Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Устойчивость твердых растворов на основе соединений AIIIBV

Диссертация: Устойчивость твердых растворов на основе соединений AIIIBV
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Методами рентгенофазового анализа, рентгеноспектрального микроанализа и сканирующей электронной микроскопии установлено, что кратковременное воздействие на кристаллы ЬтАв, 1пР, ваАэ, Аб^Ь^х, 1пАзх8Ь1. х слабого импульсного магнитного поля инициирует долговременный процесс перераспределения компонентов, который приводит к выделению избыточного металлического компонента и более полному разделению… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. Твердые растворы в системах на основе соединений АШВ у
      • 1. 1. Бинарные системы Аш-Ву
      • 1. 2. Тройные системы на основе АШВУ
      • 1. 3. Многокомпонентные системы на основе АШВУ
    • 2. Проблема устойчивости твердых растворов в системах на основе АШВУ
    • 3. Влияние магнитного поля на свойства твердофазных материалов
      • 3. 1. Эффекты воздействия магнитного поля
      • 3. 2. Возможные механизмы воздействия магнитного поля на свойства материалов
  • ГЛАВА II. УСТОЙЧИВОСТЬ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В КВАЗИБИНАРНЫХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ АШВУ
    • 1. Методика термодинамического анализа устойчивости твердых растворов
    • 2. Определение границ термодинамической устойчивости твердых растворов в квазибинарных системах на основе
    • 3. Экспериментальное исследование характера взаимодействия компонентов в квазибинарных системах ЬпБЬ — 1пР и 1пАз — 1п
      • 3. 1. Метод рентгенофазового анализа
      • 3. 2. Локальный рентгеноспектральный микроанализ
      • 3. 3. Дифференциальный термический анализ
      • 3. 4. Исследование взаимодействия компонентов в системах 1пР — ЪгёЬ и 1п
  • Аб — Ьгё
    • 4. Когерентные сольвус и спинодаль в квазибинарных системах на основе
  • АШВУ
  • ГЛАВА III. УСТОЙЧИВОСТЬ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В КВАЗИТРОЙНЫХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВЕ АШВУ
    • 1. Методика термодинамической оценки устойчивости в квазитройных системах 1пР — ТпАб- ТпБЬ и ОаР — ОаАв- ваБ
  • 2. Области разрыва растворимости в системах InAs — InSb — InP и GaAs
  • GaSb-GaP
    • 3. Экспериментальное исследование положения границ области стабильности сплавов в системе InAs — InSb — InP
  • ГЛАВА IV. ВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В КВАЗИБИНАРНЫХ СИСТЕМАХ НА 1Л,
  • ОСНОВЕ AinBv
    • 1. Эффекты воздействия слабого импульсного магнитного поля на кристаллы
    • I. nAs
    • 2. Структурные превращения в системе Sb — As в результате воздействия импульсного магнитного поля
    • 3. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру сплавов в системах InAs — InP и InSb — InAs
    • 4. Эффекты влияния импульсного магнитного поля на соединения АШВУ
  • ВЫВОДЫ

Устойчивость твердых растворов на основе соединений AIIIBV (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений АШВУ широко применяются для изготовления оптоэлек-тронных приборов (лазеров, светодиодов, фотодиодов, оптических фильтров), датчиков Холла, магнетометров, детекторов, термоэлектрических и других приборов. Четверные твердые растворы, изопериодные с подложками 1пАб и ОаЭЬ, имеют важное преимущество перед тройными растворами, поскольку позволяют изменять ширину запрещенной зоны материала при сохранении периода решетки. Однако для ряда систем характерно наличие областей неустойчивости твердых растворов. Экспериментально потеря термодинамической стабильности в многокомпонентных твердых растворах проявляется как деградация свойств материалов и устройств, изготовленных на их основе.

Информация о координатах областей разрыва растворимости компонентов в твердой фазе является чрезвычайно важной, поскольку несмешиваемость и нестабильность могут оказаться серьезными препятствиями при оптимизации технологических режимов получения полупроводников с заданными свойствами. Однако до настоящего времени вопрос о координатах температурно — концентрационных областей растворимости и стабильности остается открытым, поскольку в литературе имеет место значительный разброс значений критических температур и концентраций для ряда квазибинарных систем, полученных в результате использования различных моделей. Помимо установления границ термодинамической стабильности сплавов представляется интересным исследование влияния импульсного магнитного поля на устойчивость твердых растворов на основе соединений АШВУ в связи с тем, что в литературе имеется ряд сообщений о способности слабых магнитных полей вызывать значительные структурные изменения в кристаллах.

В последние годы проявляется особый интерес к вопросам устойчивости многокомпонентных твердых растворов ввиду возможности формирования при спинодальном распаде периодических упорядоченных структур. Такие периодические структуры образуют естественные наногетероструктуры, которые создают основу для технологии оптои наноэлектроники нового поколения.

Поэтому вопрос анализа устойчивости твердых растворов на основе соединений АШВУ остается актуальным.

Целью настоящей работы является анализ устойчивости твердых растворов в квазидвойных и квазитройных системах на основе соединений АШВУ.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Расчет термодинамических функций смешения и определение на этой основе температурно — концентрационных областей возможного распада в квазибинарных и квазитройных системах на основе соединений 1п (Оа)Ву.

2. Экспериментальное исследование твердофазной растворимости в системах ЬъАб — 1п8Ь, 1пБЬ — 1пР, 1пАз — 1п8Ь — 1пР.

3. Построение когерентного сольвуса и спинодали в системах 1пВУ-СаВу, 1пАб — ЪгёЬ.

4. Исследование воздействия слабых импульсных магнитных полей на устойчивость соединений 1п (Са)Ву и твердых растворов 1пВухСУ1.х.

Научная новизна.

В работе с использованием тепловых и упругих параметров соединений 1п (Оа)ВУ рассчитаны термодинамические функции смешения для квазибинарных твердых растворов Ьхва^ ВУ, 1п (Оа)ВУхСУ1.х (где ВУ и СУ — Р, 8Ь, Аб) и квазитройных систем 1пАб — 1п8Ь — 1пР и ваАэ — Оа8Ь — ваР, определены температурно — концентрационные границы существования стабильных твердых растворов. Установлено, что определяющий вклад в отклонение от идеальности вносит энтальпия деформации, обусловленная упругими напряжениями решетки.

На основании термодинамического анализа и экспериментального исследования установлено, что область расслоения в квазитройной системе 1п-Ав — 1п8Ь — 1пР значительно шире области разрыва растворимости, определяемой эвтектическим характером равновесия в системе 1пР — 1п8Ь. Это связано с наличием тенденции к распаду в системе 1пАэ — 1п8Ь.

Обнаружено возникновение инициированной кратковременным (секунды) воздействием импульсного магнитного поля диффузионной неустойчивости кристаллов соединений 1п (Са)Ву и сплавов в системах 8Ь — Аб, 1пАб — 1п8Ь, 1пАб — 1пР, следствием которой являются долговременные (сотни часов) процессы перераспределения компонентов. Это приводит к выделению избыточного количества металлического компонента, а также способствует более полному пространственному разделению фаз гетерогенных образцов.

Практическая значимость результатов исследования.

Установленные в настоящей работе значения критических температур существования стабильных твердых растворов на основе соединений, а также координаты возможных областей спинодального распада для пленок ряда квазидвойных систем (1пхСа1.х Р и 1пхСа1х Аэ и 1п8Ь1хАзх) могут быть использованы для разработки режимов синтеза массивных образцов, тонких пленок твердых растворов в этих системах, а также модулированных структур.

Достоверность научных положений и результатов исследования.

Достоверность результатов обеспечивается применением современных физико-химических методов исследования, взаимной корреляцией результатов, согласованием теоретических результатов с экспериментальными, в том числе и других авторов.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Доминирующий вклад энтальпии деформации, обусловленной упругими напряжениями решетки, в величину свободной энергии Гиббса смешения, определяет склонность к распаду твердых растворов в системах 1пВу.

GaBv, InAs — InSb, InAs — InSb — InP и GaAs — GaSb — GaP при субсолидусных температурах.

2. Упругая энергия когерентного сопряжения стабилизирует твердые растворы, однако, в пленочном состоянии InAsxSbi. x, InxGaixAs и InxGaixP остаются неустойчивыми относительно когерентного разделения фаз при температурах ниже 515, 655 и 623 К, соответственно.

3. Кратковременное (секунды) воздействие слабого импульсного магнитного поля инициирует долговременный (сотни часов) процесс перераспределения компонентов в соединениях In (Ga)Bv и твердых растворах на их основе, что приводит к выделению избыточного металлического компонента, а также, в случае гетерогенных образцов, к более полному разделению фаз.

Публикации и апробация работы.

По результатам исследований опубликовано 18 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации, в том числе 9 статей, из них 2 опубликованы в изданиях рекомендованных перечнем ВАК. Материалы диссертации доложены на 9 конференциях разного уровня.

Структура и объем работы.

Диссертация изложена на 151 печатной странице текста, состоит из четырех глав, заключительных выводов, списка цитируемой литературы из 218 библиографических источников. Диссертация содержит 59 рисунков и 14 таблиц.

выводы.

1. На основании расчета термодинамических функций смешения в квазидвойных системах на основе соединений 1п (Оа)Ву с использованием в качестве входных параметров тепловых и упругих характеристик, выявлен доминирующий вклад энтальпии деформации, обусловленной упругими напряжениями решетки, в положительную величину энтальпии смешения. Установлено, что твердые растворы 1п (Оа)АзхР1.х стабильны вплоть до комнатных температур, а в системах ¡-пБЬ — 1пР, Оа8Ь — ОаР, ва8Ь — ваАэ реализуются ограниченные твердые растворы. Экспериментально методами дифференциально — термического и рентгенофазового анализа показано, что для системы 1п8Ь — 1пР характерна диаграмма с вырожденной эвтектической точкой.

2. Системы с катионным замещением 1пВУ — ОаВУ и система 1пАб — 1п8Ь характеризуются специфической формой поверхности свободной энергии Гиббса смешения, указывающей на склонность к распаду при температурах ниже солидуса. Методами рентгенофазового анализа и локального рентге-носпектрального микроанализа подтверждено, что однородные твердые растворы в системе ЬтАб — 1п8Ь существуют при 300 К только при содержании арсенида индия более 93 мол. % и менее 6 мол. %.

3. На основании расчета Ом-х-у поверхностей при различных температурах для квазитройных систем 1пАб — 1п8Ь — 1пР и ваАэ — ва8Ь — ваР и построения поверхности растворимости показано, что при комнатной температуре четверные твердые растворы являются термодинамически нестабильными, а при температурах близких к солидусу устойчивы твердые растворы, содержащие более 45 мол.% арсенида индия и более 93 мол.% арсенида галлия, соответственно. Расчет для системы ЬтАб — 1п8Ь — 1пР подтвержден данными рентгенофазового анализа и рентгеноспектрального микроанализа ряда сплавов политермических сечений 1пАз0−8оРо, 2о — 1п8Ь 1пА50,98Ро, 02 — 1п8Ь и.

1пА80,5РО, 5- 1п8ЬО, 5А8О, 5.

4. Учет упругой энергии когерентного сопряжения фаз показал, что твердые растворы 1пАзх8Ь1х, 1пхСа1ч 8Ь, 1пхСа1хР, 1пхОа1хАз остаются устойчивыми относительно когерентного разделения вплоть до комнатных температур. Твердые растворы в системах ЬтАэ — 1п8Ь, 1пАз — ваАз и 1пР — СаР в пленках проявляют склонность к спинодальному распаду при температурах ниже 515, 655 и 623 К соответственно.

5. Методами рентгенофазового анализа, рентгеноспектрального микроанализа и сканирующей электронной микроскопии установлено, что кратковременное воздействие на кристаллы ЬтАв, 1пР, ваАэ, Аб^Ь^х, 1пАзх8Ь1. х слабого импульсного магнитного поля инициирует долговременный процесс перераспределения компонентов, который приводит к выделению избыточного металлического компонента и более полному разделению фаз гетерогенных сплавов. Возможным механизмом воздействия импульсного магнитного поля на кристаллы твердых растворов является распад комплексов точечных дефектов с образованием подвижных одиночных вакансий летучего компонента, что сопровождается временной диффузионной неустойчивостью кристаллов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. / H.A. Горюнова. — М.: Советское радио, 1968. — 226 с.
  2. JI.C., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973. — 296 с.
  3. М. Структуры двойных сплавов. / М. Хансен, К. Андерко. -М.: Металлургия, 1962 608 с.
  4. В.П. Термодинамические свойства соединений А111 Bv / В. П. Васильев, Ж. К. Гашон // Неорганические материалы. — 2006. — Т. 42, № 11.- С. 1293−1303.
  5. Физико — химические свойства полупроводниковых веществ / Справочник под редакцией Новоселовой A.B., Лазарева В. Б. М.: Наука, 1979.-684 с.
  6. В.П. О соотношении Борна для кристаллических решеток типа алмаза и сфалерита / В. П. Михальченко // Физика твердого тела. 2003. — Т. 45. — С. 429 — 433.
  7. Собственные точечные дефекты и микродефекты в монокристаллах антимонида галлия / Т. В. Абаева и др. // Кристаллография. 1986. — Т. 31, вып. З.-С. 615−617.
  8. В. Т. Природа собственных точечных дефектов в монокристаллах InSb / В. Т. Бублик // Изв. АН СССР. Неорган. Материлы. 1987. — Т. 23, № 2. — С. 195 — 197.
  9. Л.С., Сорокин В. К., Основы пленочного полупроводникового материаловедения / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин. -М.: Энергия, 1973.-296 с.
  10. Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. М.: Мир, 1969.-654 с.
  11. Природа собственных точечных структурных дефектов в арсениде индия и их влияние на электрофизические свойства монокристаллов //
  12. В. Т. и др. // Кристаллография. 1977. — Т. 22, № 6. — С. 1240 -1246.
  13. Природа точечных дефектов в монокристаллах GaAs в зависимости от состава расплава при выращивании / Бублик В. Т. и др. // Кристаллография. 1973. — Т. 18, вып. 2. — С. 353 — 356.
  14. С. М. N. Photoluminescence study of defects in nonstoichiometric GaAs using concurrent electrical and structural characterization / С. M. N. Driccoll, A.F.W. Willoughby, E.W. Willams // J. Materials Sci. 1974. -V. 9. — P. 1615.
  15. Природа и концентрация собственных точечных дефектов в нелегированных монокристаллах InP. I. Влияние состава расплава / Морозов А. Н. и др. // Кристаллография. 1983. — Т. 28, № 4. — С. 776 -781.
  16. Собственные точечные дефекты в монокристаллах фосфида галлия / Морозов А. Н. и др. // Кристаллография. 1986. — Т. 31, вып. 5. С. 986 -993.
  17. Determination of the solidus and gallium and phosphorus vacancy concentrations in GaP / Jordan A.S. et all. // J. Electrochem. Soc. 1974. — V. — 121, № 1.-P. 153- 158.
  18. Jl.И. Полупроводниковые фосфиды АШВУ и твердые растворы на их основе / Л. И. Марина, А. Я. Нашельский, Л. И. Колесник. -М.: Металлургия, 1974.-230 с.
  19. Kaufmann U. In: Advances in electronics and electron physics. V. 56 / U. Kaufmann, I. Schneider. New York: Plenum Press, 1982. — 81 p.
  20. Submillimetre EPR evidence for the As antisite defect in GaAs / R.J. Wagner et al. // Solid. State. Comm. 1980. — V. 36, № 1. — P. 15 — 17.
  21. Р.И. К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия / Р. И. Глориозова // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18. № 8. — С. 1450 — 1454.
  22. Капа ah A. Antisite centres in e — irradiated InP: Zn / А. Капа — ah // J. Phys. C.: Solid. State. Phys. — 1985. — V. 18, № 20.-P. L619-L623.
  23. В.Б. Внутреннее трение в монокристаллах GaAs / В. Б. Освенский, Л. П. Холодный, М. Г. Мильвидский // Изв. АН. СССР. Неорган, материалы. 1972. — Т. 8, — С. 802 — 807.
  24. Исследование точечных дефектов решетки в соединениях АШВУ методом внутреннего трения / В. Д. Вернер и др. // Физика твердого тела. -1977.-Т. 19, № 11.- С. 3304−3307.
  25. Г. В. Отклонение от стехиометрии в полупроводниковых соединениях InP, InAs, InSb / Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова, Е. Г. Гончаров // Журнал неорганической химии. 1994. — Т. 39, № 10. — С. 1612−1615.
  26. Расчет области гомогенности арсенида индия / В. Т. Бублик и др. // Кристаллография. 1981. — Т. 26, № 3. — С. 554 — 560.
  27. Т.В. Структурный тип преобладающих собственных точечных дефектов и область гомогенности InSb / T.B. Абаева, В. Т Бублик, А. Н. Морозов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988.- Т. 24, № 1.-С. 15−18.
  28. А.Н. Природа и концентрация собственных точечных дефектов в нелегированных монокристаллах InP. II. Область гомогенности фосфида индия / А. Н. Морозов, В. Т. Бублик, Т. П. Григорьева // Кристаллография-1984. -Т.29, № 4. С. 757−763.
  29. В.Т. Природа собственных точечных структурных дефектов в арсениде индия и их влияние на электрофизические свойства монокристаллов / В. Т. Бублик, А.Н. Блаут-Блачев, В. В. Каратаев В.В. // Кристаллография. 1977. — Т. 22, № 6. — С. 1240−1246.т г
  30. С.С. Соединения, А В . Справочник./ С. С. Стрельченко, В. В. Лебедев. М.: Металлургия, 1984. -144 с.
  31. В.Б. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводников / В. Б. Уфимцев, A.A. Лобанов. — М.: Металлургия, 1981. -264 с.
  32. В.Б., Шумилин В. П., Крестовликов А. Н. и др. ДАН СССР. 1970. Т. 193. № 3. с. 602−604.о с
  33. Panish M.B. Thermodynamic description of liquidus line in the, А В / M.B. Panish//J. Chem. Termod. 1970. V. 2. P. 319−322.
  34. Foster L.M., Scardefield J.E. J. Elektrochem. Soc. 1970. V. 117. № 4. P. 534−536.
  35. Kajiyama Kenji. Calculation of the liquidus line in the system InAs -GaAs / Kenji Kajiyama // Japan J. Appl. Phys. 1971. V. 10. P. 561−563.г
  36. H.A. К вопросу об изоморфизме соединений типа, А В / H.A. Горюнова, H.H. Федорова // ЖТФ. 1955. -Т.25, вып. 7. — С.1339−1341.
  37. Stringfellow G.B. Liquid phase epitaxial growth of InAsxSbix./ G.B. Stringfellow, P.E. Greene // J. Electrochem. Soc. 1971. — V. l 18. № 5. — P.805−811.
  38. Folberth O.G. Mischkristallenbildung InAs InP Verbindunggen. / O.G. Folberth // Ztschr. Naturforsch. — 1955. — В. 10, a. -p. 502−505.
  39. И.В. Диаграмма состояния системы InAs InP / И. В. Боднарь, Э. Е Матяс // Ж. неорган, химии. — 1977. — Т.22, № 3. — С.796−799.
  40. Muller E.K. Miscibility of III-V Semiconductors Studied by Flash Evaporation / E.K. Muller, J.L. Richards // J. Appl. Phys. 1964. — V. 35. — P. 1233−1236.
  41. О диаграмме состояния InAs-InP / Я. А. Угай и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1968. — Т. 4, № 3. — С. 348 — 351.
  42. Van Hook H.J. Phase diagram and local correlations in pseudobinary alloys / H.J. Van Hook, E.S. Lenker // Trans. Metallurg. Soc. AIME, 1963. v. 227. № 1, p. 220−222.
  43. Woolley J. C. Solid Solution in the GaSb-InSb System / J. C. Woolley, B.A. Smith // Proc. Phys. Soc. 1958 — V. 72, Pt. 2, № 464 — P. 214 — 223.
  44. Phase equilibrium in InAs-GaAs Alloys / E. F. Hockings et.al. // J. Applied Physics. 1966. — V. 37, № 7. — P. 2879 — 2887.
  45. Stringfellow G.B. Calculation of Ternary Phase Diagrams of III-V Systems / G.B. Stringfellow //The J. of Physics and Chemistry of Solids. 1972. — V. 33, № 3. — P. 665−677.
  46. Richman O. Mutual solid solubility of the phosphides, arsenides, and antimonides of gallium and indium / O. Richman // The J. of Physics and Chemistry of Solids.-1963.-V. 24., № 4.-P. 1131- 1139.
  47. Woolley J. C. Semiconductor alloys of III-V Systems / J. C. Woolley, D. G. Less // J. of the Less Common metals — 1959. — V. 1, № 3 — P. 665 — 667.
  48. Lichter B.D. Crystallographic and thermodynamic data of binary alloys- / B.D. Lichter, P. Sommelet // Transactions of the Metallurgical Society of AIME 1969 — V. 245, № 1 — P. 99 — 105.
  49. Inoue J., Osamura K., Murakami Y. Saiyokwai — Shi K. 1970, V. 17(2), p. 71 -74.
  50. Shin C.H. Indium-arsenic-antimony alloys / C.H. Shin, E.A. Peretti // Trans. Amer. Soc. Metals. 1956. — V.48. № 2. — P.706−711.
  51. Shin C.H. The constitution of indium-arsenic-antimony alloys / C.H. Shin, E.A. Peretti //Trans. ASM.- 1956. V.48. — P.706−725.
  52. Wooley J.C. Phase diagram and growth by liquid phase of InxAsi. xSb / J.C. Wooley, C.M. Gilltt, J.A.Evans // J. Phis. Chem. Solids. 1960. — V.16. -P.138−143.
  53. Ohtani H. Thermodinamic studi of phase equilibria in strained III V alloy semiconductors / H. Ohtani, K. Kobayashi, K. Ishida // Journal of Phase equilibria. — 2001. -V. 22, № 3. — P. 276 — 286.
  54. Van der Boomgaard J. The P-T-x phase diagramms of the systems In As, Ga — As and In — P / J. Van der Boomgaard, K. Schol. // Phil. Res. Rep. — 1957. -V.12, № 2. — P. 127−140.
  55. Ishida K. et al. // Journal of the Less-Common Metals. 1988. — V. 142.-P. 135- 140.
  56. M.F. Gratton A Thermodynamic Assessment of the Ga-As-Sb System / M.F. Gratton, J.C. Wooley // J. Electron. Soc. 1980. — V. 127. — P. 55 — 59.
  57. Miksovsky M. Thermodynamic study of phase equilibria in strained III-V alloy semiconductors / M. Miksovsky and B.M. Kulwicki // J. Electrochem. Soc. 1965, — V. 112.-P. 149C-153C.
  58. Miscibility gaps in the Gap-InP, GaP-GaSb, InP-InSb and InAs-InSb systems / K. Ishida et al. // Journal of the Less-Common Metals. 1989. — V. 155.-P. 193−206.
  59. П.И. Индий / П. И. Фёдоров, Р. Х. Акчурин. М.: Наука, 2000. — 276 с
  60. Panish M.B. Phase eguilibria in ternary III V systems / M.B. Panish, M. Ilegems // Prog. Solid State Chem. — 1972. — V. 7. — P. 39 -83.
  61. Г. В. Твердые растворы в тройных системах с участием элементов пятой группы./ Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. М.: МФТИ, 2000.- 160 с.
  62. Об ограничениях на получение АШВУ твердых растворов / А. Н. Баранов и др. // Ж. неорганической химии. 1990. — Т. 35, № 12. — С. 3008−3012.
  63. Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/GaxIn1.xAsyPI.y/GaInP/GaAs (001) / Э.П.
  64. Домашевская и др. // Физика и техника полупроводников. — 2008. Т.42, № 9.-С. 1086−1093.
  65. Свойства твердых растворов GalnSbAs в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии / В. И. Васильев и др. // Письма в ЖТФ. 1998. -Т. 24, № 6. — С. 58−62.
  66. Изопериодные структуры GalnPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники / М. Айдаралиев и др. // Физика и техника полупроводников. 2002. — Т. 36, № 8. — С. 1010−1015.
  67. GalnAsP/GalnP / AlGalnP -лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Д. А. Винокуров и др. // Физика и техника полупроводников. 2003. — Т. 37, № 12. — С. 14 731 476.
  68. В.Г. Термодинамическая устойчивость эпитаксиальных пленок GalnSb, InAsSb, GalnP / В. Г. Дейбук // Физика и техника полупроводников.-2003.-Т.37,№ 10.-С. 1179−1183.
  69. Э.Р. Фазовые равновесия пятерных систем из AmBv / Э. Р. Рубцов, В. В. Кузнецов, O.A. Лебедев // Неорганические материалы. -1998. Т. 34, № 5. — С. 525−530.
  70. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / H.H. Леденцов и др. // Физика и техника полупроводников. -1998. Т. 32, № 4. — С. 385−398.
  71. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур / Д. Бимберг и др. // Успехи физических наук. 1997. — Т. 167, № 5. — С.552−555.
