Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
Различие периода решетки подложки и равновесного для расплава твердого раствора (aOf) обуславливает сдвиг условий фазового равновесия в системе Ga-AE-Sb-As относительно свободной кристаллизации и в предельном случае больших Д Q. приводит к стабилизации состава жидкой фазыэтот эффект стабилизации наблюдается при контакте расплава Ga-AP-Sb-As с монокристаллической подложкой Ga As и заключается… Читать ещё >
Содержание
- Введение. g
- Условные обозначения. Ю
- ГЛАВА I. ТВЕРДОЕ РАСТВОРЫ ^xA?xSb^yASy
- ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА, ПОЛУЧЕНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ФОТОПРИЕМНИКОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).XI
- 1. 1. Четырехкомпонентные твердые растворы соединений .II
- 1. 2. Свойства твердых растворов
- 1. 3. Перспективность применения твердых растворов Л у A Sy для создания лавинных фотодиодов (ЛЩЦ)
- 1. 3. 1. Характеристики ЛФД и их связь со свойствами материала
- 1. 3. 2. Особенности ударной ионизации в твердых растворах ^^Ai^Sb^y ASy
- 1. 4. Использование твердых растворов
- Ga^xAfySbj.yASy для создания ЛФД
- 1. 5. Использование варизонных полупроводников в фотоэлектрических приборах
- 1. 6. Жидкостная эпитаксия твердых растворов G"
- 1. 6. 1. Жидкостная эпитаксия изопериодных структур Qcx^AC^Sb^yASy/CaSb
- 1. 6. 2. Жидкостная эпитаксия варизонных полупроводников
- 2. 1. Фазовая диаграмма Ga-Ag-Sb-Ae
- 2. 1. 1. Предварительные замечания
- 2. 1. 2. Расчет фазовой диаграммы Ga-A?-Sb-As
- 2. 2. Влияние различия химического состава подложки и кристаллизуемого слоя на фазовое равновесие при жидкостной эпитаксии
- 2. 2. 1. Предварительные замечания
- 2. 2. 2. Термодинамический анализ устойчивости подложек GaSb в расплавах Gct-Ai-Sb*
- 2. 2. 3. Взаимодействие насыщенных расплавов с твердой фазой в системе Get -Ав-&
- 2. 3. Влияние несоответствия периодов решетки при жидкостной эпитаксии на фазовое равновесие
- 2. 3. 1. Предварительные замечания
- 2. 3. 2. Эффект стабилизации состава жидкой фазы — экспериментальные данные
- 2. 3. 3. Эффект стабилизации состава жидкой фазы — термодинамический анализ
- 3. 1. Экспериментальная установка
- 3. 2. Исходные материалы и их обработка
- 3. 3. Методики определения химического состава и периода решетки эпитаксиальных слоев
- 3. 4. Необходимость согласования периодов решетки в эпитаксиальных структурах
- 3. 5. Изопериодный разрез фазовой диаграммы
- 3. 6. Получение изопериодных структур Gfl/^/A^Sb^ydSy/GaSb методом охлаждения
- 3. 6. 1. Кривые кристаллизации — расчет
- 3. 6. 2. Мышьяк в Ga^^Sb^yylSy/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев -эксперимент
- 3. 6. 3. Получение изопериодных GQjxAtxSbjyASy/GaSb гетероструктур
- 3. 7. Получение изопериодных варизонных структур (ИПВС) Goi^AC^Sb^yASy/GaSb методом изотермического смешивания расплавов
- 3. 8. Легирование эпитаксиальных слоев Gffy^SbMs)
- 4. 1. Объекты исследования
- 4. 2. Вольт-амперные характеристики изопериодных СаА &SbAs/C
- 4. 3. Фотоэлектрические свойства изопериодных GaAZSbAs/GaSb р-п структур
- 4. 3. 1. Методика измерений
- 4. 3. 2. Однородность лавинного умножения в фотодиодах на основе QaAiSbhs
- 4. 3. 3. Фотоэлектрические свойства ЛЩЦ на основе изопериодных р-п структур
- 4. 4. Лавинные GcxAtSbAs фотодиоды — проблемы и перспективы
- 4. 4. 1. Проблема инверсионного слоя
- 4. 4. 2. Проблема природных акцепторов
Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Быстрое развитие полупроводниковой оптоэлектроники, обусловленное необходимостью решения важных прикладных задач, главным образом в области обработки информации и связи, потребовало совершенствования элементной базы оптоэлектроникиизлучателей и фотоприемников.
Излучатели — светодиоды и инжекционные лазеры изготавливаются главным образом на основе соединений А^Р. Для создания фотоприемников используются как соединения так и элементарные полупроводники — германий и кремний.
Использование тройных твердых растворов позволяет расширить возможности фотоприемников по сравнению с приборами на основе элементарных полупроводников и бинарных соединений. Главное преимущество этих систем — возможность получения заданных спектральных характеристик путем выбора состава твердого раствора. Кроме того, на основе твердых растворов можно создавать варизонные и гетероструктуры, позволяющие достигать наиболее высокие характеристики приборов.
Основным способом получения твердых растворов в настоящее время является жидкостная эпитаксия — метод, который был первоначально предложен для бинарных соединений, а затем развит и распространен на многокомпонентные системы /2/.
