Дипломы, курсовые, рефераты, контрольные...
Срочная помощь в учёбе

Исследование процессов образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на эпитаксиальных слоях сульфида кадмия

Диссертация: Исследование процессов образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на эпитаксиальных слоях сульфида кадмия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Целью настоящей работы является комплексное исследование процессов образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности эпитаксиальных слоев сульфида кадмия, определение основных характеристических параметров этих состояний и установление зависимости этих процессов от ориентации поверхности и от ее предварительной обработки. Выбор сульфида кадмия в качестве объекта… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Феноменологическое описание кинетики адсорбции на поверхности полупроводников
    • 1. 2. Кинетика заряжения поверхности полупроводников при хемосорбции
    • 1. 3. Влияние адсорбции различных частиц на электрофизические и фотоэлектрические параметры сульфида кадмия
  • Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА
    • 2. 1. Методика получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия
    • 2. 2. Конструкция вакуумной установки и измерительной камеры
    • 2. 3. Получение и очистка газов
    • 2. 4. Пьезорезонансный метод измерения адсорбции на эпитаксиальных слоях сульфида кадмия и некоторые его особенности
    • 2. 5. Методика электрофизических измерений
  • Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Кинетические параметры образования адсорбционных состояний на поверхности эпитаксиальных слоев сульфида кадмия
    • 3. 2. Характеристические параметры кинетики фотоадсорбции кислорода на эпитаксиальных слоях Сс

    3.3. Кинетика заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия 83 3.4. Исследование влияния температуры, давления и биографии поверхности на кинетику заряжения эпитаксиальных слоев Сс

    3.5. Исследование медленной релаксации заряда на реальной поверхности эпитаксиальных слоев Сс18.

    3.6. Исследование адсорбционной активности полярных (0001) Б и

    0001) Сс1 граней эпитаксиальных пленок Сс18. а. Характеристические параметры кинетики изменения электропроводности эпитаксиальных пленок С<38 при адсорбции N02 на (0001)8 и (0001)01 гранях. б. Об оценке энергии ионизации адсорбционных поверхностных электронных состояний на полярных (0001)8 и (0001)Сс! гранях эпитаксиальных слоев С<38.

    3.7. Оценка параметров адсорбционных поверхностных электронных состояний эпитаксиальных пленок С<38 путем исследования кинетики термо- и фото десорбции.

Исследование процессов образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на эпитаксиальных слоях сульфида кадмия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Эпитаксиальные слои сульфида кадмия благодаря своим уникальным свойствам находят широкое применение в качестве материалов для опто-, акустои микроэлектроники. На их основе разработаны фотодиоды, фоторезисторы, квантовые генераторы с продольной накачкой электронным пучком, ячейки оперативной памяти, эффективные солнечные батареи, поляризаторы ИК-излучения.

Микроминиатюризация полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем (в частности, использование полупроводниковых материалов в виде эпитаксиальных слоев) неизбежно выдвигает на первый план проблему влияния состояния поверхности. В таких приборах геометрические размеры рабочих элементов таковы, что структура поверхности и границ раздела играет определяющую роль в работе соответствующих устройств. Действительно в ряде тонкопленочных приборов дебаевская длина экранирования превосходит толщину самой пленки, поэтому условия предварительной обработки поверхности и происходящие на ней адсорбционные и де-сорбционные процессы, как в темноте, так и на свету, оказывая существенное влияние на состояние электронно-дырочного газа в этом полупроводнике, нередко определяют основные электрофизические параметры прибора.

Адсорбция молекул и атомов является одним из эффективных методов управления характеристиками полупроводниковых тонких пленок. В зависимости от типа молекул адсорбата, давления и температуры можно варьировать в широких пределах поверхностный заряд и потенциал, глубину залегания и плотность поверхностных электронных состояний. В принципе возможна также пассивация поверхности путем образования на полупроводниковых тонких пленках поверхностных химических соединений.

Теоретически и экспериментально адсорбция на полупроводниках типа.

О (л.

А" В стала особенно интенсивно изучаться в течение последних 25−30 лет. В основном исследовалось влияние адсорбционных и десорбционных процессов на эпитаксиальных слоях типа СдУ? на их электрофизические параметры. Такого рода исследования имели целью получение информации одновременно как об адсорбционных, так и об электрических свойствах поверхности, а также о параметрах электрически активных адсорбционных поверхностных электронных состояний. Однако в подавляющем большинстве этих работ данные о величинах адсорбции на поверхности эпитаксиальных слоев СЖ носят оценочный характер, поскольку получены косвенными методами (в лучшем случае адсорбционные и электрофизические исследования проводились изолированно друг от друга на различных образцах Сай). В тех работах, где для исследования кинетики хемосорбции использовались эмиссионные методы (дифракция медленных электронов (ДМЭ), Ожэ — спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)) также не представляется возможным надежно определить основные параметры адсорбционных электронных состояний на поверхности эпитаксиальных слоев СдУ?, поскольку вследствие электронного возбуждения адсорбированных молекул меняются их кинетические параметры.

Таким образом, исследования, посвященные определению адсорбционных и десорбционных характеристик реальной поверхности эпитаксиальных слоев СДО в темноте и на свету представляют собой весьма актуальную задачу физикохимии поверхности полупроводниковых тонких пленок, решение которой даст возможность улучшить существующие и создать новые приборы и устройства на основе этого материала.

