Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах

Диссертация: Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления" (Таганрог, 2000 г.), 8-м Международном симпозиуме «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы» (Харьков, 2002 г.), научных семинарах профессорско-преподавательского состава кафедры физики ТРТУ, а также использовались при выполнении госбюджетных научно-исследовательских работ «Исследование электронного строения… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИИ И ИХ
  • ГЕНЕРИРОВАНИЕ
    • 1. 1. Влияние точечных дефектов на электрофизические свойства кремния и полупроводниковых структур на его основе
    • 1. 2. Перестройка электронного энергетического строения кремния, обусловленная атомами переходных и щелочных металлов
    • 1. 3. Методы геттерирования электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах и контроля их электрофизических свойств
    • 1. 4. Выводы и постановка цели и задач диссертационной работы
  • 2. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕСТРОЙКИ ЭЛЕКТРОННОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ КРЕМНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННОЙ АТОМАМИ НИКЕЛЯ И ЛИТИЯ
    • 2. 1. Методика расчета электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами
    • 2. 2. Комплекс дефектов, содержащий два атома замещения никеля или лития
    • 2. 3. Комплекс дефектов, содержащий атом замещения никеля или лития и структурную вакансию
    • 2. 4. Расчеты электронного энергетического строения кремния в рамках разработанных моделей и анализ полученных результатов
    • 2. 5. Выводы
  • 3. МОДЕЛИРОВАНЕ ПРОЦЕССА ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НАРУШЕННЫМ СЛОЕМ. 3.1. Анализ механизмов взаимодействия точечных и протяженных дефектов ! и методов их моделирования
    • 3. 2. Моделирование процесса геттерирования нарушенным слоем, сформированным на нерабочей стороне кремниевой подложки
    • 3. 3. Моделирование процесса геттерирования нарушенным слоем, сформированным на рабочей стороне кремниевой подложки
  • 3. 4. Анализ перераспределения атомов Ni в кремниевой подложке в процессе их геттерирования
    • 3. 5. Выводы
  • 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОПЕРАТИВНОГО КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ГЕТТЕРИРОВАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МДПДМ -СТРУКТУР
    • 4. 1. Модель МДПДМ — структуры
    • 4. 2. Метод оперативного контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ — структур
    • 4. 3. Анализ применимости метода контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ -структур
    • 4. 4. Выводы
  • 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НАРУШЕННЫМ СЛОЕМ, СФОРМИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ОБРАБОТКОЙ
    • 5. 1. Генерирование электрически активных дефектов при формировании нарушенного слоя на нерабочей поверхности Si подложки
    • 5. 2. Планарное генерирование электрически активных дефектов при формировании нарушенного слоя на рабочей поверхности
  • Si подложки
    • 5. 3. Рекомендации по использованию метода геттерирования электрически активных дефектов в кремнии нарушенным слоем нерабочей стороны подложки, сформированным электроискровой обработкой
    • 5. 4. Выводы

Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Аналитический прогноз развития интегральной микроэлектроники свидетельствует о возможности создания уже в ближайшие 10 — 15 лет гигабитных ИС. Создание таких гигантских (по числу элементов) ИС потребует использования металл — диэлектрик — полупроводник (МДП) — или полупроводник — диэлектрик — полупроводник (ЦДЛ) — транзисторов с длиной канала (0,1 — 0,15)мкм и толщиной подзатворного диэлектрика (4,0 — 6,0)нм, что соответствует всего нескольким межатомным слоям. В связи с этим, задача воспроизводимого получения сверхтонких слоев окисла с заданной толщиной и приемлемой (для обеспечения необходимых параметров элементов) концентрацией электрически активных дефектов — одна из ключевых при решении проблемы создания гигабитных ИС /1,2/.