Использованию твердых растворов препятствует во многих случаях несоответствие периодов решетки в структурах на их основе, что приводит к возникновению дефектов несоответствия и ухудшению характеристик приборов. В полной мере реализовать преимущества твердых растворов позволяют четырехкомпонентные системы, дающие возможность создавать изопериодные структуры с неизменным по координате периодом решетки. На основе четырех-компонентных твердых растворов могут быть созданы изопериодные структуры, перекрывающие практически весь спектральный диапазон, доступный соединениям.
Важной спектральной областью является диапазон длин волн-1,4−1,6 мкм, который весьма перспективен для использования в волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС).
Создание изопериодных структур для фотоприемников на диапазон длин волн 1,4−1,6 мкм возможно на основе твердых растворов InCaAsP и GaAtSbAs. Из этих двух систем первая оказалась достаточно технологичной и к настоящему времени довольно подробно исследована. Твердые же растворы GaAESbAs являются весьма перспективными для создания малошумящих лавинных фотодиодов для этого спектрального диапазона из-за особенностей зонной структуры в соответствующей области составов /3/. Однако, этштвердые растворы являются более сложными в получении, кроме того, им присуща аномально высокая среди соединений А^Р концентрация дефектов нестехиометрии. Публикации о жидкостной эпитаксии в этой системе и создании фотодиодов на рассматриваемый спектральный диапазон практически отсутствовали к моменту начала данной работы. Уникальность физических свойств и наличие интересных технологических задач и привлекли наше внимание к твердым растворам GaAtSbAs.
Данная работа посвящена исследованию жидкостной эпитаксии изопериодных GaAiS>bAs>/GaSb структур для создания фотодиодов на диапазон длин волн 1,4−1,6 мкм и выполнена в Лаборатории электронных полупроводников ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР.
Основные результаты работы сводятся к следующему.
I. Исследованы условия фазового равновесия при жидкостной эпитаксии твердых растворовGaA£SbAs:
— рассчитаны изотермы ликвидуса и солидуса системы в диапазоне температур и составов, актуальном для жидкостной эпитаксии изопериодных структур GaAiSbAs/GaSb;
— исследовано влияние на фазовое равновесие различия химического состава подложки и равновесного для расплава твердого растворапредложена модель взаимодействия подложки с многокомпонентной жидкой фазой;
— исследовано влияние на фазовое равновесие различия периода решетки подложки и равновесного для расплава твердого раствораэкспериментально обнаружен и объяснен эффект стабилизации состава жидкой фазы, находящейся в контакте с подложкой.
2. Исследованы закономерности эпитаксиальной кристаллизации твердых растворов Go, А 6 Sb As на подложку GaSb при охлаждении и при изотермическом смешивании расплавов.
3. Предложен и разработан способ получения изопериодных ге-тероструктур GaAESbAs/GaSb, основанный на эффекте стабилизации состава жидкой фазы.
4. Предложен и разработан способ получения изопериодных ва-ризонных структур путем непрерывного изотермического смешивания расплавов.
5. На основе полученных структур созданы лабораторные образцы лавинных фотодиодов со следующими параметрами при комнатной температуре: пробивное напряжение — 10−55 Вплотность темново-го тока — (3−5)Ю~3и (2−5)I0″ 2A/cm2 при напряжении, равном соответственно 0,5 и 0,9 от пробивногокоэффициент умножения -10−80 для излучения с длиной волны 1,55 мкм.
6. Опробованы различные способы уменьшения концентрации природных акцепторов в твердых растворах на основе антимонида галлия, позволившие в несколько раз снизить величину объемного темнового тока диодов. Получены образцы нелегированного антимо-нида галлия с рекордными параметрами: концентрация дырок -3,3 Ю16см" 3 (300 К) и 6,8 Ю15см-3 (77 К), подвижность дырок -940 см^/В С (300 К) и 6770 см2^ с (77 К).
Результаты работы позволяют сформулировать следующие научные положения.
1. Различие периода решетки подложки и равновесного для расплава твердого раствора (aOf) обуславливает сдвиг условий фазового равновесия в системе Ga-AE-Sb-As относительно свободной кристаллизации и в предельном случае больших Д Q. приводит к стабилизации состава жидкой фазыэтот эффект стабилизации наблюдается при контакте расплава Ga-AP-Sb-As с монокристаллической подложкой Ga As и заключается в том, что содержание мышьяка в расплаве практически не зависит от концентрации сурьмы в нем.
2. Содержание мышьяка в эпитаксиальных слоях Ga^Ai^Sb^yASy /GflSb при кристаллизации в квазиравновесных условиях путем принудительного охлаждения убывает экспоненциально с толщиной слоя, а коэффициент распределения мышьяка возрастает от 100 до 700 при увеличении содержания алюминия в твердом растворе от Х=0 до Х=0,4 (Т=540−550 С, У=0,01−0,03).
3. Обратный объемный темновой ток через Ga^xAtxSb^yAsy (Х=0,06, У<0,01) р-п структуры при напряжениях от нескольких кТ/е до половины пробивного в диапазоне температур 300−373 К обусловлен в основном генерацией носителей в слое объемного заряда через глубокие центры, расположенные вблизи середины запрещенной зоныэффективное время жизни носителей в слое объемного заряда составляет (0,5−1)Ю~9с для материала, полученного из галлиевого расплава при температуре 540−550 С.
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ.
За исключением особо оговоренных случаев, в работе приняты следующие обозначения: е — заряд электрона.
