-H
    • 5. 5. Трансформация потенциального барьера на легированной золотом поверхности GaAs
  • Выводы
  • ГЛАВА 6. ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
    • 6. 1. Пассивация при облучении вакуумным ультрафиолетом
    • 6. 2. Сульфидная пассивация
    • 6. 3. Фосфидная пассивация
    • 6. 4. Гетероэпитаксиальная пассивация
  • Выводы

Электронное состояние поверхности GaAs и InP: Диагностика, управление, пассивация (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Арсенид галлия и фосфид индия относятся к числу важнейших материалов полупроводниковой электроники. Они успешно используются в. разработках и производстве микрои оптоэлектронных приборов, устройств СВЧ-техники, на их основе методами нанотехнологии создаются низкоразмерные микроструктуры, с применением которых связывается прогресс в области наноэлектроники.

Физические свойства ОаАэ и 1пР во многих отношениях подобны: у них одинаковая кристаллическая структура, сходное строение энергетических зон, обеспечивающее прямые межзонные переходы, близкие значения ширины запрещенной зоны. Они выгодно отличаются от кремния более высокой подвижностью электронов в слабых полях и более высокими значениями максимальной скорости дрейфа, что позволяет рассчитывать на создание быстродействующих приборов с улучшенными характеристиками. Малые времена жизни носителей заряда и большие, чем у кремния, значения ширины запрещенной зоны делают эти материалы перспективными для производства радиационно-стойких устройств, работающих при повышенных температурах. Наконец, известные технологические достижения в создании высококачественных полуизолирующих кристаллов ¡—СаАэ и МпР позволили использовать эти материалы в качестве диэлектрических подложек, на поверхности которых методами гомои гетероэпитаксии можно формировать различные пленочные структуры для дискретных приборов и интегральных схем,.

Вместе с тем к началу выполнения настоящей работы (1980 г.) специалисты, занятые разработкой электронных приборов на основе ваЛв, 1пР и л С других соединений, А В, столкнулись с серьезной физико-технологической проблемой, которая стала основным препятствием для практической реализации в полном объеме преимуществ полупроводников А3В5. Оказалось, что в приборных структурах из-за неудовлетворительного состояния поверхности и границ полупроводника с металлами и диэлектриками возникает высокая плотность локализованных электронных состояний, что приводит к закреплению (пиннингу) уровня Ферми в узком интервале запрещенной зоны на поверхности. Вследствие пиннинга уровня Ферми не удается обеспечить управление поверхностным потенциалом в эффекте поля и создать базовый элемент для сверхбольших интегральных схем — МДП-транзистор. В диодах Шоттки пиннинг проявляется в значительном ослаблении (или даже отсутствии) влияния работы выхода металла на высоту потенциального барьера, что усложняет технологию изготовления омических контактов и диодов с малой высотой барьера. Высокая рекомбинационная активность поверхности и ге-терограниц является причиной снижения эффективности фотоприемников и лазерных структур. Все это привело к тому, что в физике и технологии полус проводников, А В на первый план выдвинулась задача управления электронными свойствами поверхности и границ раздела.

Значительный прогресс в изучении природы поверхностных электронных состояний в ваАБ и 1пР был достигнут благодаря развитию дифракционных и спектроскопических методов исследования поверхности (дифракция быстрых и медленных электронов, Оже-электронная спектроскопия, рентгеновская и ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия и др.), дающих уникальную информацию о «микроскопических» характеристиках атомарно-чистой поверхности в условиях сверхвысокого вакуума — ее строении, химическом составе и электронной структуре. Среди огромного числа публикаций на эту тему выделим работы стенфордской группы исследователей во главе со Спайсером, в которых выполнены детальные исследования поведения уровня Ферми при адсорбции кислорода и атомов металлов и сформулированы простые модельные представления о роли поверхностных дефектов в с механизме пиннинга уровня Ферми в полупроводниках, А В (1979 — 1990). Теоретическое обоснование модели Спайсера дано в работах Аплена и Доу, рассчитавших энергетические положения точечных дефектов в объеме и на.

3 5 поверхности большинства соединений, А В (1986).

К середине 80-х годов наряду с изучением атомарно-чистых поверхностей был накоплен обширный экспериментальный и теоретический материал по фундаментальным вопросам, касающимся физико-химических и электрических свойств МПи ДП-границ ОаАэ и 1пР. Большой вклад в формирование современных представлений о происхождении ПЭС на этих границах внесли японские исследователи Хасегава, Савада, Ооно (модель состояний, индуцированных разупорядочением, 1986), последовательно развивающие выдвинутую ранее Овсюком и Ржановым (1969) гипотезу об определяющей роли позиционного разупорядочения межфазных границ в формировании энергетического спектра ПЭС в МДП-структурах.

Таким образом, к началу выполнения настоящей работы достаточно подробно были исследованы атомарно-чистые поверхности, к которым применимы методы фотоэмиссионной спектроскопии, и межфазные границы «диэлектрик-А3В5» и «металл-А3В5» (различные варианты 1-У и С-У измерений). Между тем единый концептуальный подход к решению проблемы управления состоянием поверхности найден не был. Не были разработаны и эмпирические приемы снижения плотности ПЭС и открепления уровня Ферми в приборных структурах на основе этих полупроводников.

В реальных условиях при изготовлении приборов металлы и диэлектрики, как правило, осаждаются на поверхность полупроводника, покрытую более или менее тонким слоем собственного оксида, образовавшимся в результате вынужденной экспозиции полупроводниковой пластины на воздухе (так называемая, реальная поверхность). В связи с этим характеристики приборов должны существенно зависеть от физико-химических свойств оксидных слоев и электронного состояния поверхности полупроводника под слоем оксида. Таким образом, для совершенствования технологии подготовки поверхности, разработки методов контроля ее состояния и улучшения характеристик приборов особое значение приобретает исследование особенностей электронных процессов, протекающих на реальной поверхности ваАБ и 1пР. Такие исследования имеют и самостоятельный научный интерес, связанный с выяснением роли поверхностного оксида в формировании энергетической структуры поверхности, ее зарядового состояния, а также электрических, фотоэлектрических и оптических свойств полупроводника. Отметим, что часто используемый в теоретических и технологических работах, прямой «перенос на реальную поверхность» модельных представлений, развитых на основе экспериментов с атомарно-чистыми поверхностями или МПи МДП-структурами явно некорректен и может приводить к появлению необоснованных технологических решений.

В большинстве работ, посвященных исследованию реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия, основное внимание уделялось выяснению элементного и фазового состава поверхности, кинетики ее окисления и влиянию на физико-химические свойства поверхности тех или иных химических обработок.

Первые систематические исследования электронных свойств реальной поверхности ОаАэ, выполненные в конце 60- - начале 70- годов Дмитруком, Ляшенко и Флинном, выявили чрезвычайно важный в научном и прикладном отношении факт существования в СаАв вблизи границы с собственным оксидом ярко выраженного обедненного слоя, играющего значительную роль в механизме электронных явлений в этом материале. Однако по сравнению, например, с поверхностью кремния явно ощущался дефицит информации о специфике электронных и фотоэлектронных процессов на реальной поверхности СаАв и особенно 1пР. Это связано как с более сложной физико-химической природой такой поверхности в бинарных полупроводниках, так и с трудностями количественного определения информационных параметров, характеризующих электронное состояние поверхности (изгиб зон, положение уровня Ферми на поверхности, энергетический спектр ПЭС, параметры приповерхностной области, «скрытой» в пределах слоя обеднения и др.). Так, например, успешно применяемый при исследовании ве и классический метод определения изгиба зон, основанный на измерении поверхностной проводимости в квазистационарном эффекте поля, оказывается непригодным для количественного описания поверхности широкозонных полупроводников с высокой плотностью ПЭСмалые времена жизни неравновесных носителей в ОаАэ и 1пР. затрудняют или делают невозможным применение метода «фото-ЭДС насыщения" — оптические методы диагностики дают определенную информацию о положении поверхностного уровня Ферми лишь в сильно легированных материалахсерьезные методические проблемы возникают и с диагностикой системы ПЭС на реальной поверхности широкозонных полупроводников типа СаАэ.

Таким образом, из-за отсутствия адекватных методов исследования отсутствовали детальные и достоверные сведения об электронном состоянии реальной поверхности СаАв и 1пР и возможности управления этим состоянием с помощью различных физико-химических воздействий. В частности, вопрос о величине приповерхностного изгиба зон и возможных пределах его изменения с помощью тех или иных технологических приемов, т. е. вопрос о «жесткости» пиннинга уровня Ферми, практически не был изучен. Между тем нахождение способов контролируемого управления изгибом зон имеет не только очевидное прикладное значение в связи с разработкой методов управления и пассивации поверхности, но и крайне важно в методическом отношении, так как теоретический анализ приповерхностных электронных процессов в полупроводниках обычно базируется на изучении зависимости характеристик поверхности от изгиба зон.

При изучении реальной поверхности СэАб и 1пР особый интерес представляют фотоэлектрические методы диагностики, основанные на измерении характеристик поверхностной фото-ЭДС и планарной фотопроводимости. Это связано с высокой чувствительностью фотоэлектронных процессов в широкозонных полупроводниках с приповерхностным слоем обеднения к состоянию поверхности и возможностью выполнения некоторых измерений бесконтактным методом динамического конденсатора. Следовало ожидать, что развитие этих методов и их сочетание с электрофизическими измерениями (проводимость, контактная разность потенциалов, эффект поля и др.) может дать разнообразную и достаточно полную информацию об электронных свойствах поверхности.

Основная цель диссертационной работы состояла в разработке физических основ фотоэлектрической диагностики и методов управления электронным состоянием реальной поверхности ваАБ и 1пР.

Для достижения этой цели возникла необходимость решения следующих задач:

1. Исследовать закономерности и особенности явлений поверхностной фото-ЭДС и планарной фотопроводимости в ваАБ и 1пР, выяснить природу и механизмы приповерхностных фотоэлектронных процессов в этих материалах, найти способы управления их фотоэлектрическими свойствами.

2. Разработать, теоретически и экспериментально обосновать и апробировать новые или усовершенствовать известные методы диагностики электронного состояния реальной поверхности, приповерхностных слоев и тонких пленок баАэ и 1пР.

3. Изучить влияние различных физико-химических воздействий (химические, термовакуумные, адсорбционные и ионные обработки, окисление, поверхностное легирование металлами и др.) на приповерхностный изгиб зон, положение уровня Ферми, плотность поверхностных состояний, стационарные и кинетические характеристики неравновесных приповерхностных процессов и разработать способы управления параметрами приповерхностного слоя, пригодные для целенаправленного изменения электрофизических и фотоэлектрических свойств СаАэ и 1пР.

4. Развить и экспериментально обосновать физические представления о механизмах пассивации поверхности СаАвусовершенствовать известные и разработать новые методы пассивации, пригодные для уменьшения плотности поверхностных центров захвата и рекомбинации, стабилизации состояния поверхности и открепления уровня Ферми на свободной поверхности и границах раздела.

