Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2

Диссертация: Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложена модель, позволяющая утверждать, что за полосы ЭЛ 2.7 и 4.4 эВ ответственны дефекты типа двухкоординированного кислородом кремния (02=81:), которые возбуждаются горячими электронами с энергией ^ 5 эВ. Установлено, что ИИ приводит к образованию таких дефектов за счет разрыва двух 81−0 связей в одном кремниевокислородном тетраэдре (при имплантации ионов Аг) и за счет создания… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ИМПЛАНТАЦИЯ ИОНОВ В ТВЕРДЫЕ ТЕЛА
    • 1. 1. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
    • 1. 2. МЕХАНИЗМЫ ДИССИПАЦИИ ЭНЕРГИИ ПРИ
  • ТОРМОЖЕНИИ ИМПЛАНТИРУЕМЫХ ИОНОВ И
  • РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ВНЕДРЕННЫХ АТОМОВ ПО
  • ГЛУБИНЕ
    • 1. 2. 1. Потери энергии имплантируемых ионов на ядерную подсистему
    • 1. 2. 2. Потери энергии имплантируемых ионов на электронную подсистему
    • 1. 2. 3. Распределение пробегов имплантированных ионов в веществе
    • 1. 2. 4. Каналирование и краудионы
    • 1. 3. ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ИОННО- ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
    • 1. 3. 1. Образование дефектов, обусловленное взаимодействием имплантированных ионов с ядерной подсистемой твердого тела
    • 1. 3. 2. Образование дефектов, обусловленное взаимодействием имплантированных ионов с электронной подсистемой твердого тела
    • 1. 4. ИЗМЕНЕНИЯ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ МИШЕНИ
    • 1. 4. 1. Распыление
    • 1. 4. 2. Фазовые переходы и структурные перестройки в подвергнутых имплантации материалах
    • 1. 5. ЭФФЕКТ ДАЛЬНОДЕЙСТВИЯ
    • 1. 6. ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
    • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. СИСТЕМА ЭЛЕКТРОЛИТ- ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК И ЕЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПРОЦЕССОВ В СТРУКТУРАХ ЯьвЮа
    • 2. 2. МЕТОД ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ- ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК
    • 2. 2. 1. Исследование ионно- имплантированных структур 5г-5г02 люминесцентными методами
    • 2. 2. 2. Экспериментальная техника и аппаратура
    • 2. 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУР ЗьЭЮз В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРО ЛИТ- ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК
    • 2. 4. ИССЛЕДУЕМЫЕ ОБРАЗЦЫ
  • 3. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ИОННО- ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СТРУКТУР вьвЮг
    • 3. 1. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ИСХОДНЫХ СТРУКТУР Э^кь в
  • СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ-ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК
    • 3. 2. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР Б^Юг, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ Аг
    • 3. 3. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР, СФОРМИРОВАННЫХ ПО ТЕХНОЛОГИИ ЭШОХ
    • 3. 4. ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ НА ВИД СПЕКТРАЛЬНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СТРУКТУР Б^Юз
      • 3. 4. 1. Природа дефектов, ответственных за полосу 1.9 эВ в спектрах ионно- имплантированных структур Зг-вЮъ
      • 3. 4. 2. Природа дефектов, ответственных за полосы 2.7 и 4−4 эВ в спектрах ионно- имплантированных структур 5г-5г*
      • 3. 4. 3. Механизм образования в исходных структурах Бгцентров, ответственных за полосу ЭЛ 2.7 эВ и полосы УФ- области спектра
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
  • 4. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННО- ИМ
  • ПЛАНТИРОВАННЫХ СТРУКТУР
    • 4. 1. изменение зарядового состояния структур 8ь&-02 под действием имплантации ионов Аг и последующих воздействий
      • 4. 1. 1. Влияние ионной имплантации на зарядовое состояние структур 5г-5г
      • 4. 1. 2. Влияние отжига на зарядовое состояние имплантированных ионами Аг структур 5г-5гс>
      • 4. 1. 3. Влияние БУФ- облучения на зарядовое состояние ионно- имплантированных структур 5г-5г
    • 4. 2. влияние ионной имплантации и последующих менее энергетичных воздействий на характер протекающих в структурах эьэюг электронных процессов
      • 4. 2. 1. Влияние ионной имплантации на характер протекающих в структурах 5г-5г02 электронных процессов
      • 4. 2. 2. Влияние ионной имплантации и постимпланта-ционного отжига на характер протекающих в структурах 5г-5г"02 электронных процессов
    • 4. 3. электрически активные центры, образующихся вог вследствие ионной имплантации в окисный слой структур вь эюг
      • 4. 3. 1. Природа электрически активных центров, образующихся во внешней области 5гОг вследствие ионной имплантации в окисный слой структур 5г-5г
      • 4. 3. 2. Электрически активные центры, образующиеся в 5гОг вблизи границы с £г вследствие ионной имплантации в окисный слой структур
  • выводы к главе 4
  • 5. ПРИРОДА, СВОЙСТВА И МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ, СОЗДАЮЩИХСЯ В СТРУКТУ
  • PAX Si-Si02 В РЕЗУЛЬТАТЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
    • 5. 1. МЕХАНИЗМЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В Si02 ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В ОКИСНЫЙ СЛОЙ СТРУКТУР Si-S
    • 5. 2. ПРИРОДА ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В Si02 ВБЛИЗИ ГРАНИЦЫ С Si ВСЛЕДСТВИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В ОКИСНЫЙ СЛОЙ СТРУКТУР Si-S
      • 5. 2. 1. Природа электрически активных центров, ответственных за отрицательный заряд в окисле
      • 5. 2. 2. Природа электрически активных центров, ответственных за положительный заряд в окисле
    • 5. 3. СТРУКТУРНЫЕ ПЕРЕСТРОЙКИ В ОКИСНОМ СЛОЕ ИОННО- ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СТРУКТУР Si-S
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5
  • ВЫВОДЫ

Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Структуры вьвЮг и создаваемые на их основе структуры металл-диэлектрикполупроводник (МДП) являются основой элементной базы современной микрои твердотельной электроники. Это обусловлено прежде всего совершенством границы раздела 81−8502, что позволяет создавать структуры с необходимыми параметрами и изготавливать на их основе дискретные приборы и интегральные схемы широкого функционального назначения. В связи с этим изучение свойств структур БьвЮг представляет большой научный и практический интерес.

Эффекты связанные с радиационным воздействием на них изучаются на протяжении многих лет и с различными целями. Один из методов радиационного воздействия — метод ионной имплантации (ИИ) — основан на внедрении (имплантации) в твердое тело ускоренных в электрическом поле ионизированных атомов или молекул [1−3]. При этом в любое твердое тело могут быть имплантированы любые заряженные частицы, вне зависимости от пределов химической растворимости, температуры в процессе имплантации и концентрации материала примеси на поверхности мишени. Концентрация внедренных атомов примеси имеет распределение по глубине, которое в общем случае может быть описано гауссовым распределением [1,3]. Помимо внедрения имплантантов, за счет диссипации энергии ионов при прохождении сквозь тормозящее вещество, в облучаемом твердом теле образуются структурные нарушения [1−4]. Таким образом, в результате ИИ происходит изменение характеристик облучаемых объектов, к которым относятся состав подверженного ИИ материала (за счет внедрения имплантантов), и его структура (за счет диссипации энергии ионов). С помощью ИИ, изменяя параметры облучения и облучаемых объектов, в структурах БьвЮг можно создавать локальные области с заранее заданными свойствами, что находит широкое применение в различных областях науки и техники. С другой стороны, образование электрически активных дефектов в структурах БьЭЮг вследствие ИИ приводит к нежелательному изменению в работе приборов и схем, созданных на основе данных структур. В связи с чем изучение влияния ИИ на структуры БьвЮг представляет интерес в плане прогнозирования поведения приборов и схем в условиях облучения.

