Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4, 2-400К

Диссертация: Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4, 2-400К
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Однако, таково положение дел лишь для главного процесса радиационного дефектообразования в анионной подрешетке ЩГК. Процессы же, связанные с последующей стабилизацией дефектов, изучены гораздо слабее, хотя^ начиная с температур, когда междоузельные Н-центры становятся подвижными (в КВг > 40 К), именно они способствуют выживанию дефектов, препятствуя обратной реакции рекомбинации Ни Гцентров… Читать ещё >

Содержание

  • Лист сокращений и обозначений, употребляемых в диссертации. g
  • Глава I. НАКОПЛЕНИЕ УСТОЙЧИВЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК КАК РЕЗУЛЬТАТ СУПЕРПОЗИЦИИ РАЗНОНАПРАВЛЕННЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (Обзор литературных данных) .J
    • 1. 1. Создание радиационных дефектов в ЩГК и зависимость этого процесса от температуры облучения ионизирующей радиацией. J
      • 1. 1. 1. Создание дефектов при кратковременном облучении (имцульсное облучение)
      • 1. 1. 2. Накопление дефектов при продолжительном облучении (непрерывное облучение)
    • 1. 2. Явления, приводящие к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения ионизирующей радиацией .,"."
      • 1. 2. 1. Механизм создания И -пар и разделение компонент
      • 1. 2. 2. Стабилизация подвижных междоузельных дефектов …"*."
      • 1. 2. 3. Радиационное разрушение и радиационное преобразование дефектов
  • Глава 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. " Основные методические приемы, использованные в работе
    • 2. 2. Объекты исследования и экспериментальная установка .*."…,
      • 2. 2. 1. Объекты исследования
    • 2. 2. 2, Экспериментальная установка
  • Глава. 3, СОЗДАНИЕ И РАЗРУШЕНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК В ПРОЦЕССЕ ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОГО ОБЛУЧЕНИЯ РЛ В ОБЛАСТИ ТЕМПЕРАТУР 4,2−400 К
    • 3. 1. Область температур 4,2−80 К
      • 3. 1. 1. Зависимость эффективности накопления при 4,2 К радиационных дефектов в K? r от наличия примесей и других несовершенств кристаллической структуры
      • 3. 1. 2. Зависимость эффективности накопления различных радиационных дефектов от температуры (4,2−80 К) и от поглощенной дозы
    • 3. 2. Область температур 80−400 К
      • 3. 2. 1. Зависимость эффективности создания
  • F Xg-центров и более крупных ас-социатов галогена от температуры облучения РЛ. ОТ
    • 3. 2. 2. Зависимость эффективности радиационного разрушения Х^-центров от температуры облучения РЛ (200−320 К)
    • 3. 3. Конкретный ход зависимости в области температур 4,2−320 К как функция поглощенной дозы
    • 3. 3. 1. Спад ^ в области температур
  • 10−30 К
    • 3. 3. 2. Подъем ^ в области температур
  • 80−160 К
    • 3. 3. 3. Спад Ч| в области температур
  • 240−320 К. Ю
    • 3. 3. 4. Обобщенная схема зависимости выживания радиационных дефектов в? СВ>у при продолжительном облучении РЛ при 4,2−400 К. Ш
  • Глава 4. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СТРУКТУРА ПАРНЫХ АССОЦИАЦИЙ МЕВДОУЗЕЛЬНОГО ГАЛОГЕНА — ДИ-Н-ЦЕНТ-РОВ
    • 4. 1. Ди-Н-центры в КВг, основной структурной единицей которых является Вг^-ион. ^^
      • 4. 1. 1. Свойства Ъг^ -центров в КВг-Ы и К&г-Бг
      • 4. 1. 2. Свойства Вг^ -центров в чистом
    • 4. 2. Другие варианты ди-Н-центров в КВг
    • 4. 3. Структура ди-Н-центров и начальные этапы агрегации междоузельного галогена в
  • К.6>г
    • 4. 3. 1. Ьгз -центры в Cbr-Ll
    • 4. 3. 2. Вг^ -центры в К&г- $г
    • 4. 3. 3. Ьу5 -центры в чистом КВг
    • 4. 3. 4. Специфические особенности дефектооб-разования при облучении РЛ в разных областях температур
    • 4. 3. 5. Ди-Н-центры, возникающие при термическом отжиге облученного кристалла
    • 4. 3. 6. Ди-Н-центры, возникающие при импульсном облучении
    • 4. 3. 7. Агрегация междоузельного галогена в КВ>г. Х

Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4, 2-400К (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Исследование радиационных повреждений в кристаллических телах, в том числе и в щелочногалоидных кристаллах (ЩГК), уже давно является одним из важных разделов физики твердого тела. Хотя в ЩГК был накоплен значительный экспериментальный материал (см., например, обзоры [1−12]) актуальность этих исследований не уменьшилась и в последние годы, т.к. развивающаяся техника предъявляла все новые и новые требования к материалам, находящимся в условиях сильного облучения.

В ЩГК достигнут высокий уровень научного понимания природы первичных радиационных дефектов 11,2,6,7] и элементарных механизмов радиационного создания этих дефектов [3−5,8−12 ]: в этих кристаллах осуществляется низкоэнергетический механизм безызлучательного распада анионного экситона па пару анионных дефектов Френкеля, гипотеза о возможности которого высказана в [13−15], а первая модель и теория рассмотрены в [16−20]. Глубина знаний, достигнутая в этом вопросе, позволяет исследовать и обсуждать уже отдельные тонкости, такие, как детализация уровней экситона, конкретно из которых происходит распад на дефектывлияние способа создания экситона на эффективность распадавеличина и механизм разлета первичнойИпары. I I.

Однако, таково положение дел лишь для главного процесса радиационного дефектообразования в анионной подрешетке ЩГК. Процессы же, связанные с последующей стабилизацией дефектов, изучены гораздо слабее, хотя^ начиная с температур, когда междоузельные Н-центры становятся подвижными (в КВг > 40 К), именно они способствуют выживанию дефектов, препятствуя обратной реакции рекомбинации Ни Гцентров. В чистых ЩГК стабилизация Н-центров, в основном, осуществляется за счет явления ассоциации этих дефектов [ 7,21,22], воз-го можно^потому, что между одиночными Н-центрами существует упругое притяжение, приводящее к встрече двух Н-центров, что в свою очередь заканчивается созданием ди-Н-центров и более крупных образований галогена, наблюдаемых электронномикрос-кодическим методом ?23,24]. Стабилизация Н-центров возможна также и на других собственных дефектах ЩГК, например, на катионных вакансиях, радиационное создание которых исследуется в Тарту уже с 1969 года [ 3,25−34] .

Ассоциация электронных центров окраски (Рцентров) широко исследовалась (см*обзоры [35,36]), и при высоких температурах (> 300 К) детально изучены первые этапы процесса ассоциации рцентров, т. е. создание и Р3 -центров.

Отставание в изучении явления ассоциации междоузельного галогена объясняется разными причинами, из которых можно выделить, во-первых, невозможность применения для исследования структуры непарамагнитных ди-Н-центров информативного метода ЭПР и, во-вторых, многообразие конкретного осуществления ассоциации в кристаллической решетке: уже давно было известно как чувствителен этот процесс к температуре и дозе облучения ионизирующей радиацией.