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и списка цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ.

1. Выполнено многоплановое исследование электронных свойств реальной поверхности СаАэ и 1пР, в результате которого выявлены общие закономерности и особенности приповерхностных фотоэлектронных процессов в этих материалах, предложены новые фотоэлектрические методы диагностики, а также способы модификации поверхности для управления положением уровня Ферми на поверхности и электрофизическими параметрами приповерхностной области, снижения плотности поверхностных центров захвата и рекомбинации, стабилизации состояния поверхности и улучшения характеристик приборных структур.

2. Методом динамического конденсатора обнаружено и изучено явление длинновременной поверхностной фото-ЭДС в фосфиде индия. Построена феноменологическая модель, описывающая основные закономерности кинетики, температурные и люкс-вольтовые характеристики фото-ЭДС. Показано, что особенности явления обусловлены захватом фотодырок на ловушки, распределенные в оксидном слое в пределах длины туннелирования от границы раздела и связанные с хемосорбцией кислорода.

3. В результате теоретического и экспериментального исследования фактора идеальности поверхности г|, характеризующего наклон люкс-вольтовых характеристик фото-ЭДС в полулогарифмических координатах, установлено, что в широкозонных полупроводниках с приповерхностным слоем обеднения параметр г| является чувствительным индикатором электронного состояния поверхности. Показана возможность оценки качества подготовки поверхности по величине этого параметра.

4. Исследование ПФЭ при малом отклонении потенциала поверхности от равновесного значения показало, что в этих условиях можно выделить барьерную и ловушечную компоненты фото-ЭДС, которые различаются по величине, времени релаксации и температурной зависимости. Наличие поверхностных ловушек приводит к увеличению фоточувствительности, инерционности фотоотклика и энергии активации фото-ЭДС. Из сравнения экспериментальных данных с теорией следует, что на окисленной поверхности СаАэ фотоэффект имеет в основном ловушечную природупассивация поверхности приводит к значительному уменьшению концентрации ловушек, и доминирующим становится барьерный механизм фото-ЭДС.

5. Получены прямые экспериментальные доказательства барьерной природы планарной фотопроводимости в ¡—п структурах на основе СаАэ и 1пР. Развита барьерная модель фотопроводимости, получены простые аналитические выражения, описывающие экспериментальные зависимости фотопроводимости от интенсивности освещения, изгиба зон и фото-ЭДС. Разработаны методики разделения вкладов в фотопроводимость поверхностного и внутреннего (¡—п) барьеров, основанные на различии кинетических и спектральных характеристик фотоэффектов на этих барьерах.

6. Предложены и экспериментально обоснованы новые фотоэлектрические методы диагностики электронного состояния поверхности, приповерхностных слоев обеднения и переходных слоев в эпитаксиальных структурах, позволяющие определять положение уровня Ферми на поверхности, эффективную концентрацию примеси и дрейфовую подвижность электронов вблизи поверхности, энергетическое распределение параметров поверхностных состояний, фото-ЭДС на границе подложка-пленка. Разработана новая конструкция динамического конденсатора (зонда Кельвина), на базе которой создано устройство для проведения локальных измерений потенциала и фотопотенциала поверхности, пригодное для выявления поверхностных и объемных неоднородностей.

7. Впервые с использованием новых диагностических методик выполнено комплексное исследование электронного состояния поверхности 1пР (изгиб зон, положение уровня Ферми, плотность поверхностных состояний, кинетика релаксационных процессов) при адсорбционных, термических, окислительных, ионных и химических обработках. Установлены основные закономерности влияния физико-химического состояния поверхности на ее электронные свойства. Выявлена определяющая роль в формировании поверхностного заряда «медленных» состояний адсорбционной природы и «быстрых» ПЭС, обусловленных разупорядочением границы раздела полупроводник-оксид. Предложены способы модификации поверхности, позволяющие варьировать положение поверхностного уровня Ферми в пределах ~ АЕд/2 и управлять электрическими и фотоэлектрическими характеристиками тонких пленок 1пР.

8. Исследованы электрофизические свойства реальной поверхности 1пР при поверхностном легировании металлами из атомного пучка в вакууме. Обнаружено обратимое донорное действие атомов металлов, приводящее к спрямлению энергетических зон у поверхности полупроводника п-типа и увеличению изгиба зон и образованию приповерхностного инверсионного канала в полупроводнике р-типа. Сформулированы и обоснованы общие модельные представления о реакциях перезарядки на реальной поверхности полупроводников при адсорбции атомов металлов.

9. Теоретически и экспериментально исследована зависимость положения уровня Ферми на поверхности от концентрации основных носителей в объеме невырожденного полупроводника с приповерхностным слоем обеднения. Установлено, что эволюция изгиба зон при изменении объемного легирования существенно зависит от плотности поверхностных состояний, которая может быть определена из сопоставления теории с экспериментом. Получена количественная информация о степени закрепления уровня Ферми на реальной поверхности СаАэ и при различных способах ее модификации.

10. Показано, что в условиях жесткого закрепления уровня Ферми на поверхности с помощью некоторых физико-технологических воздействий (варьирование режима МОС-гидридной эпитаксии, осаждение островкового покровного слоя золота, окисление поверхности) можно в значительной мере управлять эффективной высотой приповерхностного потенциального барьера, фотоэлектрическими свойствами тонких пленок, а также осуществлять корректировку концентрации и дрейфовой подвижности носителей вблизи поверхности.

11. Обнаружен эффект высокотемпературной фотопамяти потенциала поверхности в системе «п-СаАэ — термический оксид». Показано, что причиной заряжения поверхности при освещении является надбарьерный перенос фотодырок через границу раздела и их захват на глубокие ловушки в оксидном слое. Установлена энергетическая диаграмма окисленной поверхности СэАб, объяснены температурные изменения электронной структуры границы раздела.

12. Показана возможность применения фотохимического окисления СаАэ при облучении вакуумным ультрафиолетом для целей пассивации поверхности и управления высотой барьера Шоттки.

13. Установлено, что стандартная («влажная») методика сульфидной пассивации не в полной мере удовлетворяет требованиям, предъявляемым к пассивирующим слоям. Предложена модифицированная технология сульфи-дирования, включающая химическую обработку и вакуумный отжиг, которая обеспечивает значительное снижение плотности поверхностных центров захвата и «открепление» уровня Ферми на свободной поверхности ОаАэ и границах раздела А1/ОаАз, Аи/ОаАэ.

14. Предсказан, обнаружен и исследован эффект пассивации при обработке СаАв в парах фосфина сразу после завершения процесса газофазной эпитаксии. Установлено, что фосфидная пассивация наряду с уменьшением изгиба зон, плотности поверхностных состояний и скорости поверхностной рекомбинации обеспечивает длительную консервацию состояния поверхности.

15. Обоснована модель гетероэпитаксиальной пассивации поверхности СаАБ с помощью покровного слоя lno.5Gao.5PОсновные закономерности влияния гетероэпитаксиальной пассивации на электронные свойства поверхности СаАэ объяснены образованием структурно совершенной границы GaAsZlno.5Gao.5P, относительно низкой плотностью состояний на внешней поверхности lno.5Gao.5P и ограничением рекомбинационных потоков носителей на эту поверхность барьером гетерослоя.

Исследования, результаты которых изложены в диссертации, были нацелены на разработку физических основ диагностики и методов управления электронными свойствами реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия. Совокупность решенных в работе задач и сформулированные наиболее существенные результаты и выводы диссертации, по нашему мнению, позволяют заключить, что основная цель работы может считаться достигнутой.

Работа выполнялась в Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского (кафедра физики диэлектриков и полупроводников и кафедра полупроводниковых приборов) и в Научно-исследовательском физико-техническом институте при ННГУ в соответствии с утвержденным планом основных НИР (темы: «Комплексное исследование физико-химических и технологических проблем твердотельной электроники и оптоэлектроники» /координационный план АН СССР, 1981;1985/- «Физика поверхности и тонких слоев полупроводников» /план Министерства высшего и среднего специального образования РСФСР, 1987;1991/, «Разработка принципов построения о с совершенных межфазных границ, А В — диэлектрик» /ФТ-36, № г. р. Х14 186, 1991;1994/, «Фундаментальные основы разработки материалов и процессов электронной техники» /межвузовская программа «Университеты России», 1994/), а также поддерживалась грантами Министерства общего и профессионального образования РФ /1992;1994/, Международного научного фонда /1993/ и Международной программы образования в области точных наук ЛввЕР, №№ сШЗ, с1931,1995;1997/.

Автор выражает глубокую благодарность профессору ИГОРЮ АЛЕКСЕЕВИЧУ КАРПОВИЧУ за неизменный интерес к данной проблематике, плодотворные идеи, советы и замечания, высказанные в течение нашей многолетней совместной работы в области физики поверхности полупроводников.

Большой вклад в развитие техники лабораторных исследований и создание экспериментальной базы для данной работы внес Александр Николаевич Калинин.

Автор считает своим приятным долгом выразить признательность проф. В. А. Пантелееву и д.ф.-м.н. С. Н. Ершову за постоянную поддержку работыведущему научному сотруднику НИФТИ Б. Н. Звонкову, проф. П. Б. Болдыревскому, доценту C.B. Тихову, к.ф.-м.н. Е. А. Усковой, бывшим аспирантам — к.ф.-м.н. А. Н. Савинову, к.ф.-м.н. Н. В. Байдусю, Д. А. Сухих за длительные совместные исследования, а также д.ф.-м.н. Д. И. Тетельбауму, д.х.н. В.А. Перевощико-ву, к.ф.-м.н. И. Г. Машиной, д.ф.-м.н. Г. С. Коротченкову (Технический университет Молдовы), д.т.н. А. Т. Гореленку и к.ф.-м.н. Н.-М. Шмидт (ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург), к.ф.-м.н. И. Н. Цыпленкову (НИИ материаловедения им. А. Ю. Малинина, Зеленоград) за организационную, консультационную и техническую помощь в проведении исследовании.

СПИСОК АВТОРСКИХ ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ.

1*. Карпович И. А, Калинин А. Н., Бедный Б. И., Бенедиктов Ю. А. Длинновременные изменения поверхностного потенциала монокристаллов CdGeP2 при освещении. // Изв. ВУЗов, Физика. 1976. № 3. С. 51−54.

2*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А, Подольский В. В. Исследование поверхностной фото-ЭДС при поверхностном легировании. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. № 7. С. 115−116.

3*. Бедный Б. И., Тихов C.B., Калинин А. Н., Карпович И. А Об электрической активности атомов индия на окисленной поверхности G a As II Изв. ВУЗов. Физика. 1981. № 11. С. 101−106.

4*. Бедный Б. И., Шилова М. В., Тихов C.B., Карпович И. А. Влияние анодного окисления на фотопроводимость и состояние поверхности эпитаксиального GaAs. // ФТП. 1980. Т.14. № 11.0.2134−2138.

