Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΡ‹, курсовыС, Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅...
Брочная ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΡƒΡ‡Ρ‘Π±Π΅

Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° PIC16F877

ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΠ²Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Для ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ PIC интСрСсны ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ рядом, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΠ°Π·Π° Π΄Π΅ΡˆΡ‘Π²Ρ‹Ρ… масочно-ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… кристаллов ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚Π»Π°Π΄ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… кристаллов с Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π£Π€-стираниСм ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ сСрии PIC идСально подходят для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ия ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ бизнСса Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ производства элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° PIC16F877 (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ВСхничСскоС Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅

1. Бтруктурная схСма Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°

2. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ микропроцСссорного ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚Π°

3. ОписаниС ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‡Ρ‘Ρ‚ схСмы элСктричСской ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π΅Π½ΡŒ элСмСнтов Π‘Π»ΠΎΠΊ-схСма Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ВСкст ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹

Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΄Ρ†Π°Ρ‚ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ массового примСнСния с Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 8 Π±ΠΈΡ‚, Π½Π΅Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ для использования Π² ΡΠ°ΠΌΡ‹Ρ… Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях. Однако ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ сСрии PIC Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Microchip® Technology Inc. ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ послСдниС Ρ‚Ρ€ΠΈ-Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π³ΠΎΠ΄Π° Π² Π ΠΎΡΡΠΈΠΈ поистинС Π²Π·Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΉ рост популярности. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ популярны Π²ΠΎ Π²ΡΡ‘ΠΌ ΠΌΠΈΡ€Π΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ элСктронной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ популярности являСтся мощная ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΌΠ°Π½Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² со ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠ°Ρ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ микросхСм. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ сам ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΌ рядом нСоспоримых достоинств. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ PIC Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Microchip® объСдинили Π² ΡΠ΅Π±Π΅ всС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, примСняСмыС Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ²: Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΡƒΡŽ RISC-Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ, минимальноС энСргопотрСблСниС ΠΏΡ€ΠΈ высоком быстродСйствии, ΠŸΠŸΠ—Π£, ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. НСмаловаТноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΠ°Π½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ копирования ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ.

Чёткая ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΌΠ°Π½Π½Π°Ρ внутрСнняя структура ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ, Π½ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½Π°Ρ систСма ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ с ΠΈΠ½Ρ‚ΡƒΠΈΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ понятной ΠΌΠ½Π΅ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΉ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ процСсс изучСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² PIC ΠΈ Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ для Π½ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ.

Для ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ PIC интСрСсны ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ рядом, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΠ°Π·Π° Π΄Π΅ΡˆΡ‘Π²Ρ‹Ρ… масочно-ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… кристаллов ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚Π»Π°Π΄ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… кристаллов с Ρ„Π»ΡΡˆ-ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π£Π€-стираниСм ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ сСрии PIC идСально подходят для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ия ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ бизнСса Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ производства элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

ВСхничСскоС Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ рассматриваСтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ создания устройства — «Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€» для измСрСния ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 0…50Β°Π‘ с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ 7% с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ устройствС соврСмСнного микропроцСссорного ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚Π°.

Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° PIC16F877 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ использовано для ряда Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… отраслях Π½Π°ΡƒΠΊΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅Π΅ исполнСниС устройства ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹ΠΌ, Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€ΠΈ достаточно простом ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΡ…СмотСхничСском исполнСнии устройства Π·Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρƒ Π±Ρ‹Π»ΠΈ взяты ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ характСристики:

1. ΠœΠ°ΡΡΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅.

2. НСслоТная рСализация.

3. ΠΠ°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

4. НСвысокая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

5. Удобство Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ.

1. Бтруктурная схСма Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства: Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ подаётся напряТСниС 5 Π’, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ прСобразуСтся Π² 0.5 Π’. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС поступаСт Π½Π° Ρ‚СрморСзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ мСняСт своё сопротивлСниС Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π”Π°Π»Π΅Π΅ напряТСниС усиливаСтся ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‘тся Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ PIC16F877, Π² Π½Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ прСобразуСтся Π² ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, которая впослСдствии прСобразуСтся Π² Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ число ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ся Π½Π° ΡΠ΅ΠΌΠΈΡΠ΅Π³ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹.

2. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ микропроцСссорного ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚Π° Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ устройства Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ PIC16F877, Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ΅ PDIP. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° являлись: ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ количСство Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°.

Π₯арактСристика ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°:

Β· Высокоскоростная RISC Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°

Β· 35 инструкций

Β· ВсС ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ†ΠΈΠΊΠ», ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ инструкций ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², выполняСмых Π·Π° Π΄Π²Π° Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°

Β· Вактовая частота:

Π¨ DC — 20ΠœΠ“Ρ†, Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сигнал Π¨ DC — 200нс, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ†ΠΈΠΊΠ»

Β· Π”ΠΎ 8ΠΊ Ρ… 14 слов FLASH памяти ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ

Β· Π”ΠΎ 368×8 Π±Π°ΠΉΡ‚ памяти Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… (ΠžΠ—Π£)

Β· Π”ΠΎ 256×8 Π±Π°ΠΉΡ‚ EEPROM памяти Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

Β· Π‘ΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ с PIC16C73B/74B/76/77

Β· БистСма ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠΉ (Π΄ΠΎ 14 источников)

Β· 8-ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ стСк

Β· ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠΉ, косвСнный ΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ адрСсации

Β· Бброс ΠΏΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ питания (POR)

Β· Π’Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ сброса (PWRT) ΠΈ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ оТидания запуска Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° (OST) послС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ питания

Β· Π‘Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ WDT с ΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ RC Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Β· ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° памяти ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ

Β· Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ энСргосбСрСТСния SLEEP

Β· Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°

Β· Высокоскоростная, ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΠ±Π΅Ρ€Π΅Π³Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ CMOS FLASH/EEPROM тСхнология

Β· ΠŸΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ статичСская Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°

Β· ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ устройствС (ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°)

Β· ΠΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ программирования

Β· Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ внутрисхСмной ΠΎΡ‚Π»Π°Π΄ΠΊΠΈ (ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°)

Β· Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСний питания ΠΎΡ‚ 2.0 Π’ Π΄ΠΎ 5.5 Π’

Β· ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ нагрузочная ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ² Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° (25 мА)

Β· МалоС энСргопотрСблСниС:

Π¨ < 0.6 мА @ 3.0 Π’, 4.0 ΠœΠ“Ρ† Π¨ 20 мкА @ 3.0 Π’, 32 ΠΊΠ“Ρ† Π¨ < 1 мкА Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ энСргосбСрСТСния Π₯арактСристика ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ:

Β· Π’Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ 0: 8-разрядный Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€/счСтчик с 8-разрядным ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ

Β· Π’Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ 1: 16-разрядный Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€/счСтчик с Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ внСшнСго Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°

Β· Π’Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ 2: 8-разрядный Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€/счСтчик с 8-разрядным ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ

Β· Π”Π²Π° модуля сравнСниС/Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚/ШИМ (Π‘Π‘Π ):

Π¨ 16-разрядный Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚ (макс. Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 12.5 нс) Π¨ 16-разрядноС сравнСниС (макс. Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 200 нс) Π¨ 10-разрядный ШИМ

Β· МногоканальноС 10-разрядноС АЦП

Β· ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ синхронный ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ MSSP

Π¨ Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ/Π²Π΅Π΄ΠΎΠΌΡ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ SPI

Π¨ Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ/Π²Π΅Π΄ΠΎΠΌΡ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ I2C

Β· ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ синхронно-асинхронный ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ USART с ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ дСтСктирования адрСса

Β· Π’Π΅Π΄ΠΎΠΌΡ‹ΠΉ 8-разрядный ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ PSP с ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… сигналовRD, -WR, -CS (Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² 40/44-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°Ρ…)

Β· Π”Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (BOD) для сброса ΠΏΠΎ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния питания (BOR)

3. ОписаниС ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‡Ρ‘Ρ‚ схСмы элСктричСской ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ микропроцСссорный ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Входная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ вмСстС с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ АЦП ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° прСдставляСт собой схСму прСобразования «Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ — ΠΊΠΎΠ΄». ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ сопротивлСниС тСрморСзистора измСняСтся, Π°, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, измСняСтся ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€Π΅. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ RA0 прСобразуСтся Π² 10-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄ с ΡˆΠ°Π³ΠΎΠΌ квантования

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² ΡΠ΅Π±Ρ Π΄Π²Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСля ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ К140Π£Π”6. DA1 ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ влияниС дСлитСля напряТСния Π½Π° ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ тСрморСзистора, Π° DA2 Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для согласования тСрморСзистора с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ.

