Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Разработка и исследование новой оптической среды для источников когерентного излучения среднего ИК диапазона

Диссертация: Разработка и исследование новой оптической среды для источников когерентного излучения среднего ИК диапазона
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Technical Digest on CD-ROM the Optical Society of America. Washington, DC, 2005, MB 12- на III Всероссийской научной конференции молодых учёных и студентов «Современное состояние и приоритеты развития фундаментальных наук», Краснодар, 2−5 октября 2006 г.- на XIII Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар, 30 сентября — 6 октября 2007 г.- на конференции… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГАЛОГЕНИДНЫХ И ХАЛЬ-КОГЕНИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ
    • 1. 1. Спектроскопические и лазерные характеристики галогенидных
  • О I О I соединений, активированных ионами Dy и Nd
    • 1. 2. Свойства тройных халькогенидных соединений CaGa2S4, SrGa2S4 HPbGa2S
    • 1. 3. Перспективность кристаллов тиогаллата свинца в качестве лазерной матрицы для среднего инфракрасного диапазона излучения
  • 2. СИНТЕЗ И ВЫРАЩИВАНИЕ ОПТИЧЕСКИ ОДНОРОДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИОГАЛЛАТА СВИНЦА
    • 2. 1. Особенности структуры тиогаллатов кальция и свинца
    • 2. 2. Методики очистки исходных элементов
    • 2. 3. Методики синтеза сульфидных соединений
    • 2. 4. Исследование фазовых диаграмм PbS-Ga2S3 и PbGa2-S тройной системы Pb-Ga-S
    • 2. 5. Общие положения роста оптически однородных кристаллов из расплава
    • 2. 6. Выращивание и исследование коэффициентов поглощения и
  • *> I 1 I объёмного распределения ионов Dy в кристаллах Dy: PbGa2S4 и Dy3+:CaGa2S
    • 2. 7. Исследование коэффициентов поглощения и объёмного распределения ионов Nd3+ в кристаллах PbGa2S
    • 2. 8. Исследование коэффициентов поглощения ионов Nd в кристаллах PbGa2S4 в зависимости от концентрации Nd и типа щелочного элемента
    • 2. 9. Исследование коэффициентов поглощения ионов Dy в кристаллах PbGa2S4 в зависимости от концентрации Dy3+ и типа щелочного элемента
  • 3. ОПТИЧЕСКИЕ И ЛАЗЕРНЫЕ СВОЙСТВА ТИОГАЛЛАТА СВИНЦА
    • 3. 1. Показатели преломления тиогаллата свинца
    • 3. 2. Спектроскопические и люминесцентные свойства тиогаллата свинца, активированного диспрозием, неодимом и церием
    • 3. 3. Лазерные свойства кристаллов Dy3+:PbGa2S4,
  • PbGa2S4 и
  • Nd3+:PbGa2S

Разработка и исследование новой оптической среды для источников когерентного излучения среднего ИК диапазона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Среди известных и используемых в настоящее время источников когерентного излучения особое место занимают твердотельные лазеры, работающие на кристаллах, активированных ионами редкоземельных элементов (РЗЭ). Интерес к этим лазерам связан с высоким коэффициентом полезного действия (КПД), широкой спектральной областью генерации, реализацией различных режимов работы (от непрерывного до импульсного) и плавной перестройкой длин волн излучения. Значительные успехи достигнуты в разработке лазеров, излучающих i в ультрафиолетовом, видимом и ближнем инфракрасном (ИК) диапазонах (до 3 мкм). Неосвоенным остается средний ИК диапазон от 3 до 5 мкм. Основная трудность в создании таких лазеров связана с отсутствием необходимых кристаллических матриц. В дополнение к требованиям, выдвигаемым к матрицам для лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов, такие матрицы должны иметь непротяженный фононный спектр и обеспечивать высокий квантовый выход люминесценции на переходах ионов редкоземельных элементов, соответствующих среднему ИК диапазону.

При создании лазеров среднего ИК диапазона на примесных ионах редкоземельных элементов одной из трудностей является доминирование безызлуча-тельной релаксации над излучательной, причиной которого является многофо-нонная релаксация (MP). Она приводит к быстрому распаду лазерного уровня и низкому квантовому выходу люминесценции. До сих пор существовал только один хорошо теоретически обоснованный метод, позволяющий свести к минимуму безызлучательные потери, а именно, использование кристаллических матриц с очень коротким фононным спектром.

Для того чтобы не происходило тушение люминесценции, максимальная энергия фононов в таких средах должна быть ниже 400 см-1. Это делает невозможным использование оксидов и фторидов для генерации излучения с длинами волн более 4 мкм.

Кристаллы хлоридов и бромидов имеют короткий фононный спектр от 400 до 200 см-1 и привлекают особое внимание в связи с возможностью лазерной генерации за пределами границы 4 мкм. Они считаются перспективными для твердотельных лазеров, работающих в диапазоне 3−9 мкм [1−10].