М — коэффициент умножения л — эффективная масса носителей заряда.
U — напряжение.
I — ток «.
J — плотность тока Eg — ширина запрещенной зоны Я — универсальная газовая постоянная К — постоянная Больцмана Т — абсолютная температура cL — параметр межатомного взаимодействия) f — коэффициент активности aSfэнтропия плавления /И — химический потенциал СИ — период кристаллической решетки X, У — концентрация компонентов твердого раствора, мол. дол. А — толщина эпитаксиального слоя.
ИНДЕКСЫ, ОБОЗНАЧАЮЩИЕ ПРИНАДЛЕЖНОСТЬ t — жидкой фазе: SL — стехиометрической жидкой фазе S — твердой фазе f — точке плавления € - электронам — дыркам.
Основные результаты сводятся к следующему:
1. На основе полученных изопериодных структур изготовлены лабораторные образцы ЛЩЦ меза конструкции.
2. Исследовались электрические свойства фотодиодов.
— показано, что на поверхности твердых растворов GaAZSbAs п-типа проводимости может образовываться инверсионный р-слой, что приводит к увеличению обратного тока диодов и нестабильности характеристик;
— показано, что обратный объемный ток через Gd^Al^Sb^yASy (Х=0,06, У<0,01) р-п структуры при напряжениях от нескольких кТ/е до половины пробивного в диапазоне температур 300−373 К обусловлен в основном генерацией носителей в слое объемного заряда через глубокие центры, расположенные вблизи середины запрещенной зоны, а эффективное время жизни носителей в слое объемного заряда составляет (0,5−1 Н0~^с для материала, полученного из галлиевого расплава при температуре 540−550 С;
— показано, что в диодах на основе изопериодных гетероструктур обратный ток может быть снижен по сравнению с гомозонными образцами;
— плотность обратного тока в лучших образцах составляла (3−5>Ю~3 и ^^ШГ^А/см2 при обратном смещении равном-, соответственно, 0,5 и 0,9 от пробивного (комнатная температура).
3. Исследовались фотоэлектрические свойства ЛЩЦ.
— показано, что в ЛФД на основе Go^A^Sb^yASyC. Х=0,06 достижению высокого коэффициента умножения препятствует неоднородность электрического поля в р-п переходе, обусловленная статистическим характером вхождения примеси в эпитаксиальный слой и усугубленная сильной компенсацией материала активной области ЛЩЦ из-за большой концентрации природных акцепторов;
— показано, что в ЛЩЦ на основе QaAiSbAs коэффициент умножения зависит от длины волны излучения, что обусловлено высоким отношением коэффициентов ионизации дырок и электронов;
— коэффициент умножения для излучения с длиной волны 1,55 мкм в исследованных образцах ЛФД составлял 10−80.
4. Изучались возможности уменьшения концентрации природных акцепторов в антимониде галлия и его твердых растворах и улучшения характеристик фотодиодов.
— предложена конструкция ЛЩЦ на основе GaAESbAs, позволяющая увеличить выход приборов с высокими характеристиками за счет подавления поверхностной составляющей обратного тока;
— показано, что уменьшение концентрации свободных дырок в при понижении температуры выращивания обусловлено снижением концентрации природных акцепторов;
— показано, что легирование иттербием при жидкостной эпитаксии GaSb из галлиевых расплавов приводит к снижению концентрации природных акцепторов с I-I017 до (2−4>Ю1бсм" 3, при этом также возникают новые акцепторные центры с Еа=17 мэВ;
— показано, что в эпитаксиальных слоях GaSb, полученных из расплавов, обогащенных сурьмой, концентрация природных акцептотп TR ров (Еа=35 мэВ) снижена с ЫО^до 5-Юхисм ° по сравнению с материалом, полученным из галлиевого расплава при температуре около 550 С, при этом также присутствуют акцепторы с Еа=17 мэВ,.
16 —3 концентрация которых составляет (2−3)10 см ;
— при выращивании эпитаксиальных слоев из сурьмянистых расг плавов в лейкосапфировой кассете получены рекордные по чистоте образцы антимонида галлия с параметрами: р=3,3−10*6 см~^(300 К) и р=б, 8-Ю15см" 3(77 К), подвижность дырок — 940 см^/В-с (300 К) и 6770 см^/В-с (77 К);
— использование сурьмы в качестве растворителя и понижение температуры роста до 400 С при выращивании из галлиевых расплавов позволило снизить плотность обратного тока диодов и увеличить эффективное время жизни носителей в слое объемного заряда в 3−5 раз по сравнению с образцами, полученными в обычных технологических режимах (из галлиевых расплавов при Т=550 С).
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
Целью данной работы являлось исследование жидкостной эпи-таксии твердых растворов GaA&SbAs для разработки технологии изопериодных фотодиодных структур.
Задачи, поставленные в работе, в основном решены. Исследование жидкостной эпитаксии твердых растворов GaAtSbAs позволило впервые разработать технологию изопериодных варизонных структур и создать новую методику получения изопериодных гетероструктур. Были созданы фотодиоды, способные работать в лавинном режиме, а исследование их фотоэлектрических свойств подтвердило справедливость теоретических предпосылок перспективности использования этих твердых растворов в ЛЩЦ.