Целью настоящей работы является комплексное исследование процессов образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности эпитаксиальных слоев сульфида кадмия, определение основных характеристических параметров этих состояний и установление зависимости этих процессов от ориентации поверхности и от ее предварительной обработки. Выбор сульфида кадмия в качестве объекта исследования продиктован двумя обстоятельствами: 1. из-за малой концентрации собственных поверхностных электронных состояний реальная поверхность эпи-таксиальных слоев СЛБ является очень удобным объектом для исследования процессов образования и заряжения адсорбционных электронных состояний- 2. разработанная нами лабораторная технология позволяла получать на подложках 5/(9?, А^Оз и слюды эпитаксиальные слои сульфида кадмия с заданными электрофизическими параметрами и определенной ориентацией поверхности.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

• определяются основные кинетические параметры захвата адсорбированных молекул О2, N02 и А^О на поверхностные активные центры эпитакси-альных пленок СДО в темноте и на свету;

• исследуется влияние давления газа, температуры опыта, кристаллографической ориентации поверхности и её биографии на кинетику изменения электропроводности эпитаксиальных пленок Сс13 в результате хемосорбции акцепторных молекул;

• проводится исследование медленной релаксации электропроводности при хемосорбции, в эффекте поля и при оптическом заряжении реальной и окисленной при разных температурах поверхности СЖ, устанавливается зависимость темпа медленной релаксации электропроводности от природы и толщины окисного слоя;

• проводятся прямые измерения чисто термической и низкотемпературной фотостимулированной десорбции О2 и Ы20 с поверхности эпитаксиальных пленок СЖ и определяются энергетическое положение адсорбционных электронных состояний, а также энергии активации десорбции нейтральных молекул 02 и И20 .

Научная новизна работы. Экспериментальные исследования, выполненные в работе позволили:

1. определить характеристические параметры кинетики адсорбции 02, И20, Ы02 на реальной поверхности эпитаксиальных слоев СЖ и установить зависимость этих параметров от степени заполнения поверхности адсорбированными молекулами;

2. установить зависимость характеристических параметров кинетики фотоадсорбции кислорода от состава твердого раствора СЖ^е/^, а также провести раздельную оценку величин энергий активации образования и энергий активации заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности эпитаксиальных слоев СЖ;

3. проведены измерения кинетики заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия, подвергнутых различным предварительным обработкам, при разных значениях давления адсорбата и температуры опыта;

4. установить зависимость темпа медленной релаксации электропроводности окисленных пленок СЖ от: а) толщины и состава окисного слояб) типа фактора возмущающего электронную систему полупроводника.

5. провести прямые измерения кинетики термостимулированной и фото-стимулированной десорбции 02, И20 с реальной поверхности эпитаксиальных пленок СЖ и определить энергетическое положение адсорбционных электронных состояний, сечение захвата электрона этими состояниями, а также энергии активации десорбции нейтральных молекул 02 и И20.

Практическая значимость результатов, полученных в настоящей диссертационной работе, состоит в следующем: результаты параллельных исследований кинетики адсорбции и изменения электропроводности могут быть использованы для создания на базе эпитаксиальных пленок Ой" приборов для газового анализа и датчиков давления, а также для оптимизации параметров пленочных электронных компонент приборов на основе СЛБрезультаты по адсорбционной активности полярных (OOOl)Cd и (000l)S граней CdS по отношению к акцепторным молекулам могут быть использованы в химической технологии для выбора эффективных катализаторовпредложен новый подход к вопросу об оценке энергии ионизации Ets адсорбционных электронных состояний на поверхностях различной кристаллографической ориентациирезультаты по оптическому заряжению могут быть использованы для создания на основе эпитаксиальных пленок CdS элементов памяти для вычислительной техники.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Различия кинетических параметров захвата адсорбированных молекул активными поверхностными центрами эпитаксиальных пленок CdS при темно-вой и фотоадсорбции — результат термоактивационности обеих стадий тем-новой адсорбции.

2. Характер кинетических кривых изменения электропроводности CdS в процессе хемосорбции акцепторных молекул определяется ориентацией поверхности пленок и их предварительной обработкой, причем немонотонный ход кинетических кривых заряжения Aa (t) обусловлен изменением заряда, локализованного в биографических медленных электронных состояниях .

3. Толщина и состав окисного слоя оказывает существенное влияние на характеристические параметры кинетики Aa (t) эпитаксиальных плёнок CdS при хемосорбции, в эффекте поля и при фотовозбуждении.

4. Зависимость характеристических параметров кинетики образования и заряжения адсорбционных электронных состояний от ориентации поверхности пленок CdS — следствие разной адсорбционной активности полярных (0001)Cd и (ООО!)? граней.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: Всероссийской конференции по физической электронике (Махачкала, 1999, 2008 г.);

Международной конференции, посвященной 275-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Махачкала, 1999 г.) — Международных конференциях по оптике, оптоэлектронике и технологии полупроводников (Ульяновск, 2000 — 2002 гг.) — Международной конференции, посвященной 70-летиючлен-корреспондента РАН И. К. Камилова «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (Махачкала, 2005 г.).

Публикации. По результатам диссертации опубликовано 11 печатных работ, в том числе две работы опубликованы в рецензируемых научных журналах, рекомендованных ВАК.

Достоверность полученных результатов достигнута проведением исследований по апробированным методикам, соответствием результатов работы с результатами экспериментальных исследований, проводимых в России и за рубежом.

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы по исследованию адсорбционных и зарядовых характеристик эпитаксиальных слоев Сс15, обработки данных и их обобщению выполнены автором самостоятельно. Научным руководителем Магоме-довым М.А. оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов.

