Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде

Диссертация: Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Большинство окислов прозрачны для излучения лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов длин волн, поэтому взаимодействие излучения с веществом носит характер глубинного взрыва, что сопровождается выносом макрочастиц на поверхность подложки. Предложен новый метод получения тонких пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. Сущность метода… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия (литературный обзор)
    • 1. 1. Лазерная плазма, используемая для получения пленок
    • 1. 2. Получение тонких и сверхтонких пленок из лазерной плазмы
  • Глава 2. Экспериментальное оборудование для получения пленок и исследования их свойств
    • 2. 1. Комплекс экспериментального оборудования для получения тонких пленок
    • 2. 2. Методики исследования свойств пленок и многослойных структур
  • Глава 3. Получение из лазерной плазмы пленок полупроводников группы AniBv
    • 3. 1. Исследование влияния интенсивных импульсных потоков ионов на электрофизические свойства арсенида галлия
    • 3. 2. Получение из эрозионной лазерной плазмы тонких слоев арсенида галлия
  • Глава 4. Особенности роста пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически — активной газовой среде
    • 4. 1. Получение из лазерной плазмы неориентированных пленок окислов
    • 4. 2. Низкотемпературная эпитаксия диэлектриков при лазерном распылении материалов
    • 4. 3. Свойства тонких пленок PbZri.* Tix Оз, полученных из лазерной плазмы
  • Глава 5. Особенности роста высокотемпературных сверхпроводников из эрозионной лазерной плазмы в химически — активной газовой среде
    • 5. 1. Исследование возможности получения пленок УВагСизОх из эрозионной лазерной плазмы
    • 5. 2. Структурные исследования пленок УВагСизО* полученных из эрозионной лазерной плазмы
    • 5. 3. Токонесущая способность сверхпроводящих плснокУВа^Си^О^, полученных из лазерной плазмы в слабых магнитных полях
    • 5. 4. Некоторые проблемы получения однородных пленок YBCO для СВЧприменений

Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

С тех пор, как тонкие пленки в значительных масштабах стали использоваться в электронике и оптике, стремление расширить круг веществ, которые можно получить в виде пленок, улучшить качество конденсатов и упростить технологический процесс заставляло искать все новые способы их получения. Стремление интенсифицировать процесс, получить возможность нанесения высокотемпературных тонкопленочных композиций, сохранить стехиометрический состав при нанесении пленок сплавов и сложных соединений, повысить чистоту и улучшить адгезию приводит к необходимости использовать в тонкопленочной технологии высокоинтесивные источники тепла, а также потоки пара (плазмы), создаваемые плазменными испарителями. Как правило, такие «испарители» характеризуются не только высокой интенсивностью, но и импульсным характером рабочего процесса [1].

Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия (ВЛНЭ), в сравнении с традиционными тонкопленочными технологиями и современными «высокоскоростными» методами осаждения пленок, выгодно отличается простотой осуществления и широкими потенциальными технологическими возможностями [2]. Высокие интенсивности потоков частиц лазерной плазмы приводят к большим скоростям возникновения зародышей и, как следствие, к снижению минимально возможной толщины сплошных пленок, обеспечивают высокий эффективный вакуум за счет больших скоростей роста пленок. Наиболее близкий к лазерному напылению по основным параметрам процесса метод электрического взрыва менее технологичен по сравнению с ним. При использовании метода электрического взрыва необходимо приготавливать образцы в виде тонких проволочек длиной 1−4см и диаметром 0,1 -0,2 мм [3], при лазерном напылении мишень может быть произвольных размеров и формы. Методом электрического взрыва сложно получать многослойные структуры, так как это требует большого количества электродов в вакуумной камере или смены проволочек в электродах. При лазерном напылении для получения многослойных структур достаточно поочередно воздействовать излучением на соответствующие мишени. Лазерное напыление позволяет получать многослойные структуры с большим числом слоев и точным контролем толщины каждого слоя, послойно вводить легирующие примеси в пленку с требуемым профилем распределения лигатуры. Из-за технологической сложности метод электрического взрыва не нашел широкого распространения, хотя результаты по исследованию метастабильных фаз в пленках при высоких скоростях осаждения [4,5] и квантовых размерных эффектов в тонких пленках Bi и InSb, полученных данным методом [6,7], представляют некоторый интерес, а сам метод в большей мере интересен исторически и методологически. Важнейшей характеристикой процессов лазерно-плазменной технологии является энергетический состав ионов и нейтральных частиц лазерного факела. Управление энергетическим спектром возможно как на стадии образования плазмы путем выбора режима облучения мишени, так и во время пролета плазмой расстояния между мишенью и подложкой. В последнем случае следует использовать различные методы торможения или разгона частиц и разделение направлений разлета быстрой и медленной частей лазерного факела. В зависимости от энергии поступающих на поверхность подложки частиц существуют два кардинально отличных друг от друга процесса. Если в лазерном факеле превалируют «быстрые» частицы, кинетическая энергия которых превышает энергию, необходимую для выбивания атомов из кристаллической решетки, реализуется процесс модификации (легирования или компенсации) приповерхностных слоев подложки. Если лазерная плазма целиком или большей частью состоит из низкоэнергетичных частиц, основным процессом является синтез напыляемого материала на поверхности подложки.

В этом случае возможно формирование отдельных пленок или многослойных структур. При лазерном напылении тонких пленок сильная неравновесность процесса осаждения в случае отсутствия у подложки ориентирующих свойств обеспечивает формирование аморфных или мелкодисперсных слоев, что отвечает возможности получения минимальных неровностей на границах разделов слоев материалов, взаимная эпитаксия которых невозможна. Такие структуры находят применение в рентгеновской и нейтронной оптике. На ориентирующих подложках лазерно-плазменным методом возможен синтез эпитаксиальных слоев. Следует отметить мощный фактор, способствующий эпитаксиальному росту пленок. При подлете лазерной плазмы к подложке первыми прилетают наиболее быстрые частицы, которые способны выбивать атомы из приповерхностного слоя. Образовавшиеся таким образом вакансии служат дополнительными центрами кристаллизации для поступающей затем массы вещества. Поэтому образование пленки идет на поверхности с искусственно наведенным потенциальным рельефом, при этом числом центров кристаллизации можно управлять, меняя количество быстрых ионов[2]. Таким образом формирование и конечное структурное состояние конденсатов, полученных из эрозионной лазерной плазмы, полностью определяется двумя взаимосвязанными группами явлений и соответствующих параметров :

1. Процессы на мишени и характеристики пара (плазмы) — учет определяющего влияния плотности потока излучения q на механизмы испарения, режим работы лазера, интенсивность потока и энергетический спектр частиц лазерной плазмы.