В процессе решения поставленных задач были получены новые знания, касающиеся фазового равновесия в условиях реальной жидкостной эпитаксии и природных акцепторных центров в твердых растворах на основе антимонида галлия. Были также получены новые представления о факторах, определяющих свойства GaAESbAs фотодиодов. В частности, мы пришли к выводу о том, что наличие природных акцепторов не только затрудняет получение материала с заданной концентрацией свободных носителей, но и приводит к неоднородности лавинного умножения и обуславливает сравнительно большой темновой ток фотодиодов на основе GaAiSbAs.
Эти представления позволили сформулировать новые задачи и определить перспективы дальнейших исследований. Основные усилия должны быть направлены на снижение концентрации природных акцепторов в твердых растворах GaAiSbAS и разработку технологии фотодиодных структур на основе такого материала. В этом направлении нами сделаны первые шаги, показавшие, в частности, перспективность использования таких путей, как легирование редкоземельными элементами и получение эпитаксиальных слоев из расплавов, обогащенных сурьмой. Применение такого подхода уже позволило нам получить рекордные по чистоте образцы антимонида галлия и снизить обратный ток диодов. В дальнейшем необходимо выяснить предельные возможности этих методов в получении чистого материала и распространить их на жидкостную эпитаксию GaAlSbAs. Эти: проблемы являются достаточно сложными, но их решение может позволить в полной мере реализовать потенциальные возможности системы GdABSbAsи сделать ее основным материалом для фотоприемников на диапазон длин волн 1−1,8 мкм.
Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах:
1. Баранов А. Н., Валацка К., ЛидейкисзТ.П., Яковлев Ю. П. Особенности взаимодействия насыщенных расплавов с твердой фазой в системе Gti-AB-Sb, — Известия АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1981, т.17, в. З, с.402−406.
2. Баранов А. Н., Яковлев Ю. П. Особенности жидкофазной эпитаксии изопериодных варизонных структур Ga^AB^Sb^Asy/GaSb ,-Известия АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1982, т.18, в.2, с.203−208.
3. Баранов А. Н., Конников С. Г., Попова Т. Б., Уманский В. Е., Яковлев Ю. П. Эффект стабилизации состава жидкой фазы в GQ-At-Sb-As, — Письма в №, 1982, т.8, в.7, с.432−436.
4. Баранов А. Н., Яковлев Ю. П. Эффект стабилизации состава жидкой фазы в Ga-Ai-SfcrAs (термодинамический анализ), -Письма в ЖТФ, 1982, т.8, в.14, с.888−892.
5. Баранов А. Н., Конников С. Г., Попова Т. Б., Яковлев Ю. П. Мышьяк в Ga^A^Sb^yASy/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев, -Письма в ЖГФ, 1983, т.9, в. II, с.645−648.
6. Baranov A.N., Konnikov S.G., Popova Т.В., Umansky V.E., Yakovlev Yu.P. Stabilization of the melt composition, in Ga-Al-Sti-As,.
Crystal Res. & Technol., 1963, v.18, NoJ, pp.349−353.
7. Baranov A.N., Konnikov S.G., Popova T.B., Umansky V.E., Yakovlev Yu.P. Liquid phase epitaxy of Ga^^Al^rSb^yASy /GaSh and the effect of strain on phase equilibria,.
J.Crystal Growth, 1984, v.66, No1, pp.547−552.
8. Баранов A.H., Бессолов B.H., ЛидейкисзТ.П., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. Способ получения полупроводниковой структуры,-а.с. СССР № 668 506, «Изобретения, открытия.
1980, в.22, с. 351.
9. Баранов А. Н., Бессолов В. Н., Лидейкис Т. П., Яковлев Ю. П. Способ жидкостной эпитаксии варизонных структур, а.с. СССР Р 669 999, «Изобретения, открытия .», 1980, в.37, с. 324.
В заключение я считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность за неоценимую поддержку данной работы моему научному руководителю Юрию Павловичу Яковлеву.
Я также глубоко благодарен Б. В. Царенкову и А. А. Рогачеву за постоянный интерес и внимание к этой работе.
Я также признателен А. Н. Именкову, В. Н. Бессолову и Ю.М.Шер-някову за плодотворное обсуждение результатов работыС.Г.Конни-кову, В. И. Королькову и М. П. Михайловой за их вклад в организацию исследованийВ.Е.Уманскому, Т. Б. Поповой и В. И. Литмановичу за рентгеновские и электронно-зондовые измеренияИ.А.Андрееву и М. З. Жингареву за помощь в работе, а также всем сотрудникам Лаборатории электронных полупроводников ШТИ им. А. Ф. Иоффеза дружеское и доброжелательное отношение.
Список литературы
- Nelson H.E. Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes,-RCA Rev., 1963, v.24, pp.603−615.
- Гореленок А.Т., Царенков Б. В. Способ получения р-п переходов, а.с. СССР № I96177,
- Изобретения, открытия .", 1967, в. II, с. 53.
- Михайлова М.П., Рогачев А. А., Яссиевич И. Н., Ударная ионизация и оже-рекомбинация в IhAs. -ИП, 1976, т.10, в.8, с.1460−1468.
- Tomasetta L.R., Law H.D., Eden R.C., Deyhimy J., Nakano K. High sensitivity optical receivers for1.0−1.4-yt
- ШТП, 1970, т.4, в.9, с.1826−1829.
- Именков А.Н., Стамкулов А. А., Таурбаев Т.И.,
- Царенков Б.В., Шорин В. Ф., Яковлев Ю. П. Высокоэффективные солнечные фотоэлектрогенераторы с тонким варизонным слоем.-ФТП, 1978, т.12, в.5, с.948−951.