Дефекты, образующиеся в структурах БьБЮг вследствие ионного внедрения аналогичны дефектам создающимся при других радиационных воздействиях. Специфика дефектообразования при ИИ заключается в том, что помимо формирования широкого спектра разнообразных нарушений, оно происходит гораздо интенсивнее, чем при воздействии любого другого вида радиации, так как при ионной бомбардировке доминируют потери энергии, обусловленные упругими соударениями с ядрами или атомами тормозящего вещества. При этом необходимо понимать каким именно образом изменяется структура ЭЮг в результате ИИ, какие типы дефектов возникают, и какие температурные обработки необходимо использовать для восстановления подверженной данному воздействию структуре. Несмотря на многочисленные исследования ионноимплантированных структур БьБЮг с использованием разнообразных методик, остается много не ясных вопросов о свойствах, природе и механизмах образования таких дефектов.

Актуальность настоящей работы, включающей в себя исследование ионноимплантированных структур БьБЮг, заключается в том, что она выполнена совместно методами основанными на измерении высокочастотных вольтфарадных характеристик (ВЧ ВФХ) и методом электролюминесценции (ЭЛ). Это позволило не только выяснить природу, свойства и пространственное распределение как электрически активных, таки электрически неактивных (люминесцентных) центров, образующихся в результате ИИ в структурах 81−8102, но и установить их связь с механизмами дефектообразования.

Цель работы.

Цель данной работы заключалась в установлении связи природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в структурах 81−8102 в результате ИИ. Реализация данной цели предполагала решение следующих задач:

1. Изучение свойств центров люминесценции и механизмов их образования в ионноимплантированных структурах БьЭЮг методом ЭЛ в системе электролитдиэлектрикполупроводник (ЭДП). Выявление зависимости их концентрации от дозы имплантации, температуры постимплантационного быстрого термического отжига (БТО) и облучения светом из области ближнего ультрафиолета (БУФоблучение).

2. Изучение электрофизических свойств ионноимплантированных структур ЭьвЮг (в системе ЭДП). Выявление зависимости концентрации электрически активных дефектов от дозы имплантации, температуры БТО и воздействия БУФсветом.

3. Исследование влияния дефектов, образующихся в ионноимплантированных структурах БьЭЮг, на характер протекающих в них электронных процессов.

4. Разработка модели дефектообразования в результате ИИ в структурах ЭьЭЮг.

Научная новизна работы.

В данной работе:

1. Впервые совместно методами ЭЛ и методами основанными на измерении ВЧ ВФХ исследовано влияние ионной имплантации и последующих менее энергетичных воздействий на электрофизические свойства структур вьЭЮг. Выявлено влияние дефектов, образующихся в ионноимплантированных структурах 81−8Ю2, на характер протекающих в них электронных процессов.

2. Показано, что в диапазоне 250−800 нм спектры ЭЛ структур вьвЮг, имплантированных ионами Аг, содержат три характеристические полосы излучения: 1.9, 2.7 и 4.4 эВ, а спектры ЭЛ структур БьвЮг, сформированных по технологии БШОХ — две: 2.7 и 4.4 эВ. Получены зависимости интенсивностей названных полос ЭЛ от дозы имплантации, температуры постимплантационного быстрого термического отжига (ВТО) и облучения светом из области ближнего ультрафиолета (БУФоблучение) (в случае структур имплантированных ионами Аг), и от толщины маскирующего окисного слоя, выращенного на кремнии до начала имплантации ионов О (в случае формирования ЭШОХструктур). Определены пространственные распределения центров, ответственных за данные полосы ЭЛ, в окисном слое имплантированных структур.

3. Установлено, что имплантация ионов Аг приводит к увеличению концентрации электронных ловушек во внешнем окисном слое структур 8ь8Ю2 и плотности поверхностных состояний (ПС) на межфазовой границе (МФГ) Э^ЭЮг, к образованию в окисном слое вблизи границы с как центров, ответственных за положительный заряд, так и центров, ответственных за отрицательный заряд и являющихся дырочными ловушками, заполняемыми в электрическом поле. Получены зависимости величин этих зарядов, концентраций ловушек и плотности ПС от дозы имплантации, температуры ВТО и БУФоблучения.

4. Обнаружен и исследован эффект перезарядки при облучении БУФсветом амфотерных центров в окисном слое структур ЗД-ЗЮэ, образующихся вследствие ИИ в положительно заряженном состоянии.

5. Предложена модель, объясняющая природу и пространственное расположение образующихся вследствие ИИ в окисном слое структур БьЗЮг дефектов. Согласно этой модели, природа этих дефектов тесно связала с особенностями процессов дефектообразования при ИИ, в частности, с формированием в результате таких процессов в окисле пространственно разделенных нестехиометрических слоев Э1МОХ сж>2иж<2.

Практическая ценность работы.

1. Обнаруженный в данной работе эффект перезаряжения при БУФ-облучении образованных вследствие ЙИ положительно заряженных центров может быть использован при разработке датчиков для регистрации БУФоблучения на основе ионноимплантированных структур Зг-ЭЮа, а также для выделения областей ЭЮ2, подвергнутых ИИ.

2. Выявлена нестабильность в электрических полях зарядового состояния ионноимплантированных структур БьвЮг, связанная с тем, что образующиеся в БЮг вблизи границы с в результате ИИ центры, ответственные за отрицательный заряд, являются дырочными ловушками, заполняемыми в электрическом поле.

3. С помощью метода ЭЛ установлено отсутствие силанольных групп в окисном слое структур вьвЮг, сформированных по технологии БШОХ.

На защиту выносятся:

1. Закономерности образования и трансформации электрически активных и электрически неактивных (люминесцентных) центров в структурах Si-SiC>2 вследствие ионной имплантации и последующих воздействий (таких как, постимплантационный отжиг, облучение светом из области ближнего ультрафиолета с hi/ = 4 — 6 эВ, воздействие электрическим полем).

2. Способ выделения участков исследуемых образцов, подверженных ионной имплантации, путем БУФоблучения и способ регистрации излучения в области ближнего ультрафиолета с помощью заряжения структур, подверженных ИИ.

3. Модельные представления о природе, пространственном распределении дефектов и механизмах их образования, в структурах Si-Si02 под воздействием ионной имплантации, позволяющие объяснить совокупность полученных экспериментальных результатов.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались на VI Международной Школе Физики Юнеско «Condensed Matter and Materials Physics» (Санкт-Петербург, 1996) и на Международной Конференции «Лиэ лектрики-97» (Санкт-Петербург, 1997). По материалам диссертации опубликовано 5 научных работ.

Структура и содержание работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы и содержит 165 страниц машинописного текста, 8 таблиц, 58 рисунков и 232 библиографические ссылки.

в ыв о ды.

1. Методом ЭЛ в системе ЭДП показано, что спектральное распределение ЭЛ структур 81−8Ю2, имплантированных ионами Аг, содержит характеристические полосы излучения с энергиями 1.9, 2.7 и 4.4 эВ, описываемые гауссовыми распределениями. Получены зависимости вида спектрального распределения Э Л от дозы имплантации, плотности тока ионов, температуры БТО и толщины окисного слоя. Изучено влияние электрического поля и БУФоблучения на вид спектрального распределения.

2. Методом ЭЛ в системе ЭДП показано, что спектральное распределение ЭЛ стрз^ктур ЭьвЮг, сформированных по технологии ЭШОХ, содержит характеристические полосы свечения с энергиями 2.7 и 4.4 эВ, описываемые гауссовыми распределениями. Отмечено полное отсутствие полосы ЭЛ 1.9 эВ. Получены зависимости вида спектрального распределения ЭЛ от толщины маскирующего окисного слоя выращенного на кремнии перед формированием ЭШОХструктур.

