Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Модификация процесса бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов

Диссертация: Модификация процесса бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Применение бессвинцовых припоев и покрытий естественно приведет к изменению технологии пайки и в целом сборочных процессов. Потребуется корректировка режимов пайки и, как следствие, доработка технологического оборудования. Необходимо проведение комплексных испытаний бессвинцовых паяных соединений на прочность, тепловое сопротивление, коррозионную стойкость, совместимость с материалами… Читать ещё >

Содержание

  • Глава. Современное состояние задачи бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники
    • 1. 1. Европейская директива RoHS о запрете свинца в производстве изделий РЭА
    • 1. 2. Достоинства и недостатки оловянно-свинцовых припоев
    • 1. 3. Бессвинцовые припои в производстве ППИ
    • 1. 4. Покрытия паяемых поверхностей кристалла и основания корпуса для пайки бессвинцовыми припоями
      • 1. 4. 1. Цинковое, олово-висмутовое, оловянное, никелевое, сплав никель — олово, серебряное, алюминиевая металлизация
      • 1. 4. 2. Использование золота для пайки на эвтектику Si-Au
    • 1. 5. Анализ паяемой поверхности основания корпуса
    • 1. 6. Некоторые особенности пайки кристаллов к основаниям корпусов
    • 1. 7. Оценка качества паяных соединений кристалл — корпус по тепловому сопротивлению
    • 1. 8. Методы, приборы и оборудование, используемые для проведения экспериментов
  • Выводы и постановка задач для исследования и разработок
  • Глава 2. Экологические аспекты проблемы бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники
    • 2. 1. Токсикологическая оценка металлов, входящих в состав припоев и покрытий для бессвинцовой пайки
    • 2. 2. Экологическая оценка припоев ПОС40 (40Sn/60Pb) и бессвинцового 95,5Sn/4Ag/0,5Cu
    • 2. 3. Анализ капиллярной пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП припоями на основе свинца
  • Выводы
  • Глава 3. Разработка способов и технологий бессвинцовой пайки кристаллов СПП к основаниям корпусов
    • 3. 1. Контактно-реактивная пайка с образованием эвтектики Si-Au
      • 3. 1. 1. Подготовка соединяемых поверхностей к сборке
      • 3. 1. 2. Новый способ подготовки к пайке золотой прокладки
    • 3. 2. Контактно-реактивная пайка с образованием эвтектики Zn-Sn
    • 3. 3. Контактно-реактивная пайка с образованием эвтектик Al-Zn и Zn-Sn
    • 3. 4. Способ бессвинцовой пайки кристалла к корпусу
    • 3. 5. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса СПП
  • Выводы
  • Глава 4. Тепловое сопротивление транзистора типа КТ8232А
    • 4. 1. Измерение теплового сопротивления ППИ
    • 4. 2. Расчет стационарного теплового сопротивления транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43 В методом эквивалентов
    • 4. 3. Упрощенный расчет теплового сопротивления транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43В
    • 4. 4. Влияние качества пайки кристаллов к основаниям корпусов на RTn-K транзисторов КТ8232А в корпусе КТ-43В
  • Выводы
  • Глава 5. Практическое применение результатов исследований в производстве СПП
    • 5. 1. Разработка новой методики подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалл — корпус
    • 5. 2. Пайка кристаллов датчиков газов к корпусам бессвинцовым припоем
    • 5. 3. Качество паяных ППИ и эффективность их производства
    • 5. 4. Способ сварки давлением внутренних выводов к контактным площадкам кристаллов СПП
  • Выводы

Модификация процесса бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В последние годы пайке бессвинцовыми припоями в производстве изделий микроэлектроники уделяют пристальное внимание специалисты, работающие в этой области. Это связано с призывом экологов к запрету использования свинца. По их мнению, размещение на полигонах (свалках) отслуживших свой срок изделий радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), содержащих свинец в припое, ухудшает экологическую ситуацию.

Проблема пайки бессвинцовыми припоями в мировой электронике уже запущена, её невозможно остановить в отдельно взятой стране. Это связано с различными известными причинами, зачастую не имеющими принципиального отношения к улучшению экологической ситуации. Как заметил профессор A.M. Медведев: «Нам придется волей-неволей перейти на бессвинцовую технологию, несмотря на большие для нас издержки и капиталовложения».

Директива Европейского Союза по экологической безопасности RoHS (Restriction of use of Certain Hazardous Substances) ограничивает использование шести экологически опасных материалов: РЬ (свинца), Hg (ртути), Cr VI (шестивалентного хрома), РВВ (полибромин бифенила) и PBDE (полибромин дифенил этера) с максимальной допустимой концентрацией в размере не более 0,1% и Cd (кадмия) — не более 0,01%, в новом электрическом и электронном оборудовании после 1 июля 2006 года.

