Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Магнитные и электрические свойства кристаллов Fe1-xCoxSi

Диссертация: Магнитные и электрические свойства кристаллов Fe1-xCoxSi
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основании полученных экспериментальных результатов было установлено, что влияние примесных ионов кобальта в кристалле FeSi приводит к модификации магнитных и электрических свойств. Обнаружено, что при введении примесных ионов кобальта в малых количествах качественный характер температурного поведения магнитной восприимчивости практически не меняется. Однако абсолютная величина % f растет… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИСТЕМЫ ЕеьхСох8!
    • 1. 1. Структурные свойства Ре 1 хСох
    • 1. 2. Магнитотранспортные свойства Ре1. хСох
    • 1. 3. Особенности магнитосопротивления Ре1хСох
    • 1. 4. Зависимость сопротивления Ре1хСох81 от давления
    • 1. 5. Аномальный эффект Холла
    • 1. 6. Коэффициент Зеебека
    • 1. 7. Описание магнитных свойств Ре^Со^ с помощью модели Ы) А+БМРТ
    • 1. 8. Постановка задач
  • Глава 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ Ее,.хСох
    • 2. 1. Методики получения кристаллов
      • 2. 1. 1. Метод газового транспорта
      • 2. 1. 2. Описание установки для роста монокристаллов
      • 2. 1. 3. Приготовление поликристаллических образцов
    • 2. 2. Определение структуры и количественный анализ образцов
      • 2. 2. 1. Полуколичественный метод определения состава вещества
      • 2. 2. 2. Рентгенофазовый анализ исследуемых образцов
    • 2. 3. Магнитометрические методы
      • 2. 3. 1. Физические основы квантовой магнитометрии
      • 2. 3. 2. Исследование магнитных характеристик при помощи СКВИД-магнитометра
      • 2. 3. 3. Система стабилизации параметров механических колебаний образца в высокотемпературном вибрационном магнитометре
    • 2. 4. Четырехзондовый метод измерения сопротивления
  • Выводы
  • Глава 3. СТРУКТУРА И СОСТАВ ПОЛИ- И
  • МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ Же^Со^
    • 3. 1. Спектры рентгеновской дифракции
    • 3. 2. Состав образцов
  • Выводы
  • Глава 4. МАГНИТНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Ге1хСох
    • 4. 1. Результаты магнитометрических исследований
    • 4. 2. Обсуждение результатов магнитостатических исследований
    • 4. 3. Электрические свойства кристаллов
  • Выводы

Магнитные и электрические свойства кристаллов Fe1-xCoxSi (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность.

На протяжении нескольких десятков лет фундаментом информационных технологий служила полупроводниковая электроника, основанная на операциях с электрическими зарядами электронов. Но улучшать характеристики полупроводниковых интегральных схем с каждым годом становится все труднее и труднее. «Зарядовая электроника» почти исчерпала свои ресурсы. Одной из возможных альтернатив является «спиновая электроника» — спинтроника, в которой функции зарядов выполняют электронные спины.

Впервые термин «спинтроника» был использован в совместном сообщении знаменитых Лабораторий Белла (Bell Labs) и ученых Йельского университета, которое датировано 30.07.1998. Специалисты выделяют три главных направления ее развития: квантовый компьютер, спиновый полевой транзистор и спиновая память.

Остановимся подробнее на спиновом полевом транзисторе SFET (spin field-effect transistor) [1]. Первые попытки создания спинового транзистора, в котором в качестве инжектора спинов использовались ферромагнитные контакты из железа, никеля и кобальта, потерпели крах. Все дело в том, что такой способ «впрыска» спинов через границу ферромагнитный металл/полупроводник малоэффективен (число поляризованных спинов всего около 1%) из-за большого различия в их проводимостях. Исследователями был предложен еще один вариант: нужно создавать новый класс материалов — магнитные полупроводники, которые, с одной стороны, были бы источниками спин-поляризованных электронов (спины выстроены в выбранном направлении), а с другой — легко интегрировались с традиционными полупроводниковыми устройствами. На текущий момент такие магнитные полупроводники уже существуют, например, GaMnAs и CdixMnxGeP2, на их основе осуществляются попытки создания спиновых устройств [2]. Как только будет налажено промышленное производство спиновых транзисторов, сразу же возрастет быстродействие, уменьшится энергопотребление и тепловыделение построенных на их основе микропроцессоров (которые, возможно, к тому времени назовут нанопроцессорами).

