Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование особенностей взаимодействия коротковолнового электромагнитного излучения с фотоионизированным полупроводником и возможности создания на их основе СВЧ фотоприемников

Диссертация: Исследование особенностей взаимодействия коротковолнового электромагнитного излучения с фотоионизированным полупроводником и возможности создания на их основе СВЧ фотоприемников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С другой стороны, в настоящее время в полупроводниковой фотометрии сложился круг проблем, принципиально неразрешимых при использовании традиционных методов измерения параметров активного полупроводникового элемента. Широко распространенные в полупроводниковой фотометрии принципы измерения параметров фотовозбужденного полупроводника на постоянном токе имеют определенные недостатки. Основное… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Методы исследования физических параметров неравновесной фотовозбужденной плазмы полупроводников с помощью микроволнового излучения
  • Постановка задачи
    • 1. 1. Взаимосвязь оптических и электрических параметров полупроводниковых материалов
    • 1. 2. Резонаторно — волноводные методы исследования плазмы полупроводников
    • 1. 3. Интерференционные методы измерения параметров полупроводников
    • 1. 4. Мостовые методы исследования свойств полупроводников
    • 1. 5. Выводы по главе 1
  • Глава 2. Взаимодействие СВЧ излучения с пространственно-неоднородной плазмой фотоионизированных носителей
  • Постановка задачи
    • 2. 1. Распределение концентрации носителей заряда фото-ионизированной плазмы в тонких полупроводниковых элементах
    • 2. 2. Электродинамика фотовозбужденной полупроводниковой плазмы
    • 2. 3. Основные закономерности отражения коротковолнового излучения фотоионизированной полупроводниковой плазмой в свободном пространстве
    • 2. 4. Выводы по главе 2

    Глава 3. Взаимодействие коротковолнового СВЧ излуче -ния с плазмой фотоионизированных полупроводников в волноведущих системах. СВЧ интерферо-метрические измерительные системы параметров оптического излучения.

    Постановка задачи.

    3.1. Взаимодействие СВЧ волн основного типа колебаний с плазмой фотоионизированных носителей, основные закономерности отражения СВЧ волны от фотовоз бужденного полупроводника.

    3.2. Устройство и принцип действия СВЧ фотоприемника.

    3.3. СВЧ интерферометрический измеритель интенсивности оптического излучения.

    3.4. Импульсные характеристики СВЧ интерферомет-рического измерителя интенсивности оптического излучения.

    3.5. Выводы по главе 3.

Исследование особенностей взаимодействия коротковолнового электромагнитного излучения с фотоионизированным полупроводником и возможности создания на их основе СВЧ фотоприемников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие исследований взаимодействия коротковолнового сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного излучения с полупроводниковой плазмой существенно расширило представление о физических явлениях, имеющих место при подобном взаимодействии. Фактически, можно говорить о создании высокоточных методов диагностики состояния неравновесной плазмы на СВЧ. Использование этих методов в различных областях физики и техники становится актуальной задачей на современном этапе развития исследований. Значительной перспективой, судя по результатам отечественных и зарубежных работ, обладает использование этих методов в полупроводниковой фотометрии для диагностики состояния фотовозбужденной плазмы и создания принципиально новых измерительных систем. Исследования в этой области стимулируют дальнейшее изучение специфики физических явлений при взаимодействии коротковолновых частот (КВЧ) поля с фотовозбужденным полупроводником.