- Алферов Ж.И., Арипов Х. К., Егоров Б. В., Ларионов В. Р., Румянцев В. Д., Федорова О. М., Зрнандес Л. Исследованиегетерофотоэлементов с промежуточным преобразованием излучения при высоких уровнях засветки.-ФТП, 1980, т. И, в.4, с.685−690.
- Burnhara. R.D., Holonyak N.Jr., Korb H.W., Macksey Н.М., Scrifes D.R., Woodhouse J.В., Alferov Zh.I.
- Double het его junction AlGaPAs quaternary lasers.-Appl. Phys. Lett., 1971, v.19, No1, p.25−28.
- Nahory R.E., Pollack M.A., Beebe E.D., DeWinter J.O., Ilegems M. The liquid phase epitaxy of АЬ^йа^уАз^-^ЗЪ-^ and the impox’tance of strain effects near the miscibility gap.- J. Electrochem. Soc., 1978, v.125, Ko7, p.1053−1058.
- Sasaki A., Nishiuma M., Takeda Y. Energy band structure and lattice constant chart of III-Y mixed semiconductors, and AlGaSb/AlGaAsSb semiconductor lasers on GaSb substrates.- Jap. J. Appl. Phys., 1980, v.19, ВД" p.1695−17o2.
- И. Долгинов Л. М., Елисеев П. Г., Мильвидский М.Г.
- Многокомпонентные твердые растворы и их применение в лазерах.- Квантовая электроника, 1976, т. З, в.7, с.1381−1393.
- Алферов Ж.И., Гарбузов Д. З., Долгинов Л. М., Елисеев П. Г., Мильвидский М. Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в оптоэлектронике,-Вестник АН СССР, 1978, в.4, с.31−36.
- Елисеев П.Г. Новые гетеропереходы в оптоэлектронике,-Электронная промышленность, 1980, в.8, с.49−58.
- Богатов А.П., Долгинов Л. М., Дружинина Л. В., Елисеев П. Г., Свердлов Б. Н., Шевченко Е. Г. Гетеролазеры на основе твердых растворов GciyXh^x Ру 4s4y и Atx Ga^xSbyAs^y.-Квантовая электроника, 1974, в.10, с.2294−2297.
- Долгинов Л.М., Дружинина JI.B., Елисеев П. Г., Мильвидский М. Г., Свердлов Б.Н. Новый неохлаждаемый гетеролазер в диапазоне 1,5−1,8 мкм,
- Квантовая электроника, 1976, т. З, в.2, с. 465. .
- Aarik J.A., Dolginov L.M., Druzhinina L.V., Eliseev P.G., Louk P.A., Milvidskij M.G., Sverdlov B.N., Friedenthal J.K. Epitaxial AlGaAsSb-GaSb (AlGaSb) heterostructures for injection lasers.
- Kristal und Technik, 1ytsO, v.15, No11, p.1311−116. 17* Neuberger M., III-V semiconducting confounds,
- IFI/Plenum, New York-Washington-London, 1971, v.2. 18. Акимов Ю. А., Буров А. А., Загаринский E.A., Крюкова И. В., Петрущенко Ю. В., Степанов Б. М. Полупроводниковый квантовый генератор с электронной накачкой на основе1. Sb.
- Квантовая электроника, 1975, т.2, в.1, с.68−72. 19″ Bedair S.M. Composition dependence of the Al-^-Ga^^Sbenergy gap.- J. Appl. Phys., 1976, v.47, No11, p.41 454 147.
- Бирюлин Ю.Ф., Буль С. П., Дедегкаев Т. Т., Крюков И. И., Полянская Т. А., Шмарцев Ю. Б. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом раствореsb.
- ФТП, 1977, т. II, в.8, с.1555−1559.
- Effer D., Etter P.J. Investigation into the apparent purity limit in GaSb.
- J. Phys. Ohem. Sol., 1964, v.25, No2, p.451−460.
- Johnson E.J., Fan. H.Y. Impurity and exiton effects ontiie infrared absorption edges of III-V compounds,-Phys. Rev. A, 1965, v.139, No6, p.1991−2001.
- Nakashima K. Electrical and optical studies in Gallium antimonide.- Jap. J. Appl. Phys., 19d1, v.20,1. No4, p.1065−1094.
- Van der Meulen Y.J. Growth, px^operties of GaSbs -che structure of the resiaual acceptor centres.
- J. Phys. Chem. Sol., 196?, v.28, No1, p.25−32.
- Hall R.N., Racevoe J.H. Dis-GxLbuuion coefficicients of impurities in gallium antimonide.
- J. Appl. Phys., 1961, v.32, Ш05, p.856.
- Habegger M., Fan H.Y. Photoconductivity of gallium antimonide.- Phys. Rev. A, 1964, v.138, No2, 598−607.
- Jakovetz W., Ruhle W., Breuningen K., Pilkuhn M.- Luminescence and photoconductivity of undoped p-GaSb.-Phys. Stat. Sol., 1980, v.12, No1, p.169−174.
- Miki H., Segawa K., Fujibayashi K. Undoped n-type GaSb grown by liquid phase epitaxy.
- Jap. J. Appl. Phys., 1974, v.13, No1, p.203−204.