2. Процессы, происходящие на подложке при формировании пленки — учет экстремальных величин скорости конденсации, толщины слоя, осаждаемого за импульс, частота следования импульсов и влияние фоновой среды на кинетику роста лазерного конденсата.

Если закономерности процессов на мишени при лазерном испарении сравнительно хорошо изучены, то многообразие возможных явлений на подложке при формировании пленок все еще остается во многом неисследованным. Исследования в этих областях велись многими научными группами как в России так и за рубежом. В большом количестве работ показана возможность эпитаксиального роста пленок из эрозионной лазерной плазмы, в том числе формирование сверхтонких (~0,1 нм) сплошных монокристаллических слоевобнаружена возможность ориентированного роста пленок на кристаллических поверхностях, закрытых тонкими (0,1−0,3нм) аморфными пленками. Методом лазерной эпитаксии были получены и исследованы свойства сверхтонких пленок InSb, CdTe, РЬТе и других, построены квантовые сверхрешетки на основе InSb-CdTe, InSbРЬТе, Bi-CdTeполучены и исследованы квантовые сверхрешетки с аморфными барьерными слоямиполучены и исследованы дисперсионные и отражающие рентгеновские покрытияполучены и исследованы инверсные слои кремния с оптимальным для преобразователей солнечной энергии профилем лигатурыисследовано влияние деформации на рост и рекристаллизацию пленок, на аморфных подложках. Основной задачей настоящей работы является исследование возможности получения из эрозионной лазерной плазмы пленок многокомпонентных материалов с разностью упругости паров компонент 9 порядков и выше. К таким материалам относятся полупроводники из группы АщВу, простые и сложные окислы включая ысокотемпературные сверхпроводники. До начала настоящей работы подобные материалы не были получены из эрозионной лазерной плазмы.

Цели и задачи диссертационной работы.

Целью настоящей работы является разработка технологии получения из эрозионной лазерной плазмы и исследование свойств аморфных и эпитаксиальных пленок: GaAsZr02- Bi203- Si02- Ti02- SrTi03- (BaSr)Ti03- PbZr, xTix03 и YBa2Cu307. Получение пленок такого многообразия материалов от полупроводников до высокотемпературных сверхпроводников в одной работе связывает одна немаловажная деталь, во всех этих многокомпонентных соединениях присутствует легколетучая компонента (в арсениде галлия это мышьяк, в окислах-кислород). Одним из важных преимуществ лазерного напыления является возможность испарять материалы в газовой среде. Это позволяет компенсировать недостаток более летучей компоненты в сложных материалах и использовать мишени с неполным элементным составом, если это выгодно по причине их оптических, механических, химических или теплофизических свойств. Большинство окислов прозрачны для излучения лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов длин волн. Несмотря на это, существуют некоторые возможности при лазерном напылении использовать в качестве мишеней металлы или полупроводники, а напыление вести в среде кислорода. При этом должны сохраняться основные закономерности лазерного напыления. В случае же нанесения пленок GaAs из эрозионной лазерной плазмы процесс напыления необходимо вести в среде паров мышьяка.

Из вышесказанного вытекают основные задачи диссертационной работы:

• Разработка и изготовление ряда установок получения из эрозионной лазерной плазмы аморфных и монокристаллических пленок простых и сложных окислов и эпитаксиальных слоев арсенида галлия.

• Исследование процессов роста из эрозионной лазерной плазмы в газовой среде тонких слоев простых и сложных окислов, многослойных структур на их основе, а также изучение структурных и электрофизических свойств полученных конденсатов.

• Изучение механизмов эпитаксиального роста из лазерной плазмы тонких пленок арсенида галлия и исследование их свойств.

• Исследование процессов роста пленок высокотемпературных сверхпроводников УВагСизСЬ и изучение их свойств.

Научная новизна.

• Обнаружен и исследован эффект компенсации проводимости пленок GaAs под действием интенсивных потоков низкоэнергетичных ионов As. Показано, что компенсация проводимости при температурах облучения 350−500°С связана с миграцией первичных радиационных дефектов в глубь GaAs и образованием сложных комплексов в режиме, нелинейном относительно интенсивности облучения. Предложена феноменологическая модель процесса, предполагающая накопление комплексов дивакансия-атом донора через промежуточное короткоживущее состояние.

• Экспериментально исследованы структурные и электрофизические характеристики тонких слоев GaAs, полученных осаждением частиц из эрозионной лазерной плазмы. Показано, что специфика метода лазерного напыления обусловлена.

18 20 2 1 17 большой плотностью потока частиц (j~ 10 -10 см" -с") и их энергией (Е~ 2−10″ Дж), достаточной для генерации точечных дефектов и образования сложных комплексов дефектов. Исследована зависимость электрофизических характеристик пленок GaAs от энергии потока частиц лазерной плазмы. Показана необходимость снижения количества «быстрых» ионов до некоторых допустимых пределов при получении эпитаксиальных слоев GaAs из эрозионной лазерной плазмы. Предложены методы снижения количества дефектообразующих частиц в лазерной плазме. Получены эпитаксиальные слои GaAs, ф концентрация носителей которых соответствовала содержанию донора в мишени- 2−1017 см" 3 и подвижностью — З-Ю3 см2 /В-с.

• Большинство окислов прозрачны для излучения лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов длин волн, поэтому взаимодействие излучения с веществом носит характер глубинного взрыва, что сопровождается выносом макрочастиц на поверхность подложки. Предложен новый метод получения тонких пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. Сущность метода заключается в использовании в качестве мишеней металлов или полупроводников и проведение процесса напыления в газовой среде кислорода. Экспериментально показано сохранение основных закономерностей лазерного напыления при условии ограничения рабочего давления фоновой среды (до Р (Ог) ~10″ 2 мм.рт.ст.) влияющей на динамику разлета плазмы. Экспериментально исследованы зависимости электрофизических свойств полученных конденсатов от условий их роста. Показана существенная зависимость электрофизических характеристик полученных пленок (8, tg5 и Епробоя) от температуры получения, давления фоновой среды кислорода в рабочем объеме и скорости конденсации. Получены сверхтонкие (~2нм) сплошные аморфные пленки простых и сложных окислов: Z1O2- BiiO^- SiChТЮ2- SrTiCh (BaSr)TiOv Электрофизические свойства более толстых (~100нм) полученных конденсатов близки к свойствам массивных мелкодисперсных образцов.