3. С помощью электрофизических методов, основанных на измерении ВЧ ВФХ в системе ЭДП, установлено, что ИИ в окисный слой структур 8ь8Ю2 приводит к увеличению отрицательного заряда во внешнем слое окисла и к увеличению плотности ПС в запрещенной зоне кремния на МФГ 81/8Ю2. В случае структур 81−8Ю2(250нм) ИИ приводит к образованию в ЭЮ2 вблизи границы с двух зарядов разного знака (отрицательного ближе к границе с 81), а в случае структур 81−8Ю2(90нм) — одного положительного заряда. Получены зависимости величин выделяемых зарядов и плотности ПС от дозы имплантации и температуры БТО. Изучено влияние электрического поля на зарядовое состояние ионноимплантированных структур 81−8Ю2. Установлено, что ИИ приводит к увеличению концентрации электронных ловушек во внешнем слое ¡-ЗЮ2 и к образованию в окисном слое структур 8ь8Ю2(250нм) вблизи границы с Э! дырочных ловушек, заполняемых в электрическом поле. Изучено влияние БУФоблучения на зарядовое состояние ионноимплантированных структур Э1−8Ю2. Установлено, что БУФоблучение ионноимплантированных структур приводит к образованию в окисном слое вблизи границы с Э1 отрицательного заряда.

4. Подтверждена связь полосы ЭЛ 1.9 эВ и электронных ловушек во внешнем окисном слое с наличием в 8Ю2 водородосодержащих комплексов (в частности, силанольных групп). ИИ приводит к увеличению, а постимплантационные БТО, БУФоблучение — к уменьшению концентрации таких комплексов во внешнем слое 8Ю2. Полевое воздействие и уменьшение плотности тока ионов Аг в процессе имплантации приводит к уменьшению содержания силанольных групп. Отсутствие полосы ЭЛ 1.9 эВ в спектрах структур 81−8Ю2, вьшолненных по технологии ЭГМОХ, свидетельствует о невозможности проникновения ионов водорода и водородосодержащих комплексов в 81 в область формирования слоя 8Ю2 при данном способе создания структур.

5. Предложена модель, позволяющая утверждать, что за полосы ЭЛ 2.7 и 4.4 эВ ответственны дефекты типа двухкоординированного кислородом кремния (02=81:), которые возбуждаются горячими электронами с энергией ^ 5 эВ. Установлено, что ИИ приводит к образованию таких дефектов за счет разрыва двух 81−0 связей в одном кремниевокислородном тетраэдре (при имплантации ионов Аг) и за счет создания микрокристаллических кремниевых вкраплений в 8Ю2 (при формировании 81МОХструктур). Показано, что с увеличением дозы имплантации ионов Аг в структуры ЭьЭЮг на начальном этапе происходит рост концентрации дефектов типа 02=Э1, который сменяется ее уменьшением и новым увеличением. Немонотонный характер такой зависимости можно объяснить структурными перестройками, происходящими в окисном слое. Постимплантационные ВТО, БУФ-облучение и полевое воздействие приводят к уменьшению содержания центров свечения, ответственных за полосы ЭЛ 2.7 и 4.4 эВ. При имплантации ионов О в 81 (при формировании вШОХструктур) через маскирзпющий окисный слой в сформированном 8Ю2 существенно уменьшается содержание дефектов типа 02=8к. б. Предложена модель образования дефектов в структурах вьЭЮг при ИИ, связанная с изменением свойств окисного слоя:

— с нарушением внешнего окисного слоя приводящим к увеличению содержания и области локализации в 8Ю2 водородосодержащих комплексов;

— с образованием (в случае структур 81−8Ю2(250нм), имплантированных ионами Аг с энергией 130 кэВ) двух пространственно разделенных слоев ЭЮх, с х < 2 — на расстоянии примерно 30−140 нм от границы с в!, и с х > 2 — ближе к границе с 81;

— с изменением концентрации оборванных связей на МФГ 8!/8Ю2, выступающих в роли поверхностных состояний.

