Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS1-xSex методом трафаретной печати

Диссертация: Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS1-xSex методом трафаретной печати
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В связи с этим актуальной научно-технической задачей является создание низкозатратной технологии получения материалов без потери качества (функциональных свойств). Одним из путей ее решения является получение поликристаллических пленок АПВУ1 высокого качества при помощи альтернативных, более дешевых технологий, таких как метод разбрызгивание суспензии с дополнительной термообработкой, химическое… Читать ещё >

Содержание

  • ОПРЕДЕЛЕНИЯ, ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ
  • ГЛАВА 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Р-Т-х диаграммы систем Сс1−8е и Сс
      • 1. 1. 1. Т-х проекция фазовой диаграммы системы Сс1−8е
      • 1. 1. 2. Р-Т проекция фазовой диаграммы системы Сс1−8е.~
      • 1. 1. 3. Т-х проекция фазовой диаграммы системы Сс
      • 1. 1. 4. Р-Т проекция фазовой диаграммы системы Сё
      • 1. 1. 5. Фазовая диаграмма квазибинарной системы Сс18-Сс18е
    • 1. 2. Основные свойства соединений Сё8 и Сё8е
      • 1. 2. 1. Кристаллическая структура.22 г
      • 1. 2. 2. Электрофизические свойства
    • 1. 3. Поведение примесей в Сс18 и Сс18е
      • 1. 3. 1. Растворимость примесей
      • 1. 3. 2. Диффузия примесей
      • 1. 3. 3. Влияние примесей на электрофизические и фотоэлектрические свойства Сё8 и Сс18е
    • 1. 4. Окисление поверхности как способ воздействия на электрофизические и фотоэлектрические свойства С<38 и Сс18е и их твердых растворов
    • 1. 2. Трафаретная печать, как альтернативный метод получения пленок на основе твердых растворов Сё81. х8ех
      • 1. 5. 4. 1. Технологический процесс трафаретной печати
      • 1. 5. 4. 2. Дефекты пленок, изготовленных методом трафаретной печати
      • 1. 5. 4. 3. Выбор подложек
    • 1. 6. Механизмы роста в поликристаллических пленках АПВУ
    • 1. 7. Особенности электрофизических свойств поликристаллических пленок AIlBVI
      • 1. 7. 1. Спектральная чувствительность
      • 1. 7. 2. Фоточувствительность
    • 1. 8. Фотосопротивления на основе соединений AnBVI
    • 1. 9. Выводы по литературным данным
    • 1. 10. План выполнения экспериментальной части работы
  • ГЛАВА 2. Методики исследования, использованные в работе
    • 2. 1. Определение составов прекурсоров и пленок
      • 2. 1. 1. Термогравиметрический анализ
      • 2. 1. 2. Рентгенофазовый анализ
      • 2. 1. 3. Локальный рентгеноспектральный анализ
      • 2. 1. 4. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
    • 2. 2. Определение дисперсности порошков CdS, CdSe и твердых растворов CdSi. xSex
      • 2. 2. 1. Гранулометрический анализ
    • 2. 3. Исследование микроструктурных характеристик пленок
      • 2. 3. 1. Оптическая микроскопия
      • 2. 3. 2. Электронная микроскопия
      • 2. 3. 4. Профилометрия
    • 2. 4. Методы измерения электрофизических и фотоэлектрических характеристик
      • 2. 4. 1. Двухзондовый метод измерения электросопротивления пленок
      • 2. 4. 2. Измерение спектров фотопроводимости
      • 2. 4. 3. Измерение спектров фотолюминесценции
    • 2. 5. Методы исследования характеристик фоторезисторов
  • ГЛАВА 3. Выбор компонентов для изготовления паст
    • 3. 1. Контроль исходных порошков CdS и CdSe
    • 3. 2. Выбор материала подложки
    • 3. 3. Исследование физико-химических характеристик потенциальных легирующих добавок для паст и флюса
    • 3. 4. Выбор типа связующего и разбавителя
    • 3. 5. Определение условий приготовления полупроводниковой составляющей паст
  • Резюме главы
  • ГЛАВА 4. Влияния условий приготовления паст на фазовый состав, микроструктуру и электрофизические свойства пленок
    • 4. 1. Исследование влияния содержания связующего и растворителя в пасте на микроструктуру пленок после их нанесения
    • 4. 2. Исследование влияния количества флюса на процесс окисления полупроводниковой составляющей в пленке при термообработке
    • 4. 3. Исследование влияния количества флюса на пористость синтезируемых пленок
    • 4. 4. Влияние способа обработки подложки на адгезию пленки к подложке
    • 4. 5. Оптимизация технологического процесса трафаретной печати
    • 4. 6. Резюме главы
  • ГЛАВА 5. Исследование влияния режимов термообработки на микроструктуру, состав и фотоэлектрические свойства пленок
    • 5. 1. Резюме Главы
  • ГЛАВА 6. Исследование влияния технологических параметров на функциональные свойства пленок
    • 6. 1. Определение фоточувствительности пленок CdS ixSex
    • 6. 2. Исследование температурных зависимостей фоточувствительности синтезированных пленок
    • 6. 3. Исследование спектральной чувствительности синтезированных пленок
    • 6. 4. Резюме Главы
  • ГЛАВА 7. Практическое применение поликристаллических пленок
  • С (181.х8ех, полученных методом трафаретной печати
    • 7. 1. Формирование фоторезистора на основе пленок С (181×8ех
    • 7. 2. Измерение функциональных характеристик фоторезисторов на основе пленок Сё81. х8ех
    • 7. 3. Резюме главы
  • ВЫВОДЫ
  • БЛАГОДАРНОСТИ

Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS1-xSex методом трафаретной печати (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Полупроводниковые соединения АПВУ1 и твердые растворы на их основе широко используются как материалы для фотоприемных и излучательных устройств, работающих в видимом и ближнем ИК-диапазоне. В большинстве случаев для изготовления таких устройств используются керамические или поликристаллические материалы в составе го-мо — или гетероструктур, получаемых прессованием с последующей термообработкой, вакуумными технологиями и газофазной эпитаксией. Одним из недостатков этих методов является высокая стоимость используемого оборудования и трудоемкость технологических процессов.

В связи с этим актуальной научно-технической задачей является создание низкозатратной технологии получения материалов без потери качества (функциональных свойств). Одним из путей ее решения является получение поликристаллических пленок АПВУ1 высокого качества при помощи альтернативных, более дешевых технологий, таких как метод разбрызгивание суспензии с дополнительной термообработкой, химическое осаждение из растворов, различные методы печати (трафаретная, струйная, тампопечать). Среди этих технологий метод трафаретной печати обладает рядом преимуществ. В частности, он позволяет сочетать локальность нанесения пленок и возможность варьирования их состава на поверхности и по толщине. Возможность метода обеспечить получение дешевых поликристаллических пленок практически любой необходимой площади в одном цикле делает его потенциально пригодным для производства фотоприемных устройств, а также для разработки новых конструкций преобразователей с применением пленок большой площади на поверхностях различной кривизны.

Однако преимущества этого метода могут быть реализованы только при решении ряда технологических проблем, касающихся в частности, обеспечения чистоты конечного продукта, управляемого формирования пленок требуемого состава и структуры, разработки контролируемого процесса активации фоточувствительности поликристаллических пленок.

