Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Собственные электронные возбуждения, люминесценция и рекомбинационные процессы в галогенидах алкиламмония и алкилфосфония

Диссертация: Собственные электронные возбуждения, люминесценция и рекомбинационные процессы в галогенидах алкиламмония и алкилфосфония
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Узкий диапазон изменения физико-химических характеристик ЩГК, АГК и ФГК не позволяет проследить в полной мере закономерности электронных возбуждений и электронных процессов в ионных кристаллах. Поэтому необходим выбор более широкого класса соединений с меняющимися в широких пределах физико-химическими характеристиками и параметрами кристаллических решеток. Такой класс соединений образуют… Читать ещё >

Содержание

  • Введение.СТР*
  • ГЛАВА I. СОБСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ, ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ В ЩЕЯОЧНОГАЛОИДНЫХ И АШОШМЮГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ (литературный обзор)
    • 1. Экситоны
      • 1. 1. Экситоны в щелочногалоидных кристаллах
        • 1. 1. 1. Двухгалоидные автолокализованные экситоны
        • 1. 1. 2. Одногалоидные автолокализованные экситоны
        • 1. 1. 3. Свободные экситоны
      • 1. 2. Экситоны в аммонийногалоидных кристаллах
      • 1. 3. Свободные и автолокализованные экситоны в ионных кристаллах
    • 2. Центры окраски
      • 2. 1. Центры окраски в ЩГК
      • 2. 2. Центры окраски в АГК
    • 3. Рекомбинационная люминесценция

Собственные электронные возбуждения, люминесценция и рекомбинационные процессы в галогенидах алкиламмония и алкилфосфония (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность теш: В течение последнего десятилетия получили бурное развитие исследования свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах, а также рассмотрены критерии их сосуществования. Наиболее фундаментальные к настоящему времени исследования собственных электронных возбуждений и различных эк-ситонных процессов проведены на щелочногалоидных кристаллах (ЩГК), что обусловлено простотой их кристаллической и электронной структуры, а также важными техническими применениями: в оптических и электронно-лучевых преобразователях, в сцинтиляционных, дозиметрических устройствах, и перспективой использования их для создания оптических квантовых генераторов и запоминающих устройств.

Установлено, что важной особенностью ионных кристаллов, в частности ЩГК, является резкое различие в свойствах свободных и автолокализованных квазичастиц. Накопленные экспериментальные данные указывают, что автолокализованные электронные возбуждения играют существенную роль в процессах радиационного дефектообразо-вания и являются решающим фактором, обеспечивающим действие ионизационных механизмов образования радиационных дефектов в широкозонных диэлектриках.

Результаты исследований собственных электронных возбуждений (СЭВ) в ионных кристаллах и различных процессов, протекающих с их участием, легли в основу многих представлений в физике твердого тела, современный этап развития которой характеризуется возрастанием интереса к сложным ионным и гетеродесмическим системам .

Характерно, что выводы, основанные на данных, полученных для ЩГК, можно с успехом распространять на близкие по структуре и свойствам система, к числу которых, в частности, относятся аммо-нийногалоидные (АГК) и фосфонийногалоидные (ФГК) кристаллы. Имеющиеся в настоящее время экспериментальные данные по электронно-дырочным, экситонным процессам и механизмам радиационного дефек-тообразования в этих системах показывают сходство с ЩГК общих черт указанных процессов и механизмов. Наряду с этим имеет место ряд характерных особенностей, обусловленных комплексным характером, молекулярного катиона.

Узкий диапазон изменения физико-химических характеристик ЩГК, АГК и ФГК не позволяет проследить в полной мере закономерности электронных возбуждений и электронных процессов в ионных кристаллах. Поэтому необходим выбор более широкого класса соединений с меняющимися в широких пределах физико-химическими характеристиками и параметрами кристаллических решеток. Такой класс соединений образуют, в частности, галогениды алкиламмония (ГАА) и галогениды алкилфосфония (ГАФ) — PU^.nX (где R =СИ3,С2Н5,ГьНт, Сц"д,.- П =1−4- Х = С?). Эти соединения аналогичны АГК и ФГК и отличаются тем, что в них атомы водорода аммония и фосфония ^PW^ замещены алкильньши группами. Аналогично ионам аммония и фосфония, в ГАА и ГАФ ионы алкиламмония и алкилфосфония f^P^-n" ] выполняют роль ионов щелочного металла, а сами соединения являются органическими кристаллами с ионным типом связи. Благодаря разнообразию алкильных групп и типов замещения образуется обширный класс ге-теродесмических систем с меняющимся в широких пределах отношением радиуса катиона () к радиусу аниона (Iq).

В ГАА и ГАФ большие радиусы катионов и обусловливают большую, по сравнению с АГК, ЩГК и ФГК, разделенн ность галоидных ионов (Ч/с/1а>1), а увеличение поляризуемости катионов ведет к увеличению доли ковалентной связи между катионами и анионами. Кроме того данные соединения обладают низкой симметрией кристаллических решеток и меньшей величиной энергии последних. Учитывая также сходство электронной структуры катионов ГАА и ГАФ с таковой ионов щелочных металлов, а также одинаковый состав анионных подрешеток этих соединений, можно предположить, что электронные возбуждения и электронные процессы в них проявят с одной стороны, определенное сходство, а с другой — своеобразие по сравнению с ЩГК и АГК: в частности, в таких системах можно ожидать малую подвижность дырок и экситонов, большую вероятность автолокализации последних и полную потерю их подвижности.

Учитывая вышеизложенное, нами впервые начаты и проведены комплексные исследования СЭВ, люминесценции и автолокализации экситонов в ГАА и ГАФ. Результаты этих исследований имеют большое значение для построения общей закономерности электронных возбуждений в широком классе ионных кристаллов.

Цель работы — исследование влияния природы и пространственной разделенности ионов галоида, особенностей кристаллической структуры ГАА и йодидов тетраалкилфосфония (ЙТАФ), поляризуемости и конформации катионов на собственные электронные возбуждения, характерные особенности свечения одногалоидных и двухгалоидных автолокализованных экситонов, природу центров, индуцированных ионизирующим излучением, механизм их образования и механизм рекомби-национной люминесценции.