Электрические характеристики кремниевых МДП — транзисторов существенно зависят от качества пассивации поверхности Si подложки. Для пассивации обычно используется слой SiC>2. Известно, что несмотря на неуклонное совершенствование технологии, в процессе формирования элементов ИС не удается получить межфазную границу Si — SiC>2 полностью свободную от дефектов, основной ее особенностью всегда является наличие электрически активных дефектов, изменяющих электронное энергетическое строение (ЭЭС) кремния и соответственно его свойства на границе Si — Si02. Природа дефектов зачастую обусловлена примесями щелочных и переходных металлов.

Поэтому в технологии ИС важное место занимают методы геттерирования электрически активных дефектов, позволяющие существенно снижать плотность дефектов в областях локализации активных элементов ИС кремниевых подложек, в слоях подзатворного окисла, в пассивирующих пленках и т. д., и способствующих, тем самым, формированию ИС с улучшенными электрофизическими характеристиками. Широкое применение нашли методы, использующие в качестве геттера структурно — нарушенные слои (НС) подложки, которые являются эффективными стоками для быстро диффундирующих атомов.

НС можно формировать на рабочей или нерабочей стороне кремниевой подложки, а также в ее объеме, используя различные высокоэнергетические воздействия. Предпочтение отдается методам с легко управляемым процессом формирования геттера и обеспечивающим высокую воспроизводимость его свойств /3/. Данным требованиям отвечает метод электроискровой (ЭИ) обработки поверхности подложки.

Применение метода геттерирования в технологии ИС с использованием ЭИ обработки с целью формирования НС ограничено отсутствием модели процесса геттерирования, необходимой для обеспечения возможности управления этим процессом, а также прогнозирования его результатов для конкретных видов электрически активных примесей в кремнии. Таким образом, задача моделирования процесса геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкой, представляется важной и актуальной.

Процесс геттерирования необходимо контролировать. Одним из высокоинформативных методов контроля в технологии ИС является тестовый операционный контроль, который осуществляется путем изготовления на исходных подложках специальных испытательных элементов — тестструктур. В их состав входят тест — МДПструктуры, предназначенные для контроля электрофизических свойств границы раздела диэлектрик — полупроводник. Технологический процесс изготовления МДП — структуры требует формирования надежного низкоомного контакта к полупроводниковой подложке. Необходимость такой операции может быть исключена, если в качестве тест — структуры использовать структуру металл — диэлектрикполупроводник — диэлектрик — металл (МДПДМструктуру), в которой роль омического контакта выполняет емкостной контакт одной из двух МДПструктур, входящих в ее состав. В результате, метод контроля будет более оперативным вследствие упрощения технологии изготовления тест структуры и более достоверным, за счет исключения дополнительного воздействия на подложку. Кроме того, затраты на его проведение сократятся, что важно, так как себестоимость контрольных операций в настоящее время достигает 15−20% и более от общей себестоимости готовых ИС.

Таким образом, целью диссертационной работы является моделирование процесса геттерирования электрически активных дефектов нарушенным слоем и разработка метода оперативного контроля процесса геттерирования.

Поставленная цель определяет следующие основные задачи;

— теоретическое исследование влияния комплексов дефектов с атомами переходных и щелочных металлов на электронное энергетическое строение кремния;

— разработка моделей процессов объемого и планарного геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкой;

— разработка метода оперативного контроля процесса геттерирования.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

— теоретически и экспериментально показано, что в запрещенной зоне кремния возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные комплексами дефектов с атомами замещения Ni с энергией активации: ?>¦0,49 эВиЯу+0,27 эВ;

— модели процессов объемного и планарного геттерирования электрически активных примесей в кремнии нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой, позволяющие прогнозировать температурновременные режимы процесса геттерирования конкретных типов примесей;

— метод контроля процессов геттерирования на основе определения основных электрофизических свойств границы раздела диэлектрикполупроводник с использованием структуры металл — диэлектрикполупроводник — диэлектрик — металл (МДПДМ), позволяющий повысить оперативность проведения операции контроля.

