Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах

Диссертация: Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В процессе изучения рекомбинационных процессов ставится задача разработки и экспериментального подтверждения модели токопереноса, которая с достаточной полнотой учитывает генерациошю-рекомбинационные процессы с участием глубоких центров. Однако предложенные ранее модели токопереноса не всегда могут верно интерпретировать экспериментальные данные. Исследование механизмов генерации-рекомбинации… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО ПРОЦЕССАМ ГЕНЕРАЦИИ-РЕКОМБИНАЦИИ В P-N-ПЕРЕХОДАХ
    • 1. 1. Электронные процессы при прямых смещениях
    • 1. 2. Электронные процессы при: обратных смещениях
    • 1. 3. Микроплазменные явления в р-п-переходах

Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Большую роль в процессах генерации-рекомбинации играют глубокие центры, которые могут создаваться не только примесями, но и: протяженными структурными: дефектами, такими как скопления дефектов либо дислокации. В полупроводниковых лавинных диодах они могут приводить к увеличению обратных токов, изменению напряжения пробоя, релаксационным процессам.

В процессе изучения рекомбинационных процессов ставится задача разработки и экспериментального подтверждения модели токопереноса, которая с достаточной полнотой учитывает генерациошю-рекомбинационные процессы с участием глубоких центров. Однако предложенные ранее модели токопереноса не всегда могут верно интерпретировать экспериментальные данные. Исследование механизмов генерации-рекомбинации также интересно и с точки зрения изучения глубоких центров, их природы, характеристик и параметров.

С другой стороны, генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких центров влияют на микроплазменный пробой р-п-перехода. Он в первую очередь развивается в местах скопления, различных дефектов и несовершенств. Термогенерация и туинелирование с глубоких центров могут быть основными механизмами, залу екающими лавину. Поэтому исследование влияния глубоких центров на лавинный пробой и, в частности, на задержку пробоя позволяет изучать центры, расположенные непосредственно в микроплазменных каналах, что невозможно другими методами (емкостные, эффект Холла и т. д.). На сегодняшний день известно всего лишь несколько публикаций о попытках исследования глубоких центров на основе микроплазменного пробоя р-п-перехода, сами авторы которых указываю! на неоднозначность полученных результатов.

В практическом плане данная работа также будет представлять интерес, поскольку генерационно-рекомбинационные процессы, связанные с различными дефектами и несовершенствами., в большой степени определяют такие показатели лавинных диодов, как обратные токи и неоднородность пробоя по площади кристалла. Исследование процессов генерации-рекомбинации поможет повысить качество выпускаемых кремниевых лавинных диодов.

Цели и задачи исследования.

Целью работы является исследование особенностей генерационно-рекомбинационных процессов в кремниевых лавинных диодах, определяющих характер обратной ВАХ и оказывающих влияние на качество диодов.

Данная цель достигается путем решения следующих задач:

1. Изучение механизмов, обуславливающих процессы токопереноса и определяющих характер прямых и обратных ВАХ.

2. Построение адекватной модели генерационно-рекомбинациолных процессов с участием: точечных и макроскопических дефектов.

3. Изучение влияния глубоких центров на микроплазменный характер и задержку пробоя лавинных диодов, определение параметров данных центров.

4. Выработка рекомендаций по совершенствованию приборов данного типа.

Научная новизна.

Научная новизна дайной работы заключается в следующем:

1. На основе обобщенной теории генерации-рекомбинации получено аналитическое выражение для вольтамперной характеристики р-n-перехода при наличии в нем процесса туннельной рекомбинации.

2. Экспериментально доказано существование токов туннельной рекомбинации с участием макроскопических дефектов в кремниевых лавинных диодах.

3. Выявлена роль различных типов дефектов в формировании механизмов токопереноса.

4. Теоретически и экспериментально исследованы особенности микроплазменного пробоя лавинных диодов с участием глубоких центров.

Практическая ценность.

1. Найдены параметры глубоких центров, ответственных за токи рекомбинации в кремниевых лавинных диодах.

2. Выявлены механизмы запуска лавины при пробое р-п-переходов кремниевых лавинных диодов и определены параметры глубоких центров, ответственных за них.

3. Показано, что повышенная плотность дефектов на границе раздела «эпитаксиальная пленка — подложка» влияет на процент выхода годных приборов.

4. Выработаны рекомендации по улучшению характеристик выпускаемых лавинных диодов.

Положения, выносимые на защиту:

1. Величина прямого тока лавинных диодов определяется рекомбинационными процессами в ОПЗ с участием точечных глубоких центров и туннельно-рекомбинационными процессами с участием макродефектов.

2. Повышенная плотность дефектов на границе «эпитаксиальная пленка. подложка» определяет процент выхода годных приборов.

3. При наличии в ОПЗ р-п-перехода структурных несовершенств наблюдается процесс туннельной рекомбинации. Это приводит к возникновению дополнительного механизма протекания тока и изменению вида вольтамперной характеристики.

4. Глубокие центры в микроплазменных каналах оказывают влияние на ВАХ р-п-перехода в области пробоя.

5. Межзонное туннелирование является основным механизмом запуска лавины в исследуемых кремниевых лавинных диодах.

6. Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя позволяет исследовать параметры этих центров методом микроплазменной спектроскопии.

Основное содержание диссертации изложено в восьми публикациях, список которых приведен в конце работы.

Апробация работы.

Основные положения докладывались и обсуждались на: конференции молодых ученых и аспирантов Мордовского государственного университета — Саранск, 1999 и 2000 гг.- региональной научно-практической конференции «Критические технологии в регионах с 8 недостатком природных ресурсов» — Саранск, 2000 г.- Международной конференции «Оптика, оптоэлекгроника и технологии» Ульяновск, 2001 г.- Огаревских чтениях — Саранск, 2001 г.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Материал изложен на 140 страницах, содержит 55 рисунков, 5 таблиц, 114 наименований использованной литературы.

ВЫВОДЫ.

1. Прямые токи эпитаксиальных диодов в области высоких температур и диффузионных диодов в области низких и высоких температур определяются рембинационными процессами в ОПЗ р-п-перехода. Методом: рекомбинационной спектроскопии определены параметры глубоких центров, ответственных за протекание тока. Основной вклад вносит уровень с энергией активации 0.41 эВ.

2. Получила дальнейшее развитие и аппробирована обобщенная модель рекомбинации. Получено аналитическое выражение для ВАХ р-п-перехода в случае туннельной рекомбинации. Выполнено математичес кое моделирование распределения скорости туннельной рекомбинации по OIT3 диффузионного р-п-перехода. Показано, что при малых значениях вероятности туннелироваиия скорость рекомбинации лимитируется туннельными переходами.

3. По результатам исследований прямых и обратных ВАХ эпитаксиальных диодов выяснено, что в отбракованных образцах присутствует уровень с энергией Et = Ev+0.45 эВ. Для осуществления туннельно-рекомбинационных процессов необходима достаточно высокая плотность локализованных состояний. В связи с этим: можно говорить о скоплении дефектов либо заметном переносе носителей заряда по дислокации. Возможный тип дефекта определен как краевая дислокация с частично «забитыми» связями.

4. Определены механизмы запуска лавины в кремниевых лавинных диодах, изготовленных по эпитаксиальной и диффузионной технологиям. Фоновым механизмом поступления носителей в канал МП является межзонное туннелирование. При: специальном заполнении ГЦ реэмиссия захваченных носителей оказывает значительное влияние на запуск лавины. На основе этого эффекта определены параметры глубоких центров, расположенных в микроплазменных каналах кремниевых эпитаксиальных и диффузионных диодов.

Научные результаты диссертационной работы содержатся в следующих, основных публикациях:

1. Ионычев В. К., Кузьмин В. В., Серёжкин Ю. Н. Исследование глубоких центров по статистической задержке лавинного пробоя кремниевых р-п-переходов // Сборник научных трудов ученых.

Мордовского государственного университета им. Н. П. Огарёва. -1998. — ч. 3, с. 38 — 40.