С другой стороны, в настоящее время в полупроводниковой фотометрии сложился круг проблем, принципиально неразрешимых при использовании традиционных методов измерения параметров активного полупроводникового элемента. Широко распространенные в полупроводниковой фотометрии принципы измерения параметров фотовозбужденного полупроводника на постоянном токе имеют определенные недостатки. Основное и принципиально неустранимое ограничение по быстродействию таких традиционных фотоприемников, как фотодиоды и фотосопротивления связано с малой подвижностью ионизированных носителей. Создание больших тянущих полей в данном случае не решает проблему, поскольку при этом резко возрастают генерационно-рекомбинационные шумы и нагрев полупроводникового элемента. Другой характерный недостаток этого принципа измерений связан с ограничением чувствительности полупроводниковых фотоприемников рекомбинационными процессами — вследствие этого не все возбужденные (в зону проводимости) электроны проходят путь от «катода» к «аноду», значительная часть их рекомбинирует, что, естественно, снижает чувствительность и точность метода.

В чисто практическом плане актуальность исследований в этой области связана с развитием новых информационных систем — как для волоконно-оптических линий передачи и средств обработки информации, так и для создания нового поколения компьютеров, необходимы сверхбыстродействующие полупроводниковые измерители. Создание такого рода измерительных систем принципиально важно также для обеспечения метрики нового класса мощных импульсных источников когерентного оптического излучения и для исследования свойств веществ под действием лазерных импульсов.

К очевидным достоинствам полупроводниковых датчиков относится возможность использования при создании реальных систем обработки информации современной интегральной технологии, стабильность параметров, возможность «конструирования» полупроводниковых материалов нужного типа, высокая технологичность, что стимулирует поиск новых эффектов и явлений, способных расширить область применения полупроводниковых измерителей, сделать их пригодными для целей нанои пикосекундной фотометрии.

Одно из наиболее перспективных направлений исследований в этой области состоит в использовании эффектов взаимодействия СВЧ излучения малой мощности с фотовозбужденной (фотоионизированной) плазмой полупроводника. Основное достоинство и отличие этого явления состоит в том, что СВЧ волна «регистрирует» носители фактически в момент их возбуждения в зону проводимости. Современный уровень развития СВЧ техники миллиметрового (ММ) и субмиллиметрового (СММ) диапазонов позволяет в интервале частот 37−120 ГГц проводить подобные измерения за время не превышающее 10 рБ. Важным достоинством этого принципа измерений является объемный характер взаимодействия СВЧ поля с полупроводником. СВЧ волна отражается, фактически, от распределенной по объему полупроводника плазмы ионизированных неравновесных носителей. В данном случае слабое СВЧ излучение не оказывает влияния на характер пространственного распределения фотоионизированной плазмы, что позволяет значительно повысить точность измерений и чувствительность полупроводниковых фотоприемников. Наиболее перспективной измерительной системой является СВЧ интерферометр, отражающими зеркалами которого служат полупроводниковые вставки (фотоприемные элементы). В данном случае, как показывают теоретические и экспериментальные исследования, изменение фазы отраженной от полупроводника волны прямо пропорционально концентрации фотовозбужденных носителей.

Изучение взаимодействия электромагнитных колебаний миллиметрового и субмиллиметрового диапазона с фотовозбужденной плазмой полупроводников и полупроводниковых слоев представляет большой интерес, так как в этой области частотного диапазона возможно совпадение частот падающего излучения с характеристическими частотами (плазменной и циклотронной) магнитоактивной плазмы фотовозбужденных полупроводников, что приводит к наличию достаточно резкой дисперсии, зависящей от внешнего магнитного поля.

Благодаря многообразию физических явлений при взаимодействии СВЧ поля с полупроводником можно ожидать создания новых типов измерительных оптических систем, соединяющих в себе преимущества полупроводниковой фотометрии с новыми возможностями измерительных систем СВЧ диапазона длин волн. При этом одной из задач является интеграция в едином узле оптических и СВЧ компонентов.

В связи с этим целью диссертационной работы является теоретическое и экспериментальное исследование особенностей взаимодействия сверхвысокочастотного излучения малой мощности с фотоионизированной, магнитоактивной, пространственно-неоднородной плазмой свободных носителей заряда в тонких полупроводниковых элементах и полупроводниковых пленках и исследование возможности построения на этой основе нового класса быстродействующих СВЧ фотоприемников оптического излучения.