Структура и объём диссертации. В соответствии с поставленной целью и полученными экспериментальными данными материал диссертации, состоящий из введения, трех глав, выводов и списка литературы, излагается в следующей последовательности.

Первая глава диссертации посвящена литературному обзору, где обсуждаются наиболее интересные работы по исследованию физико-химических процессов, происходящих на поверхности СЖ и их влияния на электрофизические и фотоэлектрические свойства этого полупроводникового соединения.

Во второй главе приводится описание экспериментальной установки и методики эксперимента, включающей элементы технологии выращивания эпитаксиальных пленок Сс18.

Третья глава посвящена экспериментальным результатам и их обсуждению. Здесь содержатся: результаты исследования кинетики адсорбции и фотоадсорбции акцепторных молекул (02,20, NО2) на реальной поверхности эпитаксиальных пленок СйКрезультаты исследования кинетики образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности СЛБ и влияния давления, температуры, биографии и ориентации поверхности на характеристические параметры кинетики изменения электропроводности пленок Сс1 $ в процессе адсорбциирезультаты исследования адсорбционной активности по отношению к акцепторным молекулам полярных граней и соответствующей оценки энергии ионизации адсорбционных поверхностных электронных состояний на полярных (0001)Сс1 и (0001)3 гранях эпитаксиальных слоев Сс13- результаты исследования медленной релаксации заряда на реальной поверхности эпитаксиальных пленок Сс18 при различных «возбуждениях» электронной подсистемырезультаты по исследованию кинетики термостимулированной и фотостимулированной десорбции 02 и Ы20 с поверхности СйК и по определению на их основе энергетики адсорбционных поверхностных электронных состояний систем СЖ+О? и с<�к+и2о.

Завершается диссертационная работа краткими выводами и списком литературы, включающим 174 наименования.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

1. Проведены прямые измерения величин адсорбции акцепторных молекул (Ог, N20, N02, п-бензохинона) на эпитаксиальных слоях СёБ, определены характеристические параметры кинетики образования адсорбционных состояний на реальной поверхности сульфида кадмия. Установлена зависимость этих параметров от степени заполнения адсорбированными молекулами реальной поверхности СёБ.

2. Впервые путем прямых измерений кинетики фотоадсорбции молекул кислорода на реальной поверхности эпитаксиальных слоев СёБ и твердых растворов СёБхЗе^х при разных температурах опыта определены характеристические параметры кинетики фотоадсорбции О2 на СёБ (Сс^хЗе^х) и установлена зависимость этих параметров от состава твердого раствора Сс18×5е1х. Впервые проведена раздельная оценка величин энергии активации образования и энергии активации заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности сульфида кадмия.

3. Показано, что характер кинетических кривых изменения электропроводности эпитаксиальных пленок Сс18 в процессе хемосорбции О2, К20, N02 определяется ориентацией поверхности пленок и их предварительной обработкой, причем ответственным за правую ветвь кинетической кривой Ла (1) с экстремумом является конкуренция между заряжением адсорбционных поверхностных электронных состояний и перезарядкой биографических медленных поверхностных электронных состояний.

— 1504. Установлено, что скорость образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на реальной поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия увеличивается с ростом давления адсорбата и температуры опыта, тогда как темп перезарядки биографических медленных электронных состояний не зависит от давления адсорбата и повышается с ростом температуры.

5. Изучен процесс роста окисной пленки на реальной поверхности CdS. Показано, что скорость релаксации заряда в биографических медленных электронных состояниях (т/1) мало зависит от толщины окисного слоя d0KC, в то время как скорость образования и заряжения адсорбционных электронных состояний (Та" 1) значительно увеличивается с увеличением толщины dOKC.

6. Установлено, что эффективное время релаксации электропроводности Aa (t) эпитаксиальных пленок CdS с окисной пленкой зависит от типа фактора, возмущающего электронную систему полупроводника, причем в эффекте поля и при оптическом заряжении поверхности пленок CdS проявляются разные группы медленных поверхностных электронных состояний.

7. Из измерений кинетики изменения электропроводности Aa (t) эпитаксиальных пленок CdS эпитаксиальных пленок CdS в процессе хемосорбции 02, N20, N02 на (0001)Cd и (000i)S гранях CdS определены характеристические параметры кинетики образования и заряжения адсорбционных состояний и перезарядки биографических медленных электронных состояний на полярных гранях пленок CdS. Показано, что анионная грань обладает большей адсорбционной активностью по отношению к акцепторным молекулам, чем катионная.

8. Развит новый подход, позволяющий достичь измерения энергетического положения поверхностных электронных состояний, обусловленных адсорбированными частицами, как на призматических, так и на полярных гранях сульфида кадмия. В рамках предложенного подхода измерены энергии ионизации адсорбционных электронных состояний EtS на полярных (ООО 1) С<3 и (0001)8 гранях пленок С (18 при хемосорбции Ог, N20, N02.