Галогенидные материалы имеют уникальные спектральные и генерационные характеристики. Однако из-за гигроскопичности их использование ограничено. Эти кристаллы, особенно бромиды, легко растворяются в воде, а рабочие поверхности лазерных элементов из-за поглощения паров воды, находящихся в воздухе, мутнеют и становятся непригодными для практического применения. Что же касается сульфидных соединений, то они негигроскопичны, обладают низкими энергиями фононов и являются наиболее важными для получения лазерной генерации в среднем инфракрасном диапазоне.

Перспективными кандидатами для создания компактных, эффективных лазеров диапазона 2−5 мкм являются также кристаллы ZnS, ZnSe, легированные ионами переходных металлов Сг2+ и Fe2+. В частности, лазеры на основе.

Г> 11 >" у I.

Cr :ZnSe и Fe: ZnSe имеют диапазоны перестройки 2.1−3.1 и 3.77−5.05 мкм, соответственно. Они обладают низкими порогами генерации и высокими КПД.

Спектроскопические свойства активной среды Cr: ZnSe напоминают свойства известной лазерной среды сапфира с титаном и свидетельствуют о ее большом потенциале [11, 110].

В последние годы интенсивно ведутся работы по поиску и созданию твердотельных лазерных халькогенидных материалов. В 1999 году на кристалле Са.

О I.

Ga2S4, активированном ионами Dy, Крупке с сотрудниками получили генерацию в области 4.3−4.38 мкм [6]. Это был первый тройной халькогенидный кристалл с низкой энергией фононов, который содержал редкоземельные ионы Dy3+ и был негигроскопичен.

В качестве объектов исследований были выбраны кристаллические матрицы. на основе тиогаллата свинца (PbGa2S4), активированные ионами неодима и диспрозия. Они изоструктурны тиогаллатам кальция (CaGa2S4), стронция (SrGa2S4) и европия (EuGa2S4). Критерий выбора был основан на общих положениях теории многофононной релаксации для переходов среднего ИК диапа.

О I 1 зона. Короткий фононный спектр у.

DyJ :CaGa2S4 составляет 410 см, а у.

1 I I.

Dy :PbGa2S4 — 324 см из-за наличия атомов тяжёлого металла. При этом предполагается, что скорости излучательной релаксации должны быть выше, а скорости многофонной релаксации ниже в кристаллах тиогаллата свинца по сравнению с тиогаллатом кальция. Это должно приводить к более эффективной генерации на монокристаллах PbGa2S4 в среднем ИК диапазоне [12].

Проведенные исследования на монокристаллах PbGa2S4, выращенных из расплава по методу Бриджмена-Стокбаргера, включали в себя оптические, спектрально-люминесцентные и рентгенографические измерения характеристик, а также генерационные испытания, которые проводились в Институте общей физики Российской Академии Наук (ИОФ РАН).

Часть диссертационной работы была выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Администрации Краснодарского края, грант № 06−02−96 633 «Исследования ростовых и спектральных свойств новых лазерных материалов для среднего ИК диапазона».

Цель работы состояла в исследовании физических свойств тиогаллата свинца, влияющих на использование этого соединения в качестве новой кристаллической матрицы для источников когерентного излучения в среднем ИК диапазоне.

В кристаллической структуре PbGa2S4 атомы двухвалентного свинца окру-J жены восьмью атомами серы. Различают три положения ионов свинца в кристаллической решётке с различными длинами связей. При изоморфной замене ионов свинца на ионы трёхвалентного диспрозия они, также как и ионы свинца, будут иметь три различных кристаллографических положения. Следовательно, ионы диспрозия могут образовывать три различных оптических центра.

Кроме того, введение в кристаллическую решётку щелочного металла для компенсации заряда приводит к изменению энергий кристаллических полей ионов диспрозия в различных оптических' центрах и, следовательно, к изменению спектроскопических свойств лазерного материала. Изменение длин связей между ионами диспрозия и серы можно получить за счет твердых растворов переменного химического состава как на основе PbGa2S4, так и за счет введения изоморфных примесей в каждый из элементов лазерной матрицы. Такой подход позволяет в одном кристалле создавать различные оптические центры, возбуждение которых приводит к изменению длины волны генерации и к расширению диапазона излучения лазерного элемента.

Достижение поставленных целей требует решить следующие задачи:

— изучить физико-химические особенности выращивания кристаллов PbGa2S4 из расплава методом Бриджмена-Стокбаргера;

— вырастить лазерные кристаллы высокого оптического качества;

— исследовать их оптические, структурные, спектрально-люминесцентные свойства;

— разработать способ изменения длин волн излучения в активных кристаллах;

— провести генерационные исследования выращенных кристаллов.

Решение выше перечисленных задач позволит изучить оптические, структурные, спектрально-люминесцентные и генерационные свойства новой лазерной среды, расширить научные знания и проводить целенаправленные исследования по поиску новых лазерных кристаллов для получения генерации в области 5 мкм.

Научная новизна работы.

Основные результаты, полученные в данной диссертационной работе, являются новыми.

