Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Импульсные устройства на полупроводниковых диодах

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На интервале ?, — t2c появлением входного напряжения мвх = U диод VD закрывается. Под действием положительного напряжения происходит перезаряд конденсатора С по цени иИХ —* /?и —" С —* R—> Е с постоянной времени (R + RJC (см. рис. 5.16, в). Напряжение на выходе фиксатора г/вых = ин, — ис (uRn 0) медленно убывает (рис. 5.16, г). При кусочно-линейной аппроксимации характеристики отрезками… Читать ещё >

Импульсные устройства на полупроводниковых диодах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из основных элементов большинства импульсных устройств является электронный ключ, выполняющий функции коммутации цепей под действием сигналов. Поэтому рассмотрим возможности использования полупроводниковых диодов в ключевых режимах.

Диодные ключи. Применение диодов в ключевых схемах обусловлено их способностью проводить ток только в одном направлении. На рис. 5.11, а изображена вольт-амперная характеристика, форма которой свидетельствует о том, что при и > 0 сопротивление диода мало, а при и < 0 — велико.

При аппроксимации ВАХ используют различные подходы:

• для идеальной модели диода полагают, что при и > 0 диод способен пропускать ток любой величины (i оо), при и < 0 ток i = 0, т. е. диод является идеальным ключом, находящимся в замкнутом состоянии при и > 0 и в разомкнутом состоянии при и < 0 (рис. 5.11, б);

Диод как ключ и его вольт-амперные характеристики.

Рис. 5.11. Диод как ключ и его вольт-амперные характеристики.

  • • при кусочно-линейной аппроксимации характеристики отрезками, проходящими через начало координат, идеальная модель в виде ключа дополняется резисторами: R —> 0 при прямых напряжениях (и > 0) и Ro6 —? оо при обратных напряжениях < 0), включенных, как показано на рис. 5.11, в;
  • • при кусочно-линейной аппроксимации характеристики отрезками, не проходящими через начало координат, модель диода представляется в виде источников напряжения отс — напряжение отсечки) и тока (Is — ток насыщения) с соответствующими внутренними сопротивлениями (рис. 5.11, г).

Для пояснения принципов работы рассматриваемых устройств будем пользоваться моделью идеального полупроводникового диода (см. рис. 5.11, в).

Амплитудные ограничители. Назначение. К этому классу относятся устройства, предназначенные в общем случае для ограничения мгновенного значения выходного сигнала на заданных уровнях. Суть операции амплитудного ограничения состоит в том, чтобы при входном напряжении ивх(?), мгновенное значение которого изменяется в пределах t/BX MIIII — UBX макс, мгновенные значения выходного напряжения не выходили за пределы диапазона, ограниченного значениями Е{ и Е2. Такую операцию выполняют двусторонние амплитудные ограничители. При одном заданном уровне Е{ или Е2 выполняется операция одностороннего ограничения, реализуемая ограничителями с верхним и нижним уровнями.

Рассмотрим простейшие схемы диодных ограничителей и их работу при гармоническом входном сигнале.

Последовательный ограничитель. В схеме такого ограничителя источник сигналов, полупроводниковый диод VD и нагрузка R образуют последовательную цепь (рис. 5.12, а).

При uRX < +? диод VD заперт, поэтому выходное напряжение мвх = +?; при икх > диод VD открыт и выходное напряжение иьх = ивыхис— 5.12, 6). Следовательно, реализуется ограничение снизу.

Если изменить полярность включения диода VD, то при uliX < +Е диод VD открыт, поэтому выходное напряжение uRX = мВЬ1Х; при инх > +Е

Последовательный амплитудный ограничитель (а) и временные диаграммы выходного напряжения (б, в).

Рис. 5.12. Последовательный амплитудный ограничитель (а) и временные диаграммы выходного напряжения (б, в).

диод VD заперт и выходное напряжение икх = +Е (рис. 5.12, в). В этом случае реализуется ограничение сверху.

Параллельный ограничитель. В схеме такого ограничителя источник сигналов (реализован в виде источника напряжения иах с внутренним сопротивлением RJ, полупроводниковый диод VD и нагрузка R соединены параллельно (рис. 5.13, а).

При ивх > +Е диод VD открыт и выходное напряжение мвых = (ограничено); при ит < +Е диод VD заперт, поэтому выходное напряжение ивых = Rum/(RH + R) (рис. 5.13, б). Следовательно, реализуется ограничение сверху.