Применение бессвинцовых припоев и покрытий естественно приведет к изменению технологии пайки и в целом сборочных процессов. Потребуется корректировка режимов пайки и, как следствие, доработка технологического оборудования. Необходимо проведение комплексных испытаний бессвинцовых паяных соединений на прочность, тепловое сопротивление, коррозионную стойкость, совместимость с материалами и покрытиями паяемой стороны кристаллов и оснований корпусов полупроводниковых изделий (ППИ).

Работа выполнялась на кафедре «Полупроводниковая электроника» ВГТУ в соответствии с планом Госбюджетных работ 2004.34 «Исследование полупроводниковых материалов Si, AI0BV, AnBVI, приборов на их основе и технологии изготовления», государственный регистрационный № 0120.412 882.

Цель работы. Решение научно-технической задачи по разработке способов бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов (СПП) на основе анализа конструктивно-технологических факторов, влияющих на формирование паяных швов.

Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:

• проведение токсикологической оценки металлов, входящих в состав припоев и покрытий для бессвинцовой пайки;

• проведение сравнительной экологической оценки припоев на основе свинца и бессвинцового;

• анализ капиллярной пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП припоями на основе свинца;

• разработка способа пайки кристаллов площадью свыше 9 мм² с образование эвтектики Si-Au;

• разработка способов бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn;

• разработка способа пайки кристалла к корпусу через бессвинцовую прокладку припоя;

• разработка системы монтажа полупроводникового кристалла к корпусу;

Методы исследований. Исследования качества бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП осуществлялись методами рентгеновской дефектоскопии на установке типа РУП-150/300 с использованием пленки Р5 и металлографии. Тепловое сопротивление измерялось на стенде модели ОМ.306.307. Для подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений разработана специальная методика.

Научная новизна работы. Получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Разработан новый способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм с образованием эвтектики Si-Au.

2. Разработаны новые способы бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn.

3. Предложена новая система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу с целью снижения термических напряжений, возникающих в кристалле и корпусе из-за различия термических коэффициентов линейного расширения (TKJIP) соединяемых материалов.

4. Разработана методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм с образованием эвтектики Si-Au.

2. Способы бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn.

3. Система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу.

4. Методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом.

Реализация результатов работы, практическая значимость.

1. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов через золотую прокладку с образованием эвтектики Si-Au, позволяющий повысить качество соединения кристалла с корпусом.

На способ получено решение на выдачу патента РФ на изобретение по заявке № 2 005 119 238 от 21.06.2005.

2. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Sn-Zn, позволяющий повысить смачиваемость цинкового покрытия оловом и увеличить время хранения кристаллов перед пайкой.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2 278 444 от 20.06.2006. Бюл. № 17.

3. Предложен новый способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Al-Zn-Sn.

4. Разработана система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу, позволяющая повысить качество паяных соединений.

На систему монтажа получено решение на выдачу патента РФ на изобретение по заявке № 2 005 112 328 от 25.04.2005.

5. Разработан способ сварки давлением, способствующий повышению качества соединений внутренних выводов на контактных площадках кристаллов.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2 271 909 от 20.03.2006. Бюл. № 8.

6. Разработана методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных швов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно-технических семинарах: Международном научно-методическом семинаре «Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2003;2005) — Всероссийском конкурсе инновационных проектов аспирантов и студентов по приоритетному направлению ФЦНТП «Индустрия наносистем и материалы» (МИЭТ, Зеленоград, 2005) — XIII Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика» (МИЭТ, Зеленоград, 2006) — научно-технической конференции «Системы и источники вторичного электропитания и элементная база для них» (Москва, 2006) — конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2004;2006).

Публикации. Основные результаты работы изложены в 17 публикациях, в том числе 1 в изданиях, рекомендованных ВАК РФ и 2 патентах РФ на изобретения. В совместных работах автору принадлежат проведение экспериментов, разработка методики автоматического подсчета площади непропа-ев, анализ и обобщение полученных результатов, подготовка материалов к печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы из 152 наименований и приложения. Работа изложена на 146 страницах, содержит 40 рисунков и 11 таблиц.

Основные результаты и выводы.

В диссертации получены следующие научные и технические результаты:

1. Сравнительный анализ применения припоев ПОС40 и 95,5Sn/4Ag/0,5Cu показал экологическую безопасность использования в производстве бессвинцовых припоев. При использовании припоя, содержащего свинец, при тех же условиях организации рабочего места на участке пайки не удается достичь допустимых уровней ПДК ЗВ как в рабочей зоне, так и на выбросе ИЗА.

2. Результаты оценки мощности, подаваемой на прибор и измерения теплового сопротивления RTnK приборов 2П769 В, показали зависимость данных параметров от качества пайки кристаллов.