Также особый интерес проявляют к моносилицидам переходных металлов (М=Сг, Мп, Бе, Со, Ре^Со*) со структурой В20. Такие моносилициды обладают рядом интересных магнитных и транспортных свойств [3]. СгБ1 и Со81 являются парамагнетиком и диамагнетиком, соответственно. Мп81 давно известен как ферромагнетик с коллективизированными электронами. Если более точно, то взаимодействие Дзялошинского-Мория в кристаллической структуре В20 с нарушенной инверсионной симметрией создает спиновые моменты из-за скоса моментов ближайших соседей в Мп8Ь В результате МпБ! показывает дальнодействующую (=18 нм) геликоидальную спиновую структуру в отсутствии магнитного поля [4]. Ре81 — кубический узкозонный полупроводник (пространственная группа Р2]3). Особо острый интерес к нему стали проявлять в последнем десятилетии в большей степени из-за его сходства с редкоземельными узкозонными интерметаллическими соединениями, более известные как «изоляторы Кондо». Такое сравнение дает возможность изучения сложных многочастичных явлений, связанных с эффектом Кондо. Номинально чистые кристаллы моносилицида железа (Ре81), обладающие рядом уникальных свойств, характеризуются необычным поведением магнитной восприимчивости, тепловыми и электрическими параметрами. Так при повышении температуры удельное сопротивление (р) сначала монотонно уменьшается примерно в 4 раза, достигая минимума в районе Т ~ 300 К, а далее с ростом температуры медленно повышается. По этому признаку кристаллы Ре81 относят либо к классу Кондо соединений [5], либо к материалу, показывающему переход полупроводник-металл. Магнитная восприимчивость (х ~ Ю 4 Д° Ю 6 ети/^-Ое) при повышении температуры до Т = 90 К сначала уменьшается, а затем значительно увеличивается, достигая максимума при Т = 500 К [6].

Изоструктурной копией FeSi является CoSi — диамагнитный полуметалл с независимой от температуры восприимчивостью. Существующие единичные эксперименты показывают, что введение ионов Со в матрицу FeSi приводит к кардинальному изменению магнитных свойств [7]. Сплавы системы Fej. xCoxSi отличаются также тем, что они магнитны почти для всех промежуточных концентраций, в то время как FeSi и CoSi немагнитные, последний и вовсе является диамагнитным полуметаллом. В литературе, посвященной FeixCoxSi, имеется ряд работ, связанных с различными интерпретациями и моделями для объяснения необычных магнитных свойств кристалла FeixCoxSi, однако до настоящего времени для описания всего набора физических свойств нет устоявшейся и общепринятой картины [8,9,10].

Целью данной работы является выяснение механизмов, отвечающих за формирование магнитного состояния и исследование магнитных и электрических свойств кристаллов FeixCoxSi.

Для выполнения поставленной задачи необходимо было выполнить следующие этапы работы:

1) Приготовить образцы FeixCoxSi с содержанием кобальта до 1%;

2) Паспортизация образцов;

3) Исследовать магнитные и электрические характеристики полученных образцов;

Далее, в гл. 1 описывается современное состояние исследования систем FeixCoxSi. В целом, глава 1 обосновывает актуальность поставленной задачи и выбор методик получения образцов. В главе 2 описываются технологии, использованные при приготовлении образцов для исследования, а также используемые в работе экспериментальные методы. Глава 3 содержит результаты структурных исследований, а глава 4 — результаты изучения магнитных и электрических свойств образцов с обсуждением. Диссертация подытоживается краткими выводами.

Основные научные результаты диссертационной работы.