  72. В.В. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов /В.В. Кузнецов, П. П. Москвин, B.C. Сорокин. -М.: Металлургия. 1991. 175 с.
  73. B.C. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах AinBv / B.C. Сорокин, Э. Р. Рубцов // Неорганические материалы. 1993. — Т. 29, № 1. — С. 28−32.
  74. Э.Р. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов АШВУ / Э. Р. Рубцов, B.C. Сорокин,
  75. B.В. Кузнецов // Ж. физической химии. 1997. — Т. 71, № 3.- С. 415−420.
  76. А.И. Физическая химия нестехиометрических тугоплавких соединений / А. И. Гусев. М.: Наука, 1991. 286 с.
  77. C.B. Скрытые области распада в модели субрегулярных растворов: система ZrC-NbC / C.B. Ремпель, A.A. Ремпель, А. И. Гусев // Ж. физической химии. 2000. — Т.74, № 3. — С. 412−417.
  78. Г. В. Расчет фазовых диаграмм некоторых полупроводниковых систем / Г. В. Никитина, В. Н. Романенко // Изв. АН СССР. Металлургия и горное дело.- 1964. № 6. — С. 156−160.
  79. Т.П. Фазовые равновесия в системе In-Sb-As / Т. П. Громова,
  80. C.Б. Евгеньев, С. Р. Борисов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983 -Т.19, № 3. — С.341−343.
  81. B.C. Теория изоморфной смесимости / B.C. Урусов. М.: Наука, 1977.-251 с.
  82. A.M. Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов нао <основе соединений, А В / A.M. Литвак, H.A. Чарыков // Физика и техника полупроводников. 1990. — V. 24. № 12. — Р. 2106−2110.
  83. М.Б., Илегемс М. Материалы для оптоэлектроники: Сб. статей. М.: Мир. 1976. — С. 39 — 92.86. de Cremoux В. GaAs & Related Compounds / В. de Cremoux // J. Physique. 1982. — V. 43. — P. 5−19.
  84. Stringfellow G.B. Miscibility gaps in quaternary 1II/V alloys / G.B. Stringfellow // J. Cryst. Growth.- 1982. -V. 58. P. 194−201.
  85. Onabe K. Calculation of miscibility gap in quaternary ingapas with strictly regular solution approximation / К Onabe // Japan J. Appl. Phys. 1982. — V.21. -P. L323.
  86. G.B. / G.B. Stringfellow // J. Electronic Materials. 1982. -V. 11, № 5.-P. 903−918.
  87. Stringfellow G.B. Calculation of regular solution interaction parameters in semiconductor solid solutions / G.B. Stringfellow // J. Phys. Chem. V. 34. P. 1749−1750.
  88. Wei S.-H. First-principles calculation of temperature composition phase diagrams of semiconductor alloys / S.-H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zanger // Phys.Rev. B. — 1990. — V.41, № 12. — P. 8240 — 8269.
  89. Ch. Li. Thermodynamic Assessment of the Ga-In-P System / Ch. Li J.-B. Li, Z. Du, W. Zhang A // Journal of Phase Equilibria. 2000. — V. 21, №. 4. -P. 357−363.
  90. M.F. / M.F. Gratton, J.C. Wooley // J. Electron. Mater. 1973. -V. 2.-P. 455−462.
  91. B.B. Термодинамическая устойчивость твердых растворов GaJni-xPyAsi.y / B.B. Кузнецов, П. П. Москвин, B.C. Сорокин // Изв. АН
  92. СССР. Сер. Неорг. материалы. 1985. — Т. 21, № 12. — С. 2006−2010.
  93. Cahn J.W. Trans. Met. Soc. 1967. — V.166.- P. 166−178.
  94. Stringfellow G.B. Organometallic Vapor-phase Epitaxy / G.B. Stringfellow//J. Cryst. Growth.- 1983. -V. 65. P. 454−461.
  95. Ipatova I. P. Spontaneously assembling periodic composition-modulated InGaAsP structures In: Proc XX Int. Conf. Phys. Semicond. Thessaloniki (ed. by E.M. Anastassakis, J.D. Joanopoulos). 1990. V. 2. P. 913.
  96. Ipatova I.P. On spinodal decomposition in elastically anisotropic epitaxial films of III-V semiconductor alloys / I.P. Ipatova, V.G. Malyshrin, V.A. Shchucin // J. Appl. Phys.- 1993. V. 74. — P. 7198 — 7210.
  97. Ilegems M. Progress in Solid State Chemistry / M Ilegems, M.B. Panish // J. Phys. Chem. Sol.- 1974, V. 35-P. 409−412 .
  98. B.B. Когерентная диаграмма состояния тройных систем на основе соединений AinBv / B.B. Кузнецов, В. А. Садовский, B.C. Сорокин // Ж. физической химии. 1985. — Т. 59, № 2. — С. 322−328.
  99. F. Glass Elastic state and thermodinamical properties of inhomogeneous epitaxial layers: Application to immiscible III-V alloys / Glass F.// J. Appl. Phys. 1987. — V. 62. — P. 3201 — 3209.
  100. Эффекты магнитного воздействия на механические свойства и реальную структуру немагнитных кристаллов /А.А. Урусовская и др. // Кристаллография. 2003.- Т. 48, № 5. — С. 855−872.
  101. А.В. Магнитотермическая обработка быстрорежущих сталей как новая возможность улучшения качества инструмента/ А. В. Алексеев // Вестник металлопромышленности. 1937 — № 16−17- С. 185 207.
  102. Herbert E.G. Stabilising Metals by Magnetism / E.G. Herbert. -Novgorod: Metallurgia, 1931. 184 p.
  103. Ю.И. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов // Журнал экспериментальной и технической физики. -1999.-Т. 115, вып. 2.-С. 605−623.
  104. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля. / В. И. Альшиц и др. // Физика твердого тела. 1987. — Т.29, вып.2. — С. 467−471.
  105. Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю. И. Головин. Р. Б. Моргунов // Физика твердого тела. 1995. — Т.37, вып. 5. — С .1352 — 1357.
  106. В.И. Магнитопластический эффект в монокристаллах алюминия / В. И. Альшиц, Е. В. Даринская, Е. А. Петржик // Физика твердого тела. 1992. — Т. 34, вып.1. — С. 155 — 158.
  107. В.И. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и Al в переменном магнитном поле / В. И. Альшиц, Р. Воска, Е. В. Даринская // Физика твердого тела. 1993 —. Т. 35, вып. 1. — С. 70 — 72.
  108. Магнитопластический эффект: релаксация дислокационной структуры в немагнитных кристаллах под действием магнитного поля /
  109. В.И. Алыниц и др. // Изв. РАН: Сер. физика. 1993.- Т. 57, вып. 11. — С. 2−12.
  110. М.И. Отрицательный магнитопластический эффект в немагнитных кристаллах / М. И. Молоцкий // Физика твердого тела. —. 1993.-Т. 35, № 1.-С. 11 -14.