В связи с этим целью работы являлась разработка технологических приемов получения фоточувствительных поликристаллических пленок Сё81×8ех методом трафаретной печати для обеспечения характеристик, сопоставимых с характеристиками пленок, изготавливаемых другими методами, либо превосходящих их, при снижении трудоемкости.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Выявление влияния условий приготовления (состав пасты, условия спекания и термической активации фоточувствительности) пленок на их фазовый состав и микроструктуру.

2. Исследование влияния микроструктуры и состава пленок на их фотоэлектрические и электрофизические свойства.

3. Изготовление макетных образцов фотосопротивлений на основе пленок Сс181×8ех, полученных по усовершенствованной технологии трафаретной печати, и исследование их характеристик.

4. Научная новизна работы. 1. Впервые проведено систематическое исследование влияния процесса подготовки порошков для паст и режимов термообработки на свойства (состав, микроструктуру и фотоэлектрические параметры) пленок Сс181×8ех1 полученных методом трафаретной печати. Показано, что при использовании порошка с дисперсностью частиц менее 3−5 мкм при помощи метода трафаретной печати могут быть получены однофазные пленки Сс18]. Л8ех с хорошо сформированными межзеренными границами за 15−30 мин отжига при 823 К и за 10−15 мин при 873 К. На основе исследования процессов испарения связующих и растворителей и термического окисления полупроводниковой составляющей паст установлены оптимальные режимы сушки и термической активации фотопроводимости пленок Сс181. х8ех.

5. Впервые изучено формирование барьерных слоев на поверхности кристаллитов, образующихся в процессе термической активации пленок при температурах 823−873 К, определен состав и оценена толщина слоев, а также выявлено их влияние на фоточувствительность пленок Сс18]. х8ех.

6. Определены кинетические параметры спекания пленок при температуре 823 К и продолжительности спекания 5−90 мин.

Практическая значимость работы. Предложены оптимальные режимы этапов трафаретной печати, которые позволяют получать пленки Сс181×8ех с хорошо сформированными границами зерен высокого структурного качества и обеспечивают формирование поликристаллических пленок СсБ^е* заданной площади за один цикл. На основе результатов исследования фотоэлектрических свойств пленок Сс181×8ех (х=0- 0,2- 0,8) показана возможность их использования для создания оптоэлектронных устройств с функциональными характеристиками, сопоставимыми с характеристиками устройств, изготовленных на основе керамических структур, либо превышающими их.

В результате комплексных исследований условий получения пленок твердых растворов Сё8|.х8ех оптимизированы этапы изготовления фоторези-сторных структур на их основе, обладающих высоким значением отношения темнового сопротивления к световому К"/11с (Ю3- 109) и широкой спектральной чувствительностью (510−830 нм).

Изготовлены макетные образцы фоторезисторов на основе поликристаллических пленок Сё8, Сё8о, 88е0,2 и Сё8о, 28ео, в с использованием усовершенствованной технологии трафаретной печати. Данные фоторезисторы могут быть применены для изготовления приемников и датчиков оптического излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и телемеханики, счетно-измерительных приборов, работающих в указанном диапазоне длин волн.

Научные положения, выносимые на защиту 1. Перекристаллизация (спекание) поликристаллических пленок Сё8]. х8ех при оптимальном содержании.

10 ± 2 мае. %) флюса и температурном режиме способствует улучшению фазового состава конечного материала и структурных характеристик пленок.

1. В процессе активации фоточувствительности пленки на поверхности каждого кристаллита образуется нанослой диэлектрической фазы (Сё80.(и/или СсШеОз), приводящий к образованию перехода диэлектрик — полупроводник. Состав и толщина этого слоя и содержание посторонних примесей (СёСЬ, СёЗЮз, СёСОз) определяют величину фотопроводимости и коэффициент оптического поглощения фоточувствительного устройства.

2. Разработаны режимы управляемого формирования контролируемых по электрофизическим параметрам барьеров оксидная фаза — полупроводник за счет оптимизации состава и свойств наносимых паст, режима термической обработки и состава газовой среды, которые позволяют получать пленки Сс181×8ехс высокими параметрами фотопроводимости (Я"/Яс — 105−109) методом трафаретной печати.

Работа построена следующим образом: первая глава содержит обзор литературных данных по характеристике исследуемых соединений АПВУ1 (на примере сульфида и селенида кадмия): область гомогенности, кристаллическая структура, состав пара над твердой фазой, характер химической связи и фазовые диаграммы Сё-8 и Сё-Эе, а также квазибинарную систему Сс18-Сё8е. Кратко изложены электрофизические свойства соединений АПВУ1 и представлены данные по окислению поверхности АПВУ1, растворимости и диффузии примесей в них. Описаны методы синтеза поликристаллических пленок на основе АПВУ1. Рассмотрены технологический процесс трафаретной печати и дефекты, возникающие в пленке, изготовленной этим методом. Кратко описаны механизмы роста поликристаллических пленок АПВУ1 и их электрофизические свойства, а также оптоэлектронные устройства на основе поликристаллических пленок АПВУ1.

Во второй главе рассматриваются методы исследования и контроля состава исходных веществ и конечного материала. В работе применялся комплекс методов, который включал термогравиметрический анализ, рентгено.

10 фазовый анализ (РФА) порошков и пленок, ренттеноспектральный микроанализ (ЛРСА), гранулометрический анализ порошков, оптическую микроскопию, электронную микроскопию (сканирующую (СЭМ) и просвечивающую (ПЭМ)), рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию (РФЭС). Измерение поверхностного сопротивления готовых пленок проводилось в температурном интервале 300-М-73 К двухзондовым методом при освещении лампой накаливания (100−1500 Лк) и красным светодиодом (X = 630 нм, 1= 20 мА, 1= Змм). Фоточувствительные характеристики пленок устанавливались по результатам измерения фотопроводимости (ФП) и спектров фотолюминесценции (ФЛ).

Последующие главы содержат описание проведенных в данной работе экспериментальных исследований по оптимизации различных этапов изготовления пленок Сс181. х8ех методом трафаретной печати и обсуждение полученных результатов.

В третьей главе обсуждаются вопросы выбора компонентов паст (полупроводниковая составляющая, флюс, легирующие добавки, связующее и растворитель) и исследования их физико-химических характеристик, а также проблемы выбора материала подложки.

Четвертая глава посвящена экспериментальным исследованиям по разработке рецептуры паст для приготовления пленок, влиянию способа обработки подложки на адгезию пленки к подложке. Приведены результаты экспериментов по оптимизации технологического процесса трафаретной печати.

Исследования, направленные на совершенствование завершающего этапа технологии изготовления пленок методом трафаретной печати — термообработки и отмывки пленок, и их результаты описаны в пятой главе. В заключение главы представлена схема модернизированной технологии трафаретной печати, разработанной на основании экспериментальных исследований каждого этапа технологии.

Шестая глава посвящена исследованиям взаимосвязи электрофизических свойств полученных пленок с их составом и микроструктурой. Рассмотрено изменение указанных свойств с температурой.