1. По стандартной сплавной технологии были синтезированы поликристаллические образцы Ре1хСох81 с х = 0.001, 0.005, 0.01. В данном соединении (Ре1.хСох81) при изменении концентрации кобальта кристаллическая структура остается неизменной.

2. На основании исследований магнитных и электрических свойств поликристаллов с различным содержанием кобальта экспериментально показано, что при введении ионов кобальта в малых количествах качественный характер температурного поведения магнитной восприимчивости не меняется, однако происходит возрастание абсолютной величины магнитной восприимчивости. Из экспериментальных результатов также выявлено, что при введении кобальта в матрицу Бе81 удельное электрическое сопротивления уменьшается.

3. Установлено, что увеличение магнитной восприимчивости в кристаллах Ре1хСох81 связано с образованием Ре-Со комплексов, при этом суммарный магнитный момент содержит два вклада: вклад системы суперпарамагнитных железных кластеров, вклад от комплексов, содержащих ионы кобальта.

4. Поведение электрофизических свойств Ре1хСох81 во многом аналогично поведению Кондо системы. В случае легирования кристаллов Ре81 появляется дополнительный канал рассеивания на комплексах, содержащих кобальт. Определены температуры? * при которых взаимодействия между магнитными примесями становятся существенными.

5. Определено, что зависимость электросопротивления от магнитного поля имеет квадратичный характер, что согласуется с механизмом рассеивания Кондо.

6. Модернизирован высокотемпературный вибрационный магнитометр. Изготовлен источник питания для электромагнита ФЛ-1. Максимальное достижимое магнитное поле 14 кЭ.

Публикации:

По данным диссертационной работы опубликованы четыре статьи в центральной научной печати.

1. Д. А. Великанов, Г. Ю. Юркин Повышение точности прямых измерений на вибрационном магнитометре // Вестник КГУ (Физ.-мат. науки). -2006. -b39.-C.48—53.

2. Д. А. Великанов, Г. Ю. Юркин, Г. С. Патрин Стабилизация параметров механических колебания образца в вибрационном магнитометре // Научное приборостроение.-2008,-т. 18, -вЗ, -С.86—94.

3. Г. С. Патрин, В. В. Белецкий, Д. А. Великанов, Н. В. Волков, Г. Ю. Юркин Влияние примесных ионов кобальта на магнитные и электрические свойства кристаллов моносилицида железа // ЖЭТФ. -2011, -т.139, -в2, -С.351−358.

4. G.Yu. Yurkin, G.S. Patrin, V.V. Beletsky, D.A. Velikanov Transport properties of FeSi with cobalt impurities // Solid State Phenomenon, Vols. 168−169,-2011, pp 493−496.

Апробация.

1. Великанов Д. А., Юркин Г. Ю. Магнитные свойства поликристаллов Fei. xCoxSi // ВНКСФ-2008, Сборник докладов, 2008 г.

2. Yurkin G., Patrin G., Velikanov D. Magnetic properties of Fe^CoxSi // MISM-2008 Abstracts, 2008 г., -С. 145.

3. Patrin G.S., Beletsky V.V., Velikanov D.A., Yurkin G. Yu Influence of low concentrations Co impurity on magnetic and electric properties in FeSi crystals // The International Conference on Magnetism — ICM 2009, Germany, 2009, -C.347.

4. G S Patrin, V V Beletsky, D A Velikanov and G Yu Yurkin Magnetic properties of FeSi with cobalt impuritie // Journal of Physics: Conference Series 200, 2010, 62 021.

5. Г. С. Патрин, B.B. Белецкий, Д. А. Великанов, Г. Ю. Юркин Магнитные свойства кристаллов FeSi, легированных ионами кобальта // Сборник трудов 21 Международной конференции НМММ-2009, 28 июня — 4 июля 2009 г., Москва, -С.56.

6. Г. С. Патрин, В. В. Белецкий, A.M. Воротынов, Г. Ю. Юркин Магниторезонансные свойства кристаллов моносилицида железа //35 Совещание по физике низких температур (НТ-35), Тезисы докладов 29 сентября — 2 октября 2009 г., Черноголовка.