9. Проведены прямые измерения термостимулированной и фотостимулированной десорбции молекул кислорода и закиси азота с поверхности эпитаксиальных пленок Сс18. Определены энергетические положения адсорбционных электронных состоянии .п^) сечение захвата электрона 81 этими состояниями, а также энергии активации десорбции нейтральных молекул Ен.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973, 400 с.
  2. Taylor А.Н., Thon N. Kinetics of chemisorption.- J.Amer.Chem. Soc., 1952, v.74, № 16, p.4169−4173.
  3. В.Ф., Крылов O.B. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1978, 251 с.
  4. М.А., Магомедов Х. А. Кинетические параметры адсорбции 02 на монокристаллических пленках CdSe — Ж. физ. химии, 1980, т.54, № 7, с. 1738−1740.
  5. А.Е., Зарифьянц Ю. А., Кузнецов B.C. Характеристические времена в кинетике хемосорбции на полупроводниках, — Ж. физ. химии, 1975, т.49, № 7, с. 1770−1773.
  6. Р.А., Абрамова Б. А., Семилетов С. А. Исследование кинетических характеристик адсорбции молекулярного кислорода на пленках ZnO. Кинетика и катализ. 1981, т.22, № 3, с. 789−790.
  7. М.М., Киселев В. Ф., Красильников К.Г.Влияние природы поверхности силикогеля и кварца на их адсорбционные свойства. Ж. физ. химии, 1971, т.35, № 9, с. 2031−2038.
  8. Weiss H.G., Knight J.A., Shapuro J.S. Change in the ratio of hydroxyl groups attached to silicon and aluminum atoms in silica-alumina catalists unon activation.- J. Amer.Chem. Soc., 1959, v.81, № 8, p. 1823−1826.
  9. С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях.- М.: Издательство АН СССР, 1948.
  10. С.Ю., Харахорин Ф. Ф. Адсорбция СО и С02 на Мп02 при низких давлениях.- В сб.: Проблемы кинетики и катализа, т. З, 1937, Л.: ОНТИ, с.222−250.
  11. Ф. Электронный фактор в хемосорбции и катализе. — В кн.: Химия твердого состояния. М.: ИЛ, 1961, с.487−503.
  12. Welzen M.J., Morgan А.Е. Chemisorption on Gallium Phosphide Surfaces.-Surface Sci., 1973, v.39,№l, p.255−259.
  13. Henzler M., Topler J. The adsorption of water vapor on clean cleaved germanium structural and kinetic properties.- Surface Sci., 1973, v.40, № 2, p.388−396.
  14. B.H., Ионов Н. И. Изучение кинетики взаимодействия кислорода с танталом методом вспышки. Физ. тверд, тела, 1971, т.13, № 6, с.1557−1562.
  15. Р.У., Ким Г.Ч., Муминов М. И. Кинетика адсорбции кислорода на сульфидах кадмия и цинка.- Изв. АН Уз. ССР, сер. Физ-мат. Наук, 1976, № 3, с.80−81.
  16. Р.Г., Каламазов Р. У., Колбановский Ю. А., Маннанова Х. Х., Ниязов Х. Р. Хемосорбция кислорода на ZnS, CdS и PbS. — В кн.: Метод радиационных воздействий в исследовании структуры и свойств твердого тела. Ташкент: Изд. «ФАН», 1971, с.220−236.
  17. Baranski A., Duakovitsch V., Galutzka J. Elovich adsorption kinetics of hydrogen surfaces forms onZnO- Bull. Acad. Pol. Sci., 1973, v.21, № 7,p.611−616.
  18. Chang Shin-Chia, Mark P. Leed analysis of the polar (OOOl)-Cd and (000~1)-S surfaces of cadmium sulfide.- J. Vac. Sci. and Technol., 1975, v. 12, № 2, p.629−634.
  19. Brilson L.J. Surface electronic and chemical structure of (112 0) CdSe: comparison with CdS. Surface Sci., 1977, v. 69, № 1, p. 62−84.
  20. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Наука, 1987, 430 с.
  21. Koytezky J.B. A contribution to the molecular-orbital theory of chemisorption.-Trans. Farad.Soc., 1958, v.54, № 7, p.1038−1052.
  22. . Хемосорбция. М.: ИЛ, 1958,326 с.
  23. В.И., Литовченко В. Г., Степко И. И., Стриха В. И., Ляшенко Л. В. Электронные явления на поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1968, 398 с.
  24. В.Г. Управление электрическими характеристиками поверхности с помощью адсорбции молекул.- Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1972, т.9, с. 92−126.
  25. В.Г., Ляшенко В. И., Фролов О. С. Исследование электрофизических свойств поверхности германия.- В кн.: Поверхностные свойства полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1962, с. 147−164.
  26. Many A., Shappir J., Shaked U. Field effect studies of oxygen adsorption on CdS surfaces. Surface Sci., 1969, v.14, № 1, p.156−168.
  27. Haas K.J., Fox D.C., Katz M.J. Interactions of oxygen with surfaces of cadmium sulfide single crystals.- J. Phys. and Chem. Solids, 1965, v.26, № 12, p. 17 791 786.
  28. Campbell B.D., Farnsworth H.E. Studies of structure and oxygen adsorption of (0001) CdS surfaces by LEED.- Surface Sci., 1968, v.10, № 2, p.197−214.
  29. Balestra C.L., Lagowski J., Gatos H.C. Determination of surface state energy position by surface photovoltage spectrometry: CdS. Surface Sci., 1971, v.26, №l, p.317−320.