В связи с этим, исследователи, занимающиеся проблемой ассоциации галогена, вынуждены были пойти по пути медленного накопления экспериментальных и теоретических сведений относительно отдельных конкретных форм ассоциации Н-центров в строго конкретных условиях.

Начиная с 1969 года такие исследования ведутся в ИФ АН ЭССР, в лаборатории Ч.Лущика. Это работы Гиндиной, Йыги, А. Дущика,рахметова, Плоома, Цунга, А. Эланго, Яансон. Изучалась структура ди-Н-центров, создаваемых радиацией в области температур 180−200 К, где эффективность выживания устойчивых дефектов максимальна [ 27−29 ]. Исследовались и ди-Н-центры, возникающие при облучении при 80 К (уже с гораздо меньшей, чем при 200 Неэффективностью) [27,30−34]. Выл получен результат, что при некоторых различиях в микроструктуре центров в обоих случаях в беспримесных ЩГК главной структурной единицей ди-Н-центра является молекулярный ион, занимающий одно катионное и два анионных узла, т. е. (Хз)ас^-центр. Выло предложено [ 27,34 ], что цутем создания (Х~)^-центров в ЩГК осуществляется взаимная стабилизация дефектов Френкеля в анионной и катионной под-решетках.

Настоящее исследование, являясь планомерным продолжением сделанного ранее в ИФ АН ЭССР, направлено на дальнейшее расширение исследования ассоциации галогена в низкотемпературную область (< 80 К) и на углубление (цутем применения низкотемпературных методик) знаний относительно высокотемпературных (> 80 К) ди-Н-центров. В области температур 4,2−80 К мы надеялись получить ответ относительно структуры и способа образования самых элементарных ди-Н-центров, возникающих при температурах начала подвижности.

Н-центров.

Целью настоящей диссертационной работы являлось систематическое экспериментальное исследование в области температур 4,2−400 К на примере кристаллов К&г высокой чистоты и кристаллов К В г > легированных примесями (1и, ¿-г) накопления продуктов ассоциации галогена, созданных рентгеновской радиацией, и процессов их термои фотостщулиро-ванного преобразования".

Основной задачей исследования было определение эффективности создания устойчивых ди-Н-центров-Х^-центров во всей исследованной области температурвыделение эффектов радиационного создания и разрушения Хд-центров из фона других вторичных процессов, характерных для использованного нами продолжительного облучения рентгеновскими лучами (РЛ) — и установление микроструктуры различных ди-Н-образо-ваний, возникающих при облучении РЛ в разных температурных областях• Предполагалось широко использовать возможности, открывающиеся при исследовании отжига облученного при 4,2 К кристалла, позволяющие цутеы термической стимуляции моделировать элементарный акт объединения двух Н-центров".

Работа состоит из введения, четырех глав и заключения* В первой главе приводится обзор литературных данных относительно явлений, приводящих к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения РЛ. Наиболее подробно рассматривается главное явление, обуславливающее накопление устойчивых дефектов — ассоциация междоузельных Н-центров,.

Во второй главе сформулированы основные методические приемы, использованные в работе, и дана характеристика объектов исследования и экспериментальной установки*.

В третьей главе приводятся результаты исследования эффективности радиационного накопления всех устойчивых радиационных дефектов в КВт (и частично в KCl, KT и NciCL) в зависимости от температуры (4,2−320 К), дозы поглощенной радиации и наличия примесей. Обнаружены закономерные изменения в форме зависимостей от температуры облучения эффек-тивн гin/ дефектов" Проведены исследования изменения термической устойчивости основных дефектов, обусловленные изменением поглощенной дозы" Экспериментально выявлена роль радиационного создания и радиационного разрушения Хд-центров в общем де-фектообразовании•.

В четвертой главе излагаются результаты исследования свойств ди-Н-центров, создающихся в чистых и легированных в разных условиях облучения РЛ. Цутем планомерного изучения термои фотоустойчивости, продуктов фотодиссоциации, термовосстановления исходных дефектов из продуктов их фотодиссоциации, и определения ориентации при измерении дихроизма определены основные свойства различных Вг£ -центров. Предложены и обсуждены модели для этих Вг~ -центров. Найдены экспериментальные проявления ди-Н-центров другой микроструктуры, чем Вг^ -центры, и предложены модели для таких малоустойчивых конфигураций. Обсуждена общая схема ассоциации междоузельного галогена в КВг ,.

В заключении изложены итоги работы и ее основные выводы. Главными из них являются следующие:

I. На примере кристаллов КВг высокой чистоты в процессе изучения^облученных при 4,2 К кристаллов КВг нами промоделированы начальные этапы ассоциации и преобразования и отжига междоузельного галогена. Впервые обнаружено, что первой стадией ассоциации Н-центров является образование связанных только упругим взаимодействием близкорасположенных двух Нцентров (Н, Н-пар). Спектральные характеристики Н, Н-пар = ах 3,3 эВ, полуширина Л = 0,55 эВ) близки к таковым одиночных Н-центров (= 3,26 эВ, Л = 0,45 эВ).

Н, Н-пары при 65−75 К в результате химического взаимодействия преобразуются в междоузельные Ьг^ -центры, с установленной нами на базе разностороннего анализа их свойств структурой «имеющие ориентацию <100> и спектр поглощения с максимумом 4,39 эВ и полушириной 0,62 эВ. -центры уже при, НО К разрушаются с созданием дефектов с поглощением при 3,85 эВ, полушириной 0,55 эВ и ориентацией<110^, которые проинтерпретированы нами как химически связанные Н-интерстициалы, имеющие структуру (Вг^)—димеров, и обозначенные как ^-центры*.

2, При изучении результатов фотодиссоциации Вг^ —центров в К&г с примесями Ц и Бг впервые выделена в спектрах поглощения полоса с максимумом 3,6 эВ и полушириной 0,45 эВ, принадлежащая /рцентрам (ориентация по<110>) в кристалле К В г «На базе исследования продуктов фотодиссоциации £>г^ -центров и их других свойств установлено, что при облучении при температурах около 80 К создаются.

— центры с <100 > ориентацией ()> а при.

160 К и выше) с, Сдцентры с < 110> ориентацией (К.

К2>г-1 >, т. е. .

3, Облучение при Т > 80 К создает в Кбг Вг^ -центры, фотодиссоциация которых осуществляется с образованием как Н-центров, так и Ч^ -центров, что подтверждает предложенную ранее в тартуских работах модель (Вгд)всвцентра, которая свидетельствует о радиационном создании при Т > 80 К не только анионных, но и катионных дефектов кристаллической решетки*.

При облучении КВ>г при Т < 80 К 'взаимодействия двух Н-центров возникают междоузельные С&г^)^- -центры, а центры (занимающие регулярные узлы) практически не создаются, что свидетельствует о необходимости повышенных температур для радиационного создания катионных дефектов".

4″ Проведенное исследование эффективности радиационного накопления всех устойчивых дефектов в кристаллах К В>г выделило роль ди-Н-центров в общем процессе накопления дефектов в широком интервале температур (4,2−400 К) и подтвердило существенное значение других вторичных процессов, приводящих, в частности, к созданию при обучении рентгеновской радиацией Р*, Т, -троек, с последующей диффузией междо-узельных ионов галоида к Г — и /кцентрам и уменьшением эффективности их выживания при Т > 30 К.