Впервые предложена и разработана кристаллическая матрица на основе тио-галлата свинца для твердотельных лазеров среднего ИК диапазона. Определены допустимые концентрации компонентов расплава для выращивания оптически.

Л I О I однородных кристаллов Nd: PbGa2S4 и Dy^PbGa^.

Измерены оптические, спектрально-люминесцентные и лазерные характерио, ^^ О I л I стики кристаллов NdJ: PbGa2S4, DyJ: PbGa2S4, DyJXeJ: PbGa2S4 и подтверждена их перспективность в качестве активных сред для твердотельных лазеров в качестве источников излучения среднего ИК диапазона.

Предложен новый способ изменения длины волны генерации. Он апробирован на кристалле Dy3+:PbGa2S4. Генерация была получена на длинах волн 4.2, 4.33, 4.62 и 4.7 мкм при накачке Nd: YAG лазером с длиной волны 1.32 мкм.

Выращен новый оптически однородный лазерный кристалл Dy3+Ce3+:PbGa2S4.

Теоретическая ценность, работы состоит в том, что полученные в ней результаты расширяют и углубляют научные знания и позволяют проводить целенаправленные. исследования по поиску новых лазерных кристаллов для получения генерации в области 5 мкм.

Практическая ценность работы.

Для источников когерентного излучения среднего ИК диапазона разработана технология выращивания методом Бриджмена-Стокбаргера оптически однородных лазерных кристаллов Nd3+:PbGa2S4, Dy3+:PbGa2S4, Dy3+Ce3+:PbGa2S4 с концентрациями активаторов от 0.1' до 6 ат. %. Данная технология применяется в Лаборатории новейших технологий Кубанского государственного университета для выращивания' кристаллов Nd3+:PbGa2S4, Dy3+:PbGa2S4 и Dy3+Ce3+:PbGa2S4.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Области гомогенности в системе Pb-Ga-S, распределения ионов диспрозия и неодима в кристаллах тиогаллата свинца, значения коэффициентов поглощения ионов неодима и диспрозия в зависимости от концентрации активатора, кристаллографических направлений и типа щелочного элемента, позвол I i лившие получить оптически однородные кристаллы Nd: PbGa2S4, I.

Dy :PbGa2S 4, и лазерные элементы размером 10×10×10 мм.

2. Закономерности распределения ионов диспрозия и церия в кристалле тио-галлата свинца и оптически однородные новые кристаллы Dy Се: PbGa2S4.

3. Экспериментальные значения показателей преломления тиогаллата свинца, спектрально-люминесцентные и лазерные характеристики кристаллов Nd3+:PbGa2S4, Dy3+:PbGa2S4, Dy3+Ce3+:PbGa2S4.

4. Способ изменения длины волны генерации, заключающийся в изменении химического состава тиогаллата свинца, структурных положений ионов активатора в кристаллической решетке и их длин связи и приводящий к образованию в матрице различных оптических центров и расширению диапазона лазерного излучения. Этот подход использован для получения нового лазерного кристалла PbDyNaGa2S4.

Личный вклад автора.

Основные материалы диссертации изложены в опубликованных работах. Общее число работ автора 40, из них 25 по теме диссертации [12−29, 111−117]. Часть результатов диссертации защищена патентом США (U.S. Patent Application No 11/357,870- 2/17/2006; SINGLE CRYSTAL LASER MATERIALS AND SYSTEM CONTAINING THE SAME MATERIAL). Результаты диссертации отражают личный вклад автора в опубликованные работы. Исследования, выполненные в диссертационной работе, проводились автором или совместно с соавторами.

Экспериментальные исследования, анализ наблюдаемых закономерностей проведены автором самостоятельно и совместно с сотрудниками лаборатории роста кристаллов КубГУ и других научно-исследовательских организаций. В ходе исследований были использованы различные экспериментальные методы и методологические подходы: комплексное исследование многокомпонентных систем, включающее изучение различных кристаллических фаз и их стабильности, фазовые превращения в зависимости от условий кристаллизации и термообработки, анализ структурных особенностей конечных продуктов кристаллизации, исследование физико-химических свойств полученных материалов. Для решения поставленных задач использовались современные методы исследования: рентгенофазовый анализ, рентгеноструктурный анализ, оптическая спектроскопия в широком диапазоне длин волн, химический анализ, дифференциально-термический анализ, интерференционно-поляризационные методы определения оптического совершенства кристаллов и т. д.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались на X Всероссийском семинаре совещании «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» Краснодар, 6−11 июня.

2004 г.- OSA Topical Meetings, ASSP-2005, February 6−9, 2005, paper TuB 10- на CLEO/QELS, Baltimore, Maryland, USA, JTuC33, May 22−27, 2005; на XI Всероссийском семинаре совещании «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар, 18−23 сентября 2005 г.- на Advenced Solid-State Photonics.