  30. Balestra C.L., Gatos H.C. Contact potential measurements on «clean» CdS surfaces.- Surface Sci., 1971, v.28, № 2, p.563−568.
  31. Lagowski J., Balestra C.L., Gatos H.C. Determination of surface state parameters from surface photovoltage transients: CdS. Surface Sci., 1994, v.51, № 1, p.203−212.
  32. Weber E. H. Surface photoconductivity of CdS influenced by chemisorption and desorption of oxygen. Phys. Status solidi, 1968, v.28, № 2, p. 649−662.
  33. В.И., Пеший C.B. Акустоэлектронное затухание в условиях нестационарной фотопроводимости в сульфиде кадмия. Физ. и техн. полупроводников, 1988, № 8, с. 1486−1488.
  34. Bhushan S., Sharma S.K. Sensitisation effects in the photoconductivity of CdS. -J. Phys. Condens. Matter., 1996, v.2, № 7, p. 1827−1832.
  35. Mark P. Photo-induced chemisorption on insulating CdS crystals.-J. Phys. and Chem. Solids, 1964, v.25, № 9, p.911−920.
  36. Medved D.B. Photoconductivity and chemisorption kinetics in sintered zinc oxide semiconductor. J. Phys. and Chem. Solids, 1961, v.20, № 3, p.255−267.
  37. Wagner R.G., Breitweiser G.C. Interface related electrical properties of cadmium selenide films.- Solid — State Electron., 1969, v. 12, № 4, p.229−238.
  38. А. Связь между физическими и химическими процессами на поверхности полупроводников. — В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела (Пер. с англ.) т.2, М.: Мир, 1977, с.306−343.
  39. Sebenne С., Balkanski М. Cinetiques de chemisorption de l’oxygene sur le CdS monocristallin.- Surface Sei., 1964, v. l, № 1, p.22−41.
  40. Sebenne C., Balkanski M. Distributions of electrically active defects in the surface region of CdS single crystals. Surface Sei., 1966, v.5, p. 410−433.
  41. Sebenne C., Balkanski M. Method givihg the distribution of electrically active centres in the surface space charge region of a semiconductor from chemisorption kinetics data.- Surface Sei., 1966, v.5, № 1, p.434−446.
  42. Goodwin T.A., Mark P. The influence of chemisorption on the electrical conductivity of thin semiconductors. In.: Progress in surface science, 1973, p.3−64.
  43. С., Левин Д. Поверхностные (таммовские) состояния. М.: Мир, 1973,120 с.
  44. Somorjai G.A. Charge transfer controlled surface interactions between oxygen and CdSe films. J. Phys. and Chem. Solids, 1963, v.24, № 1, p.175−186.
  45. Ю.П. Влияние адсорбированного кислорода на температурные изменения проводимости окиси цинка.- Кинетика и катализ, 1965, т.6, с. 433−438.
  46. И.М., Горбунов А. И., Голубцов С. А. Хемосорбция хлористого водорода на кремнии разной степени чистоты.- В кн.: Хемосорбция и её роль в катализе: Проблемы кинетики и катализа, т. 14, М.: Наука, 1970, с. 148−152.
  47. Н.Н., Мясников И. А., Гутман Э. Е. О влиянии адсорбции гидро-ксильных радикалов на электропроводность тонких окисных пленок.- Ж. Физ. Химии, 1974, т.48, № 1, с. 173−174.
  48. Glemsa B.R., Kokes R.J. Transient species in oxygen take-up by zinc oxide.- J. Phys. Chem., 1962, v.66, № 3, p.566−568.
  49. Novothy J. Kinetic egyation for the surface potential changes on nickel oxide during chemisorption of smale portions of oxygen.- Bull. Acad. Pol., 1968, v.17, № 3, p.173−179.
  50. А., Дерень Г., Габерь Г. Исследование электропроводности полупроводниковых катализаторов.- В кн.: Физика и физико-химия катализа: Проблемы кинетики и катализа, т. 10, М.: Изд-во АН СССР, 1960, с. 37−49.
  51. С.Н., Новотоцкий — Власов Ю.Ф., Киселев В. Ф. Влияние адсорбции некоторых молекул на электрофизические параметры реальной поверхности германия. Физ. и техн. полупр., 1970, т.4, № 2,с. 353−355.
  52. Kozlov S.N., Kiselev V.F., Novotozki — Vlasov Yu. F. Investigation of long -term processes on a real germanium surface. Surface Sei., 1971, v.28, № 2, p. 395−408.
  53. A.E., Зарифьянц Ю. А., Киселев В. Ф., Козлов С. Н. О кинетике хемосорбции и заряжения поверхности полупроводника. — Докл. АН СССР, 1974, т.217, № 5, с. 1099−1102.
  54. А.Е., Зарифьянц Ю.А.Совместные изменения электропроводности и адсорбции на полупроводниковой пленке. Вестник МГУ, 1972, т.13, № 3, с.355−357.
  55. А.Е. Кинетика адсорбции и заряжения поверхности сульфида свинца. Автореф. дисс. канд. физ-мат. Наук, М., 1975, 26 с.
  56. М.А. Исследование адсорбционных и десорбционных процессов на поверхности эпитаксиальных пленок селенида кадмия. Автореф. дисс. канд. физ-мат. Наук, М., 1982, 19 с.
  57. Р.Н., Магомедов М. А., Магомедов Х. А. Характеристические параметры кинетики адсорбции кислорода и диоксида азота на поверхности эпитаксиальных пленок теллурида кадмия. Ж.физ. химии, 1988, т. 62, № 1, с. 139−142.