В рамках данной модели, за положительный заряд в 8Ю2, созданный вследствие ИИ, и отрицательный, образующийся при БУФоблучении, ответственны дефекты типа 03 =Бг (либо типа кислородной вакансии). При увеличении дозы ИИ концентрация таких дефектов растет и выходит на насыщение. БТО с увеличением температуры (вплоть до 900°С) приводит к уменьшению их концентрации. За отрицательный заряд и дырочные ловушки в Э102 вблизи границы с Э1, образованные вследствие ИИ в окисный слой структур 81−8Ю2(250нм), ответственны дефекты типа Оз =81−0'. Концентрация таких дефектов с увеличением дозы имплантации увеличивается, а с увеличением температуры БТО (вплоть до 900°С) — уменьшается.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Риссел Х-, Руге И., Ионная имплантация, М: Наука, 1983, 360с.
  2. Сборник статей под редакцией Вавилова B.C., Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы, М: Мир, 1980, 332с,
  3. Ф.Ф., Новиков А. П. и др., Дефекты структуры в ионноимп лантиро ванном кремнии, Минск: Университетское, 1990, 320с.
  4. Эла.нго М.А., Элементарные неупругие радиационные процессы, М:11аука, 1988, 152с.
  5. E.P.EerNisse and C.B.Norrie, Introduction rates and annealing of defects in ion-implanted Si02 layers on Si// Journal of Applied Physics, Vol.45, 1974, pp.5196−5205.
  6. M.А., Комаров Ф. Ф., Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах, Минск: Изд-во БГУ, 1979, 319с.
  7. Л.Б., Разрушение поверхности твердых тел при ионном и плазменном облучении, М.:МИФИ, 1987, 77с.
  8. Г. А., Эмиссионные явления при взаимодействии ионов и атомов с поверхностью твердого тела, М.:МИРЭА, 1993, 51с.
  9. Под ред. Р. Бериша, Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, М.:Мир, 1984, 1 т.- 336с., 2 т.- 488с.
  10. В.В., Современное состояние теории физического распыления неупорядоченных материалов// Итоги науки и техники, Пучки заряженных частиц и твердое тело, М.:ВИНИТИ, 1991, т.5, стр.4−62.
  11. Л.Б., Эрозия и трансформация поверхности при ионной бомбардировке// Итоги науки и техники, Пучки заряженных частиц и твердое тело, М.?ВИНИТИ, 1993, т.7, стр.4−53.
  12. Ю.В., Эффекты дальнодействия при ионной имплантации// Итоги науки и техники, Пучки заряженных частиц и твердое тело, М.:ВИНИТИ, 1993, т.7, стр.82−112.
  13. А.Р., Трухин А. Н., Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02, Рига:"Зинатне", 1985, 244с.
  14. П.И., Исследование межфазных границ в системах МДП методом масс-спектрометрии вторичных ионов: Диссер. на соиск. уч. степ, кандидата физ.-мат. наук, Киев, 1982, 225с.
  15. А.Ю., Топология атомной структуры и ее влияние на физические свойства тонкопленочных диоксида и нитрида кремния: Диссер. на соиск. уч. степ, кандидата физ.-мат. наук, Киев, 1983, 206с.
  16. A.A., Исследование структурных особенностей кремний-кислородных пленок методом масс-спектрометрии вторичных ионов: Диссер. на соиск. уч. степ, кандидата физ.-мат. наук, Киев, 1990, 224с.
  17. И.А., Андронов А. Н., Титов А. И., Физические основы электронной и ионной технологии, М.:Высш.шк., 1984, 320с.
  18. Оцуки Еси-Хико, Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами, М.:Мир, 1985, 277с.
  19. К., Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов, М.:Атомиздат, 1979, 296с.
  20. В.Г., Основы радиационной физики твердого тела: Уч. пособие, Свердловск: УрГУ, 1989, 80с.
  21. А.Н., Образование радиационных дефектов в твердых телах: Уч. пособие, М.:МИФИ, 1987, 63.
  22. С.В., Оценка изменения состава поверхности ЩКГ под действием ионной бомбардировки// в кн. Вторичная ионная и ионно- фотонная эмиссия тез. докл,. Харьков, 1988, 2ч., стр.55−57.
  23. В.А., Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Компьютерное моделирование., М.:Изд-во МГУ, 1993, 150с.
  24. Bach Н., Determination of bond energy of silica glass by means of ion sputtering investigations// Nucl. Instrum. Methods, 1970, v.84, N 4, pp.4−12.
  25. И.А., Физические основы ионного внедрения и изменения свойств поверхности// Известия АН СССР, серия физическая, 1996, т.60, N 7, стр.62−81.
  26. В.Г., Попов В. Г., Физика поверхности и микроэлектроника, М.:Знание, 1990, 64с.
  27. С.П., Юрасова В. Е., Распыление двухкомпанентных соединений и сплавов// Диагностика поверхности ионными пучками. Всес.совещ.-семинар, Донецк, 1980, стр. 153−162.
  28. И.П., Галкин В. В., Изменение оптических и химических свойств окислов кремния и германия в результате структурных превращений, вызванных ионной бомбардировкой// Микроэлектроника, 1973, т.2, вып.2, стр.166−172.
  29. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н., Дефектыв кремнии и на его поверхности, М.:На.ука, 1990, 216с.
  30. С.М., Викторова Ю. Н., Ланда Л. М., Радиационные эффекты в стеклах, М.:Энергоиздат, 1982, 183с.
  31. С.М., Тюльнин В. А., Радиационные центры в неорганических стеклах, М.:Энергоатомиздат, 1988, 200с.
  32. B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B., Поверхностные радиационные эффекты в ИМС, М.:Энергоатомиздат, 1988, 256с.
  33. Л. А., Репникова Е. А., Структура аморфных материалов и природа дефектов в них, Петрозаводск, 1995, 112с.
  34. Revezs A.G., The defects structure of vitreous SIO2 films on silicone// Physica Status Solidi, 1980, v. A58, N1, pp.107−115.
  35. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н., Дефекты в кремнии и на его поверхности, М.:Наука, 1990, 214с.
  36. Ф.Л., Структура компонентов БИС, Новосибирск:Наука, 1980, 256с.
  37. Л.Б., Распыление и объемная трансформация многокомпанент-ных материалов при высоких температурах// в кн. Труды 12-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», М., 1995, т.2, стр.170−173.
  38. Г. Ф., Марченко Р. И., Физико- химические процессы в системах ДП (Si-Si02), обусловленные поведением водорода и водородосодерясащих комплексов// Полупроводниковая Техника и Микроэлектроника, 1980, N3, стр.84−94.
  39. И. А., Дубро В. В. и др., Изменение электропроводности приповерхностных слоев Si при травлении ионами// Электронная техника, сер.2, 1981, N4, стр.36−40.
  40. П.В., Попов Ю. С., Тетельбаум Д. И. и др., Определение толщины нарушенного слоя и распределения дефектов при бомбардировке кремния ионами средних энергий, В кн.: Физические основы ионно-лучевого легирования, Горький: Изд. ГГУ, 1972, стр.68−74.
  41. В.А., Черняховский В. В., Ершов С. Н., Влияние глубокой миграции радиационных дефектов на экзоэмиссию с кремния// ФТТ, 1974, т. 16, вып.7, стр.2151−2153.
  42. В.Е., Ершов С. Н. и др., Эффект дальнодействия при облучении кремния низкоэнергетическими ионами// Письма в ЖТФ, 1982, N8, стр.559−561.
  43. II.В., Пасиков П. И. и др., Изменение дислокационной структуры кремния при облучении ионами средних энергий// ФТП, 1973, N15, стр.2857−2859.
  44. Пантелеев В, А, Ершов С. Н, и др., Определение энергии миграции вакансий и собственных междоузельных атомов в кремнии в интервале температур 400−600 К// Письма в ЖЭТФ, 1976, вып.23, стр.688−690.
  45. Г. И., ГенкинВ.М., Тетельбаум Д. И., Изменение межплоскостных расстояний в глубоких слоях кремния при бомбардировке ионами средних энергий// Кристаллография, 1973, стр.363−365.
  46. B.C., Соловьев С. П., Малынкин В. Г., Новое структурное состояние в металлических системах, индуцированное ионным облучением// Итоги науки и техники, Пучки заряженных частиц и твердое тело, 1990, т.2, стр.151−193.
  47. В.Н., Здоровцев Г. Г. и др., Радиационные нарушения в монокристаллах молибдена при ионном облучении// Кристаллография, 1977, N22, стр.138−143.
  48. Gardner Е.Е., Schwuttke G.H., De Angelis H.M., Nitrogen and boron bombardment of single-crystal silicon// Bulletin of the American Physical Society, 1967, Ser.2, v. 12, No.8, pp.1119−1120.
  49. H.П., Тетельбаум Д. И., Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника// ФТП, 1983, т. 17, в.5, стр.838−842.