2005 Technical Digest on CD-ROM the Optical Society of America. Washington, DC, 2005, MB 12- на III Всероссийской научной конференции молодых учёных и студентов «Современное состояние и приоритеты развития фундаментальных наук», Краснодар, 2−5 октября 2006 г.- на XIII Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар, 30 сентября — 6 октября 2007 г.- на конференции грантодержателей регионального конкурса Российского фонда фундаментальных исследований и администрации Краснодарского края «ЮГ РОССИИ» «Вклад фундаментальных исследований в развитие современной инновационной экономики Краснодарского края», Краснодар, 4−8 декабря 2006 г.- на IV Всероссийской научной конференции молодых учёных и студентов «Современное состояние и приоритеты развития фундаментальных наук», Краснодар, 1−4 октября 2007 г.- на конференции грантодержателей регионального конкурса Российского фонда фундаментальных исследований и администрации Краснодарского края «ЮГ РОССИИ» «Вклад фундаментальных исследований в развитие современной инновационной экономики Краснодарского края», Краснодар, 4−8 декабря 2007 г.

На IV Московском международном салоне инноваций и инвестиций были представлены оптические элементы, которые удостоены диплома и золотой медали — «Разработка лазерных элементов с целью получения источников среднего ИК диапазона», Москва, ВВЦ, 25−28 февраля 2004 г. Лазерные элементы PbDyNaGa2S4 с генерацией на 4.3 и 4.7 мкм были представлены на 3 Международной специализированной выставке лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Мир лазеров и оптики» Фотоника 2008, Москва 11−13 марта 2008 г.

Лазерные элементы, изготовленные в Лаборатории новейших технологий Кубанского государственного университета, исследуются в. ИОФ РАН, НИИ «Полюс», НПО «Астрофизика» и ЭКСПЛА (Литва).

Содержание работы.

Диссертационная работа состоит из введения, трех разделов, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации 118 страниц, в том числе 14 таблиц, 53 рисунка, библиографический список из 117 наименований и приложение.

Основные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом.

1. Предложена новая кристаллическая лазерная матрица на основе тиогаллата свинца (PbGa2S4) для создания когерентного источника с излучением в среднем инфракрасном диапазоне длин волн (4−6 мкм). Разработана технология выращивания кристаллов методом Бриджмена-Стокбаргера из расплава в кварцевых ампулах. Впервые на основании данных дифференциально-термического и рентгенофазового анализов образцов были построены псевдобинарные фазовые системы PbS-Ga2S3 и PbGa2-S, на которых нанесены поля устойчивости тройных соединений, кривые солидуса и ликвидуса в координатах состав-температура.

2. Исследовано объемное распределение ионов диспрозия и неодима для составов Pb0.986Dyo.oi4Ga2S4, Pb0.972Dyo.oi4Nao.oi4Ga2S4 и Pb0.986Ndo.oi4Ga2S4, Pbo.972Ndo.oi4Nao.oi4Ga2S4 в зависимости от направлений выращивания (100), (010) и (001). Растворимость ионов неодима и диспрозия в кристалле PbGa2S4 определяется также и ионами щелочных металлов, вводимыми для компенсации зарядов решётки при гетеровалентном изоморфизме. Выращены монокристаллы состава Pbi2xNd (Dy)xMxGa2S4, где М — Li, Na, К, Rb, Cs, Т1 (значение х изменялось в интервале 0.2−2 мол. %). Показано, что максимальная растворимость ионов неодима в тиогаллате свинца реализуется при компенсации заряда калием, а ионов диспрозия — при компенсации заряда натрием.

3. Впервые проведено измерение дисперсии главных значений показателей преломления на кристалле тиогаллата свинца в диапазоне 0.5−10 мкм. Оптические оси в кристалле лежат в плоскости be, ось b — биссектриса острого угла между оптическими осями. Угол между оптическими осями 2V составляет 25° (633 нм). В кристалле PbGa2S4 в видимом и ближнем ИК диапазоне спектра имеет место дисперсия направления оптических осей. При 690 нм 2V = 0, а в ближнем ИК диапазоне оптические оси лежат в плоскости ab. Ошибки измерения показателей преломления связаны с погрешностями в ориентировке призм в процессе их изготовления.

4. Впервые получена генерация в максимуме линии люминесценции без продувки оптического резонатора лазера азотом, как это необходимо для кристалла Dy3+:CaGa2S4. Исследования проводились на монокристалле Dy3+:PbGa2S4 с концентрацией диспрозия 0.5 мол. % Dy2S3, длиной 7 мм, при накачке YAG: Nd лазера. Максимальная энергия составила 0.32 мДж при дифференциальном КПД около 1%, в то время как на кристалле.

Dy :CaGa2S4 с концентрацией 0.5 мол % Dy2S3 и длиной 15 мм была получена выходная энергия 0.12 мДж, несмотря на то, что величина пассивных потерь в кристалле.

3~ь 3+.

Dy :PbGa2S4 примерно в шесть раз выше, чем у кристалла Dy: CaGa2S4.