  58. Р.Н. Закономерности роста эпитаксиальных слоев CdTe на AI2O3 и исследование их адсорбционно-десорбционных характеристик.- Автореф. дисс. канд. физ-мат. Наук, М., 1994, 21 с.
  59. Н.В., Гутман Э. Е., Мясников И. А. Влияние эффекта поля на адсорбцию атомов и молекул водорода и кислорода на окиси цинка. — Журн. физ. химии, 1981, т.55, № 4, с.986−990.
  60. С.Н. О кинетике заряжения поверхности полупроводника при адсорбции. -Изв. вузов, физ., 1975, № 2, с.116−120.
  61. Bhushan S., Sharma S.K. Effect of annealing on the photoconductivity of CdS: Yb crystals. Cryst. Res. and Technol., 1988, v.23, № 10, p.1355−1359.
  62. Preusser S., Cocivera M. Physical properties of electrodeposited cadmium sulfide.- Sol. Energy Mater, 1990, v.20, № 1, p.1−14.
  63. C.B., Лысенко В. Г. Образование электронно-дырочной плазмы в электрическом поле в сульфиде кадмия.- Физ. тверд, тела, 1988, т. ЗО, № 11, с. 3236−3242.
  64. Forsyth N.M., Dharmadasa J.M., Sobiesierski Z., Williams R.H. Schottky barriers to CdS and their importance in schottky barier theories.- Semicond. Sei. and Technol., 1989, p.4, № 1, p. 57−60.
  65. Chu T.L., Chu Shirley S., Aug S.T. Electrical properties of CdS/CdTe hetero-junctions. 1988, v.64, № 3, p. 1233−1237.
  66. Williams R. Surface photovoltage measurement on cadmium sulfide.- J. Phys. and Chem. Solids., 1962, v.23, № 8, p. 1057−1066.
  67. Bube R.H. The basic significance of oxygen chemisorption on the photoelec-tronic properties of CdS and CdSe.- J. Electro-Chem. Soc., 1966, v.118, № 8, p. 793−798.
  68. Berger H., Boer K.W., Weber E.H. Uber den Einflu? von Gasatmosphoren auf die Spektrale Vesteilung der Photoleitung von CdS Einkristallen. — Z. Phys., 1960, v. 158, № 5, p. 501−510.
  69. Hyges D.M., Carter G. The effect of oxygen adsorption and low energy ion bombardment on the electrical properties of cadmium sulfide thin films.- Phys. Status solidds, 1968, v.25, № 1, p.449−453.
  70. В.А., Снитко O.B., Ширшов Ю. М. Эффект поля в фоточувствительных монокристаллах сульфида кадмия.- Физ. техн. полупр., 1968, т.2, № 9, с.1391−1392.
  71. М.А., Магомедов Х. А. Измерения кинетики изменения электропроводности эпитаксиальных пленок CdS при хемосорбции 02 Сб.: Прикладная физика твердого тела, 1970, с. 19−21.
  72. Brilson L.J. Surface photovoltage and electron energy-loss spectroscopy. J. Vac. Sci. and Thechnol., 1976, v.13, № 1, p.325−328.
  73. Lagovsky J., Lichtensteiger M., Williams P.M. Electron beam induced desorption of oxygen: CdS-Syrface Sci., 1979, v.81, № 1, p.223−226.
  74. Mark P. The role of surface states in the photoelectronic properties of insulating cadmium sulfide crystals.- RCA Rev., 1965, v.26, № 3, p.461−496.
  75. Baidyaroy S., Mark P. Analitical and experimental investigation of the effects of oxygen chemisorption on the electrical conductivity of CdS.- Surface Sci., 1972, v.30,№l, p. 53−68.
  76. Micheletti F.B., Mark P. Ambient sensitivi photoelectronic behavior of CdS sintered layers.- Appl. Phys., 1968, v.39, № 11, p. 5274−5282.
  77. M.A., Мамчич A.A. Измерение адсорбции газа на поверхности эпитаксиальных пленок CdS и CdSe. — Тезисы докладов научно-практической конференции молодых ученых Дагестана, Махачкала, 1977, с. 99.
  78. M.A., Магомедов X.A., Анваров M.A. Кинетика заряжения полярных поверхностей эпитаксиальных пленок CdSe при адсорбции акцепторных молекул.- Физика поверхн. явл. в полупр. (матер, конф.), Киев, 1984, с. 34−35.
  79. В.А., Бондаренко В. Н., Снитко О. В. Определение параметров поверхности монокристаллов CdS из измерений эффекта поля.- Физ. тверд, тела, 1966, т.8, № 9, с. 3114−3116.
  80. Ю.М., Тягай В. А., Снитко О. В. Обнаружение дискретных уровней прилипания на поверхности монокристаллов сульфида кадмия.- Физ. и техн. полупров., 1969, т. З, № 1, с.115−117.
  81. Steinisser F., Hetrick R.E. Wavelength dependence of the surface photovoltage in vacuum cleaved CdS.- Surface Sci., 1971, v.28, № 2, p. 607−620.
  82. Levine J.D., Mark P. Theory and observation of intrinsic surface states on ionic crystals.- Phys. Rev., 1966, v. 144, № 2, p. 751−763.
  83. В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Новосибирск: Наука, 1988, 296 с.
  84. Batyrev A.S., Bisengaliev R.A., Botov О.Е., Karacenko N.V., Sumyanova E.V. Abstr. Int. Conf. Optics of exitons condensed matter. St. Petersburg, 1997, p.64.
  85. A.C., Батырев Э. Д., Бисенгалиев P.A., Новиков Б. В., Антушинов B.C. Влияние подсветки инфракрасным светом на спектры фототока кристаллов CdS. ФТТ, 1999, т.14, № 7, с.1181−1184.
  86. ЮЗ.Смытына В. А., Сердюк В. В. Влияние кислорода на температурную зависимость электропроводности тонких слоев селенида кадмия. — Ж. физ. химии, 1975, т.49, № 5, с. 1210−1213.