3. Разработан новый способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм² через золотую прокладку с образованием эвтектики Si-Au. С целью повышения качества соединения кристалла с корпусом предлагается золотую прокладку перед пайкой отжигать в вакууме при температуре 160 — 250 °C или в водороде при температуре 25 °C и атмосферном давлении 101 кПа.

4. Разработаны новые способы бессвинцовой контактно-реактивной пайки кристаллов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn. Для улучшения коррозионной стойкости и смачиваемости оловом покрытия паяемой поверхности кристаллов на пленку Zn целесообразно наносить Sn-Bi покрытие с содержанием Bi 0,4 — 0,9%. При использовании прокладки из Zn пайку проводят при температуре 400 — 420 °C, при этом толщины Al, Sn и Zn выбирают исходя из условий образования эвтектики Al-Zn (со стороны кристалла) и Zn-Sn (со стороны корпуса).

5. Для снижения ОМН, возникающих в кристалле и корпусе из-за различия TKJTP соединяемых материалов, разработана система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу СПП. Новым в данной системе монтажа по сравнению с существующими является то, что между кристаллом и корпусом размещается буферный элемент в виде сетки из металлов с TKJIP, идентичными кристаллу и корпусу.

6. Установлено, что паяные швы с использованием припоя ВПрб имеют меньшую площадь непропаев по сравнению с припоем ПОС40. RT п-к приборов, в которых пайка кристаллов осуществлялась на припой ВПрб, не превышает норму по ТУ.

Измеренное стационарное тепловое сопротивление переход — корпус транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43 В хорошо согласуется с расчетными данными. Расхождение не превышает 20%, что соответствует требованиям, предъявляемым к тепловым расчетам.

7. Разработан новый способ автоматического подсчета площади непропаев паяных соединений кристалл — корпус, позволяющий уменьшить трудоемкость подсчета и повысить достоверность контроля.