• Из эрозионной лазерной плазмы получены монокристаллические пленки ZrC>2- Bi2C>3- Re02- SrTiCb- (BaSr)TiC>3 на подложках из кристаллов NaCl, LiF, GaAs. Предложен и экспериментально проверен механизм ориентированного роста пленок простых и сложных окислов из лазерной плазмы. Известно, что ионное облучение активизирует в пленках процессы кристаллизации и коалесценции. Аналогичную роль играют потоки эрозионной лазерной плазмы. Показано, что ответственность за ориентированный рост пленок окислов несет высокоэнергетичная часть лазерной плазмы. Экспериментально показано явление радиационно-стимулированного отжига начальных слоев диэлектрической пленки под воздействием последующих импульсов эрозионной лазерной плазмы. Неориентированный слой на поверхности имеется, по-видимому, при любой толщине пленки. Толщина его зависит от температуры подложки и энергии ионов и по порядку величины совпадает с минимальной толщиной сплошной пленки, получаемой при данных условиях.

• Методом лазерного напыления получены эпитаксиальные пленки кобальтата лантана-стронция La0,5Sr0,5CoO3(LSCO) на подложках галлата неодима и титаната стронция. Установлено, что решетка слоя LSCO имеет тетрагональное искажение, степень тетрагонального искажения зависит от дефицита кислорода. При комнатной температуре удельное сопротивление LSCO составляет около 200 мкОм-см. Зависимость сопротивления от температуры носит металлический характер. Показана возможность использования слоев LSCO в качестве материала электрода при изготовлении конденсаторных структур на основе пленок сегнетоэлектриков PbZrixTix03(PZT). Изготовлены структуры LSCO/PZT/LSCO, относительное снижение остаточной поляризации которых после 1010 циклов переполяризации не превышает 5%.

• Методом лазерного напыления получены эпитаксиальные пленки титаната-цирконата свинца PbZrix Т1хОз (PZT) на подложках из NdGa03 (110) и БгТЮз (100) с подслоем высокотемпературного сверхпроводника YBaCuO. Показана зависимость структурного совершенства и диэлектрических свойств пленок PZT от условий их получения. Исследованы усталостные характеристики пленок PZT с различными верхними электродами. Изготовлены структуры NdGa03(SrTi03)/YBC0/PZT/Ni, относительное снижение остаточной поляризации которых после 1010 циклов переполяризации не превышает 25%.

• Впервые методом импульсного лазерного напыления на подложках из кристаллов SrTi03- MgO, А12Оз, NdGa03 получены тонкие эпитаксиальные (100−200нм) сверхпроводящие пленки УВа2Сиз07. х с температурой нулевого сопротивления 85−91,5 К и критическои плотностью тока jc~.

7−10° А/см при 78К. Экспериментально исследованы зависимости электрофизических свойств полученных конденсатов от условий их роста. Показана существенная зависимость электрофизических характеристик полученных пленок (температура перехода в сверхпроводящее состояние, ширина перехода и плотность критического тока) от температуры роста, давления фоновой среды кислорода в рабочем объеме и скорости конденсации. Предложен и реализован метод снижения количества дефектообразующих (макрочастиц и капель) в лазерной плазме, состоящий в использовании системы пересекающихся плазменных потоков для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников. Исследованы температурная зависимость вольт-амперных характеристик пленок УВагСизСЬ-х и влияние на плотность критического тока слабых магнитных полей (<0,1 Тл). Показано, что при отсутствии слабых межкристаллитных связей в пленке ее критический ток близок к значению, определяемому элементарной силой пиннинга вихря Абрикосова.

• Проведены электронно-микроскопические исследования пленок УВагСизО? на подложках (100) SrTi03i ZrCb /Si, ZrC>2 /aAI2O3, полученных из эрозионной лазерной плазмы. В случае использования подложек БгТЮз наблюдается эпитаксиальный рост пленок. При этом на (100) SrTiCb, как правило, формируется блочный монокристалл с осью С, перпендикулярной границе раздела. Величина jc для таких пленок достигает значения-7−10 А/см при 78К. Механизмом ориентации поликристаллических пленок на подложках из а-АЬОз с буферными слоями поликристаллического Zr02 могут служить анизатропные напряжения подложек. Увеличение ширины критического перехода АТС и уменьшение плотности критического поля связываются с большим количеством дефектов в зернах, наличием дополнительных фаз и дефектов на межзеренных границах.

Практическая значимость.

• Разработаны и изготовлены несколько типов установок получения тонких пленок многокомпонентных материалов и многослойных структур на их основе из эрозионной лазерной плазмы, в том числе установки с пересекающимися плазменными пучками.

Установки могут быть оснащены различными типами лазеров и разными средствами откачки позволяющими достигать разный предельный вакуум, могут быть оснащены источниками легколетучей компоненты со средствами контроля параметров технического процесса напыления. Подобные установки напыления были внедрены в ряде организаций в нашей стране и за рубежом.

• Разработана и изготовлена установка модификации приповерхностных слоев полупроводниковых структур. Предложен и реализован процесс компенсации проводимости в приповерхностных слоях GaAs. Компенсированные слои нашли применение для защиты от поверхностных пробоев и утечек при изготовлении планарных приборов на основе GaAs.

• Исследованы условия роста из эрозионной лазерной плазмы неориентированных пленок простых и сложных окислов. По своим электрофизическим параметрам аморфные пленки окислов не отличаются от массивных образцов, что может найти применение при изготовлении микроэлектронных устройств.

• Исследован процесс роста из эрозионной лазерной плазмы эпитаксиальных пленок т простых и сложных окислов и многослойных структур на их основе. Эпитаксиальные слои простых окислов нашли применение в качестве буферных подслоев при изготовлении приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников.

Исследованный процесс роста позволил получить в одном технологическом цикле структуры полностью состоявших из окислов, которые по своим свойствам несли разные функции: металл-пьезоэлектрик-металл или сверхпроводник-пьезоэлектриксверхпроводник. Подобные структуры могут найти применение при изготовлении тонкопленочных элементов памяти. w.