Практическая ценность:

— программы в математическом пакете Mathcad 8+, позволяющие рассчитывать кинетику перераспределения атомов примеси в полупроводниковой подложке в процессе геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкойметод оперативного контроля процесса геттерирования с использованием тест — МДПДМ — структур.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

— теоретически и экспериментально установлено, что с атомами Ni в кремнии связано появление глубоких уровней со значениями энергии активации ?>0,49 эВ, и Ev+0,21 эВ;

— модели процессов объемного и планарного геттерирования нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой, позволяющие определять температурно-временные режимы геттерирования конкретных типов примесей;

— процесс геттерирования атомов Ni может быть оптимальным при температуре отжига 7М100°С в течение 10 — 45 мин (в зависимости от толщины подложки) с плотностью дислокаций в НС и</=107см~2;

— планарное геттерирование атомов Li обеспечивает быстрый термический отжиг при температуре Г=1000°С в течение 2 — 3 сметод оперативного контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ — структур.

Апробация диссертационной работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика — XXI век» (Москва, 2000 г.), Международных научнотехнических конференциях «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог — Дивноморск, 1999;2000 гг.), Всероссийской научно — технической конференции аспирантов и студентов.

Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления" (Таганрог, 2000 г.), 8-м Международном симпозиуме «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы» (Харьков, 2002 г.), научных семинарах профессорско-преподавательского состава кафедры физики ТРТУ, а также использовались при выполнении госбюджетных научно-исследовательских работ «Исследование электронного строения гетероструктур, содержащих тонкие слои силицидов переходных металлов», «Разработка физических основ перспективных элементов твердотельной электроники на основе гетерогенных наноструктур» и гранта «Исследование электронного строения гетероструктур, содержащих тонкие слои переходных металлов» .

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 работ, в ВНИИТЦ зарегистрировано два отчета по НИР.

Краткое содержание работы.

Во введении обоснована актуальность темы, определены цель и задачи исследований, изложены научная новизна и практическая ценность работы.

В первой главе проведен анализ механизмов и моделей наиболее перспективных методов геттерирования электрически активных дефектов в кремнии и сформулированы задачи исследования.

Во второй главе проведено исследование влияния комплексов дефектов, в состав которых входят атомы замещения Ni и Li, на электронное энергетическое строение собственного кремния. Исследование выполнено с помощью универсального пакета программ расчета ЭЭС кремния с кристаллографическими дефектами, разработанного на кафедре физики ТРТУ. Показано, что данные комплексы являются причиной возникновения дополнительных глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне кремния. Обоснована необходимость геттерирования данных примесей из областей локализации активных элементов ИС в кремниевых подложках.

Третья глава посвящена моделированию процессов геттерирования. Проведен анализ теоретического описания взаимодействия точечных и протяженных дефектов в кремнии. В основу модели процесса объемного геттерирования положено классическое решение задачи диффузии точечных дефектов в поле внешних сил, а также модель взаимодействия точечных дефектов с полями напряжений различных слоев дислокаций. Получены контуры диффузионного распределения атомов Си и № в кремниевой подложке в процессе их геттерирования нарушенным слоем нерабочей стороны подложки, представленным дислокационным скоплением высокой плотности. Оценка температурно-временных режимов процессов геттерирования данных примесей позволила сделать вывод о целесообразности проведения быстрого термического отжига для дезактивации быстродиффундирующих атомов металлов, к которым в частности относится Си, и о необходимости более продолжительного геттерирующего отжига для относительно медленно диффундирующих атомов, таких как Ni.

Разработана модель процесса планарного геттерирования, в основу которой положено решение задачи Фишера и Уиппла, учитывающая упругое взаимодействие точечных дефектов с полями напряжений нарушенных областей рабочей стороны кремниевой подложки, имеющих дислокационную структуру. Расчеты диффузионного распределения в рамках предложенной модели были проведены для атомов Li и Ni. Результаты расчетов показали возможность локально нарушенных областей рабочей стороны кремниевой подложки при быстром термическом отжиге очищать от данных примесей участки областей локализации активных элементов ИС, находящихся от них в непосредственной близости. Показано, что геттерирующий эффект распространяется только на расстояния, приблизительно равные размерам нарушенных областей.