5*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Савинов А. Н. Длинновременная поверхностная фо-то-ЭДС в фосфиде индия. // Материалы IX Всесоюзного симпозиума «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников». Ч.1., Новосибирск, 1988, с. 41−42.

6*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Перевощиков В. А., Савинов А. Н. Влияние окисления поверхности на поверхностную фото-ЭДС в фосфиде индия.// Там же, с. 43 — 44. 7*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Паршков В. Г., Савинов А. Н. Поверхностная фото-ЭДС в пленках GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии. // Матер. VIII Всес. конф. «Методы получения и анализа высокочистых веществ», Ч.З., Горький, 1988, с. 222−224.

8*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Савинов А. Н. Влияние состояния поверхности на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фото-ЭДС в GaAs.// Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. № 4. С. 83 — 87.

9*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Савинов А. Н. Влияние термообработки на потенциал поверхности и поверхностную фото-ЭДС в InP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. № 6. С. 64−67.

10*. Карпович И. А., Савинов А. Н., Бедный Б. И. Поверхностная фото-ЭДС в InP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. № 11. С. 105 -109. 11*. Бедный Б. И., Грязнов Ю. М., Гинзбург А. Д., Зайцев Ю. С., Комарова Т. В., Николаев Л. Н. Быстродействующий арсенидгаллиевый фотодиод Шоттки для оптоэлек-тронных преобразователей. // Волоконно-оптические системы передачи ВОСП-88. Матер. V Всес. конф. М., 1988, с. 87 — 89.

12*. Байдусь Н. В., Бедный Б. И., Карпович И. А., Руссу Е В., Савинов А. Н. Влияние адсорбции металлов на потенциал поверхности p-lnP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 12. С. 75 — 78.

13*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Савинов А. Н. Влияние состояния поверхности на длинновременную поверхностную фото-ЭДС в InP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 11. С. 92 — 97.

14*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В. Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фото-ЭДС в GaAs и InP.//ФТП. 1993. V. 27. № 7. С. 1125- 1129.

15*. Карпович И. А., Бедный Б. И., Богданов Е. П., Байдусь Н. В. Малосигнальная поверхностная фото-ЭДС в GaAs. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. № 89. С. 25−32.

16*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. Зависимость стационарной фотопроводимости от фотопотенциала поверхности в GaAs. // ФТП. 1983. Т. 17. № 7. С. 1302 -1304.

17*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А, Савинов А. Н. О фоточувствмтельно-сти эпитаксиальных пленок GaAs. // Изв. ВУЗов, физика. 1984. № 12. С. 84 — 85. 18*. Савинов А. Н., Бедный Б. И., Калинин А. Н., Паршков В. Г. Влияние приповерхностных избытков галлия и мышьяка на эффект поверхностного легирования GaAs индием. //Тезисы докладов VIII Всес. совещания по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Ч. 2. Киев. 1984. С. 76.

19*. Калинин А. Н., Бедный Б. И. Одновременное измерение контактного потенциала и проводимости полупроводника. // Приборы и техника эксперимента. 1977. № 1. С. 242 -243.

20*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. Исследование поверхностных ловушек в GaAs методами поверхностного легирования и эффекта поля. /./ ФТП. 1977. Т.11. № 2. С. 325−330.

21*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Байдусь Н. В., Болдыревский П. Б., Степанов A.C., Федосеева Н. В. Фотопроводимость 5-легированных слоев GaAs. // Материалы XII Всес. конф. по физике полупроводников. Киев: Наукова думка, Ч. 2. 1990. С. 107−109. 22*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Байдусь Н. В., Болдыревский П. Б., Степанов A.C., Федосеева Н. В. Фотопроводимость и конденсаторная фото-ЭДС в 5-легированных слоях GaAs.//ФТП. 1991. Т.25. № 8. С. 1450 -1453.

23*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Савинов А. Н. Об измерении фото-эдс в i-nпереходах на основе GaAs методом Кельвина.// Изв. ВУЗов, физика. 1987. № 8. С. 108 -111.

24*. Бедный Б. И. Физические процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах при освещении. Горький, Изд. ГГУ, 1988, 57 с.

25*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Байдусь Н. В., Планкина С. М., Степихова М. В., Шилова М. В. Барьераная фотопроводимость эпитаксиальных пленок GaAs и InP. // Матер. I Всес. конф. «Физические основы твердотельной электроники». Ленинград, 1989. Т. В. С. 258−259.

26*. Бедный Б. И. Фотоэлектрическая диагностика приповерхностных слоев обеднения в GaAs и InP. // Матер. Iii Всеросс. конф. по физике полупр. «Полупроводники -97». Москва, ФИАН, 1997, с. 303.

27*. Карпович И. А., Бедный Б. И., Байдусь Н. В., Планкина С. М., Степихова М. В., Шилова М. В. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP.// ФТП. 1989. Т. 23. №.12. С. 2164 — 2170.

28*. Карпович И. А., Бедный Б. И., Байдусь Н. В., Батукова Л. М., Звонков Б. Н., Степихова М. В. Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs. II ФТП. 1993. Т.27. № 10. С. 1736- 1742.

29*. Карпович И. А., Калинин А. Н., Бедный Б. И. Определение параметров поверхности полупроводника при поверхностном легировании. // ФТП. 1976. Т. 10. № 7. С. 1402 — 1405.

30*. Бедный Б. И., Карпович И. А., Байдусь Н. В. Влияние адсорбционных состояний на приповерхностный изгиб зон в п-1пР. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. № 1. С. 94−97.

31*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А., Савинов А. Н. Определение параметров поверхностных электронных состояний в ваАз комбинированным методом дифференциального эффекта поля и фотопотенциала поверхности. // Физика поверхностных явлений в полупроводниках, Киев: Наукова думка, 1984, с. 42 — 43. 32*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А., Савинов А. Н. Определение сечений захвата электронов поверхностными уровнями прилипания в ОаАэ. Деп. ВИНИТИ, 1984. № 5293−84 деп. 11 с.

33*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. О подвижности в эффекте поля при непрерывном энергетическом спектре поверхностных состояний. // ФТП. 1979. Т. 13. № 7.0.1436−1438.

34*. Бедный Б. И., Болдыревский П. Б., Калинин А. Н., Карпович И. А., Паршков В. Г. Электрофизические свойства субмикронных слоев ОаАэ, полученных газофазной эпитаксией в системе Са (СН3)3-АэНзН2. // Изв. ВУЗов, физика. 1981. № 11. С. 121 -124.

35*. Бедный Б. И., Болдыревский П. Б., Паршков В. Г., Ткаченко С. Л., Калинин А. Н. Газофазная эпитаксия структур ОаАз — АЮаАэ с высокой подвижностью электронов. // Матер. II Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетерост-руктурах. Т.2, Одесса, 1982, с. 58 — 59.

36*. Бедный Б. И., Василевский М. И., Карпович И. А. Определение приповерхностного изгиба зон по кинетике барьерно — ловушечной поверхностной фото-ЭДС. // ФТП. 1989. Т. 23. № 2. С. 362 — 364.

37*. Бедный Б. И., Калинин А. И., Карпович И. А. Определение приповерхностной подвижности электронов в эпитаксиальном СаАз. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1982. Вып. 11(172). С. 22−24.

38*. Бедный Б. И., Савинов А. Н., Калинин А. Н. Возможности метода Кельвина в исследовании субмикронных эпитаксиальных структур на полуизолирующем ваЛв. // Сб.: Состояние и перспективы развития микроэлектроники, Минск, 1985, ч. 1, с. 97. 39*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Савинов А. Н. Устройство для измерения потенциала поверхности полупроводников. Авторское свидетельство на изобретение № 1 431 616 от 15.06.88. Заявка № 4 188 428, приоритет от 29.01.87. 40*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. О стабилизации эффекта поверхностного легирования пленок селенида кадмия. // Микроэлектроника. 1976. Т. 5. № 3. С. 289 — 290.

41*. Калинин А. Н., Бедный Б. И., Карпович И. А. Влияние адсорбции атомов металлов в вакууме на свойства реальной поверхности германия. // Изв. ВУЗов, Физика,.

1976. № 4, С. 122−124.

42*. Карпович И. А., Бедный Б. И., Калинин А. Н. Неравновесное изменение состояния поверхности ве и 81 при адсорбции атомов металлов в вакууме. // ФТП. 1976. Т. 10. № 10. С. 1856−1859.

43*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. О нейтрализации эффекта поверхностного легирования на контакте металл-полупроводник. // Изв. ВУЗов, Физика.

1977. № 3. С. 131 — 134.

44*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А., Тихов С. В. Влияние легирования индием границы раздела двухслойного диэлектрика на свойства МОП-структуры. // Микроэлектроника. 1978. Т. 7. № 3. С. 266 -270.

45*. Бедный Б. И., Ершов С. Н. Пантелеев В. А. Эффект дальнодействия при механической обработке арсенида галлия. // ФТП. 1985. Т. 19. № 10. С. 1806 — 1809. 46*. Baidus' N. V., Bednyi В. I., Belitch T. V., Teielbaum D. I. Long-range effect of ion irradiation on the system of defects in indium phosphide. // Defect and Diffusion Forum. 1993. V. 103 -105. P. 57 -60.

47*. Байдусь H. В., Бедный Б. И., Данилов Ю. А. Влияние ионной имплантации на электронное состояние поверхности фосфида индия. // Взаимодействие ионов с поверхностью, М., 1991, с. 123 — 126.

48*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В., Белич Т. В., Карпович И. А. Влияние сульфидиро-вания на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства! пР и GaAs. // ФТП. 1992. Т. 26. № 8. С. 1383- 1389.

49*. Бедный Б. И., Суслов Л. А., Байдусь Н. В., Карпович И. А. Электронное состояние поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы. // ФТП. 1992. Т. 26. № 11. С. 1983; 1985.

50*. Байдусь Н. В., Бедный Б. И., Карпович И. А. Влияние адсорбции металлов на состояние поверхности InP. И Материалы всес. конф. «Поверхность-89». Черноголовка, 1989, с. 124−125.

51*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В., Карпович И. А., Лаганина М. В., Цыпленков И. И., Щукин Р. Н. Электрофизические свойства окисленной поверхности фосфида индия. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. № 12. С. 47 — 50. 52*. Байдусь Н. В., Бедный Б. И., Белич Т. В., Тетельбаум Д. И. Дальнодействующее влияние ионного облучения на систему дефектов в фосфиде индия. // Дефекты в полупроводниках, Санкт Петербург, 1992, с. 30 — 33.

53*. Бедный Б. И. Фотоэлектрическая диагностика электронного состояния поверхности широкозонных полупроводников А3В5. // Тезисы докл. I Росс, конф.- по физике полупроводников. Н. Новгород, 1993, с. 82.