  111. Исследование магнитопластического эффекта в монокристаллах цинка /В.И. Альшиц и др. // Кристаллография. — 1990. — Т. 35. С .1014.
  112. В.И. Магнитопластический эффект в кристаллах Csl и LiF / В. И. Альшиц, Е. В. Даринская, Е. А. Петржик // Физика твердого тела. -1993.-Т. 35. С. 320−323.
  113. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и AI в переменном магнитном поле/ В. И. Альшиц и др. // Физика твердого тела. -1993.-Т. 35.- С. 70−72.
  114. Головин Ю. И Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов // Физика твердого тела: 1993. — Т. 35. — С. 1384 — 1386.
  115. Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 1995.-Т. 61.-С. 583 -586.
  116. Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов //Физика твердого тела. 1995. — Т. 37. — С. 1352 — 1361.
  117. Ю.И. Влияние отжига в постоянном магнитном поле на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов // Физика твердого тела. 1995. — Т. 37. — С. 1239 -1242 .
  118. Я.Б. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике / Я. Б. Зельдович A.A. Бучаченко, Е. Л. Франкевич // Успехи физических наук. 1988. — Т. 155, вып. З — С. 3 -45.
  119. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях /A.A. Бучаченко, Р. З. Сагдеев — Новосибирск: Наука, 1975.— 87 с.
  120. Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация — парамагнитный центр / В. И. Алыпиц и др. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 1996. — Т. 63, вып. 8.-С. 628−633.
  121. М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта / М. И. Молоцкий //Физика твердого тела. 1991. — Т. 33. — С. 3112 -3114.
  122. Galligan J.M. The effect of a magnetic field in metals /J.M Galligan T.N. Lin, C.S. Pang // Phys. Rev. Lett. 1977. — V. 38, № 8. -P. 405−407.
  123. Galligan J.M. The magnetoplastic effect in Al / J.M. Galligan T.N. Lin, C.S. Pang // J. Appl. Phys. 1979. — V. 50, № 10. — P. 6253 — 6256.
  124. В.П. Электронное торможение дислокаций в алюминии в магнитном поле / В. П. Лебедев, B.C. Крыловский // Физика твердого тела. 1985. — Т. 27, № 5. — С. 1285−1290.
  125. В.Я. О влиянии магнитного поля на электронное торможение дислокаций / В. Я. Кравченко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. — 1970. — Т. 12, № 11. С. 551 554.
  126. В.Д. Торможение дислокаций электронами в металлах в сильных магнитных полях / В. Д. Нацик, Л. Г. Потелина // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 1974. Т. 67, № 1(7). -С. 240−249.
  127. В.И. Изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления / В. И. Алыпиц, Е. В. Даринская, Е. А. Петржик // Физика твердого тела. 1991. — Т. 33, № 10. — С. 3001−3010.
  128. Vives Ch. Heat and Mass Transfer / Ch. Vives, Ch. Perr // Int Commun Heat Transfer. 1986. — V. 13, № 3. — P.253−260.
  129. B.C. О гомогенном зародышеобразовании металлов в магнитостатическом поле / Шкляр B.C., Александров В. Д. // Журнал физической химии. 1988. — Т. 62, вып. 67. — С. 1921 — 1922.
  130. Ю.И. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов // Журнал экспериментальной и технической физики. 1993. — Т. 58, вып. 3. -С.189 — 192.
  131. Долгоживущие состояния дефектов в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсным магнитным полем / Ю. И. Головин и др. // Физика твердого тела.- 1996 г.- Т. 38, № 10.- С.3047−3050.
  132. Н.В. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей на движение дислокаций в хлористом натрии / Н. В. Загоруйко // Кристаллография. 1965. — Т. 10, вып. 1. — С.81 — 86.
  133. М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz Si / М. Н. Левин, Б. А. Зон // Журнал экспериментальной и технической физики. — 1997. — Т. 111, вып. 4. — С. 1373 — 1397.
  134. Р.Б. Спиновая микромеханика в физике пластичности / Р. Б. Моргунов // Успехи физических наук. 2004. Т. 174. № 2. С. 1312−153.
  135. С.Н. Направленное упорядочение дефектов твердых тел под воздействием электронов проводимости в магнитных полях / С. Н. Постников, В. П. Сидоров // Прикладные проблемы прочности и пластичности. 1979.-Вып. 10. — С. 155 — 160.
  136. С.Н. Энергетические явления при трении и резании / С. Н. Постников. — Горький: Вологотско-Вятское кн. изд-во, 1975—144с.
  137. С.Н. Состояние и перспективы магнитной обработки материалов / С. Н. Постников // Магнитная обработка режущего инструмента и перспективы дальнейшего развития этого метода: сб. научн. Тр. / ВДНХ СССР. Москва, 1978. — С. 7 — 10.
  138. Перестройка дефектных комплексов в кристаллических твердых телах под действием магнитных полей допороговых энергий / С.Н.
  139. Постников и др. // Прикладные проблемы прочности и пластичности: статика и динамика деформируемых сред 1980. — Вып. 15. — С. 138- 143.
  140. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел / Г. И. Дистлер и др. // Докл. ак. наук СССР: сер физика.- 1983. Т. 268, вып. 3. — С. 591 — 594.
  141. С.Н. О влиянии внешнего магнитного поля на дислокационные образования в твердых телах / С. Н. Постников, В. П. Сидоров // Прикладные проблемы прочности и пластичности: статика и динамика деформируемых систем. — 1980. Вып. 14. — С. 165 — 168.
  142. Н.Р. Субсолидусные превращения твердых растворов породообразующих минералов./Хисина Н.Р. -М.: Наука, 1987, 207 с.
  143. Удовский A. J1. Расчет концентрационных зависимостей избыточной энтропии и энтальпии смешения системы U-Mo при 1100 К / A. J1. Удовский, Ю. В. Вамберский, О. С. Иванов II Докл. АН ССР.- 1973.- Т.209.-С.1377- 1379.
  144. А.Л. Расчет кривых ограниченной растворимости и избыточной свободной энергии твердых растворов серебро- медь / А. Л. Удовский, О. С. Иванов // Журн. физич. химии.- 1977.- Т.51, № 4.- С.796−800.
  145. Слезов.В. В. Диффузионный распад твердых растворов / Слезов В. В, Сагалович В. В. // Успехи физич. наук. 1987. — Т. 151, вып.1. — С. 67−103.
