Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Импульсные устройства на полупроводниковых диодах

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На интервале Ь…*з входное напряжение мвх = 0. Диод VD открывается, и в первый момент происходит быстрый заряд конденсатора от источника напряжения Е с постоянной времени R"C до напряжения lie — -Е (рис. 6, в). Напряжение на выходе мвых = 0 — = Е. Далее процессы повторяются. Фиксаторы уровня. Назначение. К этому классу относятся устройства, предназначенные для фиксации (и изменения) среднего… Читать ещё >

Импульсные устройства на полупроводниковых диодах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из основных элементов большинства импульсных устройств является электронный ключ, выполняющий функции коммутации цепей под действием сигналов. Поэтому рассмотрим возможности использования полупроводниковых диодов в ключевых режимах.

Диодные ключи. Применение диодов в ключевых схемах обусловлено их способностью проводить ток только в одном направлении. На рис. 1 , а изображена вольтамперная характеристика (ВАХ), форма которой свидетельствует о том, что при и > 0 сопротивление диода мало, а при и < 0 — велико. При аппроксимации ВАХ используют различные подходы:

=> для идеальной модели диода полагают, что при и > 0 диод способен пропускать ток любой величины (/ —> «>), при и < 0 ток / = 0, т. е. диод является идеальным ключом, находящимся в замкнутом состоянии при и > 0 и в разомкнутом состоянии при и < 0 (рис. 1,6);

=> при кусочно-линейной аппроксимации характеристики отрезками, проходящими через начало координат, идеальная модель в виде ключа дополняется резисторами: Rlip —> 0 при прямых напряжениях (и > 0) иобр —> оо при обратных напряжениях (и < 0), включенных, как показано на рис. 1, в;

=> при кусочно-линейной аппроксимации характеристики отрезками, не проходящими через начало координат, модель диода представляется в виде источников напряжения (?отс— напряжение отсечки) и тока (Is — ток насыщения) с соответствующими внутренними сопротивлениями (рис. 1, г).

Для пояснения принципов работы рассматриваемых устройств будем пользоваться моделью идеального полупроводникового диода (рис. 1,6).

Диод как ключ и его вольт-амперные характеристики.

Рис. 1. Диод как ключ и его вольт-амперные характеристики.

Амплитудные ограничители. Назначение. К этому классу относятся устройства, предназначенные в общем случае для офаничения мгновенного значения выходного сигнала заданными уровнями. Суть операции амплитудного офаничения состоит в том, чтобы при входном напряжении мвх(/), мгновенное значение которого изменяется в пределах ?4хмнн—-^вхмакс1 мгновенные значения выходного напряжения ПС выходили за пределы диапазона, офаниченного значениями Е и Ei. Такую операцию выполняют двусторонние амплитудные офаничители. При одном заданном уровне Е или Ег выполняется операция одностороннего Офаничения, реализуемая Офаничителями с верхним и нижним уровнями.

Рассмофим простейшие схемы диодных ограничителей и их работу при гармоническом входном сигнале.

Последовательный ограничитель. В схеме такого ограничителя источник сигналов, полупроводниковый диод VD и на1рузка R образуют последовательную цепь (рис. 2,а).

При мвх < диод VD заперт, поэтому выходное напряжение wBX = ; при wBX > диод VD открыт и выходное напряжение ивх = мвых (рис. 2,6). Следовательно, реализуется ограничение снизу.

Если изменить полярность включения диода VD, то при мвх < +? диод VD открыт, поэтому выходное напряжение мвх = мвых; при ивх > +Е диод VD заперт и выходное напряжение ивх = +Е (рис. 2,в). В этом случае реализуется 01раничение сверху.

Последовательный амплитудный ограничитель {а) и временные диаграммы выходного напряжения (б, в).

Рис. 2. Последовательный амплитудный ограничитель {а) и временные диаграммы выходного напряжения (б, в).

Параллельный ограничитель. В схеме такого ограничителя источник сигналов (реализован в виде источника напряжения мвх с внутренним сопротивлением /?"), полупроводниковый диод VD и нагрузка R соединены параллельно (рис. 3, а).

