Спектрометрические детекторы. 
Полупроводниковые детекторы

PIN-диод — разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный) полупроводник (i-область). pи n-области, как правило, легируются сильно, так как они часто используются для омического контакта к металлу.

Диффузионно-дрейфовые nip детекторы (например, Ge (Li)) могут быть изготовлены благодаря уникальному поведению ионов лития в кристаллах. Ионы лития, имея малые размеры, легко диффундируют внутрь кремния и германия, располагаясь не в узлах решётки, а между узлами. Коэффициент их диффузии в германий, например, в 10⁷раз больше, чем у обычных доноров. Для того чтобы внедрить в структуру кристалла, на поверхность p — полупроводника напыляют литий, который при нагревании до температуры около 400оС диффундирует на глубину примерно 0,1 мм, образуя тонкий высоколегированный n± слой.

Затем к этому pn — переходу прикладывается напряжение (плюс к n — слою), под действием которого происходит управляемая диффузия ионов лития в p — полупроводник до тех пор, пока количество ионов лития не станет точно равным количеству акцепторных атомов (это обычно бор). Противоположная поверхность легируется атомами бора с энергией ?10 кэВ, в результате чего образуется тонкий p ± слой с высокой проводимостью. Поверхностные p+ и n+ слои служат электродами. Между ними располагается чувствительная область полностью скомпенсированного полупроводника, удельное сопротивление которого равно сопротивлению чистого кристалла.

Основные типы диффузионно-дрейфовых детекторов, в зависимости от формы и технологии изготовления, делят на планарные и коаксиальные (с одним и двумя открытыми концами).