  146. П.И. Полупроводниковая электроника. Справочник./ П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. — Киев: Наукова думка, 1975. — 704 с.
  147. О. Физическая акустика. Динамика решетки / О. Андерсон- под ред. У. Мэзона М.: Мир, 1968. — Т. З, ч.Б. — 391 с.
  148. К.А. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / К. А. Джексон, В. Шретер- пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. Воронеж: Водолей, 2004. — 376 с.
  149. Спонтанно формирующиеся периодические-структуры смодулированным составом / H.A. Берт и др. // Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33, № 5. — С. 544−548.
  150. Г. В. Термодинамические функции смещения и устойчивость твердых растворов в тройных системах на основе А3В5 // Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова, О. Н. Шумская // Журнал физич. химии. 2004. -Т.78, № 6. — С. 980 — 984.
  151. B.C. О теплотах образования твёрдых растворов в системе PbTe-SnTe и PbTe-PbSe / B.C. Урусов // Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1970. -Т.6,№ 11.-С. 2087−2089.
  152. Дж. Элементы / Дж. Эмсли. -М.: Мир, 1993. 256 с.
  153. A.JI. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии / A.JI. Ройтбурд // Успехи физических наук. 1974. — Т. 113, В. 1. — С. 69−104.
  154. ASTM Diffraction Data Cart File. Ref. Swanton and Fuyat. NBS circular 539.: Philadelpia. 1973. V.2. — P.25.
  155. .Ф. Введение в физическую химию / Б. Ф. Ормонт.- М.: Высшая школа, 1968.- 151 с.
  156. В.И. Физические методы исследования тонких пленок и поверхностных слоев / В. И. Кукуев, И. Я. Миттова, Э. П. Домашевская. -Воронеж.: ВГУ, 2001.- 144 с.
  157. Г. В. Фазовая диаграмма тройной системы In-Sb-P // Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова, О. Н. Шумская // Ж. неорган, химии. 2005. — Т. № 4.-С. 710−713.
  158. В.М. Кристаллизация сплавов системы InSb — InAs при сверхвысоких скоростях охлаждения 106 108 К/с) / В. М. Глазов, К. Б.
  159. Поярков // Неорганические материалы. 2000. — Т. 36, № 10. — С. 1181 -1187.
  160. О.Н. Когерентная спинодаль в квазитройных системах на основе соединении АШВУ/ О. Н. Шумская, Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова // IV Всероссийская конференция «Фагран 2008». — 2008, Воронеж. — С. 542 — 544.
  161. О.Н. Роль упругой энергии в процессах распада твердых растворов в системах AmBv CIHDV / О. Н. Шумская, Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова // IV Всероссийская конференция «Фагран — 2008». — 2008, Воронеж. — С. 545 — 547.
  162. I.P., Shchukin V.A., Malyshkin Y .G. // Sol. Stat. Corn./ 1991. -V. 78. P. 19−22.
  163. Van der Merve J.H. / J.H. Van der Merve, W.A. Jesser //J. Appl. Phys. -1988.-V.63.-1509- 1514/
  164. Jain S.H. Germanium Silicon Strained Layers and Heterostructures / S.H. Jain. — Boston: MA, Academic, 1994. — 187 p.
  165. Г. Х., Эттенберг M. Рост кристаллов // Сб. статей. M.: Мир, 1981. Вып. 2. С. 9−76.
  166. R., Dunstan D.J. Goodhew P.J. // Adv. Phys. 1996. V. 45. P. 87.
  167. A.K., Пчеляков О. П., Стенин С. И. О возможностях управления доминирующим типом дислокаций несоответствия при гетероэпитаксии//Кристаллография. 1980. Т. 25. № 4. С. 806−814.
  168. Т.П. Термодинамическая устойчивость тонких пленок твердых растворов GaixInxAs на различных подложках / Т. П. Сушкова, Г. В. Семенова, О. Н. Шумская // IV Всероссийская конференция «Фагран -2008». 2008, Воронеж. — С. 513 — 516.
  169. М.Г. Физико химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров. — М.: Металлургия, 1974. — 392 с.
  170. Fedders P.A. Mixing enthalpy and composition fluctuations in ternary III- V semiconductor alloys/ P. A. Fedders, M.W. Muller 11 J. Phys. Chem. Solids. -1984.-V. 45, № 6. P. 685−688.
  171. Stringfellow G.B. Calculation of III-V ternary phase diagrams: In-Ga-As and In-As-Sb / G.B. Stingfellow, P.E. Green // J. Phys. Chem. Solids. 1969. -V. 30, № 7.-P. 1179−1791.
  172. Jordan A.S. Phase Equilibria of ternary systems/ A.S. Jordan // Metal. Trans. 1971. — V. 2, № 8. P. 1959−1973.
  173. Г. В. Стабильность и термодинамические функции смешения твердых растворов в системе InP -InAs- InSb / Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова, О. Н. Шумская // Конденсированные среды и межфазные границы. 2008. -Т.10. № 2. — С. 149 -155.
  174. О.Н. Твердые растворы в квазитройной системе InP InAs- InSb / О. Н. Шумская, Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова, // III Всероссийская конференция «Фагран 2006». — 2006, Воронеж. — С. 661 — 664.
  175. Henoc P. Composition modulation in liquid phase epitaxial InxGal-xAsyPl-y layers lattice matched to InP substrates / Henoc P. A. Izrael, M. Quillec, H. Launois // Appl. Phys. Lett.- 1982.- 40. P. 963−969.
  176. Glass F. Correlated static atomic displacements and transmission-electron-microscopy contrast in compositionally homogeneous disordered alloys
  177. Glass, M.MJ. Treacy, M. Quillec, H. Launois.// J. Physique 1982.- v. 43.-P. 5−11.
  178. Mahajan S. Spinodal decomposition in InGaAsP epitaxial layers / S. Mahajan, B.V. Dutt, H. Temkin, R.J. Cava, W. A. Bonner. // J. Cryst. Growth.-1984.-v. 68, P. 589 -594.
  179. Ueda O. Atomic Structure of Ordered InGaP Crystals Grown on (OOl)GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition / O. Ueda, S. Isozumi, S. Komiya.// Japan. J. Appl. Phis. 1984. — v. 23.- L241- L248.
  180. Norman G. Transmission electron microscope and transmission electron diffraction observations of alloy clustering in liquid-phase epitaxial (001) GalnAsP layers / G. Norman, R. Booker // J. Appl. Phys. 1985. — v.57. -4715−4721.
  181. Chu N.G. Surface layer spinodal decomposition in Ini-xGaxAsyPiy and In. xGa4As grown by hydride transport vapor-phase epitaxy / Chu N.G. S. Nakahara, К. E. Strege, W. D. Johnston // Jr. J. Appl. Phys. 1985. — v. 57. -4610−4618.