7. G.S. Patrin, G.Yu. Yurkin, V.V. Beletsky, N.V. Volkov, D.A. Velikanov Physical properties of FeSi crystals with low concentration of Co dopant // EASTMAG-2010, -C.381.

8. G.S. Patrin, G.Yu. Yurkin, V.V. Beletsky, N.V. Volkov, D.A. Velikanov Doping dependence of magnetic and electrical properties in FeixCoxSi // JEMS2010.

Структура диссертации.

В первом разделе проведен обзор теоретических и экспериментальных работ, в которых исследуются физические свойства системы FeixCoxSi. Магнитные и электрические свойства данной системы изучаются как на основе модели Кондо, так и на основе перехода полупроводник-металл. В конце литературного обзора дана постановка задачи. Во втором разделе приведены методики синтеза кристаллов FeixCoxSi, а также использованные методы определения структуры образцов и их количественного состава. Далее в разделе описана экспериментальная методика измерения транспортных характеристик FeixCoxSi, основанная на стандартном 4-х зондовом методе. Так же описаны методы измерения намагниченности в различных температурных диапазонах на СКВИД-магнитометре и высокотемпературном вибрационном магнетометре.

В третьем разделе приведены результаты экспериментального исследования структуры синтезированных образцов и их количественного состава. Представлены спектры рентгеновской дифракции и данные по концентрации элементов, входящих в состав Ре|хСох8ь.

Четвертый раздел включает результаты исследования электрических и магнитных свойств кристаллов в различных магнитных поля при различных температурах. Показано качественное и количественное влияние примеси ионов кобальта в Ре1хСох81 на магнитные и электрические свойства.

В заключении сформулированы основные выводы данной работы. Таким образом, работа состоит из четырех основных разделов, а так же введения и заключения. Содержит 40 рисунков, 73 библиографических ссылок и занимает объем 108 страницу печатного текста. и.

Выводы диссертационной работы:

1. Синтезированы кристаллы Ре1хСох81 с х = 0.001, 0.005, 0.01. В данном соединении при изменении концентрации примеси кобальта х кристаллическая структура остается неизменной. Кобальт растворен в матрице ГеБь.

2. На базе лабораторного магнита ФЛ-1 создан высокотемпературный вибрационный магнитометр оснащенный системой стабилизации параметров механических колебаний образца. Эта система является оригинальной разработкой.

3. На основании исследований магнитных свойств полученных кристаллов с различным содержанием кобальта экспериментально показано, что качественный характер поведения магнитной восприимчивости не меняется. Однако абсолютная величина % растет с увеличением концентрации ионов кобальта.

4. Показано, что низкотемпературное поведение ч магнитной восприимчивости объясняется существованием суперарамагнитных кластеров железа и образованием Бе-Со комплексов. Высокотемпературное поведение связано с уменьшением энергетического зазора, разделяющего состояния железа её и при легировании.

5. Установлено, что магнитотранспортные свойства удовлетворительно описываются в рамках модели Кондо. В соответствии с примесным механизмом рассеяния Кондо на полученной экспериментальной кривой р (Т) присутствует минимум электросопротивления, зависимость р (Н) имеет квадратичный характер. Имеет место температура «замерзания» спинов.

6. Наличие Со-подсистемы в Ре81 приводит к возникновению спин-зависимого канала в рассеяние электронов проводимости. Увеличение концентрации кобальта приводит к подавлению магнитозависимого вклада и переходу к металлическому типу проводимости.

Заключение

.

В ходе работы синтезированы кристаллы FeixCoxSi с х = 0.001, 0.005, 0.01. По результатам рентгенографических исследований установлено, что все образцы являются однофазными и имеют структуру номинально чистого FeSi. Фазовый анализ показал, что содержание железа, кремния и кобальта имеет отклонение не более 5% от расчетного.

На полученных кристаллах выполнены магнитные и транспортные измерения. Для каждого образца получены зависимости %(Т), а (Н), р (Т), р (Н). Использованный диапазон температур от 4.2 до 1000 К. Диапазон магнитных полей от 0 до 20 кЭ для магнитных измерений и от 0 до 90 кЭ — для транспортных.

На основании полученных экспериментальных результатов было установлено, что влияние примесных ионов кобальта в кристалле FeSi приводит к модификации магнитных и электрических свойств. Обнаружено, что при введении примесных ионов кобальта в малых количествах качественный характер температурного поведения магнитной восприимчивости практически не меняется. Однако абсолютная величина % f растет с увеличением концентрации ионов кобальта. При этом наблюдаемый рост восприимчивости различен в низкотемпературной и высокотемпературной областях. Величина высокотемпературного максимума при увеличении концентрации примесей растет сильнее, чем величина восприимчивости в низкотемпературной области и заметно больше, чем у номинально чистого кристалла. При исследованных концентрациях зависимость М (Н) имеет практически линейный вид, показывая при обращении магнитного поля слабый гистерезис, ширина которого увеличивается по мере увеличения концентрации примесей. Тангенс угла наклона кривых намагничивания растет с увеличением концентрации.

Низкотемпературные особенности поведения магнитной восприимчивости объясняются существованием суперпарамагнитных кластеров железа и образованием Fe-Co комплексов. Выполнена подгонка низкотемпературной части экспериментальных кривых намагниченности, получено удовлетворительное согласие. Магнитный момент на ионе Со возникает из-за изменения энергетической структуры, вследствие относительного сдвига подзон со спинами «вверх» и «вниз».

Магнитотранспортные свойства удовлетворительно описываются в рамках модели Кондо. В кристаллах Ре1хСох81 возникают дополнительные Со-содержащие магнитные рассеивающие комплексы. Магнитного порядка в кристалле еще не возникает, тем не менее, наряду с увеличением концентрации электронов проводимости, уменьшается расстояние между различными магнитными образованиями, и возникают дополнительные корреляции, т. е. магнитные взаимодействия становятся сильнее. Это приводит к тому, что температура «замерзания» спинов повышается при увеличении содержания ионов кобальта, что и наблюдается экспериментально.

