Анализ данных валового химического состава
![Реферат: Анализ данных валового химического состава](https://gugn.ru/work/6759430/cover.png)
Окислы кремния (кремнезем SiO2) и железа всегда присутствуют в почве: первые в виде кварцевых зерен и гидрата кремнекислоты, а вторые в виде бурого железняка, реже — магнитного железняка, то есть в виде полуторных окислов и закиси-окиси Fе2О4. Таблица 4. Содержание и баланс SiO2 и R2O3 солонца лугово-черноземного среднего сульфатно-содового многонатриевого глыбистого тяжелоглинистого. Баланс… Читать ещё >
Анализ данных валового химического состава (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Полуторные окислы R2O3 — это окислы Al2O3+Fe2O3.
Окислы кремния (кремнезем SiO2) и железа всегда присутствуют в почве: первые в виде кварцевых зерен и гидрата кремнекислоты, а вторые в виде бурого железняка, реже — магнитного железняка, то есть в виде полуторных окислов [Fe2O3] и закиси-окиси Fе2О4.
Содержание фракции SiO2 уменьшается с глубиной почвенного профиля, максимальное содержание в горизонте А1, минимальное содержание SiO2 в горизонте Ск. Содержание полуторных окислов R2O3 распределяется по профилю неравномерно, максимальное содержание в горизонте В3, минимальное в горизонте В1. Аккумуляция SiO2 идет в горизонтах А1, В1. С глубиной происходит вынос SiO2. Аккумуляция R2O3идет в иллювиальных горизонтах В2, В3, так как в них более выражены процессы почвообразования. По содержанию SiO2 и R2O3 в почве можно увидеть, что она очень хорошо дифференцируется на горизонты. На месте наибольшей концентрации SiO2 и R2O3 происходит формирование иллювиальных горизонтов, являющихся диагностическими для солонцов.
Таблица 4. Содержание и баланс SiO2 и R2O3 солонца лугово-черноземного среднего сульфатно-содового многонатриевого глыбистого тяжелоглинистого.
Горизонт, глубина, См. | Соотношение SiO2: R2O3. | Баланс по отношению к почвообразующей породе. | |||||
SiO2. | R2O3. | SiO2. | R2O3. | ||||
%. | +/; | %. | +/; | ||||
А1 к 0−15. | 69,99. | 16,96. | 4,12. | 118,5. | +18,5. | 83,4. | — 6,6. |
В 1 к 15 — 29. | 66,99. | 15,70. | 4,26. | 113,4. | +13,4. | 77,2. | 22,8. |
В2к 29 — 70. | 59,56. | 21,29. | 2,79. | 100,8. | +0,8. | 104,7. | +4,7. |
В3к 70 — 115. | 59,07. | 22,48. | 2,62. | 100,03. | +0,003. | 100,6. | +0,6. |
Ск 115 — 200. | 59,05. | 20,33. | 2,9. |
Распределение SiO2 по профилю равномерное. В верхних горизонтах начинается убывание, а середины профиля оно практически незаметно. Максимальное содержание SiO2 в горизонте А1(69,99), а минимальное — в горизонте Сkg (59,05). Содержание полуторных окислов R2O3 неравномерное. Накопление идет с верхнего горизонта А1 до горизонта В3, а дальше снижается. Максимальное значение R2O3 в горизонте В3(22,48), а минимальное значение в горизонте В1(15,70). Это обусловлено тем, что происходит вынос продуктов распада в нижние горизонты профиля.