5. Выращены оптически однородные монокристаллы PbGa2S4, активированные одновременно ионами Dy3+ и Се3+, исследованы их спектроскопические свойства. Измеренный спектр сечения люминесценции ионов Dy и Се в кристалле тиогаллата свинца показал наличие люминесценции ионов Се3+, что указывает на вхождение ионов церия в кристаллическую решетку.

6. Проведены исследования твёрдых растворов переменного химического состава Dy3+:PbGa2S4, на которых получена по длине выросшего кристалла генерация на 4.2, 4.33, 4.53 и 4.65 мкм за счёт возбуждения различных оптических центров. Значения длин волн генерации изменялись от 4.7 мкм (в нижней) до 4.2 мкм (в верхней) частях кристалла.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. R.H. Page, K.1. Schaffers, S.A. Payne, W.F. Krupke. Dy-Doped Chlorides as Gain Media for 1.3 Jim Telecommunications Amplifiers // J. Lightwave Technol. 15(5), 786−793 (1997).
  2. M.C. Nostrand, R.H. Page, S.A. Payne, W.F.Krupke, P.G. Schunemann, and• • 3+
  3. I. Isaenko. Spectroscopic data for infrared transitions in CaGa2S4: Dy and KPb2Cl5: Dy3+ // Advanced Solid State Lasers, W.R. Bosenberg and M.M. Fejer, ed., OSA TOPS. 19, 524−528 (1998).
  4. A.M. Tkachuk, S.E. Ivanova, L.I. Isaenko, A.P. Eliseev, W. Krupke, S. Payne,•> г
  5. R. Solarz, M. Nostrand, R. Page, and Stephen Payne. Dy doped crystals of double chlorides and dou-ble fluorides as the active media of IR solid-state lasers and telecommunication amplifiers // J. Optical Technology 66(5), 460−462 (1999).
  6. M.C. Nostrand, R.H. Page, S.A. Payne, and W.F. Krupke, P.G. Schunemann.• 3+
  7. Room-temperature laser action at 4.3−4.4 (im in CaGa2S4: DyJ // Opt. Lett. 24(17), 1215−1217(1999).
  8. M.C. Nostrand, R.H. Page, S.A. Payne, W.F. Krupke, P.G. Schunemann, L.I. Isaenko. Room temperature CaGa2S4: Dy laser action at 2.43 and 4.31 (im and KPb2Cl5: Dy3+ laser action at 2.43 im //OSA TOPS Optics and Photonics Series, ASSL, 26, 441−449 (1999).
  9. M.C. Nostrand, R.H. Page, S.A. Payne, W.F. Krupke, P.G. Schunemann, L.I. Isaenko. Laser Demonstrations of Rare-Earth Ions in Low-Phonon Chloride and Sulfide Crystals // OSA TOPS in Optics and Photonics Series, ASSL, 34, 459 463 (2000).
  10. L. Isaenko, A. Yelisseyev, A. Tkachuk, S. Ivanova, S. Vatnik, A. Merkulov, S. Payne, R. Page, M. Nostrand. New laser crystals based on KPb2Cl5 for IR region // Material Science and Engineering B81, 188−190, (2001).
  11. T.T. Basiev, М.Е. Doroshenko, V.V. Osiko, D.V. Badikov. Mid IR laser oscillations in new low phonon PbGa2S4: Dy3+ crystal // OSA Topical Meetings, ASSP-2005, February 6−9, 2005, paper TuBlO Vol. 98 (2005) P. 75−79.
  12. T.T. Basiev, M.E. Doroshenko, V.V. Osiko, D.V. Badikov. Mid IR laser oscillations in new low phonon PbGa2S4: Dy3+ crystal // ICONO/LAT 2005, май 11−15, 2005, paper LThK18.
  13. D.V. Badikov, V.V. Badikov, Т.Т. Basiev, М.Е. Doroshenko, S.B. Mirov, Y.V. Orlovskii, V.V. Osiko, G.S. Shevirdyaeva. Single Crystal Laser Materials and System Containing the Same Material. Patent No: US 2007/21 1779A1 Sep. 13,2007.
  14. Д.В. Бадиков, В. В. Бадиков, М. Е. Дорошенко, В. И. Чижиков, Г. С. Ше-вырдяева. Лазерные характеристики кристаллов
  15. PbGa2S4:Dy^ // Труды IV Всероссийской научной конференции молодых ученых и студентов «Современное состояние и приоритеты развития фундаментальных наук в регионах» Краснодар, 1−4 октября 2007 г., Просвещение — Юг, Т. 2, С. 10−12.
  16. V. Badikov, D. Badikov, М. Doroshenko, V. Paniutin, V. I. Chizhikov, G. Shevyrdyaeva. Optical properties of lead thiogallate // Optical materials, 2008 J. Opt. mat. 2008.03.001.
  17. S.A. Pollack, D.B. Chang//J. Appl. Phys. 64(6), 2885−2893 (1988).