Наличие Со-подсистемы приводит к возникновению спин-зависимого канала в рассеянии электронов проводимости. Увеличение концентрации кобальта приводит к подавлению магнитозависимого вклада и повышению температуры «замерзания» спинов. В соответствии с механизмом рассеяния Кондо зависимость электросопротивления от магнитного поля имеет квадратичный характер, причем имеет место уменьшение р. В данном случае отношение линейного члена к квадратичному уменьшается примерно в 5 раз. Из наличия в полевых зависимостях электросопротивления линейного члена следует, что имеются признаки образования магнитоупорядоченных микрообластей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. S. Datta and В. Das. Electronic analog of the electrooptic modulator// Appl. Phys. Lett. (USA) Vol. 56. — 1990. — P. 665−667
  2. H. Ohno. Making nonmagnetic semiconductors ferromagnetic// Science Vol. 281. — 1998.-P. 951
  3. D. Shinoda and S. Asanabe. Magnetic Properties of Silicides of Iron Group Transition Elements//.!. Phys. Soc. Jpn. -Vol. 21.-1966. -P.555
  4. Y. Ishikawa, K. Tajima, D. Bloch, and M. Roth. Helical spin structure in manganese silicide MnSi// Sol. St. Com. -Vol.19. -1976. -P. 525
  5. Мотт Н.Ф.// Переходы металл — изолятор. -M.: Наука, 1979.
  6. М. A. Chernikov, L. Degiorgi, Е. Felder, S. Paschen et al. Low-temperature transport, optical, magnetic and thermodynamic properties of FeixCoxSi// Phys. Rev. B. -Vol. 56. — 1997.-P. 1366−1375
  7. S. Asanabe, D. Shinoda, Y. Sasaki. Semimetallic properties of Coi. xFexSi solid solution//. Phys. Rev. Vol. 134. — 1964. — PP. 774−779
  8. M. K. Chattopadhyay, S. B. Roy and Sujeet Chaudhary. Magnetic response of Fei xCoxSi alloys: A detailed study of magnetization and magnetoresistance// Phys. .Rev. В — Vol. 66. -2002. -P. 174 421
  9. Y. Onose, N. Takeshita, C. Terakura et al. Doping dependence of transport properties in Fei. xCoxSi// Phys. Rev. В -Vol. 72. -2005. -P. 224 431
  10. Hu Zhi-Hui, He Wei, Sun Young. First principles study on the electronic structure and magnetism of Fe,.xCoxSi alloys// Chin. Phys. Soc. -Vol. 16. -2007. -P3863
  11. Y. Tokura. Colossal Magnetoresistive Oxides, Gordon and Breach, New York, 1999
  12. N. Manyala, Y. Slides, J.F. Ditusa et al. Magnetoresistance from quantum interference effect in ferromagnets// Nature (London). -Vol.404. -2000. -P. 581
  13. Лякишев Н.П.// Диаграммы состояния двойных металлических систем. -М.: Машиностроение, 1997
  14. J. Beille, J. Voiron, F. Towfiq, M. Roth and Z. Y. Zhan Helimagnetic structure of the FexCoi. xSi alloys// J. Phys. F: Met. Phys. -Vol. 11. -1981. -P2153
  15. J.H. Wernick, G.K. Wertheim, R.C. Sherwood Magnetic behavior of the monosilicides of the 3d-transition elements// Mater. Res. Bull. -Vol. 7. -1972. -P1431
  16. J. Guevara, V. Vildosola, J. Milano, and A Llois Half-metallic character and electronic properties of inverse magnetoresistant Fel-xCoxSi alloys// Phys. Rev. В —Vol. 69. — 2004. -P.184 422
  17. M. Kataoka and O. Nakanishi Helical Spin Density Wave Due to Antisymmetric Exchange Interaction// J. Phys. Soc. Jpn. -Vol. 50 -1981. p. 3888
  18. J. Beille, J. Voiron, M. Roth Long period helimagnetism in the cubic B20 FexCoi-xSi and CoxMm-x Si alloys// Sol. St. Com. -Vol.47. -1983. -P. 399
  19. M. K. Chattopadhyay, S. B. Roy, S. Chaudhary and K. J. Singh Magnetic response of Fei. xCoxSi alloys: A detailed study of magnetization and magnetoresistance// Phys. Rev. B -Vol. 66. -2002. -P. 174 421
  20. Y. Taguchi, Y. Tokura Magnetotransport phenomena in a metallic ferromagnet on the verge of Mott transition: Sm2Mo207// Phys. Rev. B -Vol. 60. -1999. -P. 10 280
  21. C. Pfleiderer, S.R.Julian, G.G. Lonzarich Non-Fermi-liquid nature of the normal state of itinerant-electron ferromagnets//Nature (London). -Vol.414. -2001. -P. 427
  22. N. Doiron-Leyraud, I.R. Walker, L. Taillefer Fermi-liquid breakdown in the paramagnetic phase of a pure metal// Nature (London). -Vol.425. -2003. -P. 595
  23. N. Manyala, Y. Slides, J. F. Ditusa, G. Aeppli Large anomalous Hall effect in a silicon-based magnetic semiconductor//Nature Mater. -Vol.427. -2004. -P. 255
  24. Zhong Fang, Naoto Nagaosa, Kci S. Takahashi The Anomalous Hall Effect and Magnetic Monopoles in Momentum Space// Science. -Vol.302. -2003. -P. 92
  25. R. Kaplus and J. M. Luttinger Hall Effect in Ferromagnetics// Phys. Rev. -Vol. 95. -1954.-P. 1154
  26. R. Mathieu, A. Asamitsu, H. Yamada et al. Hysteretic current-voltage characteristics and resistance switching at an epitaxial oxide Schottky junction SrRuO// Phys. Rev. Lett. — Vol. 93. -2004. -P.54
  27. J. M. Ziman, Principle of the Theory of Solids// Cambridge University Press, Cambridge, England, 1964
  28. V.V. Mazurenko, A.O. Shorikov, A.V. Lukoyanov et al. Metal-insulator transitions and magnetism in correlated band insulators: FeSi and Fei-xCo^Si// Phys. Rev. B —Vol. 81. — 2010. -P.125 131
  29. J. Guevara, V. Vildosola, J. Milano, and A. M. Llois Half-metallic character and electronic properties of inverse magnetoresistant Fei-xCoxSi alloys// Phys. Rev. B -Vol. 69.-2004.-P. 184 422
  30. M. P. J. Punkkinen, K. Kokko, M. Ropo et al Magnetism of (FeCo)Si alloys: Extreme sensitivity on crystal structure// Phys. Rev. B -Vol. 73. -2006. -P.24 426
  31. Jacques Ouvrard, Roland Wandji, Bernard Roques //Journal of Crystal Growth N13. 1972. P.406−409
  32. Д.А., Юркин Г. Ю. Повышение точности прямых измерений на вибрационном магнитометре. Вестник Красноярского государственного университета (Физико-математические науки), 2006 г., № 39, -С.48—53.
  33. Д. А. Великанов, Г. Ю. Юркин, Г. С. Патрин Стабилизация параметров механических колебания образца в вибрационном магнитометре, Научное приборостроение, 2008, том 18, № 3, -С. 86−94
  34. Poulopoulos P., Baberschke К. Magnetism in Thin Films // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V 11, N 48. P. 9495−9515.
  35. Г. С., Белецкий В. В., Великанов Д. А. и др. Нестехиометрия и низкотемпературные магнитные свойства кристаллов FeSi // ФТТ. 2006. Т. 48, №. 4. С. 658−662.
  36. Foner S. Versatile and Sensitive Vibrating- Sample Magnetometer // Rev. Sei. Instr. 1959. V 30, N7. P. 548−557.
  37. JI.А., Стариков M.A. Вибрационный магнитометр с компенсирующей катушкой // Работы по физике твердого тела (Сборник). Новосибирск: Наука, 1967. С. 191−202.
  38. A.M. Установка с вибрационным магнитометром для определения статических характеристик ферроматериалов // Измерительная техника. 1967, № 10. С. 53−57.
  39. K.M., Веселаго В. Г. Простой вибрационный магнитометр для исследования ферромагнетиков // ПТЭ. 1975. № 4. С. 189−191.
  40. Г. П., Соколов Б. Ю. Регистрирующая схема для автокомпенсационного вибромагнитометра//ПТЭ. 1995. № 1. С. 132−135.
  41. А.Н., Боровик-Романов A.C., Крейнес Н. М. Магнитометр для определения величины и направления намагниченности в анизотропных кристаллах // ПТЭ. 1973. № 1.С. 213−216.
  42. Flanders P.J., Doyle W.D. Motor Driven Magnetometer for Thin Magnetic Films // Rev. Sei. Instr. 1962. V 33, N 6. P. 691−693.
  43. Р.И. Вибрационный магнитометр для измерения магнитных свойств ТМП // Аппаратура и методы исследования тонких магнитных пленок (Сборник). Красноярск, 1968.С. 96−101.