В заключительной седьмой главе представлены результаты апробации усовершенствованной технологии трафаретной печати для создания макетных образцов фоторезисторов на основе пленок CdSixSex (х=0- 0,2- 0,8), описаны этапы изготовления и измерения их основных функциональных характеристик.

Личный вклад автора. Диссертационная работа представляет собой обобщения результатов исследований, выполненных автором лично и при его непосредственном участии. Автор участвовал в постановке задач, обработке, анализе и обобщении результатов, экспериментах, проводившихся при разработке технологических приемов получения фоточувствительных пленок CdSi. xSex методом трафаретной печати и изучению функциональных свойств пленок. Представленные в диссертационной работе результаты исследования компонентов паст, микроструктуры и состава пленок получены лично автором.

Настоящая работа выполнена в сотрудничестве со специалистами лаборатории фотосенсорных и дисплейных технологий Института физики HAH Беларуси, лаборатории химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов кафедры неорганической химии химического факультета Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, а также Института теоретической и прикладной электродинамики РАН, при финансовой поддержке РФФИ (грант № 06−03−81 028-Бела), БФФИ (договор № Т06Р-008) и программы «Участник молодежного научно-инновационного конкурса 2007» (У.М.Н.И.К.).

выводы.

1. На основании результатов исследований процессов синтеза пленок Ссй^е^ при помощи комплекса методов (РФА, ТГА, ЛРСА, РФЭС, СЭМ и ПЭМ) разработаны и оптимизированы технологические этапы изготовления фоточувствительных пленок на основе твердых растворов Сс18|.х8ех, а именно:

Предложены методы предподготовки компонентов и определен оптимальный состав паст для трафаретной печати (64,5 ± 0,5 мае. % порошка основного полупроводникового вещества АПВУ1, 10,8 ± 1 мае. % двадцатипроцентного раствора нитроцеллюлозы в этиловом спирте и 24,7 ± 1 мае. % пропиленгликоля), обеспечивающий необходимые реологические свойства паст, и оптимизирована методика его нанесения. йЬ Определены оптимальные условия термообработки (спекания) пленок: оптимизирована концентрация флюса в пасте (10 ± 2 мае. %) и температурный режим спекания на основании данных о кинетике спекания и кинетике окисления пленок Сс181-х8ех. Найдены зависимости состава и морфологических свойств пленок (форма и средний: размер кристаллитов, состояния межзеренных границ, пористость, рельеф) от условий термообработки, что позволяет контролировать функциональные свойства материала.

2. На основании результатов определения фотоэлектрических характеристик пленок у.

Сс181×8ех найдено, что наилучшие фотоэлектрические параметры достигаются при среднем размере зерна — 5−10 мкмплотности межзеренных границ — 3−3,5 10″ 2 мкм" 1- однородном распределении зерен по размеру (5 мкм ПТНПВ < 18 мкм) и наличии на поверхности зерен окисленного слоя.

Сс1804 и/или С (18е03) толщиной 2−3 монослоя. Установлено, что для пленок, активированных в оптимизированных режимах термообработки, характерно.

170 возрастание фоточувствительности с увеличением содержания селена в твердом растворе Сс181. х8ех.

4* Для пленок Сё8]. х8ех найден эффект «фотопамяти», величина которого, возрастает с увеличением содержания х в твердом растворе.

3. Максимум спектральной чувствительности пленок Сс181×8ех определяется величиной х по зависимости 1=525±-6+200±-9-х, ширина области спектральной чувствительности зависит также от условий термообработки пленок.

4. Предложен механизм фотопроводимости поликристаллических пленок Сс181×8ех, включающий образование и релаксацию локализованных центров на поверхности зерен, связанных с барьерным оксидным слоем.

5. Изготовлены макетные образцы фоторезисторов на основе пленок Сс181×8ех (х= 0- 0,2- 0,8), полученные по оптимизированной технологии трафаретной печати. На основе сопоставления основных приборных параметров показаны преимущества полученных в данной работе фоторезисторов перед имеющимися коммерческими продуктами. 0.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Выражаю искреннюю благодарность научным руководителям: к.х.н., в.н.с. Штанову В. И. и д.т.н., проф. Акчурину Р. Х. за внимательное отношение к работе, помощь и поддержку в проведении исследований и обсуждении результатов, а также зав. лаб. ФДТ Института физики НАНБ, к.т.н. Трофимову Ю. В. и зав. лаб., к.т.н. ИТПЭ РАН Рыжикову И. А. за предложенную тему диссертационной работы и консультационную помощь, д.х.н., с.н.с. Яшиной JI.B. за неоценимую помощь в интерпретации данных и плодотворное обсуждение полученных результатов.

Глубокая благодарность сотрудникам лаборатории ФДТ Института физики HAH Беларуси: Острецову Е. Ф. и Сурвило JLH. за помощь в изготовлении пленок и фоторезисторовсотрудникам кафедры неорганической химии химического факультета МГУ: к.х.н. Кнотько A.B. и н.с. Филатову А. Ю. за проведение съемки образцов на электронном микроскопек.х.н., с.н.с. Великодному Ю. А. за рентгеновскую съемку образцовк.х.н. Васильеву Р. Б. за предоставление времени для работы на профилометрек.х.н., ст. преп. Шаталовой Т. Б. за проведение ТГА и ценные практические советы, асп. Неудачиной B.C. за съемку образцов РФЭС и помощь в интерпретации данных, к.х.н., доц. Тамм М. Е., асп. Дедюлину С. Н. и Волыхову A.A. за моральную поддержку и ценные замечаниясотрудникам кафедры материалов микро -, опто — и наноэлектроники МИТХТ: к.х.н., доц. Евгеньеву С. Б. и к.х.н., доц. Арбениной В. В. за большую консультационную помощьсотрудникам ИТПЭ РАН Мешкову A.C. и Агапоновой A.B. за помощь в проведении исследований фотоэлектрических свойств пленок.