В четвертой главе рассмотрена физическая модель МДПДМ — структуры, позволяющая разработать метод оперативного контроля процесса геттерирования, в основу которого положена методика расчета основных электрофизических свойств границы раздела диэлектрик — полупроводник, таких как толщина диэлектрика, концентрация основных носителей заряда в полупроводнике, заряд и плотность поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик — полупроводник. Корректность разработанной методики подтверждается сравнением результатов расчета электрофизических свойств границы раздела диэлектрик — полупроводник, полученных с помощью стандартно используемых МДП — и предлагаемых МДПДМ — структур. Выполнен анализ ограничений применимости данного метода в контроле процесса геттерирования.

В пятой главе приведены результаты экспериментального исследования геттерирования электрически активных дефектов в кремниевых структурах нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой на рабочей и нерабочей стороне подложки методами равновесных вольт — фарадных характеристик (ВФХ) МДПДМструктур, динамической спектроскопии глубоких уровней (ДСГУ) в МДПструктурах, вольтамперных характеристик (ВАХ) токов утечки МДПДМструктур, а также контроля времени жизни неосновных носителей заряда в р-п-переходах. Приведенные результаты качественно подтверждают эффективность геттерирования с использованием в качестве геттера нарушенных ЭИ обработкой областей кремниевой подложки.

Полученные результаты могут быть использованы для моделирования процесса геттерирования электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах на этапе проектирования технологического процесса изготовления ИС на их основе, а также в контроле электрофизических свойств полупроводниковых структур, что способствует возможности оптимального управления качеством и повышению выхода годных ИС.

Диссертация выполнена на кафедре физики Таганрогского государственного радиотехнического университета.

Основные результаты и выводы о проделанной работе заключаются в следующем:

1. Теоретически и экспериментально показано, что в запрещенной зоне кремния возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные комплексами дефектов с атомами замещения Ni, с энергией активации: £с-0,49 эВ и? v+0,27 эВ.

2. Модели процессов объемного и планарного геттерирования электрически активных примесей в кремнии нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой, позволяющие прогнозировать температурновременные режимы процесса геттерирования конкретных типов примесей.

В частности, в случае объемного геттерирования атомов никеля оптимальной температурой и временем геттерирующего отжига могут быть соответственно значения Г=1100°С и £=от 10 до 45 мин (в зависимости от толщины подложки), величина плотности дислокаций в НС, обеспечивающая эффект геттерирования составляет nj= 107 см" 2.

В случае планарного геттерирования атомов никеля достаточно быстрой термической обработки в течение 2 — 3 с при температуре 7=1000°С.

Дальнодействие планарного геттерирования оказывается равным длине геттерирующей области.

Экспериментальное исследование геттерирования электрически активных дефектов в кремниевых полупроводниковых структурах НС, сформированным ЭИ обработкой, подтвердило результаты теоретического моделирования. Результатами геттерирования явилось уменьшение величины плотности поверхностных состояний на границе Si — Si02 в среднем на 50% в результате объемного и на 80% - в результате планарного геттерирования, а также увеличение времени жизни неосновных носителей заряда в высокоомной области р-п-перехода в 4 раза в процессе объемного геттерирования.

3. Метод контроля процесса геттерирования, в основу которого положено определение величины плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик — полупроводник с использованием тестМДПДМ — структур. Показано, что метод применим в контроле свойств полупроводниковых структур на основе низкоомного кремния (/скЗО Ом-см).