  87. М.А., Магомедов Х. А., Ризаханов М. А. Энергия ионизации поверхностных состояний полярных (Se, Cd) граней CdSe, обусловленных адсорбированными молекулами 02. Тез. докл. VIII совещ. по физике поверхн. явл. в полупров., Киев, 1984, ч.1, с.32−35.
  88. Baidyaroy S., Mark P. Sorption -induced conductivity changes in thin compound semiconductors.- Thin Solid Films, 1972, v. l 1, № 1, p.53−55.
  89. M.A., Магомедов X.A., Ризаханов M.A., Гасанова Р. Н. Об оценке энергии ионизации поверхностных состояний полупроводника с адсорбированными молекулами.- Ж. физ. химии, 1987, т.61, № 8, с. 12 161 219.
  90. М.А., Магомедов Х. А., Ризаханов М. А., Гасанова Р. Н. Характеристические параметры кинетики термо- и фотостимулированной десорбции N20 поверхности эпитаксиальных пленок CdSe- Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1989, т.25, № 1, с.149−150.
  91. Т.Т., Тавасиев А. Ф. Исследование медленных поверхностных состояний в монокристаллических слоях селенида кадмия. — Вестник ЛГУ, 1976, № 10, с.47−51.
  92. Ш. Быкова Т. Т., Лазнева Э. Ф. Фотоактивированная десорбция кислорода с поверхности сульфида и селенида кадмия.- Изв. АН СССР, сер. физика, 1979, т.49, № 3, с.473−477.
  93. М.А., Магомедов М. А., Магомедов Х. А. Зависимость энергии активации чисто термической и фотостимулированной десорбции кислорода с поверхности соединения CdSxSejот их состава.- Поверхность (физика, химия, механика), 1982, т.1, № 3, с.128−131.
  94. Apuzumi Т., Mizutani Т., Shimakava К. EPR study on surface properties of ZnS and CdS.- Jap. J. Appl. Phys., 1969, v.8, № 11, p.1411−1416.
  95. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединений А2Вб. Л.: Изд-во ЛГУ, 1978, 310 с.
  96. А.А., Жаворонков Н. В. Особенности кристаллизации соединенийп /г
  97. А В из паровой фазы.- Тезисы докл. IX национальной конф. по росту крист. М.: 2000, с.242−243. Иб. Гасанов Н. Г. Об особенности эпитаксиального роста CdSe на Si Тезисы докл. IX национальной конф. по росту крист. М.: 2000,
  98. И.А., Звонков Б. Н. Холловская подвижность электронов в слоях сульфида и селенида кадмия.- Физ. тверд, тела, 1964, т.6, № 11, с. 33 923 396.
  99. Х.А., Гасанов Н. Г., Гасанова Р. Н. Выращивание CdSe методом транспортных реакций в замкнутой системе, — Изв. АН СССР, Неорг.матер., 1976, т. 12, № 7, с.1196−1199.
  100. Р.А. Получение и исследование эпитаксиальных пленок окиси цинка. — Автореферат диссерт. канд. физ.-мат. наук. М., 1971, с. 18.
  101. Х.А., Гасанов Н. Г., Буттаев М. С. Влияние условий кристаллизации на ориентацию эпитаксиальных слоев соединений А2Вб в полярном направлении.- Тезисы 6 междунар. конф. по росту крист. М.: 1980, с.223−224.
  102. Sasaki К. Study on work function of the (0001) faces of CdS crystal.- Jap.J. Appl. Phys., 1974, v.13, № 6, p. 933−938.
  103. Kuzaka M., Matzui Т., Okazaki S. Interface properties and shottky barriers on polar surfaces of CdS.- Surface Sci., v.41, № 2, p.607−610.
  104. С.А., Рабаданов P.А. Некоторые закономерности роста эпитак1. О fсиальных слоев соединении, А В .- Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. Физико-химическая серия, М.: 1975, с.229−236.
  105. Х.А., Гасанов Н. Г., Буттаев М. С. Авторское свидетельство2 6 725 504. Способ идентификации граней кристаллов соединений, А В и А3В5,1979.
  106. Ebino A., Asano К., Takahashi Т. Surface properties of clean and with absorbed oxygen surfaces of CdTe (110), (111), and (100) and of CdSe {0001}stadied by electron-energy loss spectroscopy.- Phys. Rev., WB, 1980, v.22, № 4, p.1981−1991.
  107. H.H., Костиков Ю. П., Курбатов K.P., Ахроменко Ю. Г., Ильчук Г. А., Павлишин С. П. Состав поверхности CdTe после химического травления по данным РФЭС.- Физика поверхност. явл. в полупроводниках. 4.1, Киев, 1984, с.48−49.
  108. А.Е., Савельева З. И. Метод измерения адсорбции на поверхности монокристалла.- Ж. физ. химии, 1969, т.43, № 6, с.1618−1620.
  109. Slutsky L.J., Wade W.H. Adsorption of gases on quartz single crystals.- J. Chem. Phys., 1962, v.36, № 10, p.2688−2692.
  110. Sauerbrey G. Verwendung von shwingquarzen zur wagung dunner shichten und zur mikrowagung.- Z. Phys., 1959, v.155, № 2, p.206−222.
  111. Г. А., Пекарь К. И., Ройтберг М. Б., Гугля В. Г. Расширение температурного диапазона пьезокварцевого микровзвешивания.- Заводская лаборатория, 1971, т.37, № 7, с. 798−800.
  112. А.К., Поздеев В. В. Применение «кварцевых весов» для исследования кинетики реакции прямого синтеза металлоорганических соединений.-Кинетика и катализ, 1975, т. 16, № 5, с. 1331−1334.