При ивх > диод VD открыт и выходное напряжение ивых = +Е (ограничено); при wBX < диод VD заперт, поэтому выходное напряжение м"ых= RuBJ (RH+R) (рис. 3,6). Следовательно, реализуется ограничение сверху.

Параллельный амплитудный Рис. 4. Схема двустороннего.

Рис. 3. Параллельный амплитудный Рис. 4. Схема двустороннего.

ограничитель (а) и временные диаграммы амплитудного ограничителя входного и выходного напряжения (б).

Двусторонний ограничитель, схема которого изображена на рис. 4, реализует операцию двустороннего ограничения с верхним уровнем | и нижним уровнем 2.

Фиксаторы уровня. Назначение. К этому классу относятся устройства, предназначенные для фиксации (и изменения) среднего уровня выходной импульсной последовательности по отношению к входной последовательности. Фиксаторы уровня можно разделить на несколько групп:

=> фиксаторы уровня основания и уровня вершины. Например, фиксаторы уровня основания фиксируют на требуемом уровне основания входных импульсов. В частности, фиксаторы нулевого уровня позволяют восстановить постоянную составляющую;

=> фиксаторы начального уровня, осуществляющие фиксацию основания или вершины импульсов на заданном уровне;

=> фиксаторы уровня положительных и отрицательных импульсов, отличающихся полярностью импульсов, подлежащих фиксации. Фиксатор вершины импульсов на нулевом уровне. Помимо источника входных импульсных сигналов ивх с внутренним сопротивлением Ru ~ 0 фиксатор (рис. 5, а) содержит конденсатор С, полупроводниковый диод VD и нагрузочный резистор R.

На интервале О. Д| (рис. 5,6) во время действия импульса входного напряжения ивх = U диод VD открыт и напряжение на выходе фиксатора мвых = 0. Конденсатор С заряжен (рис. 5, в), напряжение на конденсаторе ис = U (полярность напряжения показана на рис. 5,а).

На интервале ^…Ь входное напряжение ивх = 0. В первый момент времени напряжение на конденсаторе остается неизменным, потенциал его левой обкладки равен нулю, поэтому мВЬ1Х = мвх — ис = -U (м/?, = 0), и диод закрывается. Конденсатор начинает медленно разряжаться по цепиС —> R" —> мвх —> R —" +С с постоянной времени, равной (/? + ЯИ)С, что вызывает уменьшение напряжения на выходе мвых ~ - ис (рис. 5, г).

На интервале t2—.h входное напряжение мвх = U. В первый момент времени напряжение на выходе скачком изменяется до величины Мвых (Ь) = Uuc{ti) > 0 (рис. 5, г), диод открывается, и конденсатор быстро заряжается (с постоянной времени R"C) до напряжения ис — V (рис. 5, я). Напряжение на выходе мвых = мвх — ис = 0. Далее процессы повторяются.

Фиксатор начального уровня. В схему фиксатора (рис. 6, а) дополнительно введен источник постоянного напряжения Е.

На интервале 0… f| при мвх = 0 (рис. 6,6) полупроводниковый диод открыт. Напряжение на выходе фиксатора мвых = Е, конденсатор заряжен до напряжения ис — -Е (рис. 6, в).

На интервале с появлением входного напряжения мвх = U диод VD закрывается. Под действием положительного напряжения происходит перезаряд конденсатора С по цепи ивх —"/?"—" С —> R Е с постоянной времени (R + R")C (рис. 6, в). Напряжение на выходе фиксатора мВЬ1Х = мвх — - ис (urh ~ 0) медленно убывает (рис. 6, г).

Фиксатор вершины импульсов Рис. 6. Фиксатор начального уровня и принцип его работы и принцип его работы.

Рис. 5. Фиксатор вершины импульсов Рис. 6. Фиксатор начального уровня и принцип его работы и принцип его работы.

На интервале Ь…*з входное напряжение мвх = 0. Диод VD открывается, и в первый момент происходит быстрый заряд конденсатора от источника напряжения Е с постоянной времени R"C до напряжения lie — -Е (рис. 6, в). Напряжение на выходе мвых = 0 — = Е. Далее процессы повторяются.

Как следует из временных диаграмм (рис. 6, г), выходные импульсы повторяют форму входных, но со сдвигом по уровню на Е.

Ml

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой