Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование магнитных и транспортных свойств кристаллов манганитов в системе (La1-yEuy) 0.7Pb0.3MnO3

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность исследований. Магнитные системы с сильными электронными корреляциями привлекают внимание исследователей по многим причинам. Во-первых, при исследовании этих систем предстоит решать проблемы фундаментального характера, связанные с определением основного состояния. Во-вторых, в этих системах обнаруживаются необычные сочетания физических свойств, и, в-третьих, такого рода соединения… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА 1. Обзор физических свойств манганитов
    • 1. 1. Ьа1×5гхМп03 соединения
  • Манганиты с широкой полосой проводимости
    • 1. 2. Ьа1хСахМп03 соединения
  • Манганиты со средней полосой проводимости
    • 1. 3. Рг1хСахМп03 соединения
  • Манганиты с узкой полосой проводимости
    • 1. 4. Другие перовскитоподобные соединения
    • 1. 5. Используемые модели
      • 1. 5. 1. Двойной обмен
      • 1. 5. 2. ЭффектЯна-Теллера
      • 1. 5. 3. Двухорбитальная модель
  • Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. Приготовление образцов, экспериментальные методы
  • Техника эксперимента
    • 2. 1. Примесные монокристаллы манганитов (Ьа|.уЕиу)о.7РЬозМпОз
    • 2. 2. Экспериментальные установки
      • 2. 2. 1. Установка для исследования проводимости на постоянном токе
      • 2. 2. 2. Установка для исследования магнитного резонанса
      • 2. 2. 3. СВЧ генератор для спектрометра магнитного резонанса
      • 2. 2. 4. Спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем
      • 2. 2. 5. Метод детектирования магнитного резонанса по изменению проводимости образца. Магнитный резонанс при воздействии транспортного тока
  • ГЛАВА 3. Магнитные и транспортные свойства кристаллов манганитов
  • Ьа1 у.е.иу)о.7РЬо.зМпОз. Магниторезонансные исследования
    • 3. 1. Магнитные свойства монокристаллов манганитов
  • Ьа1 у.е.иу)0ЛРЬ0.зМпОз с у=
    • 3. 2. Транспортные свойства монокристаллов манганитов (Ьа,.уЕиу)о.7РЬо.зМпОз для 0<у<
    • 3. 3. Особенности спектров магнитного резонанса монокристаллов манганитов (Ьао^Еио/ОолРЬо.зМпОз при магнитном фазовом расслоении
    • 3. 4. Изменение проводимости монокристалла (Ьа0)4Еио, б) о.7РЬо.зМпОз, индуцированное
  • приложением постоянного тока
    • 3. 5. Магниторезонансные исследования кристаллов Еи0.7РЪо.зМпОз. Изменение проводимости монокристалла Еи0.7РЬо.зМпОз, индуцированное магнитным резонансным СВЧ поглощением
    • 3. 6. Фазовые диаграммы

Исследование магнитных и транспортных свойств кристаллов манганитов в системе (La1-yEuy) 0.7Pb0.3MnO3 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность исследований. Магнитные системы с сильными электронными корреляциями привлекают внимание исследователей по многим причинам. Во-первых, при исследовании этих систем предстоит решать проблемы фундаментального характера, связанные с определением основного состояния. Во-вторых, в этих системах обнаруживаются необычные сочетания физических свойств, и, в-третьих, такого рода соединения оказываются перспективными в плане практических применений. Материалы на основе оксида марганца обладают сменой типа проводимости, которая сопровождается изменением магнитного состояния. Они являются наиболее яркими представителями систем с сильными электронными корреляциями. Наличие в этих материалах сильно взаимодействующих спиновой, зарядовой и орбитальной подсистем определяет богатое разнообразие их свойств. К настоящему времени установлено, что причина сложного поведения этих систем кроется в конкуренции взаимодействий, имеющих сравнимые величины. При определенных уровнях легирования примесями энергии взаимодействий, отвечающие за тенденции образования той или иной фазы, становятся сравнимыми, и вопрос об основном состоянии системы оказывается весьма нетривиальным. Предполагается, например, что в данном случае основным может быть неоднородное состояние, типа — состояние с фазовым расслоением. Тонкий энергетический баланс является также причиной высокой чувствительности свойств примесных манганитов к внешним воздействиям, таким как температура, внешнее магнитное поле, давление, транспортный ток и др.

Поскольку при введении редкоземельных ионов в кристалл образуется подсистема с явно выраженными локализованными магнитными моментами, то возникает возможность управляемого влияния на магнитные параметры системы (намагниченность, анизотропия, температура перехода и т. д.). В настоящей работе речь пойдет о взаимосвязи магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов, легированных ионами редких земель и их чувствительности к воздействию электромагнитного излучения СВЧ диапазона. При этом один из главных аспектов — изучение условий возникновения состояния с фазовым расслоением и влияния редкоземельных ионов на электронную структуру в кристаллах манганита. Интересным моментом является и то, что наличие конкуренции взаимодействий приводит к возникновению неоднородных состояний в реальных кристаллах манганитов. Сильная чувствительность такого состояния с фазовым расслоением к внешним возмущениям (транспортный ток, магнитное поле) является причиной необычных наблюдаемых магниторезистивных эффектов и нелинейных электрических транспортных свойств.

Именно изучению новых соединений состава (Ьа, уЕиу) о.7РЬ0.зМпОз (0<у<1), проявляющих эффект колоссального магнитосопротивления, посвящено настоящее исследование.

Цель работы. Целью данной работы явилось изучение магнитных, электрических свойств кристаллов манганита (Ьа^Еи^олРЬо.зМпОз и их взаимосвязи в зависимости от концентрации легирующей примеси и внешних условий. Значительное внимание уделено установлению границ существования магнитного фазового расслоения и исследованию динамического поведения системы в условиях пропускания транспортного тока и электромагнитного СВЧ облучения.

Научная новизна. При исследовании физических свойств кристаллов манганита получены следующие результаты:

1. Проведено комплексное исследование магнитных, резонансных и транспортных свойств, впервые синтезированных кристаллов манганитов состава (Ьа1.уЕиу)о.7РЬо.зМп03. При изучении фазовой неоднородности в манганитах впервые использован метод исследования частотно-полевых зависимостей спектров магнитного резонанса. Это позволило непосредственно установить, что в области температуры магнитного фазового перехода, где наблюдается эффект колоссального магнитосопротивления, реализуется состояние с магнитным фазовым расслоением.

2. Обнаружен и исследован эффект индуцирования магнитным резонансным СВЧ поглощением изменений в электрической проводимости монокристалла манганита. Показано, что ключевую роль в механизме изменения проводимости играет состояние фазового расслоения, реализующееся в образце.

3. Впервые обнаружено и экспериментально изучено влияние транспортного тока на спектр магнитного резонанса в монокристаллах манганита.

Практическая ценность. Результаты исследований позволяют расширить представления о природе магнитных свойств и взаимодействий в кооперативных системах. В частности, они позволяют глубже понять механизмы формирования и изменения магнитных свойств при легировании материалов, что, в свою очередь, позволит прогнозировать свойства различного класса магнитных систем и целенаправленно получать материалы с требуемыми свойствами.

Основные надежды на применение манганитов связаны с эффектом колоссального магнитосопротивления, который может служить основой при создании магнитоуправляемых устройств электроники для целей записи, хранения и обработки информации. Изучение магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов позволяет сделать вывод о возможности их использования в качестве электронных элементов, управляемых не только магнитным полем, но и другими внешними воздействиями, например, транспортным током.

Еще одно направление исследований манганитов связано с перспективой применения их в устройствах спинтроники. Высокая спиновая поляризация носителей заряда в этих материалах позволяет надеяться на успешное их применение в качестве источников поляризованных электронов, эмитируемых в магнитные гетероструктуры. Очевидно, что все работы, направленные на выяснение механизмов электронного транспорта в манганитах и магнитных структурах на их основе, остаются востребованными.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на.

• V Всероссийской научной конференции «Решетневские Чтения», (г. Красноярск, 2001);

• XL Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». Физика, (г. Новосибирск, 2002);

• XVIII, XIX и XX международных школах-семинарах «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (г. Москва, 2002, 2004, 2006 гг.);

• Московском международном симпозиуме по магнетизму, «MISM» (г. Москва, 2002, 2005 гг.);

• Международной конференции «Функциональные материалы» «ICFM-2005» (Крым, Украина, 2003 г.);

• Международной конференции Европейского Материаловедческого Общества, «EMRS-Fall Meeting» (г. Варшава, Польша, 2003 г.).

• Международной конференции по магнетизму (г. Рим, Италия, 2003 г.).

• Евро-Азиатском симпозиуме «Прогресс в магнетизме» «EASTMAG-2004» (г.Красноярск 2004).

• 34-ом совещании по физике низких температур (г. Сочи 2006).

ПУБЛИКАЦИИ.

По теме диссертации опубликовано 6 печатных работ в рецензируемых зарубежных и отечественных журналах.

СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 101 страницу, включая 49 рисунков. Список цитируемой литературы состоит из 96 наименований.

Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Сконструирован и изготовлен автоматизированный блок для измерения электрических и магниторезистивных параметров широкого круга магнитных материалов (от «плохих» полупроводников р ~ 4−105 Ohm-cm до металлов р ~ 1 Ohm-cm) в температурном диапазоне Т = 4.2 — 300 К и в области магнитных полей Н = 0 — 12 Юе.

2. Проведены исследования магнитных свойств кристаллов (Laj. уЕиу) о.7РЬ0.зМпОз в зависимости от температуры, магнитных полей при разных концентрациях легирующей примеси Ей. Установлено, что введение ионов европия существенно влияет на температуру магнитного перехода (от Тс = 370 К для у = 0, до Тс = 119 К при у = 0.6). Из анализа высокотемпературных зависимостей намагниченности следует, что примесные ионы Ей дают небольшой вклад в намагниченность системы и гораздо сильнее влияют на обменное взаимодействие. Низкополевые зависимости в магнитоупорядоченной области указывают на существование спин-стекольного состояния, возникающего вследствие появления конкурирующих взаимодействий.

3. Установлено, что характер электрической проводимости кристаллов (Ьа1 у.е.иу)о.7РЬо.зМпОз меняется от металлического при у = 0 до полупроводникового при у = 0.6. В области магнитного перехода имеет место эффект колоссального магнитосопротивления (KMC). Его величина и температурная область существования увеличиваются при увеличении содержания европия в интервале у = 0 — 0.6 и далее уменьшаются при увеличении у. В интервале температур, где наблюдается эффект KMC, регистрируются нелинейные вольт-амперные характеристики, причем характер нелинейности зависит от величины магнитного поля и наблюдается при Н < 30 Юе. Все эти факты являются косвенным указанием на существование магнитного фазового расслоения.

4. Методом электронного магнитного резонанса получено прямое доказательство существования эффекта магнитного фазового расслоения. В области магнитного перехода, там же, где имеет место эффект магнитосопротивления и наблюдаются нелинейные электрические свойства, одновременно наблюдаются сигналы магнитного резонанса, присущие различным магнитным фазам. Изучение частотно-полевых зависимостей линий поглощения магнитного резонанса впервые использовано для анализа эволюции двухфазного состояния. По изменению отношения интенсивностей линий магнитного резонанса показано, что происходит изменение объема фаз, как в зависимости от температуры, так и от величины магнитного поля.

5. При пропускании постоянного тока через образец (Ьа0,4Еи0−6)0.7РЬ0.зМпОз обнаружено его влияние на спектр магнитного резонанса. Установлено, что увеличение тока приводит к увеличению объема более проводящей фазы в объеме образца. Таким образом, появляется возможность управлять электрическими свойствами кристаллов манганитов посредствам внешних воздействий.

6. Впервые в объемных кристаллах манганита ЕиолРЬо. зМпОз обнаружено влияние СВЧ облучения на соотношение фаз. Установлено, что в области существования KMC при развертке магнитного поля на фоне кривой р (Н) при включении СВЧ накачки происходит ее искажение, по форме подобное линии электронного магнитного резонанса. Величина индуцированного изменения зависит от величины тока измерения. Показано, что эффект не связан с тривиальным нагревом, а имеет место СВЧ индуцированное изменение соотношения параи ферромагнитной фаз.

Считаю своим долгом выразить благодарность своему научному руководителю доктору физ.-мат. наук, Волкову Никите Валентиновичу за поставленную интересную научную задачу, за внимание и всестороннюю помощь в ходе ее выполнения. Хочу поблагодарить заведующего лабораторией РСМУВ профессора Петраковского Германа Антоновича за поддержку данных исследований и содействие в ходе ее выполнения, и выразить особую признательность Саблиной Кларе Александровне, чей талант технолога позволяет проводить исследования на самых совершенных кристаллах. Выражаю благодарность всему коллективу лаборатории Резонансных свойств магнитоупорядоченных веществ за дружеское отношение и полезные советы в процессе работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В данной работе представлено экспериментальное исследование физических свойств впервые синтезированных монокристаллов манганитов состава (Ьа1 у.е.иу)о.7РЬо.зМп03.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Jonker G.H., Van Santen J.H., Physica (Utrecht) 1950 v.16, p.337
  2. Jin S et al. Science (1994) v.264, p.413
  3. Wollan E.O., Koehler W.C., Phys. Rev., 1955, v.100, p.545
  4. Kusters R.M., Singleton J., Keen D.A., McGreevy R., Hayes W., Physica 1989, B.155, p.3625. von Helmolt R., Wecker J., Holzapfel В., Schultz L., Samwer К., Prys. Rev. Lett. 1993, v.71, p.2331
  5. Э.Л., Письма в ЖЭТФ 1967, т.6, с.484- ЖЭТФ 1968, т.54, с.228
  6. Э.Л., Письма в ЖЭТФ 1972, т. 16, с.558- Кашин В. А., Нагаев Э. Л., ЖЭТФ 1974, т.66, с.2105
  7. Kasuya T., Yanase A., Takeda Т., Solid State Commun. 1970, v.8, p.1543,1551
  8. M.A., УФН 1972, т.106, с.360- УФН 1973, т.111, с.617
  9. Л.Н., Нагаев Э. Л., Хомский Д. И., ЖЭТФ 1968, т.54, с. 1562
  10. Uehara M., et.al., Nature 1999, v.399, p.560
  11. Balagurov A.M., et. al., Eur. Phys. J 2001., B.19, p.215
  12. Zener C., Phys. Rev. 1951., v.82, p.403
  13. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa H., et. al., Phys. Rev. Lett. 1997, v.78, p.4253
  14. Tokura Y., et. al., J. Phys. Soc. Japan 1994., v. 63, p.3931
  15. Matsumoto G., J. Phys. Soc. Japan 1970., v.29, p.615
  16. Schiffer P., Ramirez A.P., Bao W., Cheong S.W., Phys. Rev. Lett. 1995, v.75, p.3336
  17. Neumeier J.J., Hundley M.F., Thompson J.D., Heffner R.H., Phys. Rev. В 1995., В 52, p.4189
  18. Cheong S.W., Hwang H.Y., Contribution to Colossal Magnetoresistance Oxydes, Monographs in Condensed Matter Science. Gordon & Breach, London 1999.
  19. Kugel K.I., Khomskii D.I., Sov. Phys. JETP 1974, v 37, p.725