• Исследован рост эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников УВагСизОу из эрозионной лазерной плазмы. Использование настоящей технологии позволило в короткий срок провести цикл исследований ВТСП-пленок, позволивших в значительной мере определить перспективы применения ВТСП-материалов в электронике и электротехнике. ВТСП-пленки, полученные по этой технологии, нашли применение при изготовлении Джозефсоновских контактов, приборов СВЧ и сильноточной электроники.

Апробация результатов.

Результаты диссертационной работы докладывались на двадцати одной российской и международных конференциях:

Всесоюзное совещания по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1976.

Отраслевая техническая конференция: Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Воронеж, 1976.

Симпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела. Ташкент, 1979.

Всесоюзная конференция «Оптика лазеров». Ленинград, 1980.

Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников. Новосибирск, 1980.

Международный симпозиум «Оптика 80». Будапешт 1980.

Всесоюзная конференция «Актуальные проблеммы получения и применения сегнетоэлектрических материалов» Москва, 1979.

Всесоюзное совещание по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1981.

Всесоюзная конференция «Интеграция и нетермическая стимуляция для технологических процессов в микроэлектронике» Зеленоград, 1981.

Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982.

Итоговая научная конференция ГГУ за 1981. У11, 1982, № 3425−82.

Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Баку, 1982.

Всесроссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Иваново, 1995.

Spring Meeting San Fracisco, CA, 1994.

Applied Superconductivity Conference, Boston, USA, 1994.

5th International Superconductivity Electronic Conference. 1995., Nagoya, Japan.

Applied Superconductivity Conference, Pittsburgh, USA, 1996.

USSR-FRG bilateral seminar, 1991, St. Petersburg, Scientific Council on HTSC Problem.

12 International Vacuum Congress (IVC-12), The Hague, The Netherlands, 1992 12th General. Conf. Of the Condenced Matter Division of the E.P.S., 1992, Prague. 6 Trilateral German-Russian-Ukranian Seminar on HTSC Dubna, Russia, 1993.

Публикации.

Результаты диссертационной работы отражены в научных статьях в отечественных и зарубежных журналах, сборниках трудов и в авторских свидетельствах. Всего по материалам диссертации опубликовано 75 работ, из них 47 журнальных статьи, 14 публикаций в трудах конференций, 1 авторское свидетельство, 13 тезисов докладов на конференциях.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 147 страниц.

Список литературы

включает 102 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Разработаны и изготовлены установки лазерного напыления в химически активной газовой среде тонких пленок полупроводников, диэлектриков, пьезоэлектриков и многослойных структур на их основе.

2. Исследован процесс роста тонких пленок GaAs из эрозионной лазерной плазмы. Показано существенное влияние высокоэнергетичных частиц лазерной плазмы на электрофизические характеристики (подвижность и концентрация носителей) полученных конденсатов. Предложен и реализован метод снижения энергетики частиц лазерной плазмы, представляющий из себя систему пересекающихся плазменных потоков с образованием новой диаграммы разлета плазмы, свободной от «быстрых» ионов. Получены эпитаксиальные тонкие пленки с подвижностью и=3000см7В-с и.

17 3 п=2−10 см", что соответствует параметрам использованных мишеней для лазерного напыления.

3. Обнаружен и исследован эффект компенсации проводимости тонких пленок GaAs, основанный на образовании сложных комплексов дефектов в полупроводниковом слое под воздействием высокоэнергетичной части лазерной плазмы. Эффект компенсации проводимости может быть использован в микроэлектронике для пассивации при изготовлении планарных полупроводниковых приборов.

4. Изучен механизм роста мелкодисперсных пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. Получены сверхтонкие (~2нм) сплошные аморфные пленки простых и сложных окислов: Zr02- В12ОзSi02- Ti02- БгТЮз. Электрофизические свойства более толстых образцов не отличаются от свойств массивных диэлектриков.

5. Предложена и экспериментально проверена модель ориентированного роста тонких пленок окислов из лазерной плазмы. Показано, что высокоэнергетичные частицы лазерной плазмы ответственны за снижение температуры ориентированного роста пленок окислов. Из эрозионной лазерной плазмы получены монокристаллические пленки Zr02- Bi203-Re02- SrTi03-(BaSr)Ti03- Lao, 5Sro (5Co03- PbZrixTix03 и многослойные структуры на их основе на подложках из кристаллов NaCl, LiF, GaAs, SrTiQ3 и GaNdOj.

6. Исследован процесс роста эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. На подложках из SrTi03, MgO, А1203, NdGa03 получены тонкие (1000−2000А) сверхпроводящие пленки YBa2Cu3(>7 с температурой нулевого сопротивления 85−91,5 К 6 2 и критической плотностью тока jc-710 А/см при 78К. Показано, что при отсутствии слабых межкристаллитных связей в пленке ее критический ток близок к значению, определяемому элементарной силой пиннинга вихря Абрикосова. Предложен и реализован метод сепарации макровключений лазерной плазмы, состоящий из пересечения двух потоков лазерной плазмы и образования новой диаграммы разлета, свободной от включений. Получены сверхпроводящие пленки с количеством.

5 2 макровключений менее 10 см" .

Вклад автора в проведенных исследованиях.

Основные научные результаты, представленные в диссертации, получены автором лично. В совместных работах он принимал активное участие в постановке задач, разработке экспериментальных методик, проведении экспериментов и в обсуждении полученных результатов.

Автору принадлежат основные идеи и практическая реализация в разработке и изготовлении технологических установок получения тонких пленок из эрозионной лазерной плазмы в химически — активной газовой среде.

Автору принадлежит определяющее участие в разработке технологий получения из лазерной плазмы пленок полупроводников, высокотемпературных сверхпроводников, простых и сложных окислов.

Автору принадлежат основные идеи в реализации схемы пересекающихся потоков позволяющей отсепарировать макровключения и высокоэнергетичную часть лазерной Ф плазмы.

Структуры о которых сообщается в настоящей работе, изготовлены в основном лично автором, за исключением PZT и LSCO пленок.

Все экспериментальные работы по компенсации проводимости в тонких слоях полупроводников выполнены лично автором.