54*. Бедный Б. И. Зависимость приповерхностного изгиба зон в n-GaAs от объемной концентрации носителей заряда. // Поверхность. 1993. № 10. С. 58 — 64. 55*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А, Савинов А. Н. Влияние термообработки на эффект поверхностного легирования арсенида галлия индием. // Сб.: Низкотемпературное легирование полупроводников и многослойных структур микроэлектроники, Устинов, 1987, с. 10.

56*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А, Тихов С. В. О температурных изменениях электронного состояния поверхности GaAs. // ФТП. 1980. Т. 14. № 9. С. 1851 -1854.

57*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Савинов А. Н., Перевощиков В. А. Влияние органических растворителей на электронное состояние поверхности эпитаксиального GaAs. // Электронная техника, Сер. 7 ТОПО. 1989. № 5(156). С. 16 -18. 58*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. Влияние освещения на потенциал окисленной поверхности GaAs. // Микроэлектроника. 1980. Т. 9. № 6. С. 564 — 568. 59*. Тихов C.B., Мартынов В. В., Бедный Б. И., Карпович И. А. Изменение зарядового состояния структуры металл-анодный окисел-арсенид галлия под действием ультрафиолетового облучения. // Электрон, техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1982. № 6(157). С. 18−23.

60*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. Температурные и световые изменения потенциала окисленной поверхности GaAs. // Матер. VII Всес. симпозиума по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. 4.1. Новосибирск: ИФП АН СССР, 1980, с, 28 — 30. 61*. Тихов С. В., Мартынов В. В., Бедный Б. И., Карпович И. А. Электронные и ионные явления в структуре Ме-анодный окисел-GaAs. // Там же, ч.2, с. 238 -240. 62*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А., Тихов С. В. Электрофизические свойства окисленной поверхности GaAs. // Физика окисных пленок, Нетроз 380дск, ПГУ, 1982, с. 75−76.

63*. Тихов С. В., Бедный Б. И., Карпович И. А., Мартынов В. В. О зарядовом состоянии диэлектрика в структуре арсенид галлияанодный окисел. // Микроэлектроника. 1981. Т. 10. № 3. С. 250−252.

64*. Бедный Б. И., Бенедиктов Ю. А., Калинин А. Н., Карпович И. А. Влияние термовакуумной обработки на свойства поверхности эпитаксиального GaAs. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. № 3. С. 30 — 34.

65*. Бедный Б. И., Ершов С. Н., Круглова Е. Н. Влияние легирования поверхности ар-сенида галлия золотом на характеристики контакта Al — (n±GaAs). // Изв. ВУЗов, Физика. 1985. № 2. С. 80 — 84.

66*. Бедный Б. И., Озеров А. Б., Ершов С. Н. Влияние термовакуумной обработки на фотопроводимость и фотопотенциал легированной золотом поверхности GaAs. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. № 7. С. 73 — 77.

67*. Бедный Б. И. Электронные свойства поверхности полупроводников А3В5: диагностика, управление, пассивация. II Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов, Н, — Новгород, ННГУ, 1996, с. 33−34.

68*. Бедный Б. И., Сухих Д. А., Ускова Е. А. Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 18. С. 35−39.: ;

69*. Бедный Б. И., Ускова Е. А. Сульфидная пассивация поверхности арсенида галлия: открепление уровня ферми в контакте AI/GaAs. // Поверхность, — Физика, химия, механика. 1994. № 6. С. 85 — 88.