Научная новизна. Впервые: установлено, что длинноволновые полосы фундаментального поглощения катионного и анионного ряда и находятся в области 5−8 эВ и соответствуют возбуждению галоидных ионовпроизведена оценка величин ширины запрещенной зоны и энергии связи экситона йодидов тетраалкиламмония (ЙТАА) и ЙТАФ и показано, что в случае ЙТАФ эти величины соответственно на 0,4−0,37 эВ и 0,3−0,2 эВ меньше, чем в ЙТААпоказано, что при селективном фотовозбуждении образцов R (X = Въ, f) и R^PJl в области экситонных полос поглощения наблюдается интенсивное излучение в УФи видимой области спектра, обусловленное автолокализованными экситонами (АЭ) — показано, что в гомологических рядах R^UX и R^Plf в соответствии с пространственной разделенностью ионов галоида с разной вероятностью реализуется одно и двухгалоидная автолокализация эксито-нов (ДАЭ) — выявлено, что в ЙТАА и ЙТАФ одногалоидные АЭ (Jб) образуются с большей вероятностью, чем в случае йодидов щелочных металловвыяснено, что, в отличие от ЩГК и АГК, обладают более высокотемпературным экситонным свечением и температурная зависимость этого свечения носит немонотонный характер, что объясняется барьерным механизмом автолокализации экситоновустановлено, что величина этого барьера равна 66, 86, 140, 138 и 88 мэВ для (1'ДП.

OUNJ, сСИШ* и соответственно, что значительно больше аналогичной величины для йодидов щелочных металлов (10−30 мэВ) — установлено, что в ряде ЙТАА и ЙТАФ немонотонный характер температурной зависимости интенсивности полос PJI, обусловленных ДАЭ, совпадающий с аналогичной зависимостью соответствующих полос фотолюминесценции, является результатом необходимости энергии активации для автолокализации дырокпо экситонным полосам поглощения (возбуждения), диффузного отражения и люминесценции исследованы фазовые переходы в ГАА и ЙТАФ и определены все известные, а также ранее необнаруженные фазовые переходы. В кристаллах CH^HH^bt и (^W5)3ННЬ*2- обнаружено интересное явление — возникновение свечения в момент но-лиморфного превращения матрицы, в процессе нагрева или охлаждения без предварительного возбуждения образцовхарактерные особенности обнаруженного свечения позволяют отнести его к триболю-минесценцииисследованы спектры поглощения, возбуждения, люминесценции и TCJI образцов ГАА и ЙТАФ, облученных ионизирующими излучениями (УФ-, рентгени ^-лучи) и показано образование в них центров катионного и анионного происхождения. Практическая ценность. а) Исключительно высокая чувствительность кристаллов (С^)^ к УФ-лучам, проявляющаяся во возникновении под их действием чрезвычайно интенсивной TCJI, может быть использована для записи и хранения информации. б) Скачкообразные изменения положения и интенсивности полос экситонного поглощения и излучения, а также возникновение трибоi люминесценции при структурных превращениях ряда систем-«;

СНЖЬг f, САННьВг, [чИ9НН3&г ,.

С&ДОг, (С}Н7)гНН2Бг, (СцН, ЦЬг, (t2Hs)2WJ,.

Защищаемые положения.

I. Длинноволновые полосы собственного поглощения кристаллов ш имеют экситонное происхождение и обусловлены галоидными ионами.

2. Наблюдаемое в УФи видимой области спектра свечение кристаллов Rn НИ^П X с R = СН5, СгН5, СаН7п=з, 4-ХВг. t) и т < rдо \* [&Wi7f возбуждаемое в области длинноволновых собственных полос поглощения, обусловлено автолокализованными экситонами. В соответствии с величиной пространственной разделенности ионов галоида с разной вероятностью реализуется однои двухгалоидная автолокализация экситонов.

3. ГАА и ЙТАФ, в отличие от ЩГК и АГК, обладают более высокотемпературным экситонным свечением и ход кривых температурной зависимости этого свечения носит немонотонный характер. Величины активационного барьера для автолокализации двухгалоидных экситонов значительно превышают аналогичную величину для ЩГК.

4. Фазовые переходы в ряде ГАА, обнаруженные по экситонным спектрам при охлаждении или нагрева кристаллов, сопровождаются серией резких световых вспышек, обусловленных триболюминесцен-цией.

5. Рекомбинационная люминесценция в целом менее эффективна, чем в их неорганических аналогах, что связано с разрывом различных химических связей в ионе алкиламмония и алкилфосфония с образованием молекул диамагнитной природы. Во многих изученных системах под действием ионизирующего излучения индуцируются люминесцирующие центры катионного происхождения.

6. Температурная зависимость интенсивности люминесценции в R^Hjj и Ri, PJ, возбуждаемой рентгеновскими лучами, в отличие от йодидов щелочных металлов, имеет немонотонный ход, что свидетельствует о возможности барьерного механизма автолокализации дырок.

— II.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены и обсуждены на: ХХУ Совещании по люминесценции во Львове (1978) — ХХУП Совещании по люминесценции в Эзерниеки (Ла^в.ССР, 1980) — Республиканской научно-технической конференции молодых ученых, посвященной 60-летию установления Советской власти в Азербайджане (Баку, 1980) — Мевдународной конференции «Дефекты в диэлектрических кристаллах» в Риге (1981) — XII Менделеевском съезде по общей и прикладной химии в г. Баку (1981).

Публикация работы. По результатам выполненных исследований опубликовано 8 научных трудов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Она содержит 121 страниц машинописного текста, 12 таблиц, 43 рисунка и библиографию из 184 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Показано, что длинноволновые полосы в спектрах собственного поглощения широкого класса органических ионных кристалловГАА и ЙТАФ обусловлены возбуждением ионов галоида.

Выявлены характерные особенности собственного поглощения ГАА и ЙТАФ, обусловленные большей поляризуемостью их катионов, большей пространственной разделенностью ионов галоида и низкой симметрией их кристаллических решеток.

2. Показано, что свечение ГАА и ЙТАФ, возбуждаемое в области экситонных полос поглощения, является собственным и обусловлено однои двухгалоидными экситонами, причем вероятность образования одногалоидных экситонов в ЙТАА и ЙТАФ значительно выше по сравнению с ЩГК и АГК.

3.Установлено, что, в отличие от ЩГК и АГК, в ГАА и ЙТАФ в согласии с большой пространственной разделенностью ионов галоида реализуется более высокотемпературная автолокализация двухга-лоидных экситонов. Выявлен немонотонный характер температурной зависимости интенсивности свечения двухгалоидных экситонов в высокомолекулярных ГАА и ЙТАФ, указывающий на энергетический барьерный механизм автолокализации двухгалоидного акситона.