  44. Noakes J.E., Arrott A., Haakana C. Vibrating Sample Magnetometers // Rev. Sci. Instr.1968. V 39, N 10. P. 1436−1438.
  45. Г. С., Ларионов JI.B., Обер Э. О. К вопросу об оптимальной конструкции вибрационного магнитометра для измерения намагниченности насыщения ферромагнитных материалов // Электронная техника. Серия 7. Ферритовая техника.1969, №. 4. С. 28−35.
  46. В.И. Автокомпенсационный магнитометр со сверхпроводящим соленоидом // ПТЭ.1971. № 5. С. 206−208.
  47. Л.К. Вибрационный магнитометр с компенсационной схемой катушек и удвоением частоты // ПТЭ. 1981. № 1. С. 218−219.
  48. А.Д., Бояршинов Ю. В., Карпенко М. М. Автоматизированный магнетометр со сверхпроводящим соленоидом. М.: ПИК ВИНИТИ, 1985. № 69−85 деп. 32 с.
  49. .П., Кузнецов В. Н., Махоткин В. Е., Булушев А. Г. Высокотемпературный магнитометр с вибрирующей платформой // ПТЭ. 1985. № 1.С. 209−210.
  50. В.И., Трухин В. И., Гарифуллин Н. М., Хасанов Н. А. Автоматизированный высокочувствительный вибрационный магнитометр // ПТЭ. 2003. № 5. С. 132−137.
  51. Arrott A., Goldman J.E. Principle for Null Determination of Magnetization and Its Application to Cryogenic Measurements // Rev. Sci. Instr. 1957. V 28, N 2. P. 99−102.
  52. Zieba A., Foner S. Superconducting Magnet Image Effect Observed with a Vibrating Sample Magnetometer // Rev. Sci. Instr. 1983. V 54. No 2. P. 137−145.
  53. Мирясов H.3., Рубцов B.K. Лабораторный электромагнит // ПТЭ. 1959. № 5. С. 142 143.
  54. О.А., Гордов А. Н., Еремина А. К. и др. Температурные измерения: Справочник. К.: Наук, думка, 1989. 704 с.
  55. К.М., Калугин Е. И., Криваксин А. И. Оптимальная конфигурация приемных катушек вибрационного магнитометра // ПТЭ. 1971. № 5. С. 203−205.
  56. X. Справочник по физике: Пер. с нем. М: Мир, 1982. 520 с.
  57. Г. Б., Елфимов Н. Н., Шакулин В.Г.Кварцевые генераторы: Справочное пособие. М.: Радио и связь, 1984. 232 с.
  58. G S Patrin, V V Beletsky, D A Velikanov and G Yu Yurkin Magnetic properties of FeSi with cobalt impurities, Journal of Physics: Conference Series 200, 2010, 62 021
  59. Г. С. Патрин, В. В. Белецкий, Д. А. Великанов, Н. В. Волков, Г. Ю. Юркин, ЖЭТФ, № 11, 2011 г, т.112
  60. M. Mihalik, M. Timko, P. Samuely et al. Magnetic properties and gap formation in FeSi// JMMM, 157−158, 637 (1996).
  61. Г. С. Патрин, B.B. Белецкий, H.B. Волков, Д. А. Великанов, O.B. Закиева., ЖЭТФ, 132,7(2007).
  62. Н. Yasuoka, J.H. Wernick, & G.K. Wertheim Local moment formation in substituted and cobalt-rich CoSi // Mater.Res.Bull., 9, 223 (1974).
  63. Magnetic Properties of Metals (d-Elements, Alloys and Compounds). Editor: H.P.J. Wijn. Berlin: Springer-Verlag. 1991. 181 P.
  64. J. Beille, J. Voiront, F. Towfiq, M. Roth et al. J. Phys. F: Metal.Phys., 11, 2155 (1981).
  65. C.B. Григорьев, В. А. Дядькин, C.B. Малеев и др., ФТТ, 52, 852 (2010).
  66. В.А. Губанов, А. И. Лихтенштейн, A.B. Постников. Магнетизм и химическая связь в кристаллах. М.- Наука, 1985.
  67. H. Morozumi, II. Yamada. Half metallic state of (Fe, Co) Si with B20-type structure // JMMM, 310,1048(2007).
  68. Z.Schlesinger, Z. Fisk, H.-T. Zhang et al. Unconventional charge gap formation in FeSi // Phys. Rev. Lett., 71, 1748 (1993).
  69. H.R. Krushna-Murthy, J.W. Wilkins, K.G.Wilson. Phys. Rev., 21, 1003 (1980).
  70. A.A. Абрикосов. Основы теории металлов. M.- Наука, 1987, 520 С.
  71. К. Schwarz, Р. Mohn, P. Blaha, & J.Kubler., J. Phys. F: Met. Phys., 14, 2659 (1984).
  72. В.Ю. Ирхин, Ю. П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях. Екатеринбург, УрО РАН, 2004,472 С
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!