- Oapasso P., Panish M.B., Sumsky S. The liquid-phase14epitaxial growth of low net donor concentration (5×10 -5×10^GaSb for detector applications in the 1.3−1.6yt
- EE J. Quant. Electron., 1981, v. QE-17, No2, p.273−274.
- Тагер A.C. Флюктуации тока в полупроводнике (диэлектрике) в условиях ударной ионизации и лавинного пробоя.
- ФТТ, 1964, т. б, в.8, с.2418−2427.
- Mclntyre R.J. Multiplication noise in uniform avalanche diodes.- IEEE Trans. Electron. Dev., 1966, v. ED-13,p. 164−167.
- Anderson C.L., Crowell C.R. Threshold energies for electron-hole pair production by impact ionization in semiconductors.- Phys. Rev. B, 1972, v.5, p.2267−2272.
- Pearsall T.P., Capasso P., Nahory R.E., Pollack M.A., Chelikovsky J.R. The band structure dependence of impact ionization by hot carriers in semiconductors: GaAs.-Sol. St. Electron., 1978, v.21, No1, p.297−302.
- Корольков В.И., Михайлова М. П. Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5.- ФТП, 1983, т.17, в.4, с.569−582.
- Михайлова М.П., Смирнова Н. Н., Слободчиков С. В. Умножение • носителей заряда и коэффициенты ионизации bI/iAs mlhGaAs. р-п переходах.- ФТП, 1976, т.10, в.9, с.860−864.
- Михайлова М.П., Слободчиков С. В., Смирнова Н. Н., Филаретова Г. М. Шумы лавинных IhAs. и I/iXGa^xAs диодов,-ФТП, 1976, т.10, в.9, с.978−979.
- Hildebrand О., Kuebart W., Pilkuhn М.Н. Resonant enhancement of impact in G
- Appl. Phys. Lett., 1980, v.37, No9, p.801−803.
- Жингарев M.3., Корольков В. И., Михайлова М. П.,
- Сазонов В.В. Зависимость коэффициентов ионизации электронов и дырок от состава в твердых растворах Ga^^Ae^b Письма в ЖТФ, 1981, т.7, в.24, с.1487−1490.
- Ando H., Kanbe H., Kimura Т., Yamaoka Т., Kaneda T. Characteristics of germanium avalanche photodiodes in the wavelength region 1−1.6 jum.
- EE J. Quant. Electron., 1978, v. QE-14, No11, p.804−809.
- Lee S.C., Pearson G.L. Dark current reduction in AlxGa, jxAs-GaAs heterojunction diodes.
- J. Appl. Phys., 1981, v.52, No1, p.275−278.
- Ando H., Kanbe H., Ito M., Kaneda T. Tunneling current in InGaAs and optimum design for InGaAs/InP avalanche photodiode.- Jap. J. Appl. Phys., 1980, v.19, N06, p. L277−280.
- Chin R., Holonyak N. Jr., Stillman G.E., Tang Y.Y.,
- Hess K. Impact ionization in multilayered hetегоjunction structures.- Electron Lett., 1980, v.16, No7, p.467−469.
- Kagava Т., Motosugi G. ALGaAsSb avalanche photodiodes for 1.0−1.3 JAm wavelength region.
- Jap. J. Appl. Phys., 1979, v.18, No12, p.2317−2318.
- Kagava Т., Motosugi G. Zn diffusion into AlGaAsSb and its application to APD’s.
- Jap. J. Appl. Phys., 1981, v.20, N05, p.597−600.
- Lehovec K. New photoelectric devices utilizing carrier injection.- Proc. IRE, 1952, v.40, N06, p.1407−1409.
- Kroemer H. Quasi-electric and quasi-magnetic fields m nonuniform semiconductors.
- RCA Rev., 1957, v.18, No2, p.332−339
- Гутов В.В., Именков А. Н., Казаринов Р. Ф., Сурис Р. А., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. Генерация когерентного излучения в варизонной р-п структуре.
- Письма в ЖТФ, 1975, т.1, в.4, с. 196−199.
- Гутов В.В., Данилова Т. Н., Именков А. Н., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. Оптоспектрометрический эффект в полупроводниках.- ФТП, 1975, т.9, в.1, с.52−57.
- Царенков Г. В, Фотоэффект в варизонной р-п структуре.-ФТП, 1975, т.9, в.2, с.253−262.
- Именков А.Н., Яковлев Ю. П., Царенков Б. В. Фотоэлемент.-а.с. СССР № 448 831, опубл. Бюлл. изобр., 1977, в.31.
- Law H.D., Tomasetta L.E., Nakano К., Harris J.S. 1.0−1.4 jum. high speea avalanche photodiodes.-Appl.Phys.Lett., 1976, v.33, N05, p.416−41?.
- Баранов А.Н., Именков A.H., Лидейкис Т. П., Царенков Б. В., Шерняков Ю. М., Яковлев Ю. П. Широкополосный фотоэлектрический эффект в варизонной р-п структуре.-ФТП, 1978, т.12, в.7, C. I4I4-I4I7.
- Capasso F., Tsang W.T., Hatchison A.L., Foy P.W. (The graded hand gap avalanche diode: a new molecular beam epitaxial structure with a. Large ionization rate ratio.- Ins-c.Phys.Conf.Ser.Nob3, 182, p.473−478.
- Вигдорович С.В., Долгинов Л. М., Малинин А. Ю., Селин А. А. Расчет состава фаз четырехкомпонентных систем с помощью ЭВМ (на примере At-Gq-As-Sb).