ПослС прСобразования ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ставит Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствиС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π΅Ρ‘ Π½Π° ΡΠ΅ΠΌΠΈΡΠ΅Π³ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹.

Для ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ тСрморСзистор с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ВКБ КМВ-8. Π•Π³ΠΎ номинальноС сопротивлСниС Rt = 510 Ом.

ВСрморСзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΡƒΡŽ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ R (T), для Π΅Ρ‘ Π»ΠΈΠ½Π΅Π°Ρ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ тСрморСзистору поставим рСзистор R3 = 1000 Ом.

РассчитаСм сопротивлСния дСлитСля напряТСния:

ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΠΌ R1 = 1 КОм ΠΈ R2 = 9 КОм.

РассчитаСм R*:

РассчитаСм кондСнсатор (Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 1 Π“Ρ†):

R4 = 10 КОм — ΠΏΠΎ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ для ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй.

РассчитаСм ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ сопротивлСния R5 — R11:

РассчитаСм значСния сопротивлСний рСзисторов R12, R13:

Вранзистор КВ315А ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ статичСский коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π²=50, ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π²Π΅Π½:

1. Мэклин Π­. Π”. ВСрморСзисторы.

2. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ указания «ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ PIC 16F877». — ΠΠΎΠ²ΠΎΡΠΈΠ±ΠΈΡ€ΡΠΊ: НГВУ, 2002.

3. ΠšΠΎΠ½ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ Π»Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π΄ΠΈΡΡ†ΠΈΠΏΠ»ΠΈΠ½Π΅ «Π’Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ». ΠšΡ€ΠΈΠ²Π΅Ρ†ΠΊΠΈΠΉ А. Π’.

Поз. обозн.

НаимСнованиС

Кол.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅

Π‘1

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ КМ5 — 160 ΠΌΠΊΠ€ ± 1%

РСзисторы

R1, R3, R*

ΠœΠ›Π’-0,25 — 1кОм ± 1%

R2

ΠœΠ›Π’-0,25 — 9 кОм ± 1%

R4

ΠœΠ›Π’-0,25 — 10 кОм ± 1%

R5-R11

ΠœΠ›Π’-0,25 — 180 Ом ± 1%

R12, R13

ΠœΠ›Π’-0,25 — 1.6 кОм ± 1%

Rt

ВСрморСзистор КМВ-8 — 510 Ом ± 10%

Вранзисторы

VT1, VT2

КВ315А

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹

DD1

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ PIC16F877

DA1, DA2

ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ К140Π£Π”6

Π˜Π½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΡΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅

HG1, HG2

АЛ305А

НГВУ.Π₯Π₯Π₯.Π₯Π₯Π₯.21

Лист

Изм.

Лист

β„– Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌ.

Подпись

Π”Π°Ρ‚Π°

Π‘Π»ΠΎΠΊ-схСма Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ОбъяснСниС Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹:

0 Β°C соотвСтствуСт сопротивлСниС 340 Ом, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚:. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ этому Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Найдём Π΅Ρ‘:

5Π’/1024 = 4,88 ΠΌΠ’ — шаг измСрСния напряТСния ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ;

1.47/4.88 = 301 — вычитаСмая комбинация.

НайдСм шаг, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ измСнСнию Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° 1Β°Π‘:

Π’. Π΅. ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° 14.