Для достижения поставленной цели в диссертационной работе были рассмотрены следующие теоретические и экспериментальные задачи:

1. Исследование взаимодействия и распространения коротковолнового СВЧ излучения в пространственно неоднородной, неравновесной плазме фотоионизированных носителей, изучение основных закономерностей отражения СВЧ излучения от различных полупроводниковых фотоприемных элементов.

2. Экспериментальное и теоретическое исследование резонансного отражения СВЧ излучения от фотоионизированного полупроводника в миллиметровом диапазоне, изучение влияния характеристик полупроводникового материала (подвижности и концентрации свободных носителей) на чувствительность разрабатываемых измерительных систем.

3. Разработка теории взаимодействия СВЧ поля с полупроводниковым фотоприемным элементом в специальных волноведущих системах (СВЧ интерферометрах миллиметрового диапазона).

4. Исследование и разработка элементной базы быстродействующих СВЧ фотоприемников, согласование и оптимизация электродинамической измерительной системы.

5. Разработка принципов создания быстродействующих высокочувствительных полупроводниковых фотоприемников на основе согласованных с измерительным волноведущим трактом фоточувствительных полупроводниковых элементов и полупроводниковых пленок. Построение лабораторного образца слабоохлаждаемого быстродействующего ИК — фотоприемника.

Для реализации поставленных задач проведено систематическое исследование взаимодействия коротковолнового излучения с фотовозбужденной плазмой полупроводника. Разработана общая физическая модель такого взаимодействия, основанная на решении системы электродинамических и балансных уравнений, учитывающих генерацию, рекомбинацию и диффузию носителей зарядов, а также особенности распределения неравновесной плазмы в тонком полупроводнике.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1. Разработана и проанализирована физическая модель взаимодействия слабого СВЧ излучения с фотовозбужденным полупроводником, размещенным в волноведущей системе и в свободном пространстве, рассчитаны значения фазы и модуля коэффициента отражения СВЧ волны от фотовозбужденных полупроводниковых элементов из Сс18, Сс18е и 1п8Ь.

2. Обоснована постановка задач для реализации полупроводниковых СВЧ фотоприемников, впервые экспериментально реализовано устройство измерения интенсивности оптического излучения с помощью специального СВЧ интерферометра 8-ми мм. диапазона длин волн.

3. Разработаны и исследованы характеристики СВЧ фотоприемников для ряда полупроводниковых материалов (СёБ, Сс18е, Се: Аи).

4. Предложена не имеющая аналогов методика измерения характеристик оптического излучения вблизи резонансных СВЧ частот (плазменная частота, циклотронная частота). Показано, что использование разработанных методов позволяет решать проблему создания высокочувствительных полупроводниковых приемников ИК излучения.

Практическая ценность полученных результатов заключается в обосновании возможности создания новых измерительных оптических систем, сочетающих принципы СВЧ электроники и полупроводниковой фотометрии. Разработанные автором устройства могут быть использованы для измерения с высокой точностью коротких импульсов лазерного излучения. Созданные по результатам исследований экспериментальные макеты СВЧ фотоприемников не имеют отечественных или зарубежных аналогов, конструкции разработанных устройств защищены авторскими свидетельствами на изобретение. Обоснована перспективность использования исследованных явлений и разработанных принципов для создания нового класса быстродействующих широкополосных фотоприемников, в том числе высокочувствительных фотоприемников ИК диапазона.

Научные положения и результаты, выносимые на защиту.

1 Физическая модель взаимодействия СВЧ излучения малой мощности с фотовозбужденной плазмой в тонких, с толщиной, меньшей характерной диффузионной длины, полупроводниковых элементах, описываемая системой электродинамических и балансных уравнений, включающих члены, учитывающие оптическую генерацию, рекомбинацию (в т.ч., поверхностную) и диффузию фотовозбужденных носителей заряда, позволяет установить основные закономерности взаимодействия СВЧ поля с фотоприемным полупроводниковым элементом.