Автор принимал непосредственное участие в разработке методик измерений электрофизических свойств полученных конденсатов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Б.А. Осадин «Импульсное нанесение пленок» Обзоры по электронной технике Сер. З Микроэлектроника вып.4. 1976
  2. Ю.Ю. Фирцак, О. В. Лукша., П. А. Фенич и др. «Процессы роста пленок полупроводниковых веществ, осаждаемых из лазерной плазмы» в книге «Рост полупроводниковых кристаллов и пленок» Наука Сибирское отделение Новосибирск 1984
  3. В.И., Дагман Э.И Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Новосибирск Наука, 1972, с. 136−193
  4. В.И., Васин О. И. и др. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. Новосибирск Наука, 1977, с. 20−47
  5. В.И., Молин В. Н. и др. ЖЭТФ., 1974, т .66, с. 996−1004
  6. В.И., Молин В. Н. и др. ФММ, 1971, т. 31, с. 725−730
  7. В.Н., Васин О. И., Скрипкина П. А. и др. ФТП., 1972, т. 6, вып. 8, с.1447−1451
  8. З.П., Гапонов С. В., Салащенко Н. Н. и др. Изв. Вузов, Радиофизика, 1975, т. 18,№ 6,с 908−909
  9. С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. и др. Письма ЖТФ, 1977, т.З, вып.12,с 573−576
  10. С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. и др. ФТТ, 1977, т.19,вып.10,с 29 642 967
  11. Анисимов С.И., Бонч-Бруевич A.M. и др. ЖТФ, 1966, т.36,с. 1273−1284
  12. С. И. Имас Ф.А., и др. Действие лазерного излучения большой мощности на металлы. М. Наука, 1970, с.272
  13. Дж. Действие мощного лазерного излучения М. Мир, 1974 с. 673
  14. Н.Г., Крохин О. Н., Склизов Г. В. Труды ФИАН, 1970, т.52, с.171−236
  15. В.А., Крохин О. Н., Склизов Г. В. Труды ФИАН, 1974, т.76, с. 1986
  16. Ю.В., Крохин О. Н. Труды ФИАН, 1970, т.52, с.171−236
  17. В.И. Известия Вузов Радиофизика 1986, т.23,№ 2,с. 177−181
  18. С.В., Салащенко Н. Н. Электронная техника, 1976, вып. 1 (49) с. 11 -20
  19. И.В. ПММ, 1964, т.29,с.134−140
  20. А.Д., Битюрин Ю. А., Гапонов С. В. и др. ЖТФ, т.52,вып8,с. 1584−1596
  21. Ю.А., Дегтяренко Н. Н., Елесин В. Ф. ЖТФ, 43,2540(1973)
  22. Puell Н., Neusser H.J. II Experiments-Z. Naturforsch., 1970, v.25a, p,1815−1822
  23. A.B., Немчинов И. В. Письма в ЖТФ, 1984, т.10,вып.23,с. 1426−1430
  24. Dyer Р.Е., Ransden S.A., J Phys. D: Appl. Phys. 1976, v/9, p.373−382
  25. B.A., Крохин O.H., Склизов Г. В. Труды ФИАН, 1974, т.76, с.186−228
  26. В.П., Горбунов А. А. и др. Известия АН СССР, сер. физическая, 1985, т.49,№ 4,с.732−73 727. «Исследование взаимодействия лазерной плазмы с конденсированными средами» Отчет Института Прикладной физики АН 1983 г. № гос. Регистрации 78 083 103
  27. З.П., Гапонов С. В., Салащенко Н. Н. и др. Изв. Вузов, Радиофизика, 1975, т.28,№ 6,с 908−909
  28. С.В., Салащенко Н. Н. Электронная промышленность, 1976,№ 1 с.11
  29. Ю.А., Дудоладов А. Г. и др. Письма ЖЭТФ, 1974,20, с 136
  30. В.И., Дагман Э. И. в кн. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок Новосибирск, Наука, 1972, с. 136
  31. JI.H. Кинетика образования и структура твердых слоев Новосибирск, Наука, 1972 с. 130
  32. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS. М. Физматгиз, 1963, с21
  33. Н.Н., Звонков Б. Н. и др. ФТТ, 1975, т.17,№ 12, с3641−3643
  34. Н.Н., Филатов О. Н. и др. ФТТ, 1975, т.17,№ 7, с2105
  35. С.В. Салащенко Н.Н., Филатов О. Н в кн. Полупроводники с узкой зоной и полуметаллы. Материалы IV Всесоюзного симпозиума. Львов, 1975, с 136
  36. .Н., Салащенко Н. Н., Филатов О. Н. ФТТ, 21,1979 с. 1346
  37. С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. Письма ЖТФ, 1979, с.516
  38. С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. Письма ЖТФ, 1979, том 5, вып 9, с.516−521
  39. С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. ФТП, 1979, т.14,вып.8. с1468−1472
  40. С.В., Лускин Б. М., Салащенко Н. Н. Письма ЖЭТФ, 1980, том 33, вып 10, с.533−537
  41. Gaponov S.V., Luskin В.М., Salashchenko N.N. Solid State Communication, vol39,1981,pp.301 -302
  42. К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М. Изд. Мир, 1972
  43. Г. А., Мухачев В. А. Пробой тонких диэлектрических пленок. М. Сов. Радио 1977 г.
  44. Физические процссы в облученных полупроводниках. Под ред. Смирнова Л. С. Наука Новосибирск, 1977, с. 164
  45. Maby E.W. J. Appl.Phys. 1976, v.47, р 830
  46. Woodcock J.M., Shannon J.M. Solid State Electronics, 1975, v. 18, 3, p. 267
  47. Ф.Ф., Качурин Г. А. и др. ФТП, 1981, т. 10,№ 8, с. 1425
  48. В.Е., Буйко Л. Д., Лабунов В. А. ФТП, 1981, т.15,№ 1, с. З
  49. Г. А., Ловигин Р. Н. и др. ФТП, 1981, т. 15, № 2, с.290
  50. С.В., Стриковский М. Д. ЖТФ, 1982, т.52 ,№ 9, с.1838−1842
  51. Мейер Дж, Эриксон Л., Дэвис Дж., Ионное легирование полупроводников. М. Мир, 1977, с.296
  52. Физические процессы в облученных полупроводниках. Ред. Смирнов JI.C. Новосибирск. Наука, 1977, с. 164
  53. Н.В., Уфимцев В. Б., Фистуль В. И. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, № 10,с.620−622
  54. К.Д., Заяц М. С., Прохорович А. В. ФТП, 1982, т. 16, в. 12, с. 2214−2216
  55. С.В., Стриковский М. Д. Препринт № 134 ФИАН СССР, М. 1986 ФТП, 1984, № 10,
  56. Jtoh Т, Kushiro J. J. Appl. Phys., 1971, v.42 ., № 12, p 5120−5124
  57. C.B., Стриковский М.Д. ФТП, 1984, № 10,
  58. С.В., Лучин В. И. и др. Труды ГГУ «Химия и химическая технология» № 1,1975,с. 151−157
  59. С.И., Олыпанецкий Б. З. Материалы IV Всесоюзной школы-семинара поСфизике поверхности полупроводников. Ленинград, изд-во ЛГУ, 1979, с 120−139
  60. Ю.В., Дворянкин В. Ф. и др. Квантовая электроника., 1979, т.6, № 1, с 5−24