70*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В. Сульфидная пассивация поверхности арсенида галлия: открепление уровня ферми. II ФТП. 1995. Т. 29. № 8. С. 1488 — 1493. 71*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В. .Ускова Е. А. Электронные свойства поверхности GaAs (100), модифицированной обработкой в парах фосфина. II II Росс. конф. по физике полупров. Т. II., Зеленогорск (С.-Петербург), 1996. С. 37. 72*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В. Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина. // ФТП. 1996. Т. 30. № 2. С. 236 — 243.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Dember Н. Uber die Vorwartsbewegung von Elektronen durch Licht. // Phys. Zeitschrift: 1932. V. 33. #3. P. 207−208.
  2. Brillson L.J., Kruger D.W. Photovoltage saturation and recombination at AI-GaAs inierfacial layers. // Surf. Sei. 1981. V. 102. #2−3. P. 518−526.
  3. B.E. Возникновение электродвижущих сил в полупроводниках. // ЖЭТФ. 1948. Т. 18. #10. С. 417−425.
  4. Frankl D.R., Ulmer Е.А. Theory of the smallsignal photovoltage at semiconductor surface.//Surf. Sei. 1967. V. 6. #1. P. 115 -122.
  5. Johnson E.O. Measurement of minority carrier lifetimes with the surface photovoltage.//Phys. Rev. 1958. V.111. P.153 -164.
  6. Williams R. Measurement of surface photovoltage on CdS. II J. Phys. Chem. Solids. 1962. V. 23. P. 1057−1071.
  7. Flinn I. The surface properties of n-GaAs. // Surf. Sei. 1968. V.10. #1. P. 3257.
  8. Baimistrov V. M., Gorban A. P., Litovchenko V. G. Photovoltage induced by capture of photo-carriers by surface traps. // Surf. Sei. 1965. V.3. #5 P. 445 -460.
  9. Д митру к H. П., Ляшенко В. Vi. Исследование конденсаторной фото-ЭДС в n-GaAs. // УФЖ. 1966. Т. 11. #2. С. 2−11.
  10. Ю.Зуев В. А., Саченко А. В., Толпы го К. Б. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Сов. радио. 1977, 256 с.
  11. А. В., Снитко О. В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полу проводников. Киев: Наукова думка.1984. 231 с.
  12. A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука. 1971, 480 с.
  13. Szaro L. Analysis of the surface photovoltage under subband illumination: effect of the bulk traps. II Surf. Sei. 1984. V. 137. P. 311−326.
  14. E.B. Инфракрасная поверхностная фотоэде на кремнии. // ФТП. 1969. Т. 3. #7. С. 1095−1097.
  15. Gatos Н.С., Lagowski J., Banisch R. Surface photovoltage spectroscopy -application to the study of ptotosensitive surfaces and interfaces. // Pho-tog.Sci.Eng. 1982. V.26. #1. P. 42−49.
  16. И.А. Развитие метода спектроскопии поверхностной фото-эде и его применение для исследования полупроводников А2В6. Дисс.. канд. физ, — мат. наук. Ленинград, ЛГУ. 1986.
  17. Darling R.B. Defect-state occupation, Fermi-level pinning, and illumination effects on free semiconductor surfaces. // Phys.Rev.B. 1991. V. 43. #5. P. 4071−4083.
  18. Savada Т., Numata K., Tohdoh S., Saitoh Т., Hasegava H. In-situ characterisation of semiconductor surfaces by novel photoluminescence surface state spectroscopy. //Jpn. J. Appl.Phys. 1993. V32. #1B. P. 511−517.
  19. Zhang X., Song J. The effect of surface recombination on surface photovoltage in semiconductors. //J. Appl. Phys.1991. V. 70. #8. P. 4632−4633.
  20. Н. П., Крюченко Ю. В., Литовченко В. Г., Степанова М. А. Расчет дифференциальной поверхностной фото ЭДС и её применение для определения диффузионной длины. // Поверхность. 1992. #6. С. 91- 98.
  21. С. G. В., Brattain Н. The Physical theory of semiconductors surface. // Phys. Rev. 1955. V. 99. P. 376 398.
  22. Moore A.R. Theory and experiment on the surface-photovoltage diffusion-length measurement as applied to arnorfphous silicon. // J. Appl. Phys.1983. V. 54(1). P. 222 -228.
  23. Zhang X., He G., Song J. Effect of of surface recombination and injection level on the diffusion length obtained by simulation of the SPV method. // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 888 891.
  24. О. В., Царенков Б. В. Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении. // ФТП. 1990. Т. 24. № 12. Р. 2126−2134.
  25. Flinn J., Briggs М. Surface measurement on GaAs. // Surf. Sci. 1964. V. 2. #1. P. 136 -145.
  26. Н.Л. Структура, электронные состояния и электрофизические свойства поверхности арсенида галлия. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. #1. С. 38−51.
  27. Т.П., Ершов С. Г., Жуков В. Е., Кораблев В. В., Тюкин В.?О. Методика и результаты исследования кинетики поверхностной фото-здс в GaAs. // ФТП. 1989. Т. 23. #2. С. 323 327.
  28. С.Г., Жуков В. Е., Козлов Д. А., Кораблев В. В. Новые аспекты исследо вания эффекта фото-эдс в полупроводниках. // Радиотехн. и электрон. 1991. № 7. С. 1328 -1344.
  29. Н. Л., Ляшенко В. И. Терещенко А. К. Влияние света на работу выхода монокристаллов GaAs при низких температурах. // УФЖ. 1972. Т. 17. #8. С. 1356- 1358.
  30. Lagowski J., Edelman P., Morawski A. Non-contact deep level transiet spectroscopic (DLTS) based on surface photovoltage. // Semicond.Sci.Technol. 1992. V. 7. P. A211 -A214.
  31. Annual Book of ASTM Standards on Electronics. 1978. Part 43 F391 (Philadelphia: ASTM). P. 773.
  32. Szuber J. Surface photovoltage spectroscopy investigations of the electronic surface states on GaAs surfaces. // J. Electron. Spectroscop. 1990. V. 53. P. 19−28.
  33. Hecht M.H. Photovoltaic effects in photoemission studies of Schottky barrier formation. //J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. V. 8. #4. P. 1018 -1024.
  34. Е.Ф., Кириллова С. И., Примаченко В. Е., Чернобай В. А. Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности (100) n-GaAs. // Поверхность. 1996. #12. С. 59 65.
  35. Hasegawa Н., Sawada Т. On the electrical properties of compound semiconductor interfaces in metal (insulator) semiconductor structures. // Thin Solid Films. 1983. V. 103. #1−2. P. 119−140.
  36. Brillson L.J., Shapira Y., Heller A. InP surface states and reduced surface recombination velocity. //Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43(2). P. 174 176.
  37. С.В., Коринфский А. Д., Мусатов А. Л. Спектры поверхностных состоя- ний фосфида индия. // Тезисы докл. IX Всес. симпозиума «Электронные процес сы на поверхности и в тонких слоях полупроводников». Ч. 1. Новосибирск. 1988. С. 115 -116.
  38. Ismail A., Paluu J.M., Lassabatere L. Formation de inerface metal / InP et de diodes Schottky sur InP. // Rev. Phys. Appl. 1984. V. 19. #3. P. 205−214.
  39. Ismail A., Ben Brahim A., Paluu J. M, Lassabatere L. Comparison between GaAs (110) and InP (110) surfaces properties induced by cleavage defects and by oxygen adsorption. //Surf. Sci. 1985. V. 162. P. 195 -201.
  40. Г. С. Межфазные взаимодействия и электронные процессы в МП, МТДП и МОП структурах на фосфиде индия. Автореф. дисс.. докт. физ, — мат. наук. Кишинев, 1990, 32 с.
  41. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. / Под ред. Луфта Б. Д. М.: Радио и связь, 1982. С. 136.
  42. Koslov S.N. Slow relaxation kinetiecs on a heteroheneous semiconductor surface. // Pyus. Stat. Sol. (a). 1977. V.42. #1. P. 115−124.
  43. A.A., Иванова О. В., Константинов О. В., Львова Т. В., Мезрин О. А. О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры. //ФТП. 1984. Т. 18. #7. С. 1256 -1262.
  44. В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979, 234 с.
  45. Yamaguchi Е., Kobayashi Т. Optical-gated InP-MISFET: a new high-gainoptical detector. //Jpn. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. #1. P. 72 -73.
  46. Burkhard H., Dinges H.W., Kuphal E. Optical properties of InGsPAs, InP, GaAs and GaP determined by ellipsometry. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. #1. P. 655 662.
  47. B.H. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 253 с.
  48. В. Т., Мильвидскмй М. Г., Освенский В. Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соединений А3В5. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. № 1. С. 7 22.
  49. Williams R.H. Surfase defects on semiconductors. // Surf. Sci. 1983. V.132. # 1−3. P. 122- 142.
  50. Г. П. Влияние глубоких уровней на формирование барьера Шоттки. // Труды межд. конф. «Полуизолирующие соединения А|ИВУ», Ноттингем 1980. М.: Металлургия, 1984, с. 196−198.
  51. Г. С. Проблемы формирования МДП-структур на фосфиде индия. // Обзоры по электронной технике. Сер. Электронйка СВЧ. 1986. Вып. 6(1176). 48 с.
  52. Zuev V.A., Seiranyan G.B., Sukach G.A., Tkhorik Yu.A. Potential barrier height anisotropy on free and metallized GaAs surface. // Phys.St.Sol. (a). 1973. V.16. P. K35-K41.
  53. Э.Х. Контакты металл-полупроводник. M.: Радио и связь, 1982, с. 136.
  54. А.П., Перевощиков В. А., Скупов В. Д., Суслов Л. А. Влияние химико-механического и химико-динамического полирования поверхности на глубокие центры в n-GaAs. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. № 6. С. 73 -76.
  55. В.М., Жиляев Ю. В., Кечек А. Т., Кузнецов Н. И., Лебедев А. А., Шульга М. И. Доминирующие рекомбинационные центры в слоях GaAs, полученных осаждением из газовой фазы. // Письма в ЖТФ. 1988. Вып. 14. № 2. С. 181 -185.
  56. В.А., Скупов В. Д. Особенности абразивной и химической обработки полупроводников. 1992. Н. Новгород. 120 с.
  57. Hasegawa H., Ohno H. Unified disorder induced gap states model for insulator- semiconductor and metal semiconductor interfaces. // J. Vac. Sci. Techno! B. 1986. V. 4. #4. P. 1130 — 1138.
  58. A.B., Крупнова И. В. Расчет рекомбинации в приповерхностной области пространственного заряда квазимонополярных полупроводников. // УФЖ. 1980. Т. 25. Р. 857 863.
  59. А.В. Влияние уровня фотовозбуждения на поверхностные эффекты при инверсионных изгибах зон. //ФТП. 1978. Т. 12. № 10. С. 1883 1888.
  60. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., 1986.
  61. Missous М., Rhoderick Е.Н. On the Richardson constant for aluminium/gallium arsenide Schottky diodes. //J. Appl. Phys. 1991. V. 69. #10. P. 7142−7149.
  62. И.А., Алешкин В. Я., Аншон А. В., Бабушкина Т. С., Звонков Б. Н., Малкина И. Г. Фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур GaAs InGaAs с квантовой ямой. // ФТП. 1990. Т. 24. № 12. С. 2172−2176.
  63. И. А., Аншон А. В., Байдусь Н. В., Батукова Л. М., Данилов Ю. А., Звонков Б. Н., Планкина С. М. Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразования на поверхности полупроводников. //ФТП. 1994. Т. 28. № 1. С.104−112.
  64. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. Под ред. В. И. Стафеева, М.: Радио и связь, 1984, 216 с.
  65. .И., Горелёнок А. Т., Данильченко В. Г., Каманин А. В., Корольков В. И., Мамутин В. В., Табаров Т. С., Шмидт Н. М. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. № 24. С.1516−1519.
  66. Mizuno Н. Microwave characteristics of opticalli controlled GaAs MESFET.// IEEE Trans. Microwave Theori Techn. 1983. V. 31. #7. P. 596 600.
  67. De Salles A.A. Optical control of GaAs MESFET’s. // IEEE Trans. Microwave Theori Techn. 1983. V. 31. #10. P. 812−820.
  68. Vilcot J.P., Vaterkovski J.L., Decos D. Temperature effects in high-gain photo-conductive detectors. // Electron Lett. 1984. V. 20. #2. P. 86 87.
  69. Matsuo N., Ohno H., Hasegava H. Mechanism of high gain in GaAs photocon-ductive detectors under low excitation. // Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. # 5. P. L299 -L301.
  70. C.A., Прохоров Е. Ф., Уколов, А Т. Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки. // Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 7 (1188). С. 1 40.
  71. Klein H.J., Beneking Н., Bimberg D. Ultrafast thin-film GaAs photoconductive detectors // Thin Solid Films. 1982. V. 90. #6. P. 371 376.