  20. Zimmermann M.V., Nelson C.S., Hill J.P., Gibbs D., et. al., Phys. Rev. Lett1999, v.83, p.4872
  21. Zimmermann M.V., Nelson C.S., Hill J.P., Gibbs D., et. al., Preprint cond-mat/7 231 2000
  22. Mori S., Chen C.H., Cheong S.W., Nature 1998a, v.392, p.473
  23. Hotta T., Takada Y., Koizumi H., Dagotto E., Phys. Rev. Lett. 2000a, v.84, p.2477
  24. Dai P., Fernandez-Baca J.A., Chakoumakos B.C., Cable J.W., et. al., Preprint 1996, unpublished
  25. Moreo A., Mayr M., Feiguin A., Yunoki S., Dagotto E., Phys. Rev. Lett.2000, v.84, p.5568
  26. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H., Maritomo Y., Tokura Y., Phys. Rev.1996, B 53 R1689
  27. Hotta T., Dagotto E., Phys. Rev. 2000, B 61 R11,879
  28. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H., Tokura Y., Phys. Soc. Japan 1997, v.66, p.302
  29. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa H., Tomioka Y., et. al., Phys. Rev. Lett.1997, v.78, p.4253
  30. Yoshizawa H., Kawano H., Fernandez-Baca J.A., Kuwahara H., Tojura Y., Phys. Rev. 1998, B58, R571
  31. Zvyagin S., Saylor C., Martins G., Brunei L.C., et. al., Preprint 2000
  32. Akimoto T., Maruyama Y., Moritomo Y., Nakamura A., et. al., Phys. Rev.1998, B57, R5594
  33. Moritomo Y., Phys. Rev. 1999b, B60, RIO, 374
  34. Tomioka Y., Tokura Y., Metal-insulator phenomena relevant to charge/orbital ordering in perovskite-type manganese oxydes. Preprint 1999.
  35. Uehara M., Mori S., Chen C.H., Cheong S.W., Nature 1999, v.399, p.560
  36. Fath M., Freisem S., Menovsky. A. A, Tomioka Y., Prys. Rev. Lett. 1998, v.80, p.4012
  37. Ibarra M.R., De Tereza J.M., J. Magn. Magn. Mater 1998a, p.177−181, 846
  38. De Teresa J.M., Ibarra M.R., Garcia J., Blasco J., et. al., Phys. Rev. Lett. 1996, v.76, p.3392
  39. De Teresa J.M., Ritter C., Ibarra M.R., Algarabel P.A., Phys. Rev. 1997a, B56, R3317
  40. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Huang Q., et. al., Phys. Rev. Lett.1996, v.76, p.4046
  41. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Santoro A., et. al., J. Appl. Phys.1997, v.81, p.5488
  42. Lanzara A., Saini N.L., Brunelli M., Natali F., et. al., Phys. Rev. Lett. 1998, v.81, p.878
  43. Allodi G., De Renzi R., Guidi G., Licci F., et. al., Phys.Rev. 1997, B56, R6036
  44. Heffner R.H., Sonier J.E., MacLaughlin D.E., Nieuwenhuys G.J., et. al., Cond-mat/9 919 964 1999
  45. Yunoki S" Ни J., Malvezzi А., Могео A., et. al, Phys. Rev. Lett. 1998a, v.80, p.845
  46. Zhao G.M., Phys. Rev. В 2000, v.62, p. 11,883
  47. Goodenough J., Phys. Rev. 1955, v. 100, p.564
  48. Millis A., Shraiman B.I., Littlewood P.B., Phys. Rev. Lett. 1995, v.74, p.5144
  49. Vlasenko L.S., Martynov Yu.V., Gregorkiewicz Т., Ammerlaan C.AJ. Electron paramagnetic resonance versus spin-dependent recombination: Excited triplet states of structural defects in irradiated silicon, Phys. Rev. B. 1995, V.52, N.2, P. l 144−1151.
  50. Kugel., Khomskii D.I., Sov. Phys.-JETP 1974, v.37, p.725
  51. Murakami Y., Kawada H., Kawata H., Tanaka M., et. al., Phys. Rev. Lett. 1998a, v.80, p. 1932