8. Для повышения качества присоединения внутренних выводов к кристаллу разработан новый способ сварки давлением (термозвукоимпульсный). Данный способ обеспечивает формирование качественного соединения ленточного вывода с контактной площадкой кристалла и предохраняет пленку Si02 от растрескивания при сварке.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М. И. Горлов, В. А. Емельянов, Д. Л. Ануфриев. Мн.: Бел. наука, 2006. 367 с.
  2. М.И. Электростатические заряды в электронике / М. И. Горлов, А. В. Емельянов, В. И. Плебанович. Мн.: Бел. наука, 2006. 295 с.
  3. О.М. Композиционные модели индукционных взаимодействий в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах / О. М. Булгаков, Б. К. Петров. Воронеж: ВГУ, 2005. 253 с.
  4. В.И. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов / В. И. Никишин, Б. К. Петров, В. Ф. Сыноров и др. М.: Радио и связь, 1989. 144 с.
  5. Л.П. Повышение качества сборки и монтажа интегральных схем / Л. П. Ануфриев, В. А. Емельянов, Л. К. Кушнер и др. // Электронная промышленность. 1990. № 5. С. 11−12.
  6. Автоматизированный монтаж кристаллов транзисторов вибрационной пайкой / Л. П. Ануфриев, А. Ф. Керенцев, В. Л. Ланин // Технологии в электронной промышленности. 2006. № 3. С. 47−50.
  7. В.Л. Формирование многокомпонентных контактных соединений изделий электроники в ультразвуковых и электромагнитных полях: ав-тореф. дис. д-ра техн. наук. Минск, 2005. 47 с.
  8. В.В. Конструктивно-технологические аспекты сборки полупроводниковых изделий: учеб. пособие / В. В. Зенин, А. В. Рягузов. Воронеж: ВГТУ, 2005. 353 с.
  9. А.А. Пайка кристаллов транзисторов в корпус КТ-4 с локальным золочением / А. А. Грачев, И. Ю. Собкевич, Ю. Г. Юртаев // Электронная техника. Сер.7. Технология, организация производства и оборудование. 1982. Вып. 4. С. 52−53.
  10. Г. А. Физико-химические аспекты пайки неметаллических материалов / Г. А. Яковлев // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ «Электроника», 1982. Вып. 15.62 с.
  11. Пайка полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов / В. В. Зенин, В. Н. Беляев В.Н., Ю. Е. Сегал, Ю. Л. Фоменко // Петербургский журнал электроники. 2001. № 2. С. 60−67.
  12. Бессвинцовые припои в технологии производства изделий микроэлектроники / В. В. Зенин, В. Н. Беляев, Ю. Е. Сегал, А. А. Колбенков // Микроэлектроника. 2003. Том 32. № 4. С. 310−320.
  13. Пайка золота в изделиях микроэлектроники оловянно-индиевыми припоями / В. В. Зенин, Г. Л. Полнер, В. Н. Беляев, Ю. Б. Сегал // Известия вузов. Электроника, 2002. № 3. С. 30−37.
  14. Gold soldering in microelectronic products with tin-indium solder / V.V. Zenin, A.T. Kosilov, G.L. Polner, I.V. Smurov // Science and Technology of Welding and Joining. 2004. Vol. 9. № 2. P. 169−171.
  15. Патент № 2 167 469 RU, C2 H01L 21/58. Способ пайки полупроводникового кристалла к корпусу / Ю. Е. Сегал, В. В. Зенин, Ю. Л. Фоменко, Б. А. Спиридонов, А. А. Колбенков. Заявл. 13.04.1999. Опубл. 20.05.2001. Бюл. № 14.
  16. Патент № 2 171 520 RU, С27 H01L 21/52. Способ сборки полупроводниковых приборов / Ю. Е. Сегал, В. В. Зенин, Ю. Л. Фоменко, А.А. Колбен-ков. Заявл. 25.05.1999. Опубл. 27.07.2001. Бюл. № 21.
  17. Ю.Е. Паяные соединения плат с металлическими основаниями / Ю. Е. Сегал, В. В. Зенин, А. А. Колбенков // Петербургский журнал электроники. 1999. № 3. с. 51−58.
  18. И.Д. Электрохимические покрытия изделий радиоэлектронной аппаратуры / И. Д. Груев, Н. И. Матвеев, Н. Г. Сергеев. М.: Радио и связь, 1988.304 с.
  19. С.Н. Современное состояние и прогноз развития приборов силовой электроники / С. Н. Флоренцев // СТА. 2004. С. 20−30.
  20. Ф.И. Силовая электроника: вчера, сегодня, завтра / Ф. И. Ковалев, С. Н. Флоренцев // Электротехника. 1997. № 11. С, 2−6.
  21. С.Н. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий / С. Н. Флоренцев // Электротехника. 1999. № 9. С. 2−10.
  22. В.Д. Современное состояние и перспективы развития силового полупроводникового приборостроения в России / Ковалев В. Д., Евсеев Ю. А., Сурма A.M. // ВЭЛК: материалы Всерос. электротехнического конгресса. М., 2005. С. 99−102.
  23. Г. Переход к бессвинцовому припою / Г. Михайлова // Компоненты и технологии. 2004. № 4. С. 188−191.
  24. В. Бессвинцовая технология требование времени или прихоть законодателей от экологии? / В. Григорьев // Электронные компоненты. 2001. № 6. С. 72−78.