Наши основные результаты оцубликованы [ 37−46 ], доложены и обсуждены на следующих совещаниях и семинарах:

— У Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983;

— Прибалтийские семинары по физике ионных кристаллов (Лиелупе 1980, 1981, 1983; Лохусалу 1981, 1984; Эзерниеки 1982)".

3,а ключение.

Проведенное нами исследование процессов накопления, преобразования и ассоциации радиационных дефектов в кристал лах КЕ>г, облученных РЛ при 4,2−320 К, дало определенные экспериментальные результаты и позволило сделать основные выводы. Б соответствии с порядком изложения материала в диссертации, полученные результаты можно подразделить на две части.

В первой части (в основном на базе материала 3 главы) получены сведения относительно общих закономерностей накопления большинства радиационных дефектов в ЩГК:

1. Показано, что в КВг разные по своей природе нарушения периодичности кристаллической решетки (примеси Ы, вг, СЛ, дислокации и вакансии, а также радиационные дефекты) действуют при облучении РЛ при 4,2 К одинаково, уменьшая эффективность создания всех долгоживущих дефектов в Кбг. Этот эффект объясняется подавлением дефектообразо-вания в результате увеличения с ростом концентрации нарушений эффективности создания околодефектных возбуждений, распад которых на дефекты малоэффективен.

2. В КВ>г, облученном РЛ при 4,2 К, с увеличением дозы поглощенной радиации изменяется термическая устойчивость возникающих дефектов: в отжиге Г — и Н-центров появляется низкотемпературная стадия при 12−15 К, которой не наблюдается при малой поглощенной дозеувеличивается доля высокоустойчивых 1-центров (отжиг при 24−30 К), с увеличением которой по линейной зависимости увеличивается также число Xцентров, отжигающихся тоже при 24−30 К. Последние факты интерпретированы как проявление создания радиацией при 4,2 К X,-троек дефектов, совместный отжиг которых их и обуславливает.

3. Определены зависимости эффективности создания большинства радиационных дефектов от температуры облучения при 4,2−320 К («¡-р (т), ^(г), (Т), ^ СТ)).

Установлено, что температура спада, наблюдающегося в районе 10−30 К на зависимостях, ^[ц ^С7″ ,) и^у-(т), смещается с увеличением дозы поглощенной радиации в область.

ОТ О более низких температур, и при дозах 10 эВ/см непрерывного облучения РЛ приходится на область температур делока-лизации 1-центров.

Крутизна подъема 4|р (т) при 80−160 К с увеличением уровня накопления дефектов уменьшается: в КЬг с высоким содержанием радиационных дефектов вероятность нарастания дефектов растет с энергией активации 0,03 эВ, а в КЬг с цулевой начальной концентрацией дефектов с 0,017 эВ.

Исследовано радиационное разрушение Вг3 -центров при 200−320 К и показано, что спад в этой области температур, обусловлен усилением этого разрушения при температурах, когда становятся подвижными все продукты радиационного распадацентров.

4. Проведенное исследование эффективности радиационного накопления всех устойчивых дефектов в кристаллах КВг выделило роль ди-Н-центров в общем процессе накопления дефектов, показав, что при температурах больше 30 К эффективность накопления Гцентров в КВг определяется выживанием Ьгъцентров. Оно также подтвердило существенное значение вторичных процессов в явлении накопления дефектов: перечисленные выше зависимости от уровня накопления дефектов (цункты 2,3) обусловлены в широкой области температур изменением эффективности взаимодействия экситонов и других электронных возбуждений, подвижность которых меняется с температурой, с ранее созданными радиационными дефектами, а в области ниже температур делокализации 1-центров, наряду с этим, определяющим является изменение с дозой эффективности создания V} X)-троек.

Вторая часть полученных результатов (глава 4) относится к ключевому вопросу явления ассоциации Н-центров, а именно, к вопросу установления микроструктуры ди-Н-образований, и к преобразованию последних.

5. При изучении результатов фотодиссоциации Вг3 -центров в К&г с примесями и 5 г впервые выделена в спектрах поглощения полоса с = 3,6 эВ и полушириной 0,45 эВ, принадлежащая /рцентрам (ориентация по <(П0)>) в кристалле КВг. Установлено, что при облучении при температурах около 80 К создаются ГВгГцентры с <100 > ориентацией (КВгвг), а при 160 К и выше (Вг^ -центры с <1Ю)> ориентацией (КВг-Эти КВг-Ш, т. е. (Вгь)+. Термовосстановление Вг^ -центров из продуктов их фотодиссоциации начинается уже при II К, как в К?>г- 1л, так и в 1СВг-8г.

6. Облучение радиацией при Т > 80 К создает в КВ>г Б.

— центры Спри облучении при 80 К = 4,45 эВ, а при 160 К «4,6 эВ), фотодиссоциация которых осуществляется с образованием как Н-центров, так и УРцентров, что подтверждает предложенную ранее в тартуских работах модель (Вг^)-центра, которая свидетельствует о радиационном создании при 80 К не только анионных, но и катионных дефектов кристаллической решетки.

7. При фотодиссоциации Бг^" -центров, создающихся радиацией при Т < 80 К, а также в процессе отжига облученных при 4,2 К кристаллов, имеющих полосу поглощения с = «4,39 эВ и, А «0,62 эВ, возникают только Н-центры. Эти.

В^ -центры ориентированы по <100>, термически устойчивы до ПО К и их термовосстановление из продуктов их фотодиссоциации идет через стадию отжига при 65−75 К.

Для низкотемпературных В^ -центров нами предложена модель междоузельного изогнутогоиона с выделенным <<100у направлением — т. е. структура (Вг^).. Отсутствие (В|г?)асс1-центров при Т< 80 К свидетельствует о необходимости повышенных температур для радиационного создания катионных дефектов.

8. Детально изучено превращение Н-центров в междо-узельные (В^)^- -центры в процессе отжига облученного при 4,2 К кристалла. Показано, что стадия отжига при 65−75 К имеет близкий к единице коэффициент 2Н -> Ъгъ превращения. Эффективность этого превращения при 65−75 К не зависит от наличия в кристалле примесей, N01, , бг и С{,, и оно не сопровождается отжигом fцентров. Эти факты объясняются как проявление при 65−75 К системы связанных только упругим взаимодействием близкорасположенных двух Н—центров (Н, Н-пар), оптические характеристики которых С = 3,3 эВ, Д ш 0,55 эВ) близки к таковым у одиночных.

Н-центров С — 3,26 эВ, Д «0,45 эВ).

9. Термическое разрушение низкотемпературных (Вг~ —центров, наблюдающееся при 110 К, приводит к созданию новых ди-Н-центров, с поглощением около 3,85 эВ. Эти центры устойчивы до 135 Кпри их фотодиссоциации при 4,2 К создаются только Н-центрыоптический переход в центре ориентирован по <И0)> направлениям.

Для 3,85 эВ-центра предложена модель: это образование из двух Н-центров, связанных химическим взаимодействием (Н?-центр), имеющее структуру (Вг^-димера, занимающего два анионных узла. Обсуждается возможная конфигурация такого ди-мера.