  61. Shiota J., Matoya К., Ohmi Т. J. Elektrochem. Soc., 1977, v. l24, № 1, p. 155−157
  62. Adams A.C., Pruniauxs B.R. J. Elektrochem. Soc., 1973, v. l20, № 3, p. 408−414
  63. X., Панши H. Лазеры на гетероструктурах Москва, Мир, 1981, т 2
  64. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ. Под редакцией О. Г. Вендика Москва, Сов. Радио, 1979ф 66. Чопра К. Л. Электрические явления в тонких пленках. Москва, Мир, 1972
  65. В.М., Головко Ю. И. Письма в ЖТФ, 1979, 5, с.1177
  66. Ю.Я., Севастьянов М. А. Кристаллография, 1970, 23, с.401
  67. Ю.Я., Севастьянов М. А. Кристаллография, 1974, 19, с.1040
  68. Kubo Y., et. all Jap. J. of Appl. Phys., 1987, v.26,l l, p. L1888-L1891
  69. Г. И. Прикладная газовая динамика. М. Наука, 1976
  70. С.В., Гудков А. А., Фраерман А. А. ЖТФ, т. 52, с. 1834−1848
  71. В.Г., Пан В.М. и др. Письма в ЖЭТФ 1987, т.64, с.168
  72. В.Г., Танзей Г. А. и др. Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. Т.2 Свердловское изд. Ур. Отд. АНСССР, с. 162
  73. Herwiell М., Demenges В., et. all Phys. Rev. В. 1987, v.36,p3920
  74. Muller K.A., Takashige M. et. all Phys. Rev. Lett. 1987, v.58,pl 143
  75. Grabtree G.W., Lin J.Z. et. all Phys. Rev. B. 1987, v.36,p4021
  76. Gyorgy E.M., Grader G.S. et. all. Appl. Phys. Lett. 1988, v.52,p328
  77. Chaundhari P., Koch R.H. et all Phys. Rev. Lett. 1987, v.58,p2684
  78. Oh В., Naito M. et. all Appl. Phys. Lett. 1987, v.51,p852
  79. Ogalle S.B., Venkatesan et. all Phys. Rev. B. 1987, v.36,p7210
  80. Kupfer H., Apfelstend I. et. all Z.Phys. B. 1987, B.69,s.l59
  81. Matsushita Т., Ywakama M. et.all. Jap. J. Appl. Phys. 1987, v.26,p. LI 524
  82. Worthington Т.К., Gallagher W.J. et. all Phys. Rev. Lett. 1987, v.59,pl 160
  83. Iye Y., Tamegai T et. all Jap. J. Appl. Phys. 1987, v.26,p. L1850
  84. Umezawa A., Grabtree G.W. et. all Phisica С v.153. p.1461
  85. M.B., Ларкин B.A. и др. Письма в ЖЭТФ 1988, т.47, с.595
  86. Duiker Н.М., Beale P.D., et. al. J. Appl. Phys. 1990, v.68,p. 5783−5791
  87. Ramesh R., Chan W.K., et.al. Integrated Ferroeletrics, 1992, v. l, 1, p. 1−15
  88. Ramesh R., Dutta В., et.al. Appl. Phys. Lett. 1994, v.64,pl588−1590
  89. Dat R., Auciello O., et.al. Appl. Phys. Lett. 1994, v.64,p2673−2678
  90. С.В., Гильдерман В. К. и др. Высокотемпературные оксидные электронные проводники для электрохимических устройств. М. Наука, 1990.C.190
  91. Wellstood F.C., Kingston J.J. et.al. J. Appl. Phys. 1994, v.75,p. 683−700
  92. Nassau K., Miller A.E. et. al J. Growth. 1988.v.91.p.373−381
  93. B.B., Жук П.П. и др. Ионика твердого телаю Екатеринбург, УИФ, Наука, 1993, с.3−13
  94. Grabowski K.S., Horwitz J.S. et.al. Ferroeletrics, 1991, v. l 16 «p.19−33
  95. B.K., Зайцева H.B. и др. ФТТ, 1995, т.37,с.324
  96. Vorotilov К.A., Vanovskaja M.I., et.al. Int. Ferroeletrics, 1993, v.3, p.33
  97. Свойства неорганических материалов. Справочник. Под ред. Ефимова и др. Химия, 1983, с.392
  98. Terada N., Thara Н. et. Al» Jap. J. Appl. Phys. 1998, v. 27(4). P. L639-L642
  99. Sakuta K., Iuori M. et. al., Jap. J. Appl. Phys. 1990, v. 29(4). P. L611-L613.
  100. Al. С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, М. И. Хейфец. Лазерное напыление пленок в активной среде. Письма в ЖТФ, вып.13, 1977.С.632−635
  101. А2. С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, М. И. Хейфец. Низкотемпературная эпитаксия пленок диэлектриков. Письма в ЖТФ, т.5,вып.8, 1979.С.472−475
  102. A3. С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, В. В. Кропотин. Исследование режимов образования из лазерной плазмы пленок сегнетоэлектриков и высокотемпературных окислов. Известия АН СССР сер. Физическая, т.44, № 10,1980. с. 2097−2100
  103. А4. А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, Б. М. Лускин, В. И. Лучин. Особенности ориентированного роста пленок из эрозионной лазерной плазмы. В сб. Применение лазеров в резистостроении. 198I.e.5−18
  104. А5. С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия. Электронная промышленность.№ 5−6,1981.с110−115
  105. А6. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. Действие мощных импульсных потоков ионов малой энергии на GaAs. ФТП, 1984, т.18,в.10×1743−1745
  106. А7. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. GaAs compensation by intense fluxes of low-energy particles. Solid State Comm.1983.v.45,№ 12,p.997−999
  107. А9. Б. А. Володин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, Б. А. Нестеров, Н. Н. Салащенко. Влияние импульсного нагрева подложек на ориентированный рост пленок при лазерном напылении. ФТП, 1981, т.15,в.6.с.53−55
  108. А10. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, JI.A. Суслов. Структурные и диэлектрические свойства пленок PZT, полученных методом лазерного распыления. ЖТФ, т.64,в. 10,1994,с. 185−188
  109. А11. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Свойства тонких пленок PbZrixTix03, полученных методом лазерного распыления. Известия АН СССР сер. Физическая, т.61, № 2,1997. с. 372−374
  110. А12. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Свойства тонких ^ пленок Lao 5Sro.5Co03, полученных методом лазерного распыления. Неорганическиематериалы. 1997, т. ЗЗ, № 6,с.765−768
  111. А13. В. Я. Шур. С. Д. Макаров, Н. Ю. Пономарев, В. В. Волегов, Н. А. Тонкачева, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата-титаната свинца. ФТТ, 1996, Т.38, № 6,с. 1889−1895