2. Внешнее магнитное поле (при сос > V где сос — циклотронная частота, V — характерная частота релаксации импульса) в тонких, с толщиной, меньшей характерной диффузионной длины, полупроводниковых элементах позволяет управлять чувствительностью прибора за счет снижения темпа поверхностной рекомбинации и повышения концентрации фотоионизи-рованной плазмы в объеме полупроводника.

3. Использование эффекта плазменного резонанса в области СВЧ позволяет существенно повысить чувствительность измерения интенсивности оптического излучения. Показана возможность создания принципиально новых «высокочувствительных» полупроводниковых фотоприемников ИК излучения на эффекте плазменного резонанса в фотовозбужденной полупроводниковой плазме.

4. Впервые построен и защищен авторским свидетельством (А.С. № 1 185 259) экспериментальный образец СВЧ-интерферометрического фотоприемника на основе двойного волноводного моста, включающий малогабаритный генератор Ганна восьмимиллиметрового диапазона и специальную электронную систему стабилизации мощности на основе р-ьп диодного аттенюатора. Исследованы ряд характеристик (частотные, амплитудные) интерференционных СВЧ фотоприемников для полупроводниковых материалов (СсБ, Сс18е, ве: Аи) в диапазоне 25 — 37 ГГц.

Апробация работы и основные публикации.

Результаты работы докладывались и обсуждались на:

— Всесоюзной школе — семинаре «Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково — диэлектрическими структурами «(1988 г., г. Саратов),.

— Первой Всесоюзной конференции" Физические основы твердотельной электроники «(1989 г., г. Ленинград),.

— Международной научно — технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения «(АПЭП -94, АПЭП — 96, г. Саратов), -Семинарах кафедры физики СГТУ (1993 — 1997 гг.).

— Семинарах лаборатории физики плазмы СГУ (1987 — 1992 гг.) В целом работа доложена на научных семинарах кафедр: общая физика СГТУ, прикладная физика СГТУ.

Основные положения диссертации изложены в отчетах по двум грантам в области фундаментальных исследований, описаниях к двум изобретениям (A.C. № 1 185 259, A.C. № 1 456 903) и шести научных публикациях [7481].

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы, содержит 29 рисунков, 1 таблицу.

Основные результаты, полученные в диссертации, можно условно разделить на два основных раздела:

1. Исследование физических особенностей взаимодействия коротковолнового электромагнитного поля малой мощности с фотовозбужденной магнитоактивной плазмой тонких полупроводников.

2. Изучение возможности практического применения исследованных явлений и разработка приборной базы — быстродействующих полупроводниковых фотоприемных устройств оптического диапазона для измерения параметров оптических сигналов.

В результате выполнения диссертационной работы:

1. Проведен анализ физической модели взаимодействия коротковолнового СВЧ излучения малой мощности с фотовозбужденным магни-тоактивным полупроводником, учитывающей процессы оптической генерации, рекомбинации и диффузии носителей зарядов в полупроводнике. Рассчитаны значения фазы и модуля коэффициента отражения СВЧ волны для фотовозбужденных полупроводниковых элементов из CdS, CdSe и InSb в зависимости от интенсивности падающего на полупроводник оптического излучения, от скорости поверхностной рекомбинации полупроводника, от относительного изменения концентрации носителей зарядов при различных толщинах полупроводниковых образцов (как для СВЧ волны типа ТЕМ, так и для характерного волноводного типа колебаний Ню). Установлено, что внешнее магнитное поле (при сос > v) в тонких полупроводниках позволяет в широких пределах управлять чувствительностью прибора за счет снижения темпа поверхностной рекомбинации и повышения концентрации ионизированной плазмы в объеме полупроводника.

2. Впервые реализован метод измерения параметров оптического излучения с помощью специального СВЧ интерферометра коротковолнового диапазона длин волн (A.C. № 1 185 259). Построен СВЧ-интерферометр 8-ми мм. диапазона, предназначенный для измерения параметров фотоприемных полупроводниковых элементов, включающий малогабаритный генератор Ганна и специальную электронную систему стабилизации мощности на основе p-i-n диодного аттенюатора.

3. Разработаны и экспериментально исследованы ряд характеристик (частотные и амплитудные) СВЧ фотоприемников для широкораспространенных полупроводниковых материалов (CdS, CdSe, Ge: Au).

4. Показана возможность создания высокочувствительных фотоприемников на эффекте СВЧ плазменного резонанса ~~ 03р). Показано, что использование интерференционных СВЧ фотоприемников позволяет решать проблему создания слабоохлаждаемых полупроводниковых приемников ИК излучения.

5. Создан экспериментальный образец СВЧ — интерферомет-рического измерителя интенсивности оптического излучения, построена экспериментальная установка, позволяющая проводить измерения параметров коротких лазерных импульсов (<10 9 сек.) на основе разработанных принципов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключение сформулируем основные результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы.

В диссертационной работе проведены экспериментальные и теоретические исследования особенностей распространения и отражения слабых электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов в фотовозбужденной неравновесной магнитоактивной плазме полупроводника, разработаны СВЧ интерферометрические быстродействующие полупроводниковые измерители оптического излучения для различных фотоприемников.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Соммерс, Тейч — Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников. // ТИИЭР, 1964, Т. 52, № 2, С. 150 -159.
  2. А.Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках — Саратов, Изд. СГУ, 1984.
  3. Д.И., Кац Л.И., Малинин JT.B. Отражение электромагнитной энергии от полупроводников в миллиметровом диапазоне длин волн. // ФТП, 1968, Т. 2, № 1, С. 44−47.
  4. Lee С.Н., Vaucher A.M., Li M.C., Striffer C.D. Ultrafast Optoelectronic Devices for Millimeter Waves. — IEEE J. MTT-S., Int. Microwave Symp.Dig., Boston, Mass, N.-Y., 1983, P. 103−105.
  5. В.Ф. Основы оптоэлектроники. — Саратов, Изд. СГУ, 1980.
  6. .Д., Невгасимый А. Ф., Скорик Е.Т.- Оптоэлектрон-ные СВЧ управляющие устройства. //Изв. Вузов. Радиоэлектроника, 1978, Т.2, № 21, С. 88−91.
  7. C.B., Гладун В. В., Колесников B.C., Пирогов Ю. А. -Резонансные фотоуправляемые СВЧ устройства. X Всесоюзный научн. конгр. по электронике СВЧ, Минск, 1983, Т.2, С. 303.
  8. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. — М., «Наука», 1977.
  9. A.A.- Исследование диэлектриков на СВЧ. М.," Наука", 1963.
  10. P.A., Макаренко Б.И.- Измерения на ММ и СММ волнах. Методы и техника М.,"Радио и Связь", 1984.
  11. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводников М., «Высшая школа», 1975.
  12. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. — М., «Радио и связь», 1985.
  13. Parsons D.F., Coleman PD.- Far-infrared optical constats of gallium phosphide. //Appl. Opt., 1991, Vol.10, № 7, pp. 51−55.