2. Ионычев В. К., Кузьмин В. В., Серёжкин 10. Н. Характеристики микроплазмы в фосфид галлиевом р-п-переходе // Сборник научных трудов учёных Мордовского государственного университета им. Н. П. Огарёва. — 1998. — ч. 3. с. 34 — 37.

3. Булярский С. В., Сережки н К). Н., Кузьмин В. В. Определение параметров глубоких центров в диффузионных р-п-переходах /7 Критические технологии в регионах с недостатком природных ресурсов. Материалы региональной научно-практической конференции. — Саранск, 2000, с. 151 — 159.

4. Ионычев В. К., Кузьмин В. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в кремниевых лавинных диодах // Математическое моделирование: технологические процессы и научные исследования: Межвузовский: сборник научных трудов. Вып. I. — Саранск: СВМО, 2001, с. 26 — 28.

5. Ионычев В. К., Кузьмин: В. В. Прыжковая проводимость вдоль оси дислокации // Математическое моделирование: технологические процессы и научные исследования: Межвузовский сборник научных трудов. Вып. I. — Саранск: СВМО, 2001, с. 33 — 35.

6. Булярский С. В., Ионычев В. К., Кузьмин В. В. Туннельная рекомбинация в кремниевых р-п-переходах // Тезисы докладов Международной: конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» — У льяновск, 2001.

7. Булярский С. В., Сережкин Ю. Ы., Ионычев В. К., Кузьмин В. В. Определение параметров глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах кремниевых лавинных диодов // Известия: вузов. Электроника. — 2002. — № 2, с. 54 — 59.

8. Ионычев В, К., Кузьмин В. В. Исследование глубоких центров по рекомбинационным токам кремниевых диффузионных диодов /У Технические и естественные науки. Проблемы, теория, эксперимент (межвузовский сборник научных трудов), вып.2. -Саранск, Ков. тип., 2002, с.36−39.