В ряде ЙТАА и ЙТАФ — (СДгХ, М}, (СДдН}, (, C-iWis^PJ, низкотемпературное тушение свечения, обусловленного ДАЭ, сопровождается ростом интенсивности свечения одногалоидных экситонов. Это позволяет предположить, что процесс двухцентровой автолокализации проходит через стадию одноцентро-вой автолокализации. Найдено, что вероятность образования ОАЭ в гомологических рядах ГАА и ЙТАФ возрастает с увеличением молекулярной массы катиона.

4. В ряде ГАА обнаружено необычное явление, заключающееся во возникновении свечения в момент полиморфного превращения матрицы и не связанное с предварительным возбуждением образцов. Это свечение связывается с триболюминесценцией, возникающей при перестройке кристаллической решетки.

По скачкообразному изменению спектральных характеристик (спектры поглощения, диффузного отражения, возбуждения и люминесценции) ряда кристаллов (пум"**, t2u5M>, 1'гН7НН5Ьг, (Сги7)2Ш2Вг, (СцН, Х,№г, (C2U5 ([^-Ц)4HJ и др.) в процессе ьагрева и охлаждения выявлены все имеющиеся фазовые переходы в этих кристаллах в интервале от 80 К до температуры плавления.

5. Показано, что под действием ионизирующих излучений в ГАА и ЙТАФ образуются центры анионного происхождения (Х^, Х^ «), а также люминесцирующие центры окраски, обнаруживаемые по их характерным спектрам возбуждения и излучения. Отсутствие центров, подобных последним, в неорганических аналогах изученных соединений дало основание заключить, что они имеют катионное происхождение и обусловлены кан катион-радикалами, так и продуктами неэлектролитического распада ГАА и ЙТАФ: аминами, алнилгалоида-ми, углеводородами парафинового ряда и др.

6. Установлено, что рекомбинационная люминесценция (ТСЛ и РЛ) в ГАА и ЙТАФ имеет место при низкой температуре (80−290 К). В хлоридах моноалкилзамещенных аммония полностью отсутствует ТСЛ, резко возрастающая в случае галогенидов тетраалкиламмония. В ряду Rn^H^X интенсивность ТСЛ увеличивается в направлении К Ьг ^ .

Спектры РЛ и RuPJ' кроме полос, обусловленных индуцированными центрами, обнаруживают также полосы, обусловленные как одногалоидными, так и двухгалоидными экситонами.

— 176.

В спектрах TCJI этих образцов обнаружены полосы, соответствующие индуцированным центрам, но основная запасенная светосумма реализуется в виде свечения, спектральный состав которого совпадает со свечением ДАЭ, что соответствует представлению о возникновении двухгалоидных экситонов при рекомбинации электронов с Vk —центрами. В то же время в спектрах TCJI не проявляются полосы, обусловленные одногалоидными экситонами, что интерпретировано как результат малого времени жизни одногалоидных дырок.

Установлено, что в отличие от ЩГК, в ряде ЙТАА ход кривых температурной зависимости полос PJI, обусловленных свечением ДАЭ, имеет немонотонный характер при нагреве от 80 К, сопровождающийся уменьшением интенсивности свечения одногалоидных экситонов, что свидетельствует о необходимости энергии активации для автолокализации дырок.

7. Ряд результатов настоящей работы представляет практический интерес: а) Исключительно высокая чувствительность кристалла С С^Нт к УФ-лучам, проявляющаяся во возникновении под их действием чрезвычайно интенсивной TCJI, может быть использована для записи и хранения информации. б) Скачкообразные изменения положения и интенсивности полос экситонного поглощения и излучения, а также возникновение три-болюминесценции при структурных превращениях ряда систем [HjNHJW, DUM"bi ,(1"НВ), ННК, t^UyHUfcfc могут быть использованы для обнаружения, визуализации и регистрации тепловых полей. в) Кристаллы (Счи9)цМ}, (CtHfc^NJ, (С10Н2,)нН^ > обладающие при температурах, близких к комнатной, собственным.

— 127 свечением, могут быть рекомендованы для выяснения возможности их использования в оптических квантовых генераторах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

К 4 ГЛАВЕ.

Методами оптической спектроскопии исследован механизм образования и природа радиационных дефектов, а также механизм рекомбинационной люминесценции.

Изучение центров окраски ГАА и ГАФ при 80 и 300 К по электронным спектрам поглощения, возбуждения и люминесценции показало, что в этих соединениях, кроме радиационных парамагнитных дефектов, идентифицированных методом ЭПР, имеется ряд дефектов диамагнитной природы типа xg., xj, иг, нх, rx, аднз-п, шгпм и т. д.

Исследование температурных зависимостей полос поглощения показало, что обнаруженные под действием ионизирующего (рентген-и лучи) излучения центры окраски катионного и анионного происхождения в высокомолекулярных ГАА более стойкие, чем в низкомолекулярных галогенидах алкиламмония. При нагревании кристаллов ГАА и ЙТАФ от 80 К интенсивность свечения индуцированных центров уменьшается, что связано как с их температурным разрушением, так и с температурным тушением люминесценции.

Приведенные нами экспериментальные данные свидетельствуют о том, что природа индуцированных центров окраски в ГАА и ЙТАФ существенно отличается от АГК и ЩГК. В отличие от ЩГК, в АГК, ГАА и ЙТАФ большую роль играют дефекты, связанные с разрывом различных химических связей в катионе с образованием дополнительных типов центров окраски дырочного типа.

Установлено, что в ГАА и ЙТАФ, в отличие от ЩГК, разрушение одних видов дырочных (электронных) центров окраски приводит к уменьшению концентрации других, что обусловлено химическими реакциями, происходящими между всеми дырочными центрами окраски и приводящими к образованию молекул диамагнитной природы.

Fцентры в ГАА и ЙТАФ либо не образуются, либо образуются с чрезвычайно малой эффективностью вследствие нестабильности их химических аналогов ^п^Н*.

— 173.

Свечение, обусловленное одногалоидным релаксированшм энсином, в спектре TCJI не было обнаружено. Высказано предположение, что большая реакционная способность дырочного компонента однога-лоидного экситона обусловливает эффективное вступление его в реакцию с окружающими катионами с образованием катион-радикалов и молекул диамагнитной природы.

Исследование TCJI ГАА дало основание заключить, что пики TCJI могут быть обусловлены не только электронно-дырочными процессами, но и рекомбинацией радикалов в ходе их неизотермической релаксации и в области фазовых.переходов. Установлено, что, в отличие от ГАА, в ЙТАФ рекомбинационные процессы не связаны со структурными превращениями. Исследование спектров рентгенолюминес-ценции и ТСЛ показало, что в рекомбинационных процессах проявляется свечение не только автолокализованных экситонов, но и свободных радикалов катионного происхождения.