  52. HottaT., Yunoki S., Mayr M., Dagotto E., Phys. Rev. 1999, B12, R15,009
  53. Koshibae W., Kawamura Y., Ishihara S., Okamoto S., et. al., J. Phys. Soc. Japan 1997, V.66, p.957
  54. Mizokawa T., Fujimori A., Phys. Rev. 1995, B51 R12,880
  55. Mizokawa T., Fujimori A., Phys. Rev. 1996, B54 p.5368
  56. Hotta T., Malvexxi A., Dagotto E., Phys. Rev. B 2000b, v.62, p.9432
  57. Kagan M.Y., Khomskii D.I., Kugel K.I., Preprint cond-mat/1 245 2000
  58. Stankieevich J., Sese J., Garcia J., Blasco J., Rillo C. Magnetic behavior of Pri. xCaxMn03 in the electric field driven insulator-metal transition, Phys. Rev. B 2000, v.61, n. l7,p.l 1236−11 239
  59. Yuzhelevski Y., Markovich V., Dikovsky V., Rozenberg E., Gorodetsky G., Jung G. Current induced metastable resistive states with memory in low-doped manganites, Phys. Rev. B 2001, v.64,n.22, p.224 428−1-10
  60. Mercone S., Wahl A., Simon Ch., Martin C. Nonlinear electrical response in a non-charge-ordered manganite: Pr0.8Ca0.2MnO3, Phys. Rev. B 2002, v.65, n.21,p.214 428−1-5
  61. Raquet B., Anane A., Wirth S., Xiong P., and von Molnar S. Noise probe of the dynamic phase separation in La2/3Cai/3Mn03, Phys. Rev. Lett. 2000, v.84, n.19, p.4485−4488
  62. Park S.H., Jeong Y.-H., Lee K.-B. Specific heat and resistivity of a doubleexchange ferromagnet LaojCaojMnOs, Phys. Rev. B 1997, v.56, n. l, p.67−70
  63. Н.В., Патрин Г. С., Великанов Д. А. Широкофункциональный СВЧ генератор на основе диода Ганна для магниторезонансной спектроскопии, ПТЭ. 2002, В.2, с.90−93
  64. Н.В., Патрин Г. С. Твердотельный сверхвысокочастотный генератор с системой автоматической подстройки частоты, ПТЭ. 1990,1. B.5, с 118— 119
  65. В.Л., Савченко М. А., Экономов Н. А. Нелинейное самовоздействие звуковых волн в антиферромагнетике с анизотропией типа «легкая плоскость», Письма в ЖЭТФ. 1978, Т.28, В.2, с.93−97
  66. Г. А., Патрин Г. С., Соснин В. М. Магнитоперестраиваемый твердотельный СВЧ-генератор. А.С. 1 254 981 СССР, Б.И. 1988. № 29.1. C.228, МКИ5 Н 03 В 7/14
  67. В.И. Тугарин, А. И. Панкрац, И. Я. Макиевский. Автоматизированный спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем, Приборы и техника эксперимента. 2004, № 4, с. 56−61
  68. Ю.Е., Бородин Б. Г. Бесконтактное измерение подвижности носителей заряда в полупроводниках, ПТЭ. 1984, В.1, с. 189−191
  69. Р Уайт. Квантовая теория магнетизма, Москва «Мир» 1985, с. 113−124
  70. А.К., Матвеев В. М., Мухин А. А., Попов А. И. Редкоземельные ионы в магнитоупорядоченных кристаллах. М.: Наука 1985, с.296
  71. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Статистическая физика. М.: Физматлит 2001, Т. 5, с. 616
  72. Teale R., Temple D. Photomagnetic anneal, a new magneto-optic effect in Si-doped yttrium garnet, Phys. Rev. Lett. 1967, v. 19, n.16, p.904−905
  73. Teale R., Weatherley D. Photoinduced change in the magnetic anisotropy of silicon doped yttrium iron garnet, J. Phys. C: Solid State Phys. 1973, v.6, n.4, p.750−754