10. На примере кристаллов КВг высокой чистоты в процессе изучения отжига облученных при 4,2 К кристаллов (результаты 7,8,9) нам удалось промоделировать начальные этапы ассоциации и преобразования междоузельного галогена при низких температурах. Впервые обнаружено, что первой стадией ассоциации Н-центров является образование связанных только упругим взаимодействием Н, Н-пар. При 65−75 К Н, Н-пары в результате химического взаимодействия преобразуются в междо-узельные (В^)-«, — -центры, которые уже при 110 К превращаются в Нг>-димеры. Из факта, что рассмотренные преобразования есть преобразования одних малоустойчивых междоузельных дефектов в другие, следует, что энергии двух Н-центров недостаточно адя перестройки при низких температурах кристаллической ре-петки с созданием вакансий, занимаемых устойчивым линейным.

Ьг" -ионом типа (Ву^) ^-центра.

В заключение приношу глубокую и искреннюю благодарность Ариадне Александровне Эланго за внимательное и доброжелательное руководство, постоянное внимание и поддержку, многочисленные плодотворные обсуждения полученных результатов во время выполнения диссертационного исследования.

Автор благодарен Ч. Б. Лущику за предоставление возможности выполнить настоящее исследование в руководимом им секторе физики ионных кристаллов ИФ АН ЗССР и постоянный интерес к работе. Искренне благодарен Р. И. Гиндиной и М. А. Эланго за полезные и стимулирующие обсуждения проблем, затронутых в диссертации, Е. А. Васильченко и А. К. Даулетбековой за плодотворное сотрудничество, А. А. Маароосу и О. А. Федоровой за предоставление кристаллов.