В отличие от ЩГК, наблюден немонотонный ход интенсивности свечения двухгалоидных экситонов при повышении температуры от 80 К до 135−160 К в процессе возбуждения ряда йодидов тетраалкиламмо-ния ([Д^, (, (CuAWqNt рентгеновскими лучами, сопровождающийся для большинства из них уменьшением интенсивности свечения одногалоидных автолокализованных экситонов. Указанная особенность сохраняет силу и в случае ЙТАФ, что идентифицировано нами как результат необходимости энергии активации для образования Vk. -центров.

Показать весь текст

Список литературы

  1. радлКС^ X On the ltanvfo7.tna.tion of fcg-ht 1. to beat in Sofocb. 1 РЦ$. RdV., i931, V.37,Ml, p. П-25.
  2. А.С. Теория молекулярных экситонов.-М.Наука, I968,296с.
  3. Waniwi &-.Н. The siuictme r&ctionicxdtaiion cto&eh in Jnsubxiinj PtyS.Rev., 1937, v.52 JH3t p. 191−197.
  4. H., Герни P. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -М.Изд.ИЛ, 1950,304с.
  5. Г. Теория экситонов в кристаллах.-У®, 1959, т. 68,1)54, с.565−619.6. 5Ысг V. fxcilon Jttodek Ln ih
  6. P. Теория экситонов. Пер. с англ.-М.Мир, 1966,219с.
  7. HidsK R., Pohp Iiw. Citiije «Disfeittonsf^enzai du A&afi'
  8. Wafo^iJufctotte in Sthuman Miit.-Z.Phf!>., in о/1. Bd 59, H.1M2, $.312−619.
  9. АрШ. Z, Tafi ftsbAlion о f? xl
  10. Г. Г. Взаимодействие экситонов с дефектами щелочногало-идных кристаллов.-Труды ШАН ЭССР, I960,№ 12,с.149−175.
  11. Дж. Оптические спектры твердых тел. Пер. с англ.-М.Мир, 1969,174с.
  12. Qtwtaa 6., То^ова>аа 1 fxcibtis in A^aft Ha&cfcs.- Jf. fhy*. Soc. Japan, 19"7, V-22.N3, p. 833−6M.
  13. Pientt? 3- OtrdiG ¦Lienstozmatfon of into He. ei Ln
  14. Pl^. Uv., LQ31, V.37- N9, p. lZ7b-L29b.
  15. F. ИпйградЬА’юп o{ -the o{ attab hafcdft ThaMrum. — 1 (W. Pk^., 193&, V.6f №t
  16. Шп В., toiSf? 3. ScintiWaiionS, dts paiticafb doM
  17. Csf. -JA .РЦ<>. ada, 1555, Y.26,|. 3−1, p.27i-2&0.
  18. Van SoiDfti., Hofsbdttz. R. Soipli^alion and Оит’п&Шпсе, cn unaditraW M"iJ PhjfS.btV., 1955, V.97, Ы^, >-lM.17. „Uejaidcn Н.Э. faminescince of pa-bssium ^odidc.-phtf>. Rilv., 1957, V. {05, № (p. 1222−1227.
  19. Castnei Т., tan2ij V .The *?"cUnic s-Uctuu o{ V-cenW-J.PhjfS. Chw- So“.|i95T-V.3lM3^|p. i7b-i99.
  20. Кабй&г Л. tempetaime uzcom&nab'on Lm. oas>-cwe in ha tola ci^-tak.- Ph^s. fav., 19Й, V. U (A, p. 1296 -130^.
  21. ЛЛиггоу F.3. R^comSinaiion damin^c&ice |гот Vk C? nl
  22. Э.И. Взаимодействие экситонов с молекулярной решеткой.--Изв.АН СССР, сер.физ., 1957, т.21,^1,с.37−47.
  23. Clio К., To^aioujt/a У. ?xciton Hionon Onbmction and Optical Spedia — Srf|- tuxppinj — 2его-Ропоп cine! Йгопоп Sidfc-iandS.-J.Pk^apan, l97lr V.30, p. 1555- 1574.
  24. Sumi H-, Toy 2aj^a У. Ihfcach llcalienssen uulU and скаЧоп bapped тот<�гл1аг<^. йу? аШсг Тйвэд&оп.- j. Pb^S. Soe. japan, 197i, V.3L, H2, p. Ък2- 356.
  25. Sum! H. ?xiion Monon intamciion in fcta Cohe.ze.nt pot^ntiaC appmimoiioo Witt app&ccdion oph’cai Specie .- f. py. Soe.рал, 1972, 4. U fi, p. 616 ' 62&.
  26. И.JI., Либлик П. Х., Лущик Ч. Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах.-Письма в ШЭТФ, 1975, т.21, вып.2,с.161−163.
  27. И.Л., Лущик Ч. Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами.-Изв.АН СССР, — 180 с ер.физ., I976, т.40,№ 9,с.1785−1791.
  28. Н.Е., Соовик Х. А. О поляризации люминесценции свободных и локализованных экситонов в Nat, КГ и ЬЬ» .-Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40,№ 9,с.1922−1925.
  29. JiU2aWa A, Kojima 1. Xum (n
  30. Ч.Б., Куусманн И. Л., Плеханов В. Г. Люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами, дырками и электронами.-Изв.АН СССР, сер.физ., 1979, т.43,Г6,с.П62−1168.
  31. Futtli MMfamS R.T.- AN. Т-гххпьМ optica*? оЬьогрЬ’оп Self tapped excibnS, in atoft' bafcdg CT^WiPk^. kv. Ш., 1970 (yjs f N7, p. W — W9.31. bairfini G., bosaccini fe. Optical pupate of авкай bafefe
  32. РЦ*. ШЪ, V. U6, M3- p. 863- 870.
  33. И.Л., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах.-Труды ИШАН ЭССР, 1976, т.46,с.5−80.
  34. Р.А., Лийдья Г. Г. Низкотемпературная люминесценция чистых и активированных кристаллов м при возбуждении в экситонной п оло се.-ФТТ, 1969, т.11,вып.6,с.1641−1649.
  35. В.В., Шерман А. В. Адиабатические поверхности и оптические спектры автолокализующихся экситонов.-ФТГ, 1976, т.46, с.120−142.
  36. Даггопи Al^octUn F.W., Kaifo AM. EPR. in tupld state o{ tW setj-liappea «xciton-Pb^&.Rev.Xctt., 1973, V.3i, tlT (p. Ш-Ш.
  37. Mb AM.1PcAUisonS.A. feita |ог a ttfpfiet state of fcU ^{Дгаррес! aciton in hc$ck c^tafe.-Ph^.- 181