В заключении автор приносит искреннюю благодарность научному руководителю доктору физ.-мат. наук, профессору С. В. Булярскому за руководство и неоценимую помощь в работе, а также кандидату физ.-мат. наук Ю. И. Сережкину и кандидату физ.-мат. наук В. К. Ионычеву за постоянную поддержку и полезные обсуждения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. — 564 с.
  2. С. М. Semiconductor Device Modeling. PeterPeregrinus Ltd., 1988.
  3. Бонч-Бруевич В. M., Калашников С. Ч. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.
  4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — 456 с.
  5. Шур М. Физика полупроводниковых приборов (в 2-х книгах). М.: Мир, 1992.
  6. Sah С. Т., Noyce R. N., Shockley W. Carrier Generation and Recombination in p-n-Junctions and p-n-Junctions Characteristics // Proc. IEEE, v.45, 1957, p. 1228.
  7. В. H., Меркулов И. А., Перель В. И., Яссиевич И. Н. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ, т. 89, 1985, с. 1472−1486.
  8. Passler R. Temperature dependences of the nonradiative multiphonon carrier-capture and injection properties of deep trap in semiconductors // Phys. Stat. Sol. (b) Part 1. v. 85, 1978, p. 203−215- Part 2. v. 103, 1981, p. 673−686.
  9. Ю.Булярский С. В., Грушко Н. С. Физические принципы функциональной диагностики р-п-переходов с дефектами. Кишинев: Штиинца, 1992. -236 с.
  10. С. В., Грушко Н. С., Сомов А. И., Лакалин А. В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора // ФТП, т. 31, № 9, 1997, с. 1146−1150.
  11. С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. — 399 с.
  12. С. В., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п-перехода // ФТП, т. 32, № 10, 1998, с. 1193−1196.
  13. С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Определение параметров глубоких энергетических уровней в кремнии на основе анализа рекомбинационного тока р-п-перехода. Известия вузов. Электроника, № 1−2, 1999, с.41−46.
  14. В. В., Калинин Б. Н., Царенков Б. В. Неклассический термоинжекционный ток в GaP р-п-структурах // ФТП, т. 17, № 4, 1983, с.599−606.
  15. М. М., Евстропов В. В., Попов И. В., Расстегаев В. Н., Стрельчук А. М., Сыркин А. Л. Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых р-п-структурах // ФТП, т. 23, № 4, 1989, с.647−651.
  16. А. М., Евстропов В. В., Дмитриев В. А., Черенков А. Е. Прямой и обратный ток р-п-структур на основе 6H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией // ФТП, т. 29, № 12, 1995, с.2169−2179.
  17. В. В., Кисилев К. В., Петрович И. Л., Царенков Б. В.
  18. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр // ФТП, т. 18, № 5, 1984, с.902−912.
  19. В. В., Кисилев К. В., Петрович И. Л., Царенков Б. В. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда р-п-структуры // ФИТ, т. 18, № 10, 1984, с.1852−1858.
  20. В. И. Моделирование тока генерации-рекомбинации носителей заряда в р-п-переходе // Микроэлектроника, т. 23, вып. 2, 1994, с.50−56.
  21. Л. А., Лугаков П. Ф. Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефектыразличных типов // ФТП, т. 32, № 2, 1998, с. 129−131.
  22. WheaIan М. V. Leakage currents of n±p silicon diodes with different amounts of dislocation // Solid State Electronics, v. 12, № 12, 1969, p.963−968.
  23. Fell T. S., Wilshaw P. R. Recombination at dislocations in the depletion region in silicon // Proc. Inst. Phys. Conf. Ser.№ 104, chapter2, p.227−232. -Int. Symp. on Prop.Disloe. Se micond. Oxford, 1989.
  24. Teichler H., Veth R. Deep electron levels and further effects of topological disorder by dislocations fl J. de Phys., v. 44, 1983, p.93−101.
  25. J. R., Spence J. С. H. Line defects in silicon: The 90° partial dislocation//Phys. Rev. В., v. 30, № 2, 1984, p.694−701.