  50. Ю.В., Московии П. Г., Ускорение диффузии ионноимплантиро-ванной примеси при больших дозах// ЖТФ, 1991, т.61, в.1, стр.179−180.
  51. А.П., Козлов Э. В. и др., Дислокационные структуры приповерхностных слоев чистых металлов после ионной имплантации// Поверхность. Ф., х., м., 1989, N3, стр.120−132.
  52. Mader S., Michel А.Е., Residual lattice damage in As-implanted and annealed Si// The Journal of Vacuum Science and Technology, 1976, v.13, N1, pp.391−395.
  53. В.П., Демидов А. В., Расчет пиков смещения в приближении сплошной среды// Атомная энергия, 1985, т.59, в.1, стр.29−33.
  54. В.П., Болдин А. А., Генерация упругих волн при эволюции пиков смещения// Атомная энергия, 1987, т.63, в.6, стр.375−379.
  55. С.Н., Крейндель Ю. В. и др., Нетепловые фазовые превращения и эффекты дальнодействия при облучении сплавов ускоренными ионами// Письма в ЖТФ, 1989, т.15, в.17, стр.51−55.
  56. П.В., Семин Ю. А. и др., Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов// ФТП, 1986, т.20, в. З, стр.503−507.
  57. Ю.А., Скупов В. Д., Тетельбаум Д. И., Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн при распределении в кристалле с кластерами дефектов// Письма в ЖТФ, 1988, т.14, в. З, стр.273−276.
  58. В. Д., Тетельбаум Д. И., О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках// ФТП, 1987, т.21, в.8, стр. 1495−1497.
  59. Ю.В., Московкин П. Г., Эффект дальнодействия и перенос энергии в твердых телах при ионной бомбардировке// Письма в ЖТФ, 1996, т.22, в.17, стр.54−58.
  60. В.Г., Романова Г. Ф., Марченко Р. И., Применение метода МС-ВИ для исследования тонких слоев металлов, полупроводников и диэлектриков// Диагностика поверхности ионными пучками. Всесоюзное совещание семинар, Донецк, 1980, стр. 139−149.
  61. Dominguez С., Garrido В., Morante J.R., et.al., Etching rate modification in silicon oxide by ion implantation and rapid thermal annealing// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1993, B80/81, pp.1367−1370.
  62. Garido В., Samitier J., Morante J.R., et.al., Configurational statistical model for the damaged structure of silicon oxide after ion implantation// Physical Review В., 1994, v.49, N21, pp, 14 845−14 849,
  63. Garido В., Samitier J., Bota S., et.al., Structural damage and defects created in Si02 films by Ar ion implantation// Journal of Non-Crystalline Solids, 1995, v.187, pp.101−105.
  64. Ю.М., Распыление и изменение поверхности под действием ионной бомбардировки// Известия РАН, Сер. физическая, 1996, т.60, в.7, стр.20−43.
  65. А.Р., Действие ультрафиолетового излучения на оптические и спектроскопические характеристики стеклообразного диоксида кремния// В кн. «Тезисы докладов VII Всес. симп. по оптическим и спектральным свойствам стекол», 1989, Л.:ГОИ, стр.270−271.
  66. А.Т., Киселев В. Г., Легостаев В. Н., Фотоиндуцированное образование дефектов в кварцевом стекле// В кн. «Тезисы докладов VII Всес. симп. по оптическим и спектральным свойствам стекол», 1989, Л.:ГОЙ, стр.272−273.
  67. Н.Н., Мордкович В. Н., Радиационные эффекты в системе полупроводник диэлектрик// Поверхность.Ф., х., м., 1987, в.6, стр.5−19.
  68. А.В., Бушмарин Д. Б. и др., Исследование влияния нейтронного облучения на спектральные характеристики кварцевых стекол// В кн. «Тезисы III Всесоюзной научно-технической конференции по кварцевому стеклу», М.: ВНИИ-ЭСМ, 1973, стр.15−16.
  69. Л.Н., Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок// Новосибирск: Наука, 1985, 224с.
  70. В.И., Руденко А. И., Динамика неравновесной проводимости диэлектриков с конролируемыми инжекцией поляризационными свойствами// В кн. «Влияние ионизирующих излучений на свойства диэлектриков и полупроводников», М.: Атомиздат, 1979, стр.41−48.
  71. Nishimura Т., Aritone H., et al, Optical Waveguides Fabricated by В Ion Implanted into Fused Quartz"// Japan. J. Appl. Phys., 1974, v.13, No.8, pp.1317−1318.
  72. Afanas’ev V.V., Stesmans A., Twigg M.E., Epitaxial growth of Si02 produced in silicon by oxygen ion implantation// Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, N 20, pp.4206−4209.
  73. Afanas’ev V.V., Stesmans A., Revesz A.G., Structural inhomogeneity and silicon enrichment of buried Si02 layers formed by oxygen ion implantation in silicon// J. Appl. Phys., 1997, v.82, N 5, pp.2184−2199.
  74. Devine R.A.B., Leray J.L., Margail J., Ultraviolet radiation induced defect creation in buried Si02 layers// Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, N 18, pp.2275−2277.
  75. Stoemenos J., Margail J., et al., Si02 buried layer formation by subcritical dose oxygen ion implantation// Appl. Phys. Lett., 1986, v.48, N 21, pp.1470−1472.
  76. McMarr P.J., Mrstik B.J., et al., A study of Si implanted with oxygen using spectroscopic ellipsometry// J. Appl. Phys., 1990, v.67, N 12, pp.7211−7222.
  77. Stahlbush R.E., Campisi G.J., et al, Electron and hole trapping in irradiated SIMOX, ZMR and BESOI buried oxides// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1992, NS-39, pp.2086−2097.
  78. Stoemenos J., Garcia A., et al, Silicon on insulator obtained by high dose oxygen implantation, microstructure, and formation mehanism// J. Electrochem. Soc., 1995, v.142, N 4, pp. 1248−1260.
  79. Vanheusden K., Stesmans A., Afanas’ev V.V., Combined electron spin resonance and capacitance-voltage analysis of hydrogen-annealing induced positive carge in buried SiO^// J.Appl.Phys., 1995, v.77, N 6, pp.2419−2424.
  80. Л.Н., Стрелецкий А. Н., Пакович А. Б., Спектроскопические свойства двухкоординированных атомов кремния в стеклообразном диоксиде кремния// Физика. и химия стекла, т, 14, N4, стр, 481−489,
  81. Warren W.L., Fleetwood D.M., et aL, Excess Si related defect centers in buried Si02 thin filmв// Appl.Phys.Lett, 1993, v.62, pp.3330−3332.
  82. Bender H., Chen W.D., et al., AES and XPS analysis of the interaction of Ti with Si and Si02 during RTA// Appl. Surf. Sci., 1989, v.38, pp.37−47.
  83. А.С., Арсламбеков В. А., Импульсные и термические воздействия на поверхности Si и SiC)2// В кн. Труды 12-ой Межд. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью», 1995, т.2, стр.322−324.
  84. Choi Won Chel, Lee Min-Suk, et al., Visible luminescences from thermally grown silicon dioxide thin films// Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, N 22, pp.3402−3404.
  85. Вихрев Б.И., Герасименко Н.Н."Лебедев Г. П., Исследование радиационных структурных нарушений в пленках Si02 методом ЭПР// Микроэлектроника, 1977, т. б, вып. 1, стр.71−74.
  86. Snow Е.Н., Grove A.S., Fitzgerald D.F., Effects of Ionizing Radiation on Oxidized Silicon Surfaces and Planar Devices// Proc. of the IEEE, 1967, v.55, N7, pp.1168−1185.
  87. В.А., Радиационные процессы в структурах Металл- Диэлектрик-Полупроводник// Петрозаводск, 1988, 96с.
  88. В.А., Кив А.Е., Ниязова О. Р., Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках, М.: Наука, 1981, 386с.
  89. С.Г., Ушаков В. Я., Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики, М.: Энергоатомиздат, 1991, 238с.
  90. Hiraiwa A., Usui Н., Yagi К., Novel characterization of implant damage in Si02 by nuclear-deposited energy// Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, N 12, pp.1106−1108.
  91. Н.Н., Иванченко В. А., Лебедев Г. П., Ликвация и кристаллизация в пленках окисла кремния, стимулированные облучением и термообработкой// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1978, т.14, N 4, стр.691−696.
  92. B.C., Назаров А. Н., Радиационные дефекты в приповерхностном слое окисленного кремния, имплантированного ионами различных химических примесей// Поверхность. Ф., х., м., 1982, N5, стр.81−88.