Я сердечно благодарен сотрудникам сектора физики ионных кристаллов Института физики АН ХСР за чуткое отношение и помощь в работе, а также Л. Немцевой, К. Тамм, Х. Гросс, К. Вест-ре и А. Баймаханову за помощь при оформлении настоящей работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Schulman J.H., Compton W.D. Color Centers in Solids. — Oxford, London, N.-Y., Paris, Pergamon Press, 1962. — 368 p.
  2. Royce B.S.K. The creation of point defects in alkali hali-des. Progress in Sol.St.Chemistry, 1967, v.4, p.213−243.
  3. Ч.Б., Витол И. К., Эланго M.A. Экситонный механизм создания Р-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. -ФТТ, 1968, т.10, в.9, с.2753−2759.
  4. Ч.Б., Роозе Н. С., Эланго М. А. Электронные возбуждения и радиационное окрашивание ионных кристаллов. Тр. Шк АН ЗССР, 1969, т.36, с.57−108.
  5. Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1972, т.39, с.81−99.
  6. Sonder Е., Sibley W.A. Defects’Creation by Radiation in Polar Crystals. In: Point Defects in Solids/ Ed. by J.Crawford. — N.-Y., Plenum Press, 1972, p.202.
  7. Itoh IT. Interstitial and trapped-hole centers in alkali ha-lides. Crystal Lattice Defects, 1972, v.3* p.115−143.
  8. Itoh N., Stoneham A.M., Harker A.H. The initial production of defects in alkali halides: F and H centre production by nonradiative decay of the self-trapped exciton. J.Phys.C: Sol.St.Phys., 1977, v.10, No.21, p.4197−4207.
  9. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, 1977, т.122, в.2, с.223−251.
  10. Williams R.T. Photochemistry of F-ceiiter formation in halide crystals. Semicond.Insulat., 1978, v.3, p.251−283.
  11. Lushchik Ch., Lushchik A., Vasilchenko E. Excitons and pointьdefect creation in alkali fealides. In: Defects in Insulating Crystals: Proceeding of the International Conference, Riga, 1981, p.323−342.
  12. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides. Advances in Physics, 1982, v.31, Ho.5, p.491−551. ,
  13. Hersh H.N. Proposed excitonic mechanism of color-center formation in alkali halides, Phys.Rev., 1966, v.148, p.928−932.
  14. И.К. Современные представления о механизме рекомбина-ционной люминесценции щелочногалоидных кристаллофосфоров.
  15. Изв. АН СССР, сер.физ., 1966, т.30, в.4, с.564−569.
  16. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and a subsequent /110/ replacement sequence: a discussion of the electron hole recombination. -Proc.Phys.Soc., 1966, v.87, p.245−256.
  17. Leung C.H., Song K.S. Model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. Phys.Rev.B, 1978, v.18, No.2, p.922−929.
  18. Song K.S., Leung C.H. Formation time of F-centres in alkali halides. Solid State Commun., 1979, v.32, Ho.7, p.565−568.
  19. H.H. О возможности дефектообразования из термически равновесного состояния автолокализованного экситона в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1979, т.21,в, 7, с.2054−2057.
  20. Sonder Е., Sibley W.A., Rowe J.E., Nelson С.M. Some Properties of Defects Produced by Ionizing Radiation in KC1 between 80 and 300 K. Phys.Rev., 1967, v. 153, ITo.3. p. 1000−1008.
  21. Garth J.C., Sonder E. Radiation-produced ultraviolet absorption in KOI. J.Phys.Chem.Sol., 1968, v.29, Ho.10, p.1737−1744.
  22. Hobbs L., Hughes A.E., Pooley D. A study of Interstitial Clas-ters in Irradiated Alkali Halides Using Direct Electron Microscopy. Proc.Roy.Soc., 1973, v.322A, p.167−185.
  23. Hobbs L.W. Point Defect Stabilization in Ionic Crystals at High Defect Concentration. J. Physique С olio q", 1976, v.37, С7−3 — C7−26.
  24. Иыги X.P.-B., Лущик Ч. Б., Малышева А. Ф., Тийслер Э. С. Элект-ронномикроскопическое обнаружение и оптическое исследование продуктов распада экситонов в кристаллах КВг. ФТТ, 1972, т.14, в.1, с.117−123.
  25. Ч.Б., Гиндина Р. И., Пунг Л. А., Тийслер Э. С., Зйанго А. А., Яансон Н. А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах Изв. АН CCGP, сер.физ., 1974, т.38, № 6, с.1219−1222.
  26. Н.А., Гиндина Р. И., Лущик Ч. Б. Создание анионных и катионных дефектов в нитевидных кристаллах КВг . ФТТ, 1974, т.16, в.2, с.379−383.
  27. Ч.Б., Гиндина Р. И., Йыги Х.Р.-В., Плоом Л. А., Пунг Л. А., Тийслер З. С., Эланго А. А., Яансон Н. А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногалоид-ных кристаллах. Тр. ИФ АН ЗССР, 1975, т.43, с.7−62.
  28. А.А., Нурахметов Т. Н. Создание и разрушение дырочных Вг~ -центров в КВг . ФТТ, 1976, т.18, в.4, с.1147−1150.
  29. Elango A.A., Nurakhmetov T.N. Structure and generation mechanism of Br^-centers in X-rayed KBr. Phys.Stat.Sol.(b), 1976, v.78, Ho.2, p.529−536.
  30. Ч.Б., Гиндина P.M., Маароос A.A., Плоом Л. А., Лущик А. Ч., Пунг Л, А., Пыллусаар Ю. В., Соовик Х. А. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах КС1. ФТТ, 1977, т.19, в.12, с.3625−3630.
  31. А.Ч. Фотодиссоциация, оптическая анизотропия и механизмы создания С1^центров в кристаллах КС1 и КС1-Ж>2. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т.49, с.25−44.
  32. Р.И., Плоом Л. А., Маароос А. А., Пыллусаар Ю. В. Центры окраски в кристаллах КС1 повышенной чистоты. Журн.прикл. спектр., 1977, т.27, с.520−527.
  33. Lushchik Ch., Elango A., Gindina R., Pung Ъ., Lushchik A., Maaroos A., Uurakhmetov Т., Ploom b. Mechanisms of cation defects creation in alkali halides. J.Semicond.Insul., 1980, v.5, p.133−158.
  34. K.K., Калниньш Д. О., Экманис Ю. А. Радиационные процессы в ионных кристаллах и проблемы радиационного материаловедения. Изв. АН йатв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1981, № 4, с.71−90.
  35. К.К., Экманис Ю. А. Радиационные процессы в кристаллических и аморфных диэлектриках. Изв. АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1983, № 10, с.64−84.
  36. Akilbekov. А., Nurakhmetov Т., Elango A. Creation and Destruction of X~ centers in Alkali Halides by X-Radiation. Phys. Stat.Sol.(b), 1980, v.100, No.1, p.289−296.
  37. А., Эданго А. Температурная зависимость и энергия активации дефектообразования в квг с различной концентрацией радиационных дефектов. ФТТ, 1980, т.22, в.12, с.3607−3611.
  38. Dauletbekova A., Akilbekov A., Elango A. Thermo- and Photo-stimulated Recombinations of F-Нд and Centers in KBr with large Na Concentration. Phys.Stat.Sol.(b), 1982, v. 112, No.2, p.445−451.
  39. А.К., Акилбеков А.T., Эланго A.A. Влияние примесей лития и натрия на радиационное дефектообразование в области температур 4,2−300 К в кристалле квг . ФТТ. 1982, т.24,в.10, с.2920−2924.
  40. М., Акилбеков А., Федорова 0. Влияние ионов хлорана люминесценцию и радиационные эффекты в квг. Тр. ИФ АН ХСР, 1983, т.54, с.102−121.
  41. А. Ассоциация Н-центров в процессе отжига х-облу-ченного при 4,2 К кристалла квг. Тр. ИФ АН ЭССР, 1984, т.55, с.165−179.
  42. А., Васильченко Е., Эланго А. Вторичные процессы в создании и отжига радиационных дефектов в квг в области 4,280 К. ФТТ, 1984, т.26, в.9, с.2593−2597.
  43. Akilbekov А., Dauletbekova А., Elango A. Photo- and Thermo-chemical Reactions with Participation of Br^ Centres in X-Rayed KBr. Phys.Stat.Sol.(b), 1985, v. 127, No.2, p.493−501.