  18. F. Auzel, S. Hubert, D. Meichenin //Appl. Phys. Lett. 54(8), 681−683 (1989).
  19. M. Pollnau, R. Spring, S. Wittwer, W. Luthy, H.P. Weber // J. Opt. Soc. Am. B 14(4), 974−978(1997).
  20. Shmaul, G. Huber, R. Clausen, B. Chai, P. LiKamWa, M. Bass // Appl. Phys. Lett. 62(6), 541−543 (1993).
  21. R.S. Stoneman, J.G. Lynn, L. Esterowitz // IEEE Journal of Quantum Electronics 28(4), 1041−1045 (1992).
  22. T. Jensen, A. Diening, G. Huber, B.H.T. Chai // Optics Letters, 21(8), 585−587 (1996).
  23. M. Pollnau, R. Spring, Ch. Ghisler, S. Wittwer, W. Luthy, H.P. Weber // IEEE Journal of Quantum Electronics, 32(4), 657−662 (1996).
  24. Chr. Wyss, W. Luthy, Heinz P. Weber // IEEE Journal of Quantum Electronics 34(6), 1041−1045 (1998).
  25. G.R. Knitz, R. Allen, L. Esterowitz // Appl. Phys. Lett. 50(22), 1553−1555 (1987).
  26. S. Hubert, D. Meichenin, F. Auzel // Journal of Luminescence 45, 434-^-36 (1990).
  27. Chr. P. Wyss, W. Luthy, H. P. Weber, L. Brovelli, Ch. Harder, H. P. Meier, P. Rogin, J. Hulliger // Proceedings of Biomedical Systems and technologies II, SPIE Proceedings series 3199, 206−213 (1997).
  28. V.V. Shumilin, A.M. Tkachuk, V.V. Laso, N.N. Smirnov, V.F. Danilichev, A.F. Gatzu, D.V. Ganin // Proceedings of 4th International Conference on Laser Applications in Life Sciences, 7−11 September, 1992, Juvaskyla, Finland, 255−262(1992).
  29. Diening, G. Huber // Book of Abstracts of Conference on Lasers and Elec-trooptics CLEO 2000, CFA3 (2000).
  30. Chr. P. Wyss, W. Luthy, H.P. Weber, P. Rogin, J. Hulliger // Optical Communications 139, 215−218 (1997).
  31. S.A. Pollack, D.B. Chang, R.A. MacFarlane, H. Jenssen // J. Appl. Phys. 67(2), 648−653 (1990).
  32. M. Pollnau, W. Luthy, H.P. Weber, T. Jensen, G. Huber, A. Cassanho, H.P. Jenssen, R.A. MacFarlane // Optics Letters 21(1), 48−50 (1996).
  33. C.S. Knowles, H.P. Jenssen // IEEE Journal of Quantum Electronics 28(4), 1197−1208 (1992).
  34. A.A. Kaminskii, S.E. Sarkisov, F. Belov, H.-J. Eichler // Optical and Quantum Electronics 22, S95-S105 (1990).
  35. A.M. Tkachuk, S.E. Ivanova, M.-F. Joubert, Y. Guyot, and V.P. Gapontzev. Population of Excited Erbium Levels in Er3+:Na0.4Yo.6F2.2 (Er:NYF) Laser Crystals // J. Alloys and Сотр. 380(1−2) 130−135 (2004).
  36. B.M. Antipenko, B.V. Sinitzin, T.V. Uvarova // Kvantyovaya electronika 7, 2019−2022(1980).
  37. G.D. Gilliland, R.C. Powell, L. Esterowitz // Dig. Topical Meeting on Tunable Solid State Lasers, Williamsburg, Virginia, 1987, WE4, (1987).
  38. B.M. Antipenko, I.G. Podkolzina, Yu. V. Tomashevitch // Kvantyovaya electronika 7, 647−649 (1980).
  39. N. Djeu, V.E. Hartwell, A.A. Kaminskii, A.V. Butashin // Optics Letters 22(13), 997−999(1997).
  40. L.F. Johnson, H.J. Guggenheim // Appl. Phys. Lett. 23, 96 (1973).
  41. B.M. Antipenko, A.L. Ashkalunin, A.A. Мак, B.V.Sinitzin, Yu. V. Tomashevitch, G.S. Shahkilimyan // Kvantyovaya electronika 7(5), 983−987 (1980).
  42. N.P. Barnes, L. Esterowitz, R. Allen // Tech. Digest Papers Conf. Lasers and Electro-Optics (OSA, Washington, D., C., 1984), WA5 (1984).
  43. R.C. Eckardt, L. Esterowitz, I.D. Abella // Digest Tech. Pap. Conf. Lasers and Electro-Optics (OSA/IEEE, Washington, D., C., 1982), 160 (1982).
  44. L. Esterowitz, R.C. Eckardt, R.E. Allen // Digest Tech. Pap. Conf. Lasers and Electro-Optics (OSA/IEEE, Washington, D., C., 1982), 160 (1982).
  45. A.A. Kaminskii, K. Kurbanov, T.V. Uvarova // Izv. Akad. Nauk SSSRNeorg. Mater. 23, 1049(1987).
  46. J.L. Doualan, R. Moncorge. Laser crystals with low phonon frequencies // Ann. Chim. Sci. Mat. 28, 5−20 (2003).