  182. M.H. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si / M.H. Левин, Б. А. Зон // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1977. — T. l 11, вып. 4. — С. 1373−1397.
  183. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb-As / M.H. Левин и др. // Физика твердого тела. 2003. — Т. 45, № 4. с. 609 — 612.
  184. Долговременные изменения топологии поверхности кристаллов Cz-Si после воздействия импульсного магнитного поля / М. Н. Левин и др. // Журнал Теоретической Физики. 2003. — Т. 73, № 10. — С. 85 -87.
  185. М.Н. Импульсная магнитная обработка подложек для осаждения пленок методом пульверизации /М.Н. Левин, В. Н. Семенов, А. В. Наумов // Письма в ЖТФ. 2001. — Т. 27, № 7 — С. 35 — 39.
  186. М.Н. Эффект магнитно-индуцированной диффузионной неустойчивости в полупроводниковых соединениях А111 Ву / М. Н Левин,
  187. Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова. // Докл. Ак. Наук. Сер. Физика. 2003. — Т. 388, № 1.-С. 11−13.
  188. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля / М. Н. Левин и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. — Т. 5, № 2. — С. 213−215.
  189. Belyavsky V. I Spin Effects in Defect Reactions / I.V. Belyavsky, M.N. Levin // Phys. Rev. 2004. — V. 70. — P. 104 — 101.
  190. Зломанов В.П. P T — x диаграммы состояния систем металл -халькоген / В. П. Зломанов, A.B. Новоселова. — М.: Наука, 1987 г. — 208 с.
  191. О.Н. Влияние собственных точечных дефектов на свойства кристаллов InAs / О. Н. Шумская // Труды молодых ученых ВГУ. 2003.-Вып.1. — С. 43−45.
  192. Влияние импульсного магнитного поля на характер плавления арсенида индия /. О. Н. Шумская и др. // II Всероссийская конференция «Фагран 2004». — 2004. Воронеж. — Т. 2, С. 450−452.
  193. Т.П. Термографическое исследование дефектных кристаллов арсенида индия / Т. П. Сушкова, О. Н. Шумская // IX межрегиональная научно-техническая конференция «Проблемы химии и химической технологии». 2003, Тамбов. — С. 237−240.
  194. Изменения температуры плавления арсенида индия после воздействия импульсного магнитного поля /. О. Н. Шумская и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2006. -Т.8. № 1. — С. 46 -49.
  195. Влияние предварительной магнитной обработки кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления / .О. Н. Шумская и др. // Письма в ЖТФ. 2005. — Том. 31, Вып. 17. — С. 89- 94.
  196. Окисление кристаллов фосфида индия с предварительной магнитной обработкой /. О. Н. Шумская и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2005. — Т.7., № 2. — С. 150−153.
  197. Wretblad P.E. Minerals of the Varutrask Pegmatite.XX.Die Allemontiteund das System As-Sb./ P.E. Wretblad // Geol. foren. Stockholm forhandl. -1941-V.63. — P.19−48.
  198. Trzebiatowski W. Rontgenanalyse des Systems Arsen-Antimon / W. Trzebiatowski, E. Bryjak // Z. Anorg. Chem. 1938. — B.238. — P.255−267.
  199. Е.Г. Физико-химиические свойства твердых растворов с минимальной точкой на диаграмме состояния. Физико-химия полупроводникового материаловедения / Е. Г. Гончаров. Воронеж: Изд-во Воронежск. ун-та, 1978. — 68с.
  200. Я.А. Упорядочение твердых растворов системы сурьма-мышьяк вблизи температуры плавления / Я. А. Угай, Е. Г. Гончаров, Г. В. Семенова // Реф. докл. и сообщ. XII Менделеевск. Съезда по общей и прикладной химии. М.:Наука, 1981. С. 113.
  201. Я.А. Р-Т-х диаграмма состояния системы сурьма-мышьяк / Я. А. Угай, Г. В. Семенова, Е. Г. Гончаров // Журн. неорган, химии. 1985. Т.30, № 6.-С. 1532−1535.
  202. A.M. Фазовые равновесия в системах сурьма-мышьяк и фосфор-мышьяк: Дис.. канд. хим. наук. Воронеж, 1985. 177с.
  203. Г. В. Твердые растворы в тройных система с участием элементов пятой группы / Г. В. Семенова, Е. Г. Гончаров. М.: МФТИ, 2000.- 160 с.
  204. Я.А. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системе сурьма мышьяк / Я. А. Угай, A.M. Самойлов, Г. В. Семенова // Журнал физической химии. — 1986. — T. 60.-N1.-C.25−28.
  205. P.A. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968. 316 с.
  206. Влияние импульсного магнитного поля на структуру сплавов SbxAsi х и анализ их термодинамической устойчивости !. О. Н. Шумская и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2008. -Т. 10. № 3. — С. 255 -260.
  207. Т.П. Структурные изменения в кристаллах твердых растворов InAsxSbi.x, инициированные импульсным магнитным полем / Т. П. Сушкова, Г. В. Семенова, О. Н. Шумская // XIII Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2008» 2008, Москва. — С. 68.
  208. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. / Мильвидский М. Г., Освенский В. В. -М.: Металлургия. 1984. — 256 с.
  209. М.Г. Стехиометрия и дефектообразование в полупроводниковых соединениях АШВУ / М. Г. Мильвидский // Итоги науки и техники. Сер.: Электроника и ее применение. Т. 11. М.: ВИНИТИ, 1979.-С. 105−141.
  210. Внутренне трение при изменении формы малых включений / Андреев Ю.Н.и др. // Физика и техника полупроводников. 2000. — Т. 34, вып.6. — С. 664 — 646.
  211. Методика исследований субмикровыделений в поликристаллических материалах методом внутреннего трения / Андреев Ю.Н.и др. // Физика и техника полупроводников. 1997. — Т. 31, № 7. — С. 841 — 844.
  212. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь -гель технологии / A.C. Ильин и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. — Т. 39, вып.З. — С. 300 — 304.
  213. Е.Г. Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия./ Е. Г. Гончаров. Воронеж.: Изд. ВГУ. — 1989. -208 с.
  214. .И. Диффузия в полупроводниках / Б. И. Болтакс. М.: Физматгиз, 1961. — 464 с.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!