  72. Borkovskaya O.Yu., Dmitruk N.L., Litovchenko V.G., Maeva O.I. The influense of deep levels on photomemory effect in structures with potential barrier. // Phys. Status Solidi. 1984. V. 89. #1. P. 285 290.
  73. Ill-V photoconductive detectors: gain and noise stadies. // G.P.Vilcot, M. Constant, D. Decoster et al. // Physica.1985. V. BC129. #1−3. P. 488 492.
  74. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М. 1963. 494 с.
  75. Photoconducteurs sur GaAs gain, bruit, structure optimale / D. Packal, F. Ho-bar-Boudebous, L. Laval et al. //Ann. telecommun.1985. V. 40. # ¾. P. 98 -105.
  76. Н.Л., Зуев B.A., Ляшенко В. И. Терещенко А.К. Фотоэлектрические явления в приповерхностной области арсенида галлия. // ФТП. 1970. Т. 4. № 4. С. 654 662.
  77. А.Т., Данильченко В. Г., Добровольские З. П., Корольков В. И., Момутин В. В., Табаров Т. С., Шмидт Н. М., Пулявский Д. В. Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs. // ФТП. 1985. Т. 19. № 8. С. 1460 1463.
  78. Papaioannov G.J. On the photoresponsivity of GaAs MESFETs. // Phys. Status Solidi (a).1986. V. 96. P. K99 K101.
  79. Edwards W.D. Two- and threeterminal gallium arsenide FET optical detectors. // IEEE Trans. Electron. Divices Lett. 1980. V. EDL-1. #8. P. 167−169.
  80. C.A., Прохоров Е. Ф., Уколов A.T. Явления переноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах. Киев: Наукова думка, 1990, 140 с.
  81. М.Г., Освенский В. Б., Шершакова М. Н. Полуизолирующий арсенид галлия для СВЧ-электроники. // Изв. ВУЗов, физика. 1983. № 10. С. 5−17.
  82. Н.Л., Терещенко А. К. Собственная фотопроводимость слоя истоще- ния в квазимонополярном полупроводнике. // УФЖ. 1972. Т. 17. № 4. С. 612−617.
  83. N.L., Lyaschenko V.I., Tereshenko А.К. // Investigation of surface recombi- nation on epitaxial GaAs films. // Phys.Stat.Sol. 1973. V. 20. #1. P. 53−62.
  84. Сытен ко Т.И., Тягульский И. П. Остаточная проводимость в эпитаксиальных пленках арсенида галлия. // ФТП. 1974. Т. 8. №. 1. С. 171 -174.
  85. Н. Л. Электронные и поляритонные явления на поверхности и границах раздела полярных полупроводников. Автореф. дисс.. докт. физ. мат. наук, Киев, 1982, 30 с.
  86. Vaterkovsky J.L., Pernisek М., Berdai М. Numerical and experimental study of surface effects on GaAs planar photoconductors. // Solid-State Electron. 1984. V. 27. #2. P. 307- 309.
  87. Queisser H.J., Theodorou D.E. Hall-effect analysis of persistens photocurrents in n-GaAs layers. // Phys.Rev.Lett. 1979. V. 43. # 5. P. 401−404.
  88. P. Фотопроводимость в твердых телах. М.: Ин. лит. 1962, 558 с.
  89. А.Б., Тагер А. С. Оценка характеристик полевых СВЧ транзисторов с планарным легированием. // Электрон, техн. Сер. Электроника СВЧ. 1988. Вып. 3(407). С. 28 32-
  90. Э.А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С. 5 легированные структуры в технологии арсенидгаллиевых ИС. Микроэлектроника. 1996. Т. 25. № 3. С. 199−202
  91. Серафин Б, Беннет X. Оптические свойства полупроводников. М.: Мир, 1970. С. 445−486.
  92. В.Н., Иванков А. Ф., Лебедев М. В. Изменение работы выхода электронов с поверхности полупроводников А3В5 при сульфидной пассивации. // ФТТ. 1996. Т. 38. № 2. С. 563 574.
  93. Luth Н., Buchel М., Dorn R., Liehr М., Matz R. Electronic structure of cleaved and oxygen-covered GaAs (110) surfaces. // Phys.Rev.B. 1977. V. 15. #2. P. 865 874-
  94. А.Л., Гейзер С. В. Спектры поверхностной фото-эдс р-1пР(100) с субмоноатомными слоями меди. ФТТ. 1991. Т. 33. № 1. С. 124 -128.
  95. Sugino Т., Yamada Т., Kondo К., Ninomiya Н., Matsuda К., Shirafuji J. Measurement of surface Fermi level in phosphidized GaAs. // Jpn. Appl. Rhys. 1992. V. 31. Part 2. #11 A. P. L1522 L1524.
  96. .И. Исследование электрофизических свойств реальной поверхности некоторых полупроводников при поверхностном легировании металлами. Диссер.. канд. физ.-мат. наук. Горький, 1977, 164 с.
  97. Manzke R., Skibovvski М. Occupied and unoccupied electronic states on lll-V semiconductor surfaces. // Physica Scripta. 1990. V. 31. P. 87 95.
  98. Fahrenbruk A.L., Bube R. H, Fundamentals of solar ceils. Photovoltaic Solar Energy Conversion. N.Y., 1983, 559 p.
  99. Sydor M., Engholm J.R., Manasreh M.O., Stutz C.E., Liou L., Evans K.R. Photoreflectanse and the electric fields in a GaAs depletion region. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56 (18). P. 1769 1771.
  100. Shen H., Dutta M., Fotiadis L, Newman P.G., Moerkirk R.P., Chang W.H., Sacks R.N. Photoreflectanse study of surfase Fermi ievei in GaAs and GaAIAs. //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57 (20). P. 2118 2120.
  101. Alperovich V.L., Paulish A.G., Scheibler H.E., Terekhov A.S. Evolution of electronic properties at the p-GaAs (Cs, 0) surface during negative electron affinity state formation. //Appl.Phys.Lett. 1995. V. 66(16). P. 2122 2124.
  102. Kampen T.U., Trost D., Hou L., Monch W. Surface photovoltage effects on adsorbate-cjvered semiconductor surfaces at low temperatures. //J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. B9(4). P. 2095 2099.
  103. Wang D.P., Shen T.L. Induced photovoltage effect on barrier height of Au/GaAs from photoreflectans spectroscopy. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Part 1. # 5A. P. 1253 -1255.
  104. Berkovits V.L., Paget D. Optical study of surface dimers on sulfur-passivated (001) GaAs. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61 (15). P. 1835 1837.
  105. В.Л., Иванцов Л. Ф., Макаренко И. В., Львова Т. В., Хасиева Р. В., Сафаров В. И. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na2S. // ФТП. 1991. Т. 25. № 3. С. 379 384.
  106. А.В., Титков А. Н., Иванов С. В., Сорокин С. В., Шмидт Н. М., Копьёв П. С. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия сколов гетероструктур ZnSe/GaAs. ФТП. 1996. Т. 30. № 4. С.730 737.
  107. Sugahara Н., Oshima М., Oigawa Н., Nannichi Y. Chemistry and structure of GaAs surfaces clened by sulfur anneling. //Thin Solid Films. 1992. V. 220. P. 212−216.
  108. Vitomirov I.M., Raisanen A., Brillson L.J., Kirchner P.D., Pettit G.D., Woodall J.M. Processing and Reconstruction Effects on AI-GaAs (100) Barrier Heights. II J. Electron. Mater. 1993. V. 22. #3. P. 309 313.
  109. Bertness K.A., Kendelevicz Т., List R.S., Williams M.D., Lindau I., Spicer W.E. Fermi level pinning during oxidation of atomically clean n-lnP (110) // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A4. № 3. P.1424 1426.
  110. Lau W.M., Kwok R.W.M. Controlling surface band-bedding of InP with poliy-sulfide treatments. // Surf. Science. 1992. V. 271. P. 579 586.
  111. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray Photo- electron Spectroscopy, ed. By J. Chastain, Perkin-Eimer Corp., 1992.
  112. Alonso M., Cimino R., Maierhofer Ch., Chasse Th., Braun W., Horn K. Schottky barrier heights and interface chemistry in Ag, In, and Ai overlay-ers on GaP (110). //J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. V. 8. #4. P. 955 963.
  113. Oshima M., Scimeca Т., Watanabe Y., Oigawa H., Nannichi Y. Oxidation of sulfur-treated GaAs surfaces studied by photoluminescence and photoelec-tron spectroscopy. //Jpn.J.Appl.Phys. 1993. V. 32. Part 1. # 1B. P. 518−522.
  114. Aldao C.M., Waddil G.D., Benning P.J., Capasso C., Weaver J.H. Photovoltaic effects in temperature-dependent Fermi-level movement for GaAs (110). // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. # 9. P. 6092 6095.
  115. B.E., Снитко О. В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1988, 231 с.
  116. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984, 455 с.
  117. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985, 264 с.
  118. Many A., Goldstein Y., Graver N.B. Semiconductor surfaces. Amsterdam: North-Holland Publishing, 1965, p. 244.
  119. A.H. Потенциал поверхности и поверхностная фото-эдс в InP и GaAs. Дисс.. канд. физ.-мат. наук, Горький, ГГУ, 1988, 173 с.
  120. Н., Не L., Ohno Н., Sawada Т., Нада Т., Abe Y., Takahashi Н. Electronic and microstructural properties of disorder-induced gap states at compound semiconductor-insulator interfaces. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1987. V. 5. #4. P. 1097- 1107.
  121. Hashizume Т., Hasegawa H., Riemenschneider R., Hartnagel H. Process-induced defects in InP caused by chemical vapor deposition of surface passivation dielectrics. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Part 1. #1B. P. 727 -733.
  122. .В., Будряченко В. Ф., Тишин Е. А. Производственный контроль качества поверхности методом измерения контактной разности потенциалов. // Электронная промышленность. 1978. № 2. С. 38 -39.
  123. А.В. Исследование возможности производственного контроля качества отмывки поверхности кремния методом контактной разности потенциалов. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1981. Вып. 1 (150). С. 30−31.
  124. Ю.С., Евдокимов А. Д. Контроль результатов химических обработок кремния бесконтактными методами. // Микроэлектрон. 1980. Т. 9. № 1. С. 82−85.
  125. Л.А., Фрид М. И. Электрофизические методы определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках. Препринт 1556 ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 1991, 25 с.
  126. B.B., Дремова Н. Н., Киреев О. В., Конончук И. И. Неразрушающие методы диагностики планарных структур методомами РЭМ. И Микроэлектрон. 1995. Т. 24. № 1. С. 71 76.
  127. J., Soonckindt L., Lassabatere L. //Vacuum. 1984. V. 34. #7. P. 693 -698.
  128. Sporken R., Thiry P.A., Pireaux J.J., Caudand R., Adnot A. Work function measurements with a high resolution electron energy loss spectrometer. // Surf. Sci. 1985. V.160. #2. P. 443 450.
  129. Bechstedt F., Enderlein R. Semiconductor surfaces and interfaces. Akademie-Verlag Berlin, 1988, 484 p.
  130. Chang R., Goddard W.A. Reconstruction of the (110) surfaces for lll-V semiconductors. // Surf. Sciense. 1984. V. 144. P. 311 320.
  131. McKinley A., Parke A.W., Williams P.H. Silver overlayers on (110) indium phosphide: films growth and Schottky barrier formation. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1980. V. 13. P. 6723 6736.
  132. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P., Su C.Y., Chye P. Unified mechanism for Schottky barrier formation and III -V oxide interface states. // Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. #6. P. 420−423.
  133. B.T., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соединений А3В5. // Изв. ВУЗов. Физика. 1980. № 1. С. 8 28.
  134. Wager J.F., Wilmsen C.W. The deposited insulator/I I l-V semiconductor interface. // Phys. and chem. Ill-V compound semicond. Interfaces, New York, London.1985. P.165−211.
  135. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P., Su C.Y., Lindau I. New and unified model for Schottky barrier and Ill-V insulater interface states formation. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16. #5. P. 1422 -1433.
  136. Wieder H.H. Surface Fermi level of Ill-V compound semiconductor-dielectric interfaces. //Surf. Sci. 1983. V. 132. P. 390−405.
  137. Г. //Арсенид галлия в микроэлектронике, М.: Мир, 1988, с. 167 -196.
  138. Г. С., Молодян И. П. Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия. Кишинев: Штиинца, 1984, 113 с.
  139. Spicer W.E., Kendelewicz Т., Newman N. The mechanism of Schottky barrer pinning in lll-V semiconductors. // Surf. Sci. 1986. V. 168. P. 240 259.
  140. Li H., Hasegawa H., Sawada Т., Ohno H. A computer analysis of effects of annealing on interface properties using MIS C-V curves. // Jpn.J.Appl.Phys. 1988. Parti. V. 27. #4. P. 512−521.