4. Разработаны рекомендации по использованию метода геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкой, атомов Си, Fe и Ni. Представлены рекомендуемые параметры режимов ЭИ обработкой и последующего термического отжига, позволяющие формировать НС с необходимой плотностью дислокаций.

Полученные результаты могут быть использованы для моделирования процесса геттерирования электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах на этапе проектирования технологического процесса изготовления ИС, а также при проведении операций контроля.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Российская наноэлектроника: возможные пути развития. П. П. Мальцев, В. Н. Марютин, В. К. Неволин, Ю. А. Чаплыгин. /3-я Межд. Науч.-технич. Конф. «Электроника и информатика XXI век». -Москва, — 2000. — С.-З.
  2. В.Я., Крылов А. П., Борисов С. Е. Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная латеральным геттерированием электрически активных центров. //Микроэлектроника. 2000. — Том 29, № 6. — С. — 466 -470.
  3. В.Л., Перевощиков В. А., Скупов В. Д. Современные методы геттерирования примесей и дефектов в полупроводниковых структурах. Деп. в ВИНИТИ. 1998. — 36 с.
  4. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука. — 1972. — 384 с.
  5. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: Пер с англ. М.: Мир.- 1984, — 475 с.
  6. О содержании загрязняющих микропримесей в растворных композициях и получаемых из них пленках. В. В. Васильев, К. В. Зиновьев. //Электронная техника. Материалы. Вып. 6 (217). — 1986. — С. 42−45.
  7. Деградационные процессы при изготовлении и эксплуатации кремниевых планарных приборов. В. И. Соколов. //Проблемы электронного материаловедения. Новосибирск: Наука.- 1986, — С. 90 -100.
  8. Ш. Силициды для СБИС: пер. с англ. М.: Мир. — 1986. 176 с.
  9. Д.В. Черепанов, Ю. И. Нестеров, В. А. Шахнов, В. В. Макарчук. Механизмы возникновения отказов субмикронных силицидных контактов. /Электроника и информатика XXI век. Третья Межд. науч.-технич. конф.: Тезисы докладов. М.: МИЭТ. — 2000. — С. 101−102.
  10. Технология СБИС: в 2-х кн./Пер. с англ.- под ред. С. Зи, — М.: Мир.- 1986,-Кн. 1 404 е., кн. 2 — 453 с.
  11. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на егоповерхности. М.: Наука. — 1990. — 325 с.
  12. Г. И., Фамицкий В. И. Электрофизические свойства и природа термических и структурных дефектов в высокочистом кремнии. //Итоги науки и техники. Электроника. -1989.-Том 25. С. 72 — 100.
  13. А.А., Гиоргадзе A.JI. Примеси переходных 3d металлов в кремнии. //Электронная техника. Сер. Материалы. — 1986. — Вып. 5 (216).-С. 15−22.
  14. Г. В., Захаров А. Г., Колпачев А. Б. Моделирование электронного энергетического спектра кремния с точечными дефектами.// Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 1995. С. 112.
  15. А.Б., Захаров А. Г., Арзуманян Г. В. Расчет плотностей электронных состояний в гетероструктуре кремний-вольфрам-кремний.// Известия высших учебных заведений. Сер. Электроника. № 1−2. 1996. С. 90−94.
  16. А.Г., Колпачев А. Б., Арзуманян Г. В. Электронное энергетическое строение кремния с точечными и плоскими дефектами.// Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 2000. С. 143−145.
  17. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир. -1977. 568 с.