  38. Р.А., Лийдья Г. Г., Соовик Т. А. Затухание экситонной люминесценции ^ при низких температурах.-Опт. и спектр., I971, т.30,вып.2,с.279−285.
  39. Jfeiont JH.if., Uibz JU. N, Jiajnabc йгы&ы po (!
  40. M.H., Марроне М.Дж., Фаулер В. Б. Магнетооптические эффекты в рекомбинационной люминесценции самолокализованных экситонов.-Изв.АН СССР, сер.физ., 1973, т.37,Р2,с.341−346.
  41. Mmrn U.-?on-Lana Van $ei&ez V. Р? орег-1{с$> o| occibn staW in Najf. X- The intosic photo (!u mi n
  42. Э.И. Сосуществование свободных и автолокализованных экситонов в кристаллах.-Изв.АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, 19, с. 1793−1800.
  43. Ui^rmaa U.-lormua JJL, J'.PhjA. Soc. Japan, L975, V.59, p.390.
  44. IE., Twjaidan tJ., flatten ЪЬ. Ufexmofct Jbozf -lion of' adtafc hay.-}hfi.hv., i959XiU, P-lo19-l{oS.
  45. P. ЕИекЬоп&п EmzfivzzQuvL — Jteunp? and liczgchunji OfticW IfonsWUn. l. KjQ^um^micl.- Pb^v
  46. Ч.Б., Васильченко E.A., Либлик П. Х., Лущик А. Ч., Лу-щик Н.Е., Соовик Х. А., Тайиров М. М. Динамика автолокализации и распада экситонов в 0">Ьг при 4,2 К.-Труды АН ЭССР, I981, т.52,с.7−51.
  47. Ejiti A. The. afoo^ion $ресЫ о{ аёкпЬ Ьaftclesр- роНаъгес! &-аамлгг u^WmoW zadlation. Sci.- 182 -ЩЫ, 1317, V.26,Ni, p. 1−24
  48. Ч.Б., Васильченко A.E., Лущик H.E., Пунг Л. А. Релакси-рованные и нерелаксированные возбуждения в кристаллах типа-Труды ИшАН ЭССР, 1972,№ 39,с.3−46.
  49. Pehoff У., PincUux I., Chzcioum С. dai ^xcitom'c Sluxcttm o| atofe ha^o/cs Uv. Uit, L9U, 4.21? Й20, p. 1Ы7- 13&&.
  50. TomiKA Jii^aia T. JsaiCamoio H. Tempestu4 defen-oUncC o| IW lunolamcnb^ Spectia of potassium ha& -olcs in Ihecliaman u^WioW on (4t4-il, Sa) r I Pbfi. W. foan, {973,4.15 J2, p. 507.
  51. В.П., Лущик H.E., Плоом Л. А., Соовик Х. А. Люминесценция и радиационные дефекты в NaBz. и H<*f ,-Труды ШАН ЭССР, 1976, т.46,с.ИЗ-И9 (рез.англ.).51. jUijaia 1 Uciion 5tuduu of Na cW Na Бг. f. Phfi. Soc. Japan, l%9, 127, H^.Zti.
  52. H.E., Соовик Т. А. Возбуждение люминесценции примесных центров в при оптическом создании экситонов.-Труды ИФАН ЭССР, 1974, iM2,с.61−80.
  53. И.Л., Либлик П. Х., Лийдья Г. Г., Лущик Н. Е., Лущик Ч.Б, Соовик Т. А. Краевая люминесценция экситонов щелочных йодидов. -ФТТ, 1975, т.17,вып.12,с.3546−3550.
  54. И.Л., Либлик П. Х., Лущик Ч. Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах.-Письма в ЖЭТФ, 1976, т.21, вып.2,с.162−165.
  55. .К. Структурная электронография.-М.Изд.АН СССР, 1956, с. 293.56. fcass W., 1, СохФ.Е., е., fomib^UtoI W. N"U-tzon oliffmetion тса$иг<�шелН on tha Р-Т
  56. Pta*>z diagram of ammonium tu>mide.- Ph^. Re.v. 6. Softd SbU, 1976 Kl5, p. 1985- 1956.
  57. Ф.Ф., Бетенекова Т. А., Пилипенко Г. И., Чолах С. О., Тютюнник О. И. Оптика и спектроскопия монокристаллов гидрида лития (обзор).-Химия твердого тела, Межвузовский сборник, Изд. УПИ, Свердловск, 1982, с.65−87.
  58. Ч.Б., Плеханов В. Г., Чолах С. О., Гаврилов Ф. Ф., Пусто-варов В.А., Бетенекова Т. А., Завьялов Н. А., Лехто Т. А.,
  59. О Коннель-Бронин А.А., Халдре Ю. Ю. Локализация и распад экситонов в .-Труды ИФАН ЭССР, 1981, т.52,с.71−92.
  60. Wittd R.C., Wa? m W. C fxCiton and MttUnd Spicbn of (tytaifena CaQ.- Ph^?>. Uv., i969, V.{&&-
  61. А.И., Ильмас З. Р. Отражение кристалловотграней (I0II) и (0001) в области 4,5−14,5 эВ.-ФТТ, 1975, т.17, вып.7,с.2132−2133.
  62. Э.Р., Кузнецов А. И. Фотопроводимостьмлв области края собственного поглощения.-ФТТ, 1972, т.14,вып.5, с. I464−1468.
  63. Changf N. L F? uo-MShy-S., {963, V.34, p. 3500 — 3504.
  64. TippinS H.H.- Absorption «dje specizam oj? S"ano (itfm Oxidg.-The tfoiana^ of Physics and ctamisby of SofeJs, i9U, V.27 J7, p. l069- {07? .
  65. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в- 184 ионных кристаллах.-Восточно-Сиб1фское книж.изд., 1977, с.3−208.
  66. Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. -Пер. с англ., М., ИЛ., I960,304 с.
  67. Кац М. Л. Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочногалоидных соединений.--Изд. Саратовского ун.-та, I960,271с.
  68. Я.И. О поглощении света и прилипании электронов и ложительных дырок в кристаллических диэлектриках.-ЖЭТФ, 1936, т.6,с.647−665.
  69. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.-УФН, 1977, т.122, вып.2,с.223−251.
  70. Дж., Виннард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах.--М., ИЛ, I960,243с.
  71. SonJkt Е&bdquo- StMey W.A. in: Point Dejeds in Sofcls.v.L, E4J. (WM ana Эдклп Lit., N.V. Plenum1972- p.201.