  25. Бессвинцовые припои в технологии производства изделий микроэлектроники / В. В. Зенин, В. Н. Беляев, Ю. Е. Сегал, А. А. Колбенков // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 4. С. 310−320.
  26. А. Бессвинцовая пайка диктует перемены / А. Ивасик, Ю. Коваль // Радиоэлектронные компоненты. 2005. № 3. С. 13−15.
  27. A.M. Бессвинцовые технологии монтажной пайки. Что нас ожидает? / A.M. Медведев // Электронные компоненты. 2004. № 11.
  28. Припои и покрытия для бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники / В. В. Зенин, А. В. Рягузов, В. И. Бойко, В. П. Гальцев, Ю. Л. Фоменко // Технологии в электронной промышленности. 2005. № 5. С. 46−51.
  29. Новоселов В. ERSA для бессвинцовой пайки сегодня и завтра /
  30. B.Новоселов // Технологии в электронной промышленности. 2005. № 4.1. C. 44−48.
  31. А.В. Бессвинцовые припои в технологии сборки полупроводниковых изделий / А. В. Рягузов // Индустрия наносистем и материалы: материалы Всерос. конф. инновационных проектов аспирантов и студентов. М.: МИЭТ, 2005. С. 162−166.
  32. Бессвинцовая пайка кристаллов к основаниям корпусов ИЭТ / В. В. Зенин, Ю. Л. Фоменко, А. В. Рягузов, О. В. Хишко // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. междунар. науч.-техн. семинара. М., 2003. С. 289−293.
  33. В.В. Экологические аспекты проблемы бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники /В.В. Зенин, В. Н. Осенков, А. В. Рягузов // Технологии в электронной промышленности. 2005. № 4. С. 81−83.
  34. Л. Внедрение европейской директивы RoHS / Л. Шапиро // Электронные компоненты. 2006. № 1. С. 9−12.
  35. Г. Г. Коррозия и борьба с ней. Введение в коррозионную науку и технику: пер. с англ. / Г. Г. Улиг, Р. У. Реви // Под ред. A.M. Сухотина. Л.: Химия, 1989.456 с.
  36. Н.М. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / Н. М. Тугов, Б. А. Глебов, Н. А. Чарыков // Под ред. В. А. Лабунцева. М.: Энер-гоатомиздат, 1990. 576 с.
  37. В.Н. Соединение полупроводниковых кристаллов с основаниями корпусов силовых полупроводниковых приборов методом пайки /
  38. B.Н. Беляев, Ю. Е. Сегал, В. В. Зенин // Техника машиностроения. 2002. № 5.1. C. 34−36.
  39. А.И. Процессы сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов / А. И. Мазур, В. П. Алехин, М. Х. Шоршоров. М.: Радио и связь, 1981.224 с.
  40. Beine Hilmar. Bleifrei aktuell // Productronic. 1999. № 12. P. 18.
  41. Krempelsauer Emst. Bleifrei loten: Silber und Kupfer statt Blei // Elek-tor (BRD). 2000. V. 31. № 5. P. 14−15.
  42. Патент № 6 077 477 США. Solder alloy of electrode for joining electronic parts and soldering method / Sakai Yoshinori, Suetsugu Kenichiro, Yama-guchi Atsushi // Matsushita Electric Industrial Co., Ldt. Заявл. 06.06.1997. Опубл. 20.06.2000.
  43. Kariya Yoshiharu, Otsuka Masahisa. Fatigue characteristic nonleaded solders // Materia Mater. Jap. 1999. V. 38. № 12. P. 937−941.
  44. Патент № 179 234 Польша. Stop lutowniczy in formie tasmy lub proszku / Dutkiewicz Jan // Pol. Akad. Nauk. Inst. Met. Inz. Mater. Заявл. 19.04.1996. Опубл. 27.10.1997.
  45. Патент № 5 993 736 США. Lead-free tin-silver-based soldering alloy atsunaga / Junichi, Nakahara Yuunosuke, Ninomiya Ryuji // Mitsui Mining & Smelting Co., Ldt. Заявл. 26.05.1998. Опубл. 30.11.1999.
  46. Патент № 5 958 333 США. Tin-silver-based soldering alloy / Matsunaga Junichi, Ninomiya Ryuji // Mitsui Mining & Smelting Co., Ldt. Заявл. 15.08.1997. Опубл. 28.09.1999.
  47. Kruppa Werner. Bleifrei Loten schon heute anfangen! // Productronic. 1999. V. 19. № 12. P. 20−21.
  48. B.E. Справочник паяльщика. 5-е изд. перераб. и доп. М., 1981.348 с.
  49. А.А. Требования к покрытиям корпусов ИС и ПП в зарубежной технике / А. А. Тюхин, А. А. Чернышов, Л. И. Лындаева // Перспективные покрытия электрических соединений и корпусов для ИС и ПП: материалы науч.-техн. семинара. М., 1991. С. 18−25.
  50. Bannert P. Bleifreies Loten in der Elektroindus trie // Bracke. 2001. № 1. P. 22−23.
  51. Гальванические покрытия в машиностроении: справочник / Под ред. М. А. Шлугера. М.: Машиностроение, 1985. Т. 1. 240 с.
  52. Ю. Почему мы отказались от использования свинца / Ю. Заец // Компоненты и технологии. 2004. № 3. С. 186−188.
  53. Изменение свойств покрытия из никель бора при термообработке в водороде / И. Г. Ерусалимчик, В. В. Рузанов, Н. В. Щукина и др. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 5. С. 48−50.