  141. Lester S.D., Kim T.S., Streetman B.G. Ambient-induced surface effects on InP and GaAs. //J. Appl. Phys. 1986. V. 60. # 12. P. 4209 4214.
  142. И.А., Хомич В. А., Штабнова В. Л., Сараев В. В. Исследование состояния поверхности соединений типа А3В5 (А-!п) методом электронного парамагнитного резонанса. // Изв. АН СССР, Неорг. Матер. 1987. Т. 23. № 10. С. 1732 1734.
  143. Brattain W.H., Bardeen J. The surface properties of Ge. // Bell Syst. Techn. Journ. 1953. V. 32. #1. P. 1 -32.
  144. В.Ф. Механизм элементарного акта хемосорбции на поверхности полупроводника. // Адсорбция и адсорбенты. Труды VI Всес. конф. по теоретическим вопросам адсорбции. М.: Наука, 1987, С. 53−60.
  145. Clark D.T., Fok Т., Roberts G.G., Sykes R.W. An investigation by electron spectroscopy for chemical analysis of chemical treatments of the (100) surface of n-type InP epitaxial layers. // Thin Solid Films. 1980. V. 70. #2. P. 261−283.
  146. Guivarc A., L’Haridon H., Pelous G. Chemical cleaning of InP surfaces: oxide composition and electrical properties. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. #4. P. 1139- 1148.
  147. Bertrand P.A. XPS study of у etched GaAs and InP. // J.Vac. Sci. Technol. 1981. V.18. #1. P.28−33.
  148. Holinger G., Bergignat E., Joseph J. On the nature of oxides on InP surfaces. // J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. A3. #6. P. 2082 2088.
  149. H.B. Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия. Дисс. канд. физ.-мат. наук, Н. Новгород, 1995.
  150. В.Л. Состав и физико-химические свойства поверхности полупроводников А3В5. Автореф. дис.. канд. хим. наук. Иркутск, 1985, 15 с.
  151. Stroscio J., Feenstra R.M. Scanning tunneling spectroscophy of adsorbateson GaAs (110) surface. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V.6. # 4. P. 1472 -1478.
  152. И.И., Колмакова Т. П., Матвеев Ю. А. Исследование процессов пас сивации поверхности фосфида индия. // Эл. техника, сер. 2, Полупр. приборы. 1987. № 3. С. 83 85.
  153. Е.Д. Кинетика электронных и адсорбционных процессов на поверхности арсенида галлия. Автореф. дисс.. канд. физ, — мат. наук, Омск, Омский технический университет, 1996, 18 с.
  154. П.К., Киселёв В. Ф., Матвеев В. А. О связи быстрых поверхностных состояий с флуктуациями заряда в структурах диэлектрик полупроводник. // Поверхность, Физика, химия, механика. 1986. № 4. С. 50−56.
  155. Williams R.H. Surface defects on semiconductors. // Surf. Sci. 1983. V. 132. # 1−3. P.122- 142.
  156. Bechstedt F., Scheffler M. Alkali adsorption on GaAs (110): atomic structure, electronic states and surface dipoles. // Surf. sci. rep. 1993. V. 18. # 5/6, 146 -198.
  157. Spicer W.E., Newman N., Spindt C.J., Lilental-Weber Z., Weber E.R. «Pinning» and Fermi level movement at GaAs surfaces and interfaces. // J. Vac. Sci. Technol. 1990. V. A8. #3. P. 2084 2089.
  158. Woodall J.M., Kirchner P.D., Freeouf J.L., Mclnturff D.T., Melloch M.R., Pol-lak F.H. The continuing drama of the semiconductor interface. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 1993. V. 344. P. 521 532.
  159. Yamada M., Wahi A.K., Kendelewicz Т., Spicer W.E. Schottky barrier formation on lnP (110) passivated with one monolayer of Sb. // Appl. Surf. Sci. 1992. V. 56 58. P. 325 -329.
  160. Monch W. Chemical trends of barrier heights in metal-semiconductor contacts: on the theory of slope parameter. //Appl. Surf. Science. 1996. V. 92. P. 367−371.
  161. И.А., Калинин A.H. Влияние поверхностного легирования на потенциал поверхности и поверхностную проводимость пленок CdSe. // ФТТ. 1970. Т. 12. № 5. С. 1490 -1495.
  162. И.А., Калинин А. Н. Влияние поверхностного легирования на поверхностные свойства активированных пленок CdSe. // Изв. ВУЗов, Физика. 1972. № 9. С. 86 -90.
  163. Beyers R., Kim К.В., Sinclair R. Phase equilibria in metal-gallium-arsenic susterns: Thermodynamic considerations for metallization materials. // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. #6. P. 2195 2202.
  164. В.А. Использование представлений об электроотрицательности в физике полупроводников. // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников. Новосибирск, Наука, 1975, 149−181.
  165. Ю.В., Фогель В. А. Участие электронно-ионных процессов в поверхностных явлениях полупроводников. // Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников. Новосибирск.: Наука, 1982, С. 181 -233.
  166. Lee Y.S., Anderson W.A. Processing-induced conduction mechanisms in metal-insulator-semiconductor diodes on n-lnP. // J. Electron. Mater. 1990. V. 19. #6. P. 591 -596.
  167. Г. С., Цвицинский В. И., Михайлов В. А., Маринова A.M. Изменение в процессе термообработки параметров собственных химических окислов inP и МОП структур на их основе. // Электрон, техн. Сер. 6. Материалы. 1988. № 1. С. 62- 66.
  168. Т.О., Сазонов С. Г., Соколов Е. Б., Кравченко Л. Н. Управление фиксацией уровня Ферми в МДП-системах на основе фосфида индия. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 21. С. 1998−2002.
  169. Е.Д., Габараева А. Д., Горелёнок А. Т., Каржавин Р. В., Микушкин В. М., Сысоев С. Е., Шмидт Н. М. Исследование собственных оксидов InP. Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. № 7. С. 88 -93.
  170. С.Г., Левин Д. М. Некоторые закономерности роста, элементно-фазового состава и электрофизических свойств систем оксид-полупроводник (InSb, InAs. lnP). // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 19. С. 1208−2113.
  171. Eberspacher С., Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Properties of Au/oxide/lnP metal-interfacial layer-semiconductor juciions. // J. Appl. Phys. 1985. V.58. #5. P. 1876- 1885.
  172. С.С. Структурная рефрактометрия. М.: Высш. шк., 1976, 340 с.
  173. И.Т., Назаренко Ю. П., Некрич Е. Ф. Краткий справочник по химии. Киев: Наукова думка, 1987, 828 с.
  174. Allen R.E., Sankey F., Dow J.D. Theoretical interpretation of Schottky Barriers and ohmic contacts.//Surf Sci. 1986. V.168. P. 376−385.
  175. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987, 431 с.
  176. С.А., Матвеев Ю. А., Мордкович В. Н., Петров H.A., Щербина С. М. Исследование взаимодействия ионов малых энергий с поверхностью соединений А3В5. ФТП. 1982. Т. 16. № 3. С. 523 525.
  177. О.Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г. Радиационные эффекты в приграничной области фосфида галлия. // ЖТФ.1982. Т.52. № 6. С. 1194- 1198.
  178. О.Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г. Радиационное упорядочение на границе раздела металл InP. // ФТП. 1986. Т. 20. № 2. С. 326 — 329.
  179. П.В., Семин Ю. А., Скупо в В.Д., Тетельбаум Д. И. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов. // ФТП. 1986. Т. 20. # 3. С. 503 -507.
  180. А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумаков М. А., Темхин М. М. Пространственное распределение энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985, 244 с.
  181. Физические процессы в облученных полупроводниках (под ред. Л.С. Смирнова). Наука, Новосибирск, 1976.
  182. Yamaguchi М., Uemura С., Yamamoto A. Radiation damage in InP sing! crystals and solar cells. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. #6. Pi. 1. P. 1429 -1436.
  183. Д. // Точечные дефекты в твердых телах, «Мир». М., 1979.
  184. В.Д., Тетельбаум Д. И. О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках. // ФТТ. 1987. Т. 21. № 8. С. 1495 1497.
  185. М. А., Назарова Л. Б., Мелев В. Г. Влияние механической обработки на дефектность арсенида галлия. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. № 8. С. 142−144.
  186. В. П., Крыштаб Т. Г., Кпейнфельд Ю. С., Семенова Г. Н., Хазан Л. С. Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитак-сиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия). // ФТП. 1992. Т. 26. № 2. С. 368−372.
  187. В. П., Юрьев В. А., Мурин Д. И. Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия.//ФТП. 1991. Т. 25. № 5. С. 798 806.
  188. Kalinushkin V. P., Yuryev V. A., Murin D. I., Ploppa M.G. On the nature of large scale electrically active defect accumulations in InP and GaAs.// Semicond. Sci. Technol. 1992. V.7. P. A255−262.
  189. Paul Т. K., Bose D. N. Improved surface properties of InP through chemical treatments.//J. Appl. Phys. 1991. V. 70. #12. P. 7387−7391.
  190. Iyer R., Chang R., Lile D. L. Sulfur as a surface passivation for InP. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. #2. P. 134 -136.
  191. Wilmsen C. W., Geib К. M., Shin J., Iyer R., Lile D. L. Sulfurized InP surface. //J. Vac. Sci.Technol. 1989. V. B7. #4. P. 851 853.
  192. Dimitriou P., Post G., Scavennes A., Duhamel N., Lorans M. High transcon-duc- tance InP MISFET’s with double layer gate insulator. // Physica .1985. V. 129 B. P. 399−402.
  193. Sundararaman C.S., Poulin S., Currie J.F., Leonelli R. The sulfur-passivated InP surface. // Can. J. Phys. 1991. V. 69. P. 329 332.
  194. Tao Y., Yelon A., Sacher E., Lu Z.N., Graham J. S-passivated lnP (100) -(1×1) surface prepared by a wet chemical process. //Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. #21. P. 2669−2671.
  195. Tao Y., Yelon A., Leonelli R. Electronic properties of (NH^S passivated lnP (100) surfaces.//Can. J. Phys. 1992. V. 70. #10−11. P. 1039−1042.
  196. Lau W.M., Kwok R.W.M., Ingrey S. Controlling surface band-bending of InP with polisulfide treatments. // Surf. Sci. 1992. V.271. #3. P. 579 586.
  197. Kurihara K., Miyamoto Y., Furuya K. Observation of InP surfaces after (NH4)2S treatment by a scanning tunneling microscope. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. #3B. P. L444 L446.
  198. Anderson G. W., Hanf M.'C., Norton P. R" Lu Z. H., Graham M. J. Thermal stability passivated lnP (100)-(1×1). //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65 # 2. P. 171 173.
  199. Vaccaro K., Dauplaise H. M., Davis A., Spaziani S. M., Lorenzo J. P. Indium phosphide passivation using thin lauers of cadmium sulfide. //Appl.Phys.Lett. 1995. V. 67 #4. P. 527−529.
  200. Chen W., Xie K., Duan L., Xie X., Cui Y. Passivation of the lnP (100) surface using (NH4)zSx. // Acta Phys. Sinica. 1995. V. 4. #11. P. 859 863.
  201. Mitchel С. E. J., Hill I. G., McLean А. В., Lu Z. H. Structural and electronic properties of sulfur passivated lnP (100). // Progr. Surf. Sci. 1995. V. 50. #1−4. P. 326 334.
  202. В. H., Иванков А. Ф., Коненкова Е. В., Лебедев М. В., Стрыканов B.C. Кинетика пассивации поверхности GaAs(100) в водных растворах сульфида натрия. ФТП. 1996. Т. 30. № 2. С. 364 374.
  203. . В. Кластерная динамика и физические основы прочности. Горький, 1983, с. 74 82.
  204. В. Н., Лебедев М. В., Львова Т. В., Новиков Е. Б. Сульфидная пассивация поверхности А3В5: модельные представления и эксперимент. // ФТТ. 1992. Т. 34. № 8. С. 1713 -1718.
  205. В. Н., Коненкова Е. В., Лебедев М. В., Zahn D.R.T. Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония. // ФТП. 1997. Т. 31. № 11. С. 1350- 1355.
  206. С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980,488 с.
  207. В. Н., Коненкова Е. В., Лебедев М. В. Люминесценция и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия поверхности GaAs, сульфидированного в спиртовых растворах. ФТТ. 1996. Т. 38. № 9. С.2656 2666.
  208. В. И. Получение и свойства пленок ln2S3. // Журнал неорганической химии. 1991. Т. 36. № 3. С. 591 596.
  209. С.В., Бибилашвилм А. П., Герасимов А. Б. Низкотемпературное окисление, а рее ни да галлия. // Зарубежная электронная техника. 1984. № 10. С. 3−45.