  18. Э.М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металлургия. — 1983. — 192 с.
  19. Graff К., Pieper Н. The behavior of transition and noble metals in silicon crystals. //Semiconductors Silicon. 1981. — P. 331 — 343.
  20. Kimerling L.C., Benton J.L., Rubin J.J. Transition metal impurities in silicon. //Defects and Radiation Effects in Semiconductors. 1980. — P. 217 — 222.
  21. .И., Бахардыханов M.K., Куликов Г. С. Городецкий С.М. Компенсированный кремний. JL: Наука. 1979. — 122 с.
  22. К.П., Куликов Г. С., Лебедев А. А. и др. Исследования поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния. //Физика и техника полупроводников. -1991. Том 25, вып.6, — С. 1075- 1078.
  23. B.C., Смирнова И. В., Чапнин В. А. О взаимодействии атомов лития, введенного в кремний с радиационными дефектами структуры. //Физика и техника полупроводников. 1962. — Т.4, вып. 5. — С. 1128 — 1131.
  24. И.В., Чапнин В. А., Вавилов B.C. О радиационных нарушениях в кремнии, легированным литием. //Физика и техника полупроводников. 1962. — Т.4, вып. 12. — С. 3373 — 3380.
  25. А.В. Влияние примесей щелочных металлов (литий, натрий) на процессы радиационного дефектообразования в п- кремнии. Дисс. раб. на соиск. уч. степ. к. ф, — м. н. Ростов -на -Дону. — 1991. — 151с.
  26. Н.Б., Першин М. О взаимодействии между примесными центрами и радиационными дефектами в кремнии, перекомпенсированном литием. /Тр. IX Межд. конф. по физ. полупровод., М., 1968. Л.: Наука. -1969.-Т. 1.-С. 124−129.
  27. P.A. //Conf. Record, of the Eight IEEE Photovoltaic. Specialists Conf. Seatle, Washington: N Y. -1970. — P. 229 — 239.
  28. Г. З., Пекарев А. И., Чистяков Ю. Д., Бурмистров А. Н. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов. // Зарубежная электронная техника.-1981.-№ 11.-С. 3- 63.
  29. В.А., Баранов И. Л., Бондаренко В. П., Дорофеев A.M. Современные методы геттерирования в технологии ИС. //Зарубежная электронная техника.-1983.-№ 11.-С. 3−66.
  30. В.В. Механизмы геттерирования металлических примесей в кремнии. //3-я Межд. Науч.-технич. Конф. «Электроника и информатика XXI век». -Москва, — 2000. — С.-174.
  31. Reduction of RIE -damage by NO2 -anneal of thermal date oxide. Sochi Aniruddna В., Mann Richard A., Chung Lee. //IEEE Trans. Semicond. Manuf. 1998. — 11, № 3. — P. 495 — 500.
  32. The influence of cavities and point defects on boron diffusion in silicon. Wong Leung J., Williams J.S., Petravic M. //Appl. Phus. Lett. — 1998. — 72, № 19.-P. 2418−2420.
  33. Shrinkage of grown in defects in Czochralcki silicon during thermal annealing in vacuum. Veki Takemi, Sesumi Manabu, Takeda Tadao, Yoshida Kiyokazu, Takaoka Akio. //Jap. J. Appl. Phus. Pt. 2. 1998. — 37, № 7a. — P. L771 -L773.
  34. B.K., Оболенский C.B., Скупов В. Д. Влияние внутреннего геттера в Si на параметры структур Au Si. Журнал технической физики. — 1999. — Т.69, вып. 6. — С. 129 — 131.
  35. Getteerer for multi layer wafers and method for making same. Пат. 5 892 292. США, МПК6 H01 L 23 (58). Easter W.G., Lucent Technologies Ins. N. — 624 050.
  36. A.H., Пономаренко B.H., Тарасик М. И., Янченко A.M. Формирование воспроизводимого внутреннего геттера в Si. // Известия вузов. Цв. металлургия. 1997. — № 5. — С. 50 — 54.
  37. Wong Leung J. Diffusion and transient trapping of metals in silicon. //Phus Rev. B. -1999. — (59). — № 12. — P. 7990−7998.