  47. A.M. Tkachuk, S.E. Ivanova, L.I. Isaenko, A.P. Yelisseyev, Steve Payne, R. Solarz, R. Page, M. Nostrand. Spectroscopic Study of the neodymium-dopedо"double potassium-lead chloride crystals KPb2Cl5: Nd // Optics and Spectroscopy 92(1), 83−94 (2002).
  48. Majid Ebrahim-Zadeh, Irina T. Sorokina. MID-INFRARED COHERENT SOURCES AND APPLICATIONS // Results of the NATO Advanced Research Workshop on Middle Infrared Coherent Sources (MICS) 2005 Barcelona, Spain. 6- 11 November 2005
  49. Т.Е. Peters and J.A. Baglio. Luminescence and Structural Properties of Thi-ogallate Phosphors. Ce and Eu ** Activated Phosphors. Part 1 // J. Electro-chem. Soc.: Solid-State Science and Technology. V. 119, No 2, p. 230−236 (1972).
  50. A.H. Георгобиани, Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев, Б. М. Иззатов. Фотолюминесценция редкоземельных элементов в соединении CaGa2S4 // Неорганические материалы, Т. 31, № 1, С. 19−22, 1995
  51. S. lida, Т. Matsumoto, N. Т. Mamedov, G. An, Y. Maruyama, A.I. Bairamov, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev and R.B. Dzhabbarov. Observation of Laser Oscillation from CaGa2S4: Eu3+ // Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36 (1997) Pt. 2, № 7 P. 857 859.
  52. H. Najafov, A. Kato, H. Toyota, K. Iwai, A. Bayramov and S lida. Effect of Ce Co — Doping on CaGa2S4: Eu Phosphor: I. Energy Transfer from Ce to Eu Ions // J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002) 1424 1430. Part 1, № ЗА.
  53. С. Guo, С. Zhang, Y. Lii, Q. Tang, and Q. Su. Luminescent properties of Eu" and Ho3+ со doped CaGa2S4 phosphor // Phys. Stat. Sol. (a) 201, № 7, P. 1588 — 1593 (2004).
  54. H.B. автореферат диссертации. Фазовое равновесие и стеклооб-разование в системах MeS-MeF2-Ga2S3 (Me = Mg, Са, Sr, Ва) // Тюмень 2006 г.
  55. N.I. Yagubov, P.G. Guliev, P.G. Rustamov, E.T. Azizov. Interaction studies in CaS-Ga2S3 systems // Mat. Res. Bull. 1990. V.25. P. 271−276.
  56. C. Komatsu, T. Takizawa. Phase diagram of the SrS Ga2S3 system and its application to the single-crystal growth of SrGa2S4 // J. Crystal Growth, Vol. 210, (2000) P. 677−682
  57. C. Komatsu-Hidaka, T. Takizawa. Phase diagram of the CaS Ga2S3 system and melt growth of CaGa2S4 single crystals // J. Crystal Growth, Vol. 222, (2001) P. 574−578.
  58. Yonggu Shim and Nazim Mamedov. Optical characterization of wide — gapbiaxial CaGa2S4 by spectroscopic ellipsometry and polarized transmission intensities// International Conference «Fizika 2005″ Baku, Azerbaijan, 7−9 june 2005 No 210, P. 800−803, 2005.
  59. B.M. Головей, В. А. Оболончик, JI.A. Иванченко, A.C. Князев, Е.И. Тро-ян. Особенности взаимодействия света с монокристаллами свинца в ИК области спектра // Тез. Докл. Всесоюзн. Конф. Материалы для оптоэлектрони-ки», г. Ужгород 1980, С. 62−63.
  60. В.М. Головей, JI.A. Иванченко, А. С. Князев, Е. И. Троян, В. А. Оболончик. Оптические свойства монокристаллов тиогаллата свинца в ИК области спектра//Укр. физ. журн., 1981, Т. 26, № 6, С. 1037.
  61. М.М Караман, В. П. Мушинский, В. М. Головей. Фотопроводимость и оптическое поглощение кристаллов PbGa2S4 // Неорг. Матер., Т. 21, № 10 С. 1791 1793 (1985).
  62. Б.Г. Тагиев, Т. С. Мамедов, С. А. Абушов, Н. Н. Наджаров, О. Б. Тагиев, Г. Б. Гамбарова. Выращивание и исследование свойств монокристаллов PbGa2S4 // X Национальная конференция по росту кристаллов. НКРК 2002, М., 24−29 ноября 2002 г. С. 242.
  63. О.В. Tagiev at el. Electric properties of PbGa2S4 single crystals // Nonerganic mat, 1999, v. 35. № 1, P. 33 35.
  64. B. Tagiev at el. Coefficient of optic absorption in PbGa2S4 single crystals // FTP, 1999 v. 33, № 1, P. 39−41.
  65. Eisenmann B, Jakowski M, Klee W, Schaefer H. // Revue de Chimie Minerale Year: 1983 Volume: 20 Pages: 255−263 List of atoms.