  44. M.A. Механизм создания радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах и его значение для радиационной физики твердого тела. Тр. ИФ АН ЭССР, 1975, т.43, с.63−78.
  45. Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yosehinari T. P-Center Formationin KC1 Crystals by Pulsed Electron Beam at 80 К. J.Phys.
  46. Soo.Japan, 1969, v.26, N0.4, p.1000−1006.
  47. Э, Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yosehinari T. Color Center Formation and Bleaching in KC1 and NaCl by Electron Pulse at 15 K. J.Phys.Soc.Japan, 1971, v.30, Wo.2, p.440−448.
  48. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. Transient Formation of Color Centers in KBr Urystals tinder the Pulsed Electron Beam. J. Phys.Soc.Japan, 1972, v. 33, N1, p.-151−157.
  49. Karasawa 5., Hirai M., Color Center Formation in KC1 and NaCl Crystals by Pulsed Electron Beam. J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.39, N0.4, p.999−1003.
  50. Karasawa T. f Hirai M. Intrinsic Luminescence in KBr Crystals between 1,8 and 80 K. J. Phys.Soc.Japan, 1976, v.40, No.1, p.128−133.
  51. Saidoh M., Hoshi I., Itoh N. Temperature Dependence of the Radiation-Induced Dynamic Motion of Interstitial Halogen in Alkali Halides. J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.39, No.1, p.155−161.
  52. SaXena R.D., Soda K., Itoh N. Pulse Radiolysis Studies of Metastable Interstitial Centers in KBr at High Temperatures. -Crystal Lattice Defects, 1979, v.8, p.155−157.
  53. Faraday B.J., Compton W.D. Color Centers in KC1 and KBr Produced by Prolonged X-Irradiation at Low Temperatures. Phys. Rev., 1965, v.138, No. ЗА, p.893−911.
  54. Т.Н., Зланго А. А. Агрегатизация галогена в KBr, облученном рентгеновскими лучами. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т.49, с.7−23.
  55. Itoh N., Saidoh M. Radiation-Induced Interstitial Centres in Alkali Halides. Phys.Stat.Sol.(b), 1969, v.33, No.2, p.649−656.
  56. Saidoh M., Itoh N. Interactions of Interstitial Centers with Monovalent Impurities in KBr Crystals. J.Phys.Soc.Japan, 1970, v.29, No.1, p.156−162.
  57. Itoh N. Photochemistry of V Centers in Alkali Halides X-Rayed Near 200 K. J.Phys.Chem.Solids, 1966, v.27, No.1, p.197−203.
  58. Ziraps V. Ionic and Electronic Processes during Prenkel Defect Annealing in KBr Crystals above IfleT. Phys.Stat.Sol. (b), 1983, v.119, No.1, p.49−59.
  59. Ч.Б., Вале Г. К., Эланго М. А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв. АН СССР, сер.физ., 1967, т.31, № 5, с.820−828.
  60. Luscik (5.В., Liidja G.G., Jaek I.V. The Mechanism of Formation of Color Centers in Ionic Crystals by Ultraviolet Irradiation. Proc.Intern.Сonf. on Semiconductor Physics, Prague, 1960, p.717−721.
  61. Ч.Б., Лийдья 1Г., Эланго М. А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. ФТТ, 1964, т.6, в.8, с.2256−2262.
  62. В.В., Кяэмбре Х.Ф#, Лущик Ч. Б., Тийслер Э. С. Экситон-ные и электронно-дырочные процессы в кристаллах КС1 при создании центров окраски ультрафиолетовой радиацией, ФТТ, 1970, т.12, в.10, с.2888−2894.
  63. Э.С., Лущик Ч. Б. Распад экситонов на F и Н-центры в кристаллах кв г . ФТТ, 1969, т. II, в. II, с.3270−3275.
  64. Н.Н. О роли либрационных колебаний в распаде авто-локализующихся экситонов на дефекты. ФТТ, 1985,
  65. М.А. Об энергетических аспектах нестабильности экситонов относительно распада на дефекты структуры в щелочногалоид-ных кристаллах. ФТТ, 1975, т.17, в.8, с.2356−2359.
  66. Ч.Б., Васильченко Е. А., Колк Ю. В., Лущик Н. Е. Создание и преобразование дефектов в КС1-Т1 при аннигиляции электронных возбуждений. Тр. ИФ АН ЗССР, 1983, т.54, с.38−72.
  67. Д.К., Тале И. А., Котомин Е. А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. Уч.зап. Латв. ГУ, 1975, т.245,в.4,с.24−72.
  68. Е.А., фабрикант И.И. Оценка квазистационарного радиуса диффузионно-контролируемой рекомбинации дефектов с учетом тун-нелирования и упругого взаимодействия. Изв. АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1979, № 3, с.76−83.
  69. Tale I., Millers D., Kotomin E. Role of tunneling recombinationin radiation-induced F-centre creation in alkali halide crystals at liquid helium temperatures. -J.Phys.C: Solid State Phys., 1975, v.8, p.2366−2375.
  70. Ч.Б., Витол И. К., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Соовик Х. А., Тайиров М. М. Туннельная перезарядка френ-келевских дефектов в СзВг . ФТТ, 1981, т.23, в.6, с.1636−1642.
  71. Smoluchowski R., Lazareth O.W., Hatcher R.D., Dienes G.J. Mechanism of point-defect formation in ionic crystals. -Phys.Rev.betters, 1971, v.27, p.1288−1290.
  72. И.К. Исследование дырочно-ионных процессов в щелочно-галоидных кристаллах. Дис.. канд.физ.-мат.наук. — Рига, 1969. — 117 с.
  73. В.М. Образование радиационных дефектов при распадеэлектронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки. Дис.. докт.физ.-мат.наук. — Томск, 1979. -274 с.
  74. ВО. Лущик Ч. Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в ионных кристаллах. -Вопр.ат.науки и техн., сер.:физ.рад.поврежд. и рад. материаловедение, Харьков, 1981, в.1(15), с.17−27.
  75. Dauletbekova А., Elango A. Conversion of Р-Нд Pairs intocJL- 1Д Pairs in KBr-Li and KBr-Ua X-Rayed at 80 K. Phys.Stat. Sol.(b), 1981, v.108, Ho.2, p.299−305.
  76. B2. Васильченко E.A., Тайиров M.M. Низкотемпературный распад экситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в KCl, KCl-Br и KC1-I. Тр. ИФ АН ЗССР, 1982, т.53, с.172−192.
  77. Agullo-Lopez Р. Р-Н Recombination and Intrinsic Light Emission in Alkali Halides. J. Luminescence, 1981, v.23, p.433−436.
  78. Kotomin E., Shluger A. Quantum-chemical simulation of Frenkel pairs separation in a LiP crystal. Solid State Commun., 1981, v.40, tto.6, p.69−672.
  79. B.M., Сигимов В. И., Яковлев В. Ю. Распад электронных возбуждений на пары френкелевских заряженных дефектов в ЕС. -ФГГ, 1982, т.24, в.9, с.2747−2752.
  80. В.М., Забродский Ю. Р. Зона неустойчивости вакансия-атомв междоузлии. ФТТ, 1974, т.16, в. II, с.3480−3483.
  81. М.М. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в квг и квг-С1. ФТТ, 1983, т.25, в.2, с.450−455.
  82. В.М., Сигимов В. И. Вероятность аннигиляции компонентов первичной F-H-пары при термоактивационном движении. Изв. вузов, Физика, 1977, № 10, с.41−44.
  83. Giuliani G. Color Centres Production in Sodium Doped KBr at 80 K. Solid State Commun., 1969, v. 7, No.1, p.79−82.
  84. Tanimura K. The H-Center Interaction with a Rb+ Ion during Irradiation and Thermal Annealing ir{ KBr. J.Phys.Chem.Sol, 1978, v.39, Ho.7, p.735−741.
  85. Ю.В. Радиационное создание, перезарядка и отжиг парамагнитных Н- и Vk -центров в КС1 и KCl-Rb при 20+100 К. Тр. ИФ АН ЗССР, 1984, т.55, с.106−142.
  86. Schoemaker D, Electron-Paramagnetic-Resonance Study of the Structure and Motions of H^ and HA' д Centers in Na± and Li±Doped KC1. Phys.Rev.B, 1971, v.3, No.10, p.3516−3531.3, Duering W.K., Markham J. Color Centers in Alkali Halides at
  87. K. Phys. Rev, 1952, v.88, No.5, p.1043−1049. ?4, Compton W. D, Klick C.C. Symmetry of the H Center in KC1 and
  88. KBr. Phys. Rev, 1958, v.110, No.2, p.349−353.)5. Kanzig V/., Woodruff Т.О. The Electronic Structure of an H Center. — J.Phys.Chem.Solids, 1958, v.9, No.1, p.70−92. Ю. Bachmann K., Peisl H. Elastic Distortions and Interactions of