  210. Воск К., Hartnagel H.L. Surface technology and ESD protection: towards highly reliable GaAs microwave circuits. // Semic. Sei. Technol. 1994. V. 9. P.1005 1015.
  211. Saito J., Nanbu K., Ishikawa Т., Kondo K. GaAs surface cleaning by thermal oxidation in MBE. // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. #2. P. 404 409.
  212. .Н., Чугуиов В. Ф., Сорокин И. Н., Панасенко П. В. Электрохимические процессы в технологии полупроводниковых приборов на основе GaAs. // Зарубежная электронная техника. 1992. № 15−24. С. 3 -37.
  213. Physics and chemistry lll-V compound semiconductor Interfaces. / Ed. VViInn-sen C.W. New York, London: Plenum Press, 1985, 465 p.
  214. Hashizume Т., Hasegawa H., Tochitani G., Shimozuma M. Anneling bechevior of HF- treated GaAs capped with Si02 films prepared by 50-Hz PACVD. // Jap. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. # 12A. P. 3794 3800.
  215. Г. М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. Томск, ТГУ, 1990, 228 с.
  216. Ю.А., Доманевский Д. С., Жоховец С. В., Реппишер Г., Ресслер Г. Оптические свойства поверхности термически окисленного GaAs. // Поверхность. 1990. № 10. С. 157- 159.
  217. М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. // ФТП. 1976. Т. 10. № 2. С. 209 233.
  218. A.B., Кашкаров П. К., Образцов А. Н., Сосновских Ю. Н., Сорокин Ю. Н. О природе ловушек в оксидном слое на поверхности арсенида галлия. // Вестник МГУ, сер. 3 (физика, астрономия). 1986. Т. 27. № 5. С. 53−57.
  219. Н.К., Калыгина В. М., Воронков В. П., Вяткин А. П. Структура и свойства межфазных границ арсенид галлия-металл (диэлектрик). // Изв. п /гж.ЛАЛ киил л гл ло
  220. D-УО UB, Ч-'И^ИКс*. ItftfO. № I U. О. OZ
  221. А. В., Коноров П. П., Та рантов Ю.А. Электрические и оптические свойства анодных окисных пленок на арсениде галлия. // Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов микросхем. Рязань, РРИ, 1982, с. 49−53.
  222. В.И. Химия поверхности полупроводников А3В5. // Проблемы электронного ма териаловедеиия, Новосибирск, «Наука», 1986, с. 29 40.
  223. Walukewicz W. Mechanism of Schottky barrier formation: The role of am-foteric native defects. // J. Vac. Sci. Technol. B5. 1987. #4. P. 1062 1067.
  224. Wilmsen C.W. Chemical composition and formation of thermal and anodic oxide / lll-V cornpaund semiconductor interfaces. // J. Vac. Sci. Technol. 1981. V. 19. #3. P. 279−295.
  225. А.А., Мальнева E.B., Свентицкий A.A. Исследования анодного окисления G a As методами эллипсометрии и электронной Оже-спектроскопии. // Эл. техн. Сер.6. Материалы. 1984. №. 8(193). С. 24 -29.
  226. Ahrenkiel R.K., Dunlavy D.J. The density of states at GaAs/native oxide interfaces. // Sol. St. Electron. 1934. V. 27. # 5. P. 485 489.
  227. Mimura T., Fukuta Y. Status of the GaAs metall-oxide-semiconductor technology. // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. V. ED-27. # 6. P. 1147−1155.
  228. В. Г., H ем о шкал емко В. В., Семашко Е. М., Сенкевич А. И. Исследование процессов окисления поверхности арсенида галлия. // Поверхность. 1985. № 2. С. 111 114.
  229. Л. Г., Вилисова М. Д. Образование центров с глубокими уровнями при газофазной э пи такс и и арсенида галлия. // Изз. ВУЗов, Физика. 1986. № 5. С. 3 -13.
  230. Fujieda S. Control of GaAs Schottky barrier height using a thin nonstoi-chiometric GaAs interface layer grown by low-temperature molecular beam epitaxy. // J. Appl. Rhys. 1993. V. 74. #12. P. 7357 7363.
  231. A. H., Тигиняну И. M. Антиструктурные дефекты в соединениях lll-V. // ФТП. 1988. Т. 22. № 1. С. 3 14.
  232. Banse В.А., Creighton J.R. Formation of «super» As-rich GaAs (100) surfaces by high temperature exposure to arsine. // Appl. Phys. Lett. 1992. V.60. # 7. P. 656−658.
  233. Resch U., Esser N., Raptis Y.S., Wasserfall J., Forster A., Westwood D.I. As passivation of GaAs (100) surface. // Surf. Sci. 1992. V. 269/270. P. 797 -803.
  234. Wada Y., Wad a K. Restricted motion of GaAs surface Fermi level caused by excess As. // J. Vac. Sci. Technol. 1995. V. В 13. #5. P. 2069 2074.
  235. Ю.С., Микушин В.M., Никонов С. Ю., Сысоев С. Е., Чалдышез В. В. Сегрегация мышьяка на поверхности арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. //ФТТ. 1996. Т. 38. № 11. С. 3299 3307.
  236. Н.Л., Маева О. И., Полудин В. И. Влияние металлической остров-ковой структуры на поверхности полупроводлника на эффект фотоэлектрической памяти. // ФТП. 1976. Т. 10. № 10. С. 1925 1932.
  237. Holloway P. H., Mueller C.H. Chemical reaction at metal/compaund semiconductor interfaces: Au and GaAs. // Thin Sol. Films. 1992. V. 221. P. 254 -261.
  238. Chen T.P., Liu Y.C., Fung S. Beling C.D. Influence of anneling on Ferrni-leve! pinning and current transport at Au-Si and Au-GaAs inretfaces. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. #.12. P. 6724 6726.
  239. Liliental Weber Z., Gronsky R., Washburn J., Newman N., Spicer W.E., Weber E.R. Schottky and Ohmic Au contacts on GaAs: Microscopic and electrical investigation. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1986 V. 4. # 4. P. 966 — 973.
  240. T.A., Дворянкина Г. Г., Лебедева З. М., Ормонт А. Б., Петров А. Г. Юневич Е.О. Десорбция мышьяка и реакции взаимодействия в системе Au-GaAs при термическом отжиге. // Неорганические материалы. 1986. Т. 22. № 6. С. 889 892.
  241. А., Поут Дж. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. М.: Мир, 1982, 408 с.
  242. Ishikawa Т., Ikoma Н. Possible existence of surplus (oxygen-excess) Ga oxide in the thermal oxide of GaAs. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. #4B. P. L607 L609.
  243. Offsey S.D., Woodall J.M., Warren A.C., Kirchner P.D., Chappell T.U., Pettit G.D. Unpinnid (100) GaAs surfaces in air using photochemistry. //Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 475 477.
  244. Silberman J.A., de Lyon T.J., Woodall J.M. Fermi level pinning at epitaxial Si on GaAs (100) inerfaces. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. # 25. P. 3300 -3302.
  245. Carpenter M.S., Melloch M.R., Lundstrom M.S. Effect of Ma2S and (NH4)2S edge passivation treatmens on the dark current-voltage characteristics of GaAs pn diodes. //Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 2157 -2159.
  246. А.л., Валиев K.A., Беликов Л. В., Душенков С. Д., Иванова м.И. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ-очистки поверхности неорганической подложки. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. № 6. С. 540 -543.
  247. И.А., Апаршина Л. И. Фотохимическое окисление поверхности GaAs в кислороде. // Микроэлектроника. 1992. Т. 21. № 6. С. 22 -26.
  248. Т.П., Белый В. И., Захарчук Н. Ф. О состоянии элемента V группы на поверхности a'"bv // Поверхность. 1984. № 2. С. 94 99.
  249. Ю.Г., Петренко И. П., Свиташева С. Н. Исследование кинетики образования и состава оксида на сколотой поверхности GaAs(110). // Поверхность. 1987. № 11. С. 51 57.
  250. К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. Ч. II. М.: Изд-во иностр. лит., 1963.
  251. К.А., Беликов Л. В., Пономарев А. Н., Рыжиков И. А., Федотов С. М. Окисление арсенида галлия при ВУФ очистке на воздухе. // Микроэлектроника. 1993. Т. 22. № 2. С. 50 52.
  252. Wang X., Weinberg W.H. Structural model of sulfur on GaAs (100). // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. #5. P. 2715 -2717.
  253. Scimeca Т., Muramatsu Y., Oshima M.,, Oigawa H., Nannichi Y. Interfacial chemistry and stability of sulfur-treated GaAs (111)A, 100 and (111)B. //Appl. Surf. Scie. 1992. V. 60/61. P. 256 259.
  254. B.H., Коненкова E.B., Лебедев IVi.B. Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфида натрия и аммония. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 1. С. 63 66.
  255. Ohno Т. Sulfur passivation of GaAs surfaces. // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. # 12. P. 6306−6311.
  256. .И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Стрыгин В. Д. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шотки в структурах Me-GaAs. // ФТП. 1993. Т.27. № 1. С. 131 135.
  257. .И., Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Агапов Б. Л., Стрыгин В. Д. Пассивация поверхности GaAs(IOO) халькогенидами галлия
  258. А «'В,'1 (110). //ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 24 32.
  259. Carpenter M.S., Melioch M.R., Cowans B.A., Dardas Z., Delgass W.N. Investigation of ammonium sulfide surface treatments on GaAs. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1989. V. 7. #4. P. 845 848.
  260. Weling A.S., Kamath K.K., Vaya P.R. The effect of excitation on the sulphur passivation of GaAs surfaces. // Thin Solid Films. 1992. V. 215. P. 179 183.
  261. Samaras J.E., Darling R.B. Effects of low work function metais on the barrier height of suifie-treated n-type GaAs (100). //J. Appl. Phys. 1992. V. 72. #1. P. 168 173.
  262. Nannichi Y., Shigekawa H, Oigawa H., Hashisume H., Oshima M., Scimeca
  263. T. Observation of the changes in quality on GaAs (100) surface with anneling. // Photon Fact. Activ. Rept. 1991. V. 9. P. 2. Tsukuba (1992).
  264. Scimeca Т., Muramatsu Y., Oshima M., Oigawa H., Nannichi Y. Temperature-dependent changes on the sulfur passivated GaAs (111)A, 100 and (111)B surfaces. // Photon Fact. Activ. Rept. 1991. V. 9. P. 8 Tsukuba (1992).
  265. Sato K., Ikoma H. Internal photoemission and X-ray photoelectron spectrock-opic studies of sulfur-passivated GaAs. // J. Appl. Phys. 1993. V. 32. Part 1.2. P. 921 -929.
  266. Viktorovitch P., Gendry M., Krawczyk S.K., Krafft F., Abraham P., Bekkaoui A., Monteil Y. Improved electronic properties of GaAs surfaces stabilized with phosphorous. //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. # 21. P. 2387 2389., .
  267. Sugino Т., Yamada Т., Matsuda K., Shirafuji J. Schottky junction on phosphidized GaAs surfaces. // Appl. Surf. Sci. 1992. V. 56 58. P. 311 -316.
  268. Freeouf J.L., Buchanan D.A., Wright S.L., Jackson T.N., Robinson B. Accumulation capacitance for GaAs-Si02 interfaces with Si interlayers. // Appl Phys. Lett. 1990. V. 57. # 18. P. 1919 -1921.
  269. Hasegawa H., Ishii H., Koyanagi K. Formation mechanism of Schottky barriers on MBE-grown GaAs surfaces subjected to various treatments. // Appl Surf. Sci. 1992. V. 56 -58. P. 317 324.
  270. Costa J.C., Miller T.J., Williamson F., Nathan M.I. Unpinned GaAs Schottky barriers with an epitaxial silicon layer. // J. Appl. Phys. 1991. V. 7. # 4. P. 2173−2184.
  271. Costa J.С., Williamson F., Miller T.J. Barrier height variation in AI/GaAs Schoiiky diodes with a thin silicon interfacial layer. //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 54. # 4. P. 382 384.
  272. Lee J.В., Kwon S.D., Kim I., Cho Y.H., Choe B.-D. The characteristics of an iriGaP and InGaP/GaAs heterojunction grown on a (100) GaAs substrate. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. # 10. P. 5016 5021.
  273. Lee T.W., Houston P.A., Kumar R., Yang X.F., Hill G., Hopkinson M., Claxton P.A. Conduction-band discontinuity in InGaP/GaAs measured using both current-voltage and phoioemission methods.// Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. # 4. P. 474 476.
  274. И.А., Степихова M.B. Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинаци-онные параметры слоев GaAs. //ФТП. 1998. Т. 32. № 2. С. 182 186.
  275. Lu S.S., Huang C.L., Sun Т.P. High-breakdown-voltage Ga0.5iln0.4gP/GaAs I-HEMT and l2HEMT with a GalnP passivation layer grown by source molecular beam epitaxy. // Sol. St. Electron. 1995. V. 38. # 1. P. 25 29.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!