  66. C. Komatsu, T. Takizawa. Phase diagram of the SrS — Ga2S3 system and its application to the single-crystal growth of SrGa2S4 // J. Crystal Growth. 210, P. 677−682 (2000).
  67. C. Komatsu-Hidaka, T. Takizawa. Phase diagram of the CaS-Ga2S3 system and melt growth of CaGa2S4 single crystals // J. Crystal Growth. 222, P. 574−578 (2001).
  68. С. Hidaka, M. Goto, M. Kubo and T. Takizawa. Phase diagram of the pseudobinary systems BaS In2s3 and BaS — Ga2S311 J. Crystal Growth. 275, P. e439-e443 (2005).
  69. S. Iida, T. Matsumoto-Aoki, T. Morita, N. Mamedov, B.G. Tagiev, F.M. Ga-shimzade and K. Sato, basing possibility in rare-earth element doped thiogallate compounds // Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 39−1, P.429−433 (2000).
  70. D. J. Vaughan, J. R. Craig // Mineral chemistry of metal sulfides. Cambridge University Press. Cambridge. 1978.
  71. H. А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники. — М., «Советское радио», 1968. 268с.
  72. Э. Партэ. Некоторые главы структурной неорганической химии. М., Мир, 1993, — 144с.
  73. J. L. Shay and J. Н. Wernick. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties, and applications // Pergamon Press. Oxford. 1975. — 244p.
  74. B.H. Герасимов, E.M. Доливо Добровольская, И. Е. Каменцев и др. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов. Под. ред. В. А. Франк — Каменецкого. JL, Недра, 1975. 339 с.
  75. В.З. Анохин, Е. Г. Гончаров, Е. П. Кострюкова и др. под ред. Я. А. Угая Практикум по химии и технологии полупроводников: Учеб. Пособие для студентов вузов. М.: Высш. Школа, 1978. 191 е., ил.
  76. A. Chilouet, A. Mazurier, М. Guittard. // Mater. Res. Bull. 14, P. l 119 (1979).
  77. К.П. Методы выращивания кристаллов. JL, «Недра», 1968.
  78. Р. Ф. Стрикленд Констолбл. Кинетика и механизм кристаллизации. Пер. с англ. JL, «Недра», 1971. 412 стр.
  79. В.А. Тиллер. Основные положения теории затвердевания, В кн. Теория и практики выращивания кристаллов. Пер. с англ. М. «Металлургия». 1968 с. 294−351.
  80. А.А. Чернов, Е. И. Гиваргизов, Х. С. Багдасаров и др. Современная кристаллография. Том 3. Образование кристаллов. М. Наука, 1980.
  81. Н.Х. Абрикос, В. Ф. Банина, А. В. Порецкая, Е. В. Скоднова, С. Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М., 1. Наука", 1975 с. 1−220.
  82. Optical Shop Testing. Edited by D. Malacara. John Wiley and Sons. New York, 1978.
  83. Г. Ф. Бахшиева, Л. Н. Миронова, Ю. А. Степин. ОМТ, № 5, 33 (1973).
  84. Ю.А. Степин. Автореферат диссертации. ГОИ (1968).
  85. Ю.А. Степин. Авторское свидетельство № 228 300. Бюл. изобр., № 31,58 (1968).
  86. А.И. Александров, В. А. Никитин. УФН, том 56, 3 (1955).
  87. А. Ф. Константинова, Б. Н. Гречушников, Б. В. Бокуть, Е. Г. Валяшко. Оптические свойства кристаллов. Минск, «Наука и техника», 302с. 1995.
  88. B.R.Judd. Optical absorption intensities of rare-earth ions // Phys. Rev, 127, 750−761 (1962).
  89. G.S. Ofelt. Intensities of crystal spectra of rare-earth ions // J. Chem. Phys., 37(3), 511−520(1962).
  90. V. Badikov, D. Badikov, M. Doroshenko, V. Panyutin, V. Chizhikov, G. Shevyrdyaeva. Plumbum thiogallate optical properties. Труды ФОРА, № 12, С. 1−7, 2007.
  91. С.А., Асатрян Г. Р., Бадиков В. В., Бадиков Д. В., Храмцов В.А.
  92. Выращивание монокристаллов и ЭПР ионов Dy в PbGa2S4 // Материалы XIV Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» Краснодар, 5−11 октября 2008 г. С. 84−87.
  93. Д.В. Бадиков, В. В. Бадиков, М. Е. Дорошенко, А. А. Финтисова, В.И.3~ь з+
  94. Д. В. Бадиков. В. В. Бадиков, B.JI. Панютин, В. И. Чижиков, Г. С. Шевырдяева. Выращивание и свойства кристалла тиогаллата свинца // Наука Кубани. 2007. N1. С. 15−19.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!