  38. Hartiti, Muller J.C., Siffert P. Defects generation and gettering during rapid thermal processing. //IEEE Trans. Electron Devices. 1992. — V. 39. (1). — P. 96−104.
  39. Trans -projected range gettering of copper in high — energy — ion -implanted silicon. Gueorguiev Y.M., Mucklich A., Panknin D., Yankov R.A., Skorupa W. // J. Appl. Phus. — 2000. — (88). — № 11. — P. 6934 — 6936.
  40. М.С., Сорокина О. И., Золотарёва Т. В., Ковалёва О. М. Геттерный эффект на периферии чип пластины, обработанной когерентным излучением. //Электронная техника. Сер. З Микроэлектроника. -1991.-вып.5(144). -С. 42- 43.
  41. Polignano M.L., Cerofolini G.F., Bender Н., Claeys С. Gettering meshanisms in silicon. //J. Appl. Phys.-1988 (64). № 2.-P. 869 — 876.
  42. Chen C.S., Schroder D.K. Kinetics of gettering in silicon. //J. Appl. Phys. -1992.-71(12).
  43. Kikuchi H., Kitatata M., Toyokawa F., Mikami M. New gettering using misfit dislocations in homoepitaxial wafers with heavily boron doped silicon substrates. /Appl. Phus. Lett. — 1989. — (54). — № 5. — P. 463 — 465.
  44. В.Г., Романюк Б. Н. Эффект анизотропного геттерирования в планарных структурах. //Физика и техника полупроводников. -1983,-Том 17, вып.1. С. 150 -153.
  45. В.П., Маленков А. А., Михайлова Г. Н. Влияние ионной имплантации и лазерного отжига на эволюцию дефектов в Si. //Микроэлектроника. -1986. Том 15, вып. 6. -С. 528- 531.
  46. В.Г., Романюк Б. Н., Марченго Р. Н. Исследование процессов дефектообразования в имплантированных структурах при эпитаксиальном росте плёнок. //Физика и техника полупроводников. -1986.-Том 20, вып.7. -С. 1174 -1179.
  47. П.В., Скупов В. Д., Тетельбаум Д. И. О роли механических напряжений и упругих волн в структурных превращениях в кристаллах при ионной бомбардировке и последующем отжиге. //Физика и химия обработки материалов.-1987. -№ 6. -С. 19 -24.
  48. В.Ф., Хромов С. С., Астахов В. П. Планарное геттерирование при высокотемпературном окислении кремния. //Микроэлектроника. -1992. -Том 21, вып. 2. -С. 91−93.
  49. .Н., Попов В. Г., Литовченко В. Г., Евтух А. А. Механизмы геттерирования кислорода в пластинах кремния с неоднородным распределением механических напряжений. //Физика и техника полупроводников. 1995. Том 29, вып. 1. -С. 166−174.
  50. С.В., Светухин В. В., Приходько О. В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии. //Физика и техника полупроводников. -1999. Том 33, вып. 11. С. 1281−1286.
  51. А.Н., Енишерлова К. Л., Калинин А. А., Мордкович В. Н., Русак Т. Ф. Создание внутреннего геттера в Si путём имплантации ионов углерода и кислорода. //Поверхность. -1992. -№ 1. -С. 35.
  52. Е.Д., Соколов В. И., Шапиро И. Ю. Влияние дефектной структуры кремниевых пластин на формирование внутреннего геттера и параметры границы раздела Si-SiO. //Микроэлектроника.-1991.-Том 20, вып.4. -С. 392 -401.
  53. М., Kirscht F.G. //Appl. Phis. Lett.-1995.-66(21).
  54. Gilles D., Weber E.R. Mechanism of internal gettering of interstitial impurities in Czochralski -grown silicon. //Phys. Rev. Lett. 1990. — Vol. 6. -P.- 196−199.
  55. Г. Н., Кожевников E.A. Физическая модель процесса внутреннего геттерирвания в кремниевой технологии. //Электронная промышленность. 1995. — № 4 (5). — С. 59 — 61.