  89. Point Defects in KBr.-J.Phys.Chem.Solids, 1970, v.31,No.7,p.1525−1529.
  90. Dienes G.J., Hatcher R.D., Smoluchowski R. Structure and Stability of H Centers.- Phys.Rev., 1967, v.157, Ho.3, p.692−700. Dienes G. J,. Hatcher R.D. Smoluchowski R. Formation and Stru6ture of H Centers. J.Phys.Chem, Solids., 1970, v.31,No.4,p.701−705.
  91. Balzer R., Peial H., Waidelich V/. Volume Change of KBr due to Various Point Defects. Phys.Stat.Sol., 1969, v.31, No.1, P. K29-K33.
  92. Bachmann K., Kanzig W. Paraelastische Defektelektronen-Zentren in Alkalihalogeniden.-Phys.Kondens.Mater., 1968, v.7,p.284 317.
  93. COI* Kanzig W. Paraelasticity, a mechanical analogy of paramagnetism. J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23, No.5″ p.479−499.
  94. Hoshi J., Saidoh M., Itoh N. Stabilization of the Interstitial Center by Divalent Impurities in Alkali Halides. Crystal Lattice Defects, 1975, v.6, p.15−34.
  95. C03. Catlow C.R.A., Diller K.M., Hobbs L.W. Irradiation-induceddefects in alkali halides crystals. Phil.Mag.A, 1980, v.42, No.2, p.123−150.
  96. C04. Некрасов Б. В. Курс общей химии. М.: Госхимиздат, 1954. -941 с.
  97. Mitsushima У., Morta К., Matsunami М., Itoh N. Determination of the V^-Center Structure in KBr Crystal by Means of Double Alignment Channeling Technique. J. Physique Colloq., 1976, v.37, Р. С7−97-С7-Ю0.
  98. Naramoto H., Ozawa K., Okada Т., Suita T. Correlated Changes of Plow Stress and. Optical Absorption in KBr X-Rayed at LNT.
  99. Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v.22, No.2, p.445−453.
  100. White W.W., Greene A.C. Energetics of interstitial molecule formation in alkali halides: Clg in NaCl. Crystal Lattice Defects, 1969, v.1, No.1, p.83−90.
  101. Catlow C.R.A., Diller K.M., Norgett M.J. Interstitial Defects in Irradiated Alkali Halides. J.Phys.C: Solid State Phys., 1975, v.8, N0.3, p. L34-L36.
  102. Tasker P.W. A calculation of the electronic states of the tri-halide anions. Molecular Physics, 1977, v.33, No.2,p.511−518.
  103. Hersh H.N. Spectra of Halogen Solutions and V-Bands in Alkali Halides.- Phys.Rev., 1957, v.105, No.4, p.1410−1411.1. Winter E.M., Wolfe D.R., Christy R.W. Dichroism of V Bands in Potassium and Rubidium Halides. Phys.Rev., 1969, v.186, p.949−952.
  104. Kingsley J.D. Bleaching and Symmetry Properties of the V^ Center. J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23″ p.949−953.
  105. В.Я., Бауманис 3>.A. Рекомбинационные механизмы генерации и терморазрушения v^ -центров в кристаллах КВг. -Уч.зап. Латв. ГУ, 1976, т.254, в.5, с.101−129.
  106. H.A. Термостимулированная люминесценция и катионные радиационные дефекты в нитевидных кристаллах КВг повышенной чистоты и совершенства. Дис.. канд.хим.наук. — Тарту, 1975. — 175 с.
  107. Zaleskiewicz T.P., Christy P.W. Optical Bleaching of V^ Centers in KCl. Phys.Rev.A, 1964, v.135, p.194−199.
  108. Ч.Б., Гиндина Р, И., Маароос А. А, Плоом Л, А, Лущик А. Ч., Пунг Л, А., Пыллусаар Ю, В., Соовик Х. А, Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах KCl. ФТТ, 1977, т.19, в.12, с.3625−3630.
  109. EI9. bushchik Ch.B., Elango A.A., Gindina R.I., Lushchik A.Ch.,
  110. Maaroos A.A., Nurakhmetov T.N., Ploom L.A., Pung L.A., Pollu-saar I.V., Soovik H.A., Jaanson N.A. Mechanisms of Cation Defects Creation in Alkali Halides. In: Defects in Insulating Crystals, InternConference, Tennessee, 1977, p.273−274.
  111. А.Ч. Оптическое исследование катионных дефектов в облученных кристаллах RbBr. Изв. АН ЭССР, сер.физ.мат., 1980, т.29, с.173−180.
  112. К.Ш., Гиндина Р. И., Плоом JI.A, Создание и разрушение 01″ -центров и катионные дефекты в кристаллах KCl-Na. -Тр. Ш АН ЭССР, 1981, т.52, с.101−120.
  113. Т.Н. Структура и механизмы образования центров окраски, возникающих в КВг в результате ассоциации H -центров. Дис.. канд.физ.-мат.наук. — Тарту, 1977. — 190 с.
  114. JI.A., Лущик А. Ч., Халдре Ю. Ю. Рекомбинационная люминесценция и ЭПР в кристаллах КС1 и КВг с катионными френке-левскими дефектами. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № 9, с.1952−1954.
  115. Л.А., Лущик А. Ч. Парамагнитные и непарамагнитные дырочные центры в кристалле КВг, $ТТ, 1976, т.18, в. З, с.1176−1178.
  116. А.Ч., Пунг Л. А., Халдре Ю. Ю., Колк Ю. В. Радиационное создание дефектов в кристаллах KCl . Bon.ат.науки и техн., сер.: физрад.поврежд. и рад. материаловедение, 1981, в.4(18), с.89−90.
  117. Ishii T., Rolfe J. V-Centers in Potassium Bromide Crystals. Phys.Rev., 1966, v.141, Uo.2,. p.758−767.
  118. Chowdari B.I.R., Itoh H. Interstitial halogen centers in X-irradiated CsBr. J.Phys.Chem.Sol., 1972, v.33″ Ho.9,p.1773−1783.
  119. Лущик А.Ч. Br^ -центры в облученных рентгеновской и ВУФ-ра-диацией кристаллах CsBr. Тр. Ш АН ЭССР, 1980, т.51, с. 39−56.
  120. К.Ш., Гиндина Р. И., Плоом Л. А. Создание C1I -центровв кристаллах KCl-Li и NaCl-Li . Тр. ИФ АН SCCP, 1980, т.51, с.143−162.
  121. СЗО. Лущик Ч. Б., Гиндина Р. И., Лущик Н. Е., Тайиров М. М., Шункеев К. Ш. Распад экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в KCl-Na. Тр. ИФ АН ЗССР, 1982, т.54, с.146−171.
  122. C3I. Clark C.D., Newman D.H. V-centers produced in KBr and KC1 at 290 К by electron irradiation. J.Phys.C: Solid State Phys., 1971, v.4, Ho.10, p.1130−1144.
  123. C32. Harten H. Zur Wirkung von Rontgenlicht auf KCl-Kristalle. -Z.Physik, 1949, v.126, p.619.
  124. C33. Bauer C.L., Gordon R.B. Mechanism for Dislocatioa Pinning in the Alkali Halides. J.Appl.Phys., 1962, v.33, No.2, p.672−682.
  125. Ч.Б., Лийдья Г. Г. Зкситонные центры захвата в щелочно-галоидных кристаллах, активированных ртутеподобными ионами. -Тр. ИФА АН ЭССР, 1958, т.7, с.193−226.
  126. Г. Г. Взаимодействие экситонов с дефектами щелочнога-лоидных кристаллов. Тр. ИФА АН ЗССР, I960, т.12, с.149−174.
  127. М.А. Физические процессы при возбуждении ЩГК ионизирующими излучениями. I. Создание центров окраски в монокристаллах NaCl. Тр. ИФА АН ЗССР, 1961, т.17, с.135−147.
  128. М.А. Физические процессы при возбуждении ЩГК ионизирующими излучениями. II. Ионно-электронные явления при создании и разрушении центров окраски в монокристаллах NaCl. -Тр. ИФА АН ЗССР, 1962, т.21, с.215−246.
  129. Sonder Б. Radiation Annihilation of F-Aggregate Centers in KOI. Phys.Rev.B, 1972, v.5, No.8, p.3259−3269.
  130. I. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристал-лофосфоров. М.: Наука, 1966. — 324 с.42* Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. — 284 с.
  131. В.Я., Зариня Г. Я., Аболинып Я. Я., Зирап В. Э. Роль экситонной (Г-люминесценции в процессах аккумуляции радиационных дефектов в КВг. Тезисы докладов ХХУ Совещания по люминесценции. — Львов, 1978, с. 76.
  132. Apker L.R., Taft Е.А. Photoelectric Emission from F-Centers in KI. Phys.Rev., 1950, v.79″ No.6, p.964−966.
  133. Schnatterly S., Compton W.D. F-Aggregate Color Centers in KC1. Phys.Rev., 1964, v.135, Uo.1A, p.227−232.
  134. Hayes W., Hodby J.W. An investigation of x-irradiated KC1-H and NaCl-H. Proc.Roy.Soc., 1966, v.294, p.359−375.
  135. И.К., Зирап В, Э", Круминь В.Я., Миллер Д. К. Механизмы генерации радиационных дефектов в щелочногапоидных кристаллах. Труды межвузовской конференции по радиационной физике. — Томск, 1970, с.46−54.
  136. Guillot G., Uouailhat A. Kinetics of F-center formation and interstitial stabilization mechanism in alkali halides irradiated at 77 K. Phys.Rev.B, 1979, v.19, So.4,p.2295−2304.
  137. Kingsley J.D. Photochemistry of the V^ Center. Phys.Rev., 1961, v.122, N0.3, p.772−778.
  138. Tanimura K., Okada T. Formation of the self-trapped exciton via thermally induced defect reactions in alkali halides. -Phys.Rev.B, 1980, v.21, N0.4, p.1690−1697.
  139. Delbecq С. J, Hutchinson E., Shoemaker D., Yasaitis E.L., Yuster P.H. ESR and Optical Absorption Study of the V^ Center in KCl: NaCl. Phys.Rev., 1969, v.187, No.3, p.1103−1120.
  140. Srinivasan T.M., Compton W.D. X-Ray Generation of Color Centers in Zone-Refined KC1 and KBr. Phys.Rev., 1965, v.137, No.1A, p.264−272.
  141. Ю.В. ЗПР-исследование низкотемпературных процессов создания и преобразования н-центров в КС1 и КС1-Т1 . Тезисы У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. — Рига, 1983, с. 231.
  142. Mercier Е., Guillott G., Nouailhot A. Role of Vk-centers in the equilibria among centers created by electron irradiation at 4 К in KBr. Phys.Rev.B, 1978, v.17, Wo.18, p.3401−3408.
  143. Itoh M. a Kanno H., Mori N., Nakai Y. Recombination Processes of Lattice Defects Produced in KBr at Low Temperatures. J. Phys.&oc.Japan, 1980, v.50, No.4, p.1227−1232.
  144. Kabler M.N. Low-temperature recombination luminescence in alkali halide crystals. Phys.Rev., 1964, v.136, No.5A, p.12 961 302.
  145. P.И., Маароос А. А., Длоом Л. А., Яансон H.A. Разработка методики получения кристаллов КС1 и квг с содержаниемпримеси Ю~б-1(Г8. Тр. Ш АН 3CGP, 1978, т.49, с.45−89.
  146. Л.А., Гиндина Р. И. Определение концентрации гидроксиль-ных ионов в кристаллах галогенидов щелочных металлов. В сб.: Методы анализа галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов высокой чистоты. Харьков, 1971, чЛ, с.127−132.
  147. Г. А. Распределение примесей однозарядных ионов при выращивании монокристаллов КС1 и квг, $хт, 1965, т.7, в.5, с.1883−1884.
  148. Н.Е., Соовик Х. А. Возбуждение люминесценции примесных центров квг при оптическом создании экситонов. Тр. Шк АН
  149. Tanimura K., Okada T. Effects of the Na+ impurity on the relaxation of an exciton in KBr at low temperatures. Phys. Rev. B, 1976, v.13, No.4, p.1811−1816.
  150. Tanimura K. Electronic structure of the relaxed exciton trapped by an alkali impurity in KBr. J.Phys.Сi Solid State Phys., 1978, v.11, No.18, p.3835−3845.
  151. Д.К., Гринфелдс Я. К. Влияние примеси Na+ на создание радиационных дефектов в кристалле KBr. Учен.зап. Латв. ГУ, 1973, в.1, с.131−137.бб. Ikezawa М. The Luminescence Induced by Illumination in the
  152. Band in KBr and KC1. Science Reports of the Tohoku University, 1969, ser.1, v.52, p.129−134.
  153. P.O., Эланго M.A. О роли дырочных процессов при создании F-центров в ионных кристаллах на начальной стадии радиационного окрашивания. ФТТ, 1965, т.7, в.12, с.3673−3676.
  154. Т.Н., Гиндина Р. И., Осминин B.C., Эланго А. А. Эффективность радиационного создания Xg-центров в щелочно-галоидных кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР, 1977, т.47, с.168−183.
  155. Comins I. De Temperature Dependence of Defect Production in
  156. KBr and KC1. Phys.Stat.Sol.(b), 1971, v.43, No.1,p.101−111.
  157. Vasilchenko E., Lushchik N., Lushchik Ch. Migrations of Excitons and Holes in Luminescent Crystals of CsBr. J. Luminescence, 1972, v.5, No.2, p.117−131.
  158. Е.А., Йыги Х.Р.-В., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Малышева А. Ф., Тийслер Э. С. Экситоны и радиационные дефекты. -Учен.зап.Латв.ГУ, 1973, т.193, в.1, с.112−130.
  159. Lushchik Ch.B. Free and self-trapped excitons in alkali hali-des: spectra^and dynamics. In: Modern Problems in Condensed Matter Sciences, v. 2. Excitons./ Ed. by E.I.Rashba and M.D. Sturge. — North Holland, 1982, p.505−541.
  160. E.A., Фабрикант И. И. Эффективность радиационного накопления F-центров в ионных кристаллах. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн. наук, 1979, т.1, с.53−59.
  161. А.К. Радиационное создание и рекомбинация дефектов Френкеля в кристаллах квг и KI с различным содержанием примеси Li+ и Na+ . Дис.. канд.физ.-мат.наук. — Тарту, 1983. — 178 с.
  162. Balzer R. Volumenanderung von Alkalihalogenidkristallen bei der Bildung von Gitterdefekten dursh niederenenergetische Strahlung. Z. Physik, 1970, v.234, p.242−260.
  163. В.Я., Бауманис Э. А. Генерация и термическое разрушение v2-центров в квг. Учен.зап.Латв.ГУ, 1975, т.245, в.4,с.99−110.
  164. Ishii Т. Photochemically Produced V Bands in KBr and KCl. -J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, No.11, p.2202−2207.
  165. Г., Спартли P. Как квантовая механика объясняет химическую связь. М.: Мир, 1973. — 331 с.
  166. Gabes W., Stufkens D.J. Electronic absorption spectra of symmetrical and asymmetrical trihalide ions. Spectrochi-mia Acta, 1974, v.30A, p.1835−1841.
  167. Zoller W., Bridges P. Phonon spectroscopy of lithium-doped KBr. Phys.Rev.B, 1981, v.24, No.8, p.4796−4804.
  168. Н.Г. Введение в теорию межмолекулярных взаимодейст- > вий. М.: Наука, 1982. — 331 с.
  169. Andrews L. Optical Spectra of the Dibromide and Diiodide Ions in the Matrix-Isolated M+Br2 and M"1"^ Species. J.Am. Chem.Soc., 1976, v.98, No.8, p.2152−2156.
  170. Chance K.V., Bowen K.H., Winn J.S., Klemperer W. Electric deflection studies of halogen and interhalogen. J.Chem. Phys., 1980, v.72, p.812−814.
  171. Jansen L., Block R. Effect of direct and indirect exchange interactions on geometries and binding energies of molecularcomplexes. The dimer (Cl0)0.- J.Phys.Chem., 1981, v.75,p.847^ 852.
  172. Forbes H.L., Lunch D.W. Ionic conductivity of KI colored with
  173. J.Phys.Chem.Sol., 1964, v.25, N0.6, p.621−627.
  174. Saidoh M., Itoh N. Ionic Size Effect on the Radiation Induced Dynamics Motion of Interstitial Halogen in Alkali Halides. -Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.72, No.2, p.709−717.
  175. Hoshi J., Saidoh M., Itoh N. Stabilization of the Interstitial Center by Divalent Impurities in Alkali Halides. Crystal Lattice Defects, 1979, v.6, p.15−34.
  176. Tanimura K., Itoh N. Comments on «Role of Impurities on the Primary Process for F-Coloring in Alkali Halides». Radiation Effects Letters, 1980, v.57, No.5, p.155−159.
  177. X9I. Яковлев В. Ю. Исследование сложных центров окраски в ионных кристаллах при импульсном электронном возбуждении. Дис.. канд.физ.-мат.наук. — Томск, 1980. — 161 с.
  178. Ю.М., Столяренко В. Ф., Франгульян Г. С. Импульсная абсорбционная спектроскопия облученных кристаллов бромида калия. ФТТ, 1983, т.25, в.5, с.1343−1351.
  179. А.К., Гиндина Р. И., Эланго A.A. Агрегатные центры брома в облученных кристаллах квг с примесями. Опт. и спектр., 1982, т.53, в.8, с.548−549.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!