Искренняя признательность сотрудникам лаборатории химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов кафедры неорганической химии химического факультета МГУ и сотрудникам кафедры материалов микро -, опто — и наноэлектроники МИТХТ за доброжелательное отношение и помощь в повседневной работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.В., Грыцив В. И. Диаграммы состояния систем на1. О Сосновеполупроводниковых соединений, А В. Киев: Наукова Думка, 1982, 168 с.
  2. Н.И., Гузей JI.C. Диаграммы двойных металлических систем. Справочник, т. XXXVIII, М: ВИНИТИ 1993, с. 35.
  3. Вол А.Е., Каган И. К. Строение и свойства двойных металлических систем, т. IV, М.: Наука, 1976, с. 57.
  4. Ю.М., Дмитриева Н. В., Ванюков A.B. Изучение области гомогенности CdSe методом масс спектрометрии // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1972, т. 8, с. 1396.
  5. Raisman A., Berkenblit M., Witzen M. Non stoichiometry in cadmium selenide and equilibria in the system cadmium — selenide // J. Phys. Chem., 1962, v. 66, p. 2210.
  6. И.Н., Гринько B.B. Давление и состав пара над образцами системы CdSe GeSe2 // Ж. неорганич. химии, 1991, т. 36, № 7, с. 1860.
  7. .А., Трифонов В. А., Ляховицкая В. А., Новоселова A.B. Определение границ области гомогенности сульфоиодида сурьмы по разрезу SbJ2 Sb2S3 // Доклады АН СССР, 1974, т. 215, № 3, с. 603.
  8. Л.Е. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства, М.: Наука, 1967, 235 с.
  9. В.Н., Гринберг Я. Х., Лазарев В. Б. Тензиметрическос сканирование области гомогенности ?-Zn3As2 // Доклады АН СССР, 1987, т. 292, № 3, с. 621.
  10. И.Н., Чукичев М. В., Гринько В. В., Иванов В. В. Тензиметрическое определение границ области гомогенности CdSe и CdS и люминесцентные свойства нестехиометричных кристаллов // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 2000, т. 45, № 3, с. 538.
  11. Ю.В. Р-Т-х диаграммы состояния двойных систем. Справочник, т. 1, М.: Металлургия, 1990, с. 176.
  12. В.П., Новоселова A.B. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл- халькоген, М: Наука, 1987, 207 с.
  13. Addamiano A. The melting point of cadmium sulfide // J. Phys. Chem., 1957, v. 61, p. 1253.
  14. M., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Справочник, т. I -II, М.: Металлургиздат, 1962, с. 811.
  15. Г. А., Калюжная Г. А. Кристаллизация CdS методом жидкостной эпитаксии // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1972, т. 8, с. 641.
  16. Хариф JI. JL, Кудряшов Н. И., Ковтуненко П. В. Диаграмма парциального давления кадмия температура — состав сульфида кадмия // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1986, т. 22, № 12, с. 1962.
  17. A.B., Давыдов A.A., Томпсон А.С // ЖФХ, 1974, т.43, № 9, с. 2364.
  18. Munir Z.A., Kashkooli I.Y., Street G.B. Studies on the sublimation of AnBVI compounds. The relative thermal stability and heat of transformation of black mercury sulfide (metacinnabar) // High Temperature Sei. 1973, v.5, № 1, p.8−15.
  19. McAteer J.H., Seltz H. Thermodynamic Properties of the Tellurides of Zinc, Cadmium, Tin and Lead // J. Amer. Chem. Soc. 1936, v.58, № 11, p. 2081−2084.
  20. Э.Ю., Хачатурян T.A. Определение общего давления пара сульфида кадмия методом Лангмюра // Труды МИТХТ им. М. В. Ломоносова. 1963, т.44, с. 22.
  21. Lee W.T., Munir Z.A.Torsion-Effiision and Torsion-Langmuir studies of Zink telluride//J. Electrochem. Soc. 1967, v. 114, № 12, p. 1236.
  22. А.Ф., Коршунов И.A // ЖФХ. 1938, т. 11, № 4, с. 220.
  23. Wosten W.J. The vapor pressure of cadmium selenide // J. Phys. Chem. 1961, v. 65, № 11, p. 1949.
  24. Л.Д., Бондарь Л. А., Марченко А. И., Мизецкая И. Б. Исследование в области физ. хим. анализа систем на основе полупроводниковых соединений А2В6. В кн.: Физика и химия соединений А2В6, Киев: Наука Думка, 1969, с. 33.
  25. Л.Д., Мизецкая И. Б., Маркина Э. В. Взаимодействие CdS и CdSe при спекании // Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1976, № 23, с. 81.
  26. В.Н., Олейник Г. С., Мизецкая И. Б. Исследование взаимодействия в тройной взаимной системе CdSe +ZnS ←«CdS + ZnSe // Изв. Ан СССР Неорганич. материалы, 1979, т. 15, № 2, с. 202.
  27. A.A., Райский Э. К., Гурьев В. Р. Измерение температур плавления сульфидов, селенидов и теллуридов цинка и кадмия // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1967, т. 3, № 2, с. 390.
  28. Н.И., Мизецкая И. Б. Выращивание монокристаллов смешанного типа CdS-CdSe из паровой фазы и их некоторые характеристики // Физика твердого тела, 1956, т. 1, с. 397.
  29. Н.М., Коренев Ю. М., Тимошин И. А. и др. Масс -спектральные термодинамические исследования двойных .систем, образованных халькогенидамп второй группы. Система CdS CdSe. // Ж. физич. химии, 1972, т. 46, № 7, с. 1718.
  30. Г. В. Халькогениды. Свойства, методы получения и применение, Киев: Наука Думка, 1967, с. 15.
  31. B.C., Гордиенко Л. К. Механизм релаксационных явлений в твердых телах, М.: Наука, 1972, с. 47.
  32. С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов, М.: Высшая школа, 1970, с. 47.
  33. Л.С., Левитин B.B. Рентгенографическое исследование сплавов Sn-Se, Zn Se, Cd — Se и Ag — Se // Доклады АН СССР, 1954, т.96, с. 975.
  34. A.C., Сапожников P.A. О кубической модификации селенида кадмия//Кристаллография, 1962, т. 7, с. 623.
  35. Р.П. Структуры двойных сплавов, М.: Металлургия, 1970, с. 287.
  36. И.В., Соколов В. В., Новоселова А. В. Давление насыщенного пара селенидов цинка и кадмия // Ж. неорганич. химии, 1960, т. 5, с. 241.
  37. Ю.Х., Костина Э. Н. Теплоемкость и энтропия селенида кадмия при температуре жидкого азота // Ж. физич. химии, 1969, т. 43, с. 992.
  38. И.П. и др. Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников, Л.: Из-во ЛГУ, 1970, с. 66.
  39. С.А. Электронографическое исследование структуры тонких слоев сульфида, селенида и теллурида кадмия // Кристаллография, 1956, т. 1, с. 306.
  40. К.В., Дмитриев В. А., Роги К., Ботнев А. Ф. Влияние отклонения от стехиометрии на кристаллическую структуру тонких пленок селенида кадмия // Кристаллография, 1970, т. 15, с. 342.
  41. H.A., Леондарь В. В., Симашкевич A.B. и др. Труды по физике полупроводников, Кишиневский ун-т, 1971, с. 117.