  54. Исследование коррозионных свойств никель бор покрытий для корпусов полупроводниковых приборов / И. Г. Ерусалимчик, З.В. Гигиташви-ли, В. В. Рузанов и др. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 7. С. 65−67.
  55. В.А. Гальваническое осаждение в барабане покрытий никель бор на корпуса интегральных микросхем / В. А. Дяглев, В. В. Плохов, В. Н. Флеров // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1986. Вып. 6. С. 66−68.
  56. Исследование паяемости и способности к сварке гальванических никель бор покрытий / В. А. Дяглев, В. В. Плохов, В. Н. Флеров и др. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1986. Вып. 5. С. 70−72.
  57. Исследование влияния температурного воздействия на свариваемость гальванического покрытия никель бор с алюминиевой микропроволокой / А. Г. Алексенко, А. И. Колычев, В. В. Зенин, В. В. Осенков // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1989. Вып. 7. С. 3−6.
  58. Свойства покрытий траверс корпусов силовых полупроводниковых приборов /В.В. Зенин, Д. И. Бокарев, Ю. Е. Сегал, Ю. Л. Фоменко // Петербургский журнал электроники. 2002. № 4. С. 36−44.
  59. А.с. № 1 640 210 SU, А1 C25D 3/12. Электролит никелирования / Д. К. Кушнер, А. П. Достанко, А. А. Хмыль, С. И. Козинцев, Ф. Б. Качеровская. Опубл. 07.04.1991. Бюл. № 13.
  60. А.с. № 1 618 788 SU, А1 C25D 3/60. Электролит для осаждения покрытий сплавом олово никель / Д. К. Кушнер, А. П. Достанко,
  61. B.Н. Власенко, А. А. Хмыль и др. Опубл. 07.01.1991. Бюл. № 1.
  62. А.с. № 1 468 980 SU, А1 C25D 3/60. Электролит для осаждения покрытий сплавом олово никель / Д. К, Кушнер, А. П. Достанко, Н. С. Козлов,
  63. C.И. Козинцев и др. Опубл. 30.03.1989. Бюл. № 12.
  64. Ю.Е. Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства: дис. на соискание уч. степ, к-та техн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2001. 132 с.
  65. .А. Структура гальванического сплава Sn-Ni, полученного из фторидхлоридного электролита с добавками ОС-20 / Б. А. Спиридонов, Н. Н. Березина // Вестник Воронеж, гос. техн. ун-та, Сер. Материаловедение. 1999. Вып. 1.6. С. 87−88.
  66. А.с. № 633 938. Способ электролитического серебрения изделий / Е. Г. Коновалов, А. А. Хмыль, В. П. Луговский. Опубл. 25.11.1978. Бюл. № 43.
  67. Д.И. Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов: дис. на соискание уч. степ, к-татехн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2002. 162 с.
  68. Патент № 2 194 597 RU, 7 В23К 1/20. Способ подготовки к пайке изделий с серебряным покрытием / В. В. Зенин, Ю. Е. Сегал, В. Н. Беляев. Заявл. 18.07.2001. Опубл. 20.12.2002. Бюл. № 35.
  69. Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС / Г .Я. Красников, Н. А. Зайцев. М., 1999. Ч. 2. 216 с.
  70. Влияние ионизации и энергии частиц потока пара на структуру и свойства пленок алюминия на кремниевых подложках / Т. Л. Рослякова, О. В. Гусев, М. Х. Шоршоров, М. А. Верников // Физика и химия обработки материалов. 1980. № 2. С. 66−72.
  71. Исследование алюминиевых гальванических покрытий корпусов полупроводниковых изделий / В. В. Зенин, А. И. Колычев, Б. А. Спиридонов, О. В. Хишко // Технологии в электронной промышленности. 2006. № 1. С. 6669.
  72. В.В. Физико-химические процессы в микросоединениях полупроводниковых изделий: монография / В. В. Зенин, Ю. Е. Сегал, Б. А. Спиридонов. Воронеж: ВГТУ, 2003.168 с.
  73. В.А. Электроосаждение алюминия в низкотемпературных расплавленных гидридных электролитах / В. А. Казаков, Н. Накамура, М. Иошко // Электрохимия. 1985. Т. 21. С. 1331−1334.
  74. Couch D.E., Brenner A.J. A Hydride Both for the Electrodeposition of aluminium // J. Electrochem. Soc. 1952. V. 99. № 6. P. 234−244.
  75. Dotzer R. Galvano-Aluminium and siene anodich oxidation // Chem. Jng. Techn. 1973. V. 45. P. 653−658.
  76. Л.Э. Исследование катодных процессов при электроосаждении алюминия из комплексов А1(С2Н5)3 с NaF / Л. Э. Симанавичюс, А. Р. Станкенас // Исследования в области электроосаждения металлов. Вильнюс, 1971.С. 190−192.
  77. Blue R.D., Mathers P.C.Electrodeposition of Aluminium from Non-Aqucons solition // Trans. Elektrochem Soc. 1934. V. 65. P. 339−355.
  78. Peled E., Gileadi E. The Electrodeposition of Aluminium from Aromatic hydrocarbon//J. Electrochem Soc. 1976. V. 123. № 1. P. 15−19.
  79. А.А. Электролиты алюминирования с четвертичными аммониевыми соединениями, содержащими ароматическую группу / А. А. Ширкис, Л. Э. Симанавичюс // Труды АН СССР ЛитССР. Сер. Б. 1986. Т. 4(155). С. 16−24.