  26. Lodge K. W., Lapiccirella A. Altmann S. L. Valence force-field geometry and electronic state of the 90° partial dislocation in silicon // Inst. Phys. Conf. Ser. № 67: Sect. 1, 1983, p.55−58.
  27. Suezawa Masashi. Электронное состояние дислокаций в полупроводниках. Нихон киндзоку раккай кайхо. Bull. Jap. inst. Metals., v. 23, № 6, 1984, p.487−493.
  28. М. Н., Кведер В. В., Осипьян Ю. А. Влияние водорода на дислокационные донорные и акцепторные состояния // ЖЭТФ, т. 82, № 6, 1982, с.2068−2075.
  29. Kveder Y. V., Osipyan Ju. A., Sagdeev I R. et al. The effect annealing and hydrogenation on the dislocation conduction in silicon // Phys. Status solidi (a), v. 87, № 2, 1985, p.657−665.
  30. H. А., Емельянов A. M., Николаев Ю. А., Вдовин В. И. Влияние ориентации кремниевой подложки на свойства лавинных Si:Ег:О-светоизлучающих структур /7 ФТП, т. 33, № 6, 1999, с.660−663.
  31. Р. П. Введение в полупроводниковую электронику. М.: Связь, 1965.
  32. Di.ersch.ke Е. G., Pearson. G. L. Forvard and Reverse Tunnel Currents in
  33. Gallium Phosphide Diffused p-n Junctions // J. Appl. Phys., v. 41, № 1, 1.970, p.329−334.
  34. B.B., Жиляев Ю. В., Назаров Ы., Сергеев Д. В., Федоров Л. М., Шерняков Ю. М. Электрические свойства эпитаксиальных р-п-структур из GaP на Si-подложках // ФТП, т. 27, № 8, .1993, с. 1319−1325.
  35. А. С, Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний: // ФТП, т. 23, № 1, 1989, с.110−116.
  36. К. К., Дмитриев А. Г. Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs-Ni, модифицированных лазерным излучением // ФТП, т. 34, № 8, 2000, с. 976−977.
  37. В. В., Джумаева М, Жиляев Ю. В., Назаров Н., Ситникова А. А., Федоров Л. М. Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в р-н-структурах на основе GaP // ФТП, т.34, № 11, 2000, с.1357−1362.
  38. С. В., Салихов X. М., Руссу Е. В., Малинин Ю. Г. О механизмах токопрохождения в гетеросгруктурах n±CdS-p- InР-р±InP // Письма в ЖТФ, т. 26, № 14, 2000, с.78−83.
  39. В. А., Крюкова Н. Н., Кюрегян А. С. О критерии лавинного пробоя полупроводников // ФТП, т. 8, 1974, с.945−949.
  40. . В. Явление ударной ионизации: глубокого уровня цинка в кремнии р-тйпа // ФТТ, т. 6, № 2, 1964, с. ЗЗ 1 -336.
  41. А. Н., Свечников С. В., Чумакова М. М. и др. Вольгамперные характеристики монополярных полупроводников для различных механизмов электропроводимости // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Вып. 9. С.3−10. Киев: Наукова думка, 1986.
  42. А. Л., Кидамов С. В. Анализ обратных ветвей волътамперных характеристик р-п-переходов в твердых растворах соединений А1ПВХ // ФТП, т. 20, № 3, 1986, с.451−456.
  43. Е. В., Прокофьева Н. К., Суворов А. В., Холуянов Г. Ф., Челноков В. Е. Электрические свойства р-п-переходов, полученных ионным легированием n-SiC/УФТП, т. 12, № 12, 1978, с.2305−2308.
  44. Mantovani S., U. del Pennino. Edge dislocations behaviour in Au-n-silicon diodes // Phys. Status solidi (a), v. 30, № 2, 1975, p.747−754.
  45. В. А., Калимбет A. 3., Алехин В. П. и др. Влияние низкотемпературной пластической деформации на электрические свойства кремниевых, р-п-переходов // Физ. и: химия обработ. матер., № 1, 1985, с, 115−120.
  46. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. -472 с.
  47. Ю. Г. Влияние дислокаций на электрические параметры р-п-персходов // Труды ВЭИ, 1980, в. 90.-М.: Энергия, с.91−101.
  48. Г. Электроника дефектов в полупроводниках. Пер. с англ. М.: Мир, 1974.-463 с,
  49. Strunk H. Structural defects and their electronic effect in devices and unprocessed silicon // Proc. Inst. Phys. Conf., Oxford, 21−23 March, 1983. Microsc. Semicond. Mater. 1983, Bristol, London, p.451−459.
  50. Mayer A. The quality of starting silicon // Sol. St. Tecbnol., v. 15, № 4, 1972, p.38−45.
  51. BulI С, Ashburn P., Booker G. R. et al. Effects of dislocations in silicon transistors with implanted emitters // Solid State Electron., v. 22, № 1, 1979, p.95−104.