  42. Доклады научно технической конференции по итогам научно -исследовательских работ за 1968- 1969 гг. Секция электронной техники. Подсекция полупроводниковых приборов, М.: Моск. энерг. ин-т, 1969, с. 47.
  43. A.C., Ковба Л. М. О политипных модификациях кристаллов сульфида и селенида кадмия // Кристаллография, 1962, т. 7, с. 316.
  44. Д.М. Кадмий, М.: Наука, 1967, 228 с.
  45. Н. А. Химия алмазоподобных полупроводников, Л.: Изд -во ЛГУ, 1963, 336 с.
  46. Sigal A.G., Wiedemeier H. Crystal growth and transport properties in the mixed system MnSe CdSe // J. Cryst. Growth, 1971, v. 9, p. 244.
  47. И.Д., Головей М. И., Риган М. Ю., Ворошилов Ю. В., Гурзан М. И. Исследование систем Cd3As2 2CdTe и Cd3P2- 2CdSe // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1972, т. 8, с. 696.
  48. М.И. и др. Система (Cd3As2)i.x (2CdSe)x // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1973, т. 9, с. 1520.
  49. И.Б., Никольский Ю. В., Смирнова Е. Н., Дарашкевич В. Р., Сутырин Ю. Е. Твердые растворы системы CdSe CdTe // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1974, т. 10, с. 217.
  50. Г. В., Дроздов С. В., Сульфиды, М.: Металлургия, 1972, 302 с.
  51. С. А. К вопросу о растворимости компонентов в соединениях А2Вб//Кристаллография, 1963, т. 8. с. 923.
  52. Ф. Справочник, М.: Наука, с. 235.
  53. Aigrain Р., Balkanski М. Constantes selectionirees relatives aux semiconductors, Paris: Pergamon Press, 1961, 230 p.
  54. Ю.В., Ормонт В. Ф. О зависимости ширины запрещенной зоны в системе ZnSe CdSe от структуры и состава // Ж. неорганич. химии, 1960, т. 5, с. 1796.
  55. .Д., Троицкая Н. В., Иванов Р. Д. Электронографическое исследование тонких пленок CdS // Кристаллография, 1963, т. 8, с. 923.
  56. М. Полупроводниковые материалы, М.: Металлургия, 1971, 325 с.
  57. Н.Х., Банкин В. Ф., Порецкая JI.B. и др. Полупроводниковые халысогениды и сплавы на их основе, М.: Наука, 1975, 220 с.
  58. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник, Киев: Наукова Думка, 1975, с. 297.
  59. А.Г. и др. Кристаллическая структура и электропроводностьпленок сульфида кадмия, напыленных на ориентирующие подложки //Изв.
  60. АН СССР, Неорганич. Материалы, 1968, т. 4, с. 655.177
  61. С.С., Троицкая З. В. Исследование структуры сернистого кадмия при высоком давлении до 90 Кбар // Доклады АН СССР, 1963, т. 151, с. 1068.
  62. В.А. Влияние дефектов области пространственного заряда на явления переноса в CdS-Cu2S фотопреобразователях // Дисс. канд. физ.-мат. наук, Одесса, 1991, 172 с.
  63. Sootha G.D., Padam G.K., Kupta S .К. ESR Study of oxygen radicals formed in cadmium sulfide// Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v. 52, p. 125−128.
  64. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, М.: Наука, 1978, с. 46.
  65. Л.Я., Миронов И. А., Рыжкин Ю. С. Фотолюминесценция селенида цинка// Оптика и спектроскопия, 1969, т. 27, № 1, с. 167−169.
  66. Л.Я., Миронов И. А., Рыжкин Ю. С. Люминесценция и электропроводность селенида кадмия // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1969, т. 33, с. 961−962.
  67. Sunners В. Control of photoconductive properties in cadmium selenide // J. Electrochem. Soc.: Solid State Science. 1967, v. 114, p. 390−394.
  68. Van Gool W. Fluorescence and photoconduction of silver activated cadmium sulfide//Philips Res. Repts. 1958, v. 13, p. 157−166.
  69. Toyotomi S., Morgaki K. Impurity conduction in cadmium sulfide at low temperatures // J. Phys. Soc. Japan, 1968, v. 25, p. 807−815.
  70. Kokubun Y., Hatano H., Wada M. Photoconductive properties of Se -annealed and Cu- diffused CdSe single crystals // Japan. J. Appl. Phys. 1979, v. 18, p. 1974−1950.
  71. Ototake M., Sato К., Yoshizawa M. The electrical conductivity of Cds powders with the wide variation of concentrations of both copper impurities and halide impurities // Japan. J. Appl. Phys. 1973, v. 12, p. 1290−1291/
  72. Э.Н. и др. Влияние примесей железа и меди на оптические свойства селенида кадмия. В кн.: Свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1977, с. 40−44.
  73. А.В., Хариф Я. Л. Растворимость Cu2Se в ZnSe и CdSe // Изв. Ан СССР. Неорган. Материалы, 1972, т. 8, № 2, с. 217−219.
  74. Я.Л., Вишняков А. В. Фазовые равновесия в системе Cd-Cu-Se // Изв. Ан СССР. Неорган. Материалы, 1976, т. 12, № 8, с. 1361−1364.
  75. А.Н., Варвас Ю. А. Растворимость меди в CdSe // Изв. Ан СССР. Неорган. Материалы, 1982, т. 18, № 6, с.904−907.
  76. Opik A.I., Varvas J.A. Defect Structure of Cu-doped cadmium selenide // Phys. Stat. Sol.(a)3, 1982, v. 74, № 2, p. 467−473.
  77. R. В., Woodbury H.H. The Diffusion and solubility of phosphorus in CdTe and CdSe//J. Appl. Phys. 1968, v. 39, № 12, p. 5361−5365/
  78. Sullivan G.A. Diffusion and solubility of Cu in CdS single crystals // Phys. Rew. 1969, v. 184, № 3, p. 796−805.x
  79. A.B., Иофис Б. Г. Растворимость Ag2S(Se) в ZnS, CdS nCdSe //Изв. Ан СССР. Неорган. Материалы, 1974, т. 10, № 7, с. 1184−1186.
  80. Nebauer Е. Vapour-pressure investigations of omputity diffusion and solubility in AnBVI compounds demonstrated for the system CdS: Au:S2 // Phys. Stat. Sol. 1968, v. 29, № 1, p. 269−281.
  81. X.X. Исследование диффузии и растворимости. В кн.: Физика и химия соединений AnBVI. М.: Мир, 1970, с. 178−208.
  82. К.П., Вишняков А. В., Раукас М. М. Структура фазовой диаграммы Zn-Cu-S и растворимость меди в сульфиде цинка // Ж. неорган, химии, 1981, т. 26, № 7, с. 1894−1899.
  83. А.А., Вишняков А. В., Зубковская В.Н. Растворимость Cu2S в
  84. CdS и ZnS // Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1970, т. 6, № 7, с. 1248−1251.179
  85. М.Э. Формирование дефектной структуры в монозернистых порошках сульфида и селенида кадмия // Диссерт. на соиск. уч. ст. к. х. н., Таллин: ТПИ, 1983, 177 с.
  86. .Л., Загоруйко Ю. А. Заряд и механизм переноса примеси в кристаллах сульфида кадмия // Физ. и техн. полупров. 1979, т. 21, с. 28 492 856.
  87. Zmija J., Demianuk М. Studies on the diffusion of copper, silver and gold in single-crystalline cadmium sulfide // Acta Phys. Polonica, 1971, v. A39, № 5, p. 539−553.
  88. M.B. Изучение диффузии меди в сильно легированных кристаллах CdS // Изв. вузов, сер. физ. 1975, № 7, с.153−155.