Параллельный амплитудный ограничитель (а) и временные диаграммы входного и выходного напряжения (б).

Рис. 5.13. Параллельный амплитудный ограничитель (а) и временные диаграммы входного и выходного напряжения (б).

Двусторонний ограничитель, схема которого изображена на рис. 5.14, реализует операцию двустороннего ограничения с верхним уровнем ] и нижним уровнем г.

Схема двухстороннего амплитудного ограничителя.

Рис. 5.14. Схема двухстороннего амплитудного ограничителя.

Фиксаторы уровня. К этому классу относятся устройства, предназначенные для фиксации (и изменения) среднего уровня выходной импульсной последовательности по отношению к входной последовательности. Фиксаторы уровня можно разделить на несколько групп:

  • • фиксаторы уровня основания и уровня вершины. Например, фиксаторы уровня основания фиксируют па требуемом уровне основания входных импульсов. В частности, фиксаторы нулевого уровня позволяют восстановить постоянную составляющую;
  • • фиксаторы начального уровня, осуществляющие фиксацию основания или вершины импульсов на заданном уровне;
  • • фиксаторы уровня положительных и отрицательных импульсов, отличающихся полярностью импульсов, подлежащих фиксации.

Фиксатор вершины импульсов на нулевом уровне. Помимо источника входных импульсных сигналов ивх с внутренним сопротивлением Ru ~ 0 фиксатор (рис. 5.15, а) содержит конденсатор С, полупроводниковый диод VD и нагрузочный резистор R.

На интервале 0 —(рис. 5.15, 6) во время действия импульса входного напряжения ивх = Uдиод VD открыт и напряжение на выходе фиксатора мвых ~ 0. Конденсатор С заряжен (рис. 5.15, в), напряжение на конденсаторе ис= U (полярность напряжения показана на рис. 5.15, а).

Фиксатор вершины импульсов (а) и временные диаграммы его работы (б— г).

Рис. 5.15. Фиксатор вершины импульсов (а) и временные диаграммы его работы (б— г).

На интервале — t2 входное напряжение ивх = 0. В первый момент времени напряжение на конденсаторе остается неизменным, потенциал его левой обкладки равен нулю, поэтому мвых = ивх — ис = —U (иди ~ 0), и диод закрывается. Конденсатор начинает медленно разряжаться по цепи -C—*RH—*uBX—*R—>+C с постоянной времени, равной (R + RJC, что вызывает уменьшение напряжения на выходе ивых ~ с (рис. 5.15, г).

На интервале t2 — t3 входное напряжение ипу = U. В первый момент времени напряжение на выходе скачком изменяется до величины мвь|Х(?2) = U — uc(t2) > 0 (см. рис. 5.15, г), диод открывается, и конденсатор быстро заряжается (с постоянной времени RnC) до напряжения ис= U (см. рис. 5.15, е). Напряжение на выходе мвь]Х = = мвх — ис = 0. Далее процессы повторяются.

Фиксатор начального уровня. В схему фиксатора (рис. 5.16, а) дополнительно введен источник постоянного напряжения Е.

На интервате 0 — при и = 0 (рис. 5.16, б) полупроводниковый диод открыт. Напряжение па выходе фиксатора мвых = Е, конденсатор заряжен до напряжения ис —Е (рис. 5.16, в).

На интервале ?, — t2c появлением входного напряжения мвх = U диод VD закрывается. Под действием положительного напряжения происходит перезаряд конденсатора С по цени иИХ —* /?и —" С —* R—> Е с постоянной времени (R + RJC (см. рис. 5.16, в). Напряжение на выходе фиксатора г/вых = ин:, — ис (uRn 0) медленно убывает (рис. 5.16, г).

На интервале t2 —13 входное напряжение ит = 0. Диод VD открывается, и в первый момент происходит быстрый заряд конденсатора от источника напряжения Е с постоянной времени RltC до напряжения ис = (см. рис. 5.16, в). Напряжение на выходе ипых = 0 с — Е. Далее процессы повторяются.

Как следует из временных диаграмм (см. рис. 5.16, г), выходные импульсы повторяют форму входных, но со сдвигом, но уровню на Е.

Фиксатор начального уровня (а) и временные диаграммы его работы (б —г).

Рис. 5.16. Фиксатор начального уровня (а) и временные диаграммы его работы (б —г).

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой