Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Технология структур «карбид кремния — кремний» для приборов микроэлектроники и микросистемной техники

Диссертация: Технология структур «карбид кремния — кремний» для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: IV и VIII международные научные конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии», Кисловодск, 19−24 сентября, 2004 г. и 14−19 сентября 2008 г.- II международная конференция по физике электронных материалов, Калуга, 24−27 мая 2005 г.- 7-я… Читать ещё >

Содержание

  • Список терминов, условных обозначений и сокращений
  • ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ПО ВОПРОСАМ ЭПИТАКСИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ
    • 1. 1. Способы получения и особенности технологии роста гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/S
      • 1. 1. 1. Методы подготовки подложек
      • 1. 1. 2. Методики формирования буферного слоя
      • 1. 1. 3. Процессы осаждения 3C-SiC на кремниевые подложки
    • 1. 2. Базовые методы исследования структур 3C-SiC/S
  • ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
    • 2. 1. Описание установки газофазного осаждения карбида кремния
    • 2. 2. Разработка конструкции реактора
      • 2. 2. 1. Выбор геометрии реактора
      • 2. 2. 2. Выбор материалов для изготовления оснастки реактора
      • 2. 2. 3. Конструкция реактора
      • 2. 2. 4. Перспективы увеличения площади подложек
    • 2. 3. Подготовка подложек к процессу осаждения
    • 2. 4. Методики формирования буферного слоя
      • 2. 4. 1. Карбидизация поверхности монокристаллического кремния
      • 2. 4. 2. Карбидизация нанопористого кремния
      • 2. 4. 3. Использование нанопористого кремния без карбидизации
    • 2. 5. Методика выращивания эпитаксиальных слоев
      • 2. 5. 1. Влияние технологических параметров на характеристики эпитаксиального слоя
      • 2. 5. 2. Влияние параметров буферного слоя на характеристики эпитаксиального слоя
  • ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР SiC/Si ДЛЯ СОЗДАНИЯ МЕМБРАН МЭМС ЗЛ. Перспективы использования структур ЗС- SiC/Si в качестве мембран в МЭМС '
    • 3. 2. Методика изготовления мембран на основе 3C-SiC/S
    • 3. 3. Методика исследования и результаты измерения механических напряжений в 3C-SiC мембранах
  • ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ГЕТЕРОСТРУКТУР SiC/Si ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
    • 4. 1. Перспективы использования гетероперехода n-SiC/p-Si для фотоприемников, фотовольтаических преобразователей и транзисторных структур с широкозонным эмиттером
    • 4. 2. Методика изготовления экспериментальных образцов диодных структур
    • 4. 3. Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик гетероструктур 3C-SiC/S
      • 4. 3. 1. Структура с изотипным гетеропереходом n-SiC/n-S
      • 4. 3. 2. Структура с анизотипным гетеропереходом n-SiC/p-S
      • 4. 3. 3. Определение диффузионного потенциала на основе анализа вольт-амперных и C-V характеристик
    • 4. 4. Анализ процессов транспорта носителей заряда в гетероструктурах n-SiC/p-S
  • Заключение
  • Литература

Список терминов, условных обозначений и сокращений

АСМ — атомно-силовая микроскопия- МЭМС — микроэлектромеханические системы- РСМА — рентгеноспектральный микроанализ- РЭМ — растровая электронная микроскопия- ЭОС — электронная Оже-спектроскопия-

CVD (Chemical Vapor Deposition) — химическое осаждение из газовой фазы-

Cold-wall CVD — химическое осаждение из газовой фазы (метод холодной стенки) —

C-V — вольт-фарадный метод измерения параметров полупроводников- Hot-wall CVD — химическое осаждение из газовой фазы (метод горячей стенки) —

МВЕ (Molecular Beam Epitaxy) — молекулярно-пучковая эпитаксия- RTCVD (Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition) — химическое осаждение из газовой фазы с высокой скоростью подъема температуры.

Технология структур «карбид кремния — кремний» для приборов микроэлектроники и микросистемной техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Карбид кремния (SiC) является перспективным материалом для создания электронных, оптических приборов и микроэлектромеханических устройств экстремальной электроники. Благодаря высокой критической напряженности’поля пробоя, превышающей 2−106 В/см, температуре Дебая ~1200 К, механической прочности, устойчивости к температурным, химическим и радиационным воздействиям, потенциальные параметры приборов на его основе в ряде случаев значительно превышают параметры приборов на традиционных материалах [1−3]. Реализация уникальных свойств SiC в значительной степени определяется уровнем развития технологии формирования приборных структур. Одной из ' проблем получения эпитаксиальных слоев карбида кремния является подложечный материал. Максимальный размер коммерчески доступных подложек карбида кремния гексагональных политипных модификаций 4Ни 6H-SiC в настоящее время ограничен 4 дюймами, а стоимость их на несколько порядков превышает стоимость кремниевых подложек [4]. Гетероэпитаксия кубического карбида кремния (3C-SiC) на кремниевые подложки существенно удешевляет процессы создания приборов на основе этого материала. Однако при эпитаксии 3C-SiC на Si росту качественных монокристаллических слоев препятствуют рассогласование периодов решеток кремния и карбида кремния, составляющее порядка 20% и различие температурных коэффициентов линейного расширения (-8%). Для минимизации уровня механических напряжений в структурах, вызванных этими факторами, и улучшения кристаллического совершенства растущего слоя на поверхности исходной кремниевой подложки возможно создание тонкого переходного слоя, выполняющего функцию буфера. В большинстве работ, посвященных эпитаксии 3C-SiC на Si буферный слой получают методом карбидизации. Процесс карбидизации заключается в обработке поверхности подложки кремния углеродсодержащими газообразными компонентами при температуре 1000 °C и более. Однако, хотя таким образом и удается получать монокристаллические слои 3C-SiC, они не свободны от структурных дефектов и механических напряжений. Важной проблемой является исследование возможности использования в качестве буфера нанопористых слоев, пористая структура которых играет роль «мягкой» подложки и способствует эффективной релаксации механических напряжений. В этой связи представляет несомненный интерес исследование зависимостей параметров и характеристик слоев карбида кремния, выращенных на кремниевых подложках, от условий их получения.

Несмотря на очевидность перспектив применения кубического карбида кремния для создания приборов электронной и микросистемной техники, промышленного технологического оборудования для CVD-эпитаксии 3C-SiC на кремниевые подложки в России не существует. Отсутствие оборудования для эпитаксиального роста, обеспечивающего возможность проведения процесса при высоких температурах (до 1400°С) препятствует развитию производства структур 3C-SiC/Si.

В этой связи, целью настоящей работы является разработка технологических процессов и оборудования для газофазного осаждения кубического карбида кремния на кремниевые подложки, отработка базовых режимов формирования буферных слоев и режимов эпитаксии карбида кремния, исследование морфологических, механических и электрофизических свойств структур для приборов электроники и микросистемной техники.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: — Создание методики и аппаратуры для выращивания эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si, исследование температурных, временных, концентрационных соотношений с целью оптимизации режимов карбидизации и роста эпитаксиальных слоев;

— Отработка режимов роста эпитаксиальных слоев 3C-SiC на подложках с карбидизированными и некарбидизированными нанопористыми слоями кремния;

— Исследование морфологии, состава, структуры осаждаемых слоев в зависимости от режимов их формирования;

— Исследование механических характеристик структур 3C-SiC/Si и электрофизических параметров и характеристик анизотипных гетероструктур n-3C-SiC/p-Si.

Для решения поставленных задач реализован комплекс технологических операций, включающий формирование буферных слоев на монокристаллических подложках кремния и подложках кремния с нанопористым слоем, газофазное осаждение слоев 3C-SiC, изготовление мембран методами анизотропного жидкостного травления, формирование гетероструктур 3C-SiC/Si, с использованием реактивного ионно-плазменного травления. Для определения свойств и параметров слоев применялись следующие методы исследования: электронная Оже-спектроскопия, ИК Фурье спектроскопия, рентгеноспектральный микроанализ (РСМА), дифракция быстрых электронов, электрофизические измерения, атомно-силовая, растровая электронная (РЭМ) и ионная микроскопия. Подготовка образцов для растровой микроскопии осуществлялась с использованием техники остросфокусированного ионного пучка (FIB-технологии).

Научная новизна работы. В качестве оригинальных можно выделить следующие результаты диссертационной работы:

— Установлено, что в процессах эпитаксии 3C-SiC на Si с использованием реактора вертикального типа рост пленок определяется не только кинетическими и диффузионными ограничениями, но и процессами гетерогенной и гомогенной кристаллизации.

— Показано, что минимальный уровень механических напряжений в структурах 3C-SiC/Si может быть достигнут путем использования подложки с нанопористым кремнием при проведении процесса в интервале температур 1350- 1370 °C.

— Предложен способ создания гетероструктур n-3C-SiC/p-Si с улучшенными электрофизическими характеристиками, включающий формирование нанопористого слоя в подложке без использования электрохимического травления и последующую карбидизацию поверхности перед проведением процесса эпитаксии.

— Установлено, что разработанная аппаратура и технологические процессы эпитаксии позволяют создавать плоские и гофрированные мембранные структуры на основе 3C-SiC, характеризующиеся высокой чувствительностью к механическим воздействиям.

— Определены закономерности, связывающие степень структурного совершенства эпитаксиальных слоев 3C-SiC/Si с температурой процесса, концентрацией ростообразующих компонентов в газовой фазе, а также с расходами газовых потоков.

Практическая значимость работы состоит в том, что:

1. Разработано оригинальное технологическое оборудование и методика, обеспечивающая получение монокристаллических, текстурированных и поликристаллических пленок карбида кремния кубической политипной модификации на подложках кремния при температурах до 1400 °C.

2. Получены экспериментальные образцы плоских и гофрированных мембран размером 1.5×1.5 мм" и толщиной от 0.6 до 0.8 мкм. Полученные плоские мембраны характеризуется высокой чувствительностью к механическому воздействию (до 14 нм/Па), низкими значениями внутренних напряжений о (порядка 30 МПа) и высокой прочностью (критическое давление до 90кПа).

3. Изготовлены образцы гетероструктур на основе композиции ЗС-SiC/Si. Проведены исследования вольт-амперных характеристик образцов, изготовленных на подложках n-Si и p-Si. Установлено, что для получения диодов на гетеропереходах с высоким коэффициентом выпрямления (более 105) необходимо формировать мезаструктуры методом реактивного ионно-плазменного травления.

4. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении научно-исследовательских работ ЦМИД-165 «Эпитаксия», ЦМИД-172 «Опасность-РЛ».

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. При газофазном осаждении карбида кремния на подложку кремния в вертикальном реакторе при атмосферном давлении уменьшение скорости роста эпитаксиального слоя с ростом температуры определяется не только кинетическими и диффузионными ограничениями, но и процессами гетерогенной и гомогенной кристаллизации.

2. Величины механических напряжений в эпитаксиальных слоях карбида кремния определяются температурой роста и способом модификации поверхности подложки кремния. Минимальные значения напряжений независимо от метода подготовки буферного слоя соответствуют диапазону температур роста 1350 — 1370 °C. Нанопористая структура буферного слоя снижает уровень напряжений но, при этом, увеличивает степень разупорядоченности кристаллической структуры эпислоя 3C-SiC.

3. В области технологических режимов формирования слоев 3C-SiC на Si, обеспечивающих минимальный уровень остаточных напряжений, возможно создание структур МЭМС для устройств на основе плоских и гофрированных мембран, которые при сопоставимых геометрических размерах с аналогами на традиционных материалах (Si3N4) обеспечивают большую чувствительность к механическому воздействию.

4. Буферные слои на основе нанопористого кремния, подверженного карбидизации, позволяют формировать диодные анизотипные гетеро структуры 3C-SiC/Si, характеризующиеся эмиссионно-рекомбинационным механизмом транспорта носителей заряда и пробивными напряжениями, превышающими 200 В.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: IV и VIII международные научные конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии», Кисловодск, 19−24 сентября, 2004 г. и 14−19 сентября 2008 г.- II международная конференция по физике электронных материалов, Калуга, 24−27 мая 2005 г.- 7-я всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике, Санкт-Петербург, 5−9 декабря 2005 г.- 9 и 10 Научные молодежные школы по твердотельной электронике, Санкт-Петербург, 27−28 мая 2006 г. и 24−25 мая 2007 г.

Публикации. Основные теоретические и практические результаты диссертации опубликованы в 7 работах, среди которых одна публикация в ведущем рецензируемом издании, рекомендованном в действующем перечне, ВАК, а также 6 докладов на конференциях и семинарах различного уровня. Список публикаций приведен в конце автореферата. Основные положения защищены подачей заявки на патент на группу изобретений № 2 008 139 737 от 06.10.2008.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения*-четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 89 наименований. Основная часть работы изложена на 113 страницах машинописного текста. Работа содержит 53 рисунка и 4 таблицы.

Основные результаты работы:

1. Разработана и изготовлена установка CVD эпитаксии, позволяющая проводить подготовку интерфейса и осаждение слоев 3C-SiC на Si при температурах до 1400 °C.

2. Определены оптимальные условия карбидизации монокристаллического кремния и нанопористого кремния.

3. Экспериментально установлено, что скорость роста при CVD эпитаксии 3C-SiC монотонно уменьшается с ростом температуры. Такой характер зависимости объясняется обеднением газовой фазы ростообразующими компонентами за счет гетерогенной кристаллизации и увеличением вклада гомогенной кристаллизации в области подложки. При этом влияние гомогенной кристаллизации наиболее заметно при максимальных температурах эпитаксии и значениях потока моносилана.

4. Показано, что при осаждении карбида кремния в температурном диапазоне от 1200 до 1390 °C при скорости потока водорода 5,5 л/мин и соотношении Si/C на входе в реактор 0,26 в интервале температур 1200 -1300°С наблюдается рост преимущественно поликристаллических слоев с включениями монокристаллической фазы. В интервале температур 1300−1350°С наблюдается рост текстурированных пленок 3C-SiC, а при 1390 °C наблюдается рост монокристаллического 3C-SiC.

5. Установлено, что уменьшение потока пропана при фиксированном потоке моносилана ведет к изменению структуры слоя от монокристаллической до поликристаллической при изменении соотношения потоков пропана и моносилана на входе в реактор от 1,3 до 0.

6. Определен диапазон оптимальных температур подложки, позволяющий получать слои карбида кремния с минимальным уровнем механических напряжений. Минимальные значения напряжений независимо от метода подготовки буферного слоя соответствуют диапазону температур роста 1350 -1370°С.

7. Изготовлены образцы гетероструктур на основе композиции 3C-SiC/Si. Установлено, что для получения гетеропереходов, с высоким коэффициентом выпрямления (более 10^) необходимо формировать меза-структуры методом плазмохимического травления.

8. Проведен анализ вольт-амперных характеристик образцов, изготовленных на подложках n-Si и p-Si. Показано, что структуры с изотипными гетеропереходами не обладают выпрямлением, как на самом гетеропереходе, так и на контакте металл-карбид кремния. В тоже время анизотипные гетероструктуры обладали диодными характеристиками с максимальными обратными напряжениями до 200 В.

9. С использованием известных моделей токопереноса в гетероструктурах и результатов измерений ВАХ показано, что наиболее вероятным механизмом электронного транспорта в анизотипной гетероструктуре п-SiC/p-Si является эмиссионно-рекомбинационный.

10. Исследование значений остаточных напряжений в 3C-SiC мембранах показало, что для плоских мембран чувствительность уменьшается с увеличением значения внутренних напряжений а. Максимальная чувствительность была достигнута на гофрированных мембранах, несмотря на большую, по сравнению с плоскими мембранами, толщину.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , П.А. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния Текст. / П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, А.К. Agarwal // ФТП. — 2005. — т. 39, 8. — С. 897−913.
  2. , В.В. Карбид кремния материал экстремальной электроники Текст. / В. В. Лучинин, Ю. М. Таиров // Петербургский журнал электроники. — 1996. — № 02 (11). — С. 53−78.
  3. , В.А. Пирометрические зонды на основе кристаллов карбида кремния Текст. / В. А. Карачинов, С. В. Ильин, Д. В. Карачинов // ПЖТФ. 2005. — том 31. — выпуск 11. — С. 1−4.
  4. Электронная страница компании Cree, Inc. Электронный ресурс. // (http://www.cree.com/products/materials.asp)
  5. , Е.Н. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния Текст. / Е. Н. Мохов, Ю. Ф. Водаков, Г. А. Ломакина // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: сб. материалов. Л.: ЛИЯФ, 1979. — С.136−149.
  6. Vodakov, Yu. A. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sendwich method I Текст. / Yu. A. Vodakov, E. N. Mokliov, M. C. Ramm, A. D. Roenkov // Ciyst. Res. & Teclm. 1979. — № 14(6). — P.729 — 741.
  7. Mokhov, E. N. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sandwich method II Текст. / E. N. Mokhov, I. L. Schulpina, D. S. Tregubova, Yu. A. Vodakov // Cryst. Res. & Techn. 1981. — № 16(8). — P.879 — 886.
  8. Shigehiro, Nishino Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices Текст. / Shigehiro Nishino, J. Anthony Powell, Herbert A. Will // Appl. Phys. Lett. 1983. — vol.42(5). — P.460.
  9. Hernandez, M.J. Study of surface defects on 3C-SiC films grown on Si (lll) by CVD Текст. / M.J. Hernandez, G. Ferro, T. Chassagne, J. Dazord, Y. Monteil // Journal Of Crystal Growth. 2003. — vol.253. — P.95−101.
  10. Нашел ьский, А .Я. Технология полупроводниковых материалов Текст. /-А.Я. Нашельский // М.: Металлургия, 1987. 268 с.
  11. , В.Ю. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы Текст. / В. Ю. Киреев, А. А. Столяров // М.: Техносфера, 2006. 83 с.
  12. Kern, Werner The evolution of silicon wafer cleaning technology Текст. / Werner Kern //J. Electrochem. Soc. 1990. — vol.137. — P. 1887.
  13. Ishizaka, A. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon МВЕ Текст. / A. Ishizaka, Y. Shiraki // J. Electrochem. Soc.-1986.-vol.133.-P.666.
  14. Fawcett, T.J. Hydrogen gas sensors using 3C-SiC/Si epitaxial layers Текст. / T.J. Fawcett, J.T. Wolan, R.L. Myers, J. Walker, S.E. Saddow // Materials Science Forum. 2004. — vol.457−460. — P. 1499−1502.
  15. Becourt, N. Characterization of the buffer layer in SiC heteroepitaxy Текст. / N. Becourt, B. Cros, J.L. Ponthenier, R. Berjoan, A.M. Papon, C. Jaussaud//Appl. Surf. Sci. 1993. — vol.68. — P.461−466.
  16. Jia, Hujun Epitaxial growth and microstructure of cubic SiC films on Si substrate Текст. / Hujun Jia, Yintang Yang, Changchun Chai, Yuejin Li, Zuoyun Zhu // Optical Materials. 2003. — vol.23. — P.49−54.
  17. Yuan, С. Effects of carbonisation on the growth of 3C-SiC on Si (lll) by silacyclobutane Текст. / С. Yuan, A. J. Steckl, M. J. Loboda // Appl. Phys. Lett. 1994. — vol.64(22). — P.3000−3002.
  18. Li, J. P. Structural characterization of nanometer SiC films grown on Si Текст. / J. P. Li, A. J. Steckl, I. Golecki, F. Reidinger, L. Wang, X. J. Ning, P. Pirouz // Appl. Phys. Lett. 1993. — vol.62(24). — P.3135−3137.
  19. Addamiano, A. Chemically formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide on silicon single crystals Текст. / A. Addamiano, P. H. Klein // J. Cryst. Growth. 1984. — V.70. — P.291−294.
  20. Christian, A. Epitaxial growth of 3C-SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure CVD Текст. / С. A. Zorman, A. J. Fleischman, S.A. Dewa, Mehran Mehregany // J. Appl. Phys. 1995. — vol.78(8). -P.5136−5138.
  21. Hu, Ming Shien Surface carbonization of Si (111) by C2H2 and the subsequent SiC (111) epitaxial growth from SiH4 and C2H2 Текст. / Ming Shien Hu, Lu Sheng Hong// Journal of Crystal Growth. 2004. — vol.265. — P.382−389.
  22. , С.И. Тепловое расширение твердых тел Текст. / С. И. Новикова // М.: Наука, 1974. 294 с.
  23. , М.Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников Текст. / М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский // М.: Металлургия, 1985. — 256 с.
  24. Learn, A.J. Growth morphology and crystallographic orientation of P-SiC films formed by chemical conversion Текст. / A.J. Learn, I.H. Khan // Thin solid films. 1970. — vol.5. — P.145−155.
  25. Nishino, Shigehiro Chemical vapor deposition of single crystalline beta-SiC films on silicon substrate with sputtered SiC intermediate layer
  26. Текст. / Shigehiro Nishino, Yoshikazu Hazuki, Hiroyuki Matsunami, Tetsuro Tanaka // J. Electrochem. Soc. 1980. — vol.127. — P.2674.
  27. Wang, Y.S. The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si Текст. / Y.S. Wang, J.M. Li, F.F. Zhang, L.Y. Lin // J. Cryst. Growth.1999. V.201/202. — P.564−567.
  28. Hurtos, E. Low temperature SiC growth by metalorganic LPCVD on MBE carbonized Si (001) substrates Текст. / E. Hurtos, J. Rodrigues-Viejo, J. Bassas, M.T. Clavaguera-Mora, K. Zekentes // Materials Science and Engineering. 1999. — V.61−62. — P.549−552
  29. Scholz, R. Micropipes and voids at beta-SiC/Si (100) interfaces: an electron microscopy study Текст. / R. Scholz, U. Gosele, E. Niemann, F. Wischmeyer // Appl. Phys. A. 1997. — V.64. — P. l 15−125.
  30. , A. «Buffer layer» technique for the growth of single crystal SiC on Si Текст. / A. Addamiano, J.A. Sprague // Applied Physics Letters. 1984. — vol. 44. — P. 525−527.
  31. Ferro, G. Atomic force microscopy growth modeling of SiC buffer layers on Si (100) and quality optimization Текст. / G. Ferro, Y. Monteil, H. Vincent and V. Thevenot // J. Appl. Phys. 1996. — V.80 (8). — P.4691−4702.
  32. Nishino, S. Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon Текст. / S. Nishino, H. Suhara, H. Ono, H. Matsunami // J. Appl. Phys. 1987. — V.61. — P.4889−1987.
  33. Nagasawa, H. Suppression of etch pit and hillock formation on. carbonization of Si substrate and low temperature growth of SiC Текст. / H. Nagasawa, Y. Yamaguchi // J. Cryst. Growth. 1991. — V.115. — P.612−616.
  34. Mendez, D. Analysis of SiC islands formation during first steps of Si carbonization process. Текст. / D. Mendez, A. Aouni, D. Araujo, E. Bustarret, G. Ferro, Y. Monteil // Materials Science Forum. 2005. — V.483−485. — P.555−558.
  35. Nagasawa, Hiroyuki 3C-SiC hetero-epitaxial growth on undulant Si (001) substrate Текст. / Hiroyuki Nagasawa, Kuniaki Yagi, Takamitsu Kawahara // Journal of Crystal Growth. 2002. — Vol. 237−239. — P. 1244−1249.
  36. Ishida, Y. CVD Growth Mechanism of 3C-SiC on Si Substrates Текст. / Y. Ishida, T. Takahashi, H. Okumura, S. Yoshida, T. Sekigawa // Materials Science Forum. 1998. — Vols. 264−268. — P. 183−186.
  37. Steckl, A. J. Growth of crystalline 3C-SiC on Si at reduced temperatures Текст. / A.J. Steckl, C. Yuan, J.P. Li // Appl. Phys. Lett. 1993. -Vol. 63. — P. 3347−3349. r.
  38. Reyes, M. Increased Growth Rates of 3C-SiC on Si (100) Substrates via HC1 Growth Additive Текст. / M. Reyes, Y. Shishkin, S. Harvey, S.E. Saddow // Materials Science Forum. 2007. — Vols. 556−557. — P. 191−194.
  39. Pazik, J.C. Epitaxial growth of beta-SiC on silicon-on-sapphire substrates by chemical vapor deposition Текст. / J. C. Pazik, G. Kelner, N. Bottka // Appl. Phys. Lett. 1991. — vol. 58. — P.1419−1421.
  40. Cloitre, Т. Growth of 3G-SiC on Si by Low Temperature CVD
  41. Текст. / Т. Cloitre, N. Moreaud, P. Vicente, M.L. Sadowski, R.L. Aulombard // Materials Science Forum. 2001. — V.353−356. — P. 159−162.
  42. Shibahara, K. Surface morphology of cubic SiC (lOO) grown on Si (100) by chemical vapor deposition Текст. / К. Shibahara, S. Nishino, H. Matsunami // J. Cryst. Growth. 1986. — V.78. — P.538−544.
  43. , B.B. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния Текст. /В.В. Зеленин, М. Л. Корогодский, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. 2001. — т. 35. — вып.10. — С.1169.
  44. , В.И. Высокочувствительный датчик температуры на основе гетероэпитаксиальной структуры SiC/Si Текст. / В. И. Чепурнов, Т. П. Фридман // Микросистемная техника. 2002. — Выпуск 2. — С. 17−21.
  45. , В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев Текст. / В. В. Батавин // М.: «Сов. радио». 1986. — 104с. t .
  46. , Дж. Растровая электронная микроскопия ирентгеновский микроанализ Текст.: кн. 1. / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери и др.//пер. с англ. М: Мир. — 1984. — 303с.
  47. , Н.Е. Введение в электронную микроскопию минералов Текст. / Н. Е. Сергеева // М.: Изд-во Моек ун-та. 1977. — 144 с.
  48. , Т. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия Текст. / Карлсон Т.//пер. с англ.- Л. 1981. — 432 с.
  49. , С.С. Оже-электронная спектроскопия Текст. / С. С. Еловиков // Соросовский Образовательный Журнал. 2001. — № 2. — Том 7. -С.82−88.
  50. , Б. К. Структурная электронография Текст.: монография. Москва: Изд-во Академии наук СССР, 1956. — 342 с.
  51. , М. А. Ионно-лучевая технология сверхлокального препарирования интегральных схем Текст. / М. А. Кузнецова, В. Вг Лучинин, А.Ю. Савенко// Известия ТЭТУ. 2006. — № 2.
  52. , А. А. Сканирующие зондовые микроскопы (обзор) Текст. / А. А. Суслов, С. А. Чижик// Материалы, Технологии, Инструменты. -1997. Т.2. -№ 3.-С.78−89.
  53. , Т. Новые профессии туннельного микроскопа Текст. / Т. Шермергор, В. Неволин // Наука и жизнь. 1990. — № 11. — С.54−57.
  54. , А.В. Улучшение характеристик высокочастотных электротермических установок Текст. / А. В. Донской, В. В. Володин //М.-Л.: Энергия. 1966. — 136 с.
  55. Математическое моделирование газодинамических процессов в проточных газоэпитаксиальных реакторах Текст.: учеб-метод, пособие /
  56. A.И. Жмакин, И. П. Ипатова, Ю. Н. Макаров, А. А. Фурсенко // Л.: ФТИ. -1985.-95 с.
  57. , А.В. Методика эпитаксиального наращивания кубического карбида кремния на кремнии по технологии CVD Текст. /
  58. B.А. Ильин, А.З. Казак-Казакевич, А. В. Матузов, А. С. Петров // Известиявысших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. — № 3. -С.22−26.
  59. Luryi, S. New approach to the high quality epitaxial growth of lattice-mismatched materials Текст. / S. Luryi, E. Suhir // Appl. Phys. Lett. -1986. V.49. -P.140.
  60. , Б.Б. Влияние концентрации компонентов на кинетику реакций кремния с плавиковой кислотой, содержащей NaNC>2 Текст. / Б. Б. Логинов, С. И. Кольцов // Журнал прикладной химии. 1982. — № 6. -С.1233.
  61. , Б.Б. Взаимодействие кремния с плавиковой кислотой, содержащей азотистокислую соль Текст. / Б. Б. Логинов // Журнал прикладной химии. 1977. — № 8. — С. 1683.
  62. , Б.Б. Синтез и исследование кремневодородных пленок на кремнии Текст.: дис. канд. хим. наук: 02.00.04. Л. 1979. — 149 с.
  63. , П.К. Необычные свойства пористого кремния Текст. / П. К. Кашкаров // Соросовский образовательный журнал. — 2001. -№ 1. с. 102−107.
  64. , А.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний-монокристаллический кремний Текст. / А. А. Евтух, Э. Б. Каганович, Э. Г. Манойлов, Н. А. Семененко // ФТП. 2006. — том 40. — выпуск 2. — С. 180.
  65. Smith, R. L. Porous silicon formation mechanisms Текст. / R. L. Smith, S. D. Collins // J. Appl. Phys. Vol. 71. — № 8. — P. R1-R22.
  66. , A.B. Получение эпитаксиальных слоев кубического карбида кремния на подложках кремния методом газо-фазной эпитаксии Текст. / Н. М. Коровкина, М. А. Кузнецова, А. В. Матузов, А. Ю. Савенко //
  67. Материалы 7-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 5−9 декабря 2005 г. -Санкт-Петербург. С. З5.
  68. Chassagne, Т. A comprehensive study of SiC growth processes in a VPE reactor Текст. / Т. Chassagne, G. Ferro, D. Chaussende, F. Cauwet, Y. Monteil, J. Bouix // Thin Solid Films. 2002. — v.402. — P.83.
  69. Hu, M.S. Surface carbonization of Si (lll) by C2H2 and the subsequent SiC (lll) epitaxial growth from SiH4 and C2H2 Текст. / M.S. Hu, L.S. Hong//Journal of Crystal Growth. 2004. — 265. — P.3 82.
  70. Технология полупроводникового кремния Текст. / Под ред. Э.С. Фалькевича// М.: Металлургия. 1992. — С.243.
  71. , А.В. Газофазная металлургия тугоплавких соединений Текст. / А. В. Емельянов // М.: Металлургия.- 1987. 208с.
  72. Hernandez-Calderon, I. New method for the analysis of reflection high-energy electron diffraction: a-Sn (OOl) and InSb (OOl) surfaces Текст. / I. Hernandez-Calderon, H. Hochst // Phys.review. 1983. — vol. 27(8). — p.4961.
  73. , M. Введение в физику поверхности Текст. / М. Праттон // Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». 2000.- 86с.
  74. , Н.П. Механические явления в интегральных структурах Текст. / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян // М.: Радио и связь. -1992.-С.116.
  75. , А.Н. Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники Текст.: дис. канд. тех. наук: 05.27.01. защищена 25.10.2007. СПб. — 2007. — 136 с.
  76. , А.А. Волоконно-оптический вибродатчик на основе микрооптомеханического преобразователя Текст. / А. А. Ветров, С. С. Комиссаров, А. В. Корляков, А. Н. Сергушичев // Микро- и наносистемная техника. 2007. — № 8. — С.8.
  77. , Ж.И. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики Текст. / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. Д. Румянцев // ФТП. том 38. — вып.8. — 2004. — С.937.
  78. , Ж.И. Двойные гетероструктуры: Концепция и применения в физике, электронике н технологии Текст. / Ж. И. Алферов // Успехи физических наук. 2002. — т. 172. — № 9. — С. 1068−1086.
  79. Электронная страница Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. Тематические БД. Новые полупроводниковые материалы: диагностика и свойства. Кремний Электронный ресурс. // (http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/electric.html).
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!