  89. Sullivan J.L. An ultrasonic investigation of the diffusion of the noble metals // J. Phys. D: Appl. Phys. 1973, v. 6, p. 552−559.
  90. Aven M., Halsted R.E. Diffusion of electrically and optically active defect centres in II-VI compounds // Phys. Rev. 1965, v. 137A, p. 228−232.
  91. Ю.А., Тиман Б. Л. Диффузия Си и Ag в CdSe // Изв. Ан СССР. Неорган. Материалы, 1980, т. 16, № 4, с. 755.
  92. Woodbury Н.Н. Diffusion and solubility of AG in CdS // J. Appl. Phys. 1965, v. 36, № 7, p. 2287−2293.
  93. Pillasozek Y., Zmija J. X-ray measurements of the changes in dislocation density in CdS //Phys. Stat. Sol. (a), 1971, v. 4, p. K123-K125.
  94. H., Мелликов Э., Никитин II., Хийе Я., Ильина Н., Варема Т., Дехтярук Н., Евдокимов О., Кукк П. Микрофотодетекторы на основе зерен узко дисперсных порошков соединений AnBVI // Изв. АН СССР. Физика и математика, 1984, т. 33, № 1, с. 48−51.
  95. Г. К. Диффузия Аи в CdS // Физ. и техн. полупр. 1971, т. 5, с. 481.
  96. Williams V.A. Diffusion of some impurities in zinc sulfide single crystals // J. Mater. Science, 1972, v. 7, p. 807−812.
  97. Teramoto I., Takayanagi S. Behaviour of gold in cadmium telluride crystals //J. Phys. Soc. Jap. 1962, v. 17, № 7, p. 1137−1141.
  98. Hage-Ali M., Mitchell I.V., Grob J .J., Siffert P. Heavy Element diffusion in cadmiuv telluride // Thin solid films, 1973, v. 19, № 2, p. 409−418.
  99. Ю.А., Нирк Т. Б., Калласте T.B. Высокотемпературное равновесие дефектов в монокристаллах селенида кадмия // Труды Таллинского политехи. Ин-та, 1972, № 323, с. 71−77.
  100. Nelkowski Н., Bollmann G. Diffusion von In und Cu in ZnS-Einkristallen // Z. Naturforsch. 1969, v. 24A, № 9, p. 1302−1306.
  101. Jones E.D., Mykura H. Diffusion of gallium into cadmium sulfide // J. Phys. Chem. Solids, 1980, v. 118, p. 1451−1454.
  102. П.И., Панчук О. Э., Щербак Л. П. Диффузия In и отклонение от стехиометрии в CdTe // Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1979, т. 15, № 10, с. 1762−1765.
  103. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Л. В. Смирнова. Новосибирск.: Наука, 1977, 256 с.
  104. Н.С., Фистуль В.И.Ю Гринштейн П. М. Кинетика распада перенасыщенного полупроводникового твердого раствора // Физ. и техн. полупров. 1971, т. 5, с. 1961−1968.
  105. Коллектив авторов. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и применение. Пер. с англ. Наука. 1983.С. 304.
  106. П.Л. Направленное дефектообразование в соединениях группы AnBVI // Диссертация на соискание ученой степени д. х. н. Таллин. 1983 с. 226.
  107. Kumar V., Sharma Т.Р. Structural and optical properties of sintered
  108. CdSxSei.x films // J. Phys. Chem. Solids. 1998, v. 59, № 8, p. 1321−1325.181
  109. Wenyi li., Cai Xun, Chen Qiu. Influence of growth process on the structural, optical and electrical properties of CBD CdS films // Materials Letters. 2005. v. 59. p. 1−5.
  110. M.A. Продольные фотоприемники на основе пленок CdSe:Cu, осажденные из раствора // XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 2000. с. 152.
  111. Shear Н., Hilton Е.А., Bube R. Oxygen chemisorptions effects on photocondyctivity in sintered layers // J. Electrochem. Soc. 1965, v. 112, № 10, p. 997−1002.
  112. Mark P. The role of chemisorptions in current flow in insulating CdS crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1965, v. 26, p. 959−972.
  113. Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973, 340 с.
  114. П.Л. Исследование закономерностей фотопроводимости фоторезисторов на основе прессованных таблеток сульфида кадмия // Дисс. на соиск. уч. ст. канд. физ.-мат. наук, Таллин, ТПИ, 1967, 275 с.
  115. Legre J.P., Martinuzzi S. Role of chemisorbed oxygen on dark current and anomalous photovoltaic effect in CdS evaporated layers // Phys. Stat. Sol. (a), 1970, v. l, p. 689−693.
  116. Micheletti F.B., Mark P. Ambient-sensitive photoelectronic behavior of CdS sintered layers // J. Appl. Phys. 1968, v. 39, № 11, p. 5274−5282.л /
  117. Проблемы физики соединений, А В. Справочник, т. 1, Вильнюс: Из-во ВГУ, 1972, с. 332.
  118. В.Р. Изучение процесса образования проводящей оксидной фазы в пленке сульфида кадмия // Международная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии».2004. 492 с.
  119. Sebastian P.J., Calixto М.Е. Porous CdS: CdO composite structure formed by screen printing and sintering of CdS in air // Thin Solid Films. 2000, v. 360, p. 128−132.
  120. Ю.А., Коваленко Н. О., Федоренко О. А., Федоров А. Г., Матейченко П. В. Текстурированные пленки CdO, полученные методом фототермического окисления // Письма в ЖТФ. 2007, т. 33, вып. 4, с. 51−57.
  121. В.В., Милютин Ю. В., Чан Ким Лой, Шапкин П.В. «Желтая» люминесценция CdS, легированного кислородом методом ионного внедрения // Краткие сообщения по физике. 1974, № 8, с. 12−17.
  122. Van Doom C.Z. Abnormal green «Green «Edge'» emission in CdS due to an oxygen impurity // Sol. State Commun. 1965, v. 3, p. 355−356.
  123. Golovanov V., Smyntyna V., Mattogno G., Kaciulis S., Lantto V. Oxygen interaction of CdS-based gas sensors with different stoichiometric composition // Sensor and Actuators B. 1995, v. 26−27, p. 108−112.
  124. Yu W., Sullivan J.L., Saied S.O. XPS and LEISS studies of ion bombarded GaSb, InSb and CdSe surfaces // Surface Science. 1996, v. 352−354, p. 781−787.
  125. Agostinelli E., Battistoni C., Fiorani D., Mattogno G., Nogues J. An XPS study of the electronic structure of the ZnxCdi-xCr2(X = S, Se) spinel system // Phys. Chem. Solids. 1989, v. 50, p. 269.
  126. Kolhe Shailaja, Kulkarni S. K., Nigavekar A. S. and Bhide V.G. X-ray photoelectron spectroscopic studies of sprayed CdS films // J. Mater. Sci. >1987, v. 22, p. 1067−1080.
  127. Gaarenstroom S.W., Winograd N. Initial and Final State Effects in the ESCA Spectra of Cadmium and Silver Oxides // J. Chem. Phys. 1977, v. 67, p. 3500.
  128. Yu X.-R., Liu F., Wang Z.-Y., Chen Y. Auger parameters for sulfur-containing compounds using a mixed aluminum-silver excitation source // J. Electron Spectrosc. Relat. Phemon. 1990, v. 50, p. 159.
  129. Marychurch M., Morris, G.C. X-ray photoelectron spectra of crystal and thin film cadmium sulfide // J.Surf. Sci. 1985, v. 154, p. 251.
  130. Moretti G., Anichini A., Fierro G., Lo Jacono M., Porta, P. Surface characterization of Cuj/2Cdi Jn2+J/2S4 model catalysts // Surf. Interface Anal. 1990, v. 16, p. 352.
  131. Shenasa M., Sainkar S., Lichtman D. XPS study of some selected selenium compounds // J. Electron Spectrosc. Relat. Phemon. 1986, v. 40, p. 329.
  132. Polak M. X-ray photoelectron spectroscopic studies of CdSe0.65 Те0. з5 // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1982, v. 28, p. 171.
  133. Setty M.S., Sinha A.P.B. Characterization of highly conducting PbO-doped Cd2Sn04 thick films // Thin Solid Films. 1986, v. 144, p. 7.
  134. Tery L., Barr T.L., Mengping Y., Varma S. Detailed x-ray photoelectron spectroscopy valence band and core level studies of select metals oxidations // J. Vac. Sci. Technol. 1992, v. 10, p. 2383.
  135. Sun T.S., Buchner S.P., Byer N.E. Oxide and interface properties of anodic films on Hgi^Cd^Te // J. Vac. Sci. Technol. 1980, v. 17, p. 1067.
  136. Golestani-Fard F., Hashemi Т., Mackenzie K.J.D., Hogarth C.A. Formation of cadmium stagnates studied by electron spectroscopy // J. Mater. Sci. 1983, v. 18, p. 3679.
  137. Riga J., Verbist J.J., Josseaux P., Mesmaeker A.K. Correlation between CdS photo anodic behavior and electrode chemical modifications: An' X-ray photoelectron spectroscopic study// Surf. Interface Anal. 1985, v. 7, p. 163.
  138. П.И., Сафаев M., Шемет В. В., Один И. Н., Новоселова А. В. Получение эпитаксиальных слоев CdSe в системе Cd(CH3)2 (CH3)2Se Н2 // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1983, т. 19, с. 875.
  139. Технология тонких пленок: Справочник. Под. ред. Майселла JL, Гленга Р, М.: Сов. Радио, 1977, т. 1, с. 45.
  140. М.А., Юлдашев Н. Х. Тепловой приемник излучения на основе легированных поликристаллических пленок CdSe // Материалы докладов XVIH междунар. научно- технич. конференции по фотоэлектронике, 2004, с. 36.
  141. А.Н., Евсеев В. А., Тимошин И. А., Волков Т. А. Исследование спектров пропускания поликристаллических пленок квазибинарной системы CdS CdSe. // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1972, т. 8, с. 1150.
  142. Н.И., Мралеченко И. Н., Погорелова Н. В. Исследование методов получения зеркальных пленок CdSe // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1971, т. 7, с. 322.
  143. Castro-Radrigues R., Sosa V., Oliva A.I. Strain gradients in polycrystalline CdS thin films // Thin Solid Films. 200, v. 373, p. 6−9.
  144. Pandey R.K., Shikha Mishra, Sanjay Tiwari, Sahu p., Chandra B.P. Comparative study of performance of CdTe, CdSe and CdS thin films Based photoelektrochemical solar cells // Solar Energy materials & Solar Cells. 2000, v. 60, p. 59−72.
  145. M.A., Мамедов Г. М., Насиров Э. Ф. МДП-структуры на основе пленок CdSi.xSex // Материалы докладов VIII Междунар. научно-технич. конференции «ПЭМ-2002», 2002, с. 25.
  146. В.Н., Сушкова Т. П., Клюев В. Г. и др. Люминесцентные свойства пленок CdS, легированного медью, полученных распылением растворов на нагретую подложку // Изв. АН СССР, Неорганич. Материалы, 1993, т. 29, с. 323.
  147. В.Н., Авербах Е. М. Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности, Воронеж: Изд -во ВГУ, 1981, с. 99.
  148. В.А. Влияние дефектов области пространственного заряда на явления переноса в CdS-Cu2S фотопреобразователях // Дисс. канд. физ.-мат. наук, Одесса, 1991, 172 с.
  149. В.Н., Клюев В. Г., Кушнир М. А. и др. Спектрально -люминесцентные свойства пленок, полученных распылением растворовтиомочевинных комплексов кадмия на нагретую подложку // Ж. прикладной спектроскопии, 1993, т. 59, с. 114.
  150. В.Н., Остапенко О. В., Лукин А. Н. Физические свойства тонких пленок CdS I112S3 // Неорганич. Материалы, 2000, т. 36, с. 160.
  151. М.Н., Семенов В. Н., Наумов А. В. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения пленок методом пульверизации // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, с. 2005.
  152. Ю.В., Наумов А. В., Сермашкашева Н. Л., Семенов В. Н., Новиков Г. Ф. СВЧ фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Ж. хим. физики, 2001, т. 20, с. 39.
  153. А.В., Метелев Ю. В., Сермакашева Н. Л., Новиков Г. Ф. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках сульфида кадмия // Изв. РАН, Сер. химическая, 2003, т., с. 13.
  154. Ю.В., Новиков Г. Ф. Получение и СВЧ фотопроводимость^ полупроводниковых пленок CdSe // Физика и техника полупроводников. 2006, т. 40, вып. 10, с. 1167−1174. г
  155. Ross J. N. Thick-film Photosensors // Meas. Sci. Technol. 1995, v. 6, № 4, p. 405−409.
  156. Kumar V. and Sharma T. P. Structural and optical properties of sintered CdSxSei. x films // J. Phys. Chem. Solids. 1998, v. 59, № 8, pp. 1321 1325.
  157. Santana-Aranda M. A., Melendez-Lira M. Screen printed CdSxTeix films, structural and optical characterization // Appl. Surf. Sci. 2001, № 175−176, p. 538 542.
  158. Sebastian P.J., Ocampo M. A photodetector based on ZnCdS nanoparticles in a CdS matrix formed by screen printing and sintering of CdS and ZnCl2 // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1996, v. 44, p. 1−10.
  159. Clemminck, I., Burgelman, M., Casteleyn, M., Depuydt, B. Screen Printed and Sintered CdTe-CdS Solar Cells // International Journal Solar Energy. 1993, v. 12, p. 67−78.
  160. Nakayama N., Matsumoto H., Nakano A., Ikegami S., Uda H. and Yamashita T. Screen printed thin films CdS/CdTe Solar Cell // Jpn. J. Appl. Phys. 1980, v. 19, № 4, p. 703−712.
  161. Ikegami S. CdS/CdTe solar cells by the screen-printing-sinlering technique: fabrication, photovoltaic properties and applications // Solar Cells. 1988, v. 23, № 1−2, p. 89−105.
  162. Clemminck I., Goossens R., Burgelman M., Vervaet A. Screen printing of CdS paster for CdS based solar cells // Proc. 20th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. Las Vegas. 1988, p. 1579−1584.
  163. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. JI. Майссела, Р. Гленга. М.: «Советское радио». 1977, т. 2, с. 42−53.
  164. С.С. рекристаллизация металлов и сплавов. М.: Металлургия. 1978, 557 с.
  165. И.Б., Матвиевская Т. М., Пекарь Г. С., Шейнкман М. К., Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами // Укр. физ. ж. 1973, т. 18, с. 732−741.