- Докл. АН СССР, 1978, т.243, в.1, с.125−128.
- Гончарова Т.С., Конников С. Г., Рябцев Н. Г., Третьяков Д. Н., Александрова Т. П. Эпитаксиальное наращиваниеслоев AC^Ga^Sb из металлического расплава.-Изв.ВУЗов, сер. Физика, 1973, в.9, с.146−148.
- Bedair S.M. Growth, and characterization of Al^Ga^gSb.-J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, No6, p.1150−1152.
- Дедегкаев Т.Т., Крюков И. И., Лидейкис Т. П., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. Фазовая диаграмма Ga-AZ-Sb для жидкостной эпитаксии.- ЖТФ, 1978, т.48, в.З. с.599−605.
- Motosugi G., Kagava Т. Liquid-phase epitaxial growth and characterization of AlGaAsSb lattice-matched to Gasb substrates.- J. Gryst. Growth, 1980, v.49, No1, p.102−108.
- Law H.D., Chin R., Nakano K., Milano R. The GaAlAsSb quaternary and GaAlSb ternary alloys and their applica-. tion to infrared detectors.
- EE J. Quant. Electron., 1981, v. QE-17, No2, p.275−283.
- Ponstad G.G., Quillec M., Garone S. Gallium arsenide antimonide: the possibility of lattice-matched LPE growth on InP substrates.
- J. Appl. Phys., 1978, v.49, No12, p.5920−5923.
- Дедегкаев Т.Т., Крюков И. И., Лидейкис Т. П., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. Жидкостная эпитаксия вари-зонных структур.
- ЖТФ, 1980, т.50, в. З, с.1056−1066.
- Woodal J.M. Isothermal solution mixing growth of thin Ga^xAlxAs layers.
- J. Electrochem. Soc., 1971, v.118, No1, p.150−152.
- Ilegems M., Panish M.B. Phase equilibria in III-V quaternary systems application to Al-Ga-P-As.-J. Phys. Ghem. Sol., 197^, v.35, No2, p.409−420.
- Jordan A.S., Ilegems M. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semicon-, ductors in the regular solution approximation.
- J. Phys. Chem. Sol., 1975, v.56, No4, p.229−342.
- Селин А.А., Ханин В.А, Метод расчета составов равновесных жидких и твердых фаз многокомпонентных полупроводниковых систем.- ЖФХ, 1979, т.53, в. II, с.2734−2740.
- Jordan A.S. Activity coefficients for a regular multy-component solution.
- J. Electrochem. Soc., 1972, v.119, No1, p.123−124.
- Vieland L.J. Phase equilibria of I1I-V compounds.-Acta Met., v.11, No1, 1963, p.137−159.
- Jordan A.S., Weiner M.E. The effect of the heat capacity of the liquid phase on the heat of fusion liquidus equation of compound semiconductors.
- J. Phys. Ohem.Sol., 1975, v.36, No12, p.1335−1341.
- Panish M.B., Ilegems M. Phase equilibria in ternary III-V systems.
- Progr. Sol. St. Chem., 1972, v.7, p.39−84.
- Ansax’a J., Gambino M., Bros J.P. Etude thermodinamique du systeme ternaire gallium-indium-antimoine.
- J. Cryst. Growth, 1976, v.32, No’l, p.101−106.1. Ъ 5
- Lichtex* B.D., Sommelet P. Thermal properties of A"B Trans. AIMis, 1969, v.245, No1, p.99−106.
- Mocosugi G., Kagawa T. Dependence of surface flatness on uhe LPE condition of AlGaSb.
- Jap. J. Appl. Phys., 1979, v.17, Noll, p.2061−2062.
- Blom G.B. The Ixi-G-a-P ternary phase diagram and its application to liquid phase epitaxial growth.• •
- J. Electrochem. Бос., '1971, v.118, No9, p.1854−1836.
- Вигдорович B.H., Селин А.А", Шутов С. Г., Батура В.П.
- Термодинамический анализ устойчивости кристаллов соеди-з 5нений, А В в четырехкомпонентной жидкой фазе.-Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1981, т.17, в.1, с.10−13.
- Пригожин И., Дефэй Р. Химическая термодинамика,-Новосибирск, Наука, 1966.
- Panish М.В., Cordos P., Powell R.A., Spicer W.E., Pearson G.L. Growth and properties of graded band-gap Al-^Ga^^As layers.
- Appl. Phys. Lett., 1979, v.34, No4, p.366−368.
- Дорфман ВЖ, Петрушинина С. А", Шупегин М. Л. Смещение точки ликвидуса раствора-расплава при эпитаксии напряженных гранатов.
- Докл. АН СССР, 1979, т.246, в.5, с. II59−1162.
- Болховитянов Ю.Б. 0 фазовом равновесии в системе жидкая-твердая фазы перед гетероэпитаксией пленок.-1ФХ, 1982, т.56, в.6, с.1459−1462.
- Ермаков О.Н., Игнаткина Р. С., Сушков В. П. Исследование влияния несоответствия постоянных решетки на процесскристаллизации твердых растворов Dj^^o^Я.-Электронная техника, сер. Полупроводниковые приборы, 1977, в.8, с.26−30.
- Stringfellow G.B. The importance of lattice mismatch in the growth of Ga^-In^^^P epitaxial crystals.