  72. Ibh N. Foima-tion of lattice defects ty LoniBinj tadi -alion in (xhak ha&'cks в'.РЬу&.СРадпс^, m (1977), V.3T ,*U2, CeWoj. ilT, p. 27−37
  73. Ч.Б., Гиндина P.И., Йыги X.B., Плоом Л. А., Пунг Л. А., Тийслер Э. С., Эланго А. А., Яансон И .А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногало-идных кристаллах.- Труды ИФАН ЭССР, 1975, т.43,с.7−62.
  74. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Соовик Х.А, Тапиров М. М. Распад экситонов на дефекты и поляризованная люминесценция при рекомбинации дефектов в ЧЬг .-Письма в ЖЭТФ, I980, т.32,Р9,с.568−571•
  75. А.А. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах.- 185 -Изд.Томского Ун.-та, 1968, с.3−376.
  76. В.Я., Бауманис Э. А. Генерация и термическое разруше-шение У2. -Центров в КВт. .-Ученые записки «Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах», Латв.Гос.Ун., Рига, вып.4,с.245.
  77. Ч.Б., Гиндина Р. И., Пунг Л. А., Тийслер Э. С., Зланго А. А. Яансон И.А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах Изв.АН СССР, сер.физ., 1974, т.38, с.1219−1222.
  78. A.M. Теория дефектов в твердых телах.-Изд.Мир, М., 1978, т.2,с.7−347.
  79. И.К. Автореферат кандидатской диссертации, Латвийский Гос. Ун., Рига, 1970.
  80. Scudon ЭДоп N. Н ccntoaction duunfr thzmal anneafonj in. — Tha jouzhal o-f Phfiici and ckmish^ of SoWs. -1973, V.34, p. 1165 -{171
  81. Ч.Б. Собственные электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов.-Труды ИФАН ЭССР, 1978, т.48,с.24−63.
  82. Е.А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., СоовикХА, Тайиров М.М. Образование вакансий и интерстициалов в щелочно-галоидных кристаллах при оптическом создании экситонов.-ФТТ, 1981, т.23,вып.2,с.481−487.
  83. Роо (м ф. 110. anion «up^aeeiMn-t Vi^ucnecs in aditadi hafo ancl th
  84. TaicchiSa y.-HickaK.i ilasamitsu W.umincsctnce and сойогcmto. formation feu -the optica? conmsion o? SIE in КВг and ML- flfys.Soc.
  85. А.Ч., Колк 10.В., Халдре Ю. Ю. Рекомбинационный и экси-тонный механизмы создания френкелевских дефектов в КС0 и KW-Aj при 4,2 К.- Труды ШН ЗССР, 1982, т.53,с.193−217.
  86. Ю.М., Пичугин В. Ф., Франгулянц Т. С. Термическая устойчивость центров окраски, образованных при температуре жидкого азота в кристаллах твердых растворов КС(! и К&г .-Изд. Томск.политехи.института, I977, т.247,с.83−86.
  87. Ч.Б., Гиндина Р. И., Маароос А. А., Плоом Л. А., Лущик А.Ч, Пунг Л. А., Пыллусаар 10.В., Соовик Х. А. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах kW .,-Ф1Т, 1977, т. 19, вып. 12, с.3625−3630.
  88. Мелик-Гайказян И.Я., Куракина Э. П. Радиационное образование дивакансий и катионных вакансий в КС£ .-Изв.АН СССР, сер. физ., 1971, т. 35, if-7, с. 1360−1363.
  89. С.И. Исследования по электронной теории кристаллов.--Гос.изд.Технико-теоретической лит.-ры, М.-Л., 1951,254с.92. isdeamj С.Й. у Ъопд L?> Оnihiz (amietna (улапЖп^ of F cenUts in aticaft haftda — - $оЫ State Com -munS, 1960^ v. 33, p. 907- 910.
  90. Onj Chon
  91. F-ccrrUiS iri qfitafc hafrdes witft Nfttt Stmcime .
  92. Ap^oiption and the cfzomnd. R
  93. Ш state, 1977, V-M6, p. 3&98 390S.- 187 94.amo A., NuxaxhmeW T. and бстшИоп JUkctaniim o{ ВЦ СtnUs in X- Rayed Ш -Stal. Sofcdi, (I) miV.7bJ?) p. 529−536.
  94. Мм C.M., BiMei K.jU., NoTjett M. i ЧпЬмИШдфеIs in UzadiaW atoft hcftcks.- So&J State {975, V.5, N3 t Lb4-L-M.
  95. Ruchadt H. PholocUmische tftufckU^ /1 mmoniumhafcjtnielin.- Z. ШЗ, Bd -134, H.7, 554 563.
  96. Patten P., jUawoM jU. VK ~ Ccnhi in ИНчВг and
  97. NH4C? e^tah. Ptys. RtVv 19C6, v.?», 1. P. 513- 5ib.
  98. PodszuS В. {Dutch Basfoftuigf mil Ronton tichtlii Ш and 1'1ттпктршЫ Mifoz&hs AmmoniurpfodJ.--I. c/iv {971}V.26q, N7, p. ll&i ' 1186.
  99. А.Г., Пшежецкий С. Я. Исследование методом ЭПР образования радикалов при у"-облучении некоторых солей аммония и гидраз ония. -Ж. физ. химии, 1964, т. 38, SJ-8, с. 1920−1925.
  100. Сове Т. Paiamajnetic Sheets in faadioUJ ЩЮц- Ь km. Ру., 19И — v.35, N4, p. 1169−1174.
  101. Mazcjucizcli Palten P. РагатачпА’с шопапег of a Kucl^a^iin izzacliahd ammonium cbloziclc Cifiak.- Ш Slate Commun., 1969^.7,"I3- p.393- 395.
  102. Антонов-Романовский В. В. Введение в кинетику фотолюминесценции кристаллофосфоров.-М., Наука, 1966,324с.
  103. ЮЗ.Лущик Ч. Б. Исследование центров захвата в щелочногалоидныхкристаллофосфорах.-Труды ®-АН ЭССР, 1955, т.3,с.3−227. 104. Лунник Ч. Б. Исследование эффективности термолюминесценции при термической обесцвечивании щелочногалоидных кристаллов.-Труды- 188
  104. ШАН ЭССР, с ер.физ., 1967, т.31, № 12, с. 1968−1969.