  80. Л.Э. Некоторые свойства растворов бромистого алюминия в ксилоле / Л. Э. Симанавичюс, A.M. Левинскене // Электрохимия. 1966. Т. 2. Вып. 3. С. 353−355.
  81. Л.Э. Процессы, происходящие при электроосаждении алюминия из о-, м-, р-ксилольных растворов А1Вг3 / Л. Э. Симанавичюс, А. П. Карпавичус // Труды АН СССР ЛитССР. Сер. Б. 1970. Т. 4(63). С. 139−146.
  82. А.И. Коррозионная стойкость алюминиевых гальванопокрытий / А. И. Бобряшов, Б. А. Спиридонов, А. И. Фаличева // Защита металлов. 1984. Т. 20. Вып. 2. С. 290−292.
  83. Вол А. Е. Строение и свойство двойных металлических систем / А. Е. Вол, И. К. Каган. М.: Наука, 1976. Т. 3.
  84. В.М. Золото / В. М. Малышев, Д. В. Румянцев. М.: Металлургия, 1979.
  85. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник / З. Ю. Готра. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.
  86. Анализ качества посадки кристаллов ИС на эвтектику золото -кремний / Г. П. Пименова, М. К. Майракова, В. И. Авербах, О. В. Якубович // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1984. Вып. 2.
  87. В.М. Повышение надежности паяного соединения и золоченой ножки кремниевого кристалла / В. М. Ногин, В. В. Полехов, С. Л. Лебедев // Электронная промышленность. 1993. № 5.
  88. Патент № 5 188 982 США, МКИ5 H01L 21/52. Способ присоединения полупроводникового кристалла к корпусу / Huang Chin-Ching. Опубл. 23.02.1993.
  89. Патент № 5 037 778 США, МКИ5 H01L 21/603. Монтаж кристалла с использованием Au-прокладки, плакированной эвтектическим сплавом Au-Si / Stark James, Whitcomb Michael J. Опубл. 06.08.1991.
  90. Патент №> 5 089 439 США, МКИ5 H01L 23/6. Монтаж кремниевых кристаллов с большими размерами на покрытую золотом поверхность / Lip-реу Barrat. Опубл. 18.02.1992.
  91. А.В. Пайка кристаллов полупроводниковых приборов и ИС с образованием эвтектики кремний золото / А. В. Рягузов, В. В. Зенин, О. В. Хишко // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 202−206.
  92. А.В. Пайка кристаллов на основания корпусов с образованием эвтектики Si-Au / А. В. Рягузов // Микроэлектроника и информатика: материалы XIII Всерос. межвуз. науч.-техн. конф. М.: МИЭТ, 2006. С. 107.
  93. С.В. Пайка металлов: 4-е изд., перераб. и доп. / С. В. Лашко, Н. Ф. Лашко. М.: Машиностроение, 1988. 376 с.
  94. Справочник по пайке: 3-е изд., перераб. и доп. / Под ред. И.Е. Пет-рунина. М.: Машиностроение, 2003. 480 с.
  95. Г. Пайка и припои: перевод с нем. / Г. Манко. М.: Машиностроение, 1968. 304 с.
  96. ОСТ 11.336.938−83. Приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.
  97. . Измерение теплового сопротивления ключ к обеспечению нормального охлаждения полупроводниковых компонентов / Б. Зигель // Электроника. 1978. № 14. С. 43−51.
  98. ОСТ 11 0944−96. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления.
  99. Федеральный классификационный каталог отходов. Утвержден приказом Министерства Природных Ресурсов РФ № 768 от 02.12.2002.
  100. СанПиН 2.1.7.1322−03. Гигиенические требования к размещению и обезвреживанию отходов производства и потребления. Минздрав РФ. М., 2003.
  101. Сборник нормативных документов по переработке, обезвреживанию и захоронению токсичных промышленных отходов. В 2 томах. М.: Проэкознание, 1991.
  102. Дополнение к федеральному классификационному каталогу отходов. Утверждено приказом МПР РФ № 663 от 14.08.2003.
  103. Экологически чистый полигон захоронения твердых бытовых отходов для г. Москвы. Агентство по охране окружающей среды Дании, январь 1995.
  104. СанПиН 2.1.4.1074−01. Питьевая вода. Гигиенические требования к качеству воды централизованных систем питьевого водоснабжения. Минздрав РФ. М, 2001.
  105. СанПиН 2.1.5.980−00. Гигиенические требования к охране поверхностных вод. Минздрав РФ. М., 1998.
  106. ГН 2.1.5.689−98. ПДК химических веществ в воде водных объектов хозяйственно-питьевого и культурно-бытового водопользования. Гигиенические нормативы. Минздрав РФ. М., 1998.
  107. Безопасность деятельности: энциклопедический словарь / Под ред. засл. деят. науки и техники РФ, д-ра техн. наук, проф. О. Н. Русака. СПб: Информационно-издательское агентство «ЛИК», 2003.
  108. Электроника и экология / В. В. Зенин, В. Н. Осенков, А. В. Рягузов, В. И. Федянин // Системы жизнеобеспечения и управления в чрезвычайных ситуациях: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. Ч. 2. С. 136−141.