  52. А. Г., Рзаев С. Г. Электрически активные дефекты в кремниевых эпитаксиально-плаеарных р-п-переходах // Микроэлектроника, т. 13, № 3, 1984, с.260−263.
  53. А. С., Сорокин Ю. Г. Статическая электропроводность кремния в сильном электрическом поле, вызванная: прямолинейными дислокациями/7 ФТП, т. 21, № 2, 1987, с.362−364.
  54. И. В., Серёжкин 10. Н. Лавинный пробой р-п-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия, 1980. — 152 с.
  55. Chynoweth A. G and McKay К. G. Internal field emission in silicon p-n-junctions // Phys. Rev., v. 106, № 3, 1957, p.418−426.61 .Poleshuk M., Dowling P. H. Microplasma breakdown in germanium // J. Appl. Phys., v. 34, 1963, p.3069−3077.
  56. Keil G., Ruge G. Microplasmas in GaAs diodes // J. Appl. Phys., v. 36, 1965, p.2600−2602.
  57. . С., Евстропов В. В., Царенков Б. В. Свойства отдельных микроплазм в GaP р-н-структурах // ФТП, т. 5, № 1, 1971, с. 134−138.
  58. А. Н., Константинов О. В., Пирогов В. И. Спектр токового шума микроплазмы при высокоимпедансном включении диода // ФТП, т. 27, № 6, 1993, с.951−958.
  59. Аладинский В, К. К теории мжкроплазменных явлений в р-н-переходах // ФТП, т. 6, № 10, 1972, с.2034−2041.
  60. Chynoweth A. G., Pearson I. L. Effect of dislocations on breakdown in silicon p-n-junctions // J. Appl. Phys., v. 29, 1958, p. 1103−1109.
  61. Kressel H. A review of the effect of imperfections on the electrical breakdown of the p-n-junctions // RCA Rev., v. 28, 1967, p. 175−207.
  62. Goetzberger A., McDonald В., Haitz R. H., Scarlett M. Avalanche effects in silicon p-n-junctions. 2. Structurally perfect junctions // J. Appl. Phys., v. 34, 1963, p. 1591−1600.
  63. Haitz R. H. Mechanisms contributing to the noise pulse rate of avalanche diodes //1. Appl. Phys., v. 36, 1963, p.3123−3131.
  64. McIntyre R. J. Theory of microplasma instability in silicon // J. Appl. Phys., v. 32, № 6, 196.1, p.983−995.
  65. . И. Численное моделирование явления нестабильности микроплазмы//ФТП, т. 31, № 2, 1997, с. 186−189.
  66. В. В., Дацко Б. И., Кернер Б. С., Осипов В. В. Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах // ФТП, т. 24, № 4, 1990, с.724−730.
  67. В. В., Дацко Б. И., Кернер Б. С., Осипов В. В. Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации: в идеально однородных р-п-структурах // ФТП, т. 24, № 7, 1990, с. 12 821 290.
  68. Добровольский: В. Н., Романов А. В. Грязное С. Б. Самовыключение тока ударной ионизации в р-п-переходе // ФТП, т. 29, № 8, 1995, с. 14 531 460.
  69. В. Н., Пальцев И. Е., Романов А. В. Кратковременное включение микроплазм: при напряжении ниже порогового // ФТП, т. 31, № 4, 1997, с.509−510.
  70. А. С. Эффект dVjdt при лавинном пробое р-п-переходов // Микроэлектроника, т. 18, № 1, 1989, с.66−71.
  71. П. В., Грехов И. В., Серёжкин Ю. Н. О задержке лавинного пробоя полупроводниковых диодов // ФТП, т. 6, № 6, 1972, с. 1118−1120.
  72. И. В., Новиков Л. Н., Палей В. М., Шаповалов В. П. Исследование возможности использования микроплазмы в качестве счётчика фотонов // ФТП, т. 7, № 5, 1973, с. 1010−1012.
  73. McGraer N. and Reinhard D. К. The effect of photogenerated carriers on the mean time delay for avalanche breakdown in p-n-junctions // Solid St. Electron., v. 23, 1979, p.289−291.
  74. Nuttall К. I. and Nield M. W. An investigation into the behavior of trapping centers in microplasmas // Solid St. Electron, v. 18, 1975, p. 13−23.
  75. Ferenczi G. Spectroscopy of impurity levels by measuring the microplasma turn on probabilities in GaP/Z.n, 0/ diodes // Solid St. Electron., v. 17, № 9, 1974, p.903−911.
  76. П. В., Грехов И, В., Серёжкин Ю. Н. Задержка пробоя микроплазмы высоковольтных кремниевых р-п-переходов // ФТП, т. 4, № 11, 1970, с.2099−2105.