  14. JI.И., Гаманюк В. В., Усанов Д. А. К вопросу об определении проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ. // «Радиотехника и электроника», 1972, Т17, № 2, 426−428.
  15. Кац Л. И. Исследование особенностей распространения электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов в магнитоактивной плазме носителей заряда в полупроводнике. — Дисс. докт. физ, — мат. наук, Саратов, 1980.
  16. Д.И., Луньков А. Б., Язиков В.Н.- Измерение модуля и фазы коэффициента отражения полупроводников в миллиметровом диапазоне длин волн. // Изв. вузов, Радиофизика, 13, 1970, № 3, С. 453 461.
  17. Э.Э. Отражение СВЧ электромагнитных волн от полупроводникового слоя. // Изв. А. Н Латв. ССР сер. физ. и техн., 1971, № 2, С. 17−24.
  18. Э.Э. Отражение СВЧ электромагнитных волн от полупроводникового слоя с диэлектрической пленкой. // Изв. А. Н. Латв. ССР сер. физ. и техн. н., 1971, № 3, С. 48−53.
  19. A.B., Пирогов Ю. А. Селин В.И. Об отражении СВЧ волны от полупроводниковой пластины конечной толщины. // Вестн. Московского университета Сер. физ. астрон., 1973, Т. 14, № 6, С. 729 733.
  20. Альтшуллер Ю. Г, Довженок А. А, Кац Л. И. Взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ с плазмой тверд, тела. // Изв. Вузов. Радиоэлектроника, 1971, Т 14, № 9, С. 82−89.
  21. Э.Э. Полупроводниковый слой в СВЧ электромагнитном поле. // Изв.А. Н. Латв. ССР, 1972, № 2, С 39−43.
  22. В.Ф., Скурлов В. М. Измерение диэлектрической проницаемости листовых диэлектриков в мм. диапазоне волн. // Ра-диот. респ. межв. темат. н. техн. сборник, 1974, Вып 29, С. 123−128.
  23. Ю.Ф. Отражение электромагнитных волн конечной амплитуды от полупроводниковой плазмы. // ЖТФ, 1974, Т44, № 3, С950−955.
  24. В.М. Фотопроводимость германия n-типа в мм.диапазоне волн. // ФТП, 1972, Т 6, № 11, С 2272—2274.
  25. B.C., Кузнецов В. Б., Рубинович Н. М. Зависимость коэффициентов прохождения и отражения СВЧ волны от проводимости полупроводниковой пластины. — Томск, 1974. // Рукопись деп. по решению редколлегии журн. «Изв. вузов. Физика № 1035−74 Деп.
  26. A.B., Пирогов Ю. А. Отражение СВЧ сигнала от полупроводниковой пластины конечной толщины. //Вестник МГУ, Сер. физ. астр. 1972, Т.12, С. 573−576.
  27. .Н., Арамян К. С. Высокочастотная проводимость пленок с различными поверхностями. // Изв.вузов. Физика, 1980, Т.23, № 7, С.88−92.
  28. Ю.И.- К теории электропроводимости приповерхностных слоев объемного заряда в полупроводниках. // УФЖ, 1967, Т. 12, № 7, С.1144−1151.
  29. И.П., Шугуров В. К. Определение коэффициента отражения и диэлектрической проницаемости тонких диэлектрических образцов диэлектриков и полупроводников на СВЧ. // Изв. вузов. Радиофизика, 1969, Т. 12, № 2, С 307 -312.
  30. Шик А. Я. Рекомбинация неравновесных носителей и фотопроводимость в неоднородном полупроводнике. // ФТП, 1975, Т. 9, № 11, С. 2129 -2134.
  31. JI.H. Измерение комплексной проводимости полупроводников на СВЧ.//ПТЭ, 1971, № 4, С. 157−160.
  32. Е.З. Фотодиэлектрический эффект и отрицательная фотопроводимость в германии на частоте 1010 Гц. // ФТТ, 1966, Т.8, Вып .2, С. 541 -545.
  33. В.Г. Пороговая чувствительность фотопроводников с СВЧ смещением. // ФТП, 1975 г., Т.9, № 8, С.1629−1632.
  34. Э.М., Дерябкин В. Н., Скачков М. П. Простой метод регистрации фотопроводимости на СВЧ. // ПТЭ, 1976, № 3, С. 227−229.
  35. В. Г., Курбатов JI.H. Регистрация фотопроводимости PbS по поглощению микрорадиоволн. Фотоэлектрические и оптические явления в полупроводниках. Фотоэлектрические и оптические явления в полупроводниках, — Изд. АН УССР, Киев, 1959, С. 213.
  36. Е.З. Определение параметров уровней прилипания и рекомбинации в Сс18. // ФТТ, 1965, Т. 7, В. 5, С. 1529−1534.
  37. Г. С. Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников. // ТИИЭР, 1963, Т. 51, № 1, С. 179−185.
  38. Брэнд и др. Детектирование излучения оптического квантового генератора посредством поглощения СВЧ в полупроводниках. // ТИИЭР, 1963, Т.51, № 4, С. 637−638.
  39. Д., Свелто О. Фотодетектирование с помощью приборов на основе твердого тела: сравнение фотодиодов и фотосопротивлений. // ТИИЭР, 1964, Т. 52, № 2, С. 142−149.
  40. Г. В. Измерение показателя преломления диэлектриков в мм. диапазоне волн. //ПТЭ, 1971, № 41, С. 152−154.
  41. В.И., Крафтмахер Г.А, Мериакри В. В, Ушаткин Е. Ф. Исследование твердых материалов в субмм. диапазоне волн. // ПТЭ, 1971, № 4, С.150−157.
  42. В.В., Копнин А. Н., Крафтмахер Г. А. Субмиллиметровая лучеводная спектроскопия и ее применения, — В кн.: Проблемы современной радиотехники и электроники. — М., „Наука“, 1980, С. 186 231.
  43. Л.А. СВЧ — интерферометры для измерения плотности плазмы в импульсном газовом разряде. — М.,"Атомиздат», 1973.
  44. Электроника. Энциклопедический словарь. М., «Советская энциклопедия», 1997, С. 611.
  45. Аболтинь Э. Э Полупроводник в СВЧ и постоянном магнитном полях. // Изв. А. Н. Латв. ССР сер. физ. и техн.н., 1972, № 5, С. 7383.
  46. Е.И. Исследование циклотронного резонанса в полупроводниках в мм. диапазоне волн. // Тр.моск. энерг. инст., 1972, № 108, С.48−51.
  47. B.JI. Осцилляция проводимости металлических пленок в магнитном поле. //ЖЭТФ, 1958, Т.35, Вып. 3, С. 668−677.
  48. Чен Ф. Введение в физику плазмы — М.," Мир", 1987.
  49. Г. И., Козарь A.C., Пирогов Ю. А. Сандалов А.И. СВЧ — отклик двойного волноводного Т — моста на изменение толщины и проводимости полупроводникового слоя. // «Вестник Московского университета», 1974, № 2, С. 227−229.
  50. A.B., Пирогов Ю. А. Отражение СВЧ сигнала от полупроводниковой пластины конечной толщины. // «Вестник Московского университета сер. физ. астрон.» 1972, Т. 13, № 5, С. 574−586.
  51. Р. Полупроводники. — М., «Мир», 1982.
  52. B.JI. Распространение электромагнитных волн в плазме. — М., «Наука», 1967.
  53. М.Б., Руденко О. В., Сухоруков А. П. Теория волн.-М" «Наука», 1979.
  54. Г. Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. // Журнал «Труды ФИ-АН», т.128, 1981, С. 3−64.
  55. .Т., Гуревич Ю. Г. Физика фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. — Харьков, ХГУ, 1992.
  56. С.П. Физика полупроводников. — М., «Высшая школа», 1975.
  57. И.В. Техника и приборы СВЧ. — М., «Высшая школа», 1970.
  58. B.C., Галкин Г. Н., Епифанов М. С. Фотовозбужденная электронно — дырочная плазма в полупроводниках. — Лит. физ. сб., 1981, т.21, № 4, С. 57−71.
  59. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. — М., «Мир», 1984, т.2, С. 456.
  60. Г. Измерение лазерных параметров. — М., «Мир», 1970 .
  61. М., Вюраль Б. Взаимодействие волн в плазме твердого тела. — М., «Атомиздат», 1973.
  62. В.Г., Курбатов Л. Н. Электропроводность и диэлектрическая проницаемость слоев сульфида свинца при частоте 1010 Гц., // Физика твердого тела, сб. статей, т.1, М-Л, Изд. АН СССР, 1959, С. 133 -137.
  63. Е.З. Измерение фотопроводимости полупроводников на СВЧ. // Изв. вузов. Физика, 1966, № 3, С. 83 — 87.
  64. A.B., Ланская О. Г., Лиленко Ю. В., Петров А.С.-Пороговая чувствительность фоторезисторного приемника с СВЧ смещением на основе Ge: Au на X = 10,6 мкм. // Изв. вузов. Физика, 1974, № 6, С. 124−126.
  65. В.В., Войцеховский A.B., Лиленко Ю. В., Ланская О. Г., Петров A.C. Фоторезисторный приемник с СВЧ — смещением на основе примесных полупроводниковых материалов. // Радиотехника и электроника, том XXIV, вып. 5, С. 1024−1030.
  66. Eddols D.V., Knibb F.F. Q band microwave — biased photocon-ductor detector. Electronic Letters, 1968, 4, VIII, № 16, 337.
  67. Г. С., Тейч В. Б. Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников.4.II. // ТИИЭР, 1964, 52, № 2, 150.
  68. Г. С., Гетчелл Е. К. Демодуляция широкополосных слабых оптических сигналов при помощи полупроводников. Ч.Ш.// ТИИЭРД966, 54, № 11,58.
  69. A.C., Тюльков Г. И. Высокочувствительный и малоинерционный фоторезисторный детектор света с СВЧ смещением, в сб. «Проблемы передачи информации лазерным излучением» (тез. докл.), 1968, Киев, С. 46.
  70. Bass J.С., Eddols D.V., Knibb F.F. Microwave biased photode-tector System with an Integral Qunn Effect Oscillator, Electronic Letters, 1968, 4, X, № 20, 429.
  71. Кац JI.И., Альтшуллер Е. Ю., Чупис В. Н. Отражение электромагнитной волны от тонкой полупроводниковой пластины с управляемой ударной ионизацией концентрационной неоднородностью свободных носителей. // «Радиотехника и электроника», 1992, Т37, № 3, 560−566.
  72. В.Н. Исследование эффектов взаимодействия сильного сверхвысокочастотного излучения с ударно-ионизированной магнитоак-тивной плазмой в ограниченных полупроводниках и полупроводниковых пленках. — Дисс. докт. физ.- мат. наук, Саратов, 1996 г.
  73. Кац Л.И., Царев В. П., Чупис В.Н.- Измеритель интенсивности оптического излучения. // Авторское свидетельство № 1 185 259 СССР. Опубл. в Б.И., 1985, № 38, С. 169.
  74. В.П., Чупис В. Н. Измеритель СВЧ мощности. // Авторское свидетельство № 1 456 903 СССР. Опубл. в Б.И., 1989, № 5, С. 181.
  75. В.П., Чупис В. Н. Быстродействующий СВЧ интерферометр для измерения параметров оптического излучения. // Труды международной научно — технической конференции: Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП — 94., Саратов, 1994 г., С. 98−99.
  76. В.П., Чупис В. Н. Сверхбыстродействующие полупроводниковые фотоприемники на основе эффектов взаимодействия СВЧ излучения с фотовозбужденной плазмой в полупроводниках. // Научно -техн. сб. «Оборонная техника М., 1996 г., № 3, С. 35 -38.
  77. В.П., Антонов В. В., Иванов C.B., Чупис В. Н. Сверхбыстродействующие фотоприемники на основе эффектов взаимодействия микроволнового электромагнитного излучения с фотовозбужденной плазмой в полупроводниках. // ЖТФ, 1998 г., т.68, № 11, С. 94−98.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!