  112. А14. В. Я. Шур. С. Д. Макаров, Н. Ю. Пономарев, Е. В. Николаева, Е. И. Шишкин, Н. А. Тонкачева, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, Л. А. Суслов. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца. ФТТ, 1997, Т.39,№ 4,с.694−696я
  113. А15. V.Ya. Shur, S.D. Makarov, N.Yu. Ponomarev, V.V. Volegov, N.A. Tonkachyova, L.A. Suslov, N.N. Salashchenko, E.B. Kluenkov. Switching kinetics in epitaial PZT thin films. Microelectronic engineering. 29 (1995) 153−157
  114. A16. V. Trtik, M. Jelinek and E.B. Kluenkov. A study of laser-deposited PZT, PLZT, PMN and YBCO thin films. J. Phys. D. Appl. Phys. 27 (1994) 1544−1547
  115. A17. С. В. Гапонов, Г. Г. Каминский, Е. Б. Клюенков, Д. В. Кузин, В. М. Пан, М. Д. Стриковский и др. Токонесущая способность сверхпроводящих пленок УВа2Си3075 в сильных магнитных полях. ЖЭТФ, т.95,вып.6,1989,с.2191−2199.
  116. А18. О. Р. Байдаков, В. Н. Голубев, В. А. Ермаков, Е. Б. Клюенков. Получение тонких сверхпроводящих пленок Tl-Ba-Ca-Cu-O. Письма в ЖТФ, т.17, вып.6, 1991, с.61−64
  117. А20. С. В. Гапонов, Ф. В. Гарин, В. Н. Голубев, М. В. Калягин, Е. Б. Клюенков, В. А. Косыев, А. В. Кочемасов, М. Д. Стриковский. Вольтамперная характеристика и критические токи в слабых магнитных полях в УВагСизСЬ-б • ЖЭТФ, 1989, т.95, в. З, с.1086−1091.
  118. А21. С. В. Гапонов, Г. Г. Каминский, Е. Б. Клюенков, Д. В. Кузин, В. М. Пан, А. Г. Прохоров, М. Д. Стриковский. A current-carrying capacity of superconducting YBa2Cu3075 films in strong magnetic fields. Sov. Phys. JETP. 1989. v.68(6). P.1266−1270
  119. A22. В. А. Воронин, И. А. Годованик, В. Н. Голубев, М. Н. Дроздов, А. Ю. Климов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко. Эпитаксиальные УВа2Си307−5 РгВа2Сиз07. й структуры. Письма в ЖТФ, т.17, вып. 16, 1991, с.22−25
  120. А23. М. Jelinek, Е. Kluenkov, L. Jastrabik, L. Maso. Laser deposited YBCO thin films. Czeckoslovac Journal of Physics, vol.43, № 6, 1993, p. 1−9
  121. A24. Б. А. Володин, A.K. Воробьев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Ю. Н. Ноздрин, А. И. Сперанский, В. В. Таланов. YBCO- тонкие пленки большого размера для СВЧ применений. Письма в ЖТФ., т.21, в. 16, 1995, с.90−95
  122. А26. A.JI. Васильев, С. В. Гапонов, С. А. Гусев, Н. А. Киселев, Е. Б. Клюенков, А. В. Кочемасов, М. Д. Стриковский. High resolution electron microscopy of superconducting films YBa2Cu307−5. Inst. Phys. Conf. Ser. 1988., v.2, № 93, Chapter 6, p. 223−229
  123. A27. С. В. Гапонов, H.B. Ильин, М. А. Калягин, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский, J1.M. Фишер. Анизатропия магнитных и электрических свойств тонких сверхпроводящих пленок YBa2Cu307-s • Письма в ЖЭТФ, т.48, вып. 3, с. 155−158
  124. А28. A. Basovich, S. Gaponov, E. Kluenkov, P. Kolokolchikov, U. Kudasov, V. Platonov et.al. Measurements of upper critical field and magnetic field dependence of the microwave Щ, resistance of YBCO thin film. Phisics Letters A 163, 1992, p. 322−325
  125. A29. A.A. Gorbunov, W. Pompe, S.V. Gaponov, A.D. Akhsakhalyan, E.B. Kluenkov, N.N. Salaschenko et.al. Ultrathin film deposition by laser ablation using crossed beams. Applied Surface Science 96−98(1996) p.949−955
  126. A30. S.V. Gaponov, M.D. Strikovsky, E.B. Kluenkov, J. Schubert and C. Copetti. Crossed fluxes technigue for pulsed laser deposition of smooth YBa2Cu307-g films and multilayers. Appl. Phys. Lett. 63(8), 1993, p. l 146−1148
  127. A31. S. Gaponov, J. Gavrilov, M. Jelinek, E. Kluenkov, L. Maso. YBCO and Zr02 laser deposition on sapphire using two crossed laser beams. Supercond. Sci. Technol. 5(1992), p.645−647
  128. A32 C.B. Гапонов, B.H. Голубев, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин, Н. Н. Салащенко, М. Д. Стриковский. Авторское свидетельство СССР, № 284 235 от 28.12.87.
  129. АЗЗ. R.K. Belov, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et. al. Thin film on sapphire up to 2-inch diameter for microwave application. IEEE on Trans. On Appl. Superconduct. Vol.5, n.2, pp. 1797−1800, 1995
  130. A34. A.K. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et.al. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Supercond. Sci. Technol. 9. (1996) A166-A169
  131. A35. P.K. Белов, A.B. Варганов, Б. А. Володин, A.K. Воробьев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков и др. Эпитаксиальные пленки УВа2Си307^на сапфире для СВЧ применения. Письма в ЖТФ, т.20, вып. 11, с. 1 -5, 1994
  132. А36. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин,
  133. Д.В. Мастеров. Влияние десорбции на формирование состава тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников при магнетронном напылении" Письма в ЖТФ, т.24, вып. 24, с. 13−17, 1998.
  134. А37. M.N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, V.I. Luchin, D.V. Masterov, S.K. Saykov, A.K. Vorobiev. «Y-Ba-Cu-0 Thin Films Composition Formation during Magnetron Sputtering». IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 9, № 2, p. 2371−2374, 1999.
  135. А38. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Д. В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника YФ
  136. Ва-Cu-O при ионном распылении. ФТТ, т. 42, вып. 4, с. 589−594, 2000.
  137. А39. Б. А. Володин, А. К. Воробьев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Ю. Н. Ноздрин и др. YBCO- тонкие пленки большого размера для СВЧ- применений. Письма в ЖТФ, т.21, вып. 16, с.90−93, 1995
  138. А43. А.К. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et.al. Surface morphology, microstructure and electrical properties of YBCO thin films. IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 7, № 2, p. 1642−1645, 1997.