ВСкст ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹

list p=16f877

include «p16f877.inc»

ADRESS1 equ 0×21

ADRESS0 equ 0×22

CCC EQU 0×23

CCC2 EQU 0×24

CCC3 EQU 0×25

movlw b'0' ;ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° записи Π² Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€;

movwf ADRESS1 ;ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ· Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСгистр;

movwf ADRESS0

movwf Π‘Π‘Π‘

movwf Π‘Π‘Π‘2

movwf Π‘Π‘Π‘3

BSF STATUS, RP0 ;ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π±Π°Π½ΠΊ

BCF STATUS, RP1

movlw b'10 000 000'

movwf ADCON1 ;настройка АЦП

CLRF TRISC ;ΠΎΠ±Π½ΡƒΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСгистра, настройка PORTC Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄

movlw b'111'

movwf OPTION_REG ;настройка TMR0

BCF STATUS, RP0 ;ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ Π±Π°Π½ΠΊ

movlw b'10 000 001'

movwf ADCON0 ;настройка АЦП

;————————- Ρ‚Π΅Π»ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° —————————-;

preobr BSF ADCON0, 2 ;установка Ρ„Π»Π°Π³Π° GO/DONE

ggg BTFSC ADCON0, 2 ;ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΈΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ, Ссли Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ 2

;содСрТит 0

goto ggg

movf ADRESH, 0 ;ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ содСрТимоС рСгистра Π² Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€

movwf ADRESS1 ;ΠΈ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ

movf ADRESL, 0

movwf ADRESS0

CLRF STATUS, C ;сброс Ρ„Π»Π°Π³Π° пСрСноса

;Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ 301

movf b'101 101' ;запись числа 45 Π² Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€

SUBWF ADRESS0, 1 ;Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚ содСрТаниС аккумулятора ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Π°,

;сохраняСт Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Π΅.

movf b'1'; запись числа 256 Π² Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€ (45+256=301)

SUBWF ADRESS1, 1

BTFSC STATUS, C

DECF ADRESS1, 1 ;ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° Π΄Π΅ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°, Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΈΠ·

;прямоуказанного рСгистра с ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π° Π²

;рСгистрС;

CLRF STATUS, C

;Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° 14

goto LLL

del INCF CCC, 1 ;ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° ΠΈΠ½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°, прибавляСт Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΊ

;содСрТимому прямоуказанного рСгистра, сохраняСт

;Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Π΅

LLL movf b'1 110'; запись числа 14 Π² Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€

SUBWF ADRESS0, 1

BTFSC STATUS, C

DECFSZ ADRESS1, 1; выполняСт Π΄Π΅ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ прямоуказанного рСгистра,

;осущСствляСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ равСнства Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π° с 0, Ссли Π΄Π°, ;Ρ‚ΠΎ, пропускаСт ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρƒ

goto del ;Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ дСлСния хранится Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Π΅ Π‘Π‘Π‘

movf CCC, 0 ;записываСм содСрТимоС рСгистра Π‘Π‘Π‘ Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ Π‘Π‘Π‘2

movwf CCC2

;Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† ΠΈ Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΠΊΠΎΠ²

goto LLL1

LLL2 INCF CCC3, 1 ;дСсятки

movwf CCC2

LLL1 movlw b'1010' ;Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹

SUBWF CCC2, 0

BTFSC STATUS, C

;Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹

goto LLL2

movf CCC2, 0

CALL dec7

movwf PORTA

BSC PORTE

CALL delay ;ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹;

BCF PORTE, 1

movf CCC3,0

CALL dec7

movwf PORTA

BSF PORTE, 0

CALL delay

BCF PORTE

goto preobr

delay

movlw 0×02 ;ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π½Π° 2 мс.

movwf 0×50

delay1

nop

call delay2

decfsz 0×50, f

goto delay1

return

delay2; влоТСнная Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° Π½Π° 1 мс

movlw 0xf7

movwf 0×51

delay3

nop

decfsz 0×51, f

goto delay3

return

;ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π°ΠΊΠΊΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€

dc7

addwf PCL, f ;прибавляСм ΠΊ PCL число, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ

retlw b'1 111 110' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «0»

retlw b'110 000' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «1»

retlw b'1 101 101' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «2»

retlw b'1 111 001' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «3»

retlw b'110 011' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «4»

retlw b'1 011 011' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «5»

retlw b'1 011 111' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «6»

retlw b'1 110 000' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «7»

retlw b'1 111 111' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «8»

retlw b'1 111 011' ;Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° «9»

end

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