  93. Afanas’ev V.V., de Nijs J.M.M., Balk P., Elimination of hydrogen-related instabilities in Si/Si02 structures by fluorine implantation// J.Appl.Phys., 1994, 76, N12, pp.7990−7997.
  94. Карацюба А, П., Ионная имплантация в технологии кремниевых приборов и интегральных схем// Зарубежная электронная техника, 1978, т.18, стр.3−77.
  95. A.M., Голубев В. В. и др., Особенности структуры термических пленок Si02 на кремнии, проявляющиеся при исследовании связанных с водой ловушек для электронов// Поверхность.Ф., х., м., 1988, в.2, стр.77−81.
  96. A.M., Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии// Микроэлектроника, 1986, т.15, в.5, стр.434−442.
  97. Eer Nisse Е.Р., Stress in thermal Si02 during growth// Appl.Phys.Lett., 1979, v.35, N1, pp.8−10.
  98. E.A., Горюнов H.H. и др., Исследование зарядовых эффектов в МДП структурах при облучении методом подпороговых ВАХ// Петербургский журнал электроники, 1996, 4(13), стр.22−26.
  99. Л.Г., Ладыгин Е. А., Галеев А. П., Модель радиационного накопления в системе кремний-оксид кремния// ФТП, 1992, т.26, в.7, стр.1347−1351
  100. Devine R.A.B., Structural nature of the Si/Si02 interfase through infrared spectroskopy// Appl. Phys. Lett., 1996, 68, N22, pp.3108−3110.
  101. A.M., Голубев В. В., Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si-Si02: эксперимент имодели// ФТП, 1994, т.28, в.12, стр.2086−2095.
  102. Э.Н., Жукова Г. А., Мордкович В. Н., Облучение кремния, покрытого окисной пленкой, заряженными частицами низких энергий// ФТП, 1972, т, 6, N7, стр.1306−1310.
  103. В.Д., Ройзин Н. М., Роль ионизации в образовании поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик- полупроводник// Микроэлектроника, 1973, т.11, в.6, стр.552−556.
  104. Cartier E., Stathis J.H., Hot-electron induced passivation of silicon dangling bonds at the Si (lll)/Si02 interface// Appl. Phys. Lett., 1996, 69, N1, pp.103−105.
  105. O.B., Лелеченко В. П. и др., Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-Si02 после радиационных воздействий// ФТП, 1993, т.27, в.8, стр.1349−1353.
  106. Э.Н., Жукова Г. А., Мордкович В. Н., Радиационные повреждения в приповерхностных слоях кремния// ФТП, 1973, т.7, стр.835−836.
  107. Meishoku Koh, Bungo Shigeta et. al, Quantitative analysis of radiation induced Si/Si02 interface defects by means of MeV He single ion irradiation// Appl. Phys. Lett., 1996, 68, N11, pp.1552−1554.
  108. Devine R.A.B., A stady of Ar implantation induced defects in Si02// Nucl.Inst.Meth., 1983, v.209/210, pp.1201−1206.
  109. P.У., Боброва E.A. и др., Определение глубоких уровней в кремнии, обусловленных имплантацией аргона, методом вольтфарадных характеристик// ФТП, 1981, т.15, N 3, стр.448−452.
  110. Devine R.A.B., Golanski A., Creation and annealing kinetics of magnetic oxygen vacancy centers in SiO2// J. Appl. Phys., 1983, v.54, N 7, pp.3833−3838.
  111. Liao L.-S., Bao X.-M., et al., Blue luminescence from Si± implanted Si02 films thermally grown on crystalline silicon// Appl. Phys. Lett, 1996, v.68, N 6, pp.850−852.
  112. Fang Frank F., Rupprecht Hans S., High performance MOS integrated circuit using the ion implantation technique// IEEE J. of Solid-State Circuits, 1975, v.10, N4, pp.205−211.
  113. Devine R.A.B., The structure of Si02> its defects and radiation hardness// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1994, NS-41, N 3, pp.452−459.
  114. DiMaria D.J., Weinberg Z.A., Aitken J.M., Location of positive charges in Si02 films on Si generated by VUV photons, X rays, and high-field stressing// J. Appl. Phys., 1977, v.48, N3, pp.898−906.
  115. Sah C.T., Origin of interface states and oxide charges generated by ionizing radiation// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1976, NS-23, N6, pp.1563−1568.
  116. Boesch H.E., McGarrity Jr. and J.M., Chage yield and dose effects in MOS capacitors at 80 K// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1976, NS-23, N6, pp.1520−1525.
  117. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V., Hole traps and trivalent silicon centers in metal/oxide/silicon devices// J. Appl. Phys., 1984, v.55, N10, pp.3495−3499.
  118. А.П., Булавинов В. В., Коноров П. П., Электроника слоев Si02 на кремнии, JL: Изд-во ЛГУ, 1988, 304с.
  119. В.Н., Мингазин Т. А. и др., Образование заряда в диэлектрике МДП структуры при воздействии различных видов радиации// Электронная техника. Микроэлектроника., 1972, в.2, стр.21−23.
  120. Holmes-Siedle A.G., Zaininger К.A., Designing MOS sistems for radiation environments// Solid State Technology, 1969, v.12, N5, pp.40−44.
  121. Cartier E., Stathis J.H., Hot-electron induced passivation of silicon dangling bonds at the Si (lll)/Si02 interface// Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, N1, pp.103−105.
  122. Lai S.К., Young D.R., et al., Effects of avalanche injection of electrons into silicon dioxide-generation of fast and slow interface states// J. Appl. Phys., 1981, v.52, N10, pp.62 316 240,
  123. Feigi F.J., DiMaria D.J., et al, The effects of water on oxide and interface trapped charge generation in themal Si02 films// J. Appl. Phys., 1981, v.52, N9, pp.5665−5682.
  124. Mitchell J.P., Radiation-induced space-charge buildupin MOS structures// IEEE Trans. Electron Devices, 1967, v.14, Nil, pp, 764−774.
  125. Saks N.S., Ancona M.G., et al., Generation of interface states by ionizing radiation in very thin MOS oxides// IEEE Trans. Nucl. Sei., 1986, NS-33, N6, pp.1185−1190.
  126. Stesmans A., Afanas’ev V.V., Annealing induced degradation of thermal Si02: S center generation// Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, N14, pp.2056−2058.
  127. Balk P., Klein N., Generation of interface states in MOS systems// Thin Solid Films, 1982, v.89, N4, pp.329−338.
  128. Boesch H.E.Jr., McLean F.B., et al., Saturation of threshold voltage shift in MOSFE’s at total dose// IEEE Trans. Nucl. Sei., 1986, v.33, N 6, pp.1191−1197.
  129. Warren W.L., Shaneyfelt M.R., et al., Microscopic nature of border traps in MOS oxides// IEEE Trans. Nucl. Sei., 1994, NS-41, N6, pp.1817−1827.
  130. Freitag R.K., Brown D.B., Dosier С.M., Evidence for two types of radiation -induced trapped positive charge// IEEE Trans. Nucl. Sei., 1994, NS-41, N6, pp.1828−1834.
  131. Scharf S., Schmidt M., et al., Comparison of the generation of interface states in MOS structures due to 60Co and VUV irradiation accompanied with photoinjection of electrons // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1994, NS-41, N 3, pp.460−465.
  132. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V., Paramagnetic trivalent silicon centers in gamma-irradiated metal-oxide-silicon structures// Appl. Phys. Lett., 1984, v.44, pp.96−98.
  133. Feigi F.J., Fowler W.B., Yip K.L., Oxygen vacancy model for the E? center in Si02// Solid State Commun., 1974, v. 14, pp.225−229.
  134. Yokogawa K., Yajimi Y., et al., Positive charges and E' centers formed by vacuum ultraviolet radiation in Si02 grown on Si// Jpn. J. Appl. Phys., 1990, v.29, pp.2265−2268.
  135. Devine R.A.B., Radiation induced strucural changes in amorphous Si02: I. Point defects// Jpn. J. Appl. Phys., 1992, v.31, pp.4411−4421.
  136. Paillet P., Herve D., et al., Effect of high temperature processing of Si/Si02/Si structures on their response to X-irradiation// Appl. Phys. Lett., 1993, v.63, pp.2088−2090.
  137. Griscom D.L., Self-trapped holes in amorphous silicon dioxide// Phys. Rev. В., 1989, v.40, pp.4224−4227.
  138. Stahibush R.E., Edwards A.H., et al., Post-irradiation cracking of H2 and formation of interface in irradiated metal-oxide-semiconductor field effect transistors// J. Appl. Phys., 1993, v.73, pp.658−667.
  139. Г. В., Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках Si02 в сильных электрических полях// ФТП, 1997, т.31, N3, стр. 257 263.
