ЗУ типа PROM

В ЗУ типа PROM микросхемы программируют устранением или созданием специальных перемычек. Поэтому этот вид ЗУ позволяет занести информацию только один раз. В исходной заготовке имеются (или отсутствуют) все перемычки. После программирования остаются (или возникают) только необходимые.

Часть перемычек устраняют при программировании ЗУ с плавкими перемычками. При этом в исходном состоянии ЗУ имеет все перемычки, а при программировании часть их ликвидируют путем расплавления импульсами тока достаточно большой амплитуды и длительности. В исходном состоянии ЗЭ хранит логическую единицу, для записи логического нуля перемычку необходимо расплавить.

Создание части перемычек соответствует схемам ЗУ, которые в исходном состоянии имеют непроводящие перемычки в виде пары встречно включенных диодов или тонких диэлектрических слоев, пробиваемых при программировании. В исходном состоянии цепи всех запоминающих элементов хранят логический нуль. При программировании на запоминающий элемент подается напряжение, пробивающее встречный диод или диэлектрическую перемычку. В результате создается проводящая перемычка и записывается логическая единица.

Запоминающие элементы с плавкими перемычками и парами диодов показаны на рис. 4.5, а, в в исходном состоянии и после программирования на рис. 4.5, б, г.

Рис. 4.5. Запоминающие элементы с плавкими перемычками и диодными парами:

а, в — до программирования; б, г — после программирования.