  105. Юб.Пунг JI.A., Халдре Ю. Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭПР и рекомбинационной люминесценции.-Труды ИФАН ЭССР, 1970, № 38,0.50−84.
  106. Юб.Алукер Э. Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов.-Рига, Зинат-не, 1979, с.5−244.
  107. Шг JM.N., Wifcms И Vacancy inieislitio* роиг j? wduc.{ion Aciun-hvdi zzcomtfinabion ih ha fide- Phy*. Re*, ?97&, Bib, M, p. im-1960,108.? ?933, V. ii. AKadgmiscta OtdoLffiest/fschafi- p. 606 635.
  108. Hujtas &>scom& W. Th<2 cy&ta? siwciuM meth^ammonium ch&ozidc. km.thm. %c.} 1946 7 rtlo, p. 19/0- №.
  109. Ga (>? ?.Th
  110. ПЗ.Мамедов А. П., Панова Л. Я., Алиев Б. М., Керимов Н. М. О люминесценции хлорида метиламмония, активированного таллием.-Ж. прикладной спектр., I972, т.17,Р4,с.719−721.
  111. Je№nec P. Du^taP Sizuchszz о-Р the low htmpnaiuzeогт о| mcnoHWamine huclio^-Mmicle. Acta Cv^t.- l9Se>-V.{l.iU, P.626−631.115. tinj &pscom4 f. The sliudims oJUta П-p^putf-ammoniam haftcks ai ъоот -ЫтрелсгЫге. Acta1.yst., {950,V.-p.222−227.
  112. A^ed. ?>., Ripmecste* J. fesoton of motions iniht ihw «.oft'ds VhftMS of mtthubnmonJam Mv’cln CHSWH3K
  113. N. Htydt^tn bond Studies. 62. ThecvfdaP slmcluie of q hijh iempгадЬт modi-fica -lion of c|ime-Hy ammonium ch&We (CHj^NH^K--an X-l&f and ihfzaied Siudf. /Мд. Chcm. Scand--1972, V.2M&, p. Zoi/3−3052.
  114. TscK* f.^Gilbon 9. Ммс&аг ma^ndic tcscnance studies of ьоЫ wdhularnmonium ha6dt$>. Can.f. chcm., (970, vM, H5 t p. 7П-122.
  115. Ancluix/ ?v CanApa P. А ргоЬп magnate VLSonmcd intm--Цо^ол of Sofej mono-, di -, Iti and WzametMammonium Mzicltt. — f. Majn. Ыоп., 19721V. 7, Й, p. 429- W.
  116. К., Нордлинг К. и др. Электронная спектроскопия.-М., Мир, 1971, с. П7.125. &tcU A tysfof trwy’itS JUzmo^mmk PazcxmciezS, Ornol Sofiaof Some Tdzaafc^amrnoriium HaWes. — 2. PkyS. Cbtm. hat Pa^, {910, ЫП, Ц. iS .91−98 .
  117. C&mwii Stuif of trie dtclwnic stvueiuze of mlmhi. Ml Cbaiyt banstez meciantem tbcuadion. % Ckm. Ptys., 1967 Y.
  118. Boucl R. J&xttic* tnizffhi and li^dzalm Thzzmocltyha-mics of atfK^ammoni'um Hafcol es. — jf: Chun.1. Ш-1Ч1Ч.
  119. Weil Poix/сДО H. TU ajy&xl and rno&c"0az Stmttu4 o{ tdiad: bu?amrnomum Jodicle. ft. CUm. Soc., 1958» ^ N5^ p. 1872- Ш5.
  120. П., Гримм X., Герман К., Петере К. Применение рентгенографического Фурье-анализа к проблеме химической связи.-Усп.химии, I940, т.9,№ 4,с.419−459.
  121. .К. Структурная электронография.-М., Изд. АН СССР, 1956,314с.
  122. Т$сщ «J. bibon М^тогрЬ^т in n-a^arnmonium
  123. A difteurvlial Scanning ooioTjoimlijie. Siud^.- J. c-b
  124. Kmcj Jl.} &pcomt J. Tbe SbueW
  125. W., Маскцу R. phase ±ianSi{onS in itlza a Ik ft ammonium jodih bvtb-f. PhyS. W, i97{ f V. 15, Ш5, р. 2066−2069.
  126. Com T.- Дт^гоье fmj fan? Fusion pzopulies of $orn
  127. Лт.Ект. $oc.j 970 -V. 92 — frliS, P. 6293−5297.
  128. Ю.П., Егоров Ю. П., Фещенко Н. Г. Осинтезе и рентгено-структурных исследованиях тетраамилфосфониййодида-ЖСХ, 1970, т.И,№ 5, с. 941−942.
  129. В.П., Красан Ю. Г., Маковецкий Ю. П. Предварительное рентгенографическое исследование (tiW^^?^ .-ЖСХ, 1975, т.16, № 5,с.917.
  130. Г. Б. Кристаллохимия.-М., Наука, 1971,400с.
  131. И.Е. Спектроскопическое исследование механизмов межмолекулярных взаимодействий с участием солей фосфония. Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук.-Киев, 1973,20с.
  132. Г. С., Оя Х.П., Рыльцев Е. В., Суглобов Д. Н. Спектроскопическое определение энергии диполь-дипольного взаимодействия в растворах галогенидов триоктиламмония.-ТЭХ, 1969, т.5, № 2,с.254−259.
  133. М.Т., Гнилицкая А. Н. Определение поляризуемостей и радиусов ионов в водных растворах.-Ж.физ.хим., 1977, т.51,RS3, с. 711.
  134. HentWtS 2.B. Tk Stwiutc of theamrmmium Ha^cl^.-1928,V.67- IhU-hb1.
  135. Q^jina&niittolWtfn. lч h*atbj^amn?oni* j>odid .-(c)ie tou^senschaft, 1940, Bd A S.366.
  136. Киг^С Diijinafmltteifw-n^n. Tbmdh^ammonlum^odicl unol Тг< metli^ S4в|on"am jocW. SciWkn- 1941,
  137. V^jptd 2?. TU Situduu of th.%5- loot.148. tow tit Ч.Л., E.' An Addition Compound of Uhadhy&mmonium biomiJQ and $uccinjmijlAn.1. Adclji1 on Corn роило/ tf-f^ 19 571 p. -1872.
  138. The (tysW &tuc?ut* o|Ue tefeameth^ammoniam hafedcs.-Wst.f ?928f V.67, p.9Mo5
  139. Dm|o?c^ H- Bontanc/У^ СЬсилй H., fomanci*n 6 •
  140. А.П., Панова Л. Я., Шабалинская Л. А. Ультрафиолетовые спектры поглощения галогенидов метилзамещенных аммония.-Опт. и спектр., 1977, т.43,№ 3,с.569−5171.
  141. А.П., Панова Л. Я., Шабалинская Л. А., Тагиров И. М. Об экситонном поглощении галогенидов этилзамещенных аммония.- 193 -Опт.и спектр., 1978, т.44,№ 4,с.820−822.