- J. Appl. Phys., 1972, v.43, N08, p.3455−3460.
- Мишурный В.А. Получение и исследование твердых растворов в системах GaP-ГлР, &гР-АвР"автореферат канд. дисс., ФТИ АН СССР, 1974.
- Воронков В.В., Долгинов JI.M., Лапшин А. Н., Мильвидский М. Г. Эффект стабилизации состава в эпитак-сиальном слое твердого раствора.-Кристаллография, 1977, т.22, в.2, с.375−378.
- Арсентьев И.А., Берт Н. А., Конников С. Г., Уманский В. Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей.-ФТП, 1980, т.14, в.1, с.96−100.
- Крессел Г., Нельсон Г. Свойства и применение пленок соединений элементов групп Ш и У, полученных эпитаксией из жидкой фазы.- в кн. Физика тонких пленок, 1977, т.7, с.133−283, М., Мир.
- Баранский П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника, Киев, Наукова думка, 1975.
- Ван дер Мерве Д. Х. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками.- в кн. Монокристаллические пленки, 1966, с. 173, М., Мир.
- Jesser W.A. A theory of pseudomorphism in thin films.- Material Science and Engineering, 1969, v.4, No2, 279−290.
- Бессолов B.H., Именков A.H., Конников С. Г., Поссе Е. А., Уманский В. Е., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных (^а^АС^Р р-п структур.
- ФТП, 1983, т.17, в.12, с.2173−2176.
- Ое К., Shinoda Y., Sugiuyama К.1.ttice deformations and misfit dislocations in GAInAsP/InP double-hetегоstructure layers.
- Appl. Phys. Lett., 1978,.v.No11, p.962−964.
- Андреев B.M., Долгинов JI.M., Третьяков Д. Н. Жидкостная • эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов.
- М., Советское радио, 1975,
- Волков Е.А. Численные методы, — М., Наука, 1982.95* Alferov Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G., Larionov
- V.R., Shelovanova G.N. Liquid phase epitaxy of AlxGa^xAs-GaAs heterostructures.- Kristall und Technik, 1975, v.10, No1, p.103−110.
- Кесаманлы Ф.П., Коваленко В. Ф., Марончук Н. К., Пека Г. П., Шепель Л.Г. Исследование диффузионной длины в варизонных твердых растворах
- ФТП, 1978, т.12, в.7, с.1318−1321.
- Малинин А.Ю., Невский О. Б. Теория кристаллизации приэпитаксиальном выращивании из раствора-расплава.-Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1978, т.14, в.9, с.1774−1779.
- Вилисов А.А., Гермогенов В. П., Максимова Н. К., Эпикгегова Л. Е. Легирование твердых растворов при жид-кофазовой эпитаксии. ч.1. Зависимость коэффициента распределения примеси от состава твердого раствора.
- Изв. ВУЗов, сер. Физика, 1977, в.7, с.10−14.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов.-. М., Энергия, 1973.100. Kagawa Т., Motosugi G.
- AlGaAsSb photodiodes lattice-matched to GaSb.-Jap. J. Appl. Phys., 19V9, v.18, No5, p.1001−1002. 101. Евстропов В. В., Калинин Б. Н., Малкин А. С., Царенков Б. В. Криотермостат.а.с. СССР № 607 301, опубл. Бюлл. изобр., 1978, в.18.
- Sah С., Noyce R.N., Shokley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics.
- Proc. IRE, 1957, v.45, N09, p.1228−1243.
- Tabatabaie N., Stillman G.E., Chin R., Dapkus P.D. Tunneling in the reverse dark current of GaAlAsSb avalanche photodiodes.
- Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, No5, p.415−417″
- Шокли У. Проблемы, связанные с р-п переходами в кремнии.- УФН, 1962, т.77, в.1, с.161−196.
- Вилисов А.А., Гермогенов В. П., Ким Ф.С., Эпиктетова Л. Е. Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии. ч.П. Антимонид галлия-алюминия.
- Изв. ВУЗов, сер. Физика, 1977, в.7, с.15−21.
- Баранов А.Н., Данилова Т. Н., Именков А. Н., Царенков Б. В., Яковлев Б. В. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной р-п структуре.- ФТП, 1983, т.17, вЛ, с.753−755.
- Forrest S.R., Lehemy R.F., Nahory R.R., Pollack M.A. IiiqAs photodiodes with, dark current limited by generation-recombination and tunneling.
- Appl. Phyp.Lett., 1980, v.37, No3, p.322−325.
- Лебедев А.К., Стрельникова И. А. О природе эффективногоцентра излучательной рекомбинации в GaSb и твердыхрастворах на его основе.
- ФТП, 1979, т.13, в.2, с.389−391.
- Woelk О., Benz K.W. Gallium antimonide LPE growth from Ga-rich and Sb-rich solutions.
- J. Oryst. Growth, 1974, v.27, No1, p.177−182.
- Гацоев K.A., Гореленок А. Т., Карпенко С. Л., Мамутин В. В., Сейсян Р. П. Эффекты легирования редкоземельными элементами в низкотемпературной краевой люминесценции 1пР.- ФТП, 1983, т.17, в.12, с.2148−2151.
- Campbell J.С., Dentai A.G., Holden W.S., Hasper B.L. High-perfomance avalanche photodiode with separate absorption «grading» and multiplication regions.-Electron Lett., 19"3, v.19, No20, p.818−820.