Связь параметров RC-и 5С-цепей второго порядка
Выражения (8.7.5) соответствуют активным RC-звеиъяы на базе интеграторов. Однако отношение емкостей выдерживается намного точнее, чем значения емкостей и сопротивлений отдельных элементов ДС-фильтров, поэтому реализуемые на практике активные б’С-звенья имеют меньшую чувствительность, чем их RC-аналоги. Известно, что биквадратное RC-звепо характеризуется частотой со, и добротностью Q полюсов… Читать ещё >
Связь параметров RC-и 5С-цепей второго порядка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Известно, что биквадратное RC-звепо характеризуется частотой со, и добротностью Q полюсов в 5-области. Любая пара комплексно-сопряженных полюсов в 2-плоскости определяется знаменателем D (z) передаточной функции (8.7.1), который зависит от емкостей переключаемых конденсаторов.
При высокой частоте дискретизации между параметрами (характеристиками) цепей второго порядка в областях 5 и 2 существует следующая связь:
Приведенные выражения позволяют получить следующие соотношения чувствительности частоты со, и добротности Q полюсов [15]:
где С — емкость любого конденсатора Е- или F-цепи.
Выражения (8.7.5) соответствуют активным RC-звеиъяы на базе интеграторов. Однако отношение емкостей выдерживается намного точнее, чем значения емкостей и сопротивлений отдельных элементов ДС-фильтров, поэтому реализуемые на практике активные б’С-звенья имеют меньшую чувствительность, чем их RC-аналоги.
Пример: ФНЧ с комплексными нулями передаточной функции. Для более глубокого понимания излагаемого материала рассмотрим пример, приводимый во всех книгах по фильтрам на переключаемых конденсаторах |2, 15, 35]. В примере показано, как можно реализовать Е- и F-звенья ФНЧ по передаточной функции, заданной в 5-области выражением.
где со0, co^ — частоты нулей и полюсов передаточной функции; Q*, — добротность полюсов; при этом принято: /0=1800 Гц, /^=1700 Гц, <2х=30, тактовая частота — 128 кГц (т.е. ГС = 2Г= = 7,8125 мкс), Нв = 0,891 975 для получения коэффициента передачи на нулевой частоте (5 = 0), равного единице.
Для перехода в 2-область использовано билинейное преобразование передаточной функции H (s). Коррекция этой функции по частоте не требуется, так как наиболее критичная область АЧХ звена расположена на частотах, намного меньших тактовой частоты (сопТс «1). Выражение передаточной функции в 2-области имеет вид.
Таблица 8.7.1.
Параметр (емкость). | F-схема. | F-схема. | ||||
НМЗ. | М3. | НМЗ. | М3. | |||
А, пФ. | 1.0. | 0,8 308. | 1,0. | 1,0. | 0,8 395. | 30,1895. |
В, пФ. | 1,0. | 1,0. | 12,0365. | 1,0. | 1,0. | 359,629. |
С, пФ. | 0,694. | 0,694. | 2,5035. | 0,696. | 0,696. | 1,0. |
D, пФ. | 1,0. | 0,8 308. | 29,9613. | 1,0. | 0,8 395. | 12,0591. |
F, н Ф. | 0,277. | 0,277. | 1,0. | ; | ; | ; |
F, пФ. | ; | ; | ; | 0,278. | 0,278. | 1,0. |
G, пФ. | 0,694. | 0,694. | 2,5035. | 0,696. | 0,696. | 1,0. |
Я, пФ. | ; | ; | ; | ; | ; | ; |
I=J, пФ. | 0,89 093. | 0,89 093. | 10,7238. | 0,89 340. | 0,89 340. | 321,293. |
Сг, пФ. | ; | ; | 59,7. | ; | ; | 726,1. |
Примечание: НМЗ — немасштабированное значение; М3 — масшта бированное значение; 03 — окончательное значение.
В результате расчетов определены значения емкостей для Е- и F-схем ФНЧ, которые представлены в табл. 8.7.1.
В графах НМЗ приведены результаты расчетов без масштабного преобразования емкостей, при этом переключаемые емкости / и У заменены одной. Для достижения равенства максимальных значений выходных напряжений U2 и Щ найдены коэффициенты хЕ = 12,0365 и Цуг— 11,9124 и выполнено масштабирование емкостей A, D. Результаты расчетов представлены в графах М3. Так как значение некоторых из емкостей значительно меньше 1 пФ, произведено их нормирование (масштабирование) таким образом, чтобы значение наименьшей из емкостей составляло 1 пФ. Окончательные значения емкостей занесены в графы 03. Сравнение Е- и F-схем показывает, что суммарная емкость конденсаторов F-схемы почти в 12 раз превышает суммарную емкость конденсаторов ?-схемы. Однако известны фильтры, для которых по этому показателю F-схемы оказываются эффективнее F-схем. Обычно считают, что F-схемы предпочтительны для низкодобротных устройств, а F-схемы — для высокодобротных. Строгое доказательство этого положения отсутствует, поэтому обоснованный выбор Fили Е- схемы можно сделать только после проверки и анализа всех возможных способов реализации.