  56. Е.А., Галкин Г. Н., Енишерлов К. Л., Антонова И. А. Исследование эффективности некоторых приёмов геттерирования в Si сиспользованием метода релаксационной спектророскопии глубоких уровней. //Микроэлектроника. -1991. Том 20, вып.2. — С. 124 -130.
  57. Д.А., Захаров А. Г., Беспятов В. В. Формирование в кремнии локальных дислокационных областей электроискровым разрядом. //Электронная обработка материалов. -1975. № 2. -С. 14−17.
  58. . Д.А., Светличный A.M., Захаров А. Г. Локальное введение дислокаций в кремний с помощью электроискрового разряда. //Изв. вузов, Приборостроение. 1972. -№ 4. — С. 118−122.
  59. . Д.А., Беспятов В. В., Арушанов А. П., Басов Н. И. Структура поверхности кремния после электроискровой обработки. //Электронная обработка материалов. -1980. № 5. -С. 17−21.
  60. А.Г., Сеченов Д. А., Беспятов В. В., Котов В. Н. Геттерирование дефектов в кремнии электроискровой обработкой. //Электронная обработка материалов. 1989. -№ 1. -С. 9−11.
  61. А.В., Перевощиков В. А., Скупов В. Д., Шенгуров В. Г. назв. //Письма в ЖТФ. 1997. — Том 23, вып. 13, — С.27−31.
  62. В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск. — Наука. — 1984.
  63. Gyorffy B.L. Stott M.S. A one-electron theory of soft X-ray emission from random alloys.// Band structure spectroscopy of metals and alloys. Ed. by D. Fabian, p. 385−403 / Academic Press, Ld, N.Y. 1973. 618 p.
  64. B.L. Gyorffy, G.M. Stocks. On the CPA in muffin tin model potentialtheory of random substitutional alloys // J. de Physique (Paris). Vol. 35, № 5. -P. 4−80. -1974.
  65. Г. В. Вольф, В. В. Дякин, В. П. Широковский. Кристаллический потенциал для кристаллов с базисом. // Физика металлов и металловедение, Т. 38, № 5. — С. 949−956. -1974.
  66. Дж. Слэтер. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы. -М.: Мир, 1969. -648 с.
  67. J.S. Slater. A simplification of Hartree Fock method // Phys. Rev. -Vol. 81, № 2. -P. 385−390.-1951.
  68. L. Hedin, B.I. Lundquist. Explicit local exchange correlation potentials // J. Phys. C. -Vol. 4, № 14. -P. 2064−2084. -1971.
  69. U. von Barth, L. Hedin A local exchange correlation potentials for spin -polarized case // J. Phys. C. -Vol. 5, № 13. -P. 1629−1642. -1972.
  70. F. Herman, S. Skillman. Atomic structure calculations // Prentice Hall, Englewood Cliffs. New Jearsea, 1965. -421 p.
  71. А.Б., Арзуманян Г. В., Кракотец H.A. Электронное энергетическое строение кремния с примесью никеля. //Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы. Под ред. В. М. Ажажи и др. Харьков: ННЦ ХФПИ ИПЦ «Контраст». — 2002. С. 83 — 86.
  72. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения: Пер. с англ./ Под ред. Д. Миллера. -М.: Радио и связь. 1989.- 280 с.
  73. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. Пер. с англ./ Под ред. П. Антонетти, Р. Даттона, У.Оулдхема. — М.: Радио и связь. — 1988. — 280 с.
  74. Д.Н., Санников С. В. Эволюция концентрации точечных дефектов у вершины трещины. //Физика твердого тела. 1997. -Том 39. -№ 9.-С. 1580- 1585.
  75. П. Диффузия в твердых телах. М.: Металлургия. — 1966. -195с.
  76. Р. Ньюмен Р. Кинетика миграции точечных дефектов к дислокациям. //Новости физики твердого тела. -1973. Вып. 2. -С. -75 -145.
  77. Д.Д. Континуальная теория дислокаций. М.: ИЛ. -1963.83.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!