Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΡ‹, курсовыС, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅...
Брочная ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΡƒΡ‡Ρ‘Π±Π΅

Π¦Π΅ΠΏΠΈ собствСнной компСнсации для коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ синфазного напряТСния

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ собствСнной компСнсации влияния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… проводимостСй Π½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΈ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ синфазного напряТСния ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° ΠšΠœΠžΠŸ-транзисторах тСхнологичСского процСсса SGB25VD ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ строго симмСтричный Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад, качСствСнныС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ достаточны для построСния ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ класса однокаскадных ΠžΠ£ с ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ„Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π¦Π΅ΠΏΠΈ собствСнной компСнсации для коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ синфазного напряТСния (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· (2) Π΄ΠΎΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ коэффициСнтС усилСния (1) являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ участка Ρ†Π΅ΠΏΠΈ сток-исток () источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (VΠ’15 Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 1). ИмСнно поэтому Π² Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС .

Для Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρ‹ подавлСния синфазного сигнала ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ коэффициСнтС усилСния Π² [15] Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… каскадов ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ баланса ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° структура Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ собствСнной компСнсации, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… структуру ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ (2). Богласно Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ [15] ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ связи Π² ΡΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ каскадС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ основных транзисторов с ΠΈΡ… ΡΡƒΠΌΠΌΠ°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС.

Π¦Π΅ΠΏΠΈ собствСнной компСнсации для коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ синфазного напряТСния.

.

Π³Π΄Π΅ S1 ΠΈ S2 — ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ основных (Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ…) транзисторов.

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ являСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ ΡΠΏΡ€Π°Π²Π΅Π΄Π»ΠΈΠ²ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ условии равСнства коэффициСнтов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ собствСнной компСнсации. РавСнства S1 ΠΈ S2 ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ практичСски Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, поэтому цСлСсообразноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρ‹ собствСнной компСнсации ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ посрСдством расчСта тСхнологичСской ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ разности S1 ΠΈ S2.

Π’ ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΡΠΌΠΈ [14] Π² Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ структуру симмСтричного Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада (рис. 1) ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ числСнных Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ p-МОП ΠΈ n-МОП транзисторов цСлСсообразно Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 2.

Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС основноС усилСниС ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ собствСнной компСнсации опрСдСляСтся каскадом Π½Π° VΠ’19. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ модСлирования каскада, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 1, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с Π½Π°ΡΡ‚оящими тСорСтичСскими полоТСниями. ВвСдСнная ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ обратная связь ΠΈ «ΠΊΠ°ΡΠΊΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ» источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° VΠ’15 ΠΈ VΠ’20 ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ синфазноС напряТСниС Π² 500 Ρ€Π°Π·. ЦСлСсообразно ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡Π΅Ρ€ΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ дСйствиС Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Π² VΠ’15 обСспСчиваСт Ксн?-70 Π΄Π‘.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ собствСнной компСнсации влияния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… проводимостСй Π½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΈ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ синфазного напряТСния ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° ΠšΠœΠžΠŸ-транзисторах тСхнологичСского процСсса SGB25VD ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ строго симмСтричный Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад, качСствСнныС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ достаточны для построСния ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ класса однокаскадных ΠžΠ£ с ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ„Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