Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Разработка плазмохимических методов получения мелкодисперсных карбидных, нитридных порошков кремния и алюминия

Диссертация: Разработка плазмохимических методов получения мелкодисперсных карбидных, нитридных порошков кремния и алюминия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В третий главе диссертации представленны результаты исследований по разработке эффективного способа получения порошков нитрида алюминия. Отличительная особенность разработанного способа заключается в том, что исходный материал алюминевая проволока используется в качестве расходуемого электрода (катода) в электродуговом плазмотроне. В плазмотроне испарение алюминия происходит в межэлектродном… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА
    • 1. 1. Место и роль плазменной технологии в осуществлении физико-химических процесов
    • 1. 2. Применение низкотемпературной плазмы в микроэлектронике
    • 1. 3. Характеристика и классификация методов плаз-мохимического синтеза диэлектриков
      • 1. 3. 1. Нитрид кремния
      • 1. 3. 2. Нитрид бора
      • 1. 3. 3. Нитрид алюминия
    • 1. 4. Особенности генерации химически активных частиц в потоке плазмы и их применение в осуществлении химических реакций

Разработка плазмохимических методов получения мелкодисперсных карбидных, нитридных порошков кремния и алюминия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Интенсификация технологиче-ких процессов, вызванные' необходимостью резкого увеличения объема производства, открывает перед наукой широкую задачу изыскания новых, наиболее прогрессивных и перспективных направлений в химической технологии. Одним из таких направлений является плазменная технология .

Плазмохимические процессы, характеризующиеся высокой производительностью, более экологически чистой технологией, возможностью организации целенаправлен-ного синтеза материалов с заданными физико-химическими свойствами широко распространяются в химической, металлургической, электронной промышленности.

В плазмохимической технологии особое место занимает применение неравновесной «холодной» плазмы, характеризуемой высоким уровнем энергии электронов и концентраций возбужденных и заряженных частиц при низкой температуре газа. Сочетание этих условий позволяет осуществить процессы синтеза неорганических соединений с возможностью достижения высокой селектив-ности и чистоты конечных продуктов.

Одним из ярких примеров успешно решенных с применением плазменного метода является получение субмикронных абразивных порошков двуокиси циркония и двуокиси кремния, используемых для финишной полировки полупроводниковых подложек.

Применение плазмохимических процессов в микроэлектронике способствовало значительному расширению спектра диэлектрических и изоляционных материалов, используемых для создания тонкоплёночных микросхем. Проблема создания приборов на основе сложных полупроводниковых соединений, для которых принципиально важным аспектом технологии является использование низкотемпературных процессов, находит своё решение лишь с применением плазмохимических методов синтеза.

Преимуществом процессов, протекающих в низкотемпературной плазме газового разряда, является возможность регулирования количества химически активных частиц, достигающих обрабатываемый материал, и энергией, выносимой ими, путём изменения электрических параметров разряда и расположения материала относительно центра плазмы. Это позволяет без дополнительных экспериментальных исследований путём моделирования гетерогенных процессов установить оптимальные условия формирования слоёв с заданными физико-химическими свойствами .

Цель работы: исследование роли атомов водорода и продуктов разложения аммиака, генерируемых в плазме электрического разряда в осуществлении химических реакций получения тонких нитридных пленок кремния и мелкодисперсных порошков карбида кремния;

Разработка плазмохимической технологии получения порошков нитрида алюминия и плазменной закалки деталей.

В соответствии с целью исследования и полученными результатами автор выносит на защиту:

— результаты исследований роли атомов водорода и продуктов распада аммиака при получении мелкодисперсных порошков карбида кремния, тонких нитридных пленок кремния;

— результаты ИКспектроскопических, РФА-, электронно-микроскопических, химических исследований и влияния параметров электрического разряда на свойства, толщину и скорость роста пленок нитрида кремния;

— разработка принципиальных технологических схем плазмохимического получения порошков нитрида алюминия;

— разработка технологической схемы плазменной закалки деталей.

Научная новизна. Впервые показано, что при гетерогенной реакции атомов водорода с механической смесью кремнезема, железа и активированного угля формируются мелкодисперсные порошки карбида кремния и «-модификация оксида железа.

— Установлено, что гетит (ЕеООН) является промежуточным продуктом в общей цепи реакции атомов водорода с механической смесью кремнезема, железа и активированного угля.

— Установлено, что непрерывная бомбардировка механической смеси кремнезема и хлорида железа продуктами разложения аммиака в плазме электрического разряда приводит к образованию нитридных пленок кремния.

— Показано, что осаждение нитридных пленок кремния является результатом гомогенной реакции продуктов распада аммиака в разряде с летучими хлоросодержащими соединениями кремния.

— Обнаружено существенное влияние давления газа, параметров разряда и продолжительности пребывания газа в зоне разряда на состав, скорость роста, толщину пленок и соотношение химических связей в тонких пленках нитрида кремния.

Практическая ценность работы:

— разработан принципиально новый способ получения нитридных пленок и мелкодисперсных порошков;

— разработана технологическая схема непрерывного процесса получения порошков нитрида алюминия, с использованием в качестве расходуемого электрода алюминиевой проволоки;

— разработана технологическая схема плазменной поверхностной закалки, позволяющая увеличить износостойкость и твердость обрабатываемых деталей.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на: Международном симпозиуме «Metal-Hydrogen Systems» (Hangzhou, China, 1998) — международной научно-практическои конференции, посвященной 80-летию А. С. Сулейманова (Душанбе, 1998) — научно-практической конференции, посвященной 80-летию академика И. У. Нуманова (Душанбе, 1999) — международной конференции «Водородное материаловедение и химия гидридов металлов» (Кацивелли, 1999 г.).

Публикации:

По результатам выполненных исследований опубликовано 8 статей и тезис доклада.

Объем и структура работы:

Диссертация состоит из введения, трех глав, изло.

ВЫВОДЫ.

1. Впервые показана принципиальная возможность получения мелкодисперсных порошков карбида кремния путем гетерогенной реакции атомов водорода с механической смесью кремнезема, железа и активированого угля. Обнаружено, что бемит является промежуточным продуктом реакции.

2. Твердофазной реакцией кремнезема с хлоридом железа, при непосредственном участии атомов водорода, установлена возможность образования летучего хлорсодер-жащего соединения кремния и тонких пленок нитрида кремния.

3. Установлено существенное влияние давления рабочего газа и температуры подложки на химический состав и микроструктуру тонких пленок нитрида кремния. Обнаружено, что при осаждении продуктов реакции хлорсо-держащего соединения кремния с аммиаком на низкотемпературной подложке (273 К) формируется нитрид-ная пленка кремния аморфной структуры.

4. Установлено, что выход нитрида алюминия зависит от расхода алюминия и плазмообразующего газа. При одном и том же расходе плазмообразующего газа нарастание скорости испарения расходуемой алюминиевой проволоки приводит к обогащению продукта металлическим алюминием.

5. Разработаны технологические схемы плазмохими-ческого метода получения мелкодисперсных порошков нитрида алюминия и плазменной закалки деталей.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Известно, что оксидная керамика нашла широкое применение в микроэлектронике для изготовления подложек интегральных схем и электроизоляторов. Однако низкое значение теплофизических характеристик оксидной керамики привело к поиску альтернативных материалов лишенных этих недостатков.

Многочисленными исследованиями было показано, что соединения на основе нитридов и карбидов большинства элементов обладают стабильными теплоизолирующими, механическими свойствами и могут успешно приминяется в электронной промышленности. В связи с чем проводились и проводятся интенсивные исследования по разработке высокоэффективных и экологически чистых методов получения, тонких пленок и порошков.

Представленные во второй главе настоящей работы результаты демонстрируют о принципиальной возможности получения карбидных и нитридных соединений кремния. Отличительная особенность разработанных методов заключается в эффективном использовании тепловой и рекомби-национной энергии атомов водорода в осуществлении твердофазных реакций.

В использованнои нами плазмохимическои установке предусматривалось возможность регулировки количеств атомов водорода и энергий, вносимые ими в обрабатываемый материал. Это позволило нам проследить последовательные стадии взаимных превращений исходных компонентов до формирования целевого продукта. После бомбардировки, например, механической смеси кремнезема, железа и активированного угля атомами водорода в течении 4 0 мин. нами было обнаружено формирование промежуточной фазы ГеООН, которая при дальнейшей бомбардировке превращается в а-Ее203. При том фазовый переход гетита в а-ЕегОз затрагивает лишь поверхностные слои каждой частицы, другими словами, происходит процесс капсулиро-вания гетита. Обнаруженный эффект, на наш взгляд, может успешно применятся для стабилизации и пассивации ультрадисперсных частиц металлов. Полученные нами результаты дают основание утверждать, что мультиплетная теория катализа в какой-то степени распространяется и на твердофазных химических реакциях.

Нами было обнаружена также не менее важная особенность процессов, протекающих в плазме газового разряда, возможность формирования тонких пленок при гомогенной реакции летучих соединений кремния, формирующихся в процессе бомбардировке смеси атомами водорода с продуктами распада аммиака.

В какой-то степени нами достигнут способ управления микростуктурой осаждаемых пленок путем изменения давления в реакторе и температуры подложки.

Электронно-микроскопическими исследованиями было установленно, что при значениях давления рабочего газа в реакторе 50 и 100 Па на подложки с температурой 273 К формируются тонкие нитридные пленки кремния, аморфной и кубической структуры соответственно.

Исследования по влиянию основных параметров разряда (приведенной напряженности поля, давления) на скорость диссоциации аммиака проводились нами лишь сцелью нахождения оптимальных условий формирования тонких пленок нитрида кремния.

В третий главе диссертации представленны результаты исследований по разработке эффективного способа получения порошков нитрида алюминия. Отличительная особенность разработанного способа заключается в том, что исходный материал алюминевая проволока используется в качестве расходуемого электрода (катода) в электродуговом плазмотроне. В плазмотроне испарение алюминия происходит в межэлектродном зазоре в процессе горения дуги. В результате образуется парогазовая высокотемпературная смесь и выносится из зоны реакции.

В результате проведенных исследований было установлено, что при среднемассовой температуре плазмы 4000−6000 К и расходе алюминия 7,0 г/мин содержание нитрида алюминия в пробе составило 99%. При увеличении расхода алюминия в составе продукта реакции обнаруживалось примеси непрореагировавшего алюминия.

Известно, что в машиностроении широко применяются способы поверхностных закалок и упрочнений. В последнее время поверхностной закалке отдается предпочтение, поскольку данный способ отличается дешевизной и технологичностью. Для закалки деталей и механизмов, изготовленных из среднеуглеродистой конструкционной стали, применяют высокочастотный плазменный способ закалки. Однако, несмотря на ряд преимуществ, таких как большая скорость индукционного нагрева, возможность полной автоматизации, достижения высоких прочностных свойств, снижение стоимости термической обработки при индукционном нагреве, применение устройств для дозирования нагрева по температуре не дает возможности получения стабильных режимов нагрева.

Изменение скорости нагрева при данной настройке установки индукционного нагрева и изменения термической кривой создают трудности при переносе режимов нагрева с одной установки на другую и становиться невозможным создание стандартных режимов для определенных марок сталей.

При плазменном нагреве эти недостатки устраняются, так как нагреваемая поверхность не входит в контур регулирования. То есть, технологический режим закалки можно задать изменяя параметр плазменной установки.

Таким образом, в результате проведенных исследований нами показана принципиальная возможность и перспективность использования низкотемпературной плазмы в осуществлении гетерогенных и гомогенных химических реакций получения мелкодисперсных порошков, тонких пленок и упрочнения быстроизнашивающих деталей и механизмов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Д., Фридман A.A., Шолин Г. В. Синтез окислов азота в неравновесных плазмохимических системах. В кн.: Химия плазмы. Вып.5. Под ред. Б. М. Смирнова М.: Атомиздат. 1978. С.222−241.
  2. Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме / Под ред. JI.C. Полака. М.: Наука. 1965. 254 с.
  3. Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы /
  4. Под ред. Л. С. Поляка. М.: Наука. 1971. 434 с.
  5. Моделирование и методы расчета физико-химических процессов в низкотемпературной плазме / Под ред. Л. С. Полака. М.: Наука. 1965 272 с.
  6. Л.С., Овсянников A.A., Словецкий Д. И., Вурзель Ф. Б. Теоретическая и прикладная плазмохимия. М.: Наука. 1975. 304 с.
  7. С.Н., Пархоменко В. Д. Получение связанного азота в плазме. Киев: Висшая школа. 1976. 196 с.
  8. Ю.М., Коган Я. Д. Азотирование стали. М.: Машиностроение. 1976. 256 с.
  9. Reaction under Plasma Couditions / Ed. M. Venugopalan. New York: Wiley Intersci., 1971. vol. ½.
  10. Technics and Applications of Plasma Chemistry / Ed. J.R. Hollahan. A. Bell. Washington- New York: Wiley Intersci. 1974. 403 p.
  11. Sakamoto Y. Status of Plasma Chemistry and the Future / CEER. Chem. Econ. and Eng. Rev. 1986. v.18. N 6. p. 5−9.
  12. Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме. М.: Наука 1980. 310 с.
  13. А. Л., Печковский В. В. Применение низкотемпературной плазмы в технологии неорганических веществ / Под ред. А. Г. Шашкова. Минск: Наука и техника. 1973. 214 с.
  14. С.Е., Муниц И. Н., Рошин С. С. и др. Современное состояние и пути дальнейшего развития производства алюминия высокой и особой частоты / Тр. ВАМИ. 1981. Вып.16 (278). С. 96−110.
  15. М.М., Шабалина Р. И., Головачев А. И. и др. Применение высокотемпературных газовых потоков при восстановительно-возгоночных процессах // Цветные металлы. 1979. N 7. С. 38−41.
  16. С.П. Химия кластеров- достижение и перспективы //ЖВХО им. Д. И. Менделеева. 1978. Т.32. N1. С. 3−11.
  17. К.Г., Любимов В. К. Применение низкотемпературной плазмы в микроэлектронике. //Физика и химия обработки материалов. 1978. N2. с. 64−69.
  18. И.Д., Любимов В. К., Марин К. Г. и др. Плазменный процесс получения моноокиси кремния. //Физ. и хим. обраб. мат-ов. 1967. N2. с.34−36.
  19. .А., Любимов и Марин и др. Высокотемпературное восстановление двуокиси кремния до моноокиси //Изв. АН СССР. Неорг. м-лы. 1968. Т.4. N11. с. 2035−2038.
  20. Ю.А., Смирнова Т. П. Соловьев А.П. Плазмо-химические методысинтеза диелектрических слоев в полупроводниковой технологии / Обзоры по электронной технике. Сер.З. Вып.5 (1233).М.- Электроника. 1986. 25 с.
  21. Иванов В. И, Любимова О. Н, Долгополов В. М. Техника плазмохимической обработки в производстве интегральных схем// Обзоры по электронной технике. Сер.7. Вып.18 (689)-М. 1979 год.
  22. Reinberg A.R. Plasma deposition of inorganic thin filins // Annual Rev. of mater. Sci. 1979 v.9. P. 341−372.
  23. Hess D.W. Plasma enhansed CVD: oxides, nitrides, transition metalls, and transition metall silicides // J. Vac. Sci. and technol. A. 1984 v.2. N2. P.244−252.
  24. Veprek S. Plasma-induced and Plasma assisted chemical vapour deposition// Thin Sol. Films. 1985. v.130. N ½. P. 135−154.
  25. С.А., Павлов С. М., Лестева И. П., Медведева Г. Н. Особенности плазмохимического способа получения нитевидных кристаллов в потоке реагентов на примере карбида кремния. III Всесоюзный симпозиум по плазмохимии: Тез. докл. Москва, 1979. с. 241.
  26. И.Ш., Вдовин Д. А., Шарифуллин С. Н., Щербаков В. Д. Влияние плазменной обработки на механические свойства тонких металлических пленок III Всесоюзный Симпозиум по плазмохимии: Тез. докл.- Москва, 1979 с. 245.
  27. М.Е., Полянский В. К., Воронин М. В. Получение защитно-декаративных покрытий с помощью плазмотрона // Строительные материалы 1976. N. с. 2124 .
  28. В.Н., Ребиндер П. А., Долгополов H.H. Применение низкотемпературной плазмы в технологии строительных материалов // Строительные материалы 1972. N1. с. 7−11.
  29. A.B., Еремеев A.B., Неустроев В. А. Травление полупроводниковых материалов HCl содержащей плазме / III Всесоюзный Симпозиум по плазмохимии: Тез. докл.- Москва. 1979. с. 272.
  30. Ю.А., Рыжова Н. М., Солдатова И. В. и др. Тлеющий разряд в Аг+Н2. Эксперимент и математическое моделирование//Хим. выс. энергий. 1988. Т. 22. N 4. с. 363−367.
  31. П.А. Исследование влияния колебательно-возбуждённых молекул на физико-химические процессы в неравновесных электрических разрядах в двухатомных малекулярных газах: Дисс. канд. физ-мат. н.м. 1982. с. 320.
  32. Johnson W.L. Design of plasma deposition reactors//Sol. StateTechnol. 1983 N 4. p. 191−195.
  33. Sinha A.K. Plasma deposited policristalline silicon nitride films //Sol. State technol. 1980. V.23. N4. p.133−136.
  34. Sherman A. Plasma assisted chemical vapour deposition processes and their semiconductor applications// Thin Solid Films. 1984. V.113. p.135−149.
  35. Rosier R.S., Engle G.V. LPCVD type plasma -enhanced deposition sistem//Sol. State technol. 1970. N12. p. 88−92.
  36. Rosier R.S. Engle G.M. Plasma enhanced CVD in a novel LPCVD typesistem//Sol. State Technol. 1981. N4. p. 172−177.
  37. А.С. Конструктивные технологические особенности промышленных установок для плазмохимического осаждения слоёв двуокиси кремния// Электронная техника. Сер. 7. Вып. 4 (125) 1984. с. 32−35.
  38. Thomson L.R., Rocca J.J., Emery G. et. al. Electron beam assisted chemical vapor deposition of Si02// Appl. Phys. Lett. 1983. V.43. N8 p. 777−779.
  39. Bichop D.C., Emery R.A. et. al. Silicon nitride films deposited with an electron beam created plasma// Appl. Phys. Lett. 1984. V.44. N6. p. 598 600.
  40. Meiners L.G. Indirect plasma deposition of silicon dioxide//J. Vac. Sci. Technol. 1982. V. 21e N2.1. P.655−658.
  41. Pande K.P., Nair V.K.R., Gutirrez D. Plasma enhanced metallorganic chemical vapor deposition of aluminium oxide dielectric film for device application//J. Appl. Phys. 1983. V. 54. N9. P. 5436- 5440.
  42. А.Ф., Сулимин А. Д. Механизм разложения ГМДС в положительном столбе тлеющего разряда// Хим. выс. давлений. 1984. Т. 18. N2. с. 165−169.
  43. А.Г., Сулимин А. Д., Ячменов В. В. и др. Получение пленок нитрида кремния из гексатетилцик-лотрисилазана в высокочастотном тлеющем разряде //ДАН СССР. 1981. Т.259. N 5. с. 1130−1132.
  44. Wrobel A.M., Krysencki M., Garicki M. Mechanizm of polysilazane thin film formation during glow discharge polymerization // J. Polymer Sci. 1976.1. V.17 N 8. P.673−678.
  45. Wrobel A.M., Krysencki M., Goricki M. Structures of glow discharge polysilazane thin films // J. Polymer Sci. 1976. V.17. N 8. P.678−685.
  46. Hirotsu T. Some surface properties of plasma polymers prepard from hexamethylolsilazane and diethylaminotrimethylsilane // J. Appl. Polymer Sci. 1979. V.24. N 9. P.1957−1964.
  47. Janca J., Necasova M., Sikota T. Plasma depasited silicon nitride film in HMDS vapours // Acta. Phus.Slovaca. 1983. V.33 N 3. P.187−193.
  48. А.Д. Получение пленок нитрида кремния на основе органосилазанов // Электронная техника. Сер.7. Вып.5. (165). 1981. С.13−14.
  49. В.И., Смирнова Т. П., Соловьев А. П. и др. Получение и свойства структур «In Sb нитрид кремния» с использованием гексаметилдисилазана // Электронная техника. Сер.б. Вып.2(187). 1984. С.59−61.
  50. Т.П., Храмова JI.B., Соловьев А. П., Белый В. И. Диэлектрические слои, получаемые полиирезаци-ей ГМДС и ГМЦТС в плазме ВЧ-разряда Тез. докл. VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Москва. 1986. С.27−28.
  51. Sachdev H.S., Sachdev K.G. Characterization of plasma-deposited organosilicon thin films // Thin Solid Films. 1983. V.107. P.245−250.
  52. Dun H., Pan P., White F.R., Douse R.W. Mechanisms of plasma-enhanced Silicon nitride deposition using SiH4/N2 mixture // J.Electrochem. Soc.1981. V.128. N 7. P.1555−1563.
  53. Clark M.D., Anderson C.L. Improvements in
  54. GaAs/plasma-deposited silicon nitride interface guality by predeposition GaAs surface treatment and posideposition annealing // J. Vac. Sci. Technol. 1982. V.21. N 2. P.453−456.
  55. Sinha A.K., Levinstein H.J., Smith T.E.et.al. Reactive plasmadeposited Si-N films for MOS-LSI passivation // J.Electrocchem. Soc.1978. V.125 N 4. P.601−608.
  56. Chow R., Lauford W.A., Ke-Ming W., Roster R.S. Hydroden content of a variety of plasma-deposited silicon nitrides // J.Appl.Phus. 1982. V.53. N 8. p.5630−5633.
  57. Maeda M., Nakamura N. Infrazed spectroscopic study of hidrogenated and deuterared silicon nitride films prepared from plasma-enhanced deposition. // J. Appl. Phys. 1984. V.55 N.8. P.1773−1778.
  58. Sanfuelson G.M., Mar K.M. The correlation between physical and electrical properties of PECVD SiN with their composition rations// J. Electrochem. Soc. 1982. V.130. N8. p.1773−1778.
  59. Claassen W.A.P., Valkenburg W.G.J., Habraken
  60. F.H.P.N, et.al. characterization of plasma silicon nitride layers//J. Eleectrochem. Soc. 1983. V.130. N12 p. 2419−2423.
  61. Mar K.M., Samuelson G.M. Properties of plasma-enhansed CVD silicon nitride: measurments and interpritations//Sol. St. Technol. 1980. V. 23. N4. p.137−142.
  62. Blaauw G. Preparation and characterization of plasma- deposited silicon nitride//J. Electrochem. Soc. 1984. V.131. N5. p. 1114−1118.
  63. Fujita S., Toyoshima H., Ohishi T., Sasaki A. Plasma- enhansed chemical varop deposition of fluorinated silicon nitride//Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23 N3. P. 144−146.
  64. Fujita S. r Ohishi T., Toyoshima H., Sasaki A. Electrical properties of silicon nitride filmsplasma- deposited from SiF4, N2 and H2 sourse gases //J. Appl. Phys. 1985. v. 57. N2. p. 426−431.
  65. Fujita S., Toyoshima H., Ohishi Т., Sasaki A. Plasma- deposited silicon nitride films SiF2 as silicon sourse//Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. N5. P. 268−270.
  66. Ron Y., Roden A., Garmi U. et. al. Deposition of silicon nitride from SiCi4 and NH3 in a low pressure r.f. plasma//Thin Solid Films. 1983. V. 107. N2. P. 181−189.
  67. Arya S.P.S., LAmico A. Preparation, properties and applications of boron nitride thin films//Thin Sol. Films. 1988. V. 157. P. 267−282.
  68. Steele S.R., Feist W., Getty W. Research on thin film tunnell cathodes, recombination cathodes and similar cold cathodes / Final Rep., September 1966 (Contract DA 28−043-AMC-0035 (E)).
  69. Steele S.R., Pappis J., Schilling H., Simpson J. Chemical varoup deposited materials for electron tubes, 1st Triannu. Rep., June 1968 (Contract DAA 1307−68-C-0156).
  70. Schmolia W., Hartnagel H.L. Amorphous BN films produced in a doubleplasma reactor for semiconductor applications//Sol. St. Electronics. 1983. V. 26. N10. P. 931−939.
  71. М.Д. Преимущества нитридных диэлектриков при производстве ИЭТ// Электронная промыш. 1984. Вып. 5. С. 72−75.
  72. Miuamoto H., Yirose M., Osaka Y. Structural and electronic characterization of discharge- produced boron nitride//Jap. J. Appl. Phys. 1983. v. 22. N9. p. 4216−4218.
  73. Hyder S.B., Jep Т.О. Structure and properties of boron nitride films grown by high temperature reactive plasma deposition//J. Electrochem. Soc. 1976. V. 123. N1. P. 1721−1724.
  74. Г. В. Неметаллические нитриды. М.: Металлургия. 1969. с. 264.
  75. Ю.Д., Кривоспицкий О. И., Корнилов А. А. Свойства и методы получения нитрида алюминия- В кн.: Промышленность химических реактивов и особочистых веществ. ИРЕА. 1967. Вып. 10. 85 с.
  76. А.Н., Слепцов В. М. Дуговая плазма в метал-локерамике//Порошковая металлургия. 19 65. N1. с. 79−86.
  77. А.А. Исследование ВЧ- разряда в азоте с добавками алюминия. В кн.: Низкотемпературная плазма в технологии неорганических веществ. Новосибирск. Наука. 1971. с. 25−28.
  78. Long G., Foster L. Aluminum nitride, a refractory for aluminium to 2000°C//J. Am. Ceram. Soc. 1959. V. 42. N2. P. 53−59.
  79. Matsumoto 0., Shirato Y., Hayakawa Y. Studies on nitrides formation by meams of nitrogen plasma Jet//J.Electrochem. Soc. Japan. 1969. V.37. N4. P. 151−180.
  80. Д.П., Грабис Я. П., Макаренко Г. Н. и др. Получение дисперсного порошка нитрида алюми-ния//Порошковая металлургия 1977. N10. с. 1−5.
  81. Д.Д., Грибков В. Н. и др. О различии форм частиц соединений, осаждаемых в объёме газовой фа-зы//ДАН СССР. 1977. Т. 232. N3. с. 573−576.
  82. B.C., Сурис A.JI., Троицкий В. Н., Шорин С. Н. Исследование процесса получения нитрида титана в плазмохимическом реакторе//Хим. выс. энергии. 1973. N3. с. 215−219.
  83. И.В., Певгов В. В., Полак JI.C. Плазмохимиче-ские процессы. М.: Наука. 1979. 124 с.
  84. А.Ф., Животов В. К., Малков С. Ю. и др.- Вопросы атомной науки и техники. Сер. «Атомно- водородная энергетика». Вып. 1. М.: ИАЭ им. И. В. Курчатова. 1983. с. 37−51.
  85. Corrigan S.I.B., Engel A.V. Exitation and dissociation of hidrogen by an electronswarm//Ргос. Roy. Soc. (London). 1958. V. A245. P. 335−351.
  86. Jeffers W.Q., Wiswall C.E. Dissociation of gas molecule in the R.F.- plasma//J. Quant. Electr. 1974. V. 10. P. 861−864.
  87. M.Г., Марусин B.B. Исследование безэлектродного высокочастотного емкостного разряда в азоте при средних давлениях- В кн.: Теория электрической дуги в условиях вынужденного теплообмена. Новосибирск: Наука. 1977. с. 254−269.
  88. Шоу Т. Применение электрического разряда для получения радикалов В кн.: Образование и стабилизация свободных радикалов. М.: ИЛ. 1962. с. 65−84.
  89. К.В. Бюро переводов ВИНИТИ. 1967. Перевод N 63 633/7.
  90. Н.И., Званцев A.B. Использование безэлектродного емкостного ВЧ-плазмотрона для нанесения тугоплавких диэлектрических покрытий //Теплофизика выс. температур. 1976. Т. 14 N4. с. 853- 865.
  91. Р.В. Безэлектродные высокочастотные разряды при высоких давлениях. В кн.: Теория электрической дуги в условиях вынужденного теплообмена. Новосибирск: Наука. 1977. с. 289−304.
  92. К.А. Использование высокочастотного безэлектродного разряда при эмиссионном спектральном анализе растворов//Ж. Прикл. спектроскопии. 1967. Т.6. Вып. 1. с. 168−172.
  93. Современное состояние электропечестроения по материалам VII Международного конгресса по электротермии. Дуговой нагрев и новые виды нагрева. (Обзорная информация)/Под ред. Альтгаузена А. П. М. 1975.
  94. Е.Б., Пономарёв А. Н., Тальрозе В. Д. Изучение вероятности рекомбинации атомарного водорода наразличных поверхностях при различных концентрациях атомов в газовой фазе//Кинетика и катализ. 1966. Т.7. N2. с. 577−582.
  95. Flias Lome. Measurement of atomic concentration in discharged nitrogen, oxyden and hydrogen.// J.Chem. Phys.19 66. V 44. N10. P.3810−3815.
  96. Э.И., Аширов P.X., Василяк P.X., Марковец В. В., К вопросу об измерении коэффициэнта диффузии атомарного водорода // Теплофиз. выс. температур. 1979. Т.17. N 5. С. 912−915.
  97. В. В. Шавард А.А., Гуссак Б.JI., Интезарова Е. И. Изменение эффективности гетерогенной рекомбинации в результате реакций рекомбинирующих частиц //ДАН СССР 1975. Т.224 N 4. С.941−943.
  98. Г. К., Воеводский В. В. Рекомбинация атомов водорода на твердых поверхностях //Ж.Физ.хим.1952. Т.26 N 8. С.1164−1166.
  99. И.Н., Максимов А. И. Исследование диссоциации двухатомных молекул в плазме тлеющего разряда методом ЭПР / Тез.докл. III Всесоюз. симпоз по плез-мохимии. Сентябрь 1979, М.:Наука. С.17−20
  100. И.А. Исследование четерогенных химических процессов на границе твердое тело-газ // ДАН СССР.1958. Т.120. С. 1298−1301.
  101. В.И., Мясников И. А. Исследование промежуточных активных частиц в химических газовых реакциях методом полупроводниковых зондов //Ж.
  102. Физ.хим. 1965. Т.39. С.2376−2379.
  103. JI.С. Неровновесная химическая кинетика и ее применение. М.:Наука 1979. 248 С.
  104. Волькенштейн Ф.Ф., Горбань А. Н., Соколов
  105. В.А.Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников. М .: Наука. 1976. 286 с.
  106. В.П., Горбань А. Н., Корнич В. Г. О фигурах травления на некоторых полупроводниках при воздействии атомарного водорода // Укр.физ. журн. 1975. Т.20. N 11. С.1831−1835.
  107. И.Ш. Исследование процессов взаимодействия атомов водорода с сульфатом калия // Неорг. м-лы. 1993. Т.29 N 4. С.586−587.
  108. Н., Хакимова Н. У., Норматов И. Ш. Математическое описание кинетических характеристик процессов формирования сульфида лантана// Неорг. м-лы. 1996. Т. 32. N10. с. 1187−1189.
  109. И.Ш., Хакмова Н. У., Шерматов Н. Взаимодействие атомов водорода с сульфатом натрия//Физ. и хим. обработки мат-лов. 1996. N2. с. 94−97.
  110. И.Ш., Александров А. П., Петинов В. И. Микроструктура и электропроводность высокодисперсныхплёнок гидрида никеля// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986. Т. 50. N8. с. 1653−1656.
  111. И.Ш., Мирсаидов У. Об особенностях роли атомарного водорода на плазмохимическое восстановление хлоридов металлов//Физ. и хим. обр. металлов. 1990. N3. с. 140−141.
  112. А.Н., Матюшин В. М., Пинчук В. П. Диффузия меди в германии при рекомбинации на его поверхности атомов водорода из низкотемпературной плазмы/ /Тез. докл. III Всес. симп. по плазмохимии. Ноябрь 1979. М.: Наука. 1979. с. 29−31.
  113. В.И., Чеснокова В. А., Садина И. Ю. Травление арсенида галлия в тлеющем водородном разря-де//Изв. ВУЗов. Хим. и хим. техн. 1987. Т. 30. Вып. 7. с. 50−53.
  114. В.А., Горбань А. Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука. 1968. с. 268.
  115. Claussen N. Strengthening for Zr02 toughened ceramics at High Temperatures//Mater. Sei. Eng. 1985. V. 71. P. 23−28.
  116. Г. Г., Осипова И. И., Ронталь Г. Д. и др. Керамические инструментальные материалы//Под ред. Гнесина Г. Г. Киев: Техника. 1991. 388 с.
  117. Г. Г. Бескислородные керамические материалы на основе карбида и нитрида кремния//Неорг. м-лы. 1993. Т. 29. N6. с. 756−763.
  118. Van dem Hoek W.G.M. The etch mechanism for A1203 in fluorine and chlorine based RF by dry etchplasms process: Symp. Palo Alto, Calif., Apr. 1518. 1986.- Pittsburgh (Pa), 1986. p. 71−78.
  119. Г. А., Зеликман A.H. Металлургия редких металлов.- M.: Металлургия. 1955. 240 с.
  120. П.П., Гинстлинг A.M. Реакции в смесях твёрдых веществ. М.: Стройиздат. 1971. 488 с.
  121. Ю.Д. Твёрдофазные реакции. М.: Химии. 1978. с. 359.
  122. A.A. Сб. трудов. Т.2. Изд. АН СССР, 1948. с. 2 92- 5 62.
  123. П.П., Гинстлинг A.M. Исследование механизма и кинетики реакций в смесях твердых веществ // Усп. химии. 1954. Т.23. С. 491−506.
  124. В.А. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел. Киев: Наукова думка, 1973. 204 с.
  125. Г. А. Современные проблемы порошковой металлургии. Киев: Наукова думка, 1970. — 360 с.
  126. И.Ш. О возможности существования гидридо-хлорида кальция в продуктах взаимодействия атомарного водорода со смесью А1203 и СаС12 в плазме // Ж. Прикладной химии. 1993. Т.66. Вып.8. С. 18 581 860.
  127. И.Д., Максиов А. И., Светцов В. И. О сравнении диссоциации аммиака, хлора и брома в тлеющем и высокочастотном разрядах // Ж. Физ. хим. 1976. T.L. N 5. С. 1209−1211.
  128. В.К., Русонов В. Д., Фридман A.A. Диагностика неравновесной химически активной плазмы. -М, Энергоатом издат, 1985. -216 с.
  129. Д.П., Захожий Н. В. Материалы и изделия получаемые методом порошковой металлургии. -Киев: Наукова думка, 1975. с. 15−17.
  130. А.Н., Слепцов В. М. Дуговая плазма в металлургии и металлокерамике // Ж. Порошковая металлургия. 1965. N 1. С. 79−82.
  131. Я.П., Убеле И. П., Полчевскис Э. А. и др. Взаиодействие порошков олова и алюминия с высокотемпературным потоком азота // Изв. АН Латв. ССР. 1982, N 5. С. 551−554.
  132. К.З. Упрочнение деталей машин поверхностной закалкой при индукционном нагреве. -М.: Машиностроение, 1972. с. 142.
  133. Г. Д. Остаточные напряжения, прочность и деформации при поверхностной закалки токами высокой частоты. -М.: Машиностроение. 1973. 286 с.
  134. И.Ш., Мирсаидов У., Имомов А. Н., Хакимова Н. У. Физика и химия обработки материаллов. 1999 г. № 2, с.82−83.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!