  113. М.И., Смагин А. Г. Конструирование, изготовление и применение кварцевых резонаторов. М.: Энергия, 1971, 168 с.
  114. С. Адсорбция паров и газов, т.2, М.: ИЛ, 1948, 781 с.
  115. .Г., Киселев A.B. Влияние дегидратации поверхности кремнезема на изотермы адсорбции паров азота и аргона.- Ж. физ. химии, 1963, т.37, № 11, с.2520−2528.
  116. Ageev V.N., Ionov N.Y. Progress in surface science .- v.5, № 4, Pergamon Press, 1975, p.l.
  117. С.И. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, Физматгиз, М., 1963.
  118. Э.Х. Поверхностные свойства полупроводников, АН СССР, М., 1962,
  119. JI.A. Активные центры и поверхностная энергия соединений, А В Тематический сборник «Активная поверхность твердых тел», М., 1976, с. 122−126.
  120. И.А. Фотоадсорбция кислорода на сульфиде кадмия.- Докл. АН СССР, 1964, т.155, с. 127−131.
  121. Katz M.J., Haas K.J. The effect of adsorbed oxygen on the surface photovoltage of CdSe. -Surface Sei., 1970, v. 19, № 2, p. 380−386.
  122. M.A., Курбанова A.M., Гасанова P.H., Магомедов Х. А. Исследование фотоадсорбции кислорода на эпитаксиальных слоях теллурида кадмия.- Вестник ДГУ, 1998, вып.1, с.45−49.
  123. М.А., Гасанова Р. Н., Курбанова A.M., Магомедов Х. А. Характеристические параметры кинетики фотоадсорбции кислорода на эпитаксиальных слоях халькогенидов кадмия (CdS, CdSe, n CdTe). — Ж. физ. химии, 1999, т.73, № 6, с. 1122−1124.
  124. Я.А. Введение в химию полупроводников, М.: Высшая школа, 1975, 299с.
  125. Дитина 3.3., Страхов Л. П. Парамагнитные центры на поверхности CdSe .-Физ. тверд, тела, 1966, т.8, № 10, с.3089−3092.
  126. О. Различные формы хемосорбции на полупроводниках.- В кн.: Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках, М.: Мир, 1969, с.94−108.
  127. У.Х. Влияние приповерхностного барьера на скорость хемосорбции на CdS.- Физ. и техн. полупр., 1974, т.8, № 9, с. 1675−1678.
  128. Ю.А. О’соотношении между поверхностным зарядом и заряженной формой хемосорбции на полупроводниках.- Ж. физ. химии, 1978, т.52, № 12, с.3030−3033.
  129. Р.Н., Курбанова A.M., Магомедов М. А., Магомедов Х. А. Исследование заряжения поверхности окисленных пленок CdS. — Вестник ДГУ, 2005, вып.4, с.8−12.
  130. М.А., Магомедов Х. А., Гасанбеков Г. М. Остаточная проводимость в системах CdSe+C>2 и CdTe+02, связанная с поверхностным реком-бинационным барьером.- Тез. докл. респ. конф. по фотоэлектр. явл. в полупров., Одесса, 1982, с. 78−80.
  131. П.К., Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Новотоцкий Власов Ю.Ф. О заряжении термически окисленной поверхности германия.- Физ. и техн. полупр., 1973, т.7, № 7, с.1443−1445.
  132. В.Ф., Козлов С. Н., Зарифьянц Ю. А. О медленных электронных и протонных процессах в системе диэлектрик полупроводник. В кн.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1978, с. 200−247.
  133. М.А., Курбанова A.M. Характеристические параметры кинетики изменения электропроводности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия при адсорбции N02 на полярных гранях. — Сборник научных работ «Естествознание и гуманизм», Томск, 2005, с. 113.
  134. Ф.С., Ризаханов М. А. Обратимые допороговые фототермические преобразования центров прилипания электронов в CdS. Изв. АН СССР, серия физика, 1985, т.49, № 4, с.801−804.
  135. Shubert R., Boer K.W. Desorption of oxygen and its influence on the electrical properties of CdS singl crystal Platelets.- J. Phys. and Chem. Solids, 1971, v.32, № 1, p. 77−92.
  136. Ф.Ф., Горбань A.H., Соколов B.A. Радикало рекомбина-ционная люминесценция полупроводников. М.:Наука, 1976,280 с.
  137. Chang M.F., Farnsworth Н.Е. Effect of bulk resistivity, annealing temperature and illumination on oxygen sorption on CdSe surface.- Surface Sci., 1972, v.25,№l, p.321−333.
  138. Baydyaroy S., Bottoms W.R., Mark P. Photodesorption from CdS.- Surface Sci., 1971, v.28, № 2, p.517−524.
  139. T.T., Лазнева Э. Ф., Тавасиев А. Ф. Десорбция кислорода с поверхности слоев селенида кадмия, стимулированная лазерным излучением.-Письма в ЖТФ, 1973, т. З, № 10, с.467−471.
  140. Т.Т., Лазнева Э. Ф. Роль неравновесных неосновных носителей заряда в процессе фотодесорбции кислорода с CdS.- Физ. и техн. полупр., 1972, т.6, № 7, с.1369−1372.
  141. Zaremba Е., Kohn W. Van der Waals interaction between an atom and a solid surface.- Phys. Rev. В., 1976, v. B, № 6, p.2270−2285.
  142. С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980, 487 с.
  143. В.А., Сердюк В. В. Хемосорбция кислорода на поверхности тонких слоев селенида кадмия.- Журнал физ химии, 1976, т.50, № 7, с.1836−1838.
Заполнить форму текущей работой

Заказал и сдал!