  77. А. С., Шлытин П. Н. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя, р-п-переходов с глубокими уровнями // ФТП, т. 23, № 7, 1989, с.1164−1172.
  78. Е. В., Волле Е. М., Воронков В. Б., Козлов В. А., Лебедев А. А. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов // ФТП, т. 20, № 11, 1986, с.2122−2125.
  79. Ю. В., Грессеров Б. Н.5 Соболев Н. А. Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой р-п-переходов // ФТП, т. 22, № 3, 1988, с.536−538.
  80. О. П., Хлудков С. С. Вольтамперные характеристики арсенид-галлиевых тс-у-п-структур, легированных Fe и Сг, в области сильных электрических полей // ФТП, т. 20, № 11, .1986, с.2072−2077.
  81. Ю. А., Демаков К. Д., Калинина Е. В., Мохов Е, П., Рамм М. Г., Холуянов Г. Ф. Электрические свойства структуры р-п-п+ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия /У ФТП, т.21, № 9, 1987, с, 1685−1689.
  82. Ф. П., Марченко И. Г. Особенности изменения температурной, зависимости дифференциального сопротивления в области лавинного пробоя, облучённых кремниевых р-п-переходов // ФТП, т. 17, № 12, 1983, с.2201−2203.
  83. Ф. П., Ластовский С. Б., Марченко И. Г. Характеристики электронно-облучённых р-п-переходов в области лавинного пробоя // ФТП, т. 28. № 3, 1994, с.478−481.
  84. С. В., Ионычев В. К., Сережкин Ю. Н. Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя р-п-перехода // ФТП, т. 33, № 4, 1999, с.494−497.
  85. Е7−12, Е7−12/1 Измерители L, C, R цифровые. Техническое описание и инструкция по эксплуатации 2.724.011 ТО.
  86. Вольтметр универсальный В7−46 (В7−46/1) Техническое описание. 4.1.
  87. П. В., Сережкин Ю. П. Федосеев В. М. Определение параметров области объемного заряда диффузионного р-п-перехода // Деп. в ВИНИТИ, 1985, № 8126-В.
  88. R. М. Space-charge layer width in diffused junctions // IRE Trans. Electron Devices, ED-6, № 4, 1959, p.405−408.
  89. Chawla B. R., Gunimel H. K. Transition region capacitance of diffused p-n junctions /'/ IEEE Trans. Electron Devices, ED-18, № 1, 1971, p. 178.
  90. В. А., Синявский 3. II. Оценка поперечника многофоноиного захвата//ФТТ, т. 9, 1967, с. 1464−1472.
  91. R. А. // Adv.Phys. 1988. v.3(). р.593.
  92. С. Д., Ивченко Е. А., Шкловский Б. И. ЖЭТФ, т. 92, № 6, 1987, с.2234−2244.
  93. С. Д., Карпов В. Г., Шкловский Б. И. Безызлучательная рекомбинация в некристаллических полупроводниках // ЖЭТФ, т. 94, № 3, 1988, с.278−288.
  94. С., Street R. А. // Phys. Rev. В. v. 19., 1979, р.3027.
  95. Н., Fuller С. S., Vforin F. Т. // Bell Syst. Tecfm. J., v. 35., 1956, p.535.
  96. П., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир. т. 1., т.2. — 1982. -455 е., 368 с.
  97. В. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. ---• М.: Наука. 1979. — 416 с.
  98. В., Перель В. И. Млогофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле // ЖЭТФ, т. 91, № 6(12), 1986, с, 2319−2331.
  99. С. В., Грушко Н. С. Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полу провод н иковы х структурах // ЖЭТФ, т. 118, № 5(11), 2000, сЛ222−1229.
  100. В. К. Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя р-п-перехода // Дис. на соиск. уч. степ. к. ф.-м. н. Ульяновск, 1999.
  101. Okuto Y., Crowell С. R. Energy-conservations in the characterization of impact ionization in semiconductors // Phys. Rev. 1972. — v. B6, p. 3076 -3081.
  102. А. С. Юрков С. 11. Напряжение лавинного пробоя р-п-переходов на основе Si, Ge, SiC. GaAs, GaP и ZnP при комнатнойтемпературе // ФТП, т. 23, № 10, 1989, с. 1819−1827.
  103. ИЗ. Гольдман А. Г., Жолкевич Г. А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев.: Наукова Думка, 1972. — 197 с.
  104. А. С., Сережкин Ю. Н. Новый метод определения коэффициентов ударной ионизации в полупроводниках. ФТП. 1981. т. 15. вып.4. с.689−693.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!