  142. A.M. Вопросы теории растворов электролитов в средахс низкой диэлектрической проницаемостью.-Л., ГНТИХЛ, 1959, с.27--31.
  143. .Я., Ярославская Ю. Н. О неэлементарности длинноволновой экситонной полосы поглощения в кристалле К^.-Изв.АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1970,1453,с.33−37.
  144. Р.А., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Экситонные процессы в щелочногалоидных кристаллах.-Труды ШАБ. ЗССР, 1969, т.36,с.3−56.
  145. А.П., Панова Л. Я., Джафарова Р. А., Мардухаев В. Р. Свечение автолокализованных экситонов в йодидах триалкилзаме-щенных аммония.-ФТТ, I979, т.21,вып.12,с.3728−3729.
  146. А.П., Панова Л. Я., Соовик Х. А. О люминесценции йоди-да тетраэтиламмония.-Труды ИФАН ЭССР, 1975, т.43,с.134−140.
  147. Р.А., Мамедов А. П., Панова Л. Я., Салаев Э. Ю. Собственное поглощение и люминесценции автолокализованных экситонов в йодидах тетрапропил- и тетрабутиламмония.-Изв. АН Азерб. ССР, сер. физд-и мат. наук,№ 3, с.84−87.
  148. А.П., Панова Л. Я., Джафарова Р. А., Мардухаев В. Р. Экситонное свечение бромида тетрабутиламмония.-Ж.Опт. и спектр., 1981, т.51,вып.6,с.Ш4−1116.
  149. JWclo* A., Jiaictahaw i.%. £Р£ SpectiA of Vk- centers in some X~ to^ed аЫ^ammonium tumides .-XX. Sptfctwseopicum! Jntenationa? Confine® on A-tonrifC $pScop^. AfeUaclS. ЫЫ t 1977,^.570
  150. M.A., Мамедов А. П., Мардухаев В.P., Наджафова М. А., Салаев Э. Ю. Спектры ЭПР-центров, индуцированных ионизгфущим излучением в некоторых хлоридах алкиламмония.-ДАН Азерб. ССР, сер. физ. хим., 1977, т. 33, РЮ, с. 38−41.
  151. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Тайи-ров М.М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания Р, Н -пар в щелочногалоидных кристаллах.-Труды ИФАН ЭССР, 1983, т.54,с.5−37.
  152. Рс&ел F. Pa^Amftfnclic and ЩъЬг cofct tdnidi in aicidiated ammonium haCidcs S>«njU etasbxfc Ph JS. ^ i%b>V- 175 ' P-~U27'
  153. А.П., Мардухаев В.P., Салаев Э. Ю. Исследование термического превращения ион-радикалов в некоторых облученных хлоридах триалкиламмония методом ЭПР.-Химия высоких энергий, 1978, т.12,№ 5,с.418−420.
  154. Л.Я. Внутрицентровая и рекомбинационная люминесценция некоторых галогенидов алкиламмония, активированных таллием. Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук.-Баку, 1974,20с.
  155. М.В., Никольский В. Г., Дубен Н. Я. Термолюминесценция и спектры ЗПР органических соединений, облученных быстрыми- 195 электронами.-Кинетика и катализ, 1964, т.5,вып.2,с.268−279.
  156. В.Г., Дубен Н. Я. Радиотермолюминесценция органических соединений.-ДАН СССР, I960, т.134,PI, с.134−136.
  157. В.Г., Точин В. А., Бубен Н. Я. Стабилизация электронов при низкотемпературном радиолизе органических веществ. -ФТТ, I963, т.5,вып.8,с.2248−2251.
  158. Н.С. Отрицательные ионы.-УФН, 1958, т.65,вып.3, с.351−381.
  159. С.Я., Котов А. Г. и др. ЭПР свободных радикалов в радиационной химии.-М., Химия, I972,480с.
  160. В.Л. Химическая природа ловушек, образующихся при радиационно-химических реакциях.-Изв.АН СССР, серхим., 1959, № 2,с.369.175. {)4!>еся .fr P.H. ApSotpiiort SpzcUa of Р/, MJand? in {hi AM'1.6L, V. l2l, tf p. io3-i06i
  161. А.А., Нурахметов Т.Н. Создание и разрушение дырочных
  162. Ьгъ -центров в КЬг -Ш1,1976, т.18,вып.4, с. 1147.
  163. Tench A.J. ihchfin Spin Resonance in an fczacliaM Сг^-ta? of Te? tamd:b<^ Ammonium dilov’de. fhdof ckmicq? Ph^.'c^ 1.963, Y.3&, N3, p.593−597.
  164. Rnch A.^- ifomrnapdri’c damaffi in гоЫ Idiamdhyl-ammoniam haMiS. Fvul tadi’ca^ cd W
  165. Urnpambum.- f.Phtfi.chzm., 924.
  166. ЪаъыЦ I. ?PR da-iaetnigatioh o{ xad-a
  167. R^V IM an cJ lA-Wat f. Cbim.SoC.
  168. Fatacl^ TzanS, 1979, раг-l Y. 75, f.2l0−2d.
  169. V^^ buin^. Tilt mas-c, of iU pyvfyb’sjWuctS of soma leliaa^^cxmmoruum arid Sisithaa^-amrwhium W"i».-bn.fl. fliim {074, Y.52 Jl9, p. 3V3&-3W3.
  170. Д.К., Грабовскис В. Я., Гринфельде Я. К. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах.-Ученые записки Латвийского Госуниверситета, Рига, 1973, т.193,вып.I, с. 63.
  171. Ч.Б., Гиндина Р. И., Пунг Л. А., Тийслер Э. С., Эланго А. А., Яансон Н. А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах А^вУ-^.-Изв.АН СССР, сер.физ., 1974, т. 38, iiD-6, с. 1219−1222.
  172. Ф.Д. Об объемном или поверхностном характере центров люминесценции в щелочногалоидных кристаллофосфорах.-Материалы У11 Совещания по люминесценции, Тарту, 1959, с. 3.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!