  139. A44. Yu.N. Drozdov, A.S.Melnikov, I.D. Tokman, E.B. Kluenkov, A.K. Vorobiev et.al.
  140. Experimental investigation of a local mixed state induced by a small ferroparticle in YBaCuO films. IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 9, № 2, p. 1602−1605, 1999.
  141. A45. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, С. А. Гусев, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин. Влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников, полученных магнетронным распылением. Письма в ЖТФ, № 4, с.80−85, 1998
  142. А46. А. К. Воробьев, Н. В. Востоков, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, В. Л. Миронов. Исследование неоднородностей в тонких пленках высокотемпературныхсверхпроводников методами сканирующей зондовой микроскопии. Письма в ЖТФ, т. 25, № 4, с.68−73, 1999
  143. A48. А. К. Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Д. В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-0 при ионном распылении. ФТТ, том 42, вып. 4, с.589−594, 200 041. Тезисы докладов
  144. Т4. Е. Б. Клюенков, В. В. Кропотин, Низкотемпературная эпитаксия сегнетоэлектрических пленок, образованных из лазерной плазмы. Тезисы докладов 2 «6 Всесоюзной конференции «Оптика лазеров». Ленинград, 1980.
  145. Т5. С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков. Исследование режимов образования и свойства пленок высокотемпературных окислов, используемых для покрытий силовой оптики. Тезисы докладов 2 Всесоюзной конференции «Оптика лазеров». Ленинград, 1980.
  146. Т7. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, А. А. Гудков, Е. Б. Клюенков, Б. М. Лускин, Н. Н. Салащенко. Взаимодействие эрозионной лазерной плазмы с поверхностью твердого тела и получение пленочных структур. Международный симпозиум «Оптика 80». Будапешт1980.
  147. Т8. Ю. А. Битюрин, З. П. Бекетова, Е. Б. Клюенков, М. И. Хейфец Получение пленок сложных окислов методом лазерного напыления. Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции «Актуальные проблеммы получения и применения сегнетоэлектрических материалов» Москва, 1979
  148. Т9. Ю. А. Битюрин, Е. Б. Клюенков, В. И. Лучин, В. Л. Миронов. Лазерный отжиг многослойных гетероэпитаксиальных пленочных структур. Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1981
  149. Т11. С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский, С. А. Чурин. Исследование особенностей эпитаксии GaAs из эрозионной лазерной плазмы. Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982
  150. Т12. Ю. А. Битюрин, Е. Б. Клюенков. Получение пленок сложных окислов методом лазерного напыления. Материалы итоговой научной конференции ГГУ за 1981. У11, 1982, № 3425−82
  151. Т13. Ю. А. Битюрин, С. В. Гапонов, Е. Б. Клюенков, М. Д. Стриковский. О возможности управления концентрацией и подвижностью носителей тока в приповерхностных слоях
  152. GaAs. Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982.
  153. Т14. Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Н. Н. Салащенко, J1.A. Суслов. Свойства тонких пленок PZT, полученных методом лазерного напыления. Тезисы докладов 14 Всесроссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Иваново, 1995.
  154. Т15. V.Ya. Shur, S.D. Makarov, V.V. Volegov, L.A. Suslov, N.N. Salashchenko, E.B. Kluenkov. Polarization reversal in epitaxial ferroelectric thin films. Abstracts of materials research Society. Spring Meeting San Fracisco, CA, 1994.
  155. T16. Е. Б. Клюенков, С. А. Чурин, Л. П. Черненко. Получение из эрозионной лазерной пламы сверхтонких слоев Nb и исследование их свойств. Сообщения Объедененного института ядерных исследований. Дубна, 1993.
  156. Т17. R.K. Belov, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, A.Yu. Klimov, Yu.N. Nozdrin, E.B. Kluenkov et. al. Thin film on sapphire up to 2-inch diameter for microwave application.
  157. Presented at 1994 Applied Superconductivity Conference, Boston, USA, 1994.
  158. T18. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, V.V. Talanov. V.A. Volodin. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Presented at 5th International Superconductivity Electronic Conference. 1995., Nagoya, Japan
  159. T19. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, Yu.N. Nozdrin, E.B. Kluenkov, a.K. Vorobyev. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Presented at 1996 Applied Superconductivity Conference, Pittsburgh, USA, 1996.
  160. T21. A. Basovich, S. Gaponov, E. Kluenkov et.al. Study of laser deposited YBCO-ZrO-sapphire layers and interfaces. 12 International Vacuum Congress (IVC-12), The Hague, The Netherlands, 1992
  161. T22. S. Gaponov, J. Gavrilov, M. Jelinek, E. Kluenkov, L. Maso et.al.. YBCO-ZrO-sapphire laser deposition. 12th General. Conf. Of the Condenced Matter Division of the E.P.S., 1992, Prague.
  162. Т23. S. Gaponov, I. Godovanik, M. Jelinek, E. Kluenkov, A. Klimov, L. Maso et.al. The problems of multilevel circuit fabrication. 6 Trilateral German-Russian-Ukranian Seminar on ф HTSC Dubna, Russia, 1993
  163. T25. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, A.K. Vorobyev, D.V. Masterov. YBCO thin films compothition formation during magnetron sputtering. Presented at 1998 Applied Superconductivity Conference, Palm Desert, California, USA, 1998.
  164. T27. A.K. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov et.al.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!