  109. Методика проведения инвентаризации выбросов загрязняющих веществ в атмосферу для автотранспортных предприятий (расчетным методом). Утверждена зам. министра транспорта РФ 28.10.1998.
  110. Д.И. Бессвинцовая контактно-реактивная пайка кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов /
  111. Д.И. Бокарев, В. В. Зенин, А. В. Рягузов // Вестник Воронеж, гос. техн. ун-та. 2006. Т. 2. № 4. С. 153−155.
  112. А.с. № 1 781 732 СССР, МКИ5 H01L 21/58. Способ крепления полупроводникового кристалла к корпусу / B. J1. Розинов, Н. А. Барановский, И. Ш. Фишель, J1.A. Лискин. Опубл. 15.12.1992. Бюл. № 46.
  113. О.Г. Влияние лазерной обработки тонких пленок на качество ультразвуковой микросварки / О. Г. Мужиченко, В. М. Колешко,
  114. A.И. Дударчик // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1982. Вып. 6.
  115. О.Г. Влияние ультрафиолетового облучения тонких пленой на качество ультразвуковой микросварки / О. Г. Мужиченко,
  116. B.М. Колешко, А. И. Дударчик // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1987. Вып. 2.
  117. Патент № 2 033 659 RU, H01L 21/52. Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу / В. В. Полехов, С. Л. Лебедев, В. И. Сарычев. Опубл. 20.04.1995. Бюл. № 11.
  118. Патент № 2 212 730 RU, С2 H01L 21/52. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса / В. В. Зенин, В. Н. Беляев, Ю. Е. Сегал. Заявл. 14.05.2001. Опубл. 20.09.2003. Бюл. № 26. 3 с.
  119. М.И. Причины разрушения кристаллов БИС в металлоке-рамическом корпусе / М. И. Горлов, В. В. Жучкова, О. М. Золотухина // Актуальные проблемы фундаментальных наук: сб. докл. междунар. конф. М.: МГТУ им. Баумана, 1991. Т. 9. С. 90−93.
  120. О.М. Дефекты в зоне пайки причина разрушения кристаллов БИС / О. М. Золотухина, В. В. Жучкова // Электронная промышленность. 1994. № 4−5. С. 114−117.
  121. О.М., Жучкова В. В., Колбенков А. А. Прогнозирование надежности сборки БИС. Электронная промышленность, 1994. № 4−5, С. 117 119.
  122. М.И. Геронтология интегральных схем: долговечность внутренних соединений / М. И. Горлов, В. В. Зенин, А. В. Строгонов // Петербургский журнал электроники. 1998. № 2. С. 38−45.
  123. Решение на выдачу патента РФ на изобретение. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса / В. В. Зенин, В. И. Бойко, В.П.' Гальцев, А. В. Рягузов, Ю. Л. Фоменко, О. В. Хишко. Заявка № 2 005 112 328 от 25.04.2005.
  124. Стенд контроля теплового сопротивления транзисторов ОМ.006.307 // ОАО «ВЗПП-Сборка». Воронеж, 2004.
  125. А.Л. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов / А. Л. Захаров, Е. И. Асвадурова. М.: Радио и связь, 1983. 184 с.
  126. П.Ю. Конструктивно-технологические особенности разработки гибридных силовых модулей: дис. на соискание уч. степ, к-та техн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2001. 147 с.
  127. В.М. Теплопроводность полупроводников / В. М. Могилевский, А. Ф. Чудновский. М.: Наука, 1972. 536 с.
  128. В.Н. МДП интегральные схемы: методы сборки и герметизации/В.Н. Арский. М.: Электроника, 1981. С. 21−31.
  129. Патент № 2 114 422 RU, CI G01N 27/12. Полупроводниковый датчик газов / С. И. Рембеза, Ю. Б. Ащеулов, Т. В. Свистова, Е. С. Рембеза, Г. В. Горлова. Опубл. 27.06.1998. Бюл. № 18.
  130. Патент на полезную модель № 56 634 RU, U1 G01N 27/12. Твердотельный датчик газов / С. И. Рембеза, В. А. Буслов, О. Г. Викин. Заявл. 04.05.2006. Опубл. 10.09.2006. Бюл. № 25.
  131. М.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых изделий и интегральных схем в процессе серийного производства / М. И. Горлов, Л. П. Ануфриев, О. Л. Бордюжа. Мн.: Интеграл, 1997. 390 с.
  132. А.с. № 498 129 СССР, В23К 19/00. Способ ультразвуковой сварки / В. М. Петров, В. В. Турбин. Опубл. в Б.И. 1976. № 1.
  133. А.с. № 182 490 СССР, 49 h 32/02. Способ сварки микродеталей давлением с косвенным нагревом / Ю. Л. Красулин, В. И. Кузьмин, В. Г. Никитин. Опубл. в Б.И. 1966. № 11.
  134. А.с. № 719 830 СССР, В23К 19/00. Способ термокомпрессионной сварки / В. Е. Атауш, Р. Б. Рудзит, С. В. Карпенко, В. П. Леонов, Э. Г. Москвин. Опубл. в Б.И. 1980. № 9.
  135. Патент № 2 220 830 RU, 7 В23К 210/10. Инструмент для микросварки /.В. В. Зенин, Ю. Е. Сегал, В. Н. Беляев. Заявл. 27.12.2001. Опубл. 10.01.2004. Бюл. № 1.
  136. Патент на изобретение № 2 271 909 RU, С2 В23К 31/02. Способ сварки давлением / В. В. Зенин, Ю. Е. Сегал, Ю. Л. Фоменко, В. Я. Пьяных, А. В. Рягузов, В. А. Шарапов. Заявл. 08.01.2004. Опубл. 20.03.2006. Бюл. № 8. 4 с.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!