  140. Griscom D.L., Diffusion of radiolytic molecular hydrogen as a mehanism for the post-irradiation buildup of interface states in Si02-on-Si structures// J. Appl. Phys., 1985, v.58, N7, pp.2524−2533.
  141. Svensson C.M., The defect structure of the Si-Si02 interface, a model based on trivalent silicon and its hydrogen «compounds"// Reprint from «The Physics of Si02 and its interfaces», ST Pantelides, ed, Pergamon Press, New York, 1978, p.328.
  142. Devine R.A.B., Warren W.L., et al., Oxygen gettering and oxide degradation during annealing of Si/Si02/Si structures// J. Appl. Phys., 1995, v.77, N1, pp.175−186.
  143. Stapelbroek M., Griscom D.L., et. al., Oxygen-associated trapped-hole centers in high-purity fused silicas// J. Non-Cryst. Solids, 1979, v.32, N1−3, pp.313−326.
  144. .Ф., Грунин B.C., Электронное строение центров, образующихся в стеклообразном Si02 в результате разрыва связей Si-O// Физика и химия стекла, 1982, т, 8, N4, стр, 503−506.
  145. А.В., Юдин Д. М. и др., Исследование методом ЭПР боросодержа-щих кварцевых стекол// В кн. «Тезисы III Всесоюзной научно-технической конференции по кварцевому стеклу», М.: ВНИИЭСМ, 1973, стр.60−61.
  146. Vanheusden К., Warren W.L., et al., Nonuniform oxide charge and paramagnetic interface traps high-temperature annealed Si/Si02/Si structures// Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, N15, pp.2117−2119.
  147. Stesmans A., Afanas’ev V.V., Creation of Pb interface defects in thermal Si/SiOa through annealing// J. Phys.: Condens. Matter., 1996, v.8, N36, pp. L505-L509.
  148. Perez A., Samitier J., et al., Electron traps induced by boron implantation in gallium arsenide// Defect and Diffusion Forum, 1989, v.62/63, pp.77−90.
  149. Witham ELS., Lenahan P.M., Nature of the E' deep hole trap in metal-oxide-semiconductor oxides// Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, N13, pp.1007−1009.
  150. Ю.Р., Силинь A.P., Радиационные дефекты в стеклообразном кремнеземе// В кн. «Радиационно- стимулир. явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах», Ташкент: Фан, 1978, стр. 180−182.
  151. И.Х., Скуя Л. Н., Силинь А. Р., Образование немостиковых атомов кислорода при нейтронном облучении альфа-кварца// Физика и химия стекла, 1982, т.8, N4, стр.500−502.
  152. Mashkov V.A., Austin Wm.R., et al., Fundamental role of creation and activation in radiation induced defect production in high-purity amorphous Si02// Physical review letters, 1996, v.76, N16, pp.2926−2929.
  153. Miller A.J., Leisure R.G., et al, Dominant role of E' centers in X-ray-induced, visible luminescence in high-purity amorphous silicas// Phys. Review B, 1996, v.53, N14, pp. R8818-R8820.
  154. Zhang Lin, Mashkov V.A., Leisure R.G., Role of radiolytic oxygen in the X-ray production and thermal annealing of defects in high-purity amorphous Si02// Phys. Rev. В., 1996, v.53, No. ll, pp.7182−7189.
  155. Warren W.L., Vanheusden K., et al., Mechanism for anneal-induced interfacial charging in Si02 thin films on Si// Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, N21, pp.2993−2995.
  156. Vanheusden K.H., Stesmans A., Characterisation and depth profiling of E' defects in buried Si02// J. Appl. Phys., 1993, v.74, pp.275−283.
  157. Conley J.F., Lenahan Jr., et al., Observation and electronic chaxacteriza. tion of two E' center charge traps in conventionally processed thermal Si02 on Si// Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, N18, pp.2281−2283.
  158. А.А., Оптические и радиоспектроскопические свойства Е'-центров в Si02// В кн. «Тезисы докладов VII Всесоюзного симпозиума по оптическим и спектральным свойствам стекол», Л.: ГОИ, 1989, стр.252−253.
  159. Vanheusden К., Stesmans A., Hydrogen-induced positive charging of buried Si02// INFOS'93- Book of abstracts of 8th biennial conference on «Insulating films on semiconductors55, Delft, the Netherlands, 1993, SOIp, 6/4/93, 17:15.
  160. Cherlov G.B., Freidman S.P., et al., Electron structure of «oxygen vacancy» defect in Si02// Solid State Commun., 1985, v.55, N5, pp.495−497.
  161. O’Reilly E.P., Robertson J., Theory of defects in vitreous silicon dioxide// Phys. Rev. В., 1983, v.27, N6, pp.3780−3795.
  162. Griscom D.L., Friebele E.J., Fundamental defect centers in glass: 29Si hyperfme structure of the nonridging oxygen hole center and the peroxy radical in a-Si02// Phys. Rev. В., 1981, v.24, N8, pp.4896−4898.
  163. Robertson J., Intrinsic defects and hydroxyl groups in а-8Юг// J. Phys. C: Solid State Phys., 1984, v.17, pp. L221-L225.
  164. Edwards A.H.» Fowler W.B., Theory of peroxy-radical defect in a-SiO2// Phys. Rev. В., 1982, v.26, N12, pp.6649−6660.
  165. Friebele E.J., Griscom D.L., et al., Fundamental defect centers in glass: the peroxy radical in irradiated, high-purity, fusied silica// Phys. Rev. Lett., 1979, v.42, N20, pp. 13 461 349.
  166. Stathis J.H., Kastner M.A., Time-resolved photoluminescence in amorphous silicon dioxide// Physical Review B, 1987, v.35, N6, pp.2972−2979.
  167. Lucovsky G., Yang H.Y., et al., The role of hydrogen atoms (H atoms) in metastable defect formation at Si-Si02 interfaces and in hydrogenated amorphous Si (a-Si:H)// Phys. Status. Solidi. A., 1997, v.159, N1, pp.5−15.
  168. В.В., Барышев В. Г. и др., Влияние концентрации фосфора в пленках Si02 на характеристики МДП-систем// Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1993, N3−4, стр.56−59.
  169. Afanas’ev V.V., Revesz A.G., Deep and shallow electron trapping in the buried oxide layer of SIMOX structures// J. Electrochem. Soc., 1994, v.141, N10, pp.2801−2804.
  170. Rudra J.K., Fowler W.B., Oxygen vacancy and the E’i center in crystalline SiO2// Phys. Rev. В., 1987, v.35, pp.8223−8230.
  171. Fischer Т., Petrova-Koch V., et al., Continuously tunable photoluminescence from Si± implanted and thermally annealed Si02 films// Thin Solid Films, 1996, v.276, N1−2, pp. 100−103.
  172. Zhao X., Shoenfeld O., Quantum confinement in nanometer-sized silicon crystallites// Phys. Review В., 1994, v.50, N24, pp. 18 654 т 18 657.
  173. DiMaria D.J., Kirtley J.R., et al., Electroluminescence studies in silicon dioxide films containing tiny silicon islands// J. Appl. Phys., 1984, v.56, N2, pp.401−416.
  174. Neufeld E., Wang S., et al., Effect of annealing and H2 passivation 011 the photoluminescence of Si nanocrystals in SiO2// Thin Solid Films, 1997, v.294, N1−2, pp.238 241.
  175. Skorupa W., Yankov R.A., et al., Room-temperature, short-wavelength (400−500 nm) photoluminescence from silicon-implanted silicon dioxide films// Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, N17, pp.2410−2412.
  176. Yang X., Law K.-Y., Brillson L.J., Low energy cathodoluminescence spectroscopy of Si03 nanoparticles// J. Vac. Sci., 1997, v.15, N3, pp.880−884.
  177. Shimizu-Iwayama Tsutomu, Nakao Setsuo, Saitoh Kazuo, Silicon nanoparticle formation in Si+ -implanted thermal oxide films and visible photoluminescence behavior// Jap. J. Appl. Phys., 1995, Pt. l, v.34, Suppl. 34−1, pp.86−88.
  178. Д.И., Карпович И. А. и др., Влиянние ионного легирования на спектры фотолюминесценции Si02, имплантированного кремнием// Материалытринадцатой междунар. конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», М., 1997, т.2, стр.287−290.
  179. Liao L,-S, Bao Х,-М, et al, Visible electroluminescence from Si+ -implanted Si02 films thermally grown on crystalline Si// Solid State Commun., 1996, v.97, N12, pp.10 391 042.
  180. Liao L.-S., Bao X.-M., et al., Blue-, green-, and red-light emission from Si+ ~ implanted thermal Si02 films on crystalline silicon// J. Luminescence, 1996, v.68, N2−4, pp. 199−204.
  181. Г. Б., Вахидов Ш. А. и др., О роли преобразования энергии ионизирующего излучения при дефектообразовании в кварцевых стеклах// В кн. «Тезисы докладов VII Всес. симп. по оптическим и спектральным свойствам стекол», 1989, Л.:ГОИ, стр. 248.
  182. Nasu S., Nishiwaki К., et al., Radiation damages in syntetic fused silica induced by oxygen ions irradiation// JAERI-Rev., 1997, N96−017, pp.121−122.
  183. Morimoto Y., Weeks R.A., et al., The effect of ion implantation on luminescence of a silica// J. Non-Cryst. Solids., 1996, v.196, pp.106−112.
  184. A.H., Пакович А. Б., Панов С. И., Дефекты структуры и три-болюминесценция стеклообразного диоксида кремния// В кн. «Тезисы докладов VII Всес. симп. по оптическим и спектральным свойствам стекол», 1989, Л.:ГОИ, стр.130−131.
  185. Guzzi М., Lucchini G., et al., Thermally stimulated luminescence above room temperature of amorphous S1O2// Solid State Commun., 1990, v.75, N2, pp.75−79.
  186. Кала.нтарьян О.В., Кононенко С. И. и др., Экспериментальные исследо-ввввания оптического излучения кварца при бомбардировке ионами водорода// В кн. Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия тез. докл., Харьков, 1988, ч.1, стр. 144−145.
  187. Chandler P.J., Jaque F., Townsend P.D., Ion beam induced iuminescence in fused silica// Radiation Effects, 1979, v.42, N½, pp.45−53.
  188. ., Икрамов Г. й. и др., Исследование радиационных дефектов в нейтронно-облученных кварцевых стеклах// В кн. «Радиационно-стимулир. явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах», Ташкент: Фан, 1978, стр. 186 190.
  189. Skuja L.N., Streletsky A.N., Pakovich А.В., A new intrinsic defect in amorphous Si02: twofold coordinated silicon// Solid State Commun., 1984, v.5Q, N12, pp.1069−1072.
  190. П.В., Титов С. А., Горбов Б. Н., Квантовохимические расчеты кислород-дефицитных собственных дефектов в диоксиде кремния// В кн. «Тезисы докладов VII Всес. симп. по оптическим и спектральным свойствам стекол», 1989, Л. ГОИ, стр. 53.
  191. Л.П., Изоэлектронный ряд -центрров в стеклообразном диоксиде кремния// В кн. «Тезисы докладов VII Всес. симп. по оптическим и спектральным свойствам стекол», 1989, Л.:ГОИ, стр.133−134.
  192. Fujimaki М., Ohki Y., Nishikawa Н., Energy states of Ge-doped Si02 glass estimated through absorption and photolumineseence// J. Appl. Phys., 1997, v.81, N3, pp.1042−1046.
  193. Boscaino R., Cannas M., et al., Photoluminescence band at 4.4 eV in oxygen-deficient silica: temperature effects// J. Phys. Condensed Matter, 1996, v.8, N38, pp. L545-L549.
  194. Milevski P.D., Lichtenwalner D.J., et al., Light emission from eristalline silicon and amorphous silicon oxide (SiOrc) nanoparticles// J. Electron. Mater., 1994, v.23, N1, pp.57−62.
  195. А.Л., Машков В. А., Кислородные центры с отрицательной корреляционной энергией в стеклообразном диоксиде кремния// В кн. «Тезисы докладов
  196. В.А., Электронная структура ловушек в окислах и нитридах кремния// Тез. докл. IV Всероссийской научно-техн. конф. «Физика окисных пленок», Петрозаводск, 1994, стр.29−30.
  197. A.A., Козлов С. Н., Невзоров А. Н., Изменение зарядового состояния системы Si-Si02 при термополевых обработках// Тез. докл. IV Всероссийской научно-техн. конф. «Физика окисных пленок», Петрозаводск, 1994, стр.40−41.
  198. А.И., Никитина Г. Н. и др., Деградация межфазной границы Si-Si02 при полевых и радиационных воздействиях// Тез. докл. IV Всероссийской научно-техн. конф. «Физика окисных пленок», Петрозаводск, 1994, стр. 55.
  199. Tsutomu Shimizu-Iwayaina, Setsuo Nakao, et al., Visible photoluminescence in Si±implanted silica glass// J. Appl. Phys., 1994, v.75, N12, pp.7779−7783.
  200. Mutti P., Bertoni S., et al., Room-temperature visible luminescence from silicon nanocrystals in silicon implanted Si02 layers// Appl, Phys. Lett., 1995, v.66, N7, pp.851 853.
  201. Ю.А. Электронные и ионные процессы в системе электролит-диэлектрик- полупроводник: Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.- мат. наук, Ленинград, 1985.
  202. A.A., Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ, — мат. наук, Ленинград, 1984, 156 с.
  203. А.П., Булавинов В. В., Трошихин А. Г., Исследование изменений зарядового состояния структур Si-Si02 методом полевых циклов в системе с электролитическим контактом// Письма в ЖТФ, 1993, т.19, в.18, стр.27−30.
  204. Булавинов В. В, Электронные процессы в диэлектрических слоях на поверхности кремния в системе полупроводник- диэлектрик- электролит: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.- мат. наук, Ленинград, 1982.
  205. Е.В., Электронные и ионные процессы в системе полупроводник- диэлектрик- электролит: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ, — мат. наук, Ленинград, 1977.
  206. В.А., Петрова H.A. и др., Электрофизические свойства структур кремний- двуокись кремния- электролит// Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1972, N10, стр.80−88.
  207. Goodman A.M., Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide// Phys. Rev., 1966, v.152, N2, pp.780−784.
  208. Williams R., Goodman A.M., Wetting of thin layers of Si02 by water// Appl. Phys. Lett., 1974, v.25, N10, pp.531−532.
  209. Г., Химическая физика поверхности твердого тела, М.: Мир, 1980, 488 с.
  210. Woods M.N., Williams R., Hole traps in silicon dioxide// J. Appl. Phys., 1976, v.47, N3, pp. 1082−1089.
  211. А.П., Неравновесные электронные процессы в слоях Si02 на кремнии, стимулированные электрическим полем: Диссертация на соискание ученой степени доктора физ, — мат, наук, Ленинград, 1990, 434 с.
  212. A.M., Теория дефектов в твердых телах, М.:Мир, 1978, т.2, стр. 6669.
  213. Sigel G.H., Ultraviolet spectra of silicate glasses: a review of some experimental evidence// J. Non- Cryst. Solids, 1973, v.13, N3, pp.372−398.
  214. McKnight S.W., Palic E.D., Cathodoluminescence of Si02 films// J. Non- Cryst. Solids, 1980, v.40, N3, pp.595−603.
  215. В.П., Пахомов Э. Б., Спектры катодной люминесценции галогено-содержащих слоев двуокиси кремния на кремнии// Изв. АН Латв. ССР, сер. физ.-техн. наук, 1984, N2, стр.114−117.
  216. П.А., Валбис Я. А., Катодолюминесценция нелегированных пленок двуокиси кремния// Изв. АН Латв. ССР, сер. физ, — техн. наук, 1979, N4, стр.27−30.
  217. Chandler P.J., Jaques F., Townsend P.D., Ion beam indused luminescence in fused silicon// Radiation Effects, 1972, v.42, Nl-2, pp.45−53.
  218. Alonso P.J., Halliburton L.E., et. al., X-ray indused luminescence in crystalline Si02// J. Appl. Phys., 1983, v.54, N9, pp.5369−5375.
  219. Hochstrasser G., Antomni J.F., Surface states of pristine silica surfaces// Surface Science, 1972, v.32, N3, pp.644−664.
  220. Ю.Г., Спектроскопия локальных состояний в аморфном нитриде и оксинитриде кремния: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Рига, 1990, 146 с,
  221. В. А., Парамагнитные центры на поверхности раскола кварца. Взаимодействие с молекулами Н2 и D2// Кинетика и катализ, 1979, т.20, N2, стр.456−464.
  222. А.Б., Стрелецкий А. Н. и др., Люминесценция силиленовых центров на поверхности механически активированного диоксида кремния// Химическая физика, 1986, т.5, N6, стр.812−821.
  223. Fischetti M.V., Di Maria D.J., Brorson S.D. et al., Theory of high-field electron transport in silicon dioxide// Phys.Rev.B, 1985, Vol.31, N12, pp.302−308.
  224. Bota S., Perez-Rodriguez A., Morante J.R., et al., Electroluminescence analysis of the screen oxide SIMOX structure// VI International Symposium on Silicon-On-Insulator Technology and Devices, San Franciso, 1994, pp. 179−184.
  225. White C.T., Ngai K.L., Surface states of pristine silica surfaces // Journal of Vacuum Science and Technology, 1979, v.16, N5, pp.1412−1418.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!