  166. Susa N., Watanabe Н., Wada М. Effects of annealing in Cd and S vapor on photoelectric properties of CdS single crystals // Japan. J. Appl. Phys. 1976, v. 15, p. 2365−2370.
  167. Henry C.H., Faulkner R.A., Nassau K. Donor-acceptor pair lines in cadmium sulfide // Phys. Rev. 1969, v. 183, № 3, p. 798−906.
  168. Filinski I., Wojtowicz-Natanson B. Low temperature edge emission of CdSe
  169. J. Phys. Chem. Solids, 1971, v. 32, p. 2409−2413.187
  170. О.В., Соловьев А. В., Хируненко Л. И. Краевое излучение монокристаллов CdSe // Физ. и техн. полупров. 1973, т. 7, № 5, с. 874−877.
  171. Vaitkus J., Baltramiejunas R., Niumka V. Spontaneous and stimulated luminescence of CdSe // J. Phys. Chem. Solids. 1974, v. 35, p. 159−162.
  172. Shiraki Y., Shimada Т., Komatsubara K.F. Edge emission of ion-implanted CdS // J. Phys. Chem. Solids. 1977, v. 38, p. 937−941.
  173. H.A., Витриховский Н. И., Денисова З. Л., Павленко В. Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии // Оптика и спектроскопия. 1966, т. 21, № 4, с. 466−475.
  174. Yamaguchi М. Photoluminescence studies of as-grown, heat-treated and ion-implanted CdS single crystals // Jap. J. Appl. Phys. 1976, v. 15, № 9, p. 1675−1682.
  175. Kroger F.A. Green emission in cadmium sulfide.// Physica. 1940, v. 7, p. 112.
  176. Marlor G.A., Woods J. Photoluminescence and recombination radiation in cadmium sulfide // Brit. J. Appl. Phys. 1956, v. 16, p. 797−803.
  177. Lampert M.A. Photoluminescence of CdS // Phys. Rev. Letters, 1958, v. 1, p. 450−453.
  178. Л. С., Саркисов Л. А., Сысоев Л. А., Файнер М. Ш. Влияние концентрации донорных примесей на проводимость монокристаллов CdS // Монокристаллы и техника. 1972, № 6, с. 230−231.
  179. Van Doom C.Z. Nature of donor-acceptor pairs in cadmium sulfide // J. Phys. Chem. Solids. 1968, v. 29, p. 599−608.
  180. Shiraki Y., Shimada Т., Komatsubara K.F. Optical studies of deep-center luminescence in CdS //J. Appl. Phys. 1974, v. 45, № 8, p. 3554−3561.
  181. Patil S.G., Woods J. Luminescence in copper-doped CdS crystals // J. Luminescence. 1971, v. 4, p. 231−243.
  182. Reynolds D.C., Collins T.C. Donor-acceptor pair recombination spectra in cadmium sulfide crystals // Phys. Rev. 1969, v. 188, № 3, p. 1267.
  183. B.H., Городецкий И. Я., Корсунская H.E., Шаблий И.Ю.,
  184. М.К. Образование собственных дефектов решетки при188низкотемпературном кратковременном отжиге монокристаллов CdS // Ук. физ. ж. 1980, т. 25, № 10, с. 1747−1748.
  185. В.Ф., Любченко А. В., Сальков Е. А., Шейнкман М. К. Об излучательной рекомбинации через донорно-акцепториые пары в CdS при низких температурах// Физ. и техник, полупров. 1975, т. 9, № 8, с. 1507−1511.
  186. A.M., Ермолович И. Б., Федорус Г. А., Шейкман М. К. Фотопроводимость и фотолюминесценция спеченных слоев CdS:Cu:Cl //Укр. физ. ж. 1974, т. 19, № 3, с. 406−414.
  187. М.К., Корсунская Н. Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В. Рекомбинационно-стимулированное преобразование сложных центров свечения в кристаллах CdS // Физ. и техн. полупров. 1980, т. 14, № 3, с. 438 443.
  188. Н.Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В., Шейнкман М. К. Механизм оже-возбуждения полосы люминесценции 1,6−2,0 мкм в кристаллах сульфида кадмия // Физ. и техн. полупров. 1977, т. 11, № 12, с. 2346−2350.
  189. Era К., Shionoya S., Washizawa Y. Mechanism of broad-band luminescences in ZnS phosphors. I. Spectrum shift during decay and with excitation intensity //J. Phys. Chem. Solids. 1968, v. 29, p. 1827−1841.
  190. Ю.В., Наумов A.B. СВЧ фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевины координационных соединений. // Хим. Физика. 2001, т. 20, № 9, с. 39−45.
  191. Drozdov N.A., Fedotov A.V., Mazan 1. Optical and photoelectrical properties of CdSxSeix films produced by screen printing technology // IV international Conference. Zakopane, Poland, 2005, p. 21−24.
  192. C.A., Трофимов Ю. В., Ивлев Г. Д., Сурвилло Л.Н.
  193. Фотолюминесценция поликристаллических пленок CdSo, 2Seo, 8, подвергнутных лазерному воздействию // Труды Шестой международнойнаучно-технической конференции «Актуальные проблемы твердодельнойэлектроники и микроэлектроники», Таганрог. 1998, с 192−194.189
  194. II-VI semiconducting compounds. Ed. By D.G. Thomas. New-York: Benjamin, Inc. 1967, 1489 p.
  195. Carter M.A., Woods J. Photoconductive properties of cadmium sulfide // J. Phys. D: Appl. Phys. 1973, v. 6, № 3, p. 337−349.
  196. Nimura H., Koyama S., Nakao T. Effect of heat treatment of CdSe single crystals in Se vapor// Japan. J. Appl. Phys. 1978, v. 17, p. 581−582.
  197. Sunners B. Control of photoconductive properties in cadmium selenide // J. Electrochem. Soc.: Sol. State Science, 1967, v. 114, p. 390−394.
  198. A.B., Булах Б. М., Турина И. А., Красикова С. М. Особенности рекомбинации в низкоомных монокристаллах CdSe // Физ. и техн. полупров. 1976, т. 10, № 5, с. 923−929.
  199. Р. Фотопроводимость твердых тел.М.: Мир. 1962, 362 с.
  200. М.К., Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Механизмы оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции в монокристаллах CdS и параметры соответствующих центров свечения // Физ. и техн. полупров. 1968, т. 10, с. 2628−2637.
  201. И.Б., Шейнкман М. К. Взаимная связь инфракрасных полос люминесценции (Xmax=l, 03 и 1,5 мкм) в монокристаллах CdS // Физ.-, и техн. полупров. 1971, т. 5, № 6, с. 1185−1188.
  202. М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках // Физ. и техн. полупров. 1976, т. 10, № 2, с. 209−233.
  203. М.А., Мехтиев Н. М., Мамедов Г. М., Насиров Е. Ф. Фотоприемники ИК излучения на основе пленок CdSi.xSex осажденных из раствора // XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 2000, с. 376.
  204. Tivanov М., Ostretsov Е., Drozdov N., Survilo L., Fedotov A., Trofimov Yu., Mazanik A. Optical and photoelectrical properties of CdSxSeix films produced by screen-printing technology // Physica status solidi. B. 2007, v. 244,5, pp. 1694−1699.
  205. . П. Физическая химия полупроводников, М.: Металлургия, 1969. 224 с.
  206. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, М.: Наука, 1978, с. 46.
  207. A.M. Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги. Т.З. М.: Радио Софт. 2000, с. 512.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!