  74. Huber D.L., Alejandro G., Caneiro A., Causa M.T., Prado F., Tovar M., Oseroff S.B. EPR linewidths in Lai. xCaxMn03: 0 < 1, Phys. Rev. B. 1999, v.60, n.17, p.12 155−12 161
  75. Shengelaya A., Zhao G., Keller H., Muller K.A., Kochelaev B.I. EPR in Laix CaxMn03: Relaxation and bottleneck, Phys. Rev. B. 2000, v.61, n.9, p.5888−5890
  76. Rivadulla F., Lopez-Quintela M.A., Hueso L.E., Rivas J., Causa M.T., Ramos C., Sanchez R.D., Tovar M. Electron-spin-resonance line broadening around the magnetic phase transition in manganites, Phys. Rev. B. 1999, v.60, n.17, p. l 1922−11 925
  77. Volkov N.V., Petrakovskii G.A., Vasiliev Y.N., Velikanov D.A., Sablina K.A., Patrin K.G. Observation of mixed two-phase state in Euo.7PbojMn03 single crystal by magnetic resonance method, Physica B. 2002, 324/1−4, p.254−260
  78. Volkov N. V, Petrakovskii G.A., Sablina K.A., Vasiliev V.N., Patrin K.G. Magnetic resonance probe of the phase separation in Eu0.7Pbo.3Mn03 single crystal, JMMM. 2003, V.258−259C, p.302−305
  79. Rivadulla F., Hueso L.E., Lopez-Quintela M.A., Rivas J., Causa M.T. Comment on «Paramagnetic anomalies above the Curie temperature and colossal magnetoresistance in optimally doped manganites», Phys. Rev. B. 2001, v.64, n.10, p. 106 401−106 404
  80. Peter M., Shaltiel B., Wenick J.H., Williams H.J., Mock J.B., Sherwood R. Paramagnetic Resonance of State Ions in Metals, Phys. Rev. 1962, v. 126, n.4, p. 1395−1402
  81. Jaime M., Lin P., Chun S.H., Salamon M.B., Dorsey P., Rubinstein M. Coexistence of localized and itinerant carriers near Tc in calcium-doped manganites, Phys. Rev. B. 1999, v.60, No.2, p. 1028−1032
  82. Shengelaya A., Zhao G., Keller H., Muller K.A., Kochelaev B.I. EPR in LaNx. CaxMn03: Relaxation and bottleneck, Phys. Rev. B. 2000, v.61, n.9, p.5888−5890
  83. Geschwind S., Clogston A. Narrowing Effect of Dipole Forces on Inhomogeneously Broadened Lines, Phys. Rev. 1957, v. 108, n. l, p.49−53
  84. Г. А., Волков H.B., Васильев B.H., Саблина К. А. Спектр магнитного резонанса двухфазного состояния в монокристаллах манганита лантана ЬаолРЬо.зМпОз, Письма в ЖЭТФ. 2000, т.71, В.4, с.210−214
  85. Salamon М., Jaime М. The physics of manganites: Structure and transport Reviews of Modern Physics. 2001. v.73, No.3, p.583−628
  86. Raquet В., Anane A., Wirth S., Xiong P., and von Molnar S. Noise probe of the dynamic phase separation in Ьа2/зСа/зМпОз, Phys. Rev. Lett. 2000, v.84, n. l9, p.4485−4488
  87. Volkov N. V, Petrakovski G.A., Sablina K.A. Probing the phase separation in the doped manganites by the magnetic resonance methods. Book of abstracts. E-MRS 2003 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2003, p. 148- Acta Physica Polonica A. 2004
  88. A. Maigman, C. Martin, G. Van Tendeloo, M. Hervieu, B. Raveau, Phys. Rev. 1999, В 60, R15622
  89. E. Dagotto, J. Burgy, A. Moreo, Solid State Com. 2003, v. 126, p.9
  90. H. Y. Hwang, S. W. Cheong, P. G. Radaelli, B. Batlogg, Phys. Rev. 1995, v.75, p.914
  91. G.-L. Liu, J.-S. Zhou, and J. B. Goodenough, Phys. Rev 2004. В 